JP2007220513A - Light emitting device and manufacturing method of light emitting device - Google Patents

Light emitting device and manufacturing method of light emitting device Download PDF

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Hidetaka Hanaoka
Kanji Hayashi
Atsushi Kitabayashi
厚史 北林
寛二 林
英孝 花岡
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Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device capable of surely preventing intrusion of oxygen and moisture into an organic function layer by an electrode layer stacked on an upper layer of the organic function layer; and to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: In a manufacturing process of this light emitting device, counter electrodes 112 are formed on upper layers of the organic function layer 113 and barrier ribs 105 by using an aluminum film formed by a deposition method, and thereafter compound layers 112x formed out of an aluminum oxide film are formed on the counter electrodes 112 by irradiating the counter electrodes 112 with oxygen plasma. As a result, even when a pin hole is generated in the aluminum film constituting the counter electrodes 112, the pin hole can be closed by volume expansion in reacting the surfaces of the counter electrodes 112, and intrusion of oxygen and moisture into the organic function layer 113 can be prevented by the counter electrodes 112 themselves. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置、およびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a light emitting device including an organic electroluminescence element and a method for manufacturing the same.

各種の発光装置のうち、有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence)装置では、第1電極層、発光層を含む有機機能層、および第2電極層がこの順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス素子では、有機機能層が酸素や水分などにより劣化しやすいため、第2電極層の側を封止基板や缶で覆うなどの対策が施されている。   Among various light emitting devices, in an organic electroluminescence device, an organic electroluminescent element in which a first electrode layer, an organic functional layer including a light emitting layer, and a second electrode layer are stacked in this order is formed. In such an organic electroluminescence element, since the organic functional layer is easily deteriorated by oxygen, moisture, or the like, measures are taken such as covering the second electrode layer side with a sealing substrate or a can.

ここに、本願発明者は、第2電極層を利用して有機機能層への酸素や水分などの侵入を防止することを提案するものである。しかしながら、第2電極層として、蒸着により成膜したアルミニウム膜などの金属膜を用いた場合には、図8(A)に示すように、成膜時に金属膜にピンホールが発生することを防止することができず、第2電極層自身で有機機能層への酸素や水分などの侵入を確実に防止することが困難である。ここで、金属膜にピンホールが発生する理由としては、有機物の上層に金属膜を蒸着により成膜した際には、下地の熱伝導性が低いため、横方向の膜成長が網目状に起こる際に網目がピンホールとして残ってしまうためと考えられ、このような現象は、アルミニウム(融点約660℃)など、比較的融点の低い金属膜を蒸着により成膜する際に発生しやすい。また、このようなピンホールは金属膜を厚くしても塞ぐことができず、かつ、同一の金属膜の成膜を繰り返して多層膜とした場合でも塞ぐことができない。   Here, the inventor of the present application proposes that the second electrode layer is used to prevent intrusion of oxygen, moisture and the like into the organic functional layer. However, when a metal film such as an aluminum film formed by vapor deposition is used as the second electrode layer, pinholes are prevented from being generated in the metal film during film formation as shown in FIG. It is difficult to reliably prevent the second electrode layer itself from invading oxygen, moisture, and the like into the organic functional layer. Here, the reason why the pinhole is generated in the metal film is that when the metal film is deposited on the organic layer by vapor deposition, the film growth in the lateral direction occurs in a network shape because the thermal conductivity of the base is low. It is considered that the mesh remains as pinholes at this time, and such a phenomenon is likely to occur when a metal film having a relatively low melting point such as aluminum (melting point: about 660 ° C.) is formed by vapor deposition. Further, such pinholes cannot be closed even when the metal film is thickened, and cannot be closed even when the same metal film is repeatedly formed into a multilayer film.

一方、第2電極層自身および第2電極層の上層に積層したバリア層で有機機能層への酸素や水分などの侵入を防止する技術としては、第2電極層をITO膜などの導電性無機酸化物膜で形成するとともに、その上に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなるガスバリア層を形成した構成が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   On the other hand, as a technique for preventing invasion of oxygen, moisture and the like into the organic functional layer by the barrier layer laminated on the second electrode layer itself and the second electrode layer, the second electrode layer is made of a conductive inorganic material such as an ITO film. There has been proposed a structure in which a gas barrier layer made of a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on the oxide film (for example, see Patent Document 1).

また、アルミニウム膜からなる第2電極層の上層に、未反応部を残したポリシラザン膜を積層し、酸素や水分をポリシラザン膜の未反応部と反応させて酸素や水分を食い止める技術が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2004−95199号公報 特開平11−54266号公報
In addition, a technique has been proposed in which a polysilazane film having an unreacted portion is stacked on the second electrode layer made of an aluminum film, and oxygen and moisture are reacted with unreacted portions of the polysilazane film to stop oxygen and moisture. (For example, refer to Patent Document 2).
JP 2004-95199 A JP-A-11-54266

しかしながら、特許文献1に開示の技術では、第2電極層を金属膜で形成した場合には適用できない。また、特許文献2に開示の技術のように、未反応部を残したポリシラザン膜で酸素や水分を食い止めるには、ポリシラザン膜を反応させる際の制御が極めて難しいという問題点がある。   However, the technique disclosed in Patent Document 1 cannot be applied when the second electrode layer is formed of a metal film. Further, as in the technique disclosed in Patent Document 2, there is a problem that it is extremely difficult to control the reaction of the polysilazane film in order to stop oxygen and moisture with the polysilazane film in which the unreacted portion remains.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、有機機能層の上層に積層された電極層で確実に酸素や水分の有機機能層への侵入を防止することのできる発光装置、およびその製造方法を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of reliably preventing oxygen and moisture from entering an organic functional layer with an electrode layer laminated on the organic functional layer, and its manufacture. It is to provide a method.

上記課題を解決するために、本発明では、第1電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置において、前記第2電極層は、金属材料から構成され、前記第2電極層の上層には、当該第2電極層を構成する金属材料の化合物層が積層されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in the present invention, in the light emitting device including the organic electroluminescence element in which the first electrode layer, the organic functional layer, and the second electrode layer are sequentially laminated, the second electrode layer is made of a metal material. A compound layer of a metal material constituting the second electrode layer is laminated on the second electrode layer.

本発明では、第1電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置の製造方法において、前記有機機能層を形成した後、当該有機機能層の上層に前記第2電極層を構成する金属膜を蒸着法により成膜する成膜工程と、前記第2電極層の表面を反応させて当該第2電極層の上層に該第2電極層を構成する金属材料の化合物層を形成する化合層形成工程とを有することを特徴とする。   In this invention, in the manufacturing method of the light-emitting device provided with the organic electroluminescent element by which the 1st electrode layer, the organic functional layer, and the 2nd electrode layer were laminated | stacked in order, after forming the said organic functional layer, Forming a metal film constituting the second electrode layer on the upper layer by vapor deposition and reacting the surface of the second electrode layer to form the second electrode layer on the second electrode layer And a compound layer forming step of forming a compound layer of a metal material to be formed.

本発明では、有機機能層の上層に蒸着法で形成した金属膜で第2電極層を形成した後、第2電極層の表面を反応させて第2電極層の上層に化合物層を形成する。このため、第2電極層を構成する金属膜を有機機能層の上層に蒸着により成膜した際、下地が有機物層であることに起因してピンホールが発生している場合でも、第2電極層の表面を反応させた際の体積膨張によりピンホールを塞ぐことができる。従って、第2電極層自身によって有機機能層への酸素や水分の侵入を防止できるので、有機機能層の劣化を防止することができる。   In this invention, after forming a 2nd electrode layer with the metal film formed by the vapor deposition method in the upper layer of the organic functional layer, the surface of a 2nd electrode layer is made to react and a compound layer is formed in the upper layer of a 2nd electrode layer. For this reason, even when a metal film constituting the second electrode layer is deposited on the upper layer of the organic functional layer by vapor deposition, even if pinholes are generated due to the underlying organic layer, the second electrode Pinholes can be blocked by volume expansion when the surface of the layer is reacted. Therefore, since the second electrode layer itself can prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer, the organic functional layer can be prevented from deteriorating.

本発明は、前記第2電極層がアルミニウム膜(本発明では、アルミニウム単体膜およびアルミニウム合金膜層の双方を意味する)からなる場合に適用すると特に効果的である。アルミニウムのように低融点金属を蒸着により成膜した際には特にピンホールが発生しやすい傾向にあるが、本発明によれば、かかるピンホールに起因する有機機能層への酸素や水分の侵入を防止することができる。また、アルミニウムであれば、電気抵抗が低いので、電極あるいは配線を構成するのに適している。さらに、前記第2電極層がアルミニウム膜であれば、光反射性が高いので、基板側から光を出射するボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス装置において第2電極層を光反射層として用いることができる。   The present invention is particularly effective when applied to the case where the second electrode layer is made of an aluminum film (in the present invention, it means both an aluminum simple substance film and an aluminum alloy film layer). When a low melting point metal such as aluminum is deposited by vapor deposition, pinholes tend to be generated. According to the present invention, oxygen and moisture enter the organic functional layer due to such pinholes. Can be prevented. In addition, since aluminum has low electrical resistance, it is suitable for forming an electrode or wiring. Furthermore, if the second electrode layer is an aluminum film, the light reflectivity is high, so that the second electrode layer can be used as a light reflecting layer in a bottom emission type organic electroluminescence device that emits light from the substrate side. .

