JP2007219204A - 液晶装置及び液晶装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、フレキソ印刷法等の印刷手法を用いた場合であっても、膜厚均一性に優れた配向膜を形成し、ティルトムラの発生を少なくすることができる液晶装置の製造方法及び液晶装置を提供する。
【解決手段】一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置において、配向膜の平面形状を、頂点を有さない非矩形状とするとともに、配向膜は、一対の基板上の表示領域を含む領域に、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させるように配置してある。
【選択図】図３
【解決手段】一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置において、配向膜の平面形状を、頂点を有さない非矩形状とするとともに、配向膜は、一対の基板上の表示領域を含む領域に、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させるように配置してある。
【選択図】図３
Description
本発明は、液晶装置及び液晶装置の製造方法に関する。特に、所定形状を有し、ティルトムラの発生が少ない配向膜を備えた液晶装置及び液晶装置の製造方法に関する。
従来、電気光学装置の一態様である液晶装置は、それぞれ電極を備えた一対の基板を対向配置するとともに、当該一対の基板間に液晶材料を配置して構成されている。この液晶装置は、対向する電極に電圧を印加して液晶材料を配向させ、通過する光を偏向させることにより、画像表示させるものである。
このような液晶装置を動作させるにあたり、その基板上には、液晶材料の配向方向を制御するための配向膜が形成されている。この配向膜は、ポリイミド樹脂等からなる透明性樹脂膜であって、その表面にラビング処理により物理的凹凸を形成することで、当該凹凸が液晶材料のプレティルト角を規定して、無電界時の液晶の配向方向を制御することができる。
しかしながら、このような配向膜を形成するにあたり、フレキソ印刷等の凸版印刷法を用いた場合、その性質上、印刷直後の樹脂層に厚さムラが生じる場合がある。これは特に平面形状を矩形状とした際に顕著に見られ、印刷直後に樹脂がフローする際に、頂点部分及び外周部が薄く中央部分が厚い凸状に分布する傾向が見られる。
このように厚さが不均一な配向膜に対して、熱硬化処理及びラビング処理を施した場合には、その表面に形成される凹凸形状もまた不均一に形成されて、液晶材料のプレティルト角にばらつきが生じて、いわゆるティルトムラが発生する原因となり得る。
このような液晶装置を動作させるにあたり、その基板上には、液晶材料の配向方向を制御するための配向膜が形成されている。この配向膜は、ポリイミド樹脂等からなる透明性樹脂膜であって、その表面にラビング処理により物理的凹凸を形成することで、当該凹凸が液晶材料のプレティルト角を規定して、無電界時の液晶の配向方向を制御することができる。
しかしながら、このような配向膜を形成するにあたり、フレキソ印刷等の凸版印刷法を用いた場合、その性質上、印刷直後の樹脂層に厚さムラが生じる場合がある。これは特に平面形状を矩形状とした際に顕著に見られ、印刷直後に樹脂がフローする際に、頂点部分及び外周部が薄く中央部分が厚い凸状に分布する傾向が見られる。
このように厚さが不均一な配向膜に対して、熱硬化処理及びラビング処理を施した場合には、その表面に形成される凹凸形状もまた不均一に形成されて、液晶材料のプレティルト角にばらつきが生じて、いわゆるティルトムラが発生する原因となり得る。
そこで、このような問題を解決するために、フレキソ印刷機を用いて配向膜を形成するにあたり、その凸版形状に所定の規則性を持たせることにより、基板上での配向剤の流動を制御して、配向膜の膜厚均一性を向上させた液晶セル用配向膜の形成法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
より具体的には、図１４（ａ）に示すように、表面に凸部５０７を備えたブランケット５０３からなるフレキソ印刷機５００において、凸部５０７を、その重心点が直交配列にならないように亀甲状に複数列並べることで、回転圧接時のインクの流動を防止して、膜厚均一性の高い配向膜を形成することができる形成法である。
特開平６−１１８４１４号公報（特許請求の範囲、図１、図４）
より具体的には、図１４（ａ）に示すように、表面に凸部５０７を備えたブランケット５０３からなるフレキソ印刷機５００において、凸部５０７を、その重心点が直交配列にならないように亀甲状に複数列並べることで、回転圧接時のインクの流動を防止して、膜厚均一性の高い配向膜を形成することができる形成法である。
しかしながら、特許文献１に記載された形成法であっても、図１４（ｂ）に示すような多角形状５０８を採用したような場合には、やはり、樹脂が十分均一にフローせずに膜厚ムラが発生する場合が見られた。また、硬化収縮時にその頂点部分近傍において応力集中が発生し、さらに膜厚均一性を低下させてしまう場合が見られた。
また、この形成法では、一つの配向膜を、図１４（ｂ）に示すような複数の凸部形状の集合体からなるブランケットを用いて形成することから、その凸部の形状や、その配列間隔等によっては、フロー後の樹脂膜の膜厚均一性を低下させてしまう場合が見られた。
また、この形成法では、一つの配向膜を、図１４（ｂ）に示すような複数の凸部形状の集合体からなるブランケットを用いて形成することから、その凸部の形状や、その配列間隔等によっては、フロー後の樹脂膜の膜厚均一性を低下させてしまう場合が見られた。
そこで、本発明の発明者は鋭意努力し、配向膜の平面形状を円形や楕円形等の非矩形状とすることで、印刷直後において、樹脂を同心円状にフローさせることで膜厚均一性を高めることができ、更には、硬化収縮時おいて、収縮歪みの発生を防止することができ、硬化収縮後の膜厚均一性にも優れた配向膜とすることができることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち本発明は、配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、フレキソ印刷法等の印刷手法を用いた場合であっても、膜厚均一性に優れた配向膜を形成し、ティルトムラの発生を少なくすることができる液晶装置の製造方法及び液晶装置を提供することを目的とする。
すなわち本発明は、配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、フレキソ印刷法等の印刷手法を用いた場合であっても、膜厚均一性に優れた配向膜を形成し、ティルトムラの発生を少なくすることができる液晶装置の製造方法及び液晶装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置において、配向膜の平面形状を、頂点を有さない非矩形状とするとともに、配向膜は、一対の基板上の表示領域を含む領域に、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させるように配置してあることを特徴とする液晶装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、印刷直後の配向膜において、樹脂が同心円状にフローして厚さが均一な樹脂膜を形成することができる。更には、熱硬化させる際にも、頂点を有しない形状であることから、その収縮方向を中心方向へと向かう放射線状に制御することができ、矩形状である場合に必然的に生じる頂角近傍での収縮歪みの発生を防止することができる。
したがって、このように膜厚均一性に優れた配向膜に対してラビング処理を施した場合には、その表面に均一な凹凸形状が形成され、ティルトムラの発生の少ない液晶装置とすることができる。
また、このような非矩形状とすることにより、ラビング処理工程において、ラビング部材と配向膜の段差との接触による衝撃を緩和して、ラビング部材の歪みに起因するラビングすじの発生を効果的に防止することもできる。
更には、当該配向膜を配置する際に、導電パターンの端子部を残して配置することで、後の駆動素子の実装工程等に影響させずに、液晶装置を製造することができる。
すなわち、配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、印刷直後の配向膜において、樹脂が同心円状にフローして厚さが均一な樹脂膜を形成することができる。更には、熱硬化させる際にも、頂点を有しない形状であることから、その収縮方向を中心方向へと向かう放射線状に制御することができ、矩形状である場合に必然的に生じる頂角近傍での収縮歪みの発生を防止することができる。
したがって、このように膜厚均一性に優れた配向膜に対してラビング処理を施した場合には、その表面に均一な凹凸形状が形成され、ティルトムラの発生の少ない液晶装置とすることができる。
また、このような非矩形状とすることにより、ラビング処理工程において、ラビング部材と配向膜の段差との接触による衝撃を緩和して、ラビング部材の歪みに起因するラビングすじの発生を効果的に防止することもできる。
更には、当該配向膜を配置する際に、導電パターンの端子部を残して配置することで、後の駆動素子の実装工程等に影響させずに、液晶装置を製造することができる。
また、本発明を構成するにあたり、配向膜の平面形状を円形状または楕円形状とすることが好ましい。
このように構成することにより、印刷直後において、樹脂を一様な同心円状にフローさせることができる。更には、硬化収縮時において、配向膜の収縮方向を、円または楕円の中心に向かう動径方向に制御することができ、その収縮方向を一様な放射線状に制御して、収縮後の膜厚ムラの発生を効果的に防止することができる。
このように構成することにより、印刷直後において、樹脂を一様な同心円状にフローさせることができる。更には、硬化収縮時において、配向膜の収縮方向を、円または楕円の中心に向かう動径方向に制御することができ、その収縮方向を一様な放射線状に制御して、収縮後の膜厚ムラの発生を効果的に防止することができる。
また、本発明を構成するにあたり、表示領域の平面形状を矩形状にするとともに、当該表示領域における対角線の交点位置と当該表示領域の外縁との最長距離をＤ１とし、配向膜の平面形状における円相当半径をＤ２としたとき、配向膜の中心位置及び表示領域の交点位置を一致させるとともに、円相当半径Ｄ２を最長距離Ｄ１よりも大きくすることが好ましい。
