JP2007257799A - 磁気ヘッド及び磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

【課題】コイルの巻き数を低減しても十分な強度の記録磁界を発生することが可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】浮上面Sに露出した主磁極３９と、主磁極３９の上に形成された非磁性膜４２と、ギャップ非磁性膜４２の上に浮上面Sから後退して形成され、主磁極３９を励磁する非磁性コイル４６と、ギャップ非磁性膜４２の上に非磁性コイル４６と接して形成され、浮上面Sに露出した軟磁性片４３と、軟磁性片４３と非磁性コイル４６の上に形成された絶縁膜５０と、絶縁膜５０の上に形成され、主磁極３９と共に磁路を構成する上部リターンヨーク５２とを有する磁気ヘッド６０による。
【選択図】図１１

Description

本発明は、磁気ヘッド及び磁気記録装置に関する。

ハードディスクドライブ(HDD)等の磁気記録装置では、薄膜磁気ヘッドにより、ハードディスク等の磁気記録媒体へのデータの記録が行われる。磁気記録媒体への記録方式としては、媒体の面内方向に記録層を磁化させる長手磁気記録方式が一般的である。この長手記録方式は、ハードディスクドライブ等を長い間支えてきた技術であるが、磁気記録媒体の記録密度が近年急速に増加したことにより、その技術はもはや限界に近づきつつあり、更なる高記録密度化が困難な状況に至っている。

長手記録方式に代わる記録方式として現在注目されているものに垂直磁気記録方式がある。この方式では、磁気記録媒体の面内方向の垂直方向に記録層を磁化させて記録を行う。その垂直磁気記録方式では、記録層の隣接するビットの磁化が平行若しくは反平行になって互いに強め合う性質があるので、各磁化が面内において対向する長手磁気記録方式に比べ、原理的に高記録密度化に向いている。

図１は、このような垂直磁気記録方式が採用されたハードディスクドライブの斜視図である。

そのハードディスクドライブは、ハードディスク５と磁気ヘッド１９とで構成される。

このうち、ハードディスク５は、非磁性基材１の上に軟磁性裏打層２、非磁性下地層３、記録層４とをこの順に積層してなる。

また、磁気ヘッド１９は主磁極１２とリターンヨーク１１とを有し、主磁極１２を励磁して記録磁界を発生させるための非磁性コイル１３が主磁極１２の近くに配される。そして、磁気情報を読み取るためのGMR(Giant Magneto-Resistive)素子等の再生素子１７が主磁極１２から離れて設けられると共に、再生分解能を確保するための磁気シールド１５、１６が再生素子１７の両側に配される。

このようなハードディスクドライブでは、書き込みを行う際、断面積の小さな主磁極１２で発生した強い記録磁界Hが記録層４に印加される。このようにすると、垂直磁気異方性を有する記録層４のうち、主磁極１２の直下にあるビットでは、この記録磁界Hによって磁化が反転し、情報が書き込まれる。

主磁極１２から出た磁束は、このように記録層４を垂直に貫いた後、磁気ヘッド１９と共に磁路を構成する裏打層２を通り、再び記録層４を通って、断面積の大きなリターンヨーク１４に低い磁束密度で帰還される。

そして、ハードディスク５と磁気ヘッド１９とを図のAの方向に相対移動させつつ、記録信号に応じて記録磁界Hの向きを変えることにより、垂直方向に磁化された複数の磁区が記録層４のトラック方向に連なって形成され、記録信号がハードディスク５に記録されることになる。

ところで、図１の点線円内に示すように、書き込み時に主磁極１２から出る記録磁界Hの中には、主磁極１２の記録層対向面から記録層４に入る磁界H₁の他に、主磁極１２の側面から漏れ出る磁界H₂がある。この側面から漏洩する磁界H₂の存在は、記録磁界の変化を鈍化させ、記録層４に高記録密度の磁気情報を書き込むのを阻害する。

