JP2007221117A - Substrate incorporated with components, and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップ実装基板、マザーボード、プローブカード用基板などに適用される部品内蔵基板およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a component-embedded substrate applied to a semiconductor chip mounting substrate, a mother board, a probe card substrate, and the like, and a manufacturing method thereof.
近年、電子機器には高性能化および小型化の要求が高まっており、これらの電子機器に組み込まれる電子部品の高密度実装化が急速に進んでいる。この高密度実装化の手法として、LSI等の半導体素子をベアチップの状態で回路基板に面実装するフリップチップ実装が行われている。 In recent years, there has been an increasing demand for high performance and miniaturization of electronic devices, and high-density mounting of electronic components incorporated in these electronic devices is rapidly progressing. As a high-density mounting technique, flip-chip mounting is performed in which a semiconductor element such as an LSI is surface-mounted on a circuit board in a bare chip state.
従来、半導体素子を搭載するための回路基板は、半導体素子の多ピン化に対応すべく、高い配線収容性を有した多層配線基板(例えば、特許文献1参照)が使用されているが、一般的な半導体材料による半導体素子の面内方向における熱膨張係数が約3.5ppm/℃であるのに対し、一般的によく用いられているガラスエポキシ基材の多層配線基板の面内方向の熱膨張係数は12〜20ppm/℃であり、この両者の熱膨張係数の差は大きい。このように、多層配線基板の熱膨張係数が大きいと、半導体実装時に加熱した場合、多層配線基板が伸縮し基板寸法精度が悪くなり、半導体素子のバンプと多層配線基板の電極パッドとのアライメントが合わず実装不良が起こる要因となる。 Conventionally, as a circuit board for mounting a semiconductor element, a multilayer wiring board having a high wiring accommodation property (for example, see Patent Document 1) is used in order to cope with the increase in the number of pins of the semiconductor element. The thermal expansion coefficient in the in-plane direction of a semiconductor element made of a typical semiconductor material is about 3.5 ppm / ° C., whereas the heat in the in-plane direction of a commonly used glass epoxy-based multilayer wiring board is used. The expansion coefficient is 12 to 20 ppm / ° C., and the difference between the two is large. Thus, if the thermal expansion coefficient of the multilayer wiring board is large, when heated during semiconductor mounting, the multilayer wiring board expands and contracts, resulting in poor board dimensional accuracy, and the alignment between the bumps of the semiconductor element and the electrode pads of the multilayer wiring board is poor. This is a cause of mounting failure.
これに対して、配線基板および半導体チップの熱膨張係数の差に起因する上述の不具合を解消もしくは軽減するための手法の一つとして、熱膨張係数の小さな配線基板を採用することが考えられる。この配線基板の熱膨張係数を低減する手法として、炭素繊維材料を利用する技術が知られている。 On the other hand, it is conceivable to employ a wiring board having a small thermal expansion coefficient as one of the methods for eliminating or reducing the above-described problems caused by the difference in thermal expansion coefficient between the wiring board and the semiconductor chip. As a technique for reducing the thermal expansion coefficient of this wiring board, a technique using a carbon fiber material is known.
この炭素繊維の熱膨張係数は、一般に−5〜3ppm/℃(25℃)程度である。例えば、基材として炭素繊維シートを含有するコア基材の両面に、ガラス繊維を含有するプリプレグによる絶縁層と銅配線とが積層された多層配線構造を有する配線基板が開示されている(特許文献2参照)。 The thermal expansion coefficient of the carbon fiber is generally about -5 to 3 ppm / ° C (25 ° C). For example, a wiring board having a multilayer wiring structure in which an insulating layer made of a prepreg containing glass fibers and a copper wiring are laminated on both surfaces of a core base material containing a carbon fiber sheet as a base material is disclosed (Patent Document). 2).
また、炭素繊維シートを含有するコア基材の両面に、ガラス繊維を含有しないプリプレグによる絶縁層と銅配線の積層構造を有する多層配線基板が開示されている(特許文献3参照)。 Moreover, the multilayer wiring board which has the laminated structure of the insulating layer and copper wiring by the prepreg which does not contain glass fiber on both surfaces of the core base material containing a carbon fiber sheet is disclosed (refer patent document 3).
これらはいずれも炭素繊維の熱膨張係数が小さいことから、基材として炭素繊維シートを含有する絶縁層や配線基板における面内方向の熱膨張係数が小さくなり、結果として、これらを含んで構成される多層配線基板においても面内方向の熱膨張係数を小さくすることができる。 Since these all have a low coefficient of thermal expansion of carbon fiber, the thermal expansion coefficient in the in-plane direction of the insulating layer or wiring board containing the carbon fiber sheet as the base material is reduced, and as a result, these are included. Even in the multilayer wiring board, the thermal expansion coefficient in the in-plane direction can be reduced.
また、更なる小型化の手法として、部品を多層配線基板に内蔵した3次元実装形態の部品内蔵基板の出現が期待されている。この部品内蔵基板はLCR等の部品を内蔵することで、CPUのクロック周波数の高速化、あるいは通信周波数の高周波数化に伴うノイズ対策を実装面積を増加させずに行うことができる。 Further, as a further miniaturization technique, the appearance of a component-embedded substrate in a three-dimensional mounting form in which components are embedded in a multilayer wiring substrate is expected. By incorporating components such as LCR on the component-embedded substrate, noise countermeasures associated with increasing the clock frequency of the CPU or increasing the communication frequency can be performed without increasing the mounting area.
上記、熱膨張係数の小さな配線基板または多層配線基板は半導体検査用のプローブカード基板としても有用である。プローブカード基板とは、半導体ウエハ上に並ぶ半導体素子の各電極にプローブを接触させて、回路状態の電気的特性を一度に検査する回路基板である。 The above-described wiring board or multilayer wiring board having a small thermal expansion coefficient is also useful as a probe card board for semiconductor inspection. The probe card substrate is a circuit substrate that inspects the electrical characteristics of the circuit state at a time by bringing a probe into contact with each electrode of the semiconductor elements arranged on the semiconductor wafer.
通常、半導体の検査は製品検査(電気的特性試験)と、その後に行われる信頼性試験であるバーンイン試験に大別される。バーンイン試験は固有欠陥のある半導体素子、あるいは製造上のばらつきから、時間とストレスに依存する故障を起こす半導体素子を除くために行われるスクリーニング試験の一つである。プローブカードによる検査が製造した半導体素子の電気的特性試験であるのに対し、バーンイン試験は熱加速試験と言える。 Usually, semiconductor inspection is broadly divided into product inspection (electrical characteristic test) and burn-in test, which is a reliability test performed thereafter. The burn-in test is one of screening tests performed to remove a semiconductor element having an inherent defect or a semiconductor element that causes a failure depending on time and stress from manufacturing variations. While the inspection by the probe card is an electrical characteristic test of the manufactured semiconductor element, the burn-in test can be said to be a thermal acceleration test.