このように構成することにより、配向膜の外周部分に特に生じやすい厚さが不均一な領域が、表示領域上に重なることを確実に防止することができる。したがって、特に表示領域上において膜厚均一性に優れた液晶装置とすることができる。
このように構成することにより、配向膜の外周部分に特に生じやすい厚さが不均一な領域が、表示領域上に重なることを確実に防止することができる。したがって、特に表示領域上において膜厚均一性に優れた液晶装置とすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、表示領域の平面形状を矩形状にするとともに、当該表示領域における対角線の交点位置と当該表示領域の外縁との最長距離をＤ１とし、交点位置と配向膜の平面形状における外縁との最短距離をＤ３としたとき、最短距離Ｄ３を最長距離Ｄ１よりも大きくすることが好ましい。
このように構成することにより、配向膜の形状が複雑化し、円形状から大きくかけ離れたような場合であっても、配向膜の外周部分に特に生じやすい厚さが不均一な領域が、表示領域上に重なることを確実に防止することができる。したがって、特に表示領域上において膜厚均一性に優れた液晶装置とすることができる。
このように構成することにより、配向膜の形状が複雑化し、円形状から大きくかけ離れたような場合であっても、配向膜の外周部分に特に生じやすい厚さが不均一な領域が、表示領域上に重なることを確実に防止することができる。したがって、特に表示領域上において膜厚均一性に優れた液晶装置とすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、配向膜の面積をＳ１とし、表示領域の面積をＳ２としたとき、（Ｓ１／Ｓ２）×１００（％）で表される値を１２０（％）以上とすることが好ましい。
このように構成することにより、上述した外周部分の膜厚ムラ領域を十分に除去することができ、印刷条件にばらつきが生じて膜厚ムラ領域が大きく形成されたような場合であっても、特に表示領域上において膜厚均一性に優れた液晶装置とすることができる。
このように構成することにより、上述した外周部分の膜厚ムラ領域を十分に除去することができ、印刷条件にばらつきが生じて膜厚ムラ領域が大きく形成されたような場合であっても、特に表示領域上において膜厚均一性に優れた液晶装置とすることができる。
また、本発明を構成するにあたり、配向膜の一部には、端子部を露出させるための開口部が設けてあることが好ましい。
このように構成することにより、配向膜の大きさや位置に関わらず、後の実装工程において、安定的に端子部と駆動素子とを電気接続させることができる。
このように構成することにより、配向膜の大きさや位置に関わらず、後の実装工程において、安定的に端子部と駆動素子とを電気接続させることができる。
また、本発明を構成するにあたり、配向膜が、一対の基板を貼り合わせるためのシール材を形成する領域と、少なくとも一部が重なるように配置してあること好ましい。
このように構成することにより、配向膜の外周部分をシール材形成領域の外側に配置させることができ、特に膜厚均一性が高い中心近傍領域が表示領域と一致するように配置させることができる。したがって、更にティルトムラの発生の少なく、表示特性に優れた液晶装置とすることができる。
このように構成することにより、配向膜の外周部分をシール材形成領域の外側に配置させることができ、特に膜厚均一性が高い中心近傍領域が表示領域と一致するように配置させることができる。したがって、更にティルトムラの発生の少なく、表示特性に優れた液晶装置とすることができる。
また、本発明の別の態様は、一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、一対の基板上に、それぞれ導電パターンを形成する工程と、一対の基板上の表示領域を含む領域に対して、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させて部分被覆するように、平面形状が頂点を有さない非矩形状である配向膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
したがって、このような製造方法によって形成された液晶装置であれば、ティルトムラの発生が少なく、例えば、フレキソ印刷等の汎用性の高い印刷方法を用いた場合であっても、膜厚均一性に優れた配向膜を形成して、表示特性を向上させることができる。
したがって、このような製造方法によって形成された液晶装置であれば、ティルトムラの発生が少なく、例えば、フレキソ印刷等の汎用性の高い印刷方法を用いた場合であっても、膜厚均一性に優れた配向膜を形成して、表示特性を向上させることができる。
また、本発明を実施するにあたり、配向膜を形成する工程の後に、配向膜上をラビング処理するラビング処理工程を含むことが好ましい。
このように実施することにより、膜厚均一性に優れた配向膜に対してラビング処理することができるとともに、ラビング部材と配向膜の段差との接触により発生するラビング部材の歪みを少なくして、安定的に凹凸形状を形成することができる。
このように実施することにより、膜厚均一性に優れた配向膜に対してラビング処理することができるとともに、ラビング部材と配向膜の段差との接触により発生するラビング部材の歪みを少なくして、安定的に凹凸形状を形成することができる。
また、本発明の製造方法を実施するにあたり、配向膜は、フレキソ印刷法またはスクリーン印刷法により形成されることが好ましい。
このように実施することにより、汎用性の高いフレキソ印刷やスクリーン印刷を用いて、非矩形状の膜厚均一性に優れた配向膜を形成することができ、プロセス設計の変更が比較的少なく、かつ生産効率を低下させることなく、表示特性に優れた液晶装置を製造することができる。
このように実施することにより、汎用性の高いフレキソ印刷やスクリーン印刷を用いて、非矩形状の膜厚均一性に優れた配向膜を形成することができ、プロセス設計の変更が比較的少なく、かつ生産効率を低下させることなく、表示特性に優れた液晶装置を製造することができる。
また、本発明の製造方法を実施するにあたり、一対の基板は複数の単品パネルに分割される大判パネルであって、配向膜を一対の基板上に複数形成するとともに、当該複数の配向膜をそれぞれ単品パネルの表示領域を含む領域に形成することが好ましい。
このように実施することにより、フレキソ印刷等の凸版印刷を用いて、膜厚均一性に優れる配向膜を同時かつ大量に形成することができ、その生産効率を高めることができる。
このように実施することにより、フレキソ印刷等の凸版印刷を用いて、膜厚均一性に優れる配向膜を同時かつ大量に形成することができ、その生産効率を高めることができる。
以下、図面を参照して、本発明の液晶装置、液晶装置の製造方法、及び液晶装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態は、一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置において、配向膜の平面形状を、頂点を有さない非矩形状とするとともに、配向膜は、一対の基板上の表示領域を含む領域に、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させるように配置してあることを特徴とする液晶装置である。
以下、図１〜８を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の液晶装置について、スイッチング素子としてＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えた素子基板と、カラーフィルタ層を備えた対向基板（カラーフィルタ基板）と、を含む液晶装置を例に採って説明する。ただし、本発明の液晶装置は、ＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置に限定されるものではなく、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えた液晶装置や、パッシブマトリクス型の液晶装置であっても構わない。また、本発明に係る配向膜は素子基板上の配向膜及び対向基板上の配向膜の両方に適用しても良く、いずれか一方にのみ適用することもできる。
なお、それぞれの図において、同じ符号を付したものは同一の部材を示しており、適宜説明を省略する。
本発明の第１実施形態は、一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置において、配向膜の平面形状を、頂点を有さない非矩形状とするとともに、配向膜は、一対の基板上の表示領域を含む領域に、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させるように配置してあることを特徴とする液晶装置である。
以下、図１〜８を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の液晶装置について、スイッチング素子としてＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えた素子基板と、カラーフィルタ層を備えた対向基板（カラーフィルタ基板）と、を含む液晶装置を例に採って説明する。ただし、本発明の液晶装置は、ＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置に限定されるものではなく、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えた液晶装置や、パッシブマトリクス型の液晶装置であっても構わない。また、本発明に係る配向膜は素子基板上の配向膜及び対向基板上の配向膜の両方に適用しても良く、いずれか一方にのみ適用することもできる。
なお、それぞれの図において、同じ符号を付したものは同一の部材を示しており、適宜説明を省略する。
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置について説明する。ここで、図１に液晶装置１０の断面図を示す。さらに、図２に、液晶装置１０の外観を表す概略斜視図を示す。
これらの図に示されるように、液晶装置１０は、対向基板３０と素子基板６０とが、その周辺部においてシール材を介して貼り合わされ、それによって形成される間隙２１ａ内に液晶材料が配置されている。
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置について説明する。ここで、図１に液晶装置１０の断面図を示す。さらに、図２に、液晶装置１０の外観を表す概略斜視図を示す。
