JP2007256793A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Kazuaki Igarashi
和明 五十嵐
Kenji Nakao
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Abstract

【課題】複雑な構造を必要とせずに転移時間の長さを最適化できるようにする。
【解決手段】液晶表示装置100は一対のアレイ基板ARおよび対向基板CT間に液晶層LQを挟持したOCBモードの液晶表示パネルDPと、液晶表示パネルDPを駆動する駆動回路DRとを備える。駆動回路DRは液晶表示パネルDPの温度に対応した周波数のクロックを生成するクロック生成回路10、および電源投入後の初期化として液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる所定遷移パターンの転移電圧をクロック生成回路10から生成される所定数のクロックに対応する時間にわたって液晶層LQに印加させるコントローラ1を含む。
【選択図】 図1

Description

本発明は、画像を表示するためにOCB(Optically Compensated Bend)モードの液晶表示パネルを用いる液晶表示装置に関する。
近年、大型液晶テレビなどの分野では、動画表示に必要とされる高速な液晶応答性を有するOCBモードの液晶表示パネルが注目されている。
OCBモードの液晶表示パネルは、複数の画素電極が配向膜で覆われてマトリクス状に配置されるアレイ基板、共通電極が配向膜で覆われて複数の画素電極に対向するように配置される対向基板、および各配向膜に隣接してアレイ基板および対向基板基板間に挟持される液晶層を含み、さらに一対の偏光板を光学位相差板を介してアレイ基板および対向基板に貼り付けた構造を有する(例えば特許文献1を参照)。
この液晶表示パネルがアクティブマトリクス型である場合、アレイ基板はさらに複数の画素電極の行に沿って配置される複数のゲート線、複数の画素電極の列に沿って配置される複数のソース線、複数のゲート線および複数のソース線の交差位置近傍に配置される複数のスイッチング素子を有する。複数のゲート線はこれらゲート線を駆動するゲートドライバに接続され、複数のソース線はこれらソース線を駆動するソースドライバに接続され、ゲートドライバおよびソースドライバはコントローラによって制御される。各スイッチング素子は例えば薄膜トランジスタ(TFT)からなり、対応ゲート線がゲートドライバによって駆動されたときに導通して、ソースドライバから対応ソース線に設定された画素電圧を対応画素電極に印加する。一対の画素電極および共通電極はこれら電極間に位置する液晶層の一部である画素領域と共に液晶画素を構成し、画素電極の電位と共通電極の電位との差である液晶駆動電圧により駆動される。この液晶駆動電圧はスイッチング素子が非導通になった後も画素電極および共通電極間に保持され、画素領域内の液晶分子配列をこの液晶駆動電圧に対応した電界により設定して液晶画素の透過率を制御する。液晶駆動電圧は液晶層内に生じる電界の方向を変化させるために周期的に極性反転され、これにより液晶分子の偏在化を阻止する。
このようなOCBモードの液晶表示パネルでは、図8に示すように液晶分子の配向状態を電源投入後の初期化によって予めスプレイ配向から表示動作可能なベンド配向に転移させる必要がある。この初期化では、転移電圧がコントローラの制御により転移回路から例えば共通電極に出力され、これにより画素電極および共通電極間に得られる液晶駆動電圧を表示時よりも大きして液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる。
特開平9−185032号公報
ところで、スプレイ配向からベンド配向への転移に要する転移時間は液晶表示パネルの温度に依存する。この転移時間は、25℃の温度において1.2秒程度であり、0℃の温度において2.4秒程度である。従来においては、判別回路あるいはマイコンが液晶表示パネルの温度を検出する温度センサの出力に基いて転移時間を設定するために設けられる。判別回路は温度センサにより検出される液晶表示パネルの温度を基準温度と比較した結果に適合する転移時間を設定し、マイコンは温度センサにより検出される液晶表示パネルの温度に適合する遷移時間を設定する。コントローラは転移電圧が判別回路あるいはマイコンにより設定された転移時間を持つように転移回路を制御する。しかしながら、判別回路を用いた制御の場合、転移時間を非連続的に変化させることになるため、転移時間を十分短縮できないおそれがある。