この場合、前記化合物層としては、アルミニウム酸化膜あるいはアルミニウム窒化膜を用いることが好ましい。前記化合物層がアルミニウム酸化膜あるいはアルミニウム窒化膜であれば、前記第2電極層をアルミニウム膜により形成した後、酸素プラズマの照射や窒素プラズマの照射によりアルミニウム膜の表面を酸化あるいは窒化させることにより前記化合物層を形成することができる。   In this case, it is preferable to use an aluminum oxide film or an aluminum nitride film as the compound layer. If the compound layer is an aluminum oxide film or an aluminum nitride film, the second electrode layer is formed of an aluminum film, and then the surface of the aluminum film is oxidized or nitrided by oxygen plasma irradiation or nitrogen plasma irradiation. A compound layer can be formed.

本発明の別の形態では、第1の電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置において、前記第2電極層は、金属材料からなる第1導電層と、該第1導電層の上層に積層され、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは前記第1導電層を構成する金属材料より融点が高い高融点金属膜からなる第2導電層とを含んでいることを特徴とする。   In another embodiment of the present invention, in a light emitting device including an organic electroluminescence element in which a first electrode layer, an organic functional layer, and a second electrode layer are sequentially stacked, the second electrode layer is made of a metal material. A second conductive layer comprising a conductive layer and an upper layer of the first conductive layer, and comprising a conductive organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film having a higher melting point than the metal material constituting the first conductive layer. And a layer.

本発明では、第1電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置の製造方法において、前記有機機能層を形成した後、当該有機機能層の上層に前記第1導電層を構成する金属膜を蒸着法により成膜する成膜工程と、前記第1導電層の上層に、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは前記第1導電層を構成する金属材料より融点が高い高融点金属膜からなる第2導電層を形成する第2導電層形成工程とを有することを特徴とする。   In this invention, in the manufacturing method of the light-emitting device provided with the organic electroluminescent element by which the 1st electrode layer, the organic functional layer, and the 2nd electrode layer were laminated | stacked in order, after forming the said organic functional layer, A film forming step of forming a metal film constituting the first conductive layer as an upper layer by vapor deposition, and a conductive organic film, an organometallic complex film, or the first conductive layer as an upper layer of the first conductive layer. And a second conductive layer forming step of forming a second conductive layer made of a refractory metal film having a melting point higher than that of the constituent metal material.

本発明では、有機機能層の上層に蒸着法で形成した金属膜で第2電極層の第1導電層を形成した後、この第1導電層の上層に導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜からなる第2導電層を形成する。ここで、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜は、それを成膜する際、下地の影響を受けにくい。このため、第1導電層を構成するための金属膜を有機機能層の上層に蒸着により成膜した際、下地が有機物層であることに起因してピンホールが発生している場合でも、ピンホールは、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜で覆われる。従って、第2電極層自身によって有機機能層への酸素や水分の侵入を防止できるので、有機機能層の劣化を防止することができる。また、第1導電層のピンホールを塞ぐ第2導電層自身が第2電極層の一部を構成するため、電気抵抗などを考慮しても第1導電層を薄くすることができ、その分、成膜時間を短縮することができる。   In the present invention, after forming the first conductive layer of the second electrode layer with a metal film formed by vapor deposition on the upper layer of the organic functional layer, a conductive organic film, an organometallic complex film, Alternatively, a second conductive layer made of a refractory metal film is formed. Here, the conductive organic film, the organometallic complex film, or the refractory metal film is hardly affected by the base when the film is formed. Therefore, when a metal film for forming the first conductive layer is formed on the organic functional layer by vapor deposition, even if a pinhole is generated due to the organic layer being the base, The holes are covered with a conductive organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film. Therefore, since the second electrode layer itself can prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer, the organic functional layer can be prevented from deteriorating. In addition, since the second conductive layer itself that blocks the pinhole of the first conductive layer constitutes a part of the second electrode layer, the first conductive layer can be made thin even in consideration of electric resistance and the like. The film formation time can be shortened.

前記第2電極層は、さらに、前記第2導電層の上層に、前記第1導電層と同一の金属材料からなる第3導電層を含んでいることが好ましい。この場合には、前記第2導電層形成工程の後、前記第2導電層の上層に、前記第1導電層と同一の金属材料からなる第3導電層を蒸着法におより形成する第3導電層形成工程を行えばよい。このように構成すると、第2導電層によって第1導電層のピンホールが埋められた上に第3導電層を形成するので、第3導電層にはピンホールが発生しない。ここで、第3導電層の下地は、有機機能層などからみて薄い導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜であるため、有機機能層の上に第1導電層を蒸着形成する場合と違ってピンホールが発生しにくい。それ故、第3導電層によっても、有機機能層への酸素や水分の侵入を防止できる。また、第3導電層自身が第2電極層の一部を構成するため、電気抵抗などを考慮しても第1導電層および第2導電層を薄くすることができ、その分、成膜時間を短縮することができる。   The second electrode layer preferably further includes a third conductive layer made of the same metal material as that of the first conductive layer above the second conductive layer. In this case, after the second conductive layer forming step, a third conductive layer made of the same metal material as the first conductive layer is formed on the second conductive layer by vapor deposition. A conductive layer formation step may be performed. If comprised in this way, since a 3rd conductive layer is formed after the pinhole of a 1st conductive layer is filled with the 2nd conductive layer, a pinhole does not generate | occur | produce in a 3rd conductive layer. Here, since the base of the third conductive layer is a thin conductive organic film, organometallic complex film, or refractory metal film as viewed from the organic functional layer, the first conductive layer is deposited on the organic functional layer. Unlike the case where it does, it is hard to generate a pinhole. Therefore, the third conductive layer can also prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer. In addition, since the third conductive layer itself constitutes a part of the second electrode layer, the first conductive layer and the second conductive layer can be thinned even in consideration of electric resistance and the like, and the film formation time accordingly. Can be shortened.

本発明は、前記第2導電層がアルミニウム膜からなる場合に適用すると特に効果的である。アルミニウムのように低融点金属を蒸着により成膜した際には特にピンホールが発生しやすい傾向にあるが、本発明によれば、かかるピンホールに起因する有機機能層への酸素や水分の侵入を防止することができる。また、アルミニウムであれば、電気抵抗が低いので、電極あるいは配線を構成するのに適している。さらに、前記第2電極層がアルミニウム層であれば、光反射性が高いので、基板側から光を出射するボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス装置において第2電極層を光反射層として用いることができる。   The present invention is particularly effective when applied when the second conductive layer is made of an aluminum film. When a low melting point metal such as aluminum is deposited by vapor deposition, pinholes tend to be generated. According to the present invention, oxygen and moisture enter the organic functional layer due to such pinholes. Can be prevented. In addition, since aluminum has low electrical resistance, it is suitable for forming an electrode or wiring. Further, if the second electrode layer is an aluminum layer, light reflectivity is high, and therefore the second electrode layer can be used as a light reflection layer in a bottom emission type organic electroluminescence device that emits light from the substrate side. .

以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を相違させてある。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings used for the following description, the scales are different for each layer and each member in order to make each layer and each member large enough to be recognized on the drawing.

[実施の形態1]
(発光装置の全体構成)
図1は、発光装置の電気的構成を示すブロック図である。図1に示す発光装置100は、駆動電流が流れることによって発光する有機エレクトロルミネッセンス素子110を薄膜トランジスタで駆動制御する装置であり、このタイプの発光装置100では、有機エレクトロルミネッセンス素子110が自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
[Embodiment 1]
(Whole structure of light emitting device)
FIG. 1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of the light emitting device. A light-emitting device 100 shown in FIG. 1 is a device that drives and controls an organic electroluminescent element 110 that emits light when a drive current flows, and the organic electroluminescent element 110 emits light by itself in this type of light-emitting device 100. There are advantages such as no need for a backlight and less viewing angle dependency.

本形態の発光装置100では、複数の走査線163と、この走査線163の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線164と、これらのデータ線164に並列する複数の共通給電線165と、データ線164と走査線163との交差点に対応する画素115とが構成され、画素115は、画像表示領域にマトリクス状に配置されている。データ線164に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路151が構成されている。走査線163に対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路154が構成されている。また、複数の画素115の各々には、走査線163を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイチング用の薄膜トランジスタ106と、この薄膜トランジスタ106を介してデータ線164から供給される画像信号を保持する保持容量133と、この保持容量133によって保持された画像信号がゲート電極に供給される電流制御用の薄膜トランジスタ107と、薄膜トランジスタ107を介して共通給電線165に電気的に接続したときに共通給電線165から駆動電流が流れ込む有機エレクトロルミネッセンス素子110とが構成されている。   In the light emitting device 100 of this embodiment, a plurality of scanning lines 163, a plurality of data lines 164 extending in a direction intersecting with the extending direction of the scanning lines 163, and a plurality of data lines 164 arranged in parallel with these data lines 164. The common power supply line 165 and the pixel 115 corresponding to the intersection of the data line 164 and the scanning line 163 are configured, and the pixels 115 are arranged in a matrix in the image display area. For the data line 164, a data line driving circuit 151 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is configured. A scanning line driving circuit 154 including a shift register and a level shifter is configured for the scanning line 163. Each of the plurality of pixels 115 receives a pixel switching thin film transistor 106 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 163 and an image signal supplied from the data line 164 through the thin film transistor 106. Common when a storage capacitor 133 to be held, a current control thin film transistor 107 to which an image signal held by the storage capacitor 133 is supplied to the gate electrode, and the common power supply line 165 through the thin film transistor 107 are electrically connected An organic electroluminescence element 110 into which a driving current flows from the feeder line 165 is configured.