通常、これらの試験は半導体をパッケージ化した後に行われるが、近年では、半導体をダイシングする前に半導体ウエハ上に多数形成された半導体素子のバーンイン試験を一括して一度に行うためのウエハ一括コンタクトボード(バーンインボード)の開発及び実用化が進められている(特許文献4参照)。これによると、バーンイン試験で半導体ウエハ上の各半導体素子の電極に電源電圧や信号を同時に印加して、複数あるいは全ての半導体チップを動作させる際、半導体ウエハ上の多数のパッド電極に対してプローブ電極を一括的にコンタクトできるコンタクタ(コンタクト治具)が提案されている。この技術によれば、コンタクタに多数のバンプを形成し、これらのバンプをコンタクト電極として使用する。 Usually, these tests are performed after the semiconductor is packaged. However, in recent years, a wafer batch contact for performing a burn-in test of a large number of semiconductor elements formed on a semiconductor wafer at once before dicing the semiconductor. Development and practical application of a board (burn-in board) is underway (see Patent Document 4). According to this, when a plurality or all of the semiconductor chips are operated by simultaneously applying a power supply voltage or a signal to the electrodes of each semiconductor element on the semiconductor wafer in the burn-in test, the probe is applied to a large number of pad electrodes on the semiconductor wafer. There have been proposed contactors (contact jigs) capable of collectively contacting electrodes. According to this technique, a large number of bumps are formed on the contactor, and these bumps are used as contact electrodes.
ウエハ一括バーンイン装置を用いたバーンイン検査の際、複数の半導体チップを同時に動作させる必要があり、チップ動作の最初に瞬間的に大量の電流をウエハに供給する必要がある。そのような大量の電流をウエハに供給しようとすると、コンタクタの配線抵抗によって電源電圧が大きく降下したり、隣接する半導体チップに供給される電圧が順次降下したりする場合がある。このような問題を解消するために、多層配線基板で共通化されている電源−グランド配線間にコンデンサを配置している。このコンデンサの配置において、1チップ毎にコンデンサを形成する提案がされている(特許文献5参照)。この方法によると、配線基板の配線パターンを形成する工程において、誘電体を用いて構成されたコンデンサを形成する。このコンデンサが電源−グランド間のバイパスコンデンサとして動作し、半導体素子のスイッチングの際に発生するノイズが原因で生じるエラーを1チップ毎に除去、もしくはノイズの影響を低減できる。
しかしながら、配線基板の熱膨張係数を低減するための炭素繊維シートを採用した従来の技術においては、炭素繊維シートとこれを包容する樹脂との間の熱膨張係数の差が過大であり、厚み方向の熱膨張係数が炭素繊維シートを含有しない場合よりも大きくなる傾向にある。炭素繊維シートを包容する樹脂は、本来は比較的大きな熱膨張係数を有するが、熱膨張係数の極めて小さな炭素繊維シートによって面内方向の熱膨張については厳しく抑制される。そのため、熱膨張時においては、当該樹脂と炭素繊維シートの間の過大な熱膨張係数の差に起因して、配線基板内には許容可能な上限を超える応力が発生し、その結果、この超過応力を解放するために配線基板の厚み方向へと樹脂が一層膨張する。特に、面内方向の熱膨張係数を半導体の熱膨張係数の近傍までに抑制すべく高含有率で炭素繊維シートを含んだコア層を用いた多層配線基板においては、厚み方向の熱膨張係数の増大は顕著である。 However, in the conventional technology adopting the carbon fiber sheet for reducing the thermal expansion coefficient of the wiring board, the difference in the thermal expansion coefficient between the carbon fiber sheet and the resin enclosing it is excessive, and the thickness direction The thermal expansion coefficient tends to be larger than that when no carbon fiber sheet is contained. The resin that encloses the carbon fiber sheet originally has a relatively large thermal expansion coefficient, but the thermal expansion in the in-plane direction is severely suppressed by the carbon fiber sheet having an extremely small thermal expansion coefficient. Therefore, during thermal expansion, stress exceeding the allowable upper limit is generated in the wiring board due to an excessive difference in thermal expansion coefficient between the resin and the carbon fiber sheet. In order to release the stress, the resin further expands in the thickness direction of the wiring board. In particular, in a multilayer wiring board using a core layer containing a carbon fiber sheet with a high content to suppress the thermal expansion coefficient in the in-plane direction to the vicinity of the thermal expansion coefficient of the semiconductor, the thermal expansion coefficient in the thickness direction is The increase is significant.
そして、配線基板の厚み方向の熱膨張係数が大きいと、配線基板の内部に形成されたスルーホールまたは多層配線基板の内部に形成されたインナービアに対して、厚み方向に大きな応力が作用する。その結果、スルーホールまたはインナービアの接続が不安定になる。また、炭素繊維材料は電気伝導性を有しているため、スルーホール接続するためには、スルーホールの内壁面を絶縁する必要があり、貫通孔を大きく形成し、樹脂埋めした後に、改めてスルーホール形成する必要がある。そのため、スルーホール径が大きくなりファイン化への対応が難しい。 When the thermal expansion coefficient in the thickness direction of the wiring board is large, a large stress acts in the thickness direction on the through hole formed in the wiring board or the inner via formed in the multilayer wiring board. As a result, the connection of the through hole or the inner via becomes unstable. In addition, since carbon fiber material has electrical conductivity, it is necessary to insulate the inner wall surface of the through-hole in order to connect through-holes. It is necessary to form holes. For this reason, the through-hole diameter becomes large and it is difficult to cope with the finer.
このように、基材に炭素繊維材料を利用する従来の配線基板または多層配線基板においては、スルーホールまたはインナービアの接続を充分に確保しつつ、適切に低熱膨張化を図り、寸法精度の高い配線基板を実現することが困難であった。 As described above, in a conventional wiring board or multilayer wiring board that uses a carbon fiber material as a base material, it is possible to appropriately reduce the thermal expansion while ensuring sufficient connection of through holes or inner vias, and high dimensional accuracy. It was difficult to realize a wiring board.
そして、多層配線基板をコンデンサを内蔵したプローブカードとして用いる場合、コンデンサを形成する方法として、大面積でコンデンサを形成しようとするとコンデンサを形成する誘電体の厚みを制御することが難しく、所望の容量が得られないだけではなく、誘電体の厚さが薄すぎると強度不十分で絶縁破壊を起こすおそれがあり、一方、厚すぎるとエッチング加工性が悪くなり、精密なパターニングが困難となる場合がある。また、通常の多層配線基板の工程と全く異なる工程を導入することによりコストが高くなり、歩留まりも低く生産できないという課題がある。 When a multilayer wiring board is used as a probe card with a built-in capacitor, it is difficult to control the thickness of the dielectric forming the capacitor when forming a capacitor with a large area as a method of forming the capacitor. In addition, the dielectric thickness may be insufficient and dielectric breakdown may occur if the dielectric is too thin.On the other hand, if the thickness is too thick, the etching processability may be deteriorated and precise patterning may be difficult. is there. In addition, there is a problem that by introducing a process that is completely different from the process of a normal multilayer wiring board, the cost increases and the yield cannot be lowered.
