JP2007251069A5 - - Google Patents
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- ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰおよびＡｌＧａＩｎＰの少なくとも１つを含む化合物半導体層の表面を弗酸水溶液または緩衝弗酸で処理する工程と、
前記化合物半導体層の前記表面上に屈折率が１．７７以上かつ１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクに前記化合物半導体層内に拡散領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰおよびＡｌＧａＩｎＰの少なくとも１つを含む化合物半導体層の表面のイオン化ポテンシャルが５．１ｅＶより大きくなる処理を行う工程と、
前記化合物半導体層の前記表面上に屈折率が１．７７以上かつ１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクに前記化合物半導体層内に拡散領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰおよびＡｌＧａＩｎＰの少なくとも１つを含む化合物半導体層の表面を弗酸水溶液または緩衝弗酸で処理する工程と、
前記化合物半導体層の前記表面上に屈折率が１．７７以上かつ１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜の開口部にソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰおよびＡｌＧａＩｎＰの少なくとも１つを含む化合物半導体層の表面のイオン化ポテンシャルが５．１ｅＶより大きくなる処理を行う工程と、
前記化合物半導体層の前記表面上に屈折率が１．７７以上かつ１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜の開口部にソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記窒化シリコン膜を形成する工程は、プラズマＣＶＤ法を用い前記窒化シリコン膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒化シリコン膜を形成する工程は、ガス流量比をＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２＝３〜１０：５〜１０：１０００とし前記窒化シリコン膜を形成する工程であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
- 前記拡散領域を形成する工程は、固相拡散法を用い拡散領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記拡散領域を形成する工程は、亜鉛を含む拡散ソースを用い前記拡散領域する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
- 前記弗酸水溶液は濃度が３０ｗｔ％〜５０ｗｔ％の弗化水素を含み、前記緩衝弗酸は３３ｗｔ％〜３９ｗｔ％の濃度の弗化アンモニウムと１ｗｔ％〜８ｗｔ％の濃度の弗化水素とを含むことを特徴とする請求項１または３記載の半導体装置の製造方法。
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