JP2007219091A - Driving circuit, electrooptical device, and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、駆動回路、電気光学装置及び電子機器に関する。 The present invention relates to a drive circuit, an electro-optical device, and an electronic apparatus.
従来より、携帯電話機等の電子機器に用いられる液晶パネル(電気光学装置)として、単純マトリクス方式の液晶パネルと、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す)等のスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶パネルとが知られている。 Conventionally, as a liquid crystal panel (electro-optical device) used in an electronic device such as a mobile phone, an active matrix using a simple matrix type liquid crystal panel and a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT). A liquid crystal panel of the type is known.
単純マトリクス方式は、アクティブマトリクス方式に比べて低消費電力化が容易であるという利点がある反面、多色化や動画表示が難しいという不利点がある。一方、アクティブマトリクス方式は、多色化や動画表示に適しているという利点がある反面、低消費電力化が難しいという不利点がある。 The simple matrix method has an advantage that the power consumption can be easily reduced as compared with the active matrix method, but has a disadvantage that it is difficult to increase the number of colors and display a moving image. On the other hand, the active matrix method has an advantage that it is suitable for multi-color and moving image display, but has a disadvantage that it is difficult to reduce power consumption.
そして、近年、携帯電話機等の携帯型電子機器では、高品質な画像の提供のために、多色化、動画表示への要望が強まっている。このため、これまで用いられてきた単純マトリクス方式の液晶パネルに代えて、アクティブマトリクス方式の液晶パネルが用いられるようになってきた。 In recent years, in portable electronic devices such as mobile phones, there has been a growing demand for multicolor and moving image display in order to provide high-quality images. For this reason, an active matrix type liquid crystal panel has been used instead of the simple matrix type liquid crystal panel used so far.
一般に、画像表示を行うための駆動信号は、表示装置の階調特性に応じてガンマ補正が行われる。液晶装置を例にとれば、ガンマ補正により、階調表示を行うための階調データに基づいて、最適な画素の透過率を実現するように補正された階調電圧が出力される。そして、この階調電圧に基づいてソース線が駆動される。
ところが、近年、表示画像の高画質化の要求が多くなり、電気光学装置のソース線を駆動する駆動回路に対し、多階調化の要望が高まっている。この場合、電気光学装置の複数のソース線の各ソース線を駆動する各出力バッファに対して、より多くの種類の階調電圧を供給しなければならない。 However, in recent years, there has been an increasing demand for higher image quality of display images, and there is an increasing demand for multi-gradation for a drive circuit that drives a source line of an electro-optical device. In this case, it is necessary to supply more types of gradation voltages to the output buffers that drive the source lines of the plurality of source lines of the electro-optical device.
一般的に、駆動回路を半導体基板上に集積化させると、半導体基板の長辺方向に沿って複数の出力バッファが並ぶ構成が採用される。そのため、階調電圧信号線群もまた、半導体基板の長辺方向に延びるように配置されることになる。従って、階調電圧信号線の数を増加させる場合には、半導体基板の長辺方向と交差する該半導体基板の短辺方向のレイアウト面積を増加させてしまう。例えば、各ドットの階調データのビット数を6とすると、階調電圧信号線の数は64(=26)本となるが、階調データのビット数を8とすると、階調電圧信号線の数が256(=28)本となり、階調電圧信号線群のレイアウト面積が4(=28−6)倍に増加してしまう。 Generally, when a driving circuit is integrated on a semiconductor substrate, a configuration in which a plurality of output buffers are arranged along the long side direction of the semiconductor substrate is employed. Therefore, the gradation voltage signal line group is also arranged so as to extend in the long side direction of the semiconductor substrate. Therefore, when the number of gradation voltage signal lines is increased, the layout area in the short side direction of the semiconductor substrate intersecting the long side direction of the semiconductor substrate is increased. For example, if the number of bits of gradation data for each dot is 6, the number of gradation voltage signal lines is 64 (= 2 6 ), but if the number of bits of gradation data is 8, the gradation voltage signal The number of lines becomes 256 (= 2 8 ), and the layout area of the grayscale voltage signal line group increases 4 times (= 2 8-6 ) times.
一方、特許文献1には、階調電圧信号線の数を削減するために、階段状電圧を生成し、階段状に設定された複数の電圧の中から所望の電圧をサンプリングすることでパルス幅変調信号を生成して中間階調を表現する技術が開示されている。しかしながら、階調表現がパルス幅変調方式に限定されてしまう上に、より多くの階調数を必要とする場合には高画質化は困難という問題がある。
On the other hand, in
また、階段状に設定された複数の電圧のレベルをすべて高精度で設定することは困難であり、高精度で設定できたとしても回路規模が複雑になってしまう。特に階調数が増加し、各階調間の電圧の差が小さくなる程、特許文献1に開示されたような各電圧のレベルが高精度の設定される階段状電圧を生成することは困難となる。
In addition, it is difficult to set all the levels of a plurality of voltages set in a staircase shape with high accuracy, and even if the level can be set with high accuracy, the circuit scale becomes complicated. In particular, as the number of gradations increases and the voltage difference between the gradations decreases, it is difficult to generate a stepped voltage in which the level of each voltage is set with high accuracy as disclosed in
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、レイアウト面積の増大を招くことなく、画質を劣化させることなく階調数を増加できる駆動回路、電気光学装置及び電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the technical problems as described above, and an object of the present invention is to drive a circuit that can increase the number of gradations without deteriorating the image quality without increasing the layout area. To provide an electro-optical device and an electronic apparatus.
上記課題を解決するために本発明は、
(p+q)(p、qは自然数)ビットの階調データに基づいて、電気光学装置が有するソース線を駆動するための駆動回路であって、
2(p+q)種類の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
各階調電圧信号線に前記2(p+q)種類の基準電圧のいずれかの電圧が供給される2p本の階調電圧信号線と、
前記2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線に、隣り合った2q種類の基準電圧のいずれかの電圧を出力するための2p個の基準電圧切替回路と、
前記階調データの上位pビットのデータに対応して選択された前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧に基づいて、前記ソース線を駆動するためのインピーダンス変換回路と、
前記インピーダンス変換回路と並列に設けられ、該インピーダンス変換回路の入力と出力とをバイパスするためのバイパス回路とを含み、
前記階調データの下位qビットのデータが第1の値のときに各基準電圧切替回路によって出力される基準電圧に基づいて、前記インピーダンス変換回路が前記ソース線を駆動し、
その後、前記インピーダンス変換回路の出力をハイインピーダンス状態に設定すると共に前記バイパス回路を導通状態に設定して、前記階調データの下位qビットのデータに対応して各基準電圧切替回路によって選択される基準電圧を前記ソース線に供給する駆動回路に関係する。
In order to solve the above problems, the present invention
(P + q) (p and q are natural numbers) A driving circuit for driving a source line of an electro-optical device based on gradation data of bits,
2 a reference voltage generation circuit for generating (p + q) types of reference voltages;
2 p gradation voltage signal lines in which any one of the 2 (p + q) types of reference voltages is supplied to each gradation voltage signal line;
The gradation voltage signal lines of the 2 p the gradation voltage signal line, and 2 p number of reference voltage switching circuit for outputting either a voltage of 2 q reference voltages of adjacent,
An impedance conversion circuit for driving the source line based on any reference voltage of the 2 p gradation voltage signal lines selected corresponding to the upper p-bit data of the gradation data;
A bypass circuit provided in parallel with the impedance conversion circuit, for bypassing the input and output of the impedance conversion circuit;
The impedance conversion circuit drives the source line based on the reference voltage output by each reference voltage switching circuit when the low-order q-bit data of the gradation data is the first value,
Thereafter, the output of the impedance conversion circuit is set to a high impedance state and the bypass circuit is set to a conductive state, and is selected by each reference voltage switching circuit corresponding to the lower q bits of the gradation data. The present invention relates to a drive circuit that supplies a reference voltage to the source line.
また本発明に係る駆動回路では、
前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧を、前記階調データの上位pビットのデータに基づいて選択する電圧選択回路を含み、
前記インピーダンス変換回路が、
前記電圧選択回路によって選択された電圧に基づいて、前記ソース線を駆動することができる。
In the driving circuit according to the present invention,
A voltage selection circuit that selects any of the reference voltages of the 2 p gradation voltage signal lines based on upper p-bit data of the gradation data;
The impedance conversion circuit is
The source line can be driven based on the voltage selected by the voltage selection circuit.
また本発明に係る駆動回路では、
前記バイパス回路が、
各バイパススイッチが、前記インピーダンス変換回路と並列に設けられた2q個のバイパススイッチを含むことができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The bypass circuit is
Each bypass switch may include a 2 q pieces of bypass switch arranged in parallel with the impedance conversion circuit.
また本発明に係る駆動回路では、
前記2q個のバイパススイッチの各バイパススイッチは、
所与の駆動期間内にバイパススイッチ毎に割り当てられた期間に、前記階調データの下位qビットのデータを用いて導通状態又は非導通状態に設定されてもよい。
In the driving circuit according to the present invention,
Each bypass switch of the 2 q-number of the bypass switch,
In a period assigned to each bypass switch within a given driving period, the low-order q-bit data of the gradation data may be used to set the conductive state or the non-conductive state.
また本発明に係る駆動回路では、
前記第1の値が、
前記階調データの下位qビットの各ビットのデータが0のときの値であってもよい。
In the driving circuit according to the present invention,
The first value is
It may be a value when each bit data of the lower q bits of the gradation data is 0.
上記のいずれかの発明によれば、2p本の階調電圧信号線を用いて2(p+q)種類の基準電圧に基づいてソース線を駆動することができるので、階調数が増加した場合であっても、駆動回路が集積化されたチップの短辺方向の長さが長くなることを抑え、駆動回路の低コスト化を図ることができる。 According to any one of the above-described inventions, the source line can be driven based on 2 (p + q) types of reference voltages using 2 p gradation voltage signal lines. Even so, it is possible to suppress an increase in the length in the short side direction of the chip in which the drive circuit is integrated, and to reduce the cost of the drive circuit.