本発明は、このような課題のもとで考え出されたものであって、高密度実装が可能で低熱膨張・寸法精度の高い部品内蔵基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been conceived under such a problem, and an object of the present invention is to provide a component-embedded substrate capable of high-density mounting, high thermal expansion, and high dimensional accuracy, and a method for manufacturing the same.
上記目的を達成するために、本発明は、第1の電気絶縁性基材と、前記第1の電気絶縁性基材の両面に形成された配線パターンからなり、同一平面上に配置された複数の回路基板と、前記回路基板に実装された回路部品と、前記回路基板より、熱膨張係数の低い矯正材と、前記同一平面上に配置した複数の回路基板と前記矯正材とを前記回路部品を内蔵するように接合する第2の電気絶縁性基材とから構成するものである。 In order to achieve the above object, the present invention comprises a first electrically insulating substrate and a wiring pattern formed on both surfaces of the first electrically insulating substrate, which are arranged on the same plane. A circuit board mounted on the circuit board, a correction material having a lower coefficient of thermal expansion than the circuit board, a plurality of circuit boards arranged on the same plane, and the correction material. And a second electrically insulating base material that is joined so as to incorporate therein.
以上のように、本発明の部品内蔵基板およびその製造方法は、既存の回路部品と回路基板を用いて、低コスト・高信頼性で部品を内蔵し高密度実装を実現すると共に、複数の回路基板を適切な熱膨張係数が選択できる矯正材と接合することで適切に熱膨張係数を制御し、基板寸法精度の高い部品内蔵基板およびその製造方法を実現することができる。 As described above, the component-embedded substrate and the manufacturing method thereof according to the present invention realizes high-density mounting by incorporating components with low cost and high reliability using existing circuit components and circuit substrates, and a plurality of circuits. By bonding the substrate to an orthodontic material that can select an appropriate thermal expansion coefficient, the thermal expansion coefficient can be appropriately controlled, and a component-embedded substrate with high substrate dimensional accuracy and a manufacturing method thereof can be realized.
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1における部品内蔵基板について、図面を参照しながら説明する。
(Embodiment 1)
Hereinafter, the component-embedded substrate according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1(a)は、本実施の形態1における部品内蔵基板の上面図、図1(b)は部品内蔵基板の一部の断面図であり、図2は別の例の部品内蔵基板の上面図である。図1(a)、図1(b)において、回路基板4は、第1の電気絶縁性基材1と、第1の電気絶縁性基材1の両面に形成された配線パターン2と、両面の配線パターン2間を電気的に接続するスルーホール3からなる。また、図1(a)に示すように、回路基板4は複数の回路基板4a〜4dを同一平面上に配置されてなるものである。回路部品6は、はんだ5によって回路基板4上に実装されたチップ部品であり、第2の電気絶縁性基材7は回路部品6を内蔵し回路基板4と熱膨張係数の低い矯正材8とを接合するものである。
FIG. 1A is a top view of a component built-in board according to the first embodiment, FIG. 1B is a partial cross-sectional view of the component built-in board, and FIG. 2 is a top view of another example of the component built-in board. FIG. 1A and 1B, a
本発明において、回路基板4は、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた基板(ガラス−エポキシ基板)、アラミド繊維不織布にエポキシ樹脂を含浸させた基板(アラミド−エポキシ基板)、紙にフェノール樹脂を含浸させた基板(紙−フェノール基板)、多孔質のフィルム基材に未硬化のエポキシ樹脂を空孔が残るように含浸させたフィルム基材を使ったフレキシブル基板、セラミックス基板など任意の基板から目的に応じて選択して使用することができる。
In the present invention, the
また、回路基板4は複数の回路基板4a〜4dのように同一形状のものを複数同一平面上に配置することができる。さらに、図2に示すように回路基板4は複数の回路基板4a〜4dからなり、回路基板4a〜4d間をジャンパ抵抗などで接続されているものを使用することができる。このジャンパ抵抗は回路部品6として同一面上に実装して内蔵化している。このジャンパ抵抗を用いて接続することによって、複数の回路基板4a〜4dを一枚の回路基板4として用いることができることから、大型の検査プローブ用の用途として有用である。
Further, a plurality of
そして、第2の電気絶縁性基材7として、例えば絶縁性樹脂及びフィラと絶縁性樹脂の混合物等を用いることができ、樹脂とフィラを含み、フィラ含量が50質量%以上95質量%以下であることが好ましい。さらに、ガラスクロス等の補強材があってもよい。また、絶縁性樹脂としては熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、さらに、耐熱性の高いエポキシ樹脂やフェノール樹脂、イソシアネート樹脂を用いることにより、第2の電気絶縁性基材7の耐熱性をあげることができる。
As the second electrically insulating
また、誘電正接の低いフッ素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレン(PTFE樹脂)、PPO(ポリフェニレンオキサイド)樹脂(PPE(ポリフェニレンエーテル)樹脂ともいう)、液晶ポリマーを含むもしくはそれらの樹脂を変性させた樹脂を用いることにより、高周波特性が向上する。 In addition, a fluororesin having a low dielectric loss tangent, such as polytetrafluoroethylene (PTFE resin), PPO (polyphenylene oxide) resin (also referred to as PPE (polyphenylene ether) resin), a resin containing a liquid crystal polymer, or a resin obtained by modifying these resins is used. By using it, the high frequency characteristics are improved.
ここで、第2の電気絶縁性基材7として、フィラと絶縁性樹脂の混合物を用いた場合、フィラ及び絶縁性樹脂を選択することによって、第2の電気絶縁性基材7の線膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。例えば、フィラとしてアルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化珪素、ポリテトラフルオロエチレン及び、シリカなどを用いることができる。
Here, in the case where a mixture of filler and insulating resin is used as the second electrically insulating
特に、アルミナ、窒化ホウ素、窒化アルミを用いることにより、従来のガラス−エポキシ基板より熱伝導度の高い基板が製作可能となり、内蔵された回路部品6の発熱を効果的に放熱させることができる。また、アルミナはコストが安いという利点もある。シリカを用いた場合、誘電率が低い第2の電気絶縁性基材7が得られ、比重も軽いことから、小型の携帯電話などの高周波用途として好ましい。
In particular, by using alumina, boron nitride, or aluminum nitride, a substrate having higher thermal conductivity than that of a conventional glass-epoxy substrate can be manufactured, and the heat generated from the built-in
さらに、窒化珪素やポリテトラフルオロエチレン、例えば“テフロン(登録商標)”を用いても誘電率の低い電気絶縁層を形成できる。また、窒化ホウ素を用いることにより線膨張係数を低減できる。さらに、分散剤、着色剤、カップリング剤、又は離型剤を含んでいてもよい。 Furthermore, an electrical insulating layer having a low dielectric constant can be formed using silicon nitride or polytetrafluoroethylene such as “Teflon (registered trademark)”. Moreover, the linear expansion coefficient can be reduced by using boron nitride. Furthermore, a dispersant, a colorant, a coupling agent, or a release agent may be included.
