JP2007258536A - Electron beam applied device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体製造装置や半導体検査装置などの電子線応用装置に係わり、ウエハやマスクなどを含む試料に用いるアース針の接触が良好か否かを判定することに関する。 The present invention relates to an electron beam application apparatus such as a semiconductor manufacturing apparatus or a semiconductor inspection apparatus, and relates to determining whether or not the contact of a ground needle used for a sample including a wafer and a mask is good.
試料に接触させるアース針の接触が良好か否かの要否判定については、特開2005−127719号公報(特許文献1)に示されている。 Judgment on whether or not the contact of the grounding needle to be brought into contact with the sample is good is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-127719 (Patent Document 1).
特許文献1に示すアース接続の要否判定は、アース針を試料の端面に刺して試料がアースに接続されていることを確認する方法としては、試料の端面に刺した複数のアース針の一本をアースラインから切り離し、これに電流制限抵抗を介して電圧を印加して電流を流し、試料のアース針間の電圧とハードで設定された基準電圧の大小比較を行うコンパレータICによって、試料のアース針間の電圧が基準電圧より小さければアースチェックOK、基準電圧より大きければアースチェックNGで判定を行う方法が取られている。 The determination of the necessity of ground connection shown in Patent Document 1 is a method for confirming that the sample is connected to the ground by inserting the ground needle into the end surface of the sample. The book is disconnected from the earth line, a voltage is applied to the current through a current limiting resistor, current flows, and the comparator IC that compares the voltage between the earth voltage of the specimen and the reference voltage set by hardware is used to compare the sample. If the voltage between the ground needles is lower than the reference voltage, the ground check is OK. If the voltage is higher than the reference voltage, the ground check NG is used.
電子線を試料に照射する電子線応用装置において、試料をアースに接続するために試料の端面に刺したアース針によって、確実に試料のアースが取れていることの確認を上記の方法で行っている。 In an electron beam application device that irradiates a sample with an electron beam, confirm that the sample is securely grounded by the above-mentioned method using a ground needle inserted into the end surface of the sample to connect the sample to the ground. Yes.
このため、試料に流す微弱な電流が試料に刺したアース針以外の経路でショートしていても判定基準電圧以下となってしまい、コンパレータICでは電圧の比較だけを行っているためにアース針で試料のアースが取れていると誤判断してしまう。 For this reason, even if a weak current flowing through the sample is short-circuited by a route other than the ground needle stuck in the sample, the voltage becomes lower than the determination reference voltage. Since the comparator IC only performs voltage comparison, The sample is misjudged to be grounded.
そして、判断した結果の情報だけでは試料のアースを取るために試料の端面に刺したアース針が問題なく試料に刺さっているかどうかの把握が出来なかった。 And it was not possible to grasp whether the grounding needle stuck in the end face of the sample was stuck in the sample without any problem only by the information of the judged result.
また、試料を変更した場合には試料の抵抗値が異なるために、コンパレータICで比較している基準電圧の設定を変更しなければならない。 Further, when the sample is changed, the resistance value of the sample is different, so the setting of the reference voltage compared with the comparator IC must be changed.
上記に問題に対処し、本発明は、アース針と試料との接触状態が良好か否かを誤りなく判定できる電子線応用装置を提供することを目的とする。 The present invention addresses the above problems, and an object of the present invention is to provide an electron beam application apparatus that can determine without error whether or not the contact state between a ground needle and a sample is good.
本発明は、試料の表側端面に接触させる複数のアース針と、前記アース針の一つに接続される電流検出抵抗とを有し、前記アース針の接触抵抗を含む試料の抵抗と電流検出抵抗との電位差より前記接触抵抗を含む試料の抵抗値を計算し、前記抵抗値より前記アース針と前記試料との接触状態が良好か否かを判定する判定手段を有することを特徴とする。 The present invention has a plurality of grounding needles to be brought into contact with the front end surface of the sample, and a current detection resistor connected to one of the grounding needles, and the resistance of the sample and the current detection resistance including the contact resistance of the grounding needle And determining means for determining whether or not the contact state between the grounding needle and the sample is good based on the resistance value.
本発明によれば、アース針と試料との接触状態が良好か否かを誤りなく判定される。 According to the present invention, it is determined without error whether or not the contact state between the ground needle and the sample is good.