また、まず、インピーダンス変換回路によりソース線を駆動した後、該インピーダンス変換回路の出力をハイインピーダンス状態に設定して基準電圧発生回路からの基準電圧をそのままソース線に供給するようにしたので、ソース線に与えるべき電圧レベルを高速に、且つ低消費で設定できるようになる。しかも、各電圧レベルを高精度で設定できるようになる。 First, after the source line is driven by the impedance conversion circuit, the output of the impedance conversion circuit is set to a high impedance state so that the reference voltage from the reference voltage generation circuit is supplied to the source line as it is. The voltage level to be applied to the line can be set at high speed and with low consumption. In addition, each voltage level can be set with high accuracy.
更に、高電位側電源電圧と低電位側電源電圧との間を抵抗分割して複数の基準電圧を生成する場合に比べて、2(p+q)種類の基準電圧の各基準電圧のずれを、2q種類の基準電圧の最高電位の電圧と最低電位の電圧との間に抑えることができるので、2(p+q)種類の基準電圧の各基準電圧を高精度に生成できるようになる。 Furthermore, compared with the case where a plurality of reference voltages are generated by resistance-dividing between the high-potential-side power supply voltage and the low-potential-side power supply voltage, each reference voltage deviation of 2 (p + q) types of reference voltages is 2 it can be suppressed between the voltage of the voltage and the lowest voltage of the highest potential of q reference voltages, consisting of 2 (p + q) type of each reference voltage of the reference voltage can be generated with high accuracy.
また本発明に係る駆動回路では、
前記インピーダンス変換回路が、
B級プッシュプル動作の演算増幅器を含むことができる。
In the driving circuit according to the present invention,
The impedance conversion circuit is
A class B push-pull operational amplifier can be included.
本発明によれば、いわゆるB級プッシュプル動作の演算増幅器を採用することで、構成の簡素化、低消費電力化を図ることができる。 According to the present invention, by employing a so-called class B push-pull operational amplifier, the configuration can be simplified and the power consumption can be reduced.
また本発明は、
複数の走査線と、
複数のソース線と、
複数の画素と、
前記複数の走査線を走査する走査線駆動回路と、
前記複数のソース線を駆動する上記のいずれか記載の駆動回路とを含む電気光学装置に関係する。
The present invention also provides
A plurality of scan lines;
Multiple source lines,
A plurality of pixels;
A scanning line driving circuit for scanning the plurality of scanning lines;
The present invention relates to an electro-optical device including any one of the drive circuits described above that drives the plurality of source lines.
本発明によれば、レイアウト面積の増大を招くことなく、画質を劣化させることなく階調数を増加できる駆動回路を含む電気光学装置を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide an electro-optical device including a drive circuit that can increase the number of gradations without causing an increase in layout area and without degrading image quality.
また本発明は、上記記載の電気光学装置を含む電子機器に関係する。 The present invention also relates to an electronic apparatus including the electro-optical device described above.
本発明によれば、レイアウト面積の増大を招くことなく、画質を劣化させることなく階調数を増加できる駆動回路を含む電気光学装置が適用される電子機器を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide an electronic apparatus to which an electro-optical device including a drive circuit that can increase the number of gradations without causing an increase in layout area and without degrading image quality.
また本発明は、
(p+q)(p、qは自然数)ビットの階調データに基づいて、電気光学装置が有するソース線を駆動するための駆動方法であって、
2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線に、2(p+q)種類の基準電圧の隣り合った2q種類の基準電圧のいずれかの電圧を出力し、
前記階調データの上位pビットのデータに対応して選択される前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧に基づいて、インピーダンス変換回路により前記ソース線を駆動し、
前記2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線に、前記2q種類の基準電圧のうち(p+q)ビットの階調データに対応した電圧を出力し、
前記インピーダンス変換回路の出力をハイインピーダンス状態に設定して、前記階調データの上位pビットのデータに対応して選択される前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧を前記ソース線に供給する駆動方法に関係する。
The present invention also provides
(P + q) (p and q are natural numbers) A driving method for driving a source line included in an electro-optical device based on gradation data of bits,
The gradation
Driving the source line by an impedance conversion circuit based on a reference voltage of any one of the 2 p gradation voltage signal lines selected corresponding to upper p-bit data of the gradation data;
A voltage corresponding to (p + q) -bit gradation data among the 2 q kinds of reference voltages is output to each gradation voltage signal line of the 2 p gradation voltage signal lines,
The output of the impedance conversion circuit is set to a high impedance state, and the reference voltage of any one of the 2 p gradation voltage signal lines selected corresponding to the upper p-bit data of the gradation data is set as the reference voltage. This is related to the driving method supplied to the source line.
また本発明に係る駆動方法では、
前記インピーダンス変換回路が、
前記2q種類の基準電圧のうち、階調データの下位qビットのデータが0に対応した基準電圧に基づいて、ソース線を駆動することができる。
In the driving method according to the present invention,
The impedance conversion circuit is
Of the 2 q kinds of reference voltages, the source line can be driven based on a reference voltage corresponding to 0 in the lower q-bit data of the gradation data.
また本発明に係る駆動方法では、
所与の駆動期間内に割り当てられた2q個の期間の各期間に、前記2q種類の基準電圧の各基準電圧を各階調電圧信号線に出力することができる。
In the driving method according to the present invention,
Each period of 2 q-number of periods allocated within a given driving period, the reference voltages of the 2 q reference voltages can be output to the gradation voltage signal line.
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の必須構成要件であるとは限らない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.
1. 液晶表示装置
図1に、本実施形態におけるアクティブマトリックス型の液晶表示装置の構成の概要を示す。ここでは、アクティブマトリックス型の液晶表示装置について説明するが、単純マトリックス型の液晶表示装置についても、本実施形態におけるソースドライバとしての駆動回路を適用できる。
1. Liquid Crystal Display Device FIG. 1 shows an outline of the configuration of an active matrix liquid crystal display device according to this embodiment. Here, an active matrix type liquid crystal display device will be described, but a drive circuit as a source driver in this embodiment can also be applied to a simple matrix type liquid crystal display device.
液晶表示装置10は、液晶表示(Liquid Crystal Display:LCD)パネル(広義には表示パネル、更に広義には電気光学装置)20を含む。LCDパネル20は、例えばガラス基板上に形成される。このガラス基板上には、Y方向に複数配列されそれぞれX方向に伸びるゲート線(走査線)GL1〜GLM(Mは2以上の整数)と、X方向に複数配列されそれぞれY方向に伸びるソース線(データ線)SL1〜SLN(Nは2以上の整数)とが配置されている。また、ゲート線GLm(1≦m≦M、mは整数、以下同様。)とソース線SLn(1≦n≦N、nは整数、以下同様。)との交差位置に対応して、画素領域(画素)が設けられ、該画素領域に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFTと略す。)22mnが配置されている。
The liquid
TFT22mnのゲートは、ゲート線GLnに接続されている。TFT22mnのソースは、ソース線SLnに接続されている。TFT22mnのドレインは、画素電極26mnに接続されている。画素電極26mnと、これに対向する対向電極28mnとの間に液晶が封入され、液晶容量(広義には液晶素子)24mnが形成される。画素電極26mnと対向電極28mnとの間の印加電圧に応じて画素の透過率が変化するようになっている。対向電極28mnには、対向電極電圧Vcomが供給される。 The gate of the TFT 22mn is connected to the gate line GLn. The source of the TFT 22mn is connected to the source line SLn. The drain of the TFT 22mn is connected to the pixel electrode 26mn. Liquid crystal is sealed between the pixel electrode 26mn and the counter electrode 28mn facing the pixel electrode 26mn, thereby forming a liquid crystal capacitor (liquid crystal element in a broad sense) 24mn. The transmittance of the pixel changes according to the applied voltage between the pixel electrode 26mn and the counter electrode 28mn. The counter electrode voltage Vcom is supplied to the counter electrode 28mn.
このようなLCDパネル20は、例えば画素電極及びTFTが形成された第1の基板と、対向電極が形成された第2の基板とを貼り合わせ、両基板の間に電気光学材料としての液晶を封入させることで形成される。
Such an
液晶表示装置10は、ソースドライバ(広義には表示ドライバ、更に広義には駆動回路)30を含む。ソースドライバ30は、階調データに基づいて、LCDパネル20のソース線SL1〜SLNを駆動する。
The liquid
液晶表示装置10は、ゲートドライバ(広義には走査ドライバ)32を含むことができる。ゲートドライバ32は、一垂直走査期間内に、LCDパネル20のゲート線GL1〜GLMを走査する。
The liquid
液晶表示装置10は、電源回路100を含むことができる。電源回路100は、ソース線の駆動に必要な電圧を生成し、これらをソースドライバ30に対して供給する。電源回路100は、例えばソースドライバ30のソース線の駆動に必要な電源電圧VDDH、VSSHや、ソースドライバ30のロジック部の電圧を生成する。
The liquid
また電源回路100は、ゲート線の走査に必要な電圧を生成し、これをゲートドライバ32に対して供給する。
The
更に電源回路100は、対向電極電圧Vcomを生成する。電源回路100は、ソースドライバ30によって生成された極性反転信号POLのタイミングに合わせて、高電位側電圧VCOMHと低電位側電圧VCOMLとを周期的に繰り返す対向電極電圧Vcomを、LCDパネル20の対向電極に出力する。
Further, the
液晶表示装置10は、表示コントローラ38を含むことができる。表示コントローラ38は、図示しない中央処理装置(Central Processing Unit:以下、CPUと略す。)等のホストにより設定された内容に従って、ソースドライバ30、ゲートドライバ32、電源回路100を制御する。例えば、表示コントローラ38は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32に対し、動作モードの設定、内部で生成した垂直同期信号や水平同期信号の供給を行う。
The liquid
なお図1では、液晶表示装置10に電源回路100又は表示コントローラ38を含めて構成するようにしているが、これらのうち少なくとも1つを液晶表示装置10の外部に設けて構成するようにしてもよい。或いは、液晶表示装置10に、ホストを含めるように構成することも可能である。
In FIG. 1, the liquid
また、ソースドライバ30は、ゲートドライバ32及び電源回路100のうち少なくとも1つを内蔵してもよい。
The
更にまた、ソースドライバ30、ゲートドライバ32、表示コントローラ38及び電源回路100の一部又は全部をLCDパネル20上に形成してもよい。例えば図2では、LCDパネル20上に、ソースドライバ30及びゲートドライバ32が形成されている。このようにLCDパネル20は、複数のソース線と、複数のゲート線と、複数のゲート線の各ゲート線及び複数のソース線の各ソース線とに接続された複数のスイッチ素子と、複数のソース線を駆動する表示ドライバとを含むように構成することができる。LCDパネル20の画素形成領域80に、複数の画素が形成されている。
Furthermore, some or all of the
2. ゲートドライバ
図3に、図1のゲートドライバ32の構成例を示す。
2. Gate Driver FIG. 3 shows a configuration example of the
ゲートドライバ32は、シフトレジスタ40、レベルシフタ42、出力バッファ44を含む。
The
シフトレジスタ40は、各ゲート線に対応して設けられ、順次接続された複数のフリップフロップを含む。このシフトレジスタ40は、クロック信号CPVに同期してスタートパルス信号STVをフリップフロップに保持すると、順次クロック信号CPVに同期して隣接するフリップフロップにスタートパルス信号STVをシフトする。ここで入力されるクロック信号CPVは水平同期信号であり、スタートパルス信号STVは垂直同期信号である。 The shift register 40 includes a plurality of flip-flops provided corresponding to the gate lines and sequentially connected. When the shift register 40 holds the start pulse signal STV in the flip-flop in synchronization with the clock signal CPV, the shift register 40 sequentially shifts the start pulse signal STV to the adjacent flip-flop in synchronization with the clock signal CPV. The clock signal CPV input here is a horizontal synchronizing signal, and the start pulse signal STV is a vertical synchronizing signal.