また、分散剤によって絶縁性樹脂中のフィラを均一性よく分散させることができる。さらに、着色剤によって電気絶縁層を着色することができるため、自動認識装置の利用が容易となる。また、カップリング剤によって絶縁性樹脂とフィラとの接着強度を高くすることができるため、第2の電気絶縁性基材7の絶縁性を向上できる。
Further, the filler in the insulating resin can be dispersed with good uniformity by the dispersant. Furthermore, since the electrical insulating layer can be colored with the colorant, the automatic recognition device can be easily used. Moreover, since the adhesive strength between the insulating resin and the filler can be increased by the coupling agent, the insulating property of the second electrically insulating
そして、配線パターン2は電気伝導性を有する物質からなり、例えば金、銀、銅、アルミニウム等の金属あるいは導電性樹脂組成物、金属板を加工したリードフレームを用いることができる。金属箔やリードフレームを用いることにより、エッチング等により微細な配線パターン2の作成が容易となる。また、金属箔においては、離型フィルムを用いた転写等による配線パターン2の形成も可能となる。特に銅箔はコストも安く、電気伝導性も高いため好ましい。
The
また、離型フィルム上に配線パターン2を形成することにより取り扱いが容易となり、導電性樹脂組成物を用いることによりスクリーン印刷等による配線パターン2の形成が可能となる。また、リードフレームを用いることにより電気抵抗の低い配線パターン2の形成が可能となる。さらに、エッチングによる配線パターン2の微細パターン化や打ち抜き加工等の簡易な製造法が使える。
Moreover, handling becomes easy by forming the
また、これらの配線パターン2は表面にメッキ処理をすることにより、耐食性や電気伝導性を向上させることができる。さらに、配線パターン2の第2の電気絶縁性基材7との接触面を粗化することで、第2の電気絶縁性基材7との接着性を向上させることができる。
Moreover, these
貫通スルーホール3は、両面の配線パターン2間を接続する機能を有し、ビアホール形成後、めっきすることによって形成できる。めっきは金、銀、銅またはニッケルなどを用いることができる。ビアホールの形成は、例えばパンチ加工、ドリル加工、レーザ加工によって形成する。レーザ加工の光源には、炭酸ガスレーザやYAGレーザ、エキシマレーザが用いられる。レーザ加工では、小径の貫通穴を短時間で形成することができ、生産性に優れた加工を実現できる。また、ドリル加工やパンチング加工の場合、汎用性のある既存の設備でビアホールの形成が可能である。また、本実施の形態においては貫通スルーホール3を例に挙げているが、インナービアによって層間接続を行ってもよい。例えば、熱硬化性の導電性物質からなるインナービアでもよい。
The through-
熱硬化性の導電性物質としては、例えば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅又はニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅又はニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。銅を銀で被覆した金属粒子を用いてもマイグレーションの少なさと導電性の高さ、両方の特性を満たすことができる。熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂又はイソシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。 As the thermosetting conductive material, for example, a conductive resin composition in which metal particles and a thermosetting resin are mixed can be used. As the metal particles, gold, silver, copper, nickel, or the like can be used. Gold, silver, copper, or nickel is preferable because of its high conductivity, and copper is particularly preferable because of its high conductivity and low migration. Even if metal particles in which copper is coated with silver are used, the characteristics of both low migration and high conductivity can be satisfied. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin, or an isocyanate resin can be used. Epoxy resins are particularly preferred because of their high heat resistance.
インナービアによって層間接続を行う場合、回路基板4には全層IVH(Interstitial Via Hole)構造を有した多層配線基板を用いてもよい。全層IVH構造の配線基板としては、ALIVH基板、ビルドアップ基板を用いることができる。これにより、配線長が短く、高い配線収容性を有した部品内蔵基板を得ることができる。
When the interlayer connection is performed by the inner via, the
回路部品6はディスクリート部品であることが好ましい。これにより、内蔵する部品を新規に開発する必要が無くなり、開発スピードが向上する。また、既存のディスクリート部品の信頼性、精度を利用することができ、特性が向上する。前記においてディスクリート部品とは、例えばコイル、コンデンサ、抵抗、遮断素子等の汎用のチップ部品をいう。また、印刷抵抗や薄膜コンデンサ・インダクタ等を形成しても良い。コンデンサは、バイパスコンデンサやデカップリングコンデンサとして用いたりすることができる。抵抗は電流制限用として用いることができる。遮断素子は、電源ラインの過負荷や短絡等による過電流を検出して、電流の制御を伴う遮断を行う。
The
プローブカードとして部品内蔵基板を用いる場合、半導体ウエハ上の各半導体素子に対応するようにコンデンサを形成しなくてはならないが、既存のディスクリート部品を用いることで大量のコンデンサを容易に実装でき、これにより、各半導体素子のスイッチングの際に発生するノイズが原因で生じるエラーを完全に除去でき、もしくはノイズの影響を低減できるため、基板の十分な特性を引き出すことが可能となる。 When using a component-embedded substrate as a probe card, capacitors must be formed so as to correspond to each semiconductor element on the semiconductor wafer, but a large number of capacitors can be easily mounted by using existing discrete components. Thus, errors caused by noise generated during switching of each semiconductor element can be completely removed, or the influence of the noise can be reduced, so that sufficient characteristics of the substrate can be extracted.