特に、主磁極１２のリターンヨーク１１寄りの端部（トレーリングエッジ）１２ｂの下方では、１ビットに対応する磁区に最後に記録磁界が印加され、その磁区の磁化が最終的に確定されるので、この部分の記録磁界Hの強度分布が広がると、記録ビットの磁化遷移を鈍化させ、再生信号の品質に大きな影響を及ぼす。

そこで、この種の磁気ヘッド１９では、軟磁性材料よりなるトレーリングシールド１４をリターンヨーク１４の側面に設け、上記の主磁極側面から漏洩する磁界H₂をトレーリングシールド１４に吸収させて、記録磁界Hの広がりを抑制している。

図２は、記録層４における記録磁界Hの強度分布を模式的に表す図であり、横軸は走査方向Aに沿った距離、縦軸は磁界強度を示す。

図２に示されるように、リターンヨーク１１にトレーリングシールド１４を設けたことで、リターンヨーク１１寄りの主磁極１２の端部（トレーリングエッジ）１２ｂにおいて記録磁界Hが急峻に立ち上がるようになり、高密度記録が可能となる。

なお、再生素子１７寄りの主磁極１２の端部（リーディングエッジ）１２ａは、１ビットに対応する磁区に最初に記録磁界Hを印加する部分であり、その磁区の磁化を最終的に確定する部分では無い。従って、リーディングエッジ１２ａ側では、記録磁界Hが広がって書き滲みが発生しても、磁気情報の分解能や記録密度にそれほど影響を与えず、トレーリングエッジ１２ｂ側のようにシールド１４を設ける必要は無い。

トレーリングシールド１４は、上記のように磁界強度を急峻に変化させて記録密度を高める役割を果たす。

ここで、ハードディスクドライブには、上記した高い記録密度の他に、高速で書き込みが行えるという特性も要求される。

高速書き込みを行うには、リターンヨーク１１の長さや非磁性コイル１３の巻き数を可能な限り減少させることにより、裏打層２と磁気ヘッド１９とを合わせた磁路長や、磁気ヘッド１９のインダクタンスを低減する必要がある。

しかしながら、非磁性コイル１３の巻き数を低減するとコイル１３の起磁力が低下するため、主磁極１２から出る記録磁界強度が減少してしまう。そのため、垂直磁気記録方式で採用される磁気ヘッド１９では、なるべく浮上面に近い位置に非磁性コイル１３を設けることにより、主磁極１２の先端部を集中的に励磁するのが望ましい。

ところが、上記のようにリターンヨーク１１にトレーリングシールド１４を設けると、そのトレーリングシールド１４が邪魔で非磁性コイル１３を浮上面に近づけることができないという問題が発生する。

なお、本発明に関連する技術が、下記の特許文献１に開示されている。
米国特許第４６５６５４６号明細書

本発明の目的は、コイルの巻き数を低減しても十分な強度の記録磁界を発生することが可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することにある。

本発明の一観点によれば、浮上面に露出した主磁極と、前記主磁極の上に形成された非磁性膜と、前記非磁性膜の上に前記浮上面から後退して形成され、前記主磁極を励磁する非磁性コイルと、前記非磁性膜の上に前記非磁性コイルと接して形成され、前記浮上面に露出した軟磁性片と、前記軟磁性片と前記非磁性コイルの上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成され、前記主磁極と共に磁路を構成するリターンヨークとを有する磁気ヘッドが提供される。

本発明では、リターンヨーク寄りの主磁極の側面から発生する磁界が軟磁性片に吸収されるので、磁気記録媒体に導入される記録磁界の分布が急峻となり、媒体に対して高分解能且つ高記録密度の磁気情報を記録することができる。

しかも、その軟磁性片は、非磁性コイルと接するように形成されるため、主磁極を励磁するコイルとしても機能する。そして、浮上面に露出するようにその軟磁性片を形成するので、主磁極の先端部分が軟磁性片によって効果的に励磁され、磁気記録媒体に対向する主磁極の先端部分おいて強い記録磁界が発生する。これにより、高速書き込みを行うために非磁性コイルの巻き数を減らして磁気ヘッドのインダクタンスを低減しても、十分な強度の記録磁界によって媒体に磁気情報を記録することができるようになる。

