JP2007227759A - Substrate processing apparatus, parameter management system therefor, parameter management method therefor, program, and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数のパラメータに基づいて基板に対して処理を実行する基板処理装置に関し、特に、これらのパラメータを変更可能にする基板処理装置のパラメータ管理システム、基板処理装置のパラメータ管理方法、プログラム、及び記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing on a substrate based on a plurality of parameters, and in particular, a parameter management system for a substrate processing apparatus, a parameter management method for a substrate processing apparatus, and a program that can change these parameters. And a storage medium.
基板に対して種々の処理を行う従来の基板処理装置は、装置を制御するために必要な膨大なパラメータを有している。これらのパラメータは基板処理装置においてデータベース化されて管理されている。基板処理装置においては、これらのパラメータに基づいてソフトウエアによる情報処理が実行されることにより各部が動作する。基板処理装置おいて幾つもの機能の追加や変更を行うためにソフトウエアのバージョンを新バージョンにバージョンアップする際にはパラメータも追加や変更されるため、ソフトウエアのバージョンアップ時には、パラメータデータベースの旧データベースから新データベースへのコンバート処理(バージョンアップ処理)がなされる。 A conventional substrate processing apparatus that performs various kinds of processing on a substrate has enormous parameters necessary for controlling the apparatus. These parameters are managed as a database in the substrate processing apparatus. In the substrate processing apparatus, each unit operates by executing software information processing based on these parameters. When a software version is upgraded to a new version in order to add or change a number of functions in the substrate processing equipment, parameters are also added or changed. Conversion processing (version upgrade processing) from the database to the new database is performed.
基板処理装置のパラメータが適切に設定されていない場合、装置が正しく動作しなかったり、故障したりする。このため、処理条件の有効範囲を示すパラメータ等のようにパラメータの種類によってはユーザが装置の操作部を介して自由に設定することができず、専用のソフトウエア等のパラメータ変更ツールを用いることによりパラメータの変更が可能になっている(例えば、特許文献1,2参照)。
しかしながら、上述のパラメータ変更ツールを用いてパラメータを変更するためには、パラメータ変更ツールを装置に展開して実行し、実行終了後これを削除し、パラメータの変更内容を記録する等の作業を行わなければならない。上述のように、基板処理装置の有するパラメータは膨大であり、1つのパラメータ変更ツールで変更することができるパラメータの数は限られているため、ソフトウエアのバージョンアップには上述のパラメータ変更ツールが多数必要になる。このため上述の作業を何度も実行しなければならない。 However, in order to change a parameter using the parameter change tool described above, the parameter change tool is expanded and executed on the apparatus, and after the execution is completed, the parameter change tool is deleted and the change contents of the parameter are recorded. There must be. As described above, the substrate processing apparatus has an enormous number of parameters, and the number of parameters that can be changed by one parameter changing tool is limited. Therefore, the above-mentioned parameter changing tool is used for software upgrades. Many are needed. For this reason, the above-mentioned operation must be performed many times.
このように、従来の基板処理装置においては、処理条件の有効範囲を示すパラメータ等を変更する場合には、特殊なツールを用いて同じ作業を繰り返し行う必要があり、パラメータの変更に手間がかかり効率が悪く、また作業ミスが発生しやすかった。作業ミスは装置の誤作動の原因になる場合があった。 As described above, in the conventional substrate processing apparatus, when changing the parameter indicating the effective range of the processing condition, it is necessary to repeat the same operation using a special tool, and it takes time to change the parameter. It was inefficient and prone to work errors. An operational error may cause the device to malfunction.
本発明の目的は、基板に対する処理を実行するためのパラメータをユーザが容易に変更することができる基板処理装置、基板処理装置のパラメータ管理装置、基板処理装置のパラメータ、プログラム、及び記憶媒体を提供することある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus, a parameter management apparatus for the substrate processing apparatus, a parameter for the substrate processing apparatus, a program, and a storage medium that allow a user to easily change parameters for executing processing on the substrate. There are things to do.
上記目的を達成するために、請求項1記載の基板処理装置は、基板に対して処理を行う基板処理装置であって、複数のカテゴリに分類されている、前記処理を制御するためのパラメータを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記処理を基板に対して実行する制御装置と、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置と、前記基板処理装置において着脱可能であって、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義装置とを備え、前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータのカテゴリを変更することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate, wherein parameters for controlling the processing are classified into a plurality of categories. A storage device for storing; a control device for executing the processing on the substrate based on the parameter; a parameter changing device for changing the parameter according to the category of the parameter; and changing the category of the parameter A parameter category changing device; and a category change defining device that is detachable in the substrate processing apparatus and that specifies a parameter for changing a category of the parameters. The parameter category changing device includes: The category of the designated parameter is changed.
請求項2記載の基板処理装置は、請求項1記載の基板処理装置において、前記パラメータ変更装置は、前記複数のカテゴリの内所定のカテゴリのパラメータを変更可能にし、前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記所定のカテゴリ以外のパラメータのカテゴリを前記所定のカテゴリに変更することを特徴とする。 The substrate processing apparatus according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the parameter changing device is capable of changing a parameter of a predetermined category among the plurality of categories, and the parameter category changing device is The parameter category other than the predetermined category is changed to the predetermined category.
請求項3記載の基板処理装置は、請求項1又は2記載の基板処理装置において、前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記カテゴリが変更された後に前記基板処理装置が再起動された場合に、前記変更したカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。
The substrate processing apparatus according to
請求項4記載の基板処理装置は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記パラメータカテゴリ変更装置が前記カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータのカテゴリを変更した後、前記パラメータカテゴリ変更装置によるカテゴリの変更を禁止するパラメータカテゴリ変更禁止装置を備えることを特徴とする。
The substrate processing apparatus according to
請求項5記載の基板処理装置は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記複数のカテゴリの内前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更装置は、複製記憶装置を備え、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記複製記憶装置に格納し、前記複製されたパラメータ情報から前記カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記複製されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記複製記憶装置に格納された前記情報を削除することにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。
The substrate processing apparatus according to
請求項6記載の基板処理装置は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理装置において前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記複数のカテゴリの内前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更装置は、複製記憶装置を備え、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記複製記憶装置に格納し、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報から前記カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記記憶装置に格納された前記情報を前記複製記憶装置に格納された情報で上書きすることにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。
The substrate processing apparatus according to
請求項7記載の基板処理装置は、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理装置において前記パラメータ変更装置は、ユーザに前記パラメータを変更可能にするユーザインタフェースを備えることを特徴とする。 7. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the parameter changing device includes a user interface that allows a user to change the parameter. To do.
請求項8記載の基板処理装置は、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板処理装置において、前記カテゴリ変更定義装置が指定するパラメータは変更可能であることを特徴とする。 The substrate processing apparatus according to an eighth aspect is the substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, wherein the parameter designated by the category change defining device is changeable.