本発明を適用する電子線応用装置の一例として、図1には電子線描画装置を示す。 As an example of an electron beam application apparatus to which the present invention is applied, FIG. 1 shows an electron beam drawing apparatus.
図2には本発明のアースチェック抵抗測定回路の概略図を示す。 FIG. 2 shows a schematic diagram of the earth check resistance measuring circuit of the present invention.
図3には試料ホルダ115上の試料とアース針との接触図を示す。
FIG. 3 shows a contact diagram between the sample on the
まず、図1に示す電子線描画装置の概要から説明する。 First, the outline of the electron beam drawing apparatus shown in FIG. 1 will be described.
電子線描画装置の鏡体は、上部に電子銃1を有する。電子銃1から放出された電子ビームは、第一成形開口2、成形偏向器3、成形レンズ4を通過する。さらに、電子ビームは、第二成形開口5、ブランキング電極6、成形ビーム7、縮小レンズ8、ブランキング絞り9、対物レンズ10、対物偏向器11を通過して試料13に照射される。
The mirror body of the electron beam drawing apparatus has an electron gun 1 on the top. The electron beam emitted from the electron gun 1 passes through the first shaping opening 2, the
反射電子検出器12は、試料13から反射する反射電子を検知する。試料13は、校正マーク14の位置を確認して位置の補正が行なわれる。試料ステージ15は、前後方向、左右方向、上下方向の移動して試料13を運ぶ。
The
成形偏向制御回路16は、成形偏向器3を制御して電子ビームの絞りを調整する。ブランキング制御回路17は、ブランキング電極6のブランキング作用を制御する。対物偏向制御回路18は、対物レンズ10、対物偏向器11を制御する。信号処理回路19は、反射電子の信号を処理する。ステージ制御回路20は、試料ステージ15の移動を制御する。
The shaping
制御計算機21は、電子描画装置の動作制御を全体的に制御する。この制御計算機21の上位になる上位計算機は、電子描画に関する包括的な管理を行なう。
The
図2に示すアースチェック抵抗測定回路について述べる。 The earth check resistance measuring circuit shown in FIG. 2 will be described.
電源101は基準電圧を供給する。第1のセレクタ105は、電流検出抵抗を選択して抵抗測定レンジを切替えている。すなわち、第1のセレクタ105は、電流検出抵抗A103、電流検出抵抗B104を択一的に選択し、試料13の抵抗値に合うレンジで測定が行なわれる。
The
第2のセレクタ106は、基準抵抗102と試料13のアースチェック抵抗を測定するために切替えるものであり、通常は基準抵抗102側が選択されている。
The
基準抵抗102を測定するときは第1のセレクタ105を電流検出抵抗A103側の抵抗測定レンジに切替えて電源101から基準電圧を供給すると、その電流は電流検出抵抗A103を経由し、基準抵抗102を通って電源101へ戻って来ることで電流検出抵抗A103の両端に生じる電位差を差動増幅回路111に入力し、その出力をA/D変換112でA/D変換した値と抵抗測定回路定数とから制御マイコン113で演算を行って基準抵抗値を求める。
When measuring the
差動増幅回路111の+端子には定抵抗108が、−端子には定抵抗107が設けられてる。この定抵抗108、107を介して電位差は入力される。
A
この求められた基準抵抗値は、アースチェック抵抗測定回路のバラツキ等で基準抵抗102の値からずれているので、このアースチェック抵抗測定回路のバラツキを補正する為の補正値を求める。
Since the obtained reference resistance value deviates from the value of the
そして、試料13の抵抗測定は、第1のセレクタ105を電流検出抵抗A103側の抵抗測定レンジに、第2のセレクタ106を試料抵抗測定側にそれぞれ切替えてから、基準抵抗値の測定と同様にして電流検出抵抗A103の両端の電位差をA/D変換112でA/D変換した値と抵抗測定回路定数と補正値を使用してアースチェック抵抗値の計算を行う。
Then, the resistance measurement of the
この計算結果と上位計算機から設定される閾値(抵抗値)とを比較して、試料がアース針を通してアースラインに接続されているかどうかの判断を行っている。 This calculation result is compared with a threshold value (resistance value) set by the host computer to determine whether the sample is connected to the earth line through the earth needle.