本発明によれば、非磁性コイルに接し且つ浮上面に露出するように軟磁性片を形成するので、高速書き込みを実現すべく非磁性コイルの巻き数を減らしても十分な強度の記録磁界が得られると共に、その記録磁界の分布を急峻にして高分解能且つ高記録密度な磁気情報を書き込むことができる。

（１）第１実施形態
次に、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドについて、その製造工程を追いながら詳細に説明する。

図３〜図１１は、本実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図である。

最初に、図３（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。

まず、AlTiC基板（非磁性基板）２０の上にスパッタ法でアルミナ膜２１を形成する。

次いで、そのアルミナ膜２１の上にレジストパターン（不図示）を形成し、そのレジストパターンの窓の中に電解めっき法によりNi₈₀Fe₂₀層を形成した後、レジストパターンを除去してアルミナ膜２１上にNi₈₀Fe₂₀層を再生素子用下部シールド２２として残す。

なお、リフトオフ法に代えて、イオンミリングや反応性イオンエッチング等によってNi₈₀Fe₂₀層のパターニングを行ってもよい。更に、電解めっき法に代えて無電解めっきやスパッタ法でNi₈₀Fe₂₀層を形成するようにしてもよい。これらについては、以下の各膜についても同様である。

その後に、AlTiC基板２０の上側全面にスパッタ法でアルミナ膜２３を形成する。

続いて、図３（ｂ）に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法でアルミナ膜２３の上面を研磨して平坦化すると共に、再生素子用下部シールド２２を露出させる。このCMPを終了した後の再生素子用下部シールド２２の厚さは約１．５μmとなる。

次いで、図３（ｃ）に示すように、途中にGMR素子等の再生素子２５の形成工程を挟みながら、アルミナ膜２３と再生素子用下部シールド２２のそれぞれの上にスパッタ法でアルミナ膜２６を形成する。なお、再生素子２５はGMR素子に限定されず、TMR(Tunneling Magneto-Resistive)素子であってもよい。

次に、図４（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。

まず、アルミナ膜２６の上に、電解めっき法によりNi₈₀Fe₂₀よりなる再生素子用上部シールド２７を形成する。

そして、この再生素子用上部シールド２７とアルミナ膜２６の上にスパッタ法によりアルミナ膜２８を形成した後、CMP法によりそのアルミナ膜２８を再生素子用上部シールド２７の上面から除去する。このCMPの後の再生素子用上部シールド２７の厚さは約１．５μmとなる。

更に、アルミナ膜２８と再生素子用上部シールド２７のそれぞれの上面にスパッタ法でアルミナ膜２９を形成し、その後、アルミナ膜２９上に電解めっき法によりNi₈₀Fe₂₀よりなる下部リターンヨーク３０を形成する。

そして、下部リターンヨーク３０とアルミナ膜２９のそれぞれの上に、スパッタ法によりアルミナ膜３１を形成し、更に下部リターンヨーク３０の上の余分なアルミナ膜３１をCMP法で除去する。このCMP後の下部リターンヨーク３０の厚さは約１．５μmである。

続いて、図４（ｂ）に示すように、アルミナ膜３１と下部リターンヨーク３０のそれぞれの上に、スパッタ法とリフトオフ法で第１開口３３ａを備えた第１絶縁膜３３を形成する。

次に、図５（ａ）に示すように、第１絶縁膜３３の上にレジストパターン（不図示）を形成した後、電解めっき法によりこのレジストパターンの窓の中に銅膜を約１．５μmの厚さに形成し、レジストパターンを除去して第１絶縁膜３３の上に銅膜を非磁性コイル３５として残す。