請求項9記載の基板処理装置の管理方法は、複数のカテゴリに分類されているパラメータを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて基板に対して処理を実行する制御装置とを備える基板処理装置のパラメータ管理方法であって、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義ステップと、前記カテゴリ変更定義ステップによって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更ステップと、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更ステップとを備えることを特徴とする。
The substrate processing apparatus management method according to
請求項10記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項10記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータ変更ステップは、前記複数のカテゴリの内所定のカテゴリのパラメータを変更可能にし、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記所定のカテゴリ以外のパラメータのカテゴリを前記所定のカテゴリに変更することを特徴とする。
The parameter management method for a substrate processing apparatus according to
請求項11記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項9又は10記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記カテゴリが変更された後に前記基板処理装置が再起動された場合に、前記変更したカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。
The parameter management method for a substrate processing apparatus according to
請求項12記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータカテゴリ変更ステップが前記カテゴリ変更定義ステップによって指定されたパラメータのカテゴリを変更した後、前記パラメータカテゴリ変更ステップによるカテゴリの変更を禁止するパラメータカテゴリ変更禁止ステップを備えることを特徴とする。
The parameter management method for a substrate processing apparatus according to
請求項13記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項9乃至12のいずれか1項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記複数のカテゴリの内前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記基板処理装置が備える複製記憶装置に格納し、前記複製されたパラメータ情報から前記カテゴリ変更定義ステップによって指定されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記複製されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記複製記憶装置に格納された前記情報を削除することにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。
The parameter management method for a substrate processing apparatus according to
請求項14記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項9乃至12のいずれか1項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記記憶装置は、前記パラメータを示すパラメータ情報と、前記複数のカテゴリの内前記パラメータの各々に対応するカテゴリを示すカテゴリ情報を格納し、前記パラメータカテゴリ変更ステップは、前記記憶装置が格納する前記パラメータ情報及び前記カテゴリ情報を複製して前記基板処理装置が備える複製記憶装置に格納し、前記記憶装置に格納されたパラメータ情報から前記カテゴリ変更定義ステップによって指定されたパラメータに対応するパラメータ情報を検索し、前記記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内前記検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報を変更して前記パラメータを変更可能にし、前記基板処理装置が再起動された場合に、前記記憶装置に格納された前記情報を前記複製記憶装置に格納された情報で上書きすることにより前記変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すことを特徴とする。
The parameter management method for a substrate processing apparatus according to
請求項15記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項9乃至14のいずれか1項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記パラメータ変更ステップは、前記基板処理装置が備えるユーザインタフェースを介して前記パラメータを変更可能にすることを特徴とする。
15. The parameter management method for a substrate processing apparatus according to
請求項16記載の基板処理装置のパラメータ管理方法は、請求項9乃至15のいずれか1項に記載の基板処理装置のパラメータ管理方法において、前記カテゴリ変更定義ステップが指定するパラメータは変更可能であることを特徴とする。
The parameter management method for a substrate processing apparatus according to
請求項17記載のプログラムは複数のカテゴリに分類されているパラメータを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて基板に対して処理を実行する制御装置とを備える基板処理装置のパラメータ管理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義モジュールと、前記カテゴリ変更定義モジュールによって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールとを備えることを特徴とする。
A program according to
請求項18記載の記憶媒体は、複数のカテゴリに分類されているパラメータを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて基板に対して処理を実行する制御装置とを備える基板処理装置のパラメータ管理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納する記憶媒体であって、前記プログラムは、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義モジュールと、前記カテゴリ変更定義モジュールによって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールとを備えることを特徴とする。
A storage medium according to
請求項19記載の基板処理装置のパラエメータ管理システムは、複数のカテゴリに分類されているパラメータを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて基板に対して処理を実行する制御装置とを備える基板処理装置のパラメータ管理システムであって、前記基板処理装置に対して着脱可能であって、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義装置を備え、前記基板処理装置は、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、前記カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置とを備えることを特徴とする。
20. A substrate processing apparatus parameter management system according to
請求項20記載の基板処理装置は、基板に対して処理を行う基板処理装置であって、複数のカテゴリに分類されている、前記処理を制御するためのパラメータを格納する記憶装置と、前記パラメータに基づいて前記処理を基板に対して実行する制御装置と、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置と、前記基板処理装置が再起動された場合に前記パラメータカテゴリ変更装置によって変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すカテゴリ戻し装置とを備えることを特徴とする。
The substrate processing apparatus according to
請求項1記載の基板処理装置、請求項9記載の基盤処理装置の管理方法、請求項17記載のプログラム、及び請求項18記載の記憶媒体は、複数のカテゴリに分類されているパラメータの内指定されたパラメータのカテゴリを変更し、カテゴリに応じてパラメータを変更可能にする。このため、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを指定することにより、そのカテゴリを変更してパラメータを変更可能にすることができる。従って、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを指定することにより、基板に対する処理を実行するためのパラメータをユーザは容易に変更することができる。また、ユーザはパラメータを容易に変更することができるため、パラメータ変更の誤作業の発生を低減することができ、基板処理装置の誤作動を抑制することができる。
The substrate processing apparatus according to claim 1, the management method for the substrate processing apparatus according to
請求項2記載の基板処理装置、及び請求項10記載の基盤処理装置の管理方法によれば、複数のカテゴリの内所定のカテゴリのパラメータが変更可能とされ、上記所定のカテゴリ以外のパラメータのカテゴリが所定のカテゴリに変更される。このため、パラメータを変更することができない上記所定のカテゴリ以外のパラメータを指定することにより、そのパラメータを確実に変更可能にすることができる。
According to the substrate processing apparatus according to claim 2 and the management method of the substrate processing apparatus according to
請求項3記載の基板処理装置、及び請求項11記載の基盤処理装置の管理方法によれば、カテゴリが変更された後に基板処理装置が再起動された場合に、変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻されるので、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、パラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。
According to the substrate processing apparatus according to
請求項4記載の基板処理装置、及び請求項12記載の基盤処理装置の管理方法によれば、指定されたパラメータのカテゴリが変更された後に、パラメータのカテゴリの変更が禁止される。従って、カテゴリが変更されたパラメータに対するカテゴリ変更の二重実行を防止することができる。これにより、変更可能になったパラメータが再度変更できなくなることを防止することができる。
According to the substrate processing apparatus of
請求項5記載の基板処理装置、及び請求項13記載の基盤処理装置の管理方法によれば、記憶装置に格納されているパラメータ情報及びカテゴリ情報が複製されて複製記憶装置に格納され、複製されたパラメータ情報から指定されたパラメータに対応するパラメータ情報が検索される。そして、複製されたカテゴリ情報の内検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報が変更されてパラメータが変更可能にされ、基板処理装置が再起動された場合に、複製記憶装置に格納された情報が削除されることより変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。このように、カテゴリが変更されてパラメータが変更可能にされた後に基板処理装置が再起動された場合、変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。従って、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、パラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。
According to the substrate processing apparatus of
請求項6記載の基板処理装置、及び請求項14記載の基盤処理装置の管理方法によれば、記憶装置に格納されているパラメータ情報及びカテゴリ情報が複製されて複製記憶装置に格納され、記憶装置に格納されたパラメータ情報から指定されたパラメータに対応するパラメータ情報が検索される。そして、記憶装置に格納されたカテゴリ情報の内検索されたパラメータ情報に対応するカテゴリ情報が変更されてパラメータが変更可能にされ、基板処理装置が再起動された場合に、記憶装置に格納された情報が複製記憶装置に格納された情報によって上書きされることにより変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。従って、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、パラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。
According to the substrate processing apparatus according to
請求項7記載の基板処理装置、及び請求項15記載の基盤処理装置の管理方法によれば、ユーザはユーザインタフェースを介してパラメータを変更することができる。従って、カテゴリが変更されて変更可能になったパラメータをユーザインタフェースを介して容易に変更することができる。
According to the substrate processing apparatus of claim 7 and the management method of the substrate processing apparatus of
請求項8記載の基板処理装置、及び請求項16記載の基盤処理装置の管理方法によれば、指定するパラメータが変更可能であるので、指定するパラメータを所望のパラメータとすることができる。従って、ユーザはカテゴリを変更して変更可能にしたいパラメータを任意に選ぶことができ、ユーザは容易にパラメータを変更することができる。 According to the substrate processing apparatus according to the eighth aspect and the management method for the substrate processing apparatus according to the sixteenth aspect, since the designated parameter can be changed, the designated parameter can be set as a desired parameter. Therefore, the user can arbitrarily select a parameter to be changed by changing the category, and the user can easily change the parameter.
請求項19記載の基板処理装置のパラメータ管理システムによれば、基板処理装置に対して着脱可能であるカテゴリ変更定義装置によってカテゴリを変更するパラメータが指定され、基板処理装置により、カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータのカテゴリが変更され、パラメータのカテゴリに応じてパラメータが変更可能にされる。従って、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを指定することにより、そのカテゴリを変更してパラメータを変更可能にすることができる。このように、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを指定することにより、ユーザはパラメータを容易に変更することができる。また、ユーザはパラメータを容易に変更することができるため、パラメータ変更の誤作業の発生を低減することができ、基板処理装置の誤作動を抑制することができる。
According to the parameter management system for a substrate processing apparatus according to
請求項20記載の基板処理装置によれば、基板処理装置が再起動された場合に変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。従って、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、パラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。 According to the substrate processing apparatus of the twentieth aspect, when the substrate processing apparatus is restarted, the changed category is returned to the original category. Therefore, it is possible to prevent the changed category from being forgotten. For this reason, the danger that a parameter will change can be reduced and the safety | security regarding a parameter change can be strengthened.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。 First, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
本実施の形態に係る基板処理装置は、基板としてのウエハにRIE(Reactive Ion Etching)処理やCOR(Chemical Oxide Removal)処理及びPHT(Post Heat Treatment
)処理を実行する。COR処理は、被処理体の酸化膜とガス分子(アンモニアガス及び弗化水素ガス)を化学反応させて生成物を生成する処理であり、PHT処理は、COR処理が施された被処理体を加熱して、COR処理の化学反応によって被処理体に生成した生成物を気化・熱酸化(Thermal Oxidation)させて被処理体から除去する処理である。以上のように、COR処理及びPHT処理、特に、COR処理は、プラズマを用いず且つ水成分を用いずに被処理体の酸化膜を除去する処理であるため、プラズマレスエッチング処理及びドライクリーニング処理(乾燥洗浄処理)に該当する。尚、本基板処理装置は、エッチング処理の他、CVD処理や熱処理等の他の処理装置としても適用可能である。
The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes an RIE (Reactive Ion Etching) process, a COR (Chemical Oxide Removal) process, and a PHT (Post Heat Treatment) process on a wafer as a substrate.
) Execute the process. The COR process is a process of generating a product by chemically reacting an oxide film of the object to be processed and gas molecules (ammonia gas and hydrogen fluoride gas), and the PHT process is a process to be processed on which the COR process is performed. In this process, the product generated by the chemical reaction of the COR treatment is heated and vaporized and thermally oxidized (Thermal Oxidation) to be removed from the subject. As described above, the COR process and the PHT process, in particular, the COR process is a process for removing an oxide film of an object to be processed without using plasma and without using a water component. Therefore, a plasmaless etching process and a dry cleaning process are performed. Corresponds to (dry cleaning treatment). In addition, this substrate processing apparatus is applicable also as other processing apparatuses, such as CVD processing and heat processing other than an etching process.