レベルシフタ42は、シフトレジスタ40からの電圧のレベルを、LCDパネル20の液晶素子とTFTのトランジスタ能力とに応じた電圧のレベルにシフトする。この電圧レベルとしては、例えば20V〜50Vの高い電圧レベルが必要になる。
The
出力バッファ44は、レベルシフタ42によってシフトされた走査電圧をバッファリングしてゲート線に出力し、ゲート線を駆動する。
The
3. ソースドライバ(駆動回路)
図4に、図1又は図2のソースドライバ30の構成例のブロック図を示す。
3. Source driver (drive circuit)
FIG. 4 shows a block diagram of a configuration example of the
ソースドライバ30は、I/Oバッファ50、表示メモリ52、ラインラッチ(広義には、階調データラッチ)54、階調電圧発生回路56、DAC(Digital/Analog Converter)58、駆動部60を含む。
The
ソースドライバ30には、例えば表示コントローラ38から階調データDが入力される。この階調データDは、ドットクロック信号DCLKに同期して入力され、I/Oバッファ50においてバッファリングされる。ドットクロック信号DCLKは、表示コントローラ38から供給される。
For example, the gradation data D is input to the
I/Oバッファ50は、表示コントローラ38又は図示しないホストによってアクセスされる。I/Oバッファ50にバッファリングされた階調データは、表示メモリ52に書き込まれる。また、表示メモリ52から読み出された階調データは、I/Oバッファ50でバッファリングされた後に、表示コントローラ38等に対して出力されるようになっている。
The I /
表示メモリ(階調データメモリ)52は、各メモリセルが各ソース線に接続される各出力線に対応して設けられた複数のメモリセルを含む。各メモリセルは、ロウアドレス及びカラムアドレスによって特定される。また1走査ライン分の各メモリセルは、ラインアドレスによって特定される。 The display memory (gradation data memory) 52 includes a plurality of memory cells provided corresponding to the output lines in which the memory cells are connected to the source lines. Each memory cell is specified by a row address and a column address. Each memory cell for one scan line is specified by a line address.
アドレス制御回路62は、表示メモリ52内のメモリセルを特定するためのロウアドレス、カラムアドレス及びラインアドレスを生成する。アドレス制御回路62は、階調データを表示メモリ52に書き込む際には、ロウアドレス及びカラムアドレスを生成する。即ち、I/Oバッファ50にバッファリングされた階調データが、ロウアドレス及びカラムアドレスによって特定される表示メモリ52のメモリセルに書き込まれる。
The
ロウアドレスデコーダ64は、ロウアドレスをデコードし、該ロウアドレスに対応した表示メモリ52のメモリセルを選択する。カラムアドレスデコーダ66は、カラムアドレスをデコードし、該カラムアドレスに対応した表示メモリ52のメモリセルを選択する。
The
階調データを表示メモリ52から読み出してラインラッチ54に出力する際には、アドレス制御回路62は、ラインアドレスを生成する。即ち、ラインアドレスデコーダ68は、ラインアドレスをデコードし、該ラインアドレスに対応した表示メモリ52のメモリセルを選択する。そして、ラインアドレスによって特定されるメモリセルから読み出された1水平走査分の階調データがラインラッチ54に出力される。
When the gradation data is read from the
アドレス制御回路62は、階調データを表示メモリ52から読み出してI/Oバッファ50に出力する際には、ロウアドレス及びカラムアドレスを生成する。即ち、ロウアドレス及びカラムアドレスによって特定される表示メモリ52のメモリセルに保持された階調データがI/Oバッファ50に読み出される。I/Oバッファ50に読み出された階調データは、表示コントローラ38又は図示しないホストにより取り出される。
The
従って、図4において、ロウアドレスデコーダ64、カラムアドレスデコーダ66及びアドレス制御回路62が表示メモリ52への階調データの書き込み制御を行う書き込み制御回路として機能する。一方、図4において、ラインアドレスデコーダ68、カラムアドレスデコーダ66及びアドレス制御回路62が表示メモリ52からの階調データの読み出し制御を行う読み出し制御回路として機能する。
Therefore, in FIG. 4, the
ラインラッチ(階調データラッチ)54は、表示メモリ52から読み出された一水平走査分の階調データを、水平同期信号HSYNCの変化タイミングでラッチする。ラインラッチ54は、各レジスタが1ドット分の階調データを保持する複数のレジスタを含む。ラインラッチ54の複数のレジスタの各レジスタには、表示メモリ52から読み出された1ドット分の階調データが取り込まれる。
The line latch (gradation data latch) 54 latches the gradation data for one horizontal scan read from the
階調電圧発生回路(広義には基準電圧発生回路)56は、各階調電圧(基準電圧)が各階調データに対応する複数の階調電圧を生成する。より具体的には、階調電圧発生回路56は、高電位側電源電圧VDDHと低電位側電源電圧VSSHとに基づいて、各階調電圧が各階調データに対応する複数の階調電圧を生成する。より具体的には、階調電圧発生回路56は、(p+q)(p、qは自然数)ビットの階調データに基づいて、2(p+q)種類の階調電圧を生成する。このような階調電圧発生回路56は、両端に高電位側電源電圧VDDHと低電位側電源電圧VSSHが供給された抵抗回路の複数の分割ノードの電圧のうち、同時に2p種類の階調電圧として出力させる。
A gradation voltage generation circuit (reference voltage generation circuit in a broad sense) 56 generates a plurality of gradation voltages in which each gradation voltage (reference voltage) corresponds to each gradation data. More specifically, the gradation
DAC58は、ラインラッチ54から出力される階調データ(より具体的には階調データの上位pビットのデータ)に対応した階調電圧を、駆動部60の出力である出力線ごとに生成する。より具体的には、DAC58は、階調電圧発生回路56によって生成された複数の階調電圧の中から、ラインラッチ54から出力された駆動部60の1出力線分の階調データ(より具体的には階調データの上位pビットのデータ)に対応した階調電圧を選択し、選択した階調電圧を出力する。
The
DAC58は、出力線毎に設けられた電圧選択回路DEC1〜DECNを含む。各電圧選択回路は、階調電圧発生回路56からの複数の階調電圧の中から、階調データに対応した1つの階調電圧を出力する。
The
駆動部60は、各出力線がLCDパネル20の各ソース線に接続される複数の出力線を駆動する。より具体的には、駆動部60は、DAC58の電圧選択回路によって出力線毎に出力された階調電圧に基づいて、各出力線を駆動する。駆動部60は、出力線毎に設けられた出力回路OUT1〜OUTNを含む。各出力回路は、各電圧選択回路からの階調電圧に基づいてソース線を駆動する。各出力回路は、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器等により構成できる。
The driving
図5に、ソースドライバが半導体基板に集積化された場合のレイアウトイメージの一例を示す。図5におけるX方向及びY方向は、図1と同様である。 FIG. 5 shows an example of a layout image when the source driver is integrated on the semiconductor substrate. The X direction and Y direction in FIG. 5 are the same as those in FIG.
