JP2007249241A - 液晶表示素子とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素電極1が形成されている駆動基板2と、それに対向する対向電極3が形成されている対向基板4と、駆動基板2と対向基板4の間に挟まれた液晶からなる液晶表示素子であって、画素電極1にスリット7又は切れ込み8が形成され、スリット7又は切れ込み8により区分された画素電極1の各領域に対応して、対向基板4に突起物6等の核が設けられる。電圧無印加時に、液晶が基板に対してほぼ垂直に配向する一方、電圧印加時に、突起物6を中心にして液晶が放射状に配向される。
【選択図】図4
Description
SID97DIGEST p461,1997
図5の液晶パネルを次ぎのようにして製造した。
実施例1において、TFT基板2’側の画素電極1と、カラーフィルタ基板4’側の突起物6の配置とパターンを図4(a)に示すものとし、液晶パネルを作製した。この場合、カラーフィルタ基板4’側のスリット7の幅L1は7μmとした。
実施例2において、突起物6を底面が1辺10μmの矩形で高さを4.5μmとし、アクリル系スペーサーを使用せずに液晶パネルを作製した。
実施例1において、TFT基板2’側の画素電極1と、カラーフィルタ基板4’側の突起物6の配置とパターンを図4(c)に示すものとし、液晶パネルを作製した。この場合、TFT基板2’側のスリット7の幅L1は7μmとした。また突起物6の底面のサイズは、L2=5μm、L3=10μm、L4=5μm、L5=10μmとした。
実施例2において、突起物6に代えて、1辺7μmの矩形の孔をITO電極に開け、液晶パネルを作製した。
実施例2において、カラーフィルタ15の厚みをR=1.0μm、G=1.2μm、B=1.5μmとし、散布するアクリル系スペーサーの粒径を4μmとし、液晶パネルを作製した。この場合、各色のカラーフィルタは、各色の膜厚で実施例2と同じ色になるように光学濃度を変えた。
Claims (18)
- 画素電極が形成されている駆動基板と、それに対向する対向電極が形成されている対向基板と、前記駆動基板と前記対向基板の間に挟まれた液晶からなる液晶表示素子であって、
前記画素電極にスリット又は切れ込みが形成され、
前記スリット又は切れ込みにより区分された画素電極の各領域に対応して、前記対向基板に核が設けられ、
電圧無印加時に、液晶が基板に対してほぼ垂直に配向される一方、
電圧印加時に、前記核を中心にして液晶が放射状に配向される
ことを特徴とする液晶表示素子。 - 前記核が、突起物又は配向阻害処理面であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示素子。
- 前記突起物の底面積が50μm2〜225μm2であることを特徴とする請求項2記載の液晶表示素子。
- 前記配向阻害処理面の面積が、225μm2以下であることを特徴とする請求項2記載の液晶表示素子。
- 前記液晶にカイラル剤が添加されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示素子。
- 前記液晶のカイラルピッチLとセルギャップdが、
2.5<L/d<5.5
であることを特徴とする請求項5記載の液晶表示素子。 - アクティブマトリクス駆動することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の液晶表示素子。
- 画素ピッチが70μm以下であることを特徴とする請求項7記載の液晶表示素子。
- 前記駆動基板又は前記対向基板の外側において、前記駆動基板又は前記対向基板と偏光板との間に、視野角を補償する位相差板が備えられ、該位相差板の面内方向の屈折率Nx、Ny、厚み方向の屈折率Nz、厚みdfilm、液晶の屈折率異方性Δn、セルギャップdLCが、
- 画素電極が形成されている駆動基板と、対向電極が形成されている対向基板とを対向させ、前記駆動基板と前記対向基板との間に液晶を挟んで垂直配向モードの液晶表示素子を製造する液晶表示素子の製造方法であって、
前記画素電極にスリット又は切れ込みを形成し、
前記スリット又は切れ込みにより区分された画素電極の各領域に対応して、前記対向基板に核を設ける
ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 前記対向基板に感光性樹脂を塗布し、パターニングすることにより、前記核として、突起物を形成することを特徴とする請求項10記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記突起物の底面積を50μm2〜225μm2とすることを特徴とする請求項11記載の液晶表示素子の製造方法。
- 配向膜の塗り分け、又はUV光、偏光もしくはイオンビームの照射により、前記核として、配向阻害処理面を形成することを特徴とする請求項10記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記液晶にカイラル剤を添加することを特徴とする請求項10〜13のいずれかに記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記液晶のカイラルピッチLとセルギャップdを、
2.5<L/d<5.5
とすることを特徴とする請求項14記載の液晶表示素子の製造方法。 - 前記駆動基板としてTFT基板を使用することを特徴とする請求項10〜15のいずれかに記載の液晶表示素子の製造方法。
- 画素ピッチを70μm以下に形成することを特徴とする請求項16記載の液晶表示素子の製造方法。
- 前記駆動基板又は前記対向基板の外側において、前記駆動基板又は前記対向基板と偏光板との間に、視野角を補償する位相差板を設け、該位相差板の面内方向の屈折率Nx、Ny、厚み方向の屈折率Nz、厚みdfilm、液晶の屈折率異方性Δn、セルギャップdLCに、
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JP2007170499A JP2007249241A (ja) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | 液晶表示素子とその製造方法 |
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
US8810761B2 (en) | 2011-05-02 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US9442322B2 (en) | 2011-05-02 | 2016-09-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US9594279B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-03-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
-
2007
- 2007-06-28 JP JP2007170499A patent/JP2007249241A/ja active Pending
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US8810761B2 (en) | 2011-05-02 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
US9442322B2 (en) | 2011-05-02 | 2016-09-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
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