図1において、基板処理装置10は、電子デバイス用のウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)(基板)Wに反応性イオンエッチング(以下、「RIE」という。)処理を施す第1のプロセスシップ11と、該第1のプロセスシップ11と平行に配置され、ウエハWに後述するCOR(Chemical Oxide Removal)処理及びPHT(Post Heat Treatment)処理を施す第2のプロセスシップ12と、第1のプロセスシップ11及び第2のプロセスシップ12がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット13とを備える。
In FIG. 1, a
ローダーユニット13には、上述した第1のプロセスシップ11及び第2のプロセスシップ12の他、25枚のウエハWを収容する容器としてのフープ(Front Opening Unified Pod)14がそれぞれ載置される3つのフープ載置台15と、フープ14から搬出されたウエハWの位置をプリアライメントするオリエンタ16と、ウエハWの表面状態を計測する第1及び第2のIMS(Integrated Metrology System、Therma-Wave, Inc.)17,18とが接続されている。
In addition to the
第1のプロセスシップ11及び第2のプロセスシップ12は、ローダーユニット13の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット13を挟んで3つのフープ載置台15と対向するように配置され、オリエンタ16はローダーユニット13の長手方向に関する一端に配置され、第1のIMS17はローダーユニット13の長手方向に関する他端に配置され、第2のIMS18は3つのフープ載置台15と並列に配置される。
The
ローダーユニット13は、内部に配置された、ウエハWを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構19と、各フープ載置台15に対応するように側壁に配置されたウエハWの投入口としての3つのロードポート20とを有する。搬送アーム機構19は、フープ載置台15に載置されたフープ14からウエハWをロードポート20経由で取り出し、該取り出したウエハWを第1のプロセスシップ11、第2のプロセスシップ12、オリエンタ16、第1のIMS17や第2のIMS18へ搬出入する。
The
第1のIMS17は光学系のモニタであり、搬入されたウエハWを載置する載置台21と、該載置台21に載置されたウエハWに指向する光学センサ22とを有し、ウエハWの表面形状、例えば、表面層の膜厚、及び配線溝やゲート電極等のCD(Critical Dimension)値を測定する。第2のIMS18も光学系のモニタであり、第1のIMS17と同様に、載置台23と光学センサ24とを有し、ウエハWの表面におけるパーティクル数を計測する。
The
第1のプロセスシップ11は、ウエハWにRIE処理を施す第1の真空処理室としての第1のプロセスユニット25と、該第1のプロセスユニット25にウエハWを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第1の搬送アーム26を内蔵する第1のロード・ロックユニット27とを有する。
The
第1のプロセスユニット25は、円筒状の処理室容器(チャンバ)と、該チャンバ内に配置された上部電極及び下部電極を有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハWにRIE処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハWをクーロン力等によってチャックするESC28をその頂部に有する。
The
第1のプロセスユニット25では、チャンバ内部に処理ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハWにRIE処理を施す。
In the
第1のプロセスシップ11では、ローダーユニット13の内部圧力は大気圧に維持される一方、第1のプロセスユニット25の内部圧力は真空に維持される。そのため、第1のロード・ロックユニット27は、第1のプロセスユニット25との連結部に真空ゲートバルブ29を備えると共に、ローダーユニット13との連結部に大気ゲートバルブ30を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
In the
第1のロード・ロックユニット27の内部には、略中央部に第1の搬送アーム26が設置され、該第1の搬送アーム26より第1のプロセスユニット25側に第1のバッファ31が設置され、第1の搬送アーム26よりローダーユニット13側には第2のバッファ32が設置される。第1のバッファ31及び第2のバッファ32は、第1の搬送アーム26の先端部に配置されたウエハWを支持する支持部(ピック)33が移動する軌道上に配置され、RIE処理が施されたウエハWを一時的に支持部33の軌道の上方に待避させることにより、RIE未処理のウエハWとRIE処理済みのウエハWとの第1のプロセスユニット25における円滑な入れ換えを可能とする。
Inside the first load /
第2のプロセスシップ12は、ウエハWにCOR処理を施す第2の真空処理室としての第2のプロセスユニット34と、該第2のプロセスユニット34に真空ゲートバルブ35を介して接続された、ウエハWにPHT処理を施す第3の真空処理室としての第3のプロセスユニット36と、第2のプロセスユニット34及び第3のプロセスユニット36にウエハWを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第2の搬送アーム37を内蔵する第2のロード・ロックユニット49とを有する。
The
図2は、図1における第2のプロセスユニットの断面図であり、図2(A)は図1における線II−IIに沿う断面図であり、図2(B)は図2(A)におけるA部の拡大図である。 2 is a cross-sectional view of the second process unit in FIG. 1, FIG. 2 (A) is a cross-sectional view along line II-II in FIG. 1, and FIG. 2 (B) is in FIG. 2 (A). FIG.
図2(A)において、第2のプロセスユニット34は、円筒状の処理室容器(チャンバ)38と、該チャンバ38内に配置されたウエハWの載置台としてのESC39と、チャンバ38の上方に配置されたシャワーヘッド40と、チャンバ38内のガス等を排気するTMP(Turbo Molecular Pump)41と、チャンバ38及びTMP41の間に配置され、チャンバ38内の圧力を制御する可変式バルブとしてのAPC(Automatic Pressure Control)バルブ42とを有する。
2A, the
ESC39は、内部に直流電圧が印加される電極板(図示しない)を有し、直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってウエハWを吸着して保持する。また、ESC39は調温機構として冷媒室(図示しない)を有する。この冷媒室には所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデン液が循環供給され、当該冷媒の温度によってESC39の上面に吸着保持されたウエハWの処理温度が制御される。さらに、ESC39は、ESC39の上面とウエハWの裏面との間に伝熱ガス(ヘリウムガス)を満遍なく供給する伝熱ガス供給系統(図示しない)を有する。伝熱ガスは、COR処理の間、冷媒によって所望の指定温度に維持されたESC39とウエハWとの熱交換を行い、ウエハWを効率よく且つ均一に冷却する。
The
また、ESC39は、その上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン56を有し、これらのプッシャーピン56は、ウエハWがESC39に吸着保持されるときにはESC39に収容され、COR処理が施されたウエハWをチャンバ38から搬出するときには、ESC39の上面から突出してウエハWを上方へ持ち上げる。
The
シャワーヘッド40は2層構造を有し、下層部43及び上層部44のそれぞれに第1のバッファ室45及び第2のバッファ室46を有する。第1のバッファ室45及び第2のバッファ室46はそれぞれガス通気孔47,48を介してチャンバ38内に連通する。すなわち、シャワーヘッド40は、第1のバッファ室45及び第2のバッファ室46にそれぞれ供給されるガスのチャンバ38内への内部通路を有する、階層状に積み重ねられた2つの板状体(下層部43、上層部44)からなる。
The
ウエハWにCOR処理を施す際、第1のバッファ室45にはNH3(アンモニア)ガスが後述するアンモニアガス供給管57から供給され、該供給されたアンモニアガスはガス通気孔47を介してチャンバ38内へ供給されると共に、第2のバッファ室46にはHF(弗化水素)ガスが後述する弗化水素ガス供給管58から供給され、該供給された弗化水素ガスはガス通気孔48を介してチャンバ38内へ供給される。
When the COR process is performed on the wafer W, NH 3 (ammonia) gas is supplied to the
また、シャワーヘッド40はヒータ(図示しない)、例えば、加熱素子を内蔵する。この加熱素子は、好ましくは、上層部44上に配置されて第2のバッファ室46内の弗化水素ガスの温度を制御する。
The
また、図2(B)に示すように、ガス通気孔47,48におけるチャンバ38内への開口部は末広がり状に形成される。これにより、アンモニアガスや弗化水素ガスをチャンバ38内へ効率よく拡散することができる。さらに、ガス通気孔47,48は断面がくびれ形状を呈するので、チャンバ38で発生した堆積物がガス通気孔47,48、引いては、第1のバッファ室45や第2のバッファ室46へ逆流するのを防止することができる。なお、ガス通気孔47,48は螺旋状の通気孔であってもよい。
In addition, as shown in FIG. 2B, the openings into the
この第2のプロセスユニット34は、チャンバ38内の圧力と、アンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を調整することによってウエハWにCOR処理を施す。また、この第2のプロセスユニット34は、チャンバ38内において初めてアンモニアガス及び弗化水素ガスが混合するように設計されている(ポストミックス設計)ため、チャンバ38内に上記2種類のガスが導入されるまで、該2種類のガスが混合するのを防止して、弗化水素ガスとアンモニアガスとがチャンバ38内への導入前に反応するのを防止する。
The
また、第2のプロセスユニット34では、チャンバ38の側壁がヒータ(図示しない)、例えば、加熱素子を内蔵し、チャンバ38内の雰囲気温度が低下するのを防止する。これにより、COR処理の再現性を向上することができる。また、側壁内の加熱素子は、側壁の温度を制御することによってチャンバ38内に発生した副生成物が側壁の内側に付着するのを防止する。
In the
図1に戻り、第3のプロセスユニット36は、筐体状の処理室容器(チャンバ)50と、該チャンバ50内に配置されたウエハWの載置台としてのステージヒータ51と、該ステージヒータ51の周りに配置され、ステージヒータ51に載置されたウエハWを上方に持ち上げるバッファアーム52と、チャンバ内及び外部雰囲気を遮断する開閉自在な蓋としてのPHTチャンバリッド(図示しない)とを有する。
Returning to FIG. 1, the
ステージヒータ51は、表面に酸化皮膜が形成されたアルミからなり、内蔵された電熱線等によって載置されたウエハWを所定の温度まで加熱する。具体的には、ステージヒータ51は載置したウエハWを少なくとも1分間に亘って100〜200℃、好ましくは約135℃まで直接加熱する。
The
PHTチャンバリッドにはシリコンゴム製のシートヒータが配される。また、チャンバ50の側壁にはカートリッジヒータ(図示しない)が内蔵され、該カートリッジヒータはチャンバ50の側壁の壁面温度を25〜80℃に制御する。これにより、チャンバ50の側壁に副生成物が付着するのを防止し、付着した副生成物に起因するパーティクルの発生を防止してチャンバ50のクリーニング周期を延伸する。なお、チャンバ50の外周は熱シールドによって覆われている。
The PHT chamber lid is provided with a silicon rubber seat heater. A cartridge heater (not shown) is built in the side wall of the
ウエハWを上方から加熱するヒータとして、上述したシートヒータの代わりに、紫外線放射(UV radiation)ヒータを配してもよい。紫外線放射ヒータとしては、波長190〜400nmの紫外線を放射する紫外線ランプ等が該当する。 As a heater for heating the wafer W from above, an ultraviolet radiation (UV radiation) heater may be provided instead of the above-described sheet heater. Examples of the ultraviolet radiation heater include an ultraviolet lamp that emits ultraviolet light having a wavelength of 190 to 400 nm.