はんだ5は、配線パターン2に回路部品6を実装するために用いる。高温はんだを用いた場合、モジュールをリフローで実装する際のはんだ5の再溶融を防止できる。また、鉛フリーはんだを用いることで環境への負荷を軽減できる。本実施の形態では、はんだ5を用いたが導電性接着剤等を用いてもよい。
The
矯正材8は、シリコンの熱膨張係数と同じかそれよりも小さいものがよい。例えば、熱膨張係数がシリコンに近い低熱膨張ガラスや石英、ムライト系セラミクス(アルミナAl2O3と酸化シリコンSiO2を主成分とするセラミクス)、シリコン、ガラスセラミクス、窒化アルミニウム、アルミナ、インバー合金等を用いることができる。任意の材料から厚み、大きさ、形状を決定し所望の熱膨張となるものを選択し、使用できる。
The straightening
この構成により、熱膨張係数の低い矯正材8と接合することで、部品内蔵基板を適切に低熱膨張化することができるとともに、回路基板4を複数の回路基板4a〜4dとして個片化して配置することで、熱膨張に起因する基板の伸縮が小さくなり、その結果、基板の寸法精度を良くすることができるという作用効果が得られる。回路基板4の複数化は4等分を例として説明したが、所定の分割数を適宜選択して採用することができる。
With this configuration, by joining to the
また、第2の電気絶縁性基材により回路基板4a〜4dと接着した状態で回路部品6を埋め込むことで、回路部品6と回路基板4との接合強度を高く内蔵できる。その結果、高密度実装可能で低熱膨張・寸法精度の良い部品内蔵基板を提供できる。
Further, by embedding the
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2における部品内蔵基板について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
(Embodiment 2)
Hereinafter, a component built-in substrate according to
図3は、本実施の形態2における部品内蔵基板の一部の断面図である。図3において、回路基板4は、第1の電気絶縁性基材1と、第1の電気絶縁性基材1の両面に形成された配線パターン2と、両面の配線パターン2間を電気的に接続するスルーホール3からなる。第3の電気絶縁性基材10は、厚さ方向に複数配置された回路基板4の層間の対向する配線パターン2を電気的に接続するインナービア11を有してなるものである。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a part of the component-embedded substrate according to the second embodiment. In FIG. 3, the
また、回路部品6は、はんだ5によって回路基板4上に実装されたチップ部品であり、第2の電気絶縁性基材7は回路部品6を内蔵し、回路基板4と熱膨張係数の低い矯正材8とを接合するものである。
The
本発明において、第3の電気絶縁性基材10は第2の電気絶縁性基材7と同様のものを用いることができる。また、回路基板4に用いている第1の電気絶縁性基材1と同様のものを用いることもできる。これにより、製造コストを抑えることができる。
In the present invention, the third electrically insulating
インナービア11は金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅又はニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅又はニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。銅を銀で被覆した金属粒子を用いても、マイグレーションの少なさと導電性の高さ、両方の特性を満たすことができる。熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂又はイソシアネート樹脂を用いることができる。このエポキシ樹脂は耐熱性が高いため特に好ましい。 For the inner via 11, a conductive resin composition in which metal particles and a thermosetting resin are mixed can be used. As the metal particles, gold, silver, copper, nickel, or the like can be used. Gold, silver, copper, or nickel is preferable because of its high conductivity, and copper is particularly preferable because of its high conductivity and low migration. Even when metal particles in which copper is coated with silver are used, the characteristics of both low migration and high conductivity can be satisfied. As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol resin, or an isocyanate resin can be used. This epoxy resin is particularly preferable because of its high heat resistance.
この構成により、回路基板4を容易に多層化することができ、配線収容性に優れた部品内蔵基板を提供できる。
With this configuration, the
(実施の形態3)
以下、本発明の実施の形態3における部品内蔵基板について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
(Embodiment 3)
Hereinafter, a component-embedded substrate according to
図4は、本実施の形態3における部品内蔵基板の断面図である。図4において、回路基板4は、第1の電気絶縁性基材1と、第1の電気絶縁性基材1の両面に形成された第1の配線パターン2と、両面の配線パターン2間を電気的に接続するスルーホール3からなる。回路部品6は、はんだ5によって回路基板4上に実装されたチップ部品であり、第2の電気絶縁性基材7は回路部品6を内蔵し回路基板4と熱膨張係数の低い矯正材8とを接合するものである。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the component built-in substrate according to the third embodiment. In FIG. 4, a
そして、第4の電気絶縁性基材15は、回路基板4の最表面に積層され、第2の配線パターン12は第2の電気絶縁性基材7上に形成されている。また、第4の電気絶縁性基材15には、第1の配線パターン2と第2の配線パターン12間を電気的に接続するビア13が形成されている。
The fourth electrically insulating
本発明において、第4の電気絶縁性基材15は第2の電気絶縁性基材7と同様のものを用いることができる。また、回路基板4に用いている第1の電気絶縁性基材1と同様のものを用いることもできる。これにより、製造コストを抑えることができる。また、第4の電気絶縁性基材15上に形成された第2の配線パターン12と、ビア13に用いる金属には特に限定されてないが、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、亜鉛、クロム、等を無電解めっき、電解めっき、スパッタにより形成したものを用いることができる。
In the present invention, the fourth electrically insulating
この構成により、回路基板4を容易に多層化することができ、配線収容性と基板の寸法精度に優れた部品内蔵基板を提供できる。
With this configuration, the
(実施の形態4)
以下、本発明の実施の形態4における部品内蔵基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
(Embodiment 4)
Hereinafter, a method for manufacturing a component-embedded substrate according to
図5(a)〜図5(d)は、本実施の形態4における部品内蔵基板の製造工程を示す断面図である。図5(a)は回路基板4を、図5(b)には回路部品6をはんだ5によって実装した状態を示している。
FIG. 5A to FIG. 5D are cross-sectional views showing manufacturing steps of the component built-in substrate according to the fourth embodiment. FIG. 5A shows a state in which the
次に、図5(c)に示すように、回路部品6を実装した複数の回路基板4上に第2の電気絶縁性基材7を重ね、基板の接着と部品内蔵を行う。第2の電気絶縁性基材7は無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物である。内蔵を行う時、回路基板4と第2の電気絶縁性基材7の両側から熱を加えて、樹脂の硬化を若干進めるが、完全には硬化しない未硬化状態にすることが好ましい。
Next, as shown in FIG.5 (c), the 2nd electrical
なお、第2の電気絶縁性基材7は分割しない一枚のシート材として準備し、この第2の電気絶縁性基材7を前記複数の回路基板4上の所定の位置に積層して硬化させることが平面性、寸法精度などの観点から好ましい。
The second electrically insulating
次に図5(d)に示すように、第2の電気絶縁性基材7に熱膨張係数の小さい矯正材8を積層し、外部から熱を加えて接合する。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて第2の電気絶縁性基材7を溶融・硬化させ、接合を行ってもよい。