これらの図に示されるように、液晶装置１０は、対向基板３０と素子基板６０とが、その周辺部においてシール材を介して貼り合わされ、それによって形成される間隙２１ａ内に液晶材料が配置されている。
（２）対向基板
対向基板３０は、ガラス等からなる基体３１上に、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、対向電極３３と、リタデーションを最適化するための層厚調整層４１と、配向膜４５と、を主として備える基板である。
ここで、対向電極３３とは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって表面全域に形成された面状電極である。また、この対向電極３３の下層には、素子基板６０側の画素電極６３に対応するように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタエレメントとしての着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂが配置されている。そして、この着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂに隣接しており、画素電極６３に垂直方向にならない位置に、隣接色間の混色防止領域としてのブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。更に、対向電極３３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる非矩形状の配向膜４５が形成されるとともに、この配向膜４５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
対向基板３０は、ガラス等からなる基体３１上に、着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂと、対向電極３３と、リタデーションを最適化するための層厚調整層４１と、配向膜４５と、を主として備える基板である。
ここで、対向電極３３とは、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等によって表面全域に形成された面状電極である。また、この対向電極３３の下層には、素子基板６０側の画素電極６３に対応するように、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタエレメントとしての着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂが配置されている。そして、この着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂに隣接しており、画素電極６３に垂直方向にならない位置に、隣接色間の混色防止領域としてのブラックマトリクスすなわち遮光膜３９が設けられている。更に、対向電極３３の上には、ポリイミド系の高分子樹脂からなる非矩形状の配向膜４５が形成されるとともに、この配向膜４５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
（３）素子基板
素子基板６０は、ガラス等からなる基体６１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な有機絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３と、を主として備える基板である。
ここで、画素電極６３とは、反射領域Ｒにおいては、反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成されている。また、この画素電極６３としての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。更に、この画素電極６３の上には、対向基板の場合と同様に、ポリイミド系の高分子樹脂からなる非矩形状の配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
素子基板６０は、ガラス等からなる基体６１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子６９と、透明な有機絶縁膜８１を挟んでＴＦＴ素子６９の上層に形成された画素電極６３と、を主として備える基板である。
ここで、画素電極６３とは、反射領域Ｒにおいては、反射表示を行うための光反射膜７９（６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極６３ｂとして形成されている。また、この画素電極６３としての光反射膜７９は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。更に、この画素電極６３の上には、対向基板の場合と同様に、ポリイミド系の高分子樹脂からなる非矩形状の配向膜８５が形成されるとともに、この配向膜８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施されている。
また、対向基板３０の外側（すなわち、図１の表面）には、位相差板４７が形成され、さらにその上に偏光板４９が形成されている。同様に、素子基板６０の外側（すなわち、図１の下側）表面には、位相差板８７が形成され、さらにその下に偏光板８９が形成されている。さらに、素子基板６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
また、ＴＦＴ素子６９は、素子基板６０上に形成されたゲート電極７１と、このゲート電極７１の上で素子基板６０の全域に形成されたゲート絶縁膜７２と、このゲート絶縁膜７２を挟んでゲート電極７１の上方位置に形成された半導体層７０と、その半導体層７０の一方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたソース電極７３と、さらに半導体層７０の他方の側にコンタクト電極７７を介して形成されたドレイン電極６６とを有する。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
また、ゲート電極７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は素子基板６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて、例えば信号線として作用する。
また、画素電極６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
また、有機絶縁膜８１は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子を覆って素子基板６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜８１のドレイン電極６６に対応する部分にはコンタクトホール８３が形成され、このコンタクトホール８３を介して画素電極６３とＴＦＴ素子６９のドレイン電極６６との導通がなされている。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、光透過量を低下させてしまうため、透過領域Ｔには形成されていない。
また、かかる有機絶縁膜８１には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂膜が形成されている。この結果、有機絶縁膜８１の上に積層される光反射膜７９（６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、光透過量を低下させてしまうため、透過領域Ｔには形成されていない。
２．配向膜の構造
（１）基本的構成
次いで、素子基板６０上に設けられる配向膜８５及び対向基板３０上に設けられる配向膜４５の構造について説明する。これらの配向膜は共に同一構造とすることができるため、本実施形態では特に素子基板６０上に設けられる配向膜８５を例に採って説明する。
本発明における液晶装置１０は、図３（ａ）に示すように、素子基板６０上に配置してある配向膜８５の平面形状が非矩形状であることを特徴とする。この非矩形状の配向膜８５は、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、表示領域（Ａ）を含む領域に配置してあるとともに、導電パターン９９の端子部（Ｂ）を残すように配置してある。そのため、配向膜が表示領域（Ａ）の外側にはみ出した場合であっても、導電パターン９９とドライバＩＣ９１とが接続可能な構造となっている。
（１）基本的構成
次いで、素子基板６０上に設けられる配向膜８５及び対向基板３０上に設けられる配向膜４５の構造について説明する。これらの配向膜は共に同一構造とすることができるため、本実施形態では特に素子基板６０上に設けられる配向膜８５を例に採って説明する。
本発明における液晶装置１０は、図３（ａ）に示すように、素子基板６０上に配置してある配向膜８５の平面形状が非矩形状であることを特徴とする。この非矩形状の配向膜８５は、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、表示領域（Ａ）を含む領域に配置してあるとともに、導電パターン９９の端子部（Ｂ）を残すように配置してある。そのため、配向膜が表示領域（Ａ）の外側にはみ出した場合であっても、導電パターン９９とドライバＩＣ９１とが接続可能な構造となっている。
（２）平面形状
次いで、配向膜８５の平面形状について説明する。
かかる配向膜８５の平面形状は非矩形状であることを特徴とし、その中でも、特に図４（ａ）に示すような真円状の配向膜８５ａや、図４（ｂ）に示すような楕円形状の配向膜８５ｂであることが好ましい。
この理由は、このような配向膜とすることにより、後述する配向膜を印刷形成する過程において、印刷直後に樹脂が同心円状にフローして均一な厚みの樹脂層が形成されるとともに、硬化収縮時に、樹脂の収縮方向が中心方向Ｏへ向かう放射線状Ｗに規制されるためである。
したがって、配向膜を形成する過程において、樹脂材料が硬化する前段階と、硬化する段階と、のそれぞれの段階で膜厚均一性を高めることができ、いずれか一方の段階でのみ膜厚制御した場合に比べてより効果的に膜厚均一性を高めることができる。その結果として、後のラビング工程において、配向膜の表面に均一な凹凸形状が形成されて、ティルトムラの発生の少ない液晶装置とすることができる。
また、図４（ｃ）に示すように、非矩形状の配向膜８５ｃの一部に端子部を露出させるための開口部８５ｃ´が設けてあることが好ましい。