バッファアーム52は、COR処理が施されたウエハWを一時的に第2の搬送アーム37における支持部53の軌道の上方に待避させることにより、第2のプロセスユニット34や第3のプロセスユニット36におけるウエハWの円滑な入れ換えを可能とする。
The
この第3のプロセスユニット36は、ウエハWの温度を調整することによってウエハWにPHT処理を施す。
The
第2のロード・ロックユニット49は、第2の搬送アーム37を内蔵する筐体状の搬送室(チャンバ)70を有する。また、ローダーユニット13の内部圧力は大気圧に維持される一方、第2のプロセスユニット34及び第3のプロセスユニット36の内部圧力は真空に維持される。そのため、第2のロード・ロックユニット49は、第3のプロセスユニット36との連結部に真空ゲートバルブ54を備えると共に、ローダーユニット13との連結部に大気ドアバルブ55を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
The second load /
図3は、図1における第2のプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。 FIG. 3 is a perspective view showing a schematic configuration of the second process ship in FIG.
図3において、第2のプロセスユニット34は、第1のバッファ室45へアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給管57と、第2のバッファ室46へ弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給管58と、チャンバ38内の圧力を測定する圧力ゲージ59と、ESC39内に配設された冷却系統に冷媒を供給するチラーユニット60とを備える。
In FIG. 3, the
アンモニアガス供給管57にはMFC(Mass Flow Controller)(図示しない)が設けられ、該MFCは第1のバッファ室45へ供給するアンモニアガスの流量を調整すると共に、弗化水素ガス供給管58にもMFC(図示しない)が設けられ、該MFCは第2のバッファ室46へ供給する弗化水素ガスの流量を調整する。アンモニアガス供給管57のMFCと弗化水素ガス供給管58のMFCは協働して、チャンバ38へ供給されるアンモニアガスと弗化水素ガスの体積流量比を調整する。
The ammonia
また、第2のプロセスユニット34の下方には、DP(Dry Pump)(図示しない)に接続された第2のプロセスユニット排気系61が配置される。第2のプロセスユニット排気系61は、チャンバ38とAPCバルブ42の間に配設された排気ダクト62と連通する排気管63と、TMP41の下方(排気側)に接続された排気管64とを有し、チャンバ38内のガス等を排気する。なお、排気管64はDPの手前において排気管63に接続される。
A second process
第3のプロセスユニット36は、チャンバ50へ窒素(N2)ガスを供給する窒素ガス供給管65と、チャンバ50内の圧力を測定する圧力ゲージ66と、チャンバ50内の窒素ガス等を排気する第3のプロセスユニット排気系67とを備える。
The
窒素ガス供給管65にはMFC(図示しない)が設けられ、該MFCはチャンバ50へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第3のプロセスユニット排気系67は、チャンバ50に連通すると共にDPに接続された本排気管68と、該本排気管68の途中に配されたAPCバルブ69と、本排気管68からAPCバルブ69を回避するように分岐し、且つDPの手前において本排気管68に接続される副排気管68aとを有する。APCバルブ69は、チャンバ50内の圧力を制御する。
The nitrogen
第2のロード・ロックユニット49は、チャンバ70へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給管71と、チャンバ70内の圧力を測定する圧力ゲージ72と、チャンバ70内の窒素ガス等を排気する第2のロード・ロックユニット排気系73と、チャンバ70内を大気開放する大気連通管74とを備える。
The second load /
窒素ガス供給管71にはMFC(図示しない)が設けられ、該MFCはチャンバ70へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第2のロード・ロックユニット排気系73は1本の排気管からなり、該排気管はチャンバ70に連通すると共に、DPの手前において第3のプロセスユニット排気系67における本排気管68に接続される。また、第2のロード・ロックユニット排気系73及び大気連通管74はそれぞれ開閉自在な排気バルブ75及びリリーフバルブ76を有し、該排気バルブ75及びリリーフバルブ76は協働してチャンバ70内の圧力を大気圧から所望の真空度までのいずれかに調整する。
The nitrogen
図4は、図3における第2のロード・ロックユニットのユニット駆動用ドライエア供給系の概略構成を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a unit driving dry air supply system of the second load / lock unit in FIG. 3.
図4において、第2のロード・ロックユニット49のユニット駆動用ドライエア供給系77のドライエア供給先としては、大気ドアバルブ55が有するスライドドア駆動用のドアバルブシリンダ、N2パージユニットとしての窒素ガス供給管71が有するMFC、大気開放用のリリーフユニットとしての大気連通管74が有するリリーフバルブ76、真空引きユニットとしての第2のロード・ロックユニット排気系73が有する排気バルブ75、及び真空ゲートバルブ54が有するスライドゲート駆動用のゲートバルブシリンダが該当する。
In FIG. 4, the dry air supply destination of the unit drive dry
ユニット駆動用ドライエア供給系77は、第2のプロセスシップ12が備える本ドライエア供給管78から分岐された副ドライエア供給管79と、該副ドライエア供給管79に接続された第1のソレノイドバルブ80及び第2のソレノイドバルブ81とを備える。
The unit driving dry
第1のソレノイドバルブ80は、ドライエア供給管82,83,84,85の各々を介してドアバルブシリンダ、MFC、リリーフバルブ76及びゲートバルブシリンダに接続され、これらへのドライエアの供給量を制御することによって各部の動作を制御する。また、第2のソレノイドバルブ81は、ドライエア供給管86を介して排気バルブ75に接続され、排気バルブ75へのドライエアの供給量を制御することによって排気バルブ75の動作を制御する。
The
なお、窒素ガス供給管71におけるMFCは窒素(N2)ガス供給系87にも接続されている。
The MFC in the nitrogen
また、第2のプロセスユニット34や第3のプロセスユニット36も、上述した第2のロード・ロックユニット49のユニット駆動用ドライエア供給系77と同様の構成を有するユニット駆動用ドライエア供給系を備える。
The
図1に戻り、基板処理装置10は、第1のプロセスシップ11、第2のプロセスシップ12及びローダーユニット13の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット13の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションコントローラ88とを備える。
Returning to FIG. 1, the
オペレーションコントローラ88は、例えばLCD(Liquid Crystal Display)からなる表示部を有し、該表示部は基板処理装置10の各構成要素の動作状況を表示する。また、ユーザはオペレーションコントローラ88を介して基板処理装置10に対して種々の操作を行うことができる。
The
また、図5に示すように、システムコントローラは、EC(Equipment Controller)89と、3つのMC(Module Controller)90,91,92と、EC89及び各MCを接続するスイッチングハブ93とを備える。該システムコントローラはEC89からLAN(Local Area Network)170を介して、基板処理装置10が設置されている工場全体の製造工程を管理するMES(Manufacturing Execution System)としてのPC171に接続されている。MESは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム(図示しない)にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。
As shown in FIG. 5, the system controller includes an EC (Equipment Controller) 89, three MCs (Module Controllers) 90, 91, and 92, and a
EC89は、各MCを統括して基板処理装置10全体の動作を制御する主制御部(マスタ制御部)である。また、EC89は、CPU、RAM、ROM、HDD等を有し、オペレーションコントローラ88においてユーザ等によって指定されたウエハWの処理方法、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じてCPUが、各MCに制御信号を送信することにより、第1のプロセスシップ11、第2のプロセスシップ12及びローダーユニット13の動作を制御する。
The
スイッチングハブ93は、EC89からの制御信号に応じてEC89の接続先としてのMCを切り替える。
The switching
MC90,91,92は、それぞれ第1のプロセスシップ11、第2のプロセスシップ12及びローダーユニット13の動作を制御する副制御部(スレーブ制御部)である。各MCは、DIST(Distribution)ボード96によってGHOSTネットワーク95を介して各I/O(入出力)モジュール97,98,99にそれぞれ接続される。GHOSTネットワーク95は、MCが有するMCボードに搭載されたGHOST(General High-Speed Optimum Scalable Transceiver)と称されるLSIによって実現されるネットワークである。GHOSTネットワーク95には、最大で31個のI/Oモジュールを接続可能であり、GHOSTネットワーク95では、MCがマスタに該当し、I/Oモジュールがスレーブに該当する。
I/Oモジュール98は、第2のプロセスシップ12における各構成要素(以下、「エンドデバイス」という。)に接続された複数のI/O部100からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。I/Oモジュール98においてI/O部100に接続されるエンドデバイスには、例えば、第2のプロセスユニット34におけるアンモニアガス供給管57のMFC、弗化水素ガス供給管58のMFC、圧力ゲージ59及びAPCバルブ42、第3のプロセスユニット36における窒素ガス供給管65のMFC、圧力ゲージ66、APCバルブ69、バッファアーム52及びステージヒータ51、第2のロード・ロックユニット49における窒素ガス供給管71のMFC、圧力ゲージ72及び第2の搬送アーム37、並びにユニット駆動用ドライエア供給系77における第1のソレノイドバルブ80及び第2のソレノイドバルブ81等が該当する。
The I /
なお、I/Oモジュール97,99は、I/Oモジュール98と同様の構成を有し、第1のプロセスシップ11に対応するMC90及びI/Oモジュール97の接続関係、並びにローダーユニット13に対応するMC92及びI/Oモジュール99の接続関係も、上述したMC91及びI/Oモジュール98の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。
The I /
また、各GHOSTネットワーク95には、I/O部100におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するI/Oボード(図示しない)も接続される。
Each
基板処理装置10において、ウエハWにCOR処理を施す際には、COR処理のレシピに対応するプログラムに応じてEC89のCPUが、スイッチングハブ93、MC91、GHOSTネットワーク95及びI/Oモジュール98におけるI/O部100を介して、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第2のプロセスユニット34においてCOR処理を実行する。
When the COR processing is performed on the wafer W in the