そして、図５（ｂ）に示すように、電解めっき法により、第１開口３３ａ内の再生素子用下部シールド３０上に、Ni₈₀Fe₂₀よりなる下部リターンヨーク−主磁極接続部３６を形成する。

次に、図６（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。

まず、AlTiC基板２０の上側全面にスパッタ法でアルミナ膜を形成し、そのアルミナ膜を第１埋め込み絶縁膜３７とする。その後、CMP法により接続部３６の上の余分な第１埋め込み絶縁膜３７を除去して、厚さが約２．０μmの接続部３６を露出させる。

続いて、図６（ｂ）に示すように、接続部３６と第１埋め込み絶縁膜３７のそれぞれの上に、電解めっき法を用いて、トラック幅が０．１８μmのNi₇₀Fe₃₀よりなる主磁極３９を形成する。

更に、図７（ａ）に示すように、第１埋め込み絶縁膜３７と主磁極３９のそれぞれの上にアルミナ膜４０を形成した後、CMP法で主磁極３９上の余分なアルミナ膜４０を除去する。このCMPにより、主磁極３９の厚さは約０．３μmとなる。

次いで、図７（ｂ）に示すように、アルミナ膜４０と主磁極３９のそれぞれの上に、スパッタ法とリフトオフ法で非磁性ギャップ膜４２としてアルミナ膜を厚さ約０．０８μmに形成する。その非磁性ギャップ膜４２は下部リターンヨーク−主磁極接続部３６の上に第２開口４２ａを有し、その第２開口４２ａから主磁極３９が露出する。

次に、図８（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。

まず、独立した二つの窓を備えたレジストパターン（不図示）を非磁性ギャップ膜４２の上に形成する。そして、電解めっきによりこれら二つの窓の中に軟磁性膜としてNi₅₀Fe₅₀膜を形成する。その後、レジストパターンを除去することにより、第２開口４２ａ内の主磁極３９上にNi₅₀Fe₅₀よりなる主磁極−上部リターンヨーク接続部４４を形成すると共に、非磁性ギャップ膜４２の上にNi₅₀Fe₅₀よりなる軟磁性片４３を形成する。

ここで、電解めっきで形成される軟磁性膜は上記のNi₅₀Fe₅₀に限定されず、NiとFeとを含む合金層、例えばCoFeNi層をその軟磁性層として形成してもよい。

続いて、図８（ｂ）に示すように、電解めっき法を用いて、非磁性材料、例えば銅よりなる非磁性コイル４６を非磁性ギャップ膜４２の上に形成する。非磁性コイル４６は、その一部が軟磁性片４３に重なるようにして形成される。

また、その非磁性コイル４６は、第１埋め込み絶縁膜３７と非磁性ギャップ膜４２に形成された不図示の開口を通じて非磁性コイル３５と電気的に接続される。そして、これら非磁性コイル３５、４６は、主磁極３９を囲むようにヘリカル状に巻かれており、その巻き数は２である。

なお、非磁性コイル３５、４６の巻き方は特に限定されず、上記のヘリカル型に代えてスパイラル型の巻き方を採用してもよい。

次に、図９（ａ）に示すように、軟磁性片４３、非磁性コイル４６、接続部４４、及び非磁性ギャップ膜４２のそれぞれの上にスパッタ法で第２埋め込み絶縁膜４８としてアルミナ膜を形成した後、CMP法によりそのアルミナ膜を平坦化し、軟磁性片４３、非磁性コイル４６、及び接続部４４の上面を露出させる。このCMPにより、軟磁性片４３と非磁性コイル４６の厚さは約１．５μmになり、接続部４４の厚さは１．５８μmとなる。

次いで、図９（ｂ）に示すように、軟磁性片４３、非磁性コイル４６、接続部４４、及び非磁性コイル４６のそれぞれの上に、スパッタ法とリフトオフ法でアルミナ膜を形成し、そのアルミナ膜を第２絶縁膜５０とする。その第２絶縁膜は、接続部４４の上に第３開口５０ａを有し、その第３開口５０ａから接続部４４が露出する。