この理由は、非矩形状の配向膜を部分的に開口させて下地を露出させることにより、ドライバＩＣの接続といった組立工程の作業性を低下させることなく、膜厚均一性の高い配向膜を配置させることができるためである。
また、この開口部８５ｃ´の形状としては、ドライバＩＣの配置に対応するように適宜変更することができるが、図４（ｃ）に示すように矩形状としたり、楕円形状のような非矩形状とすることもできる。
次いで、配向膜８５の平面形状について説明する。
かかる配向膜８５の平面形状は非矩形状であることを特徴とし、その中でも、特に図４（ａ）に示すような真円状の配向膜８５ａや、図４（ｂ）に示すような楕円形状の配向膜８５ｂであることが好ましい。
この理由は、このような配向膜とすることにより、後述する配向膜を印刷形成する過程において、印刷直後に樹脂が同心円状にフローして均一な厚みの樹脂層が形成されるとともに、硬化収縮時に、樹脂の収縮方向が中心方向Ｏへ向かう放射線状Ｗに規制されるためである。
したがって、配向膜を形成する過程において、樹脂材料が硬化する前段階と、硬化する段階と、のそれぞれの段階で膜厚均一性を高めることができ、いずれか一方の段階でのみ膜厚制御した場合に比べてより効果的に膜厚均一性を高めることができる。その結果として、後のラビング工程において、配向膜の表面に均一な凹凸形状が形成されて、ティルトムラの発生の少ない液晶装置とすることができる。
また、図４（ｃ）に示すように、非矩形状の配向膜８５ｃの一部に端子部を露出させるための開口部８５ｃ´が設けてあることが好ましい。
この理由は、非矩形状の配向膜を部分的に開口させて下地を露出させることにより、ドライバＩＣの接続といった組立工程の作業性を低下させることなく、膜厚均一性の高い配向膜を配置させることができるためである。
また、この開口部８５ｃ´の形状としては、ドライバＩＣの配置に対応するように適宜変更することができるが、図４（ｃ）に示すように矩形状としたり、楕円形状のような非矩形状とすることもできる。
（３）表示領域との関係
また、この配向膜８５と表示領域Ａとの大きさの関係として、配向膜８５の面積をＳ１とし、表示領域Ａの面積をＳ２としたとき、（Ｓ１／Ｓ２）×１００（％）で表される値を１２０（％）以上とすることが好ましい。
この理由は、このような面積比率で配向膜を形成することで、表示領域上を十分に配向膜で覆うことができるためである。しかしながら、この面積比率を過度に高くした場合には、表示に寄与しない領域に広く配向膜が形成されてしまい、周辺部材と干渉するといった問題が生じる場合がある。また逆に、この面積比率を過度に小さくした場合には、非矩形状としての特有の効果が十分に発揮されず、ティルトムラを生じさせてしまう場合がある。
したがって、かかる面積比率の数値範囲としては、１２０〜２００（％）の範囲内の値とすることが好ましく、１３０〜１５０（％）の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、この配向膜８５と表示領域Ａとの大きさの関係として、配向膜８５の面積をＳ１とし、表示領域Ａの面積をＳ２としたとき、（Ｓ１／Ｓ２）×１００（％）で表される値を１２０（％）以上とすることが好ましい。
この理由は、このような面積比率で配向膜を形成することで、表示領域上を十分に配向膜で覆うことができるためである。しかしながら、この面積比率を過度に高くした場合には、表示に寄与しない領域に広く配向膜が形成されてしまい、周辺部材と干渉するといった問題が生じる場合がある。また逆に、この面積比率を過度に小さくした場合には、非矩形状としての特有の効果が十分に発揮されず、ティルトムラを生じさせてしまう場合がある。
したがって、かかる面積比率の数値範囲としては、１２０〜２００（％）の範囲内の値とすることが好ましく、１３０〜１５０（％）の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、配向膜８５と表示領域Ａとの位置関係として、図５(ａ)に示すように、表示領域Ａの平面形状を矩形状にするとともに、表示領域Ａにおける対角線の交点位置Ｘと表示領域の外縁Ｒとの最長距離をＤ１とし、配向膜８５の平面形状における円相当半径をＤ２としたとき、配向膜の中心位置Ｇ及び表示領域の交点位置Ｘを一致させるとともに円相当半径Ｄ２を最長距離Ｄ１よりも大きくすることが好ましい
すなわち、配向膜８５が、その平面形状に関わらず、表示領域Ａを完全に包含するように配置してあることが好ましい。
この理由は、このように両者の位置関係に規定することにより、配向膜の製法上生じやすい外周近傍の膜厚ムラ領域を、表示領域Ａから完全に除外して、中心位置Ｇを中心とする半径Ｄ２の範囲内において、十分に膜厚均一性の高い配向膜を配置することができるためである。
また、配向膜８５と表示領域Ａとの位置関係の別の態様としては、図５（ｂ）に示すように、表示領域Ａの平面形状を矩形状にするとともに、表示領域Ａにおける対角線の交点位置Ｘと表示領域Ａの外縁Ｒとの最長距離をＤ１とし、交点位置Ｘと配向膜８５の平面形状における外縁Ｒ´との最短距離をＤ３としたとき、最短距離Ｄ３を最長距離Ｄ１よりも大きくすることが好ましい。
すなわち、上述した方法と同様、配向膜８５が、その平面形状に関わらず表示領域Ａを完全に包含するように配置してあることが好ましい。
この理由は、上述したような円相当半径を規定する方法では、例えば配向膜の平面形状が円形状とは大きく異なるような場合には、配向膜が十分に表示領域を包含できない場合があるためである。そのような場合であっても、図５（ｂ）に示すような位置関係を規定することにより、配向膜の製法上生じやすい外周近傍の膜厚ムラ領域を、表示領域Ａから完全に除外して、最短距離Ｄ３の範囲内において、十分に膜厚均一性の高い配向膜を配置することができる。
すなわち、配向膜８５が、その平面形状に関わらず、表示領域Ａを完全に包含するように配置してあることが好ましい。
この理由は、このように両者の位置関係に規定することにより、配向膜の製法上生じやすい外周近傍の膜厚ムラ領域を、表示領域Ａから完全に除外して、中心位置Ｇを中心とする半径Ｄ２の範囲内において、十分に膜厚均一性の高い配向膜を配置することができるためである。
また、配向膜８５と表示領域Ａとの位置関係の別の態様としては、図５（ｂ）に示すように、表示領域Ａの平面形状を矩形状にするとともに、表示領域Ａにおける対角線の交点位置Ｘと表示領域Ａの外縁Ｒとの最長距離をＤ１とし、交点位置Ｘと配向膜８５の平面形状における外縁Ｒ´との最短距離をＤ３としたとき、最短距離Ｄ３を最長距離Ｄ１よりも大きくすることが好ましい。
すなわち、上述した方法と同様、配向膜８５が、その平面形状に関わらず表示領域Ａを完全に包含するように配置してあることが好ましい。
この理由は、上述したような円相当半径を規定する方法では、例えば配向膜の平面形状が円形状とは大きく異なるような場合には、配向膜が十分に表示領域を包含できない場合があるためである。そのような場合であっても、図５（ｂ）に示すような位置関係を規定することにより、配向膜の製法上生じやすい外周近傍の膜厚ムラ領域を、表示領域Ａから完全に除外して、最短距離Ｄ３の範囲内において、十分に膜厚均一性の高い配向膜を配置することができる。
ここで、図６（ａ）〜（ｄ）において、Ｄ１方向及びＤ２方向における配向膜８５の膜厚分布の概念図を示す。より具体的には、図６（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ配向膜を矩形状としたとき、すなわち従来の配向膜を形成したときのＤ１及びＤ２方向の膜厚分布の概念図を示している。また、図６（ｃ）〜（ｄ）は、それぞれ配向膜を非矩形状としたとき、すなわち本発明の配向膜を形成したときの、Ｄ１方向及びＤ２方向の膜厚分布の概念図を示している。
かかる概念図から理解できるように、従来の矩形状の配向膜は、中央近傍が最も厚い凸形状をしており、特に表示領域（Ａ）の範囲においてその膜厚ムラが顕著に見られる。
その一方で、本発明のような非矩形状の配向膜は、同様に凸形状をしてはいるものの、その膜厚ムラは比較的小さく、特に表示領域内（Ａ）においては、高い膜厚均一性を有していると言える。また、樹脂がフローすることにより、その外周部分に薄膜領域が形成されているが、この領域は、円相当半径Ｄ２を最長距離Ｄ１よりも大きくすることにより、表示領域の外側に配置させることができる。
このとき、最長距離Ｄ１と円相当半径Ｄ２との関係としては、上述したとおり、Ｄ２をＤ１よりも大きくすることが好ましいが、円相当半径Ｄ２を過度に大きくしすぎた場合や、最長距離Ｄ１を過度に小さくしすぎた場合には、配向膜の表示に寄与しない不要部分が広くなり過ぎたり、表示領域が過度に狭くなりすぎたりする場合が見られる。
したがって、（Ｄ１／Ｄ２）×１００（％）で表される値を定義したとき、その数値範囲としては、１００（％）を超えて２００（％）以下の範囲内の値とすることが好ましく、１１０〜１３０（％）の範囲内の値とすることがより好ましい。
なお、ここで円相当半径とは、平面形状と面積の等しい真円を想定したときの当該真円の半径を意味している。
かかる概念図から理解できるように、従来の矩形状の配向膜は、中央近傍が最も厚い凸形状をしており、特に表示領域（Ａ）の範囲においてその膜厚ムラが顕著に見られる。
その一方で、本発明のような非矩形状の配向膜は、同様に凸形状をしてはいるものの、その膜厚ムラは比較的小さく、特に表示領域内（Ａ）においては、高い膜厚均一性を有していると言える。また、樹脂がフローすることにより、その外周部分に薄膜領域が形成されているが、この領域は、円相当半径Ｄ２を最長距離Ｄ１よりも大きくすることにより、表示領域の外側に配置させることができる。
このとき、最長距離Ｄ１と円相当半径Ｄ２との関係としては、上述したとおり、Ｄ２をＤ１よりも大きくすることが好ましいが、円相当半径Ｄ２を過度に大きくしすぎた場合や、最長距離Ｄ１を過度に小さくしすぎた場合には、配向膜の表示に寄与しない不要部分が広くなり過ぎたり、表示領域が過度に狭くなりすぎたりする場合が見られる。
したがって、（Ｄ１／Ｄ２）×１００（％）で表される値を定義したとき、その数値範囲としては、１００（％）を超えて２００（％）以下の範囲内の値とすることが好ましく、１１０〜１３０（％）の範囲内の値とすることがより好ましい。
なお、ここで円相当半径とは、平面形状と面積の等しい真円を想定したときの当該真円の半径を意味している。
また、図７（ａ）に示すように、この表示領域Ａを素子基板６０上に複数設けた構成とすることが好ましい。すなわち、素子基板６０及び対向基板３０からなる一対の基板は、複数の単品パネルに分割される大判パネルであって、配向膜８５ｄを一対の基板上に複数形成するとともに、当該複数の配向膜８５ｄをそれぞれ単品パネルの表示領域Ａを含む領域に形成することが好ましい。