これに対してマイコンを用いた制御の場合には、転移時間を連続的に変化させることができるが、その構造の複雑さが転移時間の制御に要するコストの増大を招くという問題がある。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、複雑な構造を必要とせずに転移時間の長さを最適化できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、一対の電極基板間に液晶層を挟持したOCBモードの液晶表示パネルと、液晶表示パネルを駆動する駆動回路とを備え、駆動回路は液晶表示パネルの温度に対応した周波数のクロックを生成するクロック生成回路、および電源投入後の初期化として液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる所定遷移パターンの転移電圧をクロック生成回路から生成される所定数のクロックに対応する時間にわたって液晶層に印加させるコントローラを含む液晶表示装置が提供される。
この液晶表示装置では、クロック生成回路が液晶表示パネルの温度に対応した周波数のクロックを生成し、コントローラが電源投入後の初期化として液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる所定遷移パターンの転移電圧をクロック生成回路から生成される所定数のクロックに対応する時間にわたって液晶層に印加させる。すなわち、液晶表示パネルの温度が変化すると、これによりクロックの周波数が変化してクロック周期を増減させ、転移電圧の印加時間である転移時間の長さを液晶表示パネルの温度に適合させることができる。また、クロック生成回路は単純な発振器等を用いて構成できる。従って、複雑な構造を必要とせずに転移時間の長さを最適化できる。
以下、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置100について添付図面を参照して説明する。
図1はこの液晶表示装置100の回路構成を概略的に示し、図2は図1に示す液晶表示パネルDPの断面構造を示す。液晶表示装置100は例えばTVセットや携帯電話等において画像情報処理を行って同期信号および表示信号を出力する外部信号源SGに接続される。液晶表示装置100は、複数のOCB液晶画素PXが略マトリクス状に配置されるOCBモードの液晶表示パネルDP、液晶表示パネルDPを照明するバックライトBL、および液晶表示パネルDPを駆動する駆動回路DRを備える。
液晶表示パネルDPは図2に示すようにアレイ基板AR、対向基板CT、および液晶層LQを含む。アレイ基板ARはガラス板等からなる透明絶縁基板GL上に形成される複数の画素電極PE、およびこれら画素電極PEを覆う配向膜ALを含む。対向基板CTはガラス板等からなる透明絶縁基板GL上に形成されるカラーフィルタ層CF、このカラーフィルタ層CF上に形成される共通電極CE、およびこの共通電極CEを覆う配向膜ALを含む。液晶層LQは対向基板CTとアレイ基板ARの間隙に液晶を充填することにより得られる。カラーフィルタ層CFは赤画素用の赤着色層、緑画素用の緑着色層、青画素用の青着色層、およびブラックマトリクス用の黒着色(遮光)層を含む。また、液晶表示パネルDPはアレイ基板ARおよび対向基板CTの外側に配置される一対の位相差板RT、およびこれら位相差板RTの外側に配置される一対の偏光板PLを備える。バックライトBLは、光源としてアレイ基板AR側の偏光板PLの外側に配置される。アレイ基板AR側の配向膜ALおよび対向基板CT側の配向膜ALは互いに平行にラビング処理される。
アレイ基板ARでは、複数の画素電極PEが透明絶縁基板GL上において略マトリクス状に配置される。また、複数のゲート線Y(Y1〜Ym)が複数の画素電極PEの行に沿って配置され、複数のソース線Y(X1〜Xn)が複数の画素電極PEの列に沿って配置される。これらゲート線Yおよびソース線Xの交差位置近傍には、複数の画素スイッチング素子Wが配置される。各画素スイッチング素子Wは、例えばゲート線Yに接続されるゲートおよびソース線Xおよび画素電極PE間に接続されるソース−ドレインパスを有する薄膜トランジスタからなり、対応ゲート線Yを介して駆動されたときに対応ソース線Xおよび対応画素電極PE間で導通する。