Next, as shown in FIG.5 (d), the correction |
なお、矯正材8は分割しない一枚の板として準備し、この矯正材8の上に前記複数の回路基板4が接着された第2の電気絶縁性基材7を所定の配置に積層して接合することが平面性、寸法精度などの観点から好ましい。
The straightening
以上のような構成において、このように第2の電気絶縁性基材7により回路基板4と接着した状態で回路部品6を埋め込むことで、回路部品6と基板との接合強度を高くすることができる。さらに図1(a)や図4に示すように複数の回路基板4a〜4hを同一面上に配置し、熱膨張係数の低い矯正材8と接合することで、部品内蔵基板を適切に低熱膨張化し、寸法精度の良い部品内蔵基板の製造方法を提供できる。
In the configuration as described above, the bonding strength between the
(実施の形態5)
以下、本発明の実施の形態5における部品内蔵基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
(Embodiment 5)
Hereinafter, a method for manufacturing a component-embedded substrate according to
図6(a)〜図6(e)は、本実施の形態5における部品内蔵基板の製造工程を示す断面図である。図6(a)は、片面に配線パターン2を形成した回路基板4、図6(b)には、回路基板4の配線パターン2を形成した面に、回路部品6をはんだ5によって実装した状態を示している。
FIG. 6A to FIG. 6E are cross-sectional views showing the manufacturing process of the component-embedded substrate in the fifth embodiment. 6A shows a
次に、図6(c)に示すように、回路部品6を実装した回路基板4上に第2の電気絶縁性基材7を重ね、基板の接着と部品内蔵を行う。第2の電気絶縁性基材7は無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物である。内蔵を行う時、回路基板4と第2の電気絶縁性基材7の両側から熱を加えて、樹脂の硬化を若干進めるが、完全には硬化しない未硬化状態にすることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 6C, the second electrically insulating
次に図6(d)に示すように、第2の電気絶縁性基材7に熱膨張係数の小さい矯正材8を積層し、外部から熱を加えて接合する。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて第2の電気絶縁性基材7を溶融・硬化させ、接合を行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 6 (d), a
次に図6(e)に示すように、回路基板4の上側表面に配線パターン2を形成する。配線パターン2は、エッチングにより形成することができる。
Next, as shown in FIG. 6E, the
以上のような構成において、このように第2の電気絶縁性基材7により回路基板4と接着した状態で回路部品6を埋め込むことで、回路部品6と基板との接合強度を高くすることができる。さらに複数の回路基板4a〜4hを同一面上に配置して熱膨張係数の低い矯正材8と接合し、最表層の配線パターン2を最後に形成することで、設計値と表層パターンとのズレが少なく、基板精度の良い部品内蔵基板の製造方法を提供できる。
In the configuration as described above, the bonding strength between the
(実施の形態6)
以下、本発明の実施の形態6における部品内蔵基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
(Embodiment 6)
Hereinafter, a method for manufacturing a component-embedded substrate according to
図7(a)〜図7(f)は、本実施の形態6における部品内蔵基板の製造工程を示す断面図である。図7(a)は、片面に配線パターン2を形成した回路基板4、図7(b)には、回路基板4の配線パターン2を形成した面に、回路部品6をはんだ5によって実装した状態を示している。
FIG. 7A to FIG. 7F are cross-sectional views showing manufacturing steps of the component built-in substrate in the sixth embodiment. 7A shows a
次に、図7(c)に示すように、回路部品6を実装した回路基板4上に第2の電気絶縁性基材7を重ね、基板の接着と部品内蔵を行う。第2の電気絶縁性基材7は無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物である。内蔵を行う時、回路基板4と第2の電気絶縁性基材7の両側から熱を加えて、完全に硬化させることが望ましい。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて第2の電気絶縁性基材7を溶融・硬化させてもよい。
Next, as shown in FIG. 7C, the second electrically insulating
次に図7(d)に示すように、回路基板4の上側表面に配線パターン2を形成する。配線パターン2は、エッチングにより形成することができる。
Next, as shown in FIG. 7D, the
次に図7(e)に示すように、熱膨張係数の小さい矯正材8に、熱硬化性または光硬化性の樹脂からなる接着材9を形成する。接着材9は、シート状のもの、もしくはペースト状のものを塗布して形成してもよい。この時、接着材9は、未硬化であることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 7E, an adhesive 9 made of a thermosetting or photo-curable resin is formed on the
次に、図7(f)に示すように、接着材9を形成した矯正材8と第2の電気絶縁性基材7とを位置合わせを行い積層する。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータまたはオーブンを用いて接着材9を溶融・硬化させ、接合を行ってもよい。接着材9の硬化は、可視光または紫外光を当てて行っても良い。
Next, as shown in FIG. 7F, the straightening
本発明において、接着材9は、熱硬化性および光硬化性の樹脂からなり、その材料として、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂および耐熱性エポキシ樹脂が挙げられる。接着材9はシート状のものを貼り付けても、ペースト状のものを塗布してもよい。樹脂のガラス転移温度はプロープカードのバーンイン温度である120℃以上が好ましい。また、樹脂の硬化温度は低温であることが好ましく、これにより低反り可能で、熱膨張を制御する矯正材8の機能を損なわずに第2の電気絶縁性基材7と接合することができる。
In the present invention, the adhesive 9 is made of a thermosetting resin and a photocurable resin, and examples thereof include polyimide resin, fluorine resin, and heat resistant epoxy resin. The adhesive 9 may be a sheet-like material or a paste-like material. The glass transition temperature of the resin is preferably 120 ° C. or higher, which is the burn-in temperature of the probe card. Moreover, it is preferable that the curing temperature of the resin is a low temperature, which allows low warpage and can be joined to the second electrically insulating
矯正材8は、実施の形態1と同様のものを用いることができるが、可視光および紫外光を通す矯正材8がより好ましい。可視光および紫外光を通す矯正材8を用いることにより、光硬化性の樹脂からなる接着材9により接着が容易にできる。
Although the correction |
なお、本実施の形態において、回路基板4は片面に配線パターン2を形成しているが、あらかじめ両面に形成してもよい。
In the present embodiment, the
この構成により、第2の電気絶縁性基材7は回路部品6を内蔵し完全に硬化させた状態で上側表面の配線パターン2を形成することができ、かつ熱膨張係数の低い矯正材8を接着材9で接着することができる。そのため、基板寸法精度を損なうことなく矯正材8に発生する反りが抑えられる。また、接着材9が薄いので矯正材8の熱膨張制御力を損なわずに接合することができ、高密度実装可能で寸法精度が良く低熱膨張、低反りの部品内蔵基板を提供できるという作用効果が得られる。
With this configuration, the second electrically insulating
(実施の形態7)
以下、本発明の実施の形態7における部品内蔵基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
(Embodiment 7)
Hereinafter, a method for manufacturing a component-embedded substrate according to
図8(a)〜図8(f)は、本実施の形態7における部品内蔵基板の製造工程を示す断面図である。図8(a)は、回路基板4、図8(b)には、回路部品6をはんだ5によって実装した状態を示している。