この理由は、かかる配向膜８５ｄをフレキソ印刷法等により形成する場合に、非矩形状により得られる効果を維持したままで、短期間に大量の配向膜を連続的に形成することができるためである。このとき、個々の配向膜８５ｄの平面形状としては、例えば、図７（ａ）に示すように真円状とすることができる。
また、図７（ｂ）に示すように、個々の配向膜８５ｅの平面形状を楕円形状とするとともに、当該楕円形状の長軸方向を交互に配列した配向膜とすることが好ましい。
この理由は、隣接する配向膜間の距離をその平面形状に合わせて適宜変更することができ、フローした際に配向膜同士が接触することを防止できるためである。
この理由は、かかる配向膜８５ｄをフレキソ印刷法等により形成する場合に、非矩形状により得られる効果を維持したままで、短期間に大量の配向膜を連続的に形成することができるためである。このとき、個々の配向膜８５ｄの平面形状としては、例えば、図７（ａ）に示すように真円状とすることができる。
また、図７（ｂ）に示すように、個々の配向膜８５ｅの平面形状を楕円形状とするとともに、当該楕円形状の長軸方向を交互に配列した配向膜とすることが好ましい。
この理由は、隣接する配向膜間の距離をその平面形状に合わせて適宜変更することができ、フローした際に配向膜同士が接触することを防止できるためである。
（４）シール材形成領域との関係
また、配向膜８５とシール材形成領域との関係として、配向膜８５がシール材形成領域の少なくとも一部と重なるように配置してあることが好ましい。
すなわち、図８に示すように、配向膜８５が、シール材形成領域２３Ｘと部分的に重なるように配置してあることが好ましい。
この理由は、このように配置することにより、非矩形状の配向膜を用いた場合であっても、表示領域と重ならない余分な配向膜をシール材の外側に配置させることができ、表示領域を広く設けることができるためである。
しかしながら、このように配向膜を配置した場合には、シール材と素子基板との間に電気絶縁性材料が介在して、導通を採ることが困難になる場合が見られる。その場合には、図８に示すように、上下導通をとるための接触領域を端部領域（Ｄ）内に配置したり、接触領域に相当する部分を除去した配向膜８５を配置したりすることで、導通を阻害することなく、非矩形状の配向膜を配置することができる。
また、配向膜８５とシール材形成領域との関係として、配向膜８５がシール材形成領域の少なくとも一部と重なるように配置してあることが好ましい。
すなわち、図８に示すように、配向膜８５が、シール材形成領域２３Ｘと部分的に重なるように配置してあることが好ましい。
この理由は、このように配置することにより、非矩形状の配向膜を用いた場合であっても、表示領域と重ならない余分な配向膜をシール材の外側に配置させることができ、表示領域を広く設けることができるためである。
しかしながら、このように配向膜を配置した場合には、シール材と素子基板との間に電気絶縁性材料が介在して、導通を採ることが困難になる場合が見られる。その場合には、図８に示すように、上下導通をとるための接触領域を端部領域（Ｄ）内に配置したり、接触領域に相当する部分を除去した配向膜８５を配置したりすることで、導通を阻害することなく、非矩形状の配向膜を配置することができる。
［第２実施形態］
第２実施形態は、一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、一対の基板上に、それぞれ導電パターンを形成する工程と、一対の基板上の表示領域を含む領域に対して、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させて部分被覆するように、平面形状が非矩形状である配向膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
以下、図９〜図１２を適宜参照しながら、第２実施形態について詳細に説明する。また、本実施形態における液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリックス構造を有する素子基板と、カラーフィルタを備えた対向基板とから構成してあり、それぞれの基板に非矩形状の配向膜を形成する場合を例に採って説明する。
第２実施形態は、一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、一対の基板上に、それぞれ導電パターンを形成する工程と、一対の基板上の表示領域を含む領域に対して、一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させて部分被覆するように、平面形状が非矩形状である配向膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
以下、図９〜図１２を適宜参照しながら、第２実施形態について詳細に説明する。また、本実施形態における液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリックス構造を有する素子基板と、カラーフィルタを備えた対向基板とから構成してあり、それぞれの基板に非矩形状の配向膜を形成する場合を例に採って説明する。
１．素子基板の製造工程
（１）導電パターンの形成工程
まず、図９中Ｓ１として示される導電パターンの形成工程を実施する。かかる導電パターンの形成工程は、基体上に導電性材料を堆積させ、所定のパターニング処理を施すことにより導電パターンを形成する工程である。
このとき、用いられる導電性材料としては、クロム、タンタル、モリブデン等の導電性材料を用いることができる。また、これらをスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により、基体上に所定厚さまで堆積させることにより、導電膜を形成することができる。更に、この導電膜に対して公知の方法を用いてパターニング処理を施すことにより、データ線や引き回し配線といった電気配線としての導電パターンを形成することができる。
また、この導電パターンの厚さとしては、配線抵抗やセル厚さ等から任意に選択することができるが、過度に厚くしすぎたような場合には、後のラビング処理の際に、ラビング部材への衝撃が大きくなってラビングすじが発生する場合が見られる。また逆に薄くしすぎたような場合には、配線抵抗が過度に高くなってインピーダンス不整合が生じる場合が見られる。したがって、かかる導電膜の厚さとしては、０．０１〜２（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、０．０５〜０．５（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
（１）導電パターンの形成工程
まず、図９中Ｓ１として示される導電パターンの形成工程を実施する。かかる導電パターンの形成工程は、基体上に導電性材料を堆積させ、所定のパターニング処理を施すことにより導電パターンを形成する工程である。
このとき、用いられる導電性材料としては、クロム、タンタル、モリブデン等の導電性材料を用いることができる。また、これらをスパッタリング法や電子ビーム蒸着法により、基体上に所定厚さまで堆積させることにより、導電膜を形成することができる。更に、この導電膜に対して公知の方法を用いてパターニング処理を施すことにより、データ線や引き回し配線といった電気配線としての導電パターンを形成することができる。
また、この導電パターンの厚さとしては、配線抵抗やセル厚さ等から任意に選択することができるが、過度に厚くしすぎたような場合には、後のラビング処理の際に、ラビング部材への衝撃が大きくなってラビングすじが発生する場合が見られる。また逆に薄くしすぎたような場合には、配線抵抗が過度に高くなってインピーダンス不整合が生じる場合が見られる。したがって、かかる導電膜の厚さとしては、０．０１〜２（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、０．０５〜０．５（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
（２）ＴＦＴ素子の形成工程
次いで、図９中Ｓ２として示されるＴＦＴ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＴ素子の形成工程は、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることにより、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子等のスイッチング素子を形成する工程である。
スイッチング素子を形成するにあたり、まず基体６１上にゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モリブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。
次いで、図９中Ｓ２として示されるＴＦＴ素子の形成工程を実施する。かかるＴＦＴ素子の形成工程は、素子基板の基体上に金属膜および絶縁膜を形成し、パターニングすることにより、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴ素子等のスイッチング素子を形成する工程である。
スイッチング素子を形成するにあたり、まず基体６１上にゲート電極７１を形成する。このゲート電極７１は、例えば、クロム、タンタル、モリブデン等の低抵抗材料から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。
次いで、このゲート電極７１上に、絶縁層としてのゲート絶縁膜７２を形成する。このゲート絶縁膜７２は、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化シリコン（ＳｉＯx）等の電気絶縁材料を積層させて形成することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成することができる。さらに、この半導体層７０の両端部分に、ドープトａ−Ｓｉ等によりコンタクト電極７７を形成することができる。
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極６６を形成することができる。このとき、ソース電極７３、ソースバス配線（図示せず）及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することができる。