複数のOCB液晶画素PXの各々は、対応画素電極PEおよび共通電極CE間の駆動電圧を保持する液晶容量Clcを有する。液晶容量Clcはこの画素電極PEおよび共通電極CE、並びに電極PE,CE間に位置する液晶層LQの一部である画素領域からなる。複数の補助容量線Cst(C1〜Cm)の各々は対応行の液晶画素PXの画素電極PEに容量結合して補助容量Csを構成する。各OCB液晶画素PXでは、液晶分子の配向状態が電源投入前において表示動作不能であるスプレイ配向にある。
駆動回路DRは、電源投入直後に液晶分子の配向状態をスプレイ配向から表示動作可能なベンド配向へ予め転移させるように各OCB液晶画素PXを初期化し、この初期化後にこれらOCB液晶画素PXに表示動作を行わせるように構成されている。各OCB液晶画素PXの初期化では、所定遷移パターンの転移電圧が例えば共通電極CEに出力され、これにより画素電極PEおよび共通電極CE間の液晶駆動電圧を通常表示時よりも大きく設定して、液晶分子の配向状態をベンド配向へ転移させる。この転移後、各OCB液晶画素PXの透過率は複数の画素電極PEおよび共通電極CE間の液晶駆動電圧により制御される。
駆動回路DRは、具体例として、複数のスイッチング素子Wを行単位に導通させるように複数のゲート線Yを順次駆動するゲートドライバYD、各行のスイッチング素子Wが対応ゲート線Yの駆動によって導通する期間において画素電圧Vsを複数のソース線Xにそれぞれ出力するソースドライバXD、液晶表示パネルDPの共通電極CEを駆動する共通電極ドライバCD、並びにゲートドライバYD、ソースドライバXD、および共通電極ドライバCDを制御するコントローラ1を備える。
コントローラ1は、外部信号源SGからの表示信号および同期信号が電源投入後安定するまでに各OCB液晶画素PXの初期化を行うために垂直タイミング制御信号、水平タイミング制御信号、および画素データを内部的に生成し、この初期化後に表示動作を行うために同期信号に基いて垂直タイミング制御信号および水平タイミング制御信号を生成すると共に表示信号に基いて画素データを生成する。垂直タイミング制御信号はゲートドライバYDに出力され、水平タイミング制御信号および画素データはソースドライバXDに出力される。ゲートドライバYDは垂直タイミング制御信号の制御により順次複数のゲート線Yを選択し、1行分の画素スイッチング素子Wを導通させるゲート駆動電圧を選択ゲート線Yに出力する。ソースドライバXDは水平タイミング制御信号の制御によりゲート駆動電圧が選択ゲート線Yに出力される間に1行分の画素データを画素電圧Vsにそれぞれ変換して複数のソース線Xに並列的に出力する。共通電極ドライバCDは表示動作用のコモン電圧Vcomを出力するコモン電圧発生回路2、所定遷移パターンの転移電圧を初期化用のコモン電圧Vcomとして出力する転移回路3、および電源投入後の初期化のために転移回路3の出力を選択し、この初期化後にコモン電圧発生回路2の出力を選択するスイッチ4を含む。画素電圧Vsは共通電極ドライバCDによって設定される共通電極CEの電位に対して画素電極PEに印加される電圧であり、例えばフレーム反転駆動およびフレーム反転駆動、およびライン反転駆動のような形式で極性反転される。尚、全てのOCB液晶画素PXの初期化では、ゲートドライバYDが垂直タイミング制御信号の制御によりゲート線Y1〜Ymを一緒に選択し、全てのOCB液晶画素PXの画素電極PEの電位を互いに共通なレベルに設定することが好ましい。
共通電極ドライバCDのコモン電圧発生回路2、転移回路3、およびスイッチ4はいずれもコントローラ1によって制御される。コントローラ1はこの制御を行うために液晶表示パネルDPの近傍に設けられるクロック生成回路10に接続される。ここでは、クロック生成回路10がICチップとして液晶表示パネルDP上にマウントされている。クロック生成回路10は電源投入に伴なって継続的にクロックを生成する。コントローラ1は電源投入直後からクロック生成回路10から出力されるクロックの数をカウントし、このクロック数に基いてコモン電圧発生回路2、転移回路3、およびスイッチ4をそれぞれ制御する。
図3はクロック生成回路10の構成を示す。このクロック生成回路10は、図3に示すように一対のトランジスタQ1,Q2、抵抗R1〜R5、およびコンデンサC1,C2を接続して構成されるマルチバイブレータであり、ノードSW1およびSW2の一方、ここではSW1からクロックを出力する。図3において丸印で囲んだ抵抗R5は電源端子VCCおよび抵抗R2,R3間に直列に接続され、抵抗値が液晶表示パネルDPの温度上昇に伴なって増加しその温度低下に伴って減少する一般的なサーミスタからなる。このサーミスタのB定数は例えば4485Kであり、温度が25℃から0℃に低下した場合に抵抗値が10kΩから39kΩに変化する。この結果として、クロック生成回路10が表示パネルDPの温度に対応した周波数のクロックを出力することになる。
