JP2007250367A - イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】イオンビームだけを被加工物に導くことができるイオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法を提供する。
【解決手段】イオンビームがテーブル11に向かう方向に対して傾斜して電極9を配し、電極9とテーブル11の間にイオンビームだけをウエハ13に向かう状態に指向させる電磁石18を備え、傾斜した電極8からイオンビームを引き出して電磁石18によりウエハ13に指向させることで、パーティクル要因となる大きな異物は電磁石18では指向されずにウエハ13を回避して移動し、イオンビームだけをウエハ13に導く。
【選択図】図1
【解決手段】イオンビームがテーブル11に向かう方向に対して傾斜して電極9を配し、電極9とテーブル11の間にイオンビームだけをウエハ13に向かう状態に指向させる電磁石18を備え、傾斜した電極8からイオンビームを引き出して電磁石18によりウエハ13に指向させることで、パーティクル要因となる大きな異物は電磁石18では指向されずにウエハ13を回避して移動し、イオンビームだけをウエハ13に導く。
【選択図】図1
Description
本発明は、イオンビームによって被加工物、例えば、半導体ウエハを加工するイオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法に関する。
半導体の製造には、イオンの衝突による物理的作用を利用して基板である半導体ウエハ(ウエハ)の表面の加工、あるいはウエハの上に設けられた配線や素子の加工等を行うイオンミリング装置やスパッタ装置等のイオンビーム処理装置が用いられている。このようなイオンビームを用いたイオンビーム処理装置は、加工に異方性が得られる点や、制御の容易な点等から半導体装置の製造等に広く用いられている。
イオンミリング装置は、ステージ上に複数枚のウエハを載置し、ステージを回転させながら、イオン源で発生させたイオンビームをステージ上のウエハに照射することでウエハ表面の加工を行うようになっている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
即ち、イオン源によって生成したイオン(例えば、Arイオン)を高電圧によって加速し、必要に応じてイオンビームの方向を変えてターゲットであるウエハ表面に衝突させる。このようにイオンをウエハに衝突させることにより、レジスト膜以外の場所のウエハ表面が削り取られて、ウエハ表面が所望の形状に加工される。
イオンミリング装置では、電極やチャンバを構成する材料のパーティクルが発生することが避けられないため、集塵機構などを採用してパーティクルのウエハへの影響を最小限に抑えるようにされている。しかし、パーティクルの影響を皆無にすることは不可能であるのが現状であり、可能な限りパーティクルの影響を少なくする技術が求められているのが実情である。
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、イオンビームだけを被加工物に導くことができるイオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の第1の態様は、被加工物が搭載されるテーブルを備え、イオン源で発生したプラズマからイオンを引き出してイオンビームをテーブル上の被加工物側に照射する電極を設け、イオンビームだけをテーブル上の被加工物に指向させる指向手段を備えたことを特徴とするイオンビーム処理装置にある。
かかる第1の態様では、パーティクル要因となる大きな異物を指向させることなく、指向手段によりイオンビームだけを被加工物に向けて指向させることで、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
かかる第1の態様では、パーティクル要因となる大きな異物を指向させることなく、指向手段によりイオンビームだけを被加工物に向けて指向させることで、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
本発明の第2の態様は、電極は、イオンビームが被加工物に向かう方向に対して傾斜する状態に配され、電極とテーブルの間にイオンビームだけを被加工物に向かう状態に指向させる電磁石が備えられていることを特徴とする第1の態様のイオンビーム処理装置にある。
かかる第2の態様では、傾斜した電極からイオンビームを引き出して電磁石により被加物に指向させることで、パーティクル要因となる大きな異物は電磁石では指向されずに被加工物を回避して移動するので、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
かかる第2の態様では、傾斜した電極からイオンビームを引き出して電磁石により被加物に指向させることで、パーティクル要因となる大きな異物は電磁石では指向されずに被加工物を回避して移動するので、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
本発明の第3の態様は、電極をテーブルに対して相対的に傾斜調整する調整手段を備え、電極とテーブルの間にイオンビームだけを被加工物に向かう状態に指向させる電磁石が備えられていることを特徴とする第1の態様のイオンビーム処理装置にある。
かかる第3の態様では、調整手段により電極を相対的に傾斜調整し、傾斜した電極からイオンビームを引き出して電磁石により被加工物に指向させることで、パーティクル要因となる大きな異物は電磁石では指向されずに被加工物を回避して移動するので、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