FIG. 8A to FIG. 8F are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the component built-in substrate in the seventh embodiment. FIG. 8A shows the
次に、図8(c)に示すように、回路部品6を実装した回路基板4上に第2の電気絶縁性基材7を重ね、部品内蔵を行う。第2の電気絶縁性基材7は無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物である。内蔵を行う時、回路基板4と第2の電気絶縁性基材7の両側から熱を加えて、樹脂の硬化を若干進めるが、完全には硬化しない未硬化状態にすることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 8C, the second electrically insulating
次に図8(d)に示すように、第2の電気絶縁性基材7に熱膨張係数の小さい矯正材8を積層し、外部から熱を加えて接合する。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて第2の電気絶縁性基材7を溶融・硬化させ、接合を行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 8D, the
次に図8(e)に示すように、回路基板4の最表面にインナービア11を有した第3の電気絶縁性基材10を積層する。
Next, as shown in FIG. 8E, a third electrically insulating
次に図8(f)に示すように、インナービア11を有した第3の電気絶縁性基材10に、回路基板4を積層し、外部から熱を加えて第3の電気絶縁性基材10を完全に硬化させる。
Next, as shown in FIG. 8 (f), the
なお、本実施の形態7において、回路基板4は片面に配線パターン2を形成しているが、回路部品6を形成する面のみに形成してもよい。
In the seventh embodiment, the
この構成により、回路基板4を容易に多層化することができ、配線収容性に優れた部品内蔵基板を提供できる。例えば、本構成によれば、ファインパターンで構成されるプローブ接触面を有する回路基板4を2層板で構成する事が可能であるため、製造上の歩留まりを容易に向上させる事ができる。
With this configuration, the
(実施の形態8)
以下、本発明の実施の形態8における部品内蔵基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、実施の形態1と同一の構造については、同一番号を付与してその説明を省略する。
(Embodiment 8)
Hereinafter, a method for manufacturing a component-embedded substrate according to
図9(a)〜図9(g)は、本実施の形態8における部品内蔵基板の製造工程を示す断面図である。図9(a)は、回路基板4、図9(b)は回路基板4に回路部品6をはんだ5によって実装した状態を示している。
FIG. 9A to FIG. 9G are cross-sectional views showing manufacturing steps of the component built-in substrate in the eighth embodiment. 9A shows a state in which the
次に、図9(c)に示すように、回路部品6を実装した回路基板4上に第2の電気絶縁性基材7を重ね、部品内蔵を行う。第2の電気絶縁性基材7は無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物である。内蔵を行う時、回路基板4と第2の電気絶縁性基材7の両側から熱を加えて、樹脂の硬化を若干進めるが、完全には硬化しない未硬化状態にすることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 9C, the second electrically insulating
次に図9(d)に示すように、第2の電気絶縁性基材7に、熱膨張係数の小さい矯正材8を位置合わせを行い積層し、外部から熱を加えて接合する。この時、真空熱プレスまたは真空ラミネータ、オーブンを用いて第2の電気絶縁性基材7を溶融・硬化させ、接合を行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 9 (d), the
次に図9(e)に示すように、回路基板4の最表面に第4の電気絶縁性基材15を積層し、第4の電気絶縁性基材15を貫通するビアホール14を形成する。第4の電気絶縁性基材15は、第1と第2の電気絶縁性基材1、7と同様のものを用いることができる。これにより、製造コストを抑えることができる。
Next, as shown in FIG. 9E, the fourth electrically insulating
また、エポキシ系、ポリイミド系の感光性樹脂や熱硬化性樹脂の基材を用いてもよく、可撓性を有するフィルム状の絶縁樹脂をラミネートにより形成する方法や、液状の絶縁樹脂をコーティングする方法がある。可撓性を有するフィルム状の絶縁樹脂をラミネートする方法としては、半硬化させることによりフィルム状にした樹脂をラミネートした後に完全に硬化させてしまう方法と、完全硬化させて可撓性フィルムを、接着剤を介して貼り付ける方法等がある。また、液状の樹脂をコーティングする方法として、スピンナー、ロールコーター、ダイコーター等で塗布・乾燥する方法などが挙げられる。 In addition, an epoxy-based or polyimide-based photosensitive resin or thermosetting resin substrate may be used. A method of forming a flexible film-like insulating resin by lamination, or coating with a liquid insulating resin. There is a way. As a method of laminating a film-like insulating resin having flexibility, a method of completely curing after laminating a resin made into a film by semi-curing, and a flexible film by completely curing, There is a method of attaching via an adhesive. Examples of a method for coating a liquid resin include a method of applying and drying with a spinner, a roll coater, a die coater, or the like.
ビアホール14の形成は、レーザ加工によって形成する。レーザ加工の光源には、炭酸ガスレーザやYAGレーザ、エキシマレーザが用いられる。レーザ加工では、小径の貫通穴を短時間で形成することができ、生産性に優れた加工を実現できる。第4の絶縁性基材15を感光性樹脂で形成した場合には、フォトリソグラフィー技術により露光現像処理等をして形成することができる。
The via
次に図9(f)に示すように、ビアホール14に第1の配線パターン2と電気接続するように、第4の電気絶縁性基材15に金属層16を形成する。この金属層16は無電界めっき、もしくは電界めっきにより形成することが望ましい。
Next, as shown in FIG. 9F, a
次に図9(g)に示すように、前記金属層16をエッチングなどによってパターニングすることによって、第2の配線パターン12を形成する。第2の配線パターン12はセミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法を用いることができる。第2の配線パターン12に用いる金属は特に限定されないが、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、パラジウム、亜鉛、クロム、等が挙げられるが、安価で電気伝導度に優れる銅が望ましい。
Next, as shown in FIG. 9G, the
これにより、基板の硬化収縮の影響を受けずに最表層の配線パターン12を形成することができ、設計値に対するずれが少なくなる。更に、セミアディティブ法、フルアディティブ法を用いた配線パターン12はファイン化対応に適しているので、設計値のパッドピッチが120μm以下の様な狭ピッチの場合、好ましい。
As a result, the
なお、本実施の形態8において、回路基板4は両面に配線パターンを形成しているが、回路部品6を形成する面のみに形成してもよい。
In the eighth embodiment, the
この構成により、回路基板4を容易に多層化することができ、配線収容性と基板の寸法精度に優れた部品内蔵基板の製造方法を提供できる。
With this configuration, the
本発明の部品内蔵基板およびその製造方法は、既存の回路部品と回路基板を用いて、低コスト・高信頼性で部品を内蔵し高密度実装を実現すると共に、適切に熱膨張係数を制御し基板寸法精度の良い部品内蔵基板およびその製造方法として有用である。 The component-embedded substrate and the manufacturing method thereof according to the present invention realizes high-density mounting by incorporating components with low cost and high reliability using existing circuit components and circuit boards, and appropriately controlling the thermal expansion coefficient. It is useful as a component-embedded substrate with good substrate dimensional accuracy and a method for manufacturing the same.