具体的には、CPUが、アンモニアガス供給管57のMFC及び弗化水素ガス供給管58のMFCに制御信号を送信することによってチャンバ38におけるアンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を所望の値に調整し、TMP41及びAPCバルブ42に制御信号を送信することによってチャンバ38内の圧力を所望の値に調整する。また、このとき、圧力ゲージ59がチャンバ38内の圧力値を出力信号としてEC89のCPUに送信し、該CPUは送信されたチャンバ38内の圧力値に基づいて、アンモニアガス供給管57のMFC、弗化水素ガス供給管58のMFC、APCバルブ42やTMP41の制御パラメータを決定する。
Specifically, the CPU sends a control signal to the MFC of the ammonia
また、ウエハWにPHT処理を施す際には、PHT処理のレシピに対応するプログラムに応じてEC89のCPUが、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第3のプロセスユニット36においてPHT処理を実行する。
When performing the PHT process on the wafer W, the CPU of the
具体的には、CPUが、窒素ガス供給管65のMFC及びAPCバルブ69に制御信号を送信することによってチャンバ50内の圧力を所望の値に調整し、ステージヒータ51に制御信号を送信することによってウエハWの温度を所望の温度に調整する。また、このとき、圧力ゲージ66がチャンバ50内の圧力値を出力信号としてEC89のCPUに送信し、該CPUは送信されたチャンバ50内の圧力値に基づいて、APCバルブ69や窒素ガス供給管65のMFCの制御パラメータを決定する。
Specifically, the CPU adjusts the pressure in the
図5のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがEC89に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたI/O部100がモジュール化されてI/Oモジュールを構成し、該I/OモジュールがMC及びスイッチングハブ93を介してEC89に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。
In the system controller of FIG. 5, the plurality of end devices are not directly connected to the
また、EC89のCPUが送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたI/O部100のアドレス、及び当該I/O部100を含むI/Oモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ93は制御信号におけるI/Oモジュールのアドレスを参照し、MCのGHOSTが制御信号におけるI/O部100のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ93やMCがCPUに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
Further, the control signal transmitted by the CPU of the
図6は、図5のシステムコントローラにおけるEC89の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of the
図6に示すように、EC89は、基板処理装置10の各構成要素を制御するCPU111と、CPU111による演算処理の作業領域としてのRAM112と、記憶領域としてのROM113と、HD、フロッピー(登録商標)ディスク、MO、又はCD−ROM等の外部記憶装置からデータを読み込んだり、これらにデータを書き込んだりする外部記憶媒体ドライブ114を備える。
As shown in FIG. 6, the
ROM113には、上述のように基板処理装置10において実行される種々の処理に対応するレシピを示すプログラムや、レシピに応じて各構成要素を制御するための種々の制御パラメータ等が記憶されている。ROM113は、後述するパラメータ定義ファイルを格納するパラメータ定義ファイル格納領域115と、バックアップファイルを作成するためのバックアップ領域116とを備える。また、ROM113には、後述するパラメータカテゴリ変更ツールが格納されている。
The
EC89においては、上述のように、CPU111が各処理のレシピに対応するプログラムをROM113から読み出して実行し、各構成要素の状態に応じてROM113から対応する制御パラメータを検索し、これを制御信号としてエンドデバイスに出力して各エンドデバイスを制御し、各処理を実行する。
In the
ROM113には、基板処理装置10の各構成要素を制御するために多数の制御パラメータが格納されている。制御パラメータには、アンモニアガス供給管57のMFCや弗化水素ガス供給管58のMFC、窒素ガス供給管65のMFC等のガス供給量等が含まれる。
The
これらの制御パラメータの属性は、パラメータ定義ファイルによって定義されている。各パラメータの属性情報としては、各パラメータを特定するためのパラメータID情報(以下、GPIDと称する)、各パラメータの属するカテゴリを示すカテゴリ情報、各パラメータに設定された選択肢を示す選択肢情報、及び各パラメータの項目名やカテゴリ、選択肢をオペレーションコントローラ88に表示するためのテキスト情報が含まれる。パラメータの属するカテゴリは、各パラメータの重要度を表し、例えば、カテゴリ0,1,2,3,4の5つのカテゴリからなる。本実施の形態のおいてはカテゴリが低い方が重要度が高いパラメータとなっている。
The attributes of these control parameters are defined by a parameter definition file. As attribute information of each parameter, parameter ID information (hereinafter referred to as GPID) for specifying each parameter, category information indicating a category to which each parameter belongs, option information indicating options set for each parameter, and each Text information for displaying parameter item names, categories, and options on the
パラメータ定義ファイルには、図7に示すように、パラメータ定義ファイルの名称(パラメータ定義ファイル名)を示す情報、GPID、カテゴリ情報、テキスト情報、及び選択肢情報が格納されている。パラメータ定義ファイルは、複数の制御パラメータに対応する属性情報が設定可能であり、ROM113のパラメータ定義ファイル格納領域115に格納されている。パラメータの値はパラメータ定義ファイルには記録されてなく、ROM113の所定の領域に格納されている。また、パラメータの値とパラメータ定義ファイルとはGPIDによって関連付けられている。
As shown in FIG. 7, the parameter definition file stores information indicating the name of the parameter definition file (parameter definition file name), GPID, category information, text information, and option information. The parameter definition file can set attribute information corresponding to a plurality of control parameters, and is stored in the parameter definition
パラメータ定義ファイルのテキスト情報及び選択肢は、図8に示すように、オペレーションコントローラ88に表示される。図8のオペレーションコントローラ88のパラメータ定義ファイル情報表示画面において、項目名欄121に各パラメータの項目名及びカテゴリが、選択肢欄122に各パラメータに設定された選択肢が表示される。項目名欄121において、項目名の左側に表示される数字がそのパラメータが属するカテゴリを示す。例えば、パラメータ定義ファイル情報表示画面の最上段に表示されたパラメータの項目名は、「ARAMSステート強制変更」であり、カテゴリは4である。また、ARAMSステート強制変更のパラメータ値として現在「無効」が選択されている。従って、現在、ARAMSステート強制変更のパラメータは無効に設定されている。また、パラメータ定義ファイル情報表示画面の2番目の段に表示されたパラメータの項目名は、「PAC(Process Automation Control)レシピ通過タイムアウト」であり、カテゴリは3である。また、PACレシピ通過タイムアウトのパラメータ値として現在「10(秒)」が選択されている。尚、PACはR2RやFDCを含む。
The text information and options of the parameter definition file are displayed on the
EC89は、カテゴリの高い重要度の低いパラメータ、本実施の形態においてはカテゴリ2,3,4に属するパラメータをユーザがオペレーションコントローラ88を介して任意の値に設定することができるように構成されている。一方、EC89は、カテゴリの低い重要度の高いパラメータ、本実施の形態においてはカテゴリ0,1に属するパラメータをユーザが変更することができないように構成されている。これにより、パラメータ変更に関する安全性が確保されている。
The
具体的には、カテゴリ2,3,4に属するパラメータは、図8に示すパラメータ定義ファイル情報表示画面においてその選択肢及びパラメータの値を変更可能である。一方、カテゴリ0,1に属するパラメータは、その選択肢及びパラメータの値を変更することができない。尚、パラメータの変更は、ユーザの操作によりROM113に記憶されたパラメータ変更プログラムをCPU111が実行することにより行われる。パラメータ変更プログラムにはROM113に格納されているパラメータ定義ファイルがリンクされており、CPU111はパラメータ変更プログラムの実行の際に、ROM113内のパラメータ定義ファイル(図7)を参照してユーザに指定されたパラメータがカテゴリ2,3,4に属する場合にそのパラメータの変更を可能にする。
Specifically, the parameters belonging to
上述のように、EC89において、カテゴリ0,1に設定されているパラメータの値は変更することができないようにされておりパラメータ変更に関する安全性が確保されているが、ユーザがカテゴリ0,1のパラメータを変更することができないことはユーザにとって不便である。これに対して、基板処理装置10は、図10で後述するパラメータカテゴリ変更処理が実行可能に構成されている。具体的には、EC89のROM113には、パラメータカテゴリ変更処理を実行するためのプログラム(パラメータカテゴリ変更ツール)が格納されている。
As described above, in the
外部記憶装置ドライブ114には、パラメータカテゴリ変更処理を実行してカテゴリ0,1に属するパラメータを変更するために、カテゴリを変更したいパラメータを示すカテゴリ変更定義ファイルが記憶された外部記憶メディア117が挿入される。外部記憶メディア117に記憶されるカテゴリ変更定義ファイルには、図9に示すように、カテゴリを高くしてオペレーションコントローラ88を介してユーザがパラメータの値を任意に変更可能にしたいパラメータのGPIDとパラメータ定義ファイル名が記憶されている。尚、カテゴリ変更定義ファイルは、1以上のGPIDを登録可能に構成されている。CPU111は、ユーザの操作に応じて外部記憶装置ドライブ114を介して外部記憶メディア117に記憶されているカテゴリ変更定義ファイルを読み込み、ROM113に格納する。
In order to execute parameter category change processing and change parameters belonging to categories 0 and 1, an
以下に、パラメータカテゴリ変更処理について詳細に説明する。 The parameter category changing process will be described in detail below.