続いて、図１０（ａ）に示すように、電解めっき法とスパッタ法により、第３開口５０ａを介して接続部４４に接続されたNi₈₀Fe₂₀よりなる上部リターンヨーク５２を第２絶縁膜５０の上に形成する。この上部リターンヨーク５２の厚さは特に限定されないが、本実施形態では約１．５μmとする。

その上部リターンヨーク５２は、非磁性コイル３５、４６により励磁され、主磁極３９や下部リターンヨーク３０と共に磁路を形成する。

次に、図１０（ｂ）に示すように、AlTiC基板２０の上側全面に、スパッタ法により保護絶縁膜５４としてアルミナ膜を形成する。

その後に、図１１に示すように、再生素子２５と軟磁性片４３を通る切断面からダイシングを行い、磁気記録媒体に対向する浮上面Sを形成する。

以上により、本実施形態に係る磁気ヘッド６０の基本構造が完成したことになる。

その磁気ヘッド６０では、非磁性ギャップ膜４２により主磁極３９と軟磁性片４３とのギャップが確保され、主磁極３９と軟磁性片４３とが電気的に接続されるのが防がれる。また、軟磁性片４３と非磁性コイル４６が上部リターンヨーク５２に電気的に接続して上部リターンヨーク５２にコイル電流が流れるのを防ぐために、軟磁性片４３と非磁性コイル４６のそれぞれの上に第２絶縁膜５０が形成される。

また、非磁性コイル４６が浮上面Sから後退して形成され、後退してできたスペースに軟磁性片４３が形成される。

図１２は、このような磁気ヘッド６０を用いて垂直磁気記録媒体７０に書き込みを行う際の拡大断面図である。

書き込みを行うには、磁気ヘッド６０と垂直磁気記録媒体７０とを図のＡの方向に相対移動させながら、非磁性コイル４６に通電を行って主磁極３９を励磁する。

本実施形態では、非磁性コイル４６に接するように軟磁性片４３を形成したので、このように非磁性コイル４６に通電を行うと、軟磁性片４３にも電流が流れ、軟磁性片４３がコイルの一部として機能することになる。従って、高速書き込みを行うべく非磁性コイル４３の巻き数を減らして磁気ヘッド６０のインダクタンスを低減しても、媒体７０に対向する軟磁性片４３において発生した磁束によって主磁極３９の先端部分が励磁され、書き込みに必要な十分な強度を持った記録磁界Hを主磁極３９から発生させることが可能となる。

しかも、浮上面Sに露出するように軟磁性片４３を形成したので、主磁極３９の軟磁性片４３寄りの側面から漏洩する磁界H₂が軟磁性片４３によって吸収される。その結果、記録密度や分解能に大きな影響を与えるトレーリング側、即ち主磁極３９のトレーリングエッジ３９ａの近傍の記録磁界の変化が急峻になり、媒体７０に高い記録密度と分解能で磁気情報を記録させることができる。

このように、軟磁性片４３はコイルとトレーリングシールドのそれぞれの機能を持っており、これにより上記のように主磁極３９の励磁効率が向上すると共に、高記録密度と高分解能とを達成し易くなる。

本願発明者は、浮上面Sに垂直な方向の軟磁性片４３の厚みh（図１１参照）により、磁気ヘッド６０のオーバーライト特性がどのように変化するのかを調査した。

なお、この調査では、図１３に示すような従来例に係る記録ヘッド８０のオーバーライト特性についても調査された。図１３において本実施形態と同じ要素には本実施形態と同じ符号を付してある。

図１３に示されるように、この記録ヘッド８０では、軟磁性片４３が非磁性コイル４６から離れて形成されると共に、軟磁性片４３と上部リターンヨーク５２とが接しており、軟磁性片４３がトレーリングシールドとして機能する構造となっている。