かかる第3の態様では、調整手段により電極を相対的に傾斜調整し、傾斜した電極からイオンビームを引き出して電磁石により被加工物に指向させることで、パーティクル要因となる大きな異物は電磁石では指向されずに被加工物を回避して移動するので、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
本発明の第4の態様は、イオンビームを照射する処理はイオンミリングであることを特徴とする第1〜3のいずれかの態様のイオンビーム処理装置にある。
かかる第4の態様では、イオンビームだけを被加工物に導いてイオンミリングを行うことができる。
かかる第4の態様では、イオンビームだけを被加工物に導いてイオンミリングを行うことができる。
上記目的を達成するための本発明の第5の態様は、イオン源で発生したプラズマからイオンを引き出し、イオンビームをテーブル上の被加工物に指向させてイオンビームだけを被加工物に照射することを特徴とするイオンビーム処理方法にある。
かかる第5の態様では、パーティクル要因となる大きな異物を指向させることなく、イオンビームだけを被加工物に向けて指向させることで、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
かかる第5の態様では、パーティクル要因となる大きな異物を指向させることなく、イオンビームだけを被加工物に向けて指向させることで、イオンビームだけを被加工物に導くことができる。
図1には本発明の一実施形態例に係るイオンミリング装置の概略構成を示してある。
図に示すように、イオンビーム処理装置としてのイオンミリング装置1を構成する真空処理チャンバ2には、イオン源チャンバ3が接続されている。真空処理チャンバ2は、例えば、セラミックス等の絶縁材料で形成されている。イオン源チャンバ3にはアルゴン(Ar)等の不活性ガスが導入される導入管4が接続され、導入管4からイオン源チャンバ3の内部にArガスが供給される。
図に示すように、イオンビーム処理装置としてのイオンミリング装置1を構成する真空処理チャンバ2には、イオン源チャンバ3が接続されている。真空処理チャンバ2は、例えば、セラミックス等の絶縁材料で形成されている。イオン源チャンバ3にはアルゴン(Ar)等の不活性ガスが導入される導入管4が接続され、導入管4からイオン源チャンバ3の内部にArガスが供給される。
真空処理チャンバ2とは反対側のイオン源チャンバ3の面には熱電子を放出するフィラメント5が設けられ、フィラメント5には電源6が接続されている。また、イオン源チャンバ3には、加速電極7と減速電極8とからなる電極9が設けられている。イオン源チャンバ3の内部にArガスが供給されると共に電源6からフィラメント5に電力が供給されることで、Arガスがイオン化される。Arイオンは加速電極7と減速電極8により真空処理チャンバ2内に引き出される。
真空処理チャンバ2内にはテーブル11が備えられ、テーブル11は支持軸12に回転自在に支持されている。テーブル11には被加工物である半導体ウエハ(ウエハ)13が複数枚(例えば、6枚)保持される。テーブル11は、イオン源チャンバ3から引き出されるイオンビームの照射方向に対して所定角度傾斜した状態に設置されている。そして、テーブル11に対向して真空処理チャンバ2のイオン源チャンバ3側にはシャッタ14が配置され、イオン源チャンバ3から引き出されるイオンビームが必要に応じてシャッタ14で遮断される。
真空処理チャンバ2には、排気系(ロータリポンプとターボモレキュラーポンプまたはクライオンポンプ等)15が接続され、排気系15により真空処理チャンバ2及びイオン源チャンバ3の内部が所定の圧力に減圧保持される。また、テーブル11とシャッタ14の間における真空処理チャンバ2の外周部にはArイオンを電気的に中性に保つニュートラライザ16が設けられ、ニュートラライザ16によりArイオンが電気的に中性に保たれるようになっている。
尚、真空処理チャンバ2をSUS等の導電性金属で構成した場合には、ニュートラライザ16は真空処理チャンバ2の内部に配置される。この時、ニュートラライザ16がイオンビームの影響を受けない手段を講じることが望ましい。
一方、加速電極7と減速電極8からなる電極9は端部が調整手段17に支持され、テーブル11に対して平行な状態に傾斜調整されている。尚、調整手段17による電極9の傾斜角度はテーブル11に対して任意の角度に設定することが可能である。尚、本実施形態例では、調整手段17により電極9を傾斜調整するようにしたが、電極9を固定状態に設け、テーブル11を傾斜させて電極9をテーブル11に対して相対的に傾斜させる構成にしてもよい。
ニュートラライザ16とシャッタ14との間における真空処理チャンバ2の外周部には指向手段としての電磁石18が設けられ、傾斜した電極9から引き出されたイオンビームは電磁石の磁力によりテーブル11に向けて指向される。即ち、テーブル11と電極9は平行状態に傾斜されているため、電極9から引き出されたイオンビームはテーブル11に対して外れた方向に引き出され、電極9の部位を通過する際にテーブル11に向けて指向される。この時、電極9を構成する部材等の大きな異物は、電磁石18の部位を通過してもそのままの方向が維持され、テーブル11側には指向されない。テーブル11に対するイオンビームの方向は、電磁石18の磁界強度を調整することにより最適な所定過度に設定することができる。
尚、指向手段としては、イオンビームだけをテーブル11側に指向させるように流体を流す構成を適用することも可能である。また、真空処理チャンバ2をSUS等の導電性金属で構成した場合には、電磁石18は真空処理チャンバ2の内部に配置される。この時、電磁石18がイオンビームの影響を受けない手段を講じることが望ましい。