上位計算機は、ワークステーション等のコンピュータで、閾値(抵抗値)をパラメータ値として格納している。オペレータが閾値(抵抗値)を上位計算機に設定すると同時に制御マイコン113に設定格納される。この制御マイコン113で、閾値(抵抗値)と比較してアースチェック抵抗値の良・否が判定される。
The host computer is a computer such as a workstation and stores a threshold value (resistance value) as a parameter value. The operator sets and stores the threshold value (resistance value) in the
本実施例は、アースチェック抵抗測定回路内に備えた基準抵抗102を測定することで回路のバラツキによる補正値を求めると同時に抵抗測定回路のチェックも行っている。
In this embodiment, the
それから、試料13のアースを確保すために、図3に示すように試料13の端面に刺すように接触させたアース針114によって、確実に試料13のアースが取れていることの確認を行う。
Then, in order to secure the ground of the
なお、アース針114はバネ116により、試料13に押しつけられて接触が保たれる。
Note that the
すなわち、図2に示す抵抗測定回路で、第2のセレクタ106を試料抵抗測定側に切替えて基準電圧を印加し、アース針114と試料13の間に微弱な電流を流し、アース針114の接触抵抗を含む試料13の抵抗と電流検出抵抗との電位差を測定し、先に求めた補正値を使用して、接触抵抗を含む試料13の抵抗値を計算により求める。その計算値が上位から設定された閾値以内であるかどうかを判断し、アース針の状態や回路上の問題等の把握も同時に行うことが出来る。
That is, in the resistance measurement circuit shown in FIG. 2, the
また、試料の種類変化に伴う試料の抵抗値に対応したアースチェック抵抗値の閾値を上位計算機からパラメータ値として設定変更することで、容易に試料の種類変化に対応が行えることを特徴としている。 Further, it is characterized in that it is possible to easily cope with a change in the type of the sample by changing the setting of the threshold value of the earth check resistance value corresponding to the resistance value of the sample accompanying the change in the sample type as a parameter value from the host computer.
図2に示す抵抗測定回路ではアース針114と試料13の間の抵抗測定を行うにあたり、第1に示すセレクタ105で電流検出抵抗A103と電流検出抵抗B104を選択する機構を設けることにより、最良の電流検出抵抗を選択しながら抵抗測定を行うことを特徴としている。
In the resistance measurement circuit shown in FIG. 2, when the resistance measurement between the
また、図2に示す第1のセレクタ105では電流検出抵抗A103と電流検出抵抗B104の二者択一選択となっているが、電流検出抵抗を3個以上設けることで測定する抵抗値の分解能を更に上げることも出来る。
In addition, in the
図2に示す抵抗測定回路は、第2のセレクタ106で基準抵抗102と試料13のアースチェック抵抗とを切替えて測定する機構を設けている。アースチェック抵抗測定回路内に備えた基準抵抗102を測定することで、抵抗測定回路のバラツキによる誤差の補正を行うための補正値を求められる。それと併せて抵抗測定回路のチェックを行えることを特徴としている。
The resistance measurement circuit shown in FIG. 2 is provided with a mechanism for switching and measuring the
図4に示すアースチェック処理のフローチャートには試料ホルダ115に試料が正常にセットされたことを確認してからの処理を示す。
The flowchart of the earth check process shown in FIG. 4 shows the process after confirming that the sample is normally set in the
アースチェック処理は試料ホルダ115に装備されたアース針を試料の端面に刺すように接触させ(ステップ401)、アースチェック抵抗測定回路の第2のセレクタ106で基準抵抗102側を選択し(ステップ402)、第1のセレクタ105で電流検出抵抗A103側を選択して(ステップ403)、A/D変換データと測定回路定数から計算によって基準抵抗値と測定回路定数の補正値を求める(ステップ404)。
In the earth check process, the earth needle mounted on the
次に、計算による基準抵抗値が所定の範囲内かどうかを確認し(ステップ405)、範囲内でなければ抵抗測定回路に異常が有ると判断し異常処理を行い(ステップ406)終了する。 Next, it is confirmed whether or not the calculated reference resistance value is within a predetermined range (step 405). If it is not within the range, it is determined that there is an abnormality in the resistance measurement circuit, an abnormality process is performed (step 406), and the process ends.