更に、この調査では垂直磁気記録媒体を回転させるためにスピンスタンドを使用した。媒体としては、軟磁性裏打層を有し、記録層が二層構造でその保磁力が４．０kOeのものを使用した。そして、その媒体に対し、２００kFCI(Flux Change Per Inch)の低密度ビットパターン上に８００kFCIの高密度ビットパターンをオーバーライトした。なお、記録電流値は６０mA、ヘッド周速は２０m/secである。

この調査結果を次の表１に示す。

表１に示されるように、本実施形態では、軟磁性片４３の厚みhを０．４μm以下にすることで、オーバーライト値が３５dB以上となって従来例の値２８dBを上回り、良好なオーバーライト特性が示される。これは、コイルの一部として機能する軟磁性片４３により主磁極３９の先端が効果的に励磁され、主磁極３９から強い記録磁界が発生することを裏付けるものである。

一方、厚みhを０．４μmよりも大きくすると、オーバーライト値が急激に劣化する。
この結果から、本実施形態において十分な記録磁界を確保するには、軟磁性片４３の厚みhを０．４μm以下にするのが好ましいことが明らかになった。

ところで、軟磁性片４３は、既述のように主磁極３９の側面から出る磁束を吸収するトレーリングシールドとしても機能するが、その軟磁性片４３と主磁極３９との間のギャップが大きいと、トレーリングシールドの効果が薄れると考えられる。こうなると、主磁極３９の側面から出る磁束によって記録磁界の急峻さが失われ、記録された磁気情報のSN比が劣化する恐れがある。

これを確かめるため、本願発明者は、非磁性ギャップ膜４２の膜厚tを様々に変えて磁気情報を垂直磁気記録媒体に書き込み、その磁気情報の読み取り時のSN比を調査した。この調査でも、図１３に示した従来例に係る記録ヘッド８０を用いた場合のSN比も調査された。

なお、この調査では、本実施形態及び従来例のどちらにおいても軟磁性片４３の厚みhを０．２μmとした。更に、垂直磁気記録媒体の構造、記録電流値、及びヘッド周速は表１の場合と同じである。

この調査結果を次の表２に示す。

表２に示されるように、本実施形態では、非磁性ギャップ膜４２の膜厚tを０．０８μm以下とすることで、従来例よりも高いSN比が得られる。一方、その膜厚tを０．０８μmよりも厚くすると、SN比が従来例よりも劣る。従って、本実施形態において高記録分解能を実現するには、非磁性ギャップ膜４２の膜厚tを０．０８μm以下にするのが好ましいことが明らかとなった。

（２）第２実施形態
本実施形態では、第１実施形態の磁気ヘッド６０を備えた磁気記録装置について説明する。

図１４は、その磁気記録装置の平面図である。この磁気記録装置は、パーソナルコンピュータやテレビの録画装置に搭載されるハードディスクドライブである。

この磁気記録装置では、磁気記録媒体７０が、スピンドルモータ等によって回転可能な状態でハードディスクとして筐体７７に収められる。更に、筐体７７の内部には、軸７６を中心にしてアクチュエータ等により回転可能なキャッリッジアーム７４が設けられており、このキャリッジアーム７４の先端に設けられた磁気ヘッド６０が磁気記録媒体７０を上方から走査し、磁気記録媒体７０への磁気情報の書き込みと読み取りが行われる。

本実施形態によれば、第１実施形態で説明したような軟磁性片４３を磁気ヘッド６０に形成したので、磁気ヘッド６０から急峻な分布を持った強い記録磁界が発生し、媒体７０に記録された磁気情報のオーバーライト値やSN比が向上して、高品位な磁気記録装置を提供することが可能となる。