(画素構成)
図2(A)、(B)は各々、本発明を適用した発光装置の1画素分の平面図および断面図である。本形態の発光装置100を構成するにあたっては、より具体的には、図2(A)、(B)に示すように、素子基板を構成するガラス基板などからなる基板120上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜(図示せず)が形成され、この下地保護膜上に、薄膜トランジスタ107などを構成するためのポリシリコン膜からなる半導体膜109aが島状に形成されている。半導体膜109aには不純物の導入によってソース・ドレイン領域109b、109cが形成され、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域109dとなっている。下地保護膜および半導体膜109aの上層側にはゲート絶縁膜121が形成され、ゲート絶縁膜121上にはアルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)などからなる走査線163およびゲート電極143が形成されている。走査線163、ゲート電極143およびゲート絶縁膜121の上層側には、第1層間絶縁膜122と第2層間絶縁膜123とがこの順に積層されている。ここで、第1層間絶縁膜122および第2層間絶縁膜123は、シリコン酸化物(SiO2)、チタン酸化物(TiO2)などの無機絶縁膜から構成されている。
(Pixel configuration)
2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, for one pixel of a light emitting device to which the present invention is applied. In configuring the light emitting device 100 of this embodiment, more specifically, as shown in FIGS. 2A and 2B, a silicon oxide film is formed on a substrate 120 made of a glass substrate constituting an element substrate. A base protective film (not shown) is formed, and a semiconductor film 109a made of a polysilicon film for forming the thin film transistor 107 and the like is formed in an island shape on the base protective film. Source / drain regions 109b and 109c are formed in the semiconductor film 109a by introducing impurities, and a portion where no impurities are introduced becomes a channel region 109d. A gate insulating film 121 is formed on an upper layer side of the base protective film and the semiconductor film 109a. On the gate insulating film 121, aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W A scanning line 163 and a gate electrode 143 are formed. On the upper layer side of the scanning line 163, the gate electrode 143, and the gate insulating film 121, a first interlayer insulating film 122 and a second interlayer insulating film 123 are stacked in this order. Here, the first interlayer insulating film 122 and the second interlayer insulating film 123 are made of an inorganic insulating film such as silicon oxide (SiO 2 ) or titanium oxide (TiO 2 ).

第1層間絶縁膜122の上層には、第1層間絶縁膜122およびゲート絶縁膜121のコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域109b、109cにそれぞれ接続するソース・ドレイン電極126および共通給電線165が形成されている。また、第1層間絶縁膜122の上層にはデータ線164も形成されている。   A source / drain electrode 126 and a common feed line 165 are connected to the source / drain regions 109b and 109c through contact holes of the first interlayer insulating film 122 and the gate insulating film 121, respectively, on the first interlayer insulating film 122. Is formed. A data line 164 is also formed in the upper layer of the first interlayer insulating film 122.

第2層間絶縁膜123上には、ITO(酸化インジウム−スズ/Indium Tin Oxide)層からなる光透過性の画素電極111が形成され、この画素電極111は、第2層間絶縁膜123のコンタクトホールを介してソース・ドレイン電極126に電気的に接続している。従って、画素電極111は、薄膜トランジスタ107を介して共通給電線165に電気的に接続したとき、共通給電線165から駆動電流が流れ込む。   A light transmissive pixel electrode 111 made of an ITO (Indium Tin Oxide / Indium Tin Oxide) layer is formed on the second interlayer insulating film 123, and the pixel electrode 111 is a contact hole of the second interlayer insulating film 123. The electrode is electrically connected to the source / drain electrode 126. Accordingly, when the pixel electrode 111 is electrically connected to the common power supply line 165 via the thin film transistor 107, a drive current flows from the common power supply line 165.

各画素115には、陽極層としての画素電極111(第1電極層)と、有機機能層113と、陰極層としての対向電極112(第2電極層)がこの順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子110が形成されている。有機機能層113は、画素電極111上に積層された正孔輸送層113aと、この正孔輸送層113aの上層側に形成された発光層113bとを備えている。発光層113bは、正孔輸送層113aの側から注入される正孔と、対向電極112の側から注入される電子とが結合して発光する領域としての機能を担っており、各画素115が赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれの色に対応するかは、発光層113bを構成する有機材料の種類によって規定されている。発光層113bの膜厚は約80〜150nmである。本形態では、正孔輸送層113aが、正孔を発光層113bに注入する正孔注入層としての機能も担っている。   In each pixel 115, an organic electroluminescence element in which a pixel electrode 111 (first electrode layer) as an anode layer, an organic functional layer 113, and a counter electrode 112 (second electrode layer) as a cathode layer are stacked in this order. 110 is formed. The organic functional layer 113 includes a hole transport layer 113a stacked on the pixel electrode 111 and a light emitting layer 113b formed on the upper layer side of the hole transport layer 113a. The light emitting layer 113b functions as a region that emits light by combining holes injected from the hole transport layer 113a and electrons injected from the counter electrode 112 side. Whether the color corresponds to red (R), green (G), or blue (B) is defined by the type of the organic material constituting the light emitting layer 113b. The thickness of the light emitting layer 113b is about 80 to 150 nm. In this embodiment, the hole transport layer 113a also functions as a hole injection layer that injects holes into the light emitting layer 113b.

本形態では、隣接する画素115の境界領域には、画素電極111の周縁部を取り囲むように、感光性樹脂からなる隔壁105がバンクとして形成されている。隔壁105は、有機機能層113(正孔輸送層113aおよび発光層113b)を形成するのにインクジェット法(液体吐出法)を用いるとき、塗布される液状組成物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状組成物が均一な厚さで形成される。インクジェット式の液滴吐出装置としては、圧電振動子の体積変化により流動体を吐出させるピエゾジェットの液滴吐出装置や、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた液滴吐出装置などが採用される。また、有機機能層113の形成にはスピンコート法を用いてもよい。ここで、液状組成物は、水性であると油性であるとを問わない。また、液状組成物については、流動性を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる固体物質は融点以上に加熱されて溶解されたものでも、溶媒中に微粒子として分散させたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。   In this embodiment, a partition 105 made of a photosensitive resin is formed as a bank in a boundary region between adjacent pixels 115 so as to surround a peripheral portion of the pixel electrode 111. The partition wall 105 defines an application region of a liquid composition to be applied when an ink jet method (liquid ejection method) is used to form the organic functional layer 113 (the hole transport layer 113a and the light emitting layer 113b). The liquid composition is formed with a uniform thickness by the surface tension. As an ink jet type droplet discharge device, a piezoelectric jet droplet discharge device that discharges a fluid by changing the volume of a piezoelectric vibrator, a droplet discharge device that uses an electrothermal transducer as an energy generating element, and the like are adopted. The Further, the organic functional layer 113 may be formed by spin coating. Here, it does not matter whether the liquid composition is aqueous or oily. Moreover, about a liquid composition, it is enough if it has fluidity | liquidity, and even if a solid substance is mixed, it should just be a fluid as a whole. In addition, the solid material contained in the liquid material may be dissolved by being heated to a temperature higher than the melting point, or may be dispersed as fine particles in a solvent, and a dye, pigment or other functional material added in addition to the solvent It may be.

(対向電極側の構成)
本形態の発光装置100は、基板側に向けて表示光を出射するボトムエミッション型であり、本形態において、対向電極112は、基板120の略全面にあるいはストライプ状に形成されたアルミニウム膜により構成されている。このため、対向電極112は、光反射層としても機能する。従って、有機エレクトロルミネッセンス素子110の発光層113bから画素電極111および基板120に向けて出射された光は、画素電極111および基板120を透過して出射される一方、対向電極112に向かう光は、対向電極112で反射した後、画素電極111および基板120を透過して出射される。
(Configuration on the counter electrode side)
The light emitting device 100 of this embodiment is a bottom emission type that emits display light toward the substrate side. In this embodiment, the counter electrode 112 is formed of an aluminum film formed on substantially the entire surface of the substrate 120 or in a stripe shape. Has been. For this reason, the counter electrode 112 also functions as a light reflection layer. Therefore, the light emitted from the light emitting layer 113b of the organic electroluminescence element 110 toward the pixel electrode 111 and the substrate 120 is emitted through the pixel electrode 111 and the substrate 120, while the light directed toward the counter electrode 112 is After being reflected by the counter electrode 112, the light passes through the pixel electrode 111 and the substrate 120 and is emitted.