このようにＴＦＴ素子を形成する場合には、ゲート電極、ソース電極、あるいはドレイン電極は、導電性材料を基板表面に蒸着させることにより形成することができる。すなわち、上述した導電パターンを形成する方法と同一であることから、これらの電極を形成する工程と、導電パターンを形成する工程と、は同一工程として実施することで、工程簡略化に資することができる。
次いで、このゲート絶縁膜７２上に、ａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等の半導体材料を積層させて半導体層７０を形成することができる。さらに、この半導体層７０の両端部分に、ドープトａ−Ｓｉ等によりコンタクト電極７７を形成することができる。
最後に、このコンタクト電極７７と接触するように、ソース電極７３及びそれと一体をなすソースバス配線並びにドレイン電極６６を形成することができる。このとき、ソース電極７３、ソースバス配線（図示せず）及びドレイン電極６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等の低抵抗材料を、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることで形成することができる。
このようにＴＦＴ素子を形成する場合には、ゲート電極、ソース電極、あるいはドレイン電極は、導電性材料を基板表面に蒸着させることにより形成することができる。すなわち、上述した導電パターンを形成する方法と同一であることから、これらの電極を形成する工程と、導電パターンを形成する工程と、は同一工程として実施することで、工程簡略化に資することができる。
（３）画素電極等の形成工程
次いで、図９中Ｓ３として示される画素電極等の形成工程を実施する。かかる画素電極等の形成工程は、主に、ＴＦＴ素子等を外部衝撃から保護するための保護膜を形成する工程と、この保護層に対して、透明導電膜等を蒸着することにより画素電極を形成する工程と、から構成される。
より具体的には、図１０（ｂ）に示すように、表面にＴＦＴ素子を備えた基体６１に対して、透明性樹脂材料を塗布し、所定のパターニング処理を実施することにより、コンタクトホール８３を備えた保護膜８１を形成することができる。
次いで、対向電極と相対する位置に、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成する。
次いで、図９中Ｓ３として示される画素電極等の形成工程を実施する。かかる画素電極等の形成工程は、主に、ＴＦＴ素子等を外部衝撃から保護するための保護膜を形成する工程と、この保護層に対して、透明導電膜等を蒸着することにより画素電極を形成する工程と、から構成される。
より具体的には、図１０（ｂ）に示すように、表面にＴＦＴ素子を備えた基体６１に対して、透明性樹脂材料を塗布し、所定のパターニング処理を実施することにより、コンタクトホール８３を備えた保護膜８１を形成することができる。
次いで、対向電極と相対する位置に、スパッタリング法等により透明導電膜することにより、画素電極６３を形成する。
（４）配向膜の形成工程
次いで、図９中Ｓ４として示される配向膜の形成工程を実施する。かかる配向膜の形成工程は、図１０（ｃ）に示すように、ポリイミド樹脂等からなる非矩形状の配向膜８５を、導電パターンの端子部を残して部分被覆するように形成する工程である。
この配向膜８５の形成方法としては、フレキソ印刷法、あるいはスクリーン印刷法を用いることが好ましい。この理由は、このような汎用性が高い従来の印刷方法を用いることにより、生産性を維持しつつ膜厚均一性に優れた配向膜を形成することができるためである。本実施形態では特に汎用性の高いフレキソ印刷法を用いた場合を例に採って説明する。
次いで、図９中Ｓ４として示される配向膜の形成工程を実施する。かかる配向膜の形成工程は、図１０（ｃ）に示すように、ポリイミド樹脂等からなる非矩形状の配向膜８５を、導電パターンの端子部を残して部分被覆するように形成する工程である。
この配向膜８５の形成方法としては、フレキソ印刷法、あるいはスクリーン印刷法を用いることが好ましい。この理由は、このような汎用性が高い従来の印刷方法を用いることにより、生産性を維持しつつ膜厚均一性に優れた配向膜を形成することができるためである。本実施形態では特に汎用性の高いフレキソ印刷法を用いた場合を例に採って説明する。
配向膜を形成する方法としてのフレキソ印刷法は、図１１に示すような、配向膜形成装置としてのフレキソ印刷機４００によって実施することができる。
このフレキソ印刷機４００は、表面に凸部３０５を備えた凸版ローラ３０１と、この凸版ローラ３０１と近接し、一部が当接するように配置されたアニロックスローラ３０２と、このアニロックスローラ３０２と近接し、アニロックスローラ３０２表面上に付着した配向材料８５Ｘの厚さを規制するためのドクターローラ３０３と、から構成されている。
また、凸版ローラ３０１は、印刷対象物である素子基板６０と、凸部３０５を介して当接しており、回転動作しながら、素子基板６０の表面に所定の配向膜パターンを形成することができる。
また、アニロックスローラ３０２は、表面に形成された配向材料の薄層を、凸部３０５に転写させるためのローラであって、ここで形成される薄層の厚さによって、素子基板６０上での配向膜の厚さが制御されている。
また、ドクターローラ３０３は、アニロックスローラ３０２表面に形成される薄層の厚さを制御するための層厚規制部材としての層厚規制ローラである。すなわち、アニロックスローラ３０２とのギャップにより、実質的にアニロックスローラ３０２表面に形成される薄層の層厚が規定されることとなる。
このフレキソ印刷機４００は、表面に凸部３０５を備えた凸版ローラ３０１と、この凸版ローラ３０１と近接し、一部が当接するように配置されたアニロックスローラ３０２と、このアニロックスローラ３０２と近接し、アニロックスローラ３０２表面上に付着した配向材料８５Ｘの厚さを規制するためのドクターローラ３０３と、から構成されている。
また、凸版ローラ３０１は、印刷対象物である素子基板６０と、凸部３０５を介して当接しており、回転動作しながら、素子基板６０の表面に所定の配向膜パターンを形成することができる。
また、アニロックスローラ３０２は、表面に形成された配向材料の薄層を、凸部３０５に転写させるためのローラであって、ここで形成される薄層の厚さによって、素子基板６０上での配向膜の厚さが制御されている。
また、ドクターローラ３０３は、アニロックスローラ３０２表面に形成される薄層の厚さを制御するための層厚規制部材としての層厚規制ローラである。すなわち、アニロックスローラ３０２とのギャップにより、実質的にアニロックスローラ３０２表面に形成される薄層の層厚が規定されることとなる。
このように構成されるフレキソ印刷機４００を以下の手順で用いることで、基板上に非矩形状の配向膜を形成することができる。
まず、図１１に示すように、アニロックスローラ３０２とドクターローラ３０３の間隙に配向膜の原料となる配向剤８５Ｘを滴下する。この配向剤８５Ｘは上述したとおりポリイミド樹脂等の透明性樹脂材料から構成されている。
次いで、この配向剤８５Ｘは、ドクターローラ３０３に規制されつつ、アニロックスローラ３０２上に薄層となって付着する。この薄層の層厚としては、配向膜の厚さに応じて適宜変更することができるが、過度に厚くしすぎた場合には膜厚精度が低下して、基板上での膜厚ムラが発生する場合がある。また逆に過度に薄くしすぎたような場合には、アニロックスローラ表面上で薄層が部分的に形成されないような場合がある。
したがって、かかる薄層の層厚としては、０．０１〜１００（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜１０（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
次いで、アニロックスローラ３０２上に形成された薄層は、凸版ローラ３０１上に設けられた凸部３０５表面に圧接され、転写される。このように転写された配向剤８５Ｘは、凸部３０５上において、同心円状にフローすることにより、その膜厚均一性の高い状態を維持したまま、素子基板６０上へと搬送されることとなる。
次いで、凸版３０５上に転写した配向剤８５Ｘは、素子基板６０上の表示領域を含む所定領域に圧接され、転写される。このときもまた、上述したように、配向剤が素子基板上で同心円状にフローして、膜厚均一性に優れた配向膜８５を形成することができる。
また、この配向膜８５は、素子基板上に既に形成してある導電パターンの端子部を残すように、素子基板６０上において形成される、すなわち、配向膜８５は、端子部と重ならないように配置されたり、又は、その一部に開口部を設けてあり、当該開口部により端子部が露出するように配置されることとなる。
また、凸版ローラ３０１上に設けられた凸部３０５の平面形状としては、配向膜８５を非矩形状に形成するものであれば特に限定されるものではなく、凸部３０５の平面形状を矩形状としつつ、転写後の樹脂がフローすることにより、結果的に配向膜の平面形状を非矩形状とすることもできる。
まず、図１１に示すように、アニロックスローラ３０２とドクターローラ３０３の間隙に配向膜の原料となる配向剤８５Ｘを滴下する。この配向剤８５Ｘは上述したとおりポリイミド樹脂等の透明性樹脂材料から構成されている。
次いで、この配向剤８５Ｘは、ドクターローラ３０３に規制されつつ、アニロックスローラ３０２上に薄層となって付着する。この薄層の層厚としては、配向膜の厚さに応じて適宜変更することができるが、過度に厚くしすぎた場合には膜厚精度が低下して、基板上での膜厚ムラが発生する場合がある。また逆に過度に薄くしすぎたような場合には、アニロックスローラ表面上で薄層が部分的に形成されないような場合がある。
したがって、かかる薄層の層厚としては、０．０１〜１００（μｍ）の範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜１０（μｍ）の範囲内の値とすることがより好ましい。
次いで、アニロックスローラ３０２上に形成された薄層は、凸版ローラ３０１上に設けられた凸部３０５表面に圧接され、転写される。このように転写された配向剤８５Ｘは、凸部３０５上において、同心円状にフローすることにより、その膜厚均一性の高い状態を維持したまま、素子基板６０上へと搬送されることとなる。
次いで、凸版３０５上に転写した配向剤８５Ｘは、素子基板６０上の表示領域を含む所定領域に圧接され、転写される。このときもまた、上述したように、配向剤が素子基板上で同心円状にフローして、膜厚均一性に優れた配向膜８５を形成することができる。