図10は、基板処理装置10が実行するパラメータカテゴリ変更処理のフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart of the parameter category changing process executed by the
本パラメータカテゴリ変更処理は、ユーザがオペレーションコントローラ88を介して所定の操作を行うことによりEC89のCPU111によって実行される。具体的には、ユーザが図11に示すパラメータカテゴリ変更処理実行画面をオペレーションコントローラ88に表示して、このパラメータカテゴリ変更処理実行画面において、パラメータのカテゴリ変更ボタン131を選択することにより開始される。
This parameter category changing process is executed by the
本パラメータカテゴリ変更処理において、まず、ROM113内にカテゴリ変更定義ファイルが存在するか否かを判別する(ステップS1)。ROM113内にカテゴリ変更定義ファイルが存在しない場合は、本処理を終了する。カテゴリ変更定義ファイルがROM113内にない場合はエラーとしてその後の処理を実行しない。一方、ROM113内にカテゴリ変更定義ファイルが存在する場合はステップS2の処理に移行する。
In this parameter category change process, first, it is determined whether or not a category change definition file exists in the ROM 113 (step S1). If the category change definition file does not exist in the
ステップS2においては、バックアップファイル116に後述するステップS12において作成されるROM113の上記カテゴリ変更定義ファイルをコピーしたカテゴリ変更定義ファイル(以下、コピーカテゴリ変更定義ファイルと称する)が存在するか否かを判別する。バックアップファイル116にコピーカテゴリ変更定義ファイルが存在する場合は、本処理を終了する。バックアップファイル116にコピーカテゴリ変更定義ファイルが存在する場合は、エラーとしてその後の処理を実行しない。一方、バックアップファイル116にコピーカテゴリ変更定義ファイルが存在しない場合は、ステップS3の処理に移行する。
In step S2, it is determined whether or not a category change definition file (hereinafter referred to as a copy category change definition file) obtained by copying the category change definition file in the
ステップS3においては、ROM113内のカテゴリ変更定義ファイルのパラメータ定義ファイル名からまだステップS3において選択されていないパラメータ定義ファイル名を選択する。
In step S3, the parameter definition file name not yet selected in step S3 is selected from the parameter definition file names of the category change definition file in the
次いで、ステップS3において選択したパラメータ定義ファイル名に該当するパラメータ定義ファイルをROM113のパラメータ定義ファイル格納領域115から検索して、該当するパラメータ定義ファイルがパラメータ定義ファイル格納領域115内に存在するか否かを判別する(ステップS4)。該当するパラメータ定義ファイルがパラメータ定義ファイル格納領域115内に存在しない場合は後述するステップS11の処理に移行する。つまり、ステップS3において選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するパラメータ定義ファイルのカテゴリ変更をスキップする。この場合は、選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するパラメータ定義ファイルのカテゴリ変更をスキップした旨をオペレーションコントローラ88に表示する。
Next, a parameter definition file corresponding to the parameter definition file name selected in step S3 is searched from the parameter definition
一方、該当するパラメータ定義ファイルがパラメータ定義ファイル格納領域115に存在する場合は、この該当するパラメータ定義ファイルのコピーがバックアップ領域116に既にコピー済みか否かを判別する(ステップS5)。即ち、この該当するパラメータ定義ファイルのコピー(以下、コピーパラメータ定義ファイルと称する)がバックアップ領域116に存在するか否かを判別する。
On the other hand, if the corresponding parameter definition file exists in the parameter definition
コピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域116に存在しない場合は、ステップS4において検索されたパラメータ定義ファイルをバックアップ領域116にコピーしてバックアップ領域116にコピーパラメータ定義ファイルを作成し(ステップS6)、ステップS7の処理に移行する。
If the copy parameter definition file does not exist in the
一方、コピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域116に存在する場合はステップS11の処理に移行する。ステップS5においてコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域116に存在する場合は、既に該当するパラメータ定義ファイルのカテゴリが後述する処理によって変更されているため、後に検索されたパラメータ定義ファイルのカテゴリ変更をスキップする。この場合、オペレーションパネル88に後者をスキップした旨を表示する。
On the other hand, if the copy parameter definition file exists in the
ステップS7においては、ステップS3において選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するGPIDの内まだステップS7において選択されていないGPIDをROM113に読み込まれたカテゴリ変更定義ファイルから選択し(ステップS7)、この選択したGPIDと同一のGPIDがステップS6においてバックアップ領域116に作成したコピーパラメータ定義ファイル内に存在するか否かを判別する(ステップS8)。
In step S7, a GPID that has not been selected in step S7 among the GPIDs corresponding to the parameter definition file name selected in step S3 is selected from the category change definition file read in the ROM 113 (step S7). It is determined whether or not the same GPID as that of the GPID exists in the copy parameter definition file created in the
ステップS7において選択したGPIDがステップS6において作成したコピーパラメータ定義ファイル内に存在する場合は、コピーパラメータ定義ファイル内のこのGPIDの示すパラメータのカテゴリ0又は1のカテゴリ情報をカテゴリ2に変更し(ステップS9)、ステップS10の処理に移行する。このとき、カテゴリ情報をカテゴリ2に変更したコピーパラメータ定義ファイルを元のパラメータ定義ファイルに代えて上記パラメータ変更プログラムとリンク付ける。これにより、本パラメータカテゴリ変更処理実行後にユーザがパラメータ変更プログラムを実行させた場合に、CPU111はコピーパラメータ定義ファイルを参照するため、外部記憶メディア117のカテゴリ変更定義ファイルによって指定されたパラメータを変更することができる。一方、ステップS7において選択したGPIDがステップS6において作成したコピーパラメータ定義ファイル内に存在しない場合は、直接ステップS10の処理に移行する。
If the GPID selected in step S7 exists in the copy parameter definition file created in step S6, the category information of the category 0 or 1 indicated by this GPID in the copy parameter definition file is changed to category 2 (step S9), the process proceeds to step S10. At this time, the copy parameter definition file whose category information is changed to category 2 is linked to the parameter change program in place of the original parameter definition file. Thus, when the user executes the parameter change program after executing this parameter category change process, the
ステップS10においては、ステップS3において選択されたパラメータ定義ファイル名に対応するGPIDの内まだステップS7において選択されていないGPIDがROM113のカテゴリ変更定義ファイルに存在するか否かを判別する。未選択GPIDがカテゴリ変更定義ファイルに存在する場合は、ステップS7の処理に戻り、未選択GPIDがカテゴリ変更定義ファイルに存在しない場合は、ステップS3においてまだ選択されていないパラメータ定義ファイル名がROM113のカテゴリ変更定義ファイルに存在するか否かを判別する(ステップS11)。
In step S10, it is determined whether a GPID that has not been selected in step S7 among the GPIDs corresponding to the parameter definition file name selected in step S3 exists in the category change definition file in the
未選択パラメータ定義ファイル名がROM113のカテゴリ変更定義ファイルに存在する場合はステップS3に戻る。一方、未選択のパラメータ定義ファイル名がROM113のカテゴリ変更定義ファイルに存在しない場合は、カテゴリ変更定義ファイルをROM113のバックアップ領域116にコピーしてコピーカテゴリ変更定義ファイルをバックアップ領域116に作成し(ステップS12)、本処理を終了する。
If the unselected parameter definition file name exists in the category change definition file in the
尚、本処理は外部記憶装置ドライブ114によってROM113に読み込まれた外部記憶メディア117のカテゴリ変更定義ファイルの各々に対して実行される。また、上記パラメータカテゴリ変更処理の実行中は、装置の初期化や全保守移行等の操作が禁止される。
This process is executed for each category change definition file of the
上述のパラメータカテゴリ変更処理により、カテゴリ0,1に属するパラメータのGPID及びそのパラメー変更ファイル名を外部記憶メディア116のカテゴリ変更定義ファイルに指定することにより、外部記憶メディア116に指定されたパラメータのカテゴリがカテゴリ2に変更されたコピーパラメータ定義ファイルが作成され、このコピーパラメータ定義ファイルが元のパラメータ定義ファイルに代えてパラメータ変更プログラムとリンク付けられる。これにより、本パラメータカテゴリ変更処理実行後にユーザがパラメータ変更プログラムを実行させた場合に、CPU111はコピーパラメータ定義ファイルを参照するため、外部記憶メディア117のカテゴリ変更定義ファイルによって指定されたパラメータをユーザはオペレーションコントローラ88を介して変更することができる。
By specifying the GPID of parameters belonging to categories 0 and 1 and the parameter change file name in the category change definition file of the
例えば、図8に示されたパラメータの内、カテゴリ0又は1のパラメータ125,126,127,128のGPID及びパラメータ定義ファイル名を外部記憶メディア117のカテゴリ変更定義ファイルに記載してカテゴリを変更したいパラメータとしてパラメータ125,126,127,128を指定し、この外部記憶メディア117を外部記憶装置ドライブ114によってROM113に読み込み、図10のパラメータカテゴリ変更処理を実行することにより、指定されたパラメータ125,126,127,128のカテゴリがカテゴリ2に変更される(図12参照)。従って、ユーザは、オペレーションコントローラ88において所定の操作を行ってパラメータ変更プログラムを実行することにより、オペレーションコントローラ88を介して容易に指定したパラメータ125,126,127,128の値を変更することができる。例えば、図13に示すように、カテゴリが変更されたパラメータ128(図12参照)をオペレーションコントローラ88において選択して、その選択肢を「無効」から「有効」に変更することができる。