ここで、基板120の素子形成面側(対向電極112の側)には、酸素や水分の侵入を防ぐことによって有機機能層113の酸化による劣化を防止する封止樹脂(図示せず)が形成され、さらに封止基板(図示せず)が貼られることがある。また、基板120の素子形成面側の側には、酸素や水分の侵入を防ぐための缶(図示せず)が被せられ、缶の内側には脱酸素剤(図示せず)が配置されることもある。いずれの場合にも、本形態では、対向電極112自身によって、有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止する。但し、対向電極112を構成するアルミニウム膜は、それを有機機能層113の上層に蒸着により成膜した際、下地が有機物層であることに起因してピンホールが発生しやすく、このようなピンホールが存在すると、対向電極112自身では、有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止することができない。   Here, a sealing resin (not shown) that prevents deterioration due to oxidation of the organic functional layer 113 by preventing intrusion of oxygen and moisture is formed on the element formation surface side (the counter electrode 112 side) of the substrate 120. Further, a sealing substrate (not shown) may be attached. Further, a can (not shown) for preventing intrusion of oxygen and moisture is placed on the element forming surface side of the substrate 120, and an oxygen scavenger (not shown) is disposed inside the can. Sometimes. In any case, in this embodiment, the counter electrode 112 itself prevents oxygen and moisture from entering the organic functional layer 113. However, when the aluminum film constituting the counter electrode 112 is deposited on the upper layer of the organic functional layer 113 by vapor deposition, pinholes are likely to occur due to the underlying organic layer. When holes are present, the counter electrode 112 itself cannot prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer 113.

そこで、本形態では、製造方法については後述するが、有機機能層113の上層に蒸着法により形成したアルミニウム膜で対向電極112を形成した後、対向電極112の表面を反応させて対向電極112の上層にアルミニウム酸化膜からなる化合物層112xを形成する。このため、対向電極112を構成するアルミニウム膜を成膜した際、図8(A)に示すように、下地が有機機能層113であることに起因してアルミニウム膜にピンホールが発生している場合でも、図8(B)に示すように、対向電極112の表面を反応させて化合物層112xを形成すると、その体積膨張によりピンホールを塞ぐことができる。従って、対向電極112自身によって有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止できるので、有機機能層113の劣化を防止することができる。   Therefore, in this embodiment, although a manufacturing method will be described later, after forming the counter electrode 112 with an aluminum film formed by vapor deposition on the organic functional layer 113, the surface of the counter electrode 112 is reacted to react with the surface of the counter electrode 112. A compound layer 112x made of an aluminum oxide film is formed as an upper layer. For this reason, when an aluminum film constituting the counter electrode 112 is formed, as shown in FIG. 8A, a pinhole is generated in the aluminum film due to the underlying organic functional layer 113. Even in this case, as shown in FIG. 8B, if the surface of the counter electrode 112 is reacted to form the compound layer 112x, the pinhole can be blocked by the volume expansion. Accordingly, since the counter electrode 112 itself can prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer 113, the organic functional layer 113 can be prevented from being deteriorated.

特に本形態では、対向電極112がアルミニウム膜からなり、アルミニウムのように低融点金属を蒸着により成膜した際には特にピンホールが発生しやすい。しかるに本形態では、かかるピンホールを化合物層112xの形成によって塞ぐため、対向電極112をアルミニウム膜で形成した場合でも、有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止することができる。また、アルミニウムであれば、電気抵抗が低いので、電極あるいは配線を構成するのに適している。さらに、対向電極112がアルミニウム膜であれば、光反射性が高いので、基板側から光を出射するボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス装置において対向電極112自身を光反射層として用いることができる。   In particular, in this embodiment, the counter electrode 112 is made of an aluminum film, and pinholes are particularly likely to occur when a low melting point metal such as aluminum is formed by vapor deposition. However, in this embodiment, since such pinholes are closed by the formation of the compound layer 112x, even when the counter electrode 112 is formed of an aluminum film, entry of oxygen or moisture into the organic functional layer 113 can be prevented. In addition, since aluminum has low electrical resistance, it is suitable for forming an electrode or wiring. Further, if the counter electrode 112 is an aluminum film, the light reflectivity is high. Therefore, the counter electrode 112 itself can be used as a light reflection layer in a bottom emission type organic electroluminescence device that emits light from the substrate side.

(発光装置の製造方法)
図3〜図5は、本形態の発光装置100を製造する方法を示す工程断面図である。なお、発光装置100でカラー表示を行う場合には、各画素115を赤色(R)、緑色(G)、青色(B)に対応させることになる。この場合、各色の画素115においても有機エレクトロルミネッセンス素子110の基本的な構成は共通であるが、図3〜図5には、各色に対応する画素115(R)、(G)、(B)、および有機エレクトロルミネッセンス素子110(R)、(G)、(B)を形成する様子を示してある。
(Method for manufacturing light emitting device)
3-5 is process sectional drawing which shows the method of manufacturing the light-emitting device 100 of this form. Note that when color display is performed by the light emitting device 100, each pixel 115 corresponds to red (R), green (G), and blue (B). In this case, the basic configuration of the organic electroluminescence element 110 is common to the pixels 115 of each color, but the pixels 115 (R), (G), and (B) corresponding to each color are shown in FIGS. , And how the organic electroluminescence elements 110 (R), (G), and (B) are formed.

本形態の発光装置100を製造するには、まず、図3(A)に示すように、基板120を用意する。本形態の発光装置100は、ボトムエミッション型であるため、基板120としてはガラスや石英、樹脂などの透明ないし半透明なものが用いられるが、特にガラスが好適に用いられる。また、基板120に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。   In order to manufacture the light emitting device 100 of this embodiment, first, a substrate 120 is prepared as shown in FIG. Since the light emitting device 100 of this embodiment is a bottom emission type, a transparent or translucent material such as glass, quartz, or resin is used as the substrate 120, and glass is particularly preferably used. Further, a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent material, or a dielectric reflection film may be disposed on the substrate 120 to control the emission color.

次に、基板120に対して、必要に応じてTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地保護膜(図示せず)を形成する。次に、基板120の温度を約350℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマCVD法により厚さ約30〜70nmのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜109を形成する。次に、半導体膜109に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜109をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が400mmのラインビームを用い、その出力強度は、例えば200mJ/cm2とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。 Next, a base protective film (not shown) made of a silicon oxide film having a thickness of about 200 to 500 nm is formed on the substrate 120 by plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a raw material if necessary. Form. Next, the temperature of the substrate 120 is set to about 350 ° C., and a semiconductor film 109 made of an amorphous silicon film having a thickness of about 30 to 70 nm is formed on the surface of the base protective film by plasma CVD. Next, a crystallization process such as laser annealing or solid phase growth is performed on the semiconductor film 109 to crystallize the semiconductor film 109 into a polysilicon film. In the laser annealing method, for example, a line beam having a long beam length of 400 mm is used with an excimer laser, and the output intensity is set to 200 mJ / cm 2 , for example. With respect to the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

次に、図3(B)に示すように、半導体膜(ポリシリコン膜)109をパターニングして島状の半導体膜109aとし、その表面に対して、TEOSや酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約60〜150nmのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜121を形成する。なお、半導体膜109aは、図2に示す薄膜トランジスタ107のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては薄膜トランジスタ106のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。すなわち、発光装置100では、二種類のトランジスタ106、107が同一の層間、あるいは異なる層間に形成されるが、概ね同一の手順で形成されるため、以下の説明では、薄膜トランジスタ107についてのみ説明し、薄膜トランジスタ106についてはその説明を省略する。   Next, as shown in FIG. 3B, the semiconductor film (polysilicon film) 109 is patterned to form an island-shaped semiconductor film 109a, and plasma CVD is performed on the surface using TEOS, oxygen gas, or the like as a raw material. Thus, a gate insulating film 121 made of a silicon oxide film or a nitride film having a thickness of about 60 to 150 nm is formed. Note that the semiconductor film 109a serves as a channel region and a source / drain region of the thin film transistor 107 illustrated in FIG. 2, but semiconductor films serving as a channel region and a source / drain region of the thin film transistor 106 are also formed at different cross-sectional positions. ing. That is, in the light emitting device 100, the two types of transistors 106 and 107 are formed in the same layer or in different layers, but are formed in substantially the same procedure. Therefore, in the following description, only the thin film transistor 107 is described. The description of the thin film transistor 106 is omitted.

次に、図3(C)に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法などにより形成した後、これをパターニングし、ゲート電極143などを形成する。次に、この状態でリンなどの不純物を打ち込み、半導体膜109aに、ゲート電極143に対して自己整合的にソース・ドレイン領域109b、109cを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域109dとなる。   Next, as shown in FIG. 3C, a conductive film made of a metal film such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten is formed by sputtering, and then patterned to form a gate electrode 143 or the like. To do. Next, an impurity such as phosphorus is implanted in this state to form source / drain regions 109b and 109c in the semiconductor film 109a in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 143. Note that a portion where no impurity is introduced becomes the channel region 109d.

次に、図3(D)に示すように、第1層間絶縁膜122を形成した後、コンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域109b、109cに電気的に接続するソース・ドレイン電極126および共通給電線165を形成する。その際、データ線164なども形成する。   Next, as shown in FIG. 3D, after forming the first interlayer insulating film 122, contact holes are formed and electrically connected to the source / drain regions 109b and 109c through these contact holes. A source / drain electrode 126 and a common feed line 165 are formed. At that time, a data line 164 and the like are also formed.

