JP2007235049A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】シリコン基板の一面に、OFに平行な一辺を有する繰り返しパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、MOSゲート構造の主要部を構成するトレンチ形成工程と、他面から基板を減厚する工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記OFから2mm以上に至る範囲の前記シリコン基板上のOF近傍部が、前記繰り返しパターンの非形成領域であって、1.5mm以上の幅で前記被覆層が除去された露出領域を有するパターンの形成が行われる半導体装置の製造方法とする。
【選択図】 図1
Description
2、… ドリフト層
3、… pベース層
4、… ポリシリコンゲート電極
5、… エミッタ層
6、… ゲート酸化膜
7、… 層間絶縁膜
8、… エミッタ電極
9、… nバッファ層
10、… pコレクタ層
11、… コレクタ電極
20、20a… ウエハ(シリコン基板)
21、… オリエンテーションフラット(OF)
23、… スクライブライン
24、… 半導体チップセル
25、… シリコン基板の非露出部
26、… シリコン基板の露出部
101、… シリコン基板の一面
101、… シリコン基板の他面
A、… 最下端部BとOFの間のシリコン基板部分。
Claims (5)
- シリコン基板の一面に、該基板のオリエンテーションフラットに平行な一辺を有して繰り返しパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、異方性ドライエッチングにより形成され、MOSゲート構造の主要部を構成するトレンチ形成工程と、他面からシリコン基板を減厚する工程とを備える半導体装置の製造方法において、前記オリエンテーションフラットから前記繰り返しパターンの最下辺に至る繰り返しパターン未形成領域の幅が2mm以上であって、該2mmのうち、1.5mm以上は前記オリエンテーションフラットに平行なシリコン基板露出領域となるように、前記繰り返しパターン未形成領域に所要のパターン形成が行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記繰り返しパターン未形成領域が、前記オリエンテーションフラットに接する1.5mm以上の幅の前記シリコン基板露出領域と残りの前記シリコン基板非露出領域とをこの順になるように、所要のパターン形成が行われることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記繰り返しパターン未形成領域が、前記オリエンテーションフラットに接する前記シリコン基板非露出領域と1.5mm以上の幅の前記シリコン基板露出領域とをこの順になるように、前記繰り返しパターン未形成領域に所要のパターン形成が行われることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記オリエンテーションフラットから前記繰り返しパターンの最下辺に至る繰り返しパターン未形成領域のうち、前記シリコン基板部分の非露出領域の幅が2.5mm以下にされることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- シリコン基板の円周部に均一な幅でシリコン基板の露出した領域が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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JPH098301A (ja) * | 1995-04-20 | 1997-01-10 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
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JP2003264227A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Fuji Electric Co Ltd | トレンチ形成方法 |
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