Y方向に延びるソース線SL1〜SLNの配列方向であるX方向が、ソースドライバ30の各部が半導体基板に集積化されたチップ90の長辺方向となるようにLCDパネル20に対して実装される。そのため、Y方向が、チップ90の短辺方向となる。
The X direction, which is the arrangement direction of the source lines SL1 to SLN extending in the Y direction, is mounted on the
このようなチップ90において、図4の駆動部60の出力回路OUT1〜OUTNの各出力回路が、チップ90がソース線SL1〜SLNに接続されるチップ90の端部付近の領域に、X方向に沿って配列されることになる。そして、出力回路OUT1〜OUTNのそれぞれに階調データに対応した階調電圧を供給するために、階調電圧を伝送するための階調電圧信号線群92がチップ90の長辺方向に延びるように配置される。
In such a
このとき、階調電圧信号線群の長さが長くなって負荷容量を分散させるために、チップ90の中央部に階調電圧発生回路56を設けて、チップ90の中央部からチップ90の長辺方向に沿ってそれぞれ逆方向に延びるように階調電圧信号線群921、922が配置される。そして、チップ90の長辺方向に延びる表示メモリ52のワードライン(ビットライン)の長さを短くするために、表示メモリ52を、2つの表示メモリブロック521、522に分割してチップ90の中央部にロジック部94を設けることが行われる。このロジック部94は、図4のアドレス制御回路62、カラムアドレスデコーダ66、ロウアドレスデコーダ64及びラインアドレスデコーダ68のうち少なくとも1つを含む。
At this time, in order to increase the length of the grayscale voltage signal line group and disperse the load capacitance, the grayscale
ここで、図5に示すチップ90に集積化される階調電圧発生回路、DAC及び駆動部の構成例について説明する。
Here, a configuration example of the gradation voltage generating circuit, the DAC, and the driving unit integrated in the
図6に、本実施形態の比較例における階調電圧発生回路、DAC及び駆動部の構成例を示す。図6では、階調データが6ビットであるものとする。図6では、図5のソース線SL1〜SLNのうちソース線SL1〜SLnを駆動する部分について示すが、ソース線SL(n+1)〜SLNを駆動する部分についても、チップ90の中央部に配置された階調電圧発生回路を基準に階調電圧信号線が延びる方向が図6と逆方向である点を除いて同様である。
FIG. 6 shows a configuration example of the gradation voltage generating circuit, the DAC, and the driving unit in the comparative example of the present embodiment. In FIG. 6, it is assumed that the gradation data is 6 bits. 6 shows a portion for driving the source lines SL1 to SLn in the source lines SL1 to SLN in FIG. 5, the portion for driving the source lines SL (n + 1) to SLN is also arranged in the central portion of the
比較例における階調電圧発生回路300は、抵抗回路310を含む。この階調電圧発生回路300が、図5の階調電圧発生回路56の部分に配置される。抵抗回路310の両端には、高電位側電源電圧VDDHと低電位側電源電圧VSSHとが供給される。抵抗回路310は、両端の電圧を抵抗分割した電圧を出力するための複数の分割ノードを有し、各分割ノードの電圧を階調電圧として出力する。抵抗分割した電圧を変更することで、ガンマ補正された階調電圧として出力できる。階調電圧発生回路300は、このような階調電圧V0〜V63の各階調電圧を階調電圧信号線GVL0〜GVL63の各階調電圧信号線に出力する。
The grayscale
階調電圧信号線GVL0〜GVL63からなる階調電圧信号線群は、電圧選択回路DEC1〜DECnに共通に接続される。電圧選択回路DEC1〜DECNは、それぞれ同じ構成である。各電圧選択回路には、ラインラッチから6ビットの階調データD0〜D5と、各ビットの反転データXD0〜XD5が入力される。そして、階調データD0〜D5及び反転データXD0〜XD5に対応して、階調電圧V0〜V63のうちの1つを各出力回路に出力する。電圧選択回路DECj(1≦j≦n、jは整数)は、ラインラッチからの階調データを受け、出力回路OUTjに対して階調電圧を供給する。そのため、階調電圧信号線群は、ソース線の並び方向であるX方向(図5参照)に延びる。
Gradation voltage signal line group comprising a gray scale voltage signal line GVL0~GVL63 is commonly connected to the voltage
図7及び図8に、電圧選択回路DEC1の構成例の説明図を示す。 FIG. 7 and FIG. 8 are explanatory diagrams of configuration examples of the voltage selection circuit DEC 1 .
図7では、電圧選択回路DEC1が、いわゆるROM(Read Only Memory)により構成される例を示している。この場合、図8に示すように、階調電圧Viが供給される階調電圧信号線GVLiと、階調データのうちの1ビットのデータ線Daとの交差位置に、トランジスタQa−bが設けられる。 In Figure 7, the voltage selection circuit DEC 1, shows an example constituted by a so-called ROM (Read Only Memory). In this case, as shown in FIG. 8, a transistor Qa-b is provided at the intersection of the gradation voltage signal line GVLi to which the gradation voltage Vi is supplied and the 1-bit data line Da of the gradation data. It is done.
実際には、階調電圧信号線GVLiと、階調データのうちの1ビットのデータ線Da+1との交差位置にもトランジスタQ(a+1)−bが設けられる。そして、図8に示すように、トランジスタQ(a+1)−bのチャネル領域にはイオン注入により、該チャネル領域が常に導通状態になるように形成される。従って、トランジスタQa−bは、いわゆるスイッチ素子として動作し、トランジスタQ(a+1)−bは常時オン状態のスイッチ素子となる。 Actually, the transistor Q (a + 1) -b is also provided at the intersection of the gradation voltage signal line GVLi and the 1-bit data line Da + 1 of the gradation data. Then, as shown in FIG. 8, the channel region of the transistor Q (a + 1) -b is formed by ion implantation so that the channel region is always in a conductive state. Therefore, the transistor Qa-b operates as a so-called switch element, and the transistor Q (a + 1) -b is a normally-on switch element.
これにより、いわゆるマスク交換のみでROMのデータを変更でき、レイアウト面積も削減できるという効果が得られる。 Thereby, the ROM data can be changed only by so-called mask exchange, and the layout area can be reduced.
こうして電圧選択回路DECjによって階調データD0〜D5及びその反転データXD0〜XD5に基づいて選択された階調電圧V0〜V63のうちのいずれか1つの階調電圧が、出力回路OUTjに供給される。図6において、出力回路OUTjは、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器を含み、該演算増幅器によってインピーダンス変換された駆動信号がソース線SLjに供給されるようになっている。 Thus, any one of the gradation voltages V0 to V63 selected by the voltage selection circuit DEC j based on the gradation data D0 to D5 and its inverted data XD0 to XD5 is supplied to the output circuit OUT j . Is done. 6, the output circuit OUT j includes a voltage-follower-connected operational amplifier, drive signal impedance conversion by the operational amplifier is adapted to be supplied to the source line SL j.
ところで、図6に示すような比較例において階調数が増加した場合、階調電圧信号線の本数も増加してしまうことになる。例えば、階調データを6ビットから8ビットの増加させた場合、階調電圧信号線の本数が64本から256本に増えてしまう。即ち、図6において、4倍に増加した階調電圧信号線の配線領域増加分だけレイアウト面積を増大させ、チップ90の短辺方向の長さが長くなってしまうという問題がある。
Incidentally, when the number of gradations increases in the comparative example as shown in FIG. 6, the number of gradation voltage signal lines also increases. For example, when the gradation data is increased from 6 bits to 8 bits, the number of gradation voltage signal lines increases from 64 to 256. That is, in FIG. 6, there is a problem that the layout area is increased by the increase in the wiring area of the gradation voltage signal line increased four times, and the length of the
そこで、本実施形態では、以下のような構成を採用することで、階調数を増加させた場合であっても、レイアウト面積の増大を抑え、ソースドライバの低コスト化を実現させることができるようになっている。 Therefore, in the present embodiment, by adopting the following configuration, even when the number of gradations is increased, an increase in layout area can be suppressed and cost reduction of the source driver can be realized. It is like that.
図9に、本実施形態における階調電圧発生回路56、DAC58及び駆動部60の構成例を示す。図9において、図4又は図6と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。図9では、図5のソース線SL1〜SLNのうちソース線SL1〜SLnを駆動する部分について示すが、ソース線SL(n+1)〜SLNを駆動する部分についても、チップ90の中央部に配置された階調電圧発生回路を基準に階調電圧信号線が延びる方向が図9と逆方向である点を除いて同様である。
FIG. 9 shows a configuration example of the gradation
図6に示す比較例では6ビットの階調データに対応した26種類の階調電圧を発生させ、各階調電圧を26本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線を介して電圧選択回路DEC1〜DECnに供給していた。これに対して、本実施形態では(p+q)(p、qは自然数)ビットの階調データに対応した2(p+q)種類の階調電圧を発生させ、各階調電圧を2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線を介して電圧選択回路DEC1〜DECN(図9では電圧選択回路DEC1〜DECn)に供給することができる。即ち、pを6、qを2とすると、8(=p+q)ビットの階調データにもかかわらず、28種類の階調電圧の各階調電圧を26本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線を介して電圧選択回路DEC1〜DECnに供給するものである。
In the comparative example shown in FIG. 6, 26 kinds of gradation voltages corresponding to 6-bit gradation data are generated, and each gradation voltage is supplied to each of the 26 gradation voltage signal lines via each gradation voltage signal line. It was supplied to the
図9において、階調電圧発生回路(基準電圧発生回路)56は、抵抗回路57を含む。この階調電圧発生回路56が、図5の階調電圧発生回路56の部分に配置される。抵抗回路57の両端には、高電位側電源電圧VDDHと低電位側電源電圧VSSHとが供給される。抵抗回路57は、両端の電圧を抵抗分割した電圧を出力するための複数の分割ノードを有し、各分割ノードの電圧を階調電圧(基準電圧)として出力する。抵抗分割した電圧を変更することで、ガンマ補正された階調電圧として出力できる。
In FIG. 9, the gradation voltage generation circuit (reference voltage generation circuit) 56 includes a
このような構成において、階調データのビット数が(p+q)の場合に、階調電圧発生回路56は、2(p+q)種類の階調電圧の各階調電圧を各分割ノードに発生させることができる。階調電圧発生回路56は、更に、第1〜第2pの階調電圧切替回路(第1〜第2pの基準電圧切替回路)VSEL−1〜VSEL−2pを含む。第1〜第2pの階調電圧切替回路VSEL−1〜VSEL−2pの各階調電圧切替回路は、各階調電圧信号線に、隣り合った2q種類の階調電圧のいずれかの電圧を切り替えて出力する。即ち、各階調電圧切替回路が、2q個の分割ノード毎に設けられる。各分割ノードには、抵抗回路57が発生する、隣り合った2q種類の階調電圧が出力される。
In such a configuration, when the number of bits of the gradation data is (p + q), the gradation
そして、各階調電圧切替回路が、階調電圧切替制御信号に基づいて、2q個の分割ノードの電圧のいずれかを各階調電圧信号線に出力するようになっている。従って、図9では、各階調電圧切替回路が、抵抗回路57が発生する、隣り合った22種類の階調電圧が出力される22個の分割ノード毎に設けられる。或いは、各階調電圧切替回路が、2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線に対応して設けられる。
The gradation voltage switching circuit, based on the grayscale voltage switching control signal, and outputs either of the two voltages of q divided nodes each gradation voltage signal line. Thus, in Figure 9, each gradation voltage switching circuit, the
このような各階調電圧切替回路が、階調電圧切替制御信号に基づいて、22個の分割ノードの電圧のいずれかを各階調電圧信号線に出力する。従って、階調電圧信号線の本数は26本であり、図6に示す比較例と同じである。例えば、第1の階調電圧切替回路VSEL−1は、隣り合った階調電圧V0〜V3が出力される4個の分割ノードに対応して設けられ、階調電圧切替制御信号に基づいて、階調電圧V0〜V3のいずれか1つの電圧を階調電圧信号線GVL0に出力する。また、第2の階調電圧切替回路VSEL−2は、隣り合った階調電圧V4〜V7が出力される4個の分割ノードに対応して設けられ、階調電圧切替制御信号に基づいて、階調電圧のいずれか1つの電圧を階調電圧信号線GVL1に出力する。 Such gradation voltage switching circuit, based on the grayscale voltage switching control signal, outputs one of the voltages of the two two-division nodes each gradation voltage signal line. Therefore, the number of gradation voltage signal lines is two six, the same as the comparative example shown in FIG. For example, the first gradation voltage switching circuit VSEL-1 is provided corresponding to four divided nodes to which the adjacent gradation voltages V0 to V3 are output, and based on the gradation voltage switching control signal, Any one of the gradation voltages V0 to V3 is output to the gradation voltage signal line GVL0. The second gradation voltage switching circuit VSEL-2 is provided corresponding to four divided nodes from which the adjacent gradation voltages V4 to V7 are output, and based on the gradation voltage switching control signal, Any one of the gradation voltages is output to the gradation voltage signal line GVL1.