また、基準抵抗値が所定の範囲内であれば試料の測定を行うために、第2のセレクタ106で試料測定側を選択し(ステップ407)、A/D変換値と測定回路定数と補正値から試料の測定抵抗値を求める(ステップ408)。
If the reference resistance value is within a predetermined range, the
次に、測定したA/D変換値が第1のセレクタ105の切替値より大きく第1のセレクタ105が電流検出抵抗A103側かどうかを確認し(ステップ409)上記に条件であれば電流検出抵抗を電流検出抵抗B104側に切替えて(ステップ410)からステップ408に戻って再度試料の抵抗測定を行い、その抵抗値を計算する。
Next, it is confirmed whether or not the measured A / D conversion value is larger than the switching value of the
また、ステップ409では測定したA/D変換値が第1のセレクタ105の切替値よりも小さければ試料の抵抗測定結果と予めパラメータで設定されている試料に対応した閾値とを比較して(ステップ411)、その測定結果が閾値の範囲内ならば、
”Earth Check Data = ******[Ω],<OK>”と表示する(ステップ412)。
In
“Earth Check Data = ****** [Ω], <OK>” ”is displayed (step 412).
それ以外なら“Earth Check Data = ******[Ω],<NG>”とモニタに表示する(ステップ413)。 Otherwise, “Earth Check Data = ****** [Ω], <NG>” is displayed on the monitor (step 413).
ここで、******には抵抗値の計算結果を整数表示する。 Here, the calculation result of the resistance value is displayed as an integer in ******.
上述した実施例によれば、以下のような効果を得ることが出来る。 According to the embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1).測定対象物の抵抗値を計算により求めることが出来る。 (1). The resistance value of the measurement object can be obtained by calculation.
(2).測定対象物の抵抗値を把握することで試料がアースに正常に接続されているかどうかの判断が出来る。 (2). By grasping the resistance value of the object to be measured, it is possible to determine whether the sample is normally connected to the ground.
(3).電流検出抵抗値の選択により測定対象物の抵抗値の分解能を上げて測定が出来る。 (3). Measurement can be performed by increasing the resolution of the resistance value of the object to be measured by selecting the current detection resistance value.
(4).基準抵抗の測定を行うことで、アースチェック抵抗測定回路のバラツキ誤差を補正することが出来る。 (4). By measuring the reference resistance, the variation error of the earth check resistance measurement circuit can be corrected.
(5).試料の変更に対して、回路の設定変更なしに比較データのパラメータ化により、上位計算機からのパラメータ設定で容易に対応が出来る。 (5). The change of the sample can be easily handled by parameter setting from the host computer by parameterizing the comparison data without changing the circuit settings.
1…電子銃、2…第一成形開口、3…成形偏向器、4…成形レンズ、5…第二成形開口、6…ブランキング電極、7…成形ビーム、8…縮小レンズ、9…ブランキング絞り、10…対物レンズ、11…対物偏向器、12…反射電子検出器、13…試料、14…校正マーク、15…試料ステージ、16…成形偏向制御回路、17…ブランキング制御回路、18…対物偏向制御回路、19…信号処理回路、20…ステージ制御回路、21…制御計算機、101…電源、102…基準抵抗、103…電流検出抵抗A、104…電流検出抵抗B、105…第1のセレクタ、106…第2のセレクタ、107,108…抵抗、111…増幅器、112…A/D変換器、113…制御マイコン、114…アース針、115…試料ホルダ、116…バネ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron gun, 2 ... 1st shaping | molding opening, 3 ... Molding deflector, 4 ... Molding lens, 5 ... 2nd shaping | molding opening, 6 ... Blanking electrode, 7 ... Molding beam, 8 ... Reduction lens, 9 ... Blanking Aperture, 10 ... objective lens, 11 ... objective deflector, 12 ... backscattered electron detector, 13 ... sample, 14 ... calibration mark, 15 ... sample stage, 16 ... shaping deflection control circuit, 17 ... blanking control circuit, 18 ... Objective deflection control circuit, 19 ... signal processing circuit, 20 ... stage control circuit, 21 ... control computer, 101 ... power supply, 102 ... reference resistor, 103 ... current detection resistor A, 104 ... current detection resistor B, 105 ...