For example, it is desired to change the category by describing the GPID and parameter definition file name of the
上述のステップS12の処理において、カテゴリを変更したいパラメータを指定したカテゴリ変更定義ファイルの内、既に指定するパラメータのカテゴリがカテゴリ2に変更されたカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域116にコピーされる。また、ステップS2において、既にステップS12においてバックアップ領域116にコピーが作成されているカテゴリ変更定義ファイルに対しては、パラメータカテゴリ変更処理を実行しない。従って、同一のカテゴリ変更定義ファイルに対してパラメータカテゴリ変更処理が二重実行されることが防止されている。
In the process of step S12 described above, the category change definition file in which the category of the parameter already specified is changed to category 2 among the category change definition files in which the parameter whose category is to be changed is specified is copied to the
次いで、上述のパラメータカテゴリ変更処理においてカテゴリが変更されたパラメータのカテゴリを元のカテゴリに戻すパラメータカテゴリ戻し処理について説明する。このパラメータカテゴリ戻し処理は、CPU111が上記パラメータカテゴリ変更ツールを実行することにより行われる。
Next, a parameter category return process for returning the parameter category whose category has been changed in the parameter category change process described above to the original category will be described. This parameter category return processing is performed by the
図14は、パラメータカテゴリ戻し処理のフローチャートである。 FIG. 14 is a flowchart of the parameter category return process.
本処理は、上記図10のパラメータカテゴリ変更処理が実行された後、基板処理装置10が再起動された後に実行される。
This process is executed after the parameter category changing process of FIG. 10 is executed and after the
まず、コピーカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域116に存在するか否かを判別する(ステップS21)。コピーカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域116に存在しない場合は、本処理を終了する。一方、コピーカテゴリ変更定義ファイルがバックアップ領域116に存在する場合はステップS22の処理に移行する。
First, it is determined whether or not a copy category change definition file exists in the backup area 116 (step S21). If the copy category change definition file does not exist in the
ステップS22においては、コピーカテゴリ変更定義ファイルに格納されたパラメータ定義ファイル名の内ステップS22においてまだ選択されていないパラメータ定義ファイル名を選択し、この選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域116に存在するか否かを判別する(ステップS23)。選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域116に存在する場合は、この該当するコピーパラメータ定義ファイルを消去し(ステップS24)、ステップS25の処理に移行する。このとき、コピーパラメータパラメータ変更プログラムのリンク先をコピーパラメータ定義ファイルから元のROM113内のパラメータ定義ファイルに変更する。これにより、図10のパラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリがカテゴリ2に変更されてその値が変更可能になったパラメータのカテゴリが元のカテゴリ0又は1に戻り、再度パラメータの変更ができなくなる。一方、選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルがバックアップ領域116に存在しない場合は、直接ステップS25の処理に移行する。この場合、選択したパラメータ定義ファイル名に該当するコピーパラメータ定義ファイルのカテゴリ戻し処理をスキップした旨をオペレーションコントローラ88に表示する。
In step S22, a parameter definition file name not yet selected in step S22 is selected from the parameter definition file names stored in the copy category change definition file, and the copy parameter definition file corresponding to the selected parameter definition file name is selected. Is present in the backup area 116 (step S23). If a copy parameter definition file corresponding to the selected parameter definition file name exists in the
ステップS25においては、ステップS22においてまだ選択していないパラメータ定義ファイル名が上記コピーカテゴリ変更定義ファイルに存在するか否かを判別する。未選択のパラメータ定義ファイル名がコピーカテゴリ変更定義ファイルに存在する場合は、ステップS22の戻る。一方、未選択のパラメータ定義ファイル名がコピーカテゴリ変更定義ファイルに存在しない場合は、このコピーカテゴリ変更定義ファイルをバックアップ領域116から消去し(ステップS26)、本処理を終了する。 In step S25, it is determined whether or not a parameter definition file name not yet selected in step S22 exists in the copy category change definition file. If an unselected parameter definition file name exists in the copy category change definition file, the process returns to step S22. On the other hand, if the unselected parameter definition file name does not exist in the copy category change definition file, this copy category change definition file is deleted from the backup area 116 (step S26), and this process is terminated.
本パラメータカテゴリ戻し処理により、図10のパラメータカテゴリ変更処理によってパラメータ変更プログラムのリンク先とされたコピーパラメータ定義ファイルが削除されて元のパラメータ定義ファイルがリンク先となるので、外部記憶メディア117に指定されたパラメータの変更が再度できなくなる。
By this parameter category return processing, the copy parameter definition file linked to the parameter change program by the parameter category change processing of FIG. 10 is deleted and the original parameter definition file becomes the link destination, so it is designated as the
また、図10のパラメータカテゴリ変更処理によってバックアップ領域116に作成されたコピーカテゴリ変更定義ファイルが削除されるので、再度このカテゴリ変更定義ファイルに基づくパラメータカテゴリ変更処理が実行可能になる。
Further, since the copy category change definition file created in the
上述のように、本発明の実施の形態に係る基板処理装置10によれば、カテゴリ0,1に属するパラメータを示すGPID及びそのパラメータ定義ファイル名を外部記憶メディア117のカテゴリ変更定義ファイルに記録してその値を変更したいパラメータを指定することにより、指定されたパラメータのカテゴリが2に変更される。これにより、ユーザはパラメータの値を変更することができる。従って、パラメータを変更することができないカテゴリのパラメータを外部記憶メディア117によって指定することにより、ユーザはパラメータをオペレーションコントローラ88を介して容易に変更することができる。また、ユーザはパラメータを容易に変更することができるため、パラメータ変更の誤作業の発生を低減することができ、基板処理装置10の誤作動を抑制することができる。
As described above, according to the
パラメータカテゴリ変更処理において、指定するカテゴリが変更されたカテゴリ変更定義ファイルはバックアップ領域116にコピーが作成されて、このカテゴリ変更定義ファイルに基づくパラメータカテゴリ変更処理が実行できなくなる。従って、カテゴリが変更されたパラメータに対するカテゴリ変更の二重実行を防止することができる。これにより、変更可能になったパラメータが再度変更できなくなることを防止することができる。
In the parameter category change process, a copy of the category change definition file in which the designated category is changed is created in the
また、基板処理装置10によれば、パラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリが変更された後に基板処理装置10が再起動された場合、パラメータカテゴリ戻し処理が実行されてパラメータカテゴリ変更処理によって変更されたカテゴリが元のカテゴリに戻される。従って、変更したカテゴリを元に戻し忘れることを防止することができる。このため、カテゴリが変更された状態が継続することによりパラメータが変更さる危険性を低減することができ、パラメータ変更に関する安全性を強化することができる。
Further, according to the
次いで、パラメータカテゴリ変更処理及びパラメータカテゴリ戻し処理の変形例について説明する。図15はパラメータカテゴリ変更処理の変形例のフローチャートであり、図16はパラメータカテゴリ戻し処理の変形例のフローチャートである。以下の説明においては、図10のパラメータカテゴリ変更処理及び図14のパラメータカテゴリ戻し処理に対して異なる部分のみ説明し、同一の部分には同一の符号を付して重複した説明を省略する。 Next, a modification of the parameter category change process and the parameter category return process will be described. FIG. 15 is a flowchart of a modification of the parameter category change process, and FIG. 16 is a flowchart of a modification of the parameter category return process. In the following description, only different parts will be described with respect to the parameter category changing process of FIG. 10 and the parameter category returning process of FIG. 14, and the same parts will be denoted by the same reference numerals and redundant description will be omitted.