1 第1の電気絶縁性基材
2、12 配線パターン
3 貫通スルーホール
4、4a、4b、4c、4d 回路基板
5 はんだ
6 回路部品
7 第2の電気絶縁性基材
8 矯正材
9 接着材
10 第3の電気絶縁性基材
11 インナービア
13 ビア
14 ビアホール
15 第4の電気絶縁性基材
16 金属層
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記回路基板に実装された回路部品と、
前記回路基板より熱膨張係数の低い矯正材と、
前記同一平面上に配置した複数の回路基板と前記矯正材とを前記回路部品を内蔵するように接合する第2の電気絶縁性基材と、
からなる部品内蔵基板。 A plurality of circuit boards arranged on the same plane, comprising a first electrically insulating substrate and a wiring pattern formed on both surfaces of the first electrically insulating substrate;
Circuit components mounted on the circuit board;
Correction material having a lower coefficient of thermal expansion than the circuit board,
A second electrically insulating substrate that joins the plurality of circuit boards arranged on the same plane and the correction material so as to incorporate the circuit components;
Component built-in board consisting of
前記厚さ方向に複数配置された回路基板の表層の回路基板に実装された回路部品と、
前記回路基板より熱膨張係数の低い矯正材と、
前記同一平面上に配置した前記多層の回路基板と前記矯正材とを前記回路部品を内蔵するように接合する第2の電気絶縁性基材と、
からなる部品内蔵基板。 The first electrically insulating substrate and the wiring pattern formed on both surfaces of the first electrically insulating substrate, and a plurality of circuit boards arranged on the same plane are arranged in the thickness direction, A third electrical insulation is provided between the plurality of circuit boards arranged in the thickness direction to provide inner vias for electrically connecting the opposing patterns and to join the circuit boards arranged in the thickness direction. A multilayer circuit board comprising a conductive substrate;
Circuit components mounted on the circuit board on the surface layer of the circuit board arranged in the thickness direction, and
Correction material having a lower coefficient of thermal expansion than the circuit board,
A second electrically insulating base material for joining the multilayer circuit board and the correction material arranged on the same plane so as to contain the circuit component;
Component built-in board consisting of
前記複数の回路基板を同一平面上に配置し、前記複数の回路基板上に第2の電気絶縁性基材を積層し前記回路部品を内蔵する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を前記回路基板より熱膨張係数の低い矯正材に積層する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を硬化する工程と
を備えた部品内蔵基板の製造方法。 Mounting circuit components on a plurality of circuit boards composed of a first electrically insulating substrate and a wiring pattern formed on the first electrically insulating substrate;
Arranging the plurality of circuit boards on the same plane, laminating a second electrically insulating substrate on the plurality of circuit boards, and incorporating the circuit component;
Laminating the second electrically insulating base material on a correction material having a lower coefficient of thermal expansion than the circuit board;
And a step of curing the second electrically insulating substrate.
前記回路基板上に第2の電気絶縁性基材を積層し前記回路部品を内蔵する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材に前記回路基板より熱膨張係数の低い矯正材を積層する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を硬化する工程の後に、前記回路基板の上側表面に配線パターンを形成する工程と
を備えた部品内蔵基板の製造方法。 Mounting circuit components on a circuit board comprising a first electrically insulating substrate and a wiring pattern formed on at least one side of the first electrically insulating substrate;
Laminating a second electrically insulating substrate on the circuit board and incorporating the circuit component;
Laminating a correction material having a lower coefficient of thermal expansion than the circuit board on the second electrically insulating substrate;
Curing the second electrically insulating substrate;
And a step of forming a wiring pattern on the upper surface of the circuit board after the step of curing the second electrically insulating substrate.
前記回路基板上に第2の電気絶縁性基材を積層し前記回路部品を内蔵する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を硬化する工程の後に、前記回路基板の上側表面に配線パターンを形成する工程と
前記矯正材と前記第2の電気絶縁性基材とを接着層を介して積層する工程と、
前記接着層を硬化する工程と、
を備えた部品内蔵基板の製造方法。 Mounting circuit components on a circuit board comprising a first electrically insulating substrate and a wiring pattern formed on at least one side of the first electrically insulating substrate;
Laminating a second electrically insulating substrate on the circuit board and incorporating the circuit component;
Curing the second electrically insulating substrate;
After the step of curing the second electrically insulating substrate, the step of forming a wiring pattern on the upper surface of the circuit board, the correction material, and the second electrically insulating substrate through an adhesive layer Laminating steps;
Curing the adhesive layer;
A method for manufacturing a component-embedded substrate comprising:
前記回路基板上に第2の電気絶縁性基材を積層し前記回路部品を内蔵する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材に前記回路基板より熱膨張係数の低い矯正材を積層する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
前記回路基板の最表面にインナービアを有した第3の電気絶縁性基材を積層する工程と、前記インナービアを有した第3の電気絶縁性基材に、前記回路基板を積層する工程と、
前記第3の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
を備えた部品内蔵基板の製造方法。 Mounting a circuit component on a circuit board comprising a first electrically insulating substrate and a wiring pattern formed on both surfaces of the first electrically insulating substrate;
Laminating a second electrically insulating substrate on the circuit board and incorporating the circuit component;
Laminating a correction material having a lower coefficient of thermal expansion than the circuit board on the second electrically insulating substrate;
Curing the second electrically insulating substrate;
Laminating a third electrically insulating substrate having an inner via on the outermost surface of the circuit board; and laminating the circuit substrate on a third electrically insulating substrate having the inner via; ,
Curing the third electrically insulating substrate;
A method for manufacturing a component-embedded substrate comprising:
前記回路基板上に第2の電気絶縁性基材を積層し前記回路部品を内蔵する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材に前記回路基板より熱膨張係数の低い矯正材を積層する工程と、
前記第2の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
前記回路基板の最表面に第4の電気絶縁性基材を積層する工程と、
前記第4の電気絶縁性基材を硬化する工程と、
前記第4の電気絶縁性基材を貫通するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールに前記第1の配線パターンと電気接続するように、第4の電気絶縁性基材に配線層を形成する工程と、
前記配線層に第2の配線パターンを形成する工程と
を備えた部品内蔵基板の製造方法。 Mounting circuit components on a circuit board composed of a first wiring pattern formed on both surfaces of the first electrically insulating substrate and the first electrically insulating substrate;
Laminating a second electrically insulating substrate on the circuit board and incorporating the circuit component;
Laminating a correction material having a lower coefficient of thermal expansion than the circuit board on the second electrically insulating substrate;
Curing the second electrically insulating substrate;
Laminating a fourth electrically insulating substrate on the outermost surface of the circuit board;
Curing the fourth electrically insulating substrate;
Forming a via hole penetrating the fourth electrically insulating substrate;
Forming a wiring layer on a fourth electrically insulating substrate so as to be electrically connected to the first wiring pattern in the via hole;
Forming a second wiring pattern on the wiring layer.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2007011005A JP2007221117A (en) | 2006-01-23 | 2007-01-22 | Substrate incorporated with components, and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007221117A true JP2007221117A (en) | 2007-08-30 |
Family
ID=38498008
Family Applications (1)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010027075A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 日本発條株式会社 | Wiring board and probe card |
JP2010091494A (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Totoku Electric Co Ltd | Probe needle |
JPWO2009107747A1 (en) * | 2008-02-29 | 2011-07-07 | 日本発條株式会社 | Wiring board and probe card |
-
2007
- 2007-01-22 JP JP2007011005A patent/JP2007221117A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPWO2009107747A1 (en) * | 2008-02-29 | 2011-07-07 | 日本発條株式会社 | Wiring board and probe card |
WO2010027075A1 (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 日本発條株式会社 | Wiring board and probe card |
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