なお、磁気記録装置は、上記のようなハードディスク装置に限定されず、可撓性のテープ状の磁気記録媒体に対して磁気情報を記録するための装置であってもよい。

以下に、本発明の特徴を付記する。

（付記１） 浮上面に露出した主磁極と、
前記主磁極の上に形成された非磁性膜と、
前記非磁性膜の上に前記浮上面から後退して形成され、前記主磁極を励磁する非磁性コイルと、
前記非磁性膜の上に前記非磁性コイルと接して形成され、前記浮上面に露出した軟磁性片と、
前記軟磁性片と前記非磁性コイルの上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に形成され、前記主磁極と共に磁路を構成するリターンヨークと、
を有することを特徴とする磁気ヘッド。

（付記２） 前記軟磁性片は、前記主磁極のトレーリング側に形成されたことを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。

（付記３） 前記浮上面に垂直な方向の前記軟磁性片の厚みが０．４μm以内であることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。

（付記４） 前記軟磁性片は、NiFe、又はNiとFeとを含む合金で構成されることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。

（付記５） 前記非磁性コイルはCuで構成されることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。

（付記６） 前記非磁性膜の厚さは、０．０８μm以下であることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。

（付記７） 前記非磁性膜と前記絶縁膜はアルミナよりなることを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。

（付記８） 前記浮上面に露出した再生素子を更に備えたことを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッド。

（付記９） 付記１〜付記８のいずれか一に記載の磁気ヘッドを備えた磁気記録装置。

図１は、従来例に係るハードディスクドライブの斜視図である。 図２は、従来例に係るハードディスクドライブ装置の記録層における記録磁界の強度分布を模式的に表す図である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その１）である。 図４（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その２）である。 図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その３）である。 図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その４）である。 図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その５）である。 図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その６）である。 図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その７）である。 図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その８）である。 図１１は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッドの製造途中の断面図（その９）である。 図１２は、本発明の第１実施形態に係る磁気ヘッド用いて垂直磁気記録媒体に書き込みを行う際の拡大断面図である。 図１３は、従来例に係る磁気ヘッドの断面図である。 図１４は、本発明の第２実施形態に係る磁気記録装置の平面図である。

符号の説明

１…非磁性基材、２…軟磁性裏打層、３…非磁性下地層、４…記録層、５…ハードディスク、１１…リターンヨーク、１２…主磁極、１２ａ…リーディングエッジ、１２ｂ…トレーリングエッジ、１３…非磁性コイル、１５、１６…磁気シールド、１７…再生素子、１９、６０、８０…磁気ヘッド、２０…AlTiC基板、２１、２３、２６、２８、２９、３１、４０…アルミナ膜、２２…再生素子用下部シールド、２５…再生素子、２７…再生素子用上部シールド、３０…下部リターンヨーク、３３…第１絶縁膜、３３ａ…第１開口、３５、４６…非磁性コイル、３６…下部リターンヨーク−主磁極接続部、３７…第１埋め込み絶縁膜、３９…主磁極、４２…非磁性ギャップ膜、４２ａ…第２開口、４３…軟磁性片、４４…主磁極−上部リターンヨーク接続部、４８…第２埋め込み絶縁膜、５０…第２絶縁膜、５０ａ…第３開口、５２…上部リターンヨーク、５４…保護絶縁膜、７０…垂直磁気記録媒体、７４…キャリッジアーム、７６…軸、７７…筐体。

Claims (5)

1. 浮上面に露出した主磁極と、
   前記主磁極の上に形成された非磁性膜と、
   前記非磁性膜の上に前記浮上面から後退して形成され、前記主磁極を励磁する非磁性コイルと、
   前記非磁性膜の上に前記非磁性コイルと接して形成され、前記浮上面に露出した軟磁性片と、
   前記軟磁性片と前記非磁性コイルの上に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜の上に形成され、前記主磁極と共に磁路を構成するリターンヨークと、
   を有することを特徴とする磁気ヘッド。
2. 前記軟磁性片は、前記主磁極のトレーリング側に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
3. 前記浮上面に垂直な方向の前記軟磁性片の厚みが０．４μm以内であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
4. 前記非磁性膜の厚さは、０．０８μm以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
5. 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドを備えた磁気記録装置。

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