上記構成のイオンミリング装置1によるイオンミリング方法(イオンビーム処理方法)を説明する。テーブル11にウエハ13がセットされ、排気系15によって真空処理チャンバ2及びイオン源チャンバ3内が所定の圧力に減圧され、導入管4からイオン源チャンバ3にArガスが導入される。イオン源チャンバ3内にArガスが充填された状態で電源6からフィラメント5に電力が供給され、イオン源チャンバ3内のArガスがイオン化される。加速電極7と減速電極8に電圧を印加することで、イオン化されたArガス(Arイオン)が加速され、シャッタ14を開放することにより真空処理チャンバ2内にイオンビームとして引き出される。
真空処理チャンバ2内に引き出されたイオンビーム(Arイオン)は、電磁石の磁力によりテーブル11に向けて指向される。即ち、テーブル11と電極9は平行状態に傾斜されているため、電極9から引き出されたイオンビームはテーブル11に対して外れた方向に引き出され、電極9の部位を通過する際にテーブル11に向けて指向される。テーブル11に向けて指向されたイオンビームはテーブル11に保持されたウエハ13に照射され、ミリング加工が行われる。
イオンビームと共に引き出された大きな異物は、電磁石18の部位を通過してもそのままの方向が維持され、テーブル11側には指向されず、ウエハ13を回避して移動する。即ち、テーブル11と電極9は平行状態に傾斜されているため、大きな異物はテーブル11に対して直角に異動してウエハ13を回避して移動する。
このため、パーティクル要因となる大きな異物は電磁石18では指向されずにウエハ13を回避して移動するので、イオンビーム(Arイオン)だけをウエハ13に導くことができ、ウエハ13に対するパーティクルの影響を高次元で抑制することができる。そして、テーブル11と電極9は平行状態に傾斜されているため、電極9から引き出されたイオンビームの電極9からテーブルまでの距離を均一にすることができる。これにより、ビーム粒子の平均自由工程がテーブル11の前面に対して均一化され、ミリングレートを均一化することが可能になる。
上述した実施形態例では、テーブル11と電極9が平行状態に傾斜している例を挙げて説明したが、電極9のテーブル11に対する相対的な傾斜角度は任意であり、真空処理チャンバ2の大きさ等により異物がテーブル11から外れた状態に移動する、即ち、電磁石18によりイオンビーム(Arイオン)だけをテーブル11に向けて指向できる状態であればよい。
また、上述した実施形態例態では、複数枚のウエハを同時に加工するイオンミリング装置を例に挙げて説明したが、一枚のウエハを加工する枚葉式のイオンミリング装置に適用することも可能である。また、イオンビーム処理装置としては、イオン注入装置、反応性イオンエッチング(RIE)装置等、イオンビームによってウエハの加工を行う他のイオンビーム処理装置に適用することが可能である。
1 イオンミリング装置、 2 真空処理チャンバ、 3 イオン源チャンバ、 9 電極、 11 テーブル、 13 ウエハ、 17 調整手段、 18 電磁石
Claims (5)
- 被加工物が搭載されるテーブルを備え、イオン源で発生したプラズマからイオンを引き出してイオンビームをテーブル上の被加工物側に照射する電極を設け、イオンビームだけをテーブル上の被加工物に指向させる指向手段を備えたことを特徴とするイオンビーム処理装置。
- 電極は、イオンビームが被加工物に向かう方向に対して傾斜する状態に配され、
電極とテーブルの間にイオンビームだけを被加工物に向かう状態に指向させる電磁石が備えられている
ことを特徴とする請求項1に記載のイオンビーム処理装置。 - 電極をテーブルに対して相対的に傾斜調整する調整手段を備え、
電極とテーブルの間にイオンビームだけを被加工物に向かう状態に指向させる電磁石が備えられている
ことを特徴とする請求項1に記載のイオンビーム処理装置。 - イオンビームを照射する処理はイオンミリングである
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のイオンビーム処理装置。 - イオン源で発生したプラズマからイオンを引き出し、イオンビームをテーブル上の被加工物に指向させてイオンビームだけを被加工物に照射することを特徴とするイオンビーム処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006072542A JP2007250367A (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006072542A JP2007250367A (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007250367A true JP2007250367A (ja) | 2007-09-27 |
Family
ID=38594422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006072542A Pending JP2007250367A (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | イオンビーム処理装置及びイオンビーム処理方法 |
Country Status (1)
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-
2006
- 2006-03-16 JP JP2006072542A patent/JP2007250367A/ja active Pending
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