Claims (6)
抵抗値が異なる複数の前記電流検出抵抗と、前記電流検出抵抗を択一する第1のセレクタとを有することを特徴とする電子線応用装置。 In the electron beam application apparatus of Claim 3,
An electron beam application apparatus comprising: a plurality of current detection resistors having different resistance values; and a first selector that selects the current detection resistors.
前記試料と並列になる基準抵抗器を設け、
前記電流検出抵抗を前記基準抵抗器または前記試料に択一的に接続する第2のセレクタを設けたことを特徴とする電子線応用装置。 In the electron beam application apparatus of Claim 3,
Provide a reference resistor in parallel with the sample,
2. An electron beam application apparatus comprising a second selector for selectively connecting the current detection resistor to the reference resistor or the sample.
試料の種類に対応する抵抗値の閾値が備えられ、試料の種類に応じて閾値が選択されることを特徴とする電子線応用装置。 In the electron beam application apparatus of Claim 2,
An electron beam application apparatus comprising a threshold value of a resistance value corresponding to a type of sample, and the threshold value is selected according to the type of sample.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11275044B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-03-15 | Nuflare Technology, Inc. | Anomaly determination method and writing apparatus |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5734098U (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-23 | ||
JPH0357211A (en) * | 1989-07-25 | 1991-03-12 | Nec Corp | Specimen holder for electron beam lithography apparatus |
JPH04137615A (en) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of confirmation of continuity |
JPH04301776A (en) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Hioki Ee Corp | Lcr measuring device |
JPH06348976A (en) * | 1993-06-03 | 1994-12-22 | Nohmi Bosai Ltd | Fire sensor |
JPH0727798A (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Nec Corp | Measuring method for insulation resistance of line |
JPH0781117A (en) * | 1993-09-10 | 1995-03-28 | Canon Inc | Recorder and recording control method |
JPH07191072A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | Method for measuring line insulation resistance |
JPH09163465A (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Nec Eng Ltd | Remote supervisory system |
JPH10303093A (en) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | Electron beam lithography system |
JPH11242057A (en) * | 1992-09-30 | 1999-09-07 | Seiko Epson Corp | Digital tester |
JPH11248547A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | T & D:Kk | Measuring device and measuring method therefor |
JP2005003596A (en) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Fujitsu Ten Ltd | Resistance measuring instrument, integrated circuit for measuring resistance, and method of measuring resistance |
JP2005109178A (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Charged particle beam projection exposure apparatus |
JP2006066833A (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Fujitsu Ltd | Method, circuit having function and program of resistance value compensations, and method and program of circuit resistance value tests |
-
2006
- 2006-03-24 JP JP2006082648A patent/JP2007258536A/en active Pending
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5734098U (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-23 | ||
JPH0357211A (en) * | 1989-07-25 | 1991-03-12 | Nec Corp | Specimen holder for electron beam lithography apparatus |
JPH04137615A (en) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method of confirmation of continuity |
JPH04301776A (en) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Hioki Ee Corp | Lcr measuring device |
JPH11242057A (en) * | 1992-09-30 | 1999-09-07 | Seiko Epson Corp | Digital tester |
JPH06348976A (en) * | 1993-06-03 | 1994-12-22 | Nohmi Bosai Ltd | Fire sensor |
JPH0727798A (en) * | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Nec Corp | Measuring method for insulation resistance of line |
JPH0781117A (en) * | 1993-09-10 | 1995-03-28 | Canon Inc | Recorder and recording control method |
JPH07191072A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | Method for measuring line insulation resistance |
JPH09163465A (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-20 | Nec Eng Ltd | Remote supervisory system |
JPH10303093A (en) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | Electron beam lithography system |
JPH11248547A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | T & D:Kk | Measuring device and measuring method therefor |
JP2005003596A (en) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Fujitsu Ten Ltd | Resistance measuring instrument, integrated circuit for measuring resistance, and method of measuring resistance |
JP2005109178A (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Charged particle beam projection exposure apparatus |
JP2006066833A (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Fujitsu Ltd | Method, circuit having function and program of resistance value compensations, and method and program of circuit resistance value tests |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11275044B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-03-15 | Nuflare Technology, Inc. | Anomaly determination method and writing apparatus |
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