JP2007224348A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 基材と、
当該基材を、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、イットリウム及びハフニウムからなる元素群から選択された元素を含む第１の原料ガス雰囲気に置いて、当該基材の表面に、第１の原料ガスを吸着させ、次いで当該雰囲気を第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスの雰囲気に切り替えて、前記元素を含む酸化物層を形成し、こうして基材が置かれる雰囲気を第１の原料ガスの雰囲気と第２の原料ガスの雰囲気との間で、交互に複数回切り替えることにより、前記基材の表面に複数の前記酸化物層が堆積して形成される中間層と、
前記中間層表面に、セラミックスからなる溶射材料を溶射して形成されるセラミック溶射被膜と、から構成されることを特徴とする耐環境部材。 - 前記セラミック溶射被膜は、前記元素群から選択された元素の酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載の耐環境部材。
- 前記中間層と前記セラミック溶射被膜とが同一元素の酸化物から構成されることを特徴とする請求項２に記載の耐環境部材。
- 処理容器内の基板に対して処理ガスにより処理を行い、処理ガスが腐食性ガスである半導体製造装置、または基板処理後に腐食性ガスであるクリーニングガスを供給して処理容器内をクリーニングする半導体製造装置であって、
請求項１ないし３のいずれか一つに記載の耐環境部材を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - プラズマ処理工程を含む半導体製造装置であって、
請求項１ないし３のいずれか一つに記載の耐環境部材を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 基材を、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、イットリウム及びハフニウムからなる元素群から選択された元素を含む第１の原料ガス雰囲気に置いて、当該基材の表面に、第１の原料ガスを吸着させ、次いで当該雰囲気を第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスの雰囲気に切り替えて、前記元素を含む酸化物層を形成し、こうして基材が置かれる雰囲気を第１の原料ガスの雰囲気と第２の原料ガスの雰囲気との間で、交互に複数回切り替えることにより、前記基材の表面に複数の前記酸化物層を堆積させて前記基材の表面に中間層を形成する工程と、
前記中間層表面に、セラミックスからなる溶射材料を溶射してセラミック溶射被膜を形成する工程と、から構成されることを特徴とする耐環境部材の製造方法。 - 前記セラミック溶射被膜は、前記元素群から選択した元素の酸化物であることを特徴とする請求項６に記載の耐環境部材の製造方法。
- 前記中間層と前記セラミック溶射被膜とを同一元素の酸化物とすることを特徴とする請求項７に記載の耐環境部材の製造方法。
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