また、この配向膜８５は、素子基板上に既に形成してある導電パターンの端子部を残すように、素子基板６０上において形成される、すなわち、配向膜８５は、端子部と重ならないように配置されたり、又は、その一部に開口部を設けてあり、当該開口部により端子部が露出するように配置されることとなる。
また、凸版ローラ３０１上に設けられた凸部３０５の平面形状としては、配向膜８５を非矩形状に形成するものであれば特に限定されるものではなく、凸部３０５の平面形状を矩形状としつつ、転写後の樹脂がフローすることにより、結果的に配向膜の平面形状を非矩形状とすることもできる。
（５）熱硬化処理工程
次いで、図９中Ｓ５として示される熱硬化処理工程を実施する。かかる熱硬化処理工程は、配向膜８５に対して所定の加熱処理を施すことにより、樹脂材料である配向膜から溶媒を揮発させるとともに、硬化収縮させて形状を安定化させる工程である。
その加熱方法としては、ヒータを備えた加熱装置を用いて、例えば、加熱時間１〜６０分、加熱温度１５０〜２５０℃の条件で実施することにより、所望の形状に熱硬化させることができる。
このとき、配向膜８５は平面形状が非矩形状であることから、例えば円形状もしくは楕円形状である場合には、その収縮方向を中心方向に向かって放射線状とすることができ、矩形状の場合に不可避的に発生する角部分での応力集中を回避して、均一に硬化収縮させることができる。
次いで、図９中Ｓ５として示される熱硬化処理工程を実施する。かかる熱硬化処理工程は、配向膜８５に対して所定の加熱処理を施すことにより、樹脂材料である配向膜から溶媒を揮発させるとともに、硬化収縮させて形状を安定化させる工程である。
その加熱方法としては、ヒータを備えた加熱装置を用いて、例えば、加熱時間１〜６０分、加熱温度１５０〜２５０℃の条件で実施することにより、所望の形状に熱硬化させることができる。
このとき、配向膜８５は平面形状が非矩形状であることから、例えば円形状もしくは楕円形状である場合には、その収縮方向を中心方向に向かって放射線状とすることができ、矩形状の場合に不可避的に発生する角部分での応力集中を回避して、均一に硬化収縮させることができる。
（６）ラビング処理工程
次いで、図９中Ｓ６として示されるラビング処理工程を実施する。かかるラビング処理は、配向膜８５を備えた基板６０に対して、図１２に示すように、所定方向Ｍに回転したラビング部材１９０に対して、矢印Ｌの方向に基板６０を挿入することにより、両者が接触し、かかる配向膜上に凹凸形状を形成するものである。
このとき、配向膜８５は、その膜厚が不均一である場合には、ラビング部材１９０により形成される凹凸もまた不均一となるが、本発明のように、その平面形状を非矩形状とした場合には、表面に均一な凹凸形状が形成されて、液晶材料のプレティルト角を精度良く規定することができる。
また、図１２に示すように、導電パターン９９を、ラビングローラ１９０の回転軸（Ｚ）とのなす角が０〜６０°の範囲内の値となるように配置することが好ましい。
この理由は、配向膜の段差とラビングローラとが接触したときに発生する衝撃を緩和させ、ラビングすじの発生を防止することができるためである。
また、本発明のように配向膜の平面形状を非矩形状とした場合には、配向膜の段差とラビングローラとが接触する際に、その衝撃を効果的に分散させることができ、更にラビングすじの発生を防止することができる。
次いで、図９中Ｓ６として示されるラビング処理工程を実施する。かかるラビング処理は、配向膜８５を備えた基板６０に対して、図１２に示すように、所定方向Ｍに回転したラビング部材１９０に対して、矢印Ｌの方向に基板６０を挿入することにより、両者が接触し、かかる配向膜上に凹凸形状を形成するものである。
このとき、配向膜８５は、その膜厚が不均一である場合には、ラビング部材１９０により形成される凹凸もまた不均一となるが、本発明のように、その平面形状を非矩形状とした場合には、表面に均一な凹凸形状が形成されて、液晶材料のプレティルト角を精度良く規定することができる。
また、図１２に示すように、導電パターン９９を、ラビングローラ１９０の回転軸（Ｚ）とのなす角が０〜６０°の範囲内の値となるように配置することが好ましい。
この理由は、配向膜の段差とラビングローラとが接触したときに発生する衝撃を緩和させ、ラビングすじの発生を防止することができるためである。
また、本発明のように配向膜の平面形状を非矩形状とした場合には、配向膜の段差とラビングローラとが接触する際に、その衝撃を効果的に分散させることができ、更にラビングすじの発生を防止することができる。
２．対向基板の製造工程
（１）遮光膜の形成工程
次に、対向基板３０の製造方法について説明する。
図９中Ｓ１´として示される遮光膜の形成工程は、図１に示すように、基体３１上に、それぞれの画素領域に対応する複数の開口部を備えた遮光膜３９を形成する工程であえる。
このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。ただし、膜厚が薄い場合であっても遮光性を確保することができるとともに、遮光膜３９による段差を小さくすることができることから、クロム等の金属膜を遮光膜として使用することが好ましい。
かかる金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、例えば、クロム（Ｃｒ）等の金属材料を蒸着法等により第１の基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成することができる。
（１）遮光膜の形成工程
次に、対向基板３０の製造方法について説明する。
図９中Ｓ１´として示される遮光膜の形成工程は、図１に示すように、基体３１上に、それぞれの画素領域に対応する複数の開口部を備えた遮光膜３９を形成する工程であえる。
このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。ただし、膜厚が薄い場合であっても遮光性を確保することができるとともに、遮光膜３９による段差を小さくすることができることから、クロム等の金属膜を遮光膜として使用することが好ましい。
かかる金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、例えば、クロム（Ｃｒ）等の金属材料を蒸着法等により第１の基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成することができる。
（２）カラーフィルタ層等の形成工程
次いで、図９中Ｓ２´として示されるカラーフィルタ層等の形成工程は、遮光膜３９が形成された基板３１上に、カラーフィルタ層３７を形成する工程と、リタデーション調整のための層厚調整層４１を形成する工程と、から構成される。
かかるカラーフィルタ層３７は、例えば、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、遮光膜３９が形成された基板３１上に、スピンコータやスリットコータを用いて塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。そして、色毎に上記工程を繰り返すことにより、複数色のカラーフィルタ層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂを配列形成する。
次いで、図９中Ｓ２´として示されるカラーフィルタ層等の形成工程は、遮光膜３９が形成された基板３１上に、カラーフィルタ層３７を形成する工程と、リタデーション調整のための層厚調整層４１を形成する工程と、から構成される。
かかるカラーフィルタ層３７は、例えば、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、遮光膜３９が形成された基板３１上に、スピンコータやスリットコータを用いて塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。そして、色毎に上記工程を繰り返すことにより、複数色のカラーフィルタ層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂを配列形成する。
次いで、基板３１上に全面的に光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料を塗布するとともに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、少なくとも表示領域に相当する領域に、タデーション調整のための層厚調整層４１を形成する。
かかる樹脂材料としては、例えば、などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコータやスリットコータなどを用いて塗布することができる。
かかる樹脂材料としては、例えば、などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコータやスリットコータなどを用いて塗布することができる。
（３）対向電極等の形成工程
次いで、図９中Ｓ３´として示される対向電極層の形成工程は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極を形成する工程と、液晶を配向制御するための配向膜４５を形成する工程と、から構成される。
かかる対向電極は、層厚調整層４１上に全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層をスパッタリング法により形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施すことにより、対向電極３３を形成する。
次いで、図９中Ｓ３´として示される対向電極層の形成工程は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる対向電極を形成する工程と、液晶を配向制御するための配向膜４５を形成する工程と、から構成される。
かかる対向電極は、層厚調整層４１上に全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層をスパッタリング法により形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施すことにより、対向電極３３を形成する。
（４）配向膜の形成工程等
次いで、図９中Ｓ４´〜Ｓ６´として示される配向膜の形成工程、熱硬化処理工程、及びラビング処理工程を実施する。これらの工程は、素子基板の製造工程において実施した工程とそれぞれ同様の条件で実施することができる。
次いで、図９中Ｓ４´〜Ｓ６´として示される配向膜の形成工程、熱硬化処理工程、及びラビング処理工程を実施する。これらの工程は、素子基板の製造工程において実施した工程とそれぞれ同様の条件で実施することができる。