次に、図3(E)に示すように、各配線の上面を覆うように、SiO2、TiO2などの無機絶縁膜からなる第2層間絶縁膜123を形成した後、第2層間絶縁膜123に対してソース・ドレイン電極126に対応する位置にコンタクトホールを形成する。次に、画素電極形成工程において、第2層間絶縁膜123の上層にITO膜を形成した後、ITO膜をパターニングして、データ線164、走査線163および共通給電線165に囲まれた所定位置に画素電極111を形成する。次に、必要に応じて、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理(O2プラズマ処理)を行い、画素電極111あるいは、第2層間絶縁膜123のうち、画素電極111から露出している部分に親液性を付与する。 Next, as shown in FIG. 3E, a second interlayer insulating film 123 made of an inorganic insulating film such as SiO 2 or TiO 2 is formed so as to cover the upper surface of each wiring, and then the second interlayer insulating film A contact hole is formed at a position corresponding to the source / drain electrode 126 with respect to 123. Next, in the pixel electrode forming step, an ITO film is formed on the second interlayer insulating film 123, and then the ITO film is patterned, so that a predetermined position surrounded by the data line 164, the scanning line 163, and the common power supply line 165 is obtained. A pixel electrode 111 is formed on the substrate. Next, if necessary, plasma processing using oxygen as a processing gas (O 2 plasma processing) is performed in the air atmosphere to expose the pixel electrode 111 or the second interlayer insulating film 123 from the pixel electrode 111. Give lyophilicity to the part.

次に、図3(F)に示す隔壁形成工程において、図2に示す有機機能層113の形成場所を囲むように隔壁105を形成する。その結果、隔壁105の内側には凹部150が形成される。隔壁105は、仕切り部材として機能するものであり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの絶縁性有機材料で形成する。隔壁105の膜厚については、例えば1〜2μmの高さとなるように形成する。なお、隔壁105は、ポリシラザンなどの絶縁性無機材料で形成してもよい。次に、必要に応じて、隔壁105に対して撥液化処理を行い、隔壁105に対して、有機機能層113を形成するための液状組成物に対する撥液性を付与する。このような撥液性を付与するためには、例えば、隔壁105の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばCF4、SF5、CHF3などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、UV照射処理などが挙げられる。 Next, in the partition formation step shown in FIG. 3F, the partition 105 is formed so as to surround the formation place of the organic functional layer 113 shown in FIG. As a result, a recess 150 is formed inside the partition wall 105. The partition wall 105 functions as a partition member, and is formed of an insulating organic material such as acrylic resin or polyimide resin. About the film thickness of the partition 105, it forms so that it may become the height of 1-2 micrometers, for example. Note that the partition wall 105 may be formed using an insulating inorganic material such as polysilazane. Next, as necessary, the partition wall 105 is subjected to a liquid repellency treatment to impart liquid repellency to the liquid composition for forming the organic functional layer 113. In order to provide such liquid repellency, for example, a method of treating the surface of the partition wall 105 with a fluorine compound or the like is employed. Examples of the fluorine compound include CF 4 , SF 5 , and CHF 3. Examples of the surface treatment include plasma treatment and UV irradiation treatment.

次に、正孔輸送層113aを形成する。それには、図4(A)に示す吐出工程において、基板120の上面を上に向けた状態で、液滴吐出ヘッドから吐出された正孔輸送層形成液(液状組成物)の液滴Maを、隔壁105に囲まれた凹部150内に選択的に充填する。その際、正孔輸送層形成液は、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで隔壁105が形成されているので、正孔輸送層形成液は隔壁105を越えてその外側に広がることがない。   Next, the hole transport layer 113a is formed. For this purpose, in the ejection step shown in FIG. 4A, the droplet Ma of the hole transport layer forming liquid (liquid composition) ejected from the droplet ejection head with the upper surface of the substrate 120 facing upward is applied. Then, the concave portion 150 surrounded by the partition wall 105 is selectively filled. At that time, the hole transport layer forming liquid tends to spread in the horizontal direction because of its high fluidity. However, since the partition wall 105 is formed surrounding the applied position, the hole transport layer forming liquid is separated from the partition wall 105. It doesn't spread beyond that.

正孔輸送層形成液としては、例えば、ポリオレフィン誘導体である3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(導電性高分子材料)と、ポリスチレンスルホン酸(ドーパント)とを溶媒に分散させた溶液を用いる。このような正孔輸送層形成液としては、溶媒として水単独を用い、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸を水に分散させたものを用いる。但し、正孔輸送層形成液の液滴Maを安定した状態に吐出し、乾燥させるために正孔輸送層形成液の粘度や沸点などを調整する必要がある場合には、ポリスチレンスルホン酸および3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させる溶媒として、水に有機溶剤を配合した混合溶媒を用い、有機溶剤により正孔輸送層形成液の性質を最適化する。このような混合溶媒に使用可能な有機溶剤としては、アルコール類、エーテル類、グリコールモノエーテル類、ラクトン類、オキサゾリジノン類、カーボネート類、ニトリル類、アミド類、スルホン類などが挙げられる。   As the hole transport layer forming liquid, for example, a solution in which 3,4-polyethylenedioxythiophene (conductive polymer material), which is a polyolefin derivative, and polystyrenesulfonic acid (dopant) are dispersed in a solvent is used. As such a hole transport layer forming liquid, water alone is used as a solvent, and 3,4-polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid are dispersed in water. However, when it is necessary to adjust the viscosity or boiling point of the hole transport layer forming liquid in order to discharge the droplet Ma of the hole transport layer forming liquid in a stable state and dry it, polystyrenesulfonic acid and 3 As a solvent for dispersing 1,4-polyethylenedioxythiophene, a mixed solvent in which an organic solvent is mixed with water is used, and the properties of the hole transport layer forming liquid are optimized by the organic solvent. Examples of the organic solvent that can be used for such a mixed solvent include alcohols, ethers, glycol monoethers, lactones, oxazolidinones, carbonates, nitriles, amides, sulfones, and the like.

このようにして正孔輸送層形成液を液滴吐出ヘッドから吐出した後、乾燥工程において、大気圧以下、例えば10-4〜10-6パスカル(Pa)程度の減圧雰囲気中に放置して、正孔輸送層形成液中の溶媒を蒸発させる。その結果、図4(B)に示すように、画素電極111上に、正孔輸送層113aが形成される。なお、乾燥工程では、40〜200℃程度で加熱して正孔輸送層形成液中の溶媒を蒸発させてもよい。 After discharging the hole transport layer forming liquid from the droplet discharge head in this way, in the drying step, the hole transport layer forming liquid is left in a reduced-pressure atmosphere of atmospheric pressure or less, for example, about 10 −4 to 10 −6 Pascal (Pa), The solvent in the hole transport layer forming liquid is evaporated. As a result, as shown in FIG. 4B, a hole transport layer 113a is formed over the pixel electrode 111. In the drying step, the solvent in the hole transport layer forming liquid may be evaporated by heating at about 40 to 200 ° C.

次に、発光層113bを形成する。それには、図4(C)に示す吐出工程において、基板120の上面を上に向けた状態で、液滴吐出ヘッドから吐出された発光層形成液(液状組成物)の液滴Mbを、隔壁105に囲まれた凹部150内に選択的に充填する。発光材料としては、例えば分子量が1000以上の高分子材料が用いられる。具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドンなどをドープしたものが用いられる。なお、このような高分子材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、例えば特開平11−40358号公報に示される有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物、すなわち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも1種の蛍光色素とを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。   Next, the light emitting layer 113b is formed. For that purpose, in the discharge step shown in FIG. 4C, the droplet Mb of the light emitting layer forming liquid (liquid composition) discharged from the droplet discharge head with the upper surface of the substrate 120 facing upward is separated from the partition wall. A recess 150 surrounded by 105 is selectively filled. As the light emitting material, for example, a polymer material having a molecular weight of 1000 or more is used. Specifically, a polyfluorene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinyl carbazole, a polythiophene derivative, or a polymer material thereof, a perylene dye, a coumarin dye, a rhodamine dye such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, What doped tetraphenyl butadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, etc. is used. As such a polymer material, a π-conjugated polymer material in which π electrons of a double bond are non-polarized on a polymer chain is also a conductive polymer, and thus has excellent light emitting performance. Preferably used. In particular, a compound having a fluorene skeleton in the molecule, that is, a polyfluorene compound is more preferably used. In addition to such materials, for example, a composition for an organic electroluminescence device disclosed in JP-A-11-40358, that is, a precursor of a conjugated polymer organic compound, and at least one for changing the light emission characteristics A composition for an organic electroluminescence device comprising a seed fluorescent dye can also be used as a light emitting layer forming material.