図4は、液晶表示パネルDPの温度が25℃から0℃に低下したときにクロック生成回路10から出力されるクロックに生じる周波数の変化を示す。図4から判るように、クロックの周期は0.12msから0.24msに変化している。
図5は転移回路3から出力される転移電圧の所定遷移パターンの例を示す。電源電圧が電源投入に伴なって立ち上がると、クロック生成回路10からクロックCLKが発生される。クロックCLKは常温時に上段の周波数で生成され、低温時に常温時よりも低い下段の周波数で生成される。コントローラ1は、例えば所定遷移パターンの転移電圧を転移回路3から出力させるため、転移電圧の遷移タイミングを表すクロック数の基準値として「0」、「5000」、「7500」、「10000」を予め保持している。コントローラ1は電源投入からクロックCLKのクロック数をカウントし、転移電圧をクロック数=0で初期レベルからリセットレベルに遷移させ、クロック数=5000でリセットレベルから正極転移電圧レベルに遷移させ、クロック数=7500で正極性転移電圧レベルから負極転移電圧レベルに遷移させ、さらにクロック数=10000で負極転移電圧レベルから初期レベルに遷移させるように転移回路10を制御する。ここで、リセットレベルはノーマリホワイトモードで白色を表示させる画素電圧レベルと同等であり、液晶分子の配向状態を整えてスプレイ配向からベンド配向へ転移させるための転移能力を向上させるために設定される。また、転移電圧は、液晶分子の配向状態を初期化する間に生じる液晶分子の偏在化を防止するために正極転移電圧レベルとこれに対して逆の負極転移電圧レベルとに交互に設定されている。また、転移電圧の遷移タイミングが上述のように制御される場合、クロックCLKの周期が液晶表示パネルDPの温度に依存して変化しても、リセットレベル、正極性転移電圧レベル、および負極性転移電圧レベルの期間は転移時間の長さに対して一定の割合に維持される。
本実施形態では、クロック生成回路10が液晶表示パネルの温度に対応した周波数のクロックを生成し、コントローラ1が電源投入後の初期化として液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる所定遷移パターンの転移電圧をクロック生成回路10から生成される所定数のクロックに対応する時間にわたって液晶層LQに印加させる。すなわち、液晶表示パネルDPの温度が変化すると、これによりクロックの周波数が変化してクロック周期を増減させ、転移電圧の印加時間である転移時間の長さを液晶表示パネルDPの温度に適合させることができる。また、クロック生成回路10はマルチバイブレータのような単純な発振器等を用いて構成でき、従来のような判別回路あるいはマイコンは不要である。従って、複雑な構造を必要とせずに転移時間の長さを最適化できる。
最適化において、転移時間はクロック生成回路10から出力されるクロックCLKのクロック周期×クロック数(倍率)として設定できるため、液晶表示パネルDPの温度変化に対して転移時間を最適に維持するようにクロック周期を変化させる温度−クロック周波数特性をクロック生成回路10に設定すればよい。リセットレベル、正極性転移電圧レベル、および負極性転移電圧レベル間の遷移タイミングは転移時間の長さに対応するクロック数を所望の割合に分割して得られるクロック数を基準値としてコントローラ 1に保持させればよい。
尚、本発明は上述の実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で様々に変形可能である。
上述の実施形態では、各画素電極PEに印加される画素電圧を一定レベルにして所定遷移パターンの転移電圧をコモン電圧Vcomとして共通電極CEに印加したが、液晶分子の配向状態は液晶層LQに実際に印加される液晶駆動電圧によって制御されるため、例えば図6に示すように各画素電極PEに印加される画素電圧Vsを積極的に利用してスプレイ配向からベンド配向への転移の確実性を高めてもよい。各OCB液晶画素PXの画素電圧Vsは転移電圧よりも高い周波数で正極画素電圧レベルおよび負極画素電圧レベルに設定され、この液晶画素PXの上下左右において隣接するOCB液晶画素PXの画素電圧Vsがドット反転駆動により逆極性に設定される。