階調電圧信号線GVL0〜GVL63からなる階調電圧信号線群は、電圧選択回路DEC1〜DECnに共通に接続される。電圧選択回路DEC1〜DECNは、図7、図8で説明した構成を有している。図5に示す電圧選択回路に6ビットの階調データD0〜D5及びその反転データXD0〜XD5が入力される。これに対し、図9に示す電圧選択回路には8ビットの階調データのうち上位6ビットの階調データD2〜D7及びその反転データXD2〜XD7が入力される。
Gradation voltage signal line group comprising a gray scale voltage signal line GVL0~GVL63 is commonly connected to the voltage
そして、各電圧選択回路は、上位6ビットの階調データD2〜D7及び反転データXD2〜XD7に対応して、階調電圧信号線GVL0〜GVL63のいずれか1つの階調電圧信号線の電圧を各出力回路に出力する。 Each voltage selection circuit outputs the voltage of one of the gradation voltage signal lines GVL0 to GVL63 corresponding to the upper 6 bits of gradation data D2 to D7 and the inverted data XD2 to XD7. Output to each output circuit.
図10に、図9の第1の階調電圧切替回路VSEL−1の構成例のブロック図を示す。 FIG. 10 is a block diagram showing a configuration example of the first gradation voltage switching circuit VSEL-1 in FIG.
第1の階調電圧切替回路VSEL−1は、階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3に基づいて、抵抗回路57の分割ノードの電圧である階調電圧V0〜V3のいずれかの電圧を階調電圧信号線GVL0に出力する。
The first grayscale voltage switching circuit VSEL-1 grayscales any one of the grayscale voltages V0 to V3, which are the voltages of the divided nodes of the
第1の階調電圧切替回路VSEL−1は、一端が階調電圧信号線GVL0に接続され、他端がそれぞれ抵抗回路57の複数の分割ノードのうち階調電圧V0〜V3を出力する分割ノードに接続されるスイッチ素子GSW0〜GSW3を含む。
The first grayscale voltage switching circuit VSEL-1 has one end connected to the grayscale voltage signal line GVL0 and the other end divided to output grayscale voltages V0 to V3 among the plurality of divided nodes of the
スイッチ素子GSW0は、階調電圧切替制御信号XDACON0によりオンオフ制御される。スイッチ素子GSW1は、階調電圧切替制御信号XDACON1によりオンオフ制御される。スイッチ素子GSW2は、階調電圧切替制御信号XDACON2によりオンオフ制御される。スイッチ素子GSW3は、階調電圧切替制御信号XDACON3によりオンオフ制御される。 The switch element GSW0 is on / off controlled by a gradation voltage switching control signal XDACON0. The switch element GSW1 is on / off controlled by a gradation voltage switching control signal XDACON1. The switch element GSW2 is on / off controlled by a gradation voltage switching control signal XDACON2. The switch element GSW3 is ON / OFF controlled by a gradation voltage switching control signal XDACON3.
図10では、第1の階調電圧切替回路VSEL−1の構成について示すが、第2〜第2pの階調電圧切替回路VSEL2〜VSEL2pの構成も第1の階調電圧切替回路VSEL−1の構成と同様である。そして、第2〜第2pの階調電圧切替回路VSEL2〜VSEL2pもまた、階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3により制御される。 In Figure 10, but showing the first structure of the gradation voltage switching circuit VSEL-1, configuration of the gradation voltage switching circuit VSEL2~VSEL2 p of second to 2 p also first gradation voltage switching circuit VSEL- The configuration is the same as that of FIG. Then, the gradation voltage switching circuit VSEL2~VSEL2 p of second to 2 p is also controlled by the gradation voltage switching control signal XDACON0~XDACON3.
このような階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3は、ソースドライバ30の図示しない制御回路において生成される。
Such gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3 are generated in a control circuit (not shown) of the
図11に、階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3の説明図を示す。 FIG. 11 is an explanatory diagram of the gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3.
本実施形態では、DAC58で選択された階調電圧がインピーダンス変換回路をバイパスしてそのままソース線SL1〜SLNに供給されるDAC駆動期間が、ソースドライバ30の駆動期間内に設けられる。
In the present embodiment, a DAC driving period in which the gradation voltage selected by the
階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3のそれぞれは、Lレベルのときに制御対象のスイッチ素子を導通状態に設定し、Hレベルのときに制御対象のスイッチ素子を非導通状態に設定するものとする。そして、DAC駆動期間内には、階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3の各階調電圧切替制御信号に割り当てられた期間に、当該階調電圧切替制御信号がLレベルとなるように制御される。 Each of the gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3 sets the switch element to be controlled to the conductive state when it is at the L level, and sets the switch element to be controlled to the non-conductive state when it is at the H level. . Then, within the DAC drive period, the gradation voltage switching control signal is controlled to be L level during the period assigned to the gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3.
図9において、電圧選択回路によって選択された階調電圧信号線の電圧は、出力回路に供給される。図9において、出力回路は、ソース線を駆動するためのインピーダンス変換回路を含み、階調データの上位pビットのデータに対応して選択された2p本の階調電圧信号線のいずれかの階調電圧に基づいてソース線を駆動する。このようなインピーダンス変換回路は、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器により実現される。ボルテージフォロワ接続された演算増幅器の構成は公知であるため、その説明を省略する。 In FIG. 9, the voltage of the gradation voltage signal line selected by the voltage selection circuit is supplied to the output circuit. In FIG. 9, the output circuit includes an impedance conversion circuit for driving the source line, and is one of 2 p grayscale voltage signal lines selected corresponding to the upper p-bit data of the grayscale data. The source line is driven based on the gradation voltage. Such an impedance conversion circuit is realized by an operational amplifier connected to a voltage follower. Since the configuration of the operational amplifier connected to the voltage follower is known, the description thereof is omitted.
また本実施形態の出力回路は、インピーダンス変換回路としての演算増幅器と並列に設けられ、該演算増幅器の入力と出力とをバイパスするためのバイパス回路を含む。即ち、出力回路OUT1〜OUTNの出力回路OUTk(1≦k≦N、kは整数)は、インピーダンス変換回路として動作するボルテージフォロワ接続された演算増幅器OPkと、該演算増幅器OPkの入力と出力とをバイパスするためのバイパス回路BPSkとを含む。例えば出力回路OUT1は、インピーダンス変換回路として動作するボルテージフォロワ接続された演算増幅器OP1と、該演算増幅器OP1の入力と出力とをバイパスするためのバイパス回路BPS1とを含む。
The output circuit of this embodiment includes a bypass circuit that is provided in parallel with an operational amplifier as an impedance conversion circuit and bypasses the input and output of the operational amplifier. In other words, the
各バイパス回路では、階調データの下位q(図9ではq=2)ビットのデータと階調電圧切替制御信号とに基づいて、インピーダンス変換回路を構成する演算増幅器の入力と出力との導通状態、非導通状態の切替制御が行われる。 In each bypass circuit, the conduction state between the input and output of the operational amplifier constituting the impedance conversion circuit is based on the lower-order q (q = 2 in FIG. 9) bit data of the gradation data and the gradation voltage switching control signal. The non-conducting state switching control is performed.
このような構成において、階調データの下位qビットのデータが0(所定の値、第1の値)のときに各階調電圧切替回路によって出力される階調電圧に基づいて、ボルテージフォロワ接続された演算増幅器(インピーダンス変換回路)がソース線を駆動する。その後、演算増幅器の動作を停止させてその出力をハイインピーダンス状態に設定すると共にバイパス回路を導通状態に設定し、階調データの下位qビットのデータに対応して階調電圧切替回路によって選択される階調電圧をソース線にそのまま供給する。 In such a configuration, the voltage follower connection is made based on the gradation voltage output by each gradation voltage switching circuit when the low-order q-bit data of the gradation data is 0 (predetermined value, first value). The operational amplifier (impedance conversion circuit) drives the source line. After that, the operation of the operational amplifier is stopped, the output is set to the high impedance state, and the bypass circuit is set to the conductive state, and is selected by the gradation voltage switching circuit corresponding to the lower q bit data of the gradation data. Is supplied to the source line as it is.
図12に、出力回路OUT1の構成例を示す。 FIG. 12 shows a configuration example of the output circuit OUT 1 .
バイパス回路BPS1は、各バイパススイッチが、演算増幅器OP1(広義には演算増幅回路、インピーダンス変換回路)と並列に設けられた2q個のバイパススイッチを含む。従って、qが2の場合には、バイパス回路BPS1は、4つのバイパススイッチBSW1〜BSW4を含む。 The bypass circuit BPS 1 includes 2 q bypass switches in which each bypass switch is provided in parallel with an operational amplifier OP 1 (in a broad sense, an operational amplifier circuit and an impedance conversion circuit). Therefore, when q is 2, the bypass circuit BPS 1 includes four bypass switches BSW1 to BSW4.