このような発光材料を溶解あるいは分散する有機溶媒としては、非極性溶媒が好適とされ、特に発光層113bが正孔輸送層113aの上に形成されることから、この正孔輸送層113aに対して不溶なものが用いられることが好ましい。具体的には、キシレン、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼンなどが好適に用いられる。なお、発光層形成液の吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素に吐出し塗布することによって行う。また、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。   As an organic solvent for dissolving or dispersing such a light emitting material, a nonpolar solvent is preferable. In particular, the light emitting layer 113b is formed on the hole transport layer 113a. It is preferable to use an insoluble material. Specifically, xylene, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like are preferably used. In addition, the formation of the light emitting layer by discharging the light emitting layer forming liquid includes a light emitting layer forming material that emits red colored light, a light emitting layer forming material that emits green colored light, and a light emitting layer that emits blue colored light. The forming material is discharged and applied to the corresponding pixels. Further, the pixels corresponding to the respective colors are determined in advance so that they are regularly arranged.

次に、乾燥工程において、大気圧以下、例えば10-4〜10-6パスカル(Pa)程度の減圧雰囲気中に放置して発光層形成液中の溶媒を蒸発させる。その結果、図4(D)に示すように、正孔輸送層113a上に発光層113bが形成される。これにより、正孔輸送層113aおよび発光層113bからなる有機機能層113が形成される。なお、乾燥工程では、40〜200℃程度で加熱して発光層形成液中の溶媒を蒸発させてもよい。 Next, in the drying step, the solvent in the light emitting layer forming liquid is evaporated by being left in a reduced-pressure atmosphere of atmospheric pressure or lower, for example, about 10 −4 to 10 −6 Pascal (Pa). As a result, as shown in FIG. 4D, the light-emitting layer 113b is formed over the hole-transport layer 113a. Thereby, the organic functional layer 113 including the hole transport layer 113a and the light emitting layer 113b is formed. In the drying step, the solvent in the light emitting layer forming liquid may be evaporated by heating at about 40 to 200 ° C.

次に、図5(A)に示す成膜工程において、基板120の全面にアルミニウム膜を蒸着法により形成した後、アルミニウム膜をパターニングして対向電極112を基板120の略全面、あるいはストライプ状に形成する。いずれに場合にも、対向電極112は、有機機能層113および隔壁105を覆うように形成される。   Next, in the film formation step shown in FIG. 5A, after an aluminum film is formed on the entire surface of the substrate 120 by vapor deposition, the aluminum film is patterned to form the counter electrode 112 on the substantially entire surface of the substrate 120 or in a stripe shape. Form. In any case, the counter electrode 112 is formed so as to cover the organic functional layer 113 and the partition wall 105.

次に、図5(B)に示す化合物層形成工程において、対向電極112に酸素プラズマを照射して対向電極112の表面を反応させて対向電極112の上層にアルミニウム酸化膜からなる化合物層112xを形成する。その結果、図8(A)に示すように、対向電極112を構成するアルミニウム膜を有機機能層113の上層に蒸着により成膜した際、アルミニウム膜にピンホールが発生している場合でも、対向電極112の表面を反応させて化合物層112xを形成すると、その体積膨張によりピンホールを塞ぐことができる。従って、対向電極112自身によって有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止できるので、有機機能層113の劣化を防止することができる。   Next, in the compound layer forming step shown in FIG. 5B, the counter electrode 112 is irradiated with oxygen plasma to cause the surface of the counter electrode 112 to react, so that a compound layer 112x made of an aluminum oxide film is formed on the counter electrode 112. Form. As a result, as shown in FIG. 8A, when the aluminum film constituting the counter electrode 112 is deposited on the organic functional layer 113 by vapor deposition, even if a pinhole is generated in the aluminum film, When the surface of the electrode 112 is reacted to form the compound layer 112x, the pinhole can be blocked by the volume expansion. Accordingly, since the counter electrode 112 itself can prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer 113, the organic functional layer 113 can be prevented from being deteriorated.

その後、所定の封止を行った後、さらに配線などの各種要素を形成することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子110を各画素115に備えた発光装置100を製造することができる。   Then, after performing predetermined sealing, the light emitting device 100 including the organic electroluminescent element 110 in each pixel 115 can be manufactured by forming various elements such as wiring.

[実施の形態1の変形例]
上記実施の形態1では、図5(B)に示す化合物層形成工程において、対向電極112に酸素プラズマを照射して対向電極112の表面にアルミニウム酸化膜からなる化合物層112xを形成したが、対向電極112に窒素プラズマを照射して対向電極112の表面にアルミニウム窒化膜からなる化合物層112xを形成してもよい。この場合も、対向電極112を構成するアルミニウム膜にピンホールが発生している場合でも、対向電極112の表面を窒化した際の体積膨張によりピンホールを塞ぐことができる。
[Modification of Embodiment 1]
In Embodiment 1 above, in the compound layer forming step shown in FIG. 5B, the counter electrode 112 is irradiated with oxygen plasma to form the compound layer 112x made of an aluminum oxide film on the surface of the counter electrode 112. The electrode 112 may be irradiated with nitrogen plasma to form a compound layer 112 x made of an aluminum nitride film on the surface of the counter electrode 112. Also in this case, even when pinholes are generated in the aluminum film constituting the counter electrode 112, the pinholes can be blocked by volume expansion when the surface of the counter electrode 112 is nitrided.

[実施の形態2]
図6は、本発明の実施の形態2に係る発光装置の1画素分の断面図である。図7は、図6に示す発光装置の製造工程のうち、有機機能層を形成した以降の工程を示す工程断面図である。なお、本形態の発光装置、およびその製造方法の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIG. 6 is a cross-sectional view of one pixel of the light emitting device according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 7 is a process cross-sectional view illustrating processes after the organic functional layer is formed in the manufacturing process of the light emitting device illustrated in FIG. 6. Note that the basic configuration of the light emitting device of this embodiment and the manufacturing method thereof is the same as that of Embodiment 1, and therefore, common portions are denoted by the same reference numerals and illustrated. Is omitted.

図6に示すように、本形態の発光装置でも、各画素115には、陽極層としての画素電極111(第1電極層)と、有機機能層113と、陰極層としての対向電極112(第2電極層)がこの順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子110が形成されている。有機機能層113は、画素電極111上に積層された正孔輸送層113aと、この正孔輸送層113aの上層側に形成された発光層113bとを備えている。また、対向電極112は、基板120の略全面にあるいはストライプ状に形成されたアルミニウム膜により構成されている。   As shown in FIG. 6, even in the light emitting device of this embodiment, each pixel 115 includes a pixel electrode 111 (first electrode layer) as an anode layer, an organic functional layer 113, and a counter electrode 112 (first electrode as a cathode layer). An organic electroluminescence element 110 in which two electrode layers are stacked in this order is formed. The organic functional layer 113 includes a hole transport layer 113a stacked on the pixel electrode 111 and a light emitting layer 113b formed on the upper layer side of the hole transport layer 113a. The counter electrode 112 is composed of an aluminum film formed on substantially the entire surface of the substrate 120 or in a stripe shape.

本形態の発光装置において、対向電極112は複数の導電層からなる多層膜から構成されているが、発光装置がボトムエミッション型であるため、対向電極112は、最も下層側に光反射層として機能するアルミニウム膜からなる第1導電層112aを備えている。また、対向電極112では、第1導電層112aの上層に、ポリピロール、ポルアニリン、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンなどの導電性有機材料層、アルミニウムキノリノール錯体などの有機金属錯体膜、あるいはタンタル(融点2996℃)、チタン(融点1660℃)、タングステン(融点3410℃)、モリブデン(融点2620℃)などの高融点金属材料層からなる第2導電層112bが積層されている。さらに、対向電極112では、第2導電層112bの上層に、第1導電層112aと同一の金属材料(アルミニウム)からなる第3導電層112cが積層されている。   In the light emitting device of this embodiment, the counter electrode 112 is formed of a multilayer film including a plurality of conductive layers. However, since the light emitting device is a bottom emission type, the counter electrode 112 functions as a light reflecting layer on the lowermost layer side. The first conductive layer 112a made of an aluminum film is provided. In the counter electrode 112, a conductive organic material layer such as polypyrrole, poraniline, 3,4-polyethylenedioxythiophene, an organometallic complex film such as an aluminum quinolinol complex, or tantalum (melting point) is formed on the first conductive layer 112a. A second conductive layer 112b made of a high melting point metal material layer such as 2996 ° C.), titanium (melting point 1660 ° C.), tungsten (melting point 3410 ° C.), molybdenum (melting point 2620 ° C.) is laminated. Further, in the counter electrode 112, a third conductive layer 112c made of the same metal material (aluminum) as the first conductive layer 112a is laminated on the second conductive layer 112b.

なお、基板120の素子形成面側(対向電極112の側)には、酸素や水分の侵入を防ぐことによって有機機能層113の酸化による劣化を防止する封止樹脂(図示せず)が形成され、さらに封止基板(図示せず)が貼られることがある。また、基板120の素子形成面側の側には、酸素や水分の侵入を防ぐための缶(図示せず)が被せられ、缶の内側には脱酸素剤(図示せず)が配置されることもある。   Note that a sealing resin (not shown) is formed on the element formation surface side (the counter electrode 112 side) of the substrate 120 to prevent the organic functional layer 113 from being deteriorated by oxidation by preventing intrusion of oxygen and moisture. Further, a sealing substrate (not shown) may be attached. Further, a can (not shown) for preventing intrusion of oxygen and moisture is placed on the element forming surface side of the substrate 120, and an oxygen scavenger (not shown) is disposed inside the can. Sometimes.