ちなみに、図6では、転移電圧がリセットレベルに設定される休止期間が負極転移期間および正極転移期間の間に設けられるが、これによりソースドライバXDを低耐圧化して液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向へ転移させる転移能力の信頼性を向上させることが可能である。コントローラ1はクロック生成回路10からのクロックCLKのクロック数に基いてリセット期間、負極転移期間、休止期間、および正極転移期間をそれぞれ切換えて転移電圧および画素電圧の遷移タイミングを制御することになる。この場合でも、クロックCLKのクロック周期が上述の実施形態と同様に液晶表示パネルDPの温度変化に対応して変化する。図6を参照すると、リセット期間、負極転移期間、休止期間、および正極転移期間の合計である転移時間が常温時よりも低温時に長くなることがわかる。従って、複雑な構造を必要とせずに転移時間の長さを最適化できる。
また、上述の実施形態では、クロック生成回路10は図3に示すように構成されたが、例えば図7に示すように構成してもよい。このクロック生成回路10では、図7において丸印で囲んだ抵抗R5が電源端子VCCおよび抵抗R3間に直列に接続され、抵抗値が液晶表示パネルDPの温度上昇に伴なって増加しその温度低下に伴って減少する一般的なサーミスタからなる。この場合も、サーミスタのB定数は例えば4485Kであり、温度が25℃から0℃に低下した場合に抵抗値が10kΩから39kΩに変化する。この結果として、クロック生成回路10が表示パネルDPの温度に対応した周波数のクロックを出力することになる。
さらに、上述の実施形態では、転移電圧が正極転移電圧レベルおよび負極転移電圧レベルに交互に1回だけ設定されたが、交互に2回以上設定されてもよい。
本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を概略的に示す図である。 図1に示す液晶表示パネルの断面構造を示す図である。 図1に示すクロック生成回路の構成を示す図である。 図1に示す液晶表示パネルの温度が25℃から0℃に低下したときにクロック生成回路から出力されるクロックに生じる周波数の変化を示す図である。 図1に示す転移回路から出力される転移電圧の所定遷移パターンの例を示す図である。 図1に示すコントローラによってさらに画素電圧についても制御する例を示す図である。 図3に示すクロック生成回路の変形例を示す図である。 OCBモードの液晶表示パネルにおいて行われる初期化の前後における液晶分子の配向状態を示す図である。
符号の説明
1…コントローラ、2…コモン電圧発生回路、3…転移回路、4…スイッチ、10…クロック生成回路、AR…アレイ基板、CT…対向基板、LQ…液晶層、DP…液晶表示パネル、DR…駆動回路、CD…共通電極ドライバ、YD…ゲートドライバ、XD…ソースドライバ、BL…バックライト、PX…液晶画素、PE…画素電極、CE…共通電極、W…画素スイッチング素子、Y…ゲート線、X…ソース線。

Claims (4)

  1. 一対の電極基板間に液晶層を挟持したOCBモードの液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路とを備え、前記駆動回路は前記液晶表示パネルの温度に対応した周波数のクロックを生成するクロック生成回路、および電源投入後の初期化として液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる所定遷移パターンの転移電圧を前記クロック生成回路から生成される所定数のクロックに対応する時間にわたって前記液晶層に印加させるコントローラを含むことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記コントローラは前記転移電圧の遷移タイミングを表すクロック数の基準値を保持し、前記クロック生成回路から生成されるクロックの数が前記基準値に達したときに前記転移電圧を遷移させるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記クロック生成回路は、前記液晶表示パネルの温度に依存する抵抗値によってクロック周波数を制御する抵抗素子を持つ発振器であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 前記クロック生成回路は、前記液晶表示パネル上に配置されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
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