３．貼合工程等
次いで、図９中Ｓ７として示される貼合工程は、カラーフィルタ基板又は素子基板のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板及び素子基板を貼り合わせて、セル構造を形成する工程である。
このようにして形成された一対の基板に対して、シール材の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入し、封止材２５等により封止することにより、間隙内部に液晶材料を備えた液晶パネルを形成することができる。
次いで、図９中Ｓ７として示される貼合工程は、カラーフィルタ基板又は素子基板のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板及び素子基板を貼り合わせて、セル構造を形成する工程である。
このようにして形成された一対の基板に対して、シール材の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入し、封止材２５等により封止することにより、間隙内部に液晶材料を備えた液晶パネルを形成することができる。
４．後工程
次いで、図９中Ｓ８として示される後工程は、カラーフィルタ基板及び素子基板それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）４７、７７及び偏光板４９、７９を配置したり、ドライバを実装する工程である。これらの工程を経て、本発明における液晶装置１０を製造することができる。
次いで、図９中Ｓ８として示される後工程は、カラーフィルタ基板及び素子基板それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）４７、７７及び偏光板４９、７９を配置したり、ドライバを実装する工程である。これらの工程を経て、本発明における液晶装置１０を製造することができる。
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図１３は、本発明の電子光学装置を備えた電子機器３００の概略構成図である。この電子機器３００の例では、液晶装置等の電子光学装置３１０と、これを制御するための制御手段３２０と有している。そして、電子光学装置３１０を、パネル構造体３１０ａと、半導体素子（半導体素子）等で構成される駆動回路３１０ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段３２０は、表示情報出力源３３１と、表示情報処理回路３３２と、電源回路３３３と、タイミングジェネレータ３３４とから構成してある。
さらに、表示情報出力源３３１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ３３４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路３３２に供給するように構成されている。
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の液晶装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図１３は、本発明の電子光学装置を備えた電子機器３００の概略構成図である。この電子機器３００の例では、液晶装置等の電子光学装置３１０と、これを制御するための制御手段３２０と有している。そして、電子光学装置３１０を、パネル構造体３１０ａと、半導体素子（半導体素子）等で構成される駆動回路３１０ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段３２０は、表示情報出力源３３１と、表示情報処理回路３３２と、電源回路３３３と、タイミングジェネレータ３３４とから構成してある。
さらに、表示情報出力源３３１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ３３４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路３３２に供給するように構成されている。
また、表示情報処理回路３３２は、シリアルーパラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３１０ｂへ供給するように構成してある。さらに、駆動回路３１０ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含み、電源回路３３３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
よって、本実施形態の電子機器は、配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、配向膜の膜厚均一性に優れ、ティルトムラの発生を抑えた液晶装置を備えているために、画像表示特性に優れた電子機器とすることができる。
よって、本実施形態の電子機器は、配向膜の平面形状を非矩形状とすることにより、配向膜の膜厚均一性に優れ、ティルトムラの発生を抑えた液晶装置を備えているために、画像表示特性に優れた電子機器とすることができる。
本発明の液晶装置、液晶装置の製造方法によれば、配向膜の平面形状を円形や楕円形等の非矩形形状とすることで、印刷直後において、樹脂を同心円状にフローさせることで膜厚均一性を高めることができ、更には、硬化収縮時おいて、収縮歪みの発生を防止して、熱収縮後の膜厚均一性にも優れた配向膜とすることができる。その結果、ラビング処理した際に均一な凹凸形状が形成され、ティルトムラの発生の少ない液晶装置とすることができる。また、配向膜を非矩形状に形成することで、駆動素子等の周辺部材と干渉するような場合であっても、その配向膜の一部に開口部を設けることにより、このような問題を回避することができる。
したがって、本発明に係る液晶装置の製造方法によって得られた液晶装置、およびそれを備えた電子機器は、高品位であって、高い経済性を発揮することができる。したがって、電子機器として、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器に適用することができる。
したがって、本発明に係る液晶装置の製造方法によって得られた液晶装置、およびそれを備えた電子機器は、高品位であって、高い経済性を発揮することができる。したがって、電子機器として、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器に適用することができる。
１０：液晶装置、２３：シール材、２３ａ：注入口、３０：対向基板、３１：基体、３３：対向電極、４５：配向膜、６０：素子基板、６１：基体、６３：画素電極、６５：データ線、６９：ＴＦＴ素子、８５：非配向膜、９５：溝部、９９：導電パターン、１９０：ラビング部材、４００：フレキソ印刷機
Claims (11)
- 一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置において、
前記配向膜の平面形状を、頂点を有さない非矩形状とするとともに、
前記配向膜は、前記一対の基板上の表示領域を含む領域に、前記一対の基板上の少なくとも一方における前記導電パターンの端子部を露出させるように配置してあることを特徴とする液晶装置。 - 前記配向膜の平面形状を円形状または楕円形状とすることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
- 前記表示領域の平面形状を矩形状にするとともに、当該表示領域における対角線の交点位置と当該表示領域の外縁との最長距離をＤ１とし、前記配向膜の平面形状における円相当半径をＤ２としたとき、前記配向膜の中心位置及び前記表示領域の交点位置を一致させるとともに、前記円相当半径Ｄ２を前記最長距離Ｄ１よりも大きくすることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
- 前記表示領域の平面形状を矩形状にするとともに、当該表示領域における対角線の交点位置と当該表示領域の外縁との最長距離をＤ１とし、前記交点位置と前記配向膜の平面形状における外縁との最短距離をＤ３としたとき、前記最短距離Ｄ３を前記最長距離Ｄ１よりも大きくすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記配向膜の面積をＳ１とし、前記表示領域の面積をＳ２としたとき、（Ｓ１／Ｓ２）×１００（％）で表される値を１２０（％）以上とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記配向膜の一部には、前記端子部を露出させるための開口部が設けてあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 前記配向膜が、前記一対の基板を貼り合わせるためのシール材を形成する領域と、少なくとも一部が重なるように配置してあることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 一対の基板上に、それぞれ導電パターン及び配向膜を備えた液晶装置の製造方法において、
前記一対の基板上に、それぞれ導電パターンを形成する工程と、
前記一対の基板上の表示領域を含む領域に対して、前記一対の基板上の少なくとも一方における導電パターンの端子部を露出させて部分被覆するように、平面形状が頂点を有さない非矩形状である配向膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 前記配向膜を形成する工程の後に、前記配向膜上をラビング処理するラビング処理工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記配向膜を、フレキソ印刷法またはスクリーン印刷法により印刷形成することを特徴とする請求項８又は９に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記一対の基板は複数の単品パネルに分割される大判パネルであって、前記配向膜を前記一対の基板上に複数形成するとともに、当該複数の配向膜をそれぞれ前記単品パネルの表示領域を含む領域に形成することを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
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2006
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