バイパス回路BPS1は、バイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3に基づいて制御される。このようなバイパス回路BPS1を構成するバイパススイッチBSW1は、バイパス制御信号DACcnt0によりオンオフ制御される。同様にバイパススイッチBSW2は、バイパス制御信号DACcnt1によりオンオフ制御される。同様にバイパススイッチBSW3は、バイパス制御信号DACcnt2によりオンオフ制御される。同様にバイパススイッチBSW4は、バイパス制御信号DACcnt3によりオンオフ制御される。 The bypass circuit BPS 1 is controlled based on bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3. Bypass switch BSW1 constituting such bypass circuit BPS 1 is on-off controlled by the bypass control signal DACcnt0. Similarly, the bypass switch BSW2 is ON / OFF controlled by a bypass control signal DACcnt1. Similarly, the bypass switch BSW3 is on / off controlled by a bypass control signal DACcnt2. Similarly, the bypass switch BSW4 is ON / OFF controlled by a bypass control signal DACcnt3.
このようなバイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3は、階調データの下位qビットのデータと階調電圧切替制御信号とに基づいて生成される。 Such bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3 are generated based on the lower-order q-bit data of the gradation data and the gradation voltage switching control signal.
図13に、バイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3の説明図を示す。 FIG. 13 is an explanatory diagram of the bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3.
図13では、図9に示すようにqが2の場合の例を示している。なお、図13に示す回路は、ソースドライバ30の図示しない制御回路に内蔵される。
FIG. 13 shows an example in which q is 2 as shown in FIG. The circuit shown in FIG. 13 is built in a control circuit (not shown) of the
バイパス制御信号DACcnt0は、階調データの下位2ビットのデータD0、D1と階調電圧切替制御信号XDACON0とに基づいて生成される。より具体的には、バイパス制御信号DACcnt0は、例えば階調データの下位2ビットのデータD0、D1が共に「0」で、階調電圧切替制御信号XDACON0がLレベルのときに、Hレベルとなるように生成される。 The bypass control signal DACcnt0 is generated based on the lower two bits of data D0 and D1 of the gradation data and the gradation voltage switching control signal XDACON0. More specifically, the bypass control signal DACcnt0 is at the H level when, for example, both the lower 2 bits of the gradation data D0 and D1 are “0” and the gradation voltage switching control signal XDACON0 is at the L level. Is generated as follows.
バイパス制御信号DACcnt1は、階調データの下位2ビットのデータD0、D1と階調電圧切替制御信号XDACON1とに基づいて生成される。より具体的には、バイパス制御信号DACcnt1は、例えば階調データの下位2ビットのデータD0が「1」、D1が「0」で、階調電圧切替制御信号XDACON1がLレベルのときに、Hレベルとなるように生成される。
The bypass control signal DACcnt1 is generated based on the lower two bits of data D0 and D1 of the gradation data and the gradation voltage switching control signal XDACON1. More specifically, the bypass control signal DACcnt1 is, for example, H2 when the low-
バイパス制御信号DACcnt2は、階調データの下位2ビットのデータD0、D1と階調電圧切替制御信号XDACON2とに基づいて生成される。より具体的には、バイパス制御信号DACcnt0は、例えば階調データの下位2ビットのデータD0が「1」、D1が「1」で、階調電圧切替制御信号XDACON2がLレベルのときに、Hレベルとなるように生成される。 The bypass control signal DACcnt2 is generated based on the lower two bits of data D0 and D1 of the gradation data and the gradation voltage switching control signal XDACON2. More specifically, the bypass control signal DACcnt0 is, for example, H2 when the lower 2 bits of data D0 are “1”, D1 is “1”, and the gradation voltage switching control signal XDACON2 is at L level. Generated to be level.
バイパス制御信号DACcnt3は、階調データの下位2ビットのデータD0、D1と階調電圧切替制御信号XDACON3とに基づいて生成される。より具体的には、バイパス制御信号DACcnt0は、例えば階調データの下位2ビットのデータD0、D1が共に「1」で、階調電圧切替制御信号XDACON3がLレベルのときに、Hレベルとなるように生成される。 The bypass control signal DACcnt3 is generated based on the lower two bits of data D0 and D1 of the gradation data and the gradation voltage switching control signal XDACON3. More specifically, the bypass control signal DACcnt0 is at the H level when, for example, both the lower 2 bits of the gradation data D0 and D1 are “1” and the gradation voltage switching control signal XDACON3 is at the L level. Is generated as follows.
なお図13において、バイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3が、出力回路の演算増幅器の出力がハイインピーダンス状態に設定されるOPアンプ駆動期間に変化せずDAC駆動期間のみ変化するように、オペアンプ制御信号によりマスク制御されるようになっている。図13では、出力回路OUT1の演算増幅器OP1の動作制御を行うオペアンプ制御信号OPC1によりマスク制御される。 In FIG. 13, the bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3 are masked by the operational amplifier control signal so that the output of the operational amplifier of the output circuit does not change during the OP amplifier drive period set to the high impedance state but changes only during the DAC drive period. To be controlled. In Figure 13, the mask control by the operational amplifier control signal OPC 1 for controlling the operation of the operational amplifier OP 1 of the output circuit OUT 1.
図12のバイパススイッチBSW1は、バイパス制御信号DACcnt0がHレベルのときに導通状態に設定され、バイパス制御信号DACcnt0がLレベルのときに非導通状態に設定される。 The bypass switch BSW1 of FIG. 12 is set to a conductive state when the bypass control signal DACcnt0 is at the H level, and is set to a nonconductive state when the bypass control signal DACcnt0 is at the L level.
バイパススイッチBSW2は、バイパス制御信号DACcnt1がHレベルのときに導通状態に設定され、バイパス制御信号DACcnt1がLレベルのときに非導通状態に設定される。 The bypass switch BSW2 is set to a conductive state when the bypass control signal DACcnt1 is at an H level, and is set to a non-conductive state when the bypass control signal DACcnt1 is at an L level.
バイパススイッチBSW3は、バイパス制御信号DACcnt2がHレベルのときに導通状態に設定され、バイパス制御信号DACcnt2がLレベルのときに非導通状態に設定される。 The bypass switch BSW3 is set to a conductive state when the bypass control signal DACcnt2 is at an H level, and is set to a non-conductive state when the bypass control signal DACcnt2 is at an L level.
バイパススイッチBSW4は、バイパス制御信号DACcnt3がHレベルのときに導通状態に設定され、バイパス制御信号DACcnt3がLレベルのときに非導通状態に設定される。 The bypass switch BSW4 is set to a conductive state when the bypass control signal DACcnt3 is at an H level, and is set to a non-conductive state when the bypass control signal DACcnt3 is at an L level.
従って、ソース線の1つの通常駆動期間内に設けられたDAC駆動期間においては、バイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3のうちいずれか1つのみがHレベルに設定されることになる。また、低消費モードにおいて、階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3をHレベルに固定することで、バイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3をLレベルに設定して、無駄な電力消費を避けることも可能となる。 Therefore, only one of the bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3 is set to the H level in the DAC driving period provided within one normal driving period of the source line. Further, in the low power consumption mode, by fixing the gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3 to the H level, the bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3 can be set to the L level, and unnecessary power consumption can be avoided. .
なおバイパス回路BPS1の構成は、図12に示すものに限定されるものではない。また、バイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3は、図13に示す回路で生成されるものに限定されるものではない。 The configuration of the bypass circuit BPS 1 is not limited to that shown in FIG. Further, the bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3 are not limited to those generated by the circuit shown in FIG.
また、図12では出力回路OUT1の構成例を示すが、出力回路OUT2〜OUTNも同様である。 FIG. 12 shows a configuration example of the output circuit OUT 1 , but the same applies to the output circuits OUT 2 to OUT N.
図14に、階調電圧信号線GVL0の変化の一例を模式的に示す。 FIG. 14 schematically shows an example of a change in the gradation voltage signal line GVL0.
図14では、階調データの下位2ビットのデータD0、D1が「0」、「1」である場合の階調電圧信号線GVL0の電圧変化の一例を示している。即ち、DAC駆動期間においては、バイパス制御信号DACcnt1のみがHレベルに変化し、バイパス制御信号DACcnt0、DACcnt2、DACcnt3はLレベルのままである。 FIG. 14 shows an example of the voltage change of the gradation voltage signal line GVL0 when the lower two bits of data D0 and D1 of the gradation data are “0” and “1”. That is, in the DAC drive period, only the bypass control signal DACcnt1 changes to H level, and the bypass control signals DACcnt0, DACcnt2, and DACcnt3 remain at L level.
DAC駆動期間では、図11に示すように階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3のそれぞれが、順次オンになる。従って、第1の階調電圧切替回路VSEL−1は、抵抗回路57の分割ノードの電圧である階調電圧V0〜V3を順次切り替えて階調電圧信号線GVL0に出力していく。階調電圧信号線群のうち階調電圧信号線GVL0を除く他の階調電圧信号線GVL1〜GVL63についても同様に、隣り合った4つの階調電圧が順次切り替えられて出力される。
In the DAC driving period, as shown in FIG. 11, each of the gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3 is sequentially turned on. Accordingly, the first grayscale voltage switching circuit VSEL-1 sequentially switches the grayscale voltages V0 to V3, which are the voltages of the divided nodes of the
電圧選択回路DEC1〜DECNは、こうしてDAC駆動期間内に電圧レベルが変化する階調電圧信号線GVL0〜GVL63の中から、8(=p+q)ビットの階調データのうち上位6(=p)ビットの階調データに対応した1つの階調電圧信号線を選択し、該階調電圧信号線の電圧を出力回路に出力する。
The voltage selection circuits DEC 1 to DEC N are selected from the upper 6 (= p) of the 8 (= p + q) -bit gradation data among the gradation voltage signal lines GVL 0 to
例えば出力回路OUT1に対応した8ビットの階調データD0〜D7が「10000000」であるものとする。このとき、該階調データの上位6ビットのデータD2〜D7に対応して、出力回路OUT1に対して階調電圧信号線GVL0の電圧が出力される。そして、バイパス制御信号DACcnt1がHレベルに変化するため、出力回路OUT1では、階調電圧V1を用いてソース線SL1の電圧供給が行われることになる。 For example, it is assumed that 8-bit gradation data D0 to D7 corresponding to the output circuit OUT 1 is “10000000”. In this case, corresponding to the upper 6 bits of data D2~D7 of grayscale data, the voltage of the gradation voltage signal line GVL0 is outputted to the output circuit OUT 1. Since the bypass control signal DACcnt1 changes to H level, the output circuit OUT 1, so that the voltage supply of the source line SL1 is performed using a gray-scale voltage V1.