このような構成の発光装置を製造するにあたっては、図3および図4を参照して説明した工程により有機機能層113を形成した後、図7(A)に示す成膜工程において、基板120の全面に、第1導電層112aを構成するためのアルミニウム膜を蒸着法により形成する。その結果、有機機能層113および隔壁105は第1導電層112aで覆われる。   In manufacturing the light emitting device having such a structure, after the organic functional layer 113 is formed by the process described with reference to FIGS. 3 and 4, the substrate 120 is formed in the film forming process shown in FIG. An aluminum film for forming the first conductive layer 112a is formed on the entire surface by vapor deposition. As a result, the organic functional layer 113 and the partition wall 105 are covered with the first conductive layer 112a.

次に、図7(B)に示す第2導電層形成工程において、第1導電層112aの上層に、ポリピロール、ポルアニリン、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンなどの導電性有機膜、アルミニウムキノリノール錯体などの有機金属錯体膜、あるいはタンタル、チタン、タングステン、モリブデンなどの高融点金属膜からなる第2導電層112bを積層する。ここで、第2導電層112bが導電有機膜である場合には、有機機能層113と同様、液滴吐出法やスピンコート法、さらには蒸着法により第2導電層112bを形成することができ、第2導電層112bが高融点金属層である場合には、スパッタ法などにより第2導電層112bを形成することができる。   Next, in the second conductive layer forming step shown in FIG. 7B, a conductive organic film such as polypyrrole, poraniline, 3,4-polyethylenedioxythiophene, an aluminum quinolinol complex, or the like is formed on the first conductive layer 112a. A second conductive layer 112b made of an organic metal complex film or a refractory metal film of tantalum, titanium, tungsten, molybdenum, or the like is stacked. Here, in the case where the second conductive layer 112b is a conductive organic film, the second conductive layer 112b can be formed by a droplet discharge method, a spin coating method, or a vapor deposition method as in the case of the organic functional layer 113. When the second conductive layer 112b is a refractory metal layer, the second conductive layer 112b can be formed by a sputtering method or the like.

次に、図7(C)に示す第3導電層形成工程において、第2導電層112bの上層に、第3導電層112cを構成するためのアルミニウム膜を蒸着法により積層する。   Next, in the third conductive layer formation step shown in FIG. 7C, an aluminum film for forming the third conductive layer 112c is stacked on the second conductive layer 112b by an evaporation method.

次に、フォトリソグラフィ技術により、第1導電層112a、第2導電層112b、および第3導電層112cを一括してエッチングし、第1導電層112a、第2導電層112b、および第3導電層112cの多層膜からなる対向電極112を基板120の略全面、あるいはストライプ状に形成する。なお、第1導電層112a、第2導電層112b、および第3導電層112cを順次、エッチングして、第1導電層112a、第2導電層112b、および第3導電層112cの多層膜からなる対向電極112を形成してもよい。いずれの場合も、有機機能層113および隔壁105は対向電極112で覆われる。   Next, the first conductive layer 112a, the second conductive layer 112b, and the third conductive layer 112c are collectively etched by a photolithography technique, so that the first conductive layer 112a, the second conductive layer 112b, and the third conductive layer are etched. The counter electrode 112 made of a multilayer film 112c is formed on the substantially entire surface of the substrate 120 or in a stripe shape. The first conductive layer 112a, the second conductive layer 112b, and the third conductive layer 112c are sequentially etched to form a multilayer film of the first conductive layer 112a, the second conductive layer 112b, and the third conductive layer 112c. The counter electrode 112 may be formed. In any case, the organic functional layer 113 and the partition wall 105 are covered with the counter electrode 112.

その後、所定の封止を行った後、さらに配線などの各種要素を形成することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子110を各画素115に備えた発光装置を製造することができる。   Thereafter, after performing predetermined sealing, various elements such as wiring are further formed, whereby a light-emitting device including the organic electroluminescent element 110 in each pixel 115 can be manufactured.

以上説明したように、本形態では、有機機能層113の上層に蒸着法で形成したアルミニウム膜で対向電極112の第1導電層112aを形成した後、この第1導電層112aの上層に導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜からなる第2導電層112bを形成する。ここで、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜は、それを成膜する際、下地の影響を受けにくい。このため、図8(A)に示すように、第1導電層112aを構成するためのアルミニウム膜を有機機能層113の上層に蒸着により成膜した際、下地が有機物層であることに起因してアルミニウム膜にピンホールが発生している場合でも、ピンホールは、図8(C)に示すように、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜からなる第2導電層112bで覆われる。従って、対向電極112自身によって有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止できるので、有機機能層113の劣化を防止することができる。また、第1導電層112aのピンホールを塞ぐ第2導電層112b自身が対向電極112の一部を構成するため、電気抵抗などを考慮しても第1導電層112aを薄くすることができ、その分、成膜時間を短縮することができる。   As described above, in this embodiment, after the first conductive layer 112a of the counter electrode 112 is formed of an aluminum film formed by vapor deposition on the organic functional layer 113, the conductive layer is formed on the upper layer of the first conductive layer 112a. A second conductive layer 112b made of an organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film is formed. Here, the conductive organic film, the organometallic complex film, or the refractory metal film is hardly affected by the base when the film is formed. For this reason, as shown in FIG. 8A, when an aluminum film for forming the first conductive layer 112a is formed on the organic functional layer 113 by vapor deposition, the base is an organic layer. Even if pinholes are generated in the aluminum film, the pinholes are formed in the second conductive layer 112b made of a conductive organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film as shown in FIG. Covered with. Accordingly, since the counter electrode 112 itself can prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer 113, the organic functional layer 113 can be prevented from being deteriorated. In addition, since the second conductive layer 112b itself closing the pinhole of the first conductive layer 112a constitutes a part of the counter electrode 112, the first conductive layer 112a can be thinned even in consideration of electric resistance, Accordingly, the film formation time can be shortened.

さらに、本形態では、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜からなる第2導電層112bの上層に、第1導電層112aと同一の金属材料(アルミニウム)からなる第3導電層112cが積層され、かかる第3導電層112cによっても、有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止することができる。すなわち、第3導電層112cの下地は、有機機能層113などからみて薄い導電性有機膜や有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜からなる第2導電層112bであるため、第3導電層112cを構成するアルミニウム膜を蒸着法により形成する際、下地の熱伝導性が低いことなどに起因するピンホールが発生しないので、第3導電層112cによっても、有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止できる。また、第3導電層112c自身が対向電極112の一部を構成するため、電気抵抗などを考慮しても第1導電層112aおよび第2導電層112bを薄くすることができ、その分、成膜時間を短縮することができる。   Furthermore, in this embodiment, the third conductive layer made of the same metal material (aluminum) as the first conductive layer 112a is formed on the second conductive layer 112b made of a conductive organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film. The layer 112c is stacked, and the third conductive layer 112c can also prevent oxygen and moisture from entering the organic functional layer 113. That is, the base of the third conductive layer 112c is the second conductive layer 112b made of a thin conductive organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film as viewed from the organic functional layer 113 or the like. When the aluminum film constituting the film is formed by vapor deposition, no pinholes are generated due to the low thermal conductivity of the underlying layer. Therefore, the third conductive layer 112c also prevents oxygen and moisture from being applied to the organic functional layer 113. Intrusion can be prevented. In addition, since the third conductive layer 112c itself constitutes a part of the counter electrode 112, the first conductive layer 112a and the second conductive layer 112b can be thinned even in consideration of electric resistance and the like. The film time can be shortened.

特に本形態では、第1導電層112aがアルミニウム膜からなり、アルミニウムのように低融点金属を蒸着により成膜した際には特にピンホールが発生しやすい。しかるに本形態では、かかるピンホールを第2導電層112bによって塞ぐため、第1導電層112aをアルミニウム膜で形成した場合でも、有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止することができる。また、アルミニウムであれば、電気抵抗が低いので、電極あるいは配線を構成するのに適している。さらに、第1導電層112aがアルミニウム膜であれば、光反射性が高いので、基板側から光を出射するボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス装置において第1導電層112a自身を光反射層として用いることができる。   In particular, in this embodiment, the first conductive layer 112a is made of an aluminum film, and pinholes are particularly likely to occur when a low melting point metal such as aluminum is formed by vapor deposition. However, in this embodiment, since the pinhole is closed by the second conductive layer 112b, even when the first conductive layer 112a is formed of an aluminum film, intrusion of oxygen and moisture into the organic functional layer 113 can be prevented. In addition, since aluminum has low electrical resistance, it is suitable for forming an electrode or wiring. Further, if the first conductive layer 112a is an aluminum film, the light reflectivity is high, and therefore the first conductive layer 112a itself is used as a light reflection layer in a bottom emission type organic electroluminescence device that emits light from the substrate side. Can do.