まず、パラメータカテゴリ変更処理の変形例について説明する。 First, a modification of the parameter category changing process will be described.
本パラメータカテゴリ変更処理においては、図10のパラメータカテゴリ変更処理のステップS8に代えて、ステップS7において選択したGPIDと同一のGPIDがROM113のパラメータ定義ファイル格納領域115に格納されたパラメータ定義ファイルに存在するか否かを判別する(ステップS31)。パラメータ定義ファイル格納領域115に格納されたパラメータ定義ファイルにステップS7において選択したGPIDと同一のGPIDが存在しない場合は、ステップS10の処理に移行し、パラメータ定義ファイル格納領域115に格納されたパラメータ定義ファイルにステップS7において選択したGPIDと同一のGPIDが存在する場合は、図10のパラメータカテゴリ変更処理のステップS9に代えて実行されるステップS32の処理に移行する。ステップS32においては、ステップS7において選択したGPIDと同一のGPIDを有するパラメータ定義ファイル格納領域115のパラメータ定義ファイルにおいて、この選択したGPIDが示すパラメータのカテゴリ情報をカテゴリ0又は1からカテゴリ2に変更する。
In this parameter category changing process, instead of step S8 of the parameter category changing process of FIG. 10, the same GPID as the GPID selected in step S7 exists in the parameter definition file stored in the parameter definition
上述のように、本パラメータカテゴリ変更処理は、図10のパラメータカテゴリ変更処理に対して、バックアップ領域に作成せれたコピーパラメータ定義ファイルではなく、ROM113のパラメータ定義ファイル格納領域115に格納された元のパラメータ定義ファイルのカテゴリ情報を変更する点で異なる。これにより、パラメータ変更プラグラムのリンク先を変更する処理を省略することができる。また、図10のパラメータカテゴリ変更処理と同様の効果を奏することができる。
As described above, the parameter category changing process is different from the parameter category changing process of FIG. 10 in that the original parameter stored in the parameter definition
次いで、パラメータカテゴリ戻し処理の変形例について説明する。 Next, a modification of the parameter category return process will be described.
本パラメータカテゴリ戻し処理においては、図14のパラメータカテゴリ戻し処理のステップS24に代えて、バックアップ領域116の該当コピーパラメータ定義ファイルをパラメータ定義ファイル格納領域115内の対応するパラメータ定義ファイル(以下、該当パラメータ定義ファイルと称する)に上書きして、このバックアップ領域116の該当コピーパラメータ定義ファイルを消去することが異なる(ステップS41)。これにより図15のパラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリが変更されたパラメータ定義ファイル格納領域115内の該当パラメータ定義ファイルが、パラメータカテゴリ変更処理によってカテゴリが変更される前の元のパラメータ定義ファイルのコピーである該当コピーパラメータ定義ファイルに書き換えられるので、パラメータ定義ファイル格納領域115内のパラメータ定義データが元に戻り、カテゴリ0,1のパラメータが変更できなくなる。
In this parameter category return process, instead of step S24 of the parameter category return process of FIG. 14, the corresponding copy parameter definition file in the
上述のように、本パラメータカテゴリ戻し処理は、図14のパラメータカテゴリ戻し処理に対して、バックアップ領域に作成せれたコピーパラメータ定義ファイルを直ちに消去するのではなく、ROM113のパラメータ定義ファイル格納領域115に格納されたカテゴリ情報が変更されたパラメータ定義ファイルをカテゴリ情報が変更されていない元のパラメータ定義ファイルである該当コピーパラメータ定義ファイルに書き換えてから該当コピーパラメータ定義ファイルを消去する点で異なる。これにより、パラメータ変更プラグラムのリンク先を変更する処理を省略することができる。また、図14のパラメータカテゴリ変更処理と同様の効果を奏することができる。
As described above, this parameter category return process does not immediately delete the copy parameter definition file created in the backup area, but stores it in the parameter definition
本発明においては、基板処理装置の構造は上述の基板処理装置10の構造に限られるものではなく、種々の構造の基板処理装置であってもよい。
In the present invention, the structure of the substrate processing apparatus is not limited to the structure of the
10 基板処理装置
88 オペレーションコントローラ
89 EC
111 CPU
112 RAM
113 ROM
114 外部記憶装置ドライブ
115 パラメータ定義ファイル格納領域
116 バックアップ領域
117 外部記憶メディア
10
111 CPU
112 RAM
113 ROM
114 External
Claims (20)
複数のカテゴリに分類されている、前記処理を制御するためのパラメータを格納する記憶装置と、
前記パラメータに基づいて前記処理を基板に対して実行する制御装置と、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、
前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置と、
前記基板処理装置において着脱可能であって、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義装置とを備え、
前記パラメータカテゴリ変更装置は、前記カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータのカテゴリを変更することを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A storage device that stores parameters for controlling the processing, which are classified into a plurality of categories;
A control device that performs the process on the substrate based on the parameters;
A parameter changing device capable of changing the parameter according to the parameter category;
A parameter category changing device for changing the category of the parameter;
A category change definition device that is detachable in the substrate processing apparatus and that specifies a parameter for changing a category of the parameters;
The substrate processing apparatus, wherein the parameter category changing device changes a category of a parameter designated by the category change defining device.
前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義ステップと、
前記カテゴリ変更定義ステップによって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更ステップと、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更ステップとを備えることを特徴とする基板処理装置のパラメータ管理方法。 A parameter management method for a substrate processing apparatus, comprising: a storage device that stores parameters classified into a plurality of categories; and a control device that performs processing on a substrate based on the parameters,
A category change defining step for specifying a parameter for changing the category of the parameters;
A parameter category changing step for changing the category of the parameter specified by the category change defining step;
A parameter management method for a substrate processing apparatus, comprising: a parameter changing step that allows the parameter to be changed according to the parameter category.
前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義モジュールと、
前記カテゴリ変更定義モジュールによって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールとを備えることを特徴とするプログラム。 A program for causing a computer to execute a parameter management method for a substrate processing apparatus, comprising: a storage device that stores parameters classified into a plurality of categories; and a control device that performs processing on a substrate based on the parameters. ,
A category change definition module for specifying a parameter for changing the category of the parameters;
A parameter category change module that changes a category of parameters specified by the category change definition module;
And a parameter changing module that allows the parameter to be changed in accordance with the parameter category.
前記プログラムは、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義モジュールと、前記カテゴリ変更定義モジュールによって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更モジュールと、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更モジュールとを備えることを特徴とする記憶媒体。 A program for causing a computer to execute a parameter management method of a substrate processing apparatus, comprising: a storage device that stores parameters classified into a plurality of categories; and a control device that performs processing on the substrate based on the parameters. A storage medium,
The program includes a category change definition module for specifying a parameter for changing a category of the parameters, a parameter category change module for changing a category of a parameter specified by the category change definition module, and a category of the parameter A storage medium comprising: a parameter changing module that enables the parameter to be changed.
前記基板処理装置に対して着脱可能であって、前記パラメータの内カテゴリを変更するパラメータを指定するカテゴリ変更定義装置を備え、
前記基板処理装置は、前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、前記カテゴリ変更定義装置によって指定されたパラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置とを備えることを特徴とする基板処理装置のパラエメータ管理システム。 A parameter management system for a substrate processing apparatus, comprising: a storage device that stores parameters classified into a plurality of categories; and a control device that performs processing on the substrate based on the parameters,
A category change definition device that is detachable from the substrate processing apparatus and that specifies a parameter for changing a category of the parameter;
The substrate processing apparatus includes: a parameter changing device that can change the parameter according to the parameter category; and a parameter category changing device that changes a parameter category specified by the category change defining device. A parameter management system for substrate processing equipment.
複数のカテゴリに分類されている、前記処理を制御するためのパラメータを格納する記憶装置と、
前記パラメータに基づいて前記処理を基板に対して実行する制御装置と、
前記パラメータのカテゴリに応じて前記パラメータを変更可能にするパラメータ変更装置と、
前記パラメータのカテゴリを変更するパラメータカテゴリ変更装置と、
前記基板処理装置が再起動された場合に前記パラメータカテゴリ変更装置によって変更されたカテゴリを元のカテゴリに戻すカテゴリ戻し装置とを備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate,
A storage device that stores parameters for controlling the processing, which are classified into a plurality of categories;
A control device that performs the process on the substrate based on the parameters;
A parameter changing device capable of changing the parameter according to the parameter category;
A parameter category changing device for changing the category of the parameter;
A substrate processing apparatus comprising: a category returning device that returns a category changed by the parameter category changing device to an original category when the substrate processing device is restarted.
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