図15に、出力回路OUT1の動作例のタイミング図を示す。 FIG. 15 shows a timing chart of an operation example of the output circuit OUT 1 .
出力回路OUT1は、水平同期信号HSYNCにより規定される1水平走査期間に、8ビットの階調データに基づいてソース線SL1を駆動することができる。1水平走査期間は、OPアンプ駆動期間と、該OPアンプ駆動期間後に設けられるDAC駆動期間とを含む。 Output circuit OUT 1 is in one horizontal scanning period defined by the horizontal synchronization signal HSYNC, it is possible to drive the source line SL1 based upon the 8-bit grayscale data. One horizontal scanning period includes an OP amplifier driving period and a DAC driving period provided after the OP amplifier driving period.
まず、OPアンプ駆動期間では、階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3のうち階調電圧切替制御信号XDACON0のみがLレベルに設定され、階調電圧切替制御信号XDACON1〜XDACON3がHレベルのままである。即ち、強制的に、階調データの下位2(=q)ビットのデータが「00」(第1の値)のときに各階調電圧切替回路によって所定の階調電圧(階調電圧切替回路VSEL1の場合には階調電圧V0、階調電圧切替回路VSEL2の場合には階調電圧V4)が出力されるようにしている。このような階調電圧切替制御信号の生成は、ソースドライバ30の図示しない制御回路において行われる。
First, in the OP amplifier driving period, only the gradation voltage switching control signal XDACON0 among the gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3 is set to the L level, and the gradation voltage switching control signals XDACON1 to XDACON3 remain at the H level. . That is, forcibly, when the lower 2 (= q) bit data of the gradation data is “00” (first value), a predetermined gradation voltage (gradation voltage switching circuit VSEL1) is generated by each gradation voltage switching circuit. In this case, the gradation voltage V0 is output, and in the case of the gradation voltage switching circuit VSEL2, the gradation voltage V4) is output. Generation of such a gradation voltage switching control signal is performed in a control circuit (not shown) of the
なお図13に示すように、バイパス制御信号DACcnt0〜DACcnt3がLレベルのままである。 As shown in FIG. 13, the bypass control signals DACcnt0 to DACcnt3 remain at the L level.
従って、OPアンプ駆動期間では、出力回路OUT1の演算増幅器OP1は、階調データの下位2(=q)ビットのデータが「00」(第1の値)のときに第1の階調電圧切替回路VSEL−1によって出力される階調電圧V0に基づいて、ソース線SL1を駆動することができる。 Therefore, in the OP amplifier driving period, the operational amplifier OP 1 of the output circuit OUT 1 has the first gradation when the lower 2 (= q) bit data of the gradation data is “00” (first value). The source line SL1 can be driven based on the gradation voltage V0 output by the voltage switching circuit VSEL-1.
その後、DAC駆動期間では、演算増幅器OP1〜OPNの動作制御を行うオペアンプ制御信号OPC1〜OPCN(図15ではオペアンプ制御信号OPC1)はLレベルに設定される。そして、階調電圧切替制御信号XDACON0〜XDACON3のそれぞれが順次Lレベルに変化する。 Thereafter, in the DAC drive period, the operational amplifier control signals OPC 1 to OPC N (in FIG. 15, the operational amplifier control signal OPC 1 ) that controls the operation of the operational amplifiers OP 1 to OP N are set to the L level. Then, each of the gradation voltage switching control signals XDACON0 to XDACON3 sequentially changes to the L level.
ここで、出力回路OUT1に対応した階調データの下位2ビットのデータD0、D1が「00」の場合、DAC駆動期間では、バイパス制御信号DACcnt0のみがHレベルに変化する。従って、OPアンプ駆動期間において、演算増幅器OP1によりほぼ階調電圧V0の電圧レベルに到達したソース線SL1の電圧レベルが、DAC駆動期間において、バイパススイッチBSW1を介して階調電圧V0の本来の電圧レベルに高精度で調整できる。 Here, when the output circuit OUT 1 lower two bits of data D0, D1 of the gradation data corresponding to the "00", the DAC drive period, only the bypass control signal DACcnt0 changes to H level. Thus, OP in amplifier drive period, the voltage level of the source line SL1 that has reached approximately the voltage level of the gray scale voltages V0 by the operational amplifier OP 1 is, in DAC drive period, the original gradation voltage V0 through the bypass switch BSW1 The voltage level can be adjusted with high accuracy.
また、出力回路OUT1に対応した階調データの下位2ビットのデータD0、D1が「01」の場合、DAC駆動期間では、バイパス制御信号DACcnt2のみがHレベルに変化する。従って、OPアンプ駆動期間において、演算増幅器OP1によりほぼ階調電圧V0の電圧レベルに到達したソース線SL1の電圧レベルが、DAC駆動期間において、バイパススイッチBSW1を介して階調電圧V2の本来の電圧レベルに高精度で調整できる。 Further, when the output circuit OUT 1 lower two bits of data D0, D1 of the gradation data corresponding to the "01", the DAC drive period, only the bypass control signal DACcnt2 changes to H level. Thus, OP in amplifier drive period, the voltage level of the source line SL1 that has reached approximately the voltage level of the gray scale voltages V0 by the operational amplifier OP 1 is, in DAC drive period, the original gradation voltage V2 through the bypass switch BSW1 The voltage level can be adjusted with high accuracy.
これにより、演算増幅器OP1の製造ばらつき等に伴う出力誤差を修正することができる。 Thus, it is possible to correct the output error caused by manufacturing variations or the like of the operational amplifier OP 1.
以上説明したように、各出力回路は、2p本の階調電圧信号線を用いて2(p+q)種類の階調電圧に基づいてソース線を駆動することができる。従って、階調数が増加した場合であっても、チップの短辺方向の長さが長くなることを抑え、ソースドライバの低コスト化を図ることができる。 As described above, each output circuit can drive a source line based on 2 (p + q) types of gradation voltages using 2 p gradation voltage signal lines. Therefore, even when the number of gradations is increased, the length of the chip in the short side direction can be suppressed, and the cost of the source driver can be reduced.
また、まず、消費電流の多い演算増幅器によりソース線を駆動した後、該演算増幅器の動作を停止させて階調電圧発生回路56からの階調電圧をそのままソース線に供給するようにしたので、ソース線に与えるべき電圧レベルを高速に、且つ低消費で設定できるようになる。しかも、各電圧レベルを高精度で設定できるようになる。
First, after the source line is driven by an operational amplifier with a large current consumption, the operation of the operational amplifier is stopped and the gradation voltage from the gradation
従って、ソース線に高速に電荷を充電したり、ソース線から高速に電荷を放電するための手段であるインピーダンス変換回路として演算増幅器を採用した場合であっても、いわゆるAB級プッシュプル動作の演算増幅器を採用する必要がなく、いわゆるB級プッシュプル動作の演算増幅器を採用することで、構成の簡素化、低消費電力化を図ることができる。 Therefore, even when an operational amplifier is used as an impedance conversion circuit that charges a source line at high speed or discharges charge from the source line at high speed, so-called class AB push-pull operation is performed. It is not necessary to employ an amplifier, and by adopting a so-called class B push-pull operation operational amplifier, the configuration can be simplified and the power consumption can be reduced.
また、階調電圧信号線群に供給される2(p+q)種類の階調電圧の各階調電圧を高精度に発生させる場合を考慮すると、2(p+q)種類の階調電圧のそれぞれについて高精度に電圧を発生させる構成が必要となる。これに対し、本実施形態では、階調電圧切替回路が各階調電圧信号線に出力する2q種類の階調電圧は、高電位側電源電圧VDDH及び低電位側電源電圧VSSHの間でずれるのではなく、この2q種類の階調電圧のうちの最高電位と最低電位の間でずれることになる。例えば、第1の階調電圧切替回路VSEL−1が出力する階調電圧V0〜V3は、抵抗回路57により階調電圧V0、V3を精度よく生成できるので、階調電圧V1、V2がずれたとしても、階調電圧V0より高電位になったり、階調電圧V3より低電位となることはない。従って、本実施形態の構成によれば、2(p+q)種類の階調電圧の各階調電圧を、高精度に生成できることになる。
Further, in consideration of the case where the gradation voltages of 2 (p + q) types of gradation voltages supplied to the gradation voltage signal line group are generated with high accuracy, the accuracy of each of the 2 (p + q) types of gradation voltages is high. A configuration for generating a voltage is required. In contrast, the in the present embodiment, 2 q kinds of gradation voltages gradation voltage switching circuit outputs the gradation voltage signal line is shifted between the high-potential-side power supply voltage VDDH and the low potential-side power supply voltage VSSH Instead, there is a shift between the highest potential and the lowest potential of the 2q kinds of gradation voltages. For example, the gradation voltages V0 to V3 output from the first gradation voltage switching circuit VSEL-1 can be accurately generated by the
4. 電子機器
図16に、本実施形態における電子機器の構成例のブロック図を示す。ここでは、電子機器として、携帯電話機の構成例のブロック図を示す。図16において、図1又は図2と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
4). Electronic Device FIG. 16 shows a block diagram of a configuration example of an electronic device in the present embodiment. Here, a block diagram of a configuration example of a mobile phone is shown as an electronic device. In FIG. 16, the same parts as those in FIG. 1 or FIG.
携帯電話機900は、カメラモジュール910を含む。カメラモジュール910は、CCDカメラを含み、CCDカメラで撮像した画像のデータを、YUVフォーマットで表示コントローラ38に供給する。
The
携帯電話機900は、LCDパネル20を含む。LCDパネル20は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32によって駆動される。LCDパネル20は、複数のゲート線、複数のソース線、複数の画素を含む。
表示コントローラ38は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32に接続され、ソースドライバ30に対してRGBフォーマットの階調データを供給する。
The
電源回路100は、ソースドライバ30及びゲートドライバ32に接続され、各ドライバに対して、駆動用の電源電圧を供給する。またLCDパネル20の対向電極に、対向電極電圧Vcomを供給する。
The
ホスト940は、表示コントローラ38に接続される。ホスト940は、表示コントローラ38を制御する。またホスト940は、アンテナ960を介して受信された階調データを、変復調部950で復調した後、表示コントローラ38に供給できる。表示コントローラ38は、この階調データに基づき、ソースドライバ30及びゲートドライバ32によりLCDパネル20に表示させる。
The
ホスト940は、カメラモジュール910で生成された階調データを変復調部950で変調した後、アンテナ960を介して他の通信装置への送信を指示できる。
The
ホスト940は、操作入力部970からの操作情報に基づいて階調データの送受信処理、カメラモジュール910の撮像、LCDパネル20の表示処理を行う。
The
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明は上述の液晶表示パネルの駆動に適用されるものに限らず、エレクトロクミネッセンス、プラズマディスプレイ装置の駆動に適用可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention. For example, the present invention is not limited to being applied to driving the above-described liquid crystal display panel, but can be applied to driving electroluminescence and plasma display devices.