[実施の形態2の変形例]
上記実施の形態2では、アルミニウム膜からなる第1導電層112a、有機金属錯体膜、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜からなる第2導電層112b、およびアルミニウム膜からなる第3導電層112cの多層膜で対向電極112を形成したが、アルミニウム膜からなる第1導電層112aと、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは高融点金属膜からなる第2導電層112bとによって、有機機能層113への酸素や水分の侵入を防止でき、かつ、電気抵抗のレベルが低い場合には、第3導電層112cの形成を省略してもよい。
[Modification of Embodiment 2]
In the second embodiment, the first conductive layer 112a made of an aluminum film, the organic metal complex film, the conductive organic film, the organic metal complex film, the second conductive layer 112b made of a refractory metal film, and the aluminum film are made. The counter electrode 112 is formed of a multilayer film of the third conductive layer 112c, but the first conductive layer 112a made of an aluminum film and the second conductive layer 112b made of a conductive organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film. Thus, when the oxygen and moisture can be prevented from entering the organic functional layer 113 and the level of electrical resistance is low, the formation of the third conductive layer 112c may be omitted.

[その他の実施の形態]
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
[Other embodiments]
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Specific materials and configurations described in the embodiment are It is only an example and can be changed as appropriate.

例えば、上記形態では、対向電極112あるいはその第1導電層112aとしてアルミニウムを用いた例を説明したが、対向電極112あるいはその第1導電層112aとしてマグネシウム(融点649℃)などを用いる場合に本発明を適用してもよい。また、上記形態では、正孔輸送層113aとして、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを用いたが、その他のポリアルキルチオフェン誘導体や、ポリピロール誘導体を用いてもよい。また、正孔輸送層113aとしては、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサンなどを高分子前駆体として形成した層を用いた場合に本発明を適用してもよい。また、有機エレクトロルミネッセンス素子110から白色光を出射させ、この白色光をカラーフィルタで着色してカラー表示するタイプの発光装置100に本発明を適用してもよい。   For example, in the above embodiment, the example in which aluminum is used for the counter electrode 112 or the first conductive layer 112a has been described. However, when the counter electrode 112 or the first conductive layer 112a is made of magnesium (melting point: 649 ° C.) The invention may be applied. In the above embodiment, 3,4-polyethylenedioxythiophene is used as the hole transport layer 113a. However, other polyalkylthiophene derivatives or polypyrrole derivatives may be used. Further, as the hole transport layer 113a, a layer in which polytetrahydrothiophenylphenylene, polyphenylene vinylene, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane, or the like is formed as a polymer precursor. The present invention may be applied when used. Further, the present invention may be applied to a light emitting device 100 of a type that emits white light from the organic electroluminescence element 110 and colors the white light with a color filter to display in color.

(電子機器への適用)
本発明を適用した発光装置は、携帯電話機、テレビ、車載パネル、パーソナルコンピュータやPDAなどの電子機器においてフルカラー表示装置として用いることができる。また、本発明を適用した発光装置は、各種光源や、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして用いることができる。
(Application to electronic equipment)
A light-emitting device to which the present invention is applied can be used as a full-color display device in electronic devices such as a mobile phone, a television, a vehicle-mounted panel, a personal computer, and a PDA. The light emitting device to which the present invention is applied can be used as an exposure head in various light sources and image forming apparatuses such as digital copying machines and printers.

本発明を適用した発光装置のブロック図である。1 is a block diagram of a light emitting device to which the present invention is applied. (A)、(B)は各々、本発明の実施の形態1に係る発光装置の1画素分の平面図および断面図である。(A), (B) is the top view and sectional drawing for 1 pixel of the light-emitting device which concerns on Embodiment 1 of this invention, respectively. 本発明の実施の形態1に係る発光装置の薄膜トランジスタなどを形成する方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the method of forming the thin-film transistor etc. of the light-emitting device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る発光装置の正孔輸送層および発光層を形成する方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the method to form the positive hole transport layer and light emitting layer of the light-emitting device which concern on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る発光装置の対向電極などを形成する方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the method of forming the counter electrode etc. of the light-emitting device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態2に係る発光装置の1画素分の断面図である。It is sectional drawing for 1 pixel of the light-emitting device which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2に係る発光装置の有機機能層を形成した以降の工程を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the process after forming the organic functional layer of the light-emitting device which concerns on Embodiment 2 of this invention. 有機機能層の上層に蒸着により成膜したアルミニウム膜に発生したピンホールの説明図である。It is explanatory drawing of the pinhole which generate | occur | produced in the aluminum film | membrane formed into a film by vapor deposition on the organic functional layer.

符号の説明Explanation of symbols

100・・発光装置、110・・有機エレクトロルミネッセンス素子、111・・画素電極(第1電極層)、112・・対向電極(第2電極層)、112a・・第1導電層、112b・・第2導電層、112c・・第3導電層、112x・・化合物層、113・・有機機能層、113a・・正孔輸送層、113b・・発光層 100..Light emitting device, 110..Organic electroluminescence element, 111..Pixel electrode (first electrode layer), 112..Counter electrode (second electrode layer), 112a..First conductive layer, 112b .. 2 conductive layers, 112c... 3rd conductive layer, 112x... Compound layer, 113 .. organic functional layer, 113 a .. hole transport layer, 113 b.

Claims (9)

  1. 第1電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置において、
    前記第2電極層は、金属材料から構成され、
    前記第2電極層の上層には、当該第2電極層を構成する金属材料の化合物層が積層されていることを特徴とする発光装置。
    In the light emitting device including the organic electroluminescence element in which the first electrode layer, the organic functional layer, and the second electrode layer are sequentially laminated,
    The second electrode layer is made of a metal material,
    A light emitting device, wherein a compound layer of a metal material constituting the second electrode layer is laminated on the second electrode layer.
  2. 前記第2電極層は、アルミニウム膜からなることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the second electrode layer is made of an aluminum film.
  3. 前記化合物層は、アルミニウム酸化膜あるいはアルミニウム窒化膜からなることを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the compound layer is made of an aluminum oxide film or an aluminum nitride film.
  4. 第1電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置の製造方法において、
    前記有機機能層を形成した後、当該有機機能層の上層に前記第2電極層を構成する金属膜を蒸着法により成膜する成膜工程と、
    前記第2電極層の表面を反応させて当該第2電極層の上層に該第2電極層を構成する金属材料の化合物層を形成する化合層形成工程と、
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
    In a method for manufacturing a light emitting device including an organic electroluminescence element in which a first electrode layer, an organic functional layer, and a second electrode layer are sequentially stacked,
    After forming the organic functional layer, a film forming step of forming a metal film constituting the second electrode layer on the organic functional layer by a vapor deposition method;
    A compound layer forming step of reacting the surface of the second electrode layer to form a compound layer of a metal material constituting the second electrode layer on the second electrode layer;
    A method for manufacturing a light-emitting device, comprising:
  5. 第1の電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置において、
    前記第2電極層は、金属材料からなる第1導電層と、該第1導電層の上層に積層され、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは前記第1導電層を構成する金属材料より融点が高い高融点金属膜からなる第2導電層とを含んでいることを特徴とする発光装置。
    In a light emitting device including an organic electroluminescence element in which a first electrode layer, an organic functional layer, and a second electrode layer are sequentially laminated,
    The second electrode layer includes a first conductive layer made of a metal material and an upper layer of the first conductive layer, and is made of a conductive organic film, an organometallic complex film, or a metal material constituting the first conductive layer. And a second conductive layer made of a refractory metal film having a high melting point.
  6. 前記第2電極層は、さらに、前記第2導電層の上層に、前記第1導電層と同一の金属材料からなる第3導電層を含んでいることを特徴とする請求項4または5に記載の発光装置。   6. The second electrode layer further includes a third conductive layer made of the same metal material as the first conductive layer above the second conductive layer. Light-emitting device.
  7. 前記第1導電層は、アルミニウム膜からなることを特徴とする請求項5または6に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 5, wherein the first conductive layer is made of an aluminum film.
  8. 第1電極層、有機機能層および第2電極層が順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置の製造方法において、
    前記有機機能層を形成した後、当該有機機能層の上層に前記第1導電層を構成する金属膜を蒸着法により成膜する成膜工程と、
    前記第1導電層の上層に、導電性有機膜、有機金属錯体膜、あるいは前記第1導電層を構成する金属材料より融点が高い高融点金属膜からなる第2導電層を形成する第2導電層形成工程と、
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
    In a method for manufacturing a light emitting device including an organic electroluminescence element in which a first electrode layer, an organic functional layer, and a second electrode layer are sequentially stacked,
    After forming the organic functional layer, a film forming step of forming a metal film constituting the first conductive layer on the organic functional layer by a vapor deposition method;
    Second conductive layer forming a second conductive layer made of a conductive organic film, an organometallic complex film, or a refractory metal film having a melting point higher than that of the metal material constituting the first conductive layer, on the first conductive layer. A layer forming step;
    A method for manufacturing a light-emitting device, comprising:
  9. 前記第2導電層形成工程の後、前記第2導電層の上層に、前記第1導電層と同一の金属材料からなる第3導電層を蒸着法により形成する第3導電層形成工程を有することを特徴とする請求項8に記載の発光装置。   After the second conductive layer forming step, the method includes a third conductive layer forming step in which a third conductive layer made of the same metal material as the first conductive layer is formed on the second conductive layer by a vapor deposition method. The light emitting device according to claim 8.
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