また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。また、本発明の1の独立請求項に係る発明の要部を、他の独立請求項に従属させることもできる。 In the invention according to the dependent claims of the present invention, a part of the constituent features of the dependent claims can be omitted. Moreover, the principal part of the invention according to one independent claim of the present invention can be made dependent on another independent claim.
10 液晶表示装置、 20 LCDパネル、 30 ソースドライバ、
32 ゲートドライバ、 38 表示コントローラ、 40 シフトレジスタ、
42 レベルシフタ、 44 出力バッファ、 50 I/Oバッファ、
52 表示メモリ、 54 ラインラッチ、 56 階調電圧発生回路、
57 抵抗回路、 58 DAC、 60 駆動部、 62 アドレス制御回路、
64 ロウアドレスデコーダ、 66 カラムアドレスデコーダ、
68 ラインアドレスデコーダ、 100 電源回路、
BPS1〜BPSn バイパス回路、 BSW1〜BSW3 バイパススイッチ、
D0〜D7 階調データ、 DACcnt0〜DACcnt3 バイパス制御信号、
DEC1〜DECN 電圧選択回路、 GL1〜GLM ゲート線、
GSW0〜GSW3 スイッチ素子、 GVL0〜GVL63 階調電圧信号線、
OUT1〜OUTN 出力回路、 SL1〜SLN ソース線、
V0〜V63 階調電圧、 VDDH 高電位側電源電圧、
VSEL−1〜VSEL−2p 第1〜第2pの階調電圧切替回路、
VSSH 低電位側電源電圧、
XDACON0〜XDACON3 階調電圧切替制御信号
10 liquid crystal display device, 20 LCD panel, 30 source driver,
32 gate drivers, 38 display controllers, 40 shift registers,
42 level shifter, 44 output buffer, 50 I / O buffer,
52 display memory, 54 line latch, 56 gradation voltage generation circuit,
57 resistor circuit, 58 DAC, 60 drive unit, 62 address control circuit,
64 row address decoder, 66 column address decoder,
68 line address decoder, 100 power supply circuit,
BPS 1 to BPS n bypass circuit, BSW 1 to BSW 3 bypass switch,
D0 to D7 gradation data, DACcnt0 to DACcnt3 bypass control signal,
DEC 1 to DEC N voltage selection circuit, GL 1 to GLM gate line,
GSW0 to GSW3 switch elements, GVL0 to GVL63 gradation voltage signal lines,
OUT 1 to OUT N output circuit, SL 1 to SLN source lines,
V0 to V63 gradation voltage, VDDH high potential side power supply voltage,
VSEL-1 to VSEL-2 p first to second p gradation voltage switching circuits;
VSSH low potential side power supply voltage,
XDACON0 to XDACON3 Gradation voltage switching control signal
Claims (11)
2(p+q)種類の基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
各階調電圧信号線に前記2(p+q)種類の基準電圧のいずれかの電圧が供給される2p本の階調電圧信号線と、
前記2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線に、隣り合った2q種類の基準電圧のいずれかの電圧を出力するための2p個の基準電圧切替回路と、
前記階調データの上位pビットのデータに対応して選択された前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧に基づいて、前記ソース線を駆動するためのインピーダンス変換回路と、
前記インピーダンス変換回路と並列に設けられ、該インピーダンス変換回路の入力と出力とをバイパスするためのバイパス回路とを含み、
前記階調データの下位qビットのデータが第1の値のときに各基準電圧切替回路によって出力される基準電圧に基づいて、前記インピーダンス変換回路が前記ソース線を駆動し、
その後、前記インピーダンス変換回路の出力をハイインピーダンス状態に設定すると共に前記バイパス回路を導通状態に設定して、前記階調データの下位qビットのデータに対応して各基準電圧切替回路によって選択される基準電圧を前記ソース線に供給することを特徴とする駆動回路。 (P + q) (p and q are natural numbers) A driving circuit for driving a source line of an electro-optical device based on gradation data of bits,
2 a reference voltage generation circuit for generating (p + q) types of reference voltages;
2 p gradation voltage signal lines to which any one of the 2 (p + q) types of reference voltages is supplied to each gradation voltage signal line;
The gradation voltage signal lines of the 2 p the gradation voltage signal line, and 2 p number of reference voltage switching circuit for outputting either a voltage of 2 q reference voltages of adjacent,
An impedance conversion circuit for driving the source line based on any reference voltage of the 2 p gradation voltage signal lines selected corresponding to the upper p-bit data of the gradation data;
A bypass circuit provided in parallel with the impedance conversion circuit, for bypassing an input and an output of the impedance conversion circuit;
The impedance conversion circuit drives the source line based on a reference voltage output by each reference voltage switching circuit when the lower q-bit data of the gradation data is a first value,
Thereafter, the output of the impedance conversion circuit is set to a high impedance state and the bypass circuit is set to a conductive state, and is selected by each reference voltage switching circuit corresponding to the lower q bits of the gradation data. A driving circuit which supplies a reference voltage to the source line.
前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧を、前記階調データの上位pビットのデータに基づいて選択する電圧選択回路を含み、
前記インピーダンス変換回路が、
前記電圧選択回路によって選択された電圧に基づいて、前記ソース線を駆動することを特徴とする駆動回路。 In claim 1,
A voltage selection circuit that selects any reference voltage of the 2 p grayscale voltage signal lines based on upper p-bit data of the grayscale data;
The impedance conversion circuit is
A drive circuit that drives the source line based on a voltage selected by the voltage selection circuit.
前記バイパス回路が、
各バイパススイッチが、前記インピーダンス変換回路と並列に設けられた2q個のバイパススイッチを含むことを特徴とする駆動回路。 In claim 1 or 2,
The bypass circuit is
Driving circuits each bypass switch, characterized in that it comprises a 2 q pieces of bypass switch arranged in parallel with the impedance conversion circuit.
前記2q個のバイパススイッチの各バイパススイッチは、
所与の駆動期間内にバイパススイッチ毎に割り当てられた期間に、前記階調データの下位qビットのデータを用いて導通状態又は非導通状態に設定されることを特徴とする駆動回路。 In claim 3,
Each bypass switch of the 2 q-number of the bypass switch,
A drive circuit characterized in that a conduction state or a non-conduction state is set using data of lower q bits of the gradation data during a period assigned to each bypass switch within a given drive period.
前記第1の値が、
前記階調データの下位qビットの各ビットのデータが0のときの値であることを特徴とする駆動回路。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
The first value is
A driving circuit having a value when each bit data of lower q bits of the gradation data is 0.
前記インピーダンス変換回路が、
B級プッシュプル動作の演算増幅器を含むことを特徴とする駆動回路。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
The impedance conversion circuit is
A drive circuit comprising an operational amplifier for class B push-pull operation.
複数のソース線と、
複数の画素と、
前記複数の走査線を走査する走査線駆動回路と、
前記複数のソース線を駆動する請求項1乃至6のいずれか記載の駆動回路とを含むことを特徴とする電気光学装置。 A plurality of scan lines;
Multiple source lines,
A plurality of pixels;
A scanning line driving circuit for scanning the plurality of scanning lines;
An electro-optical device comprising: the driving circuit according to claim 1 that drives the plurality of source lines.
2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線に、2(p+q)種類の基準電圧の隣り合った2q種類の基準電圧のいずれかの電圧を出力し、
前記階調データの上位pビットのデータに対応して選択される前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧に基づいて、インピーダンス変換回路により前記ソース線を駆動し、
前記2p本の階調電圧信号線の各階調電圧信号線に、前記2q種類の基準電圧のうち(p+q)ビットの階調データに対応した電圧を出力し、
前記インピーダンス変換回路の出力をハイインピーダンス状態に設定して、前記階調データの上位pビットのデータに対応して選択される前記2p本の階調電圧信号線のいずれかの基準電圧を前記ソース線に供給することを特徴とする駆動方法。 (P + q) (p and q are natural numbers) A driving method for driving a source line included in an electro-optical device based on gradation data of bits,
The gradation voltage signal lines 2 p the gradation voltage signal line, and outputs one of the voltages of 2 (p + q) Type 2 q kinds of adjoining reference voltage of the reference voltage,
Driving the source line by an impedance conversion circuit based on a reference voltage of any one of the 2 p gradation voltage signal lines selected corresponding to upper p-bit data of the gradation data;
A voltage corresponding to (p + q) -bit gradation data among the 2 q kinds of reference voltages is output to each gradation voltage signal line of the 2 p gradation voltage signal lines,
The output of the impedance conversion circuit is set to a high impedance state, and the reference voltage of any one of the 2 p gradation voltage signal lines selected corresponding to the upper p-bit data of the gradation data is set as the reference voltage. A driving method characterized by supplying to a source line.
前記インピーダンス変換回路が、
前記2q種類の基準電圧のうち、階調データの下位qビットのデータが0に対応した基準電圧に基づいて、ソース線を駆動することを特徴とする駆動方法。 In claim 9,
The impedance conversion circuit is
A driving method, wherein a source line is driven based on a reference voltage corresponding to 0 in the lower q-bit data of gradation data among the 2 q kinds of reference voltages.
所与の駆動期間内に割り当てられた2q個の期間の各期間に、前記2q種類の基準電圧の各基準電圧を各階調電圧信号線に出力することを特徴とする駆動方法。 In claim 9 or 10,
In each period of a given 2 q pieces of period assigned in the drive period, the driving method characterized by outputting a respective reference voltages of the 2 q reference voltages in each gray scale voltage signal line.
Priority Applications (1)
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