JP2007213067A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶滴下マージンを向上させることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板１１０と、第１基板１１０と対向して配置される第２基板１２０と、第１基板１１０と第２基板１２０との間に形成される液晶層と、第１基板１１０又は第２基板１２０のいずれか一方の基板上に形成された有機膜１２２と、第１基板１１０と第２基板１２０との間に形成された柱状スペーサ１３０と、柱状スペーサ１３０と有機膜１２２が接触する部位に形成され、柱状スペーサ１３０からの圧力を緩衝するためのた緩衝パターン１２６と、を備えている。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、液晶滴下マージンを向上させることのできる液晶表示装置及びその製造方法に関する。

液晶表示装置は、電界を利用して誘電異方性を有する液晶の光透過率を調節することにより画像を表示するものである。液晶表示装置は、カラーフィルタアレイが形成された上部基板と薄膜トランジスタアレイが形成された下部基板とが液晶を含む液晶層を介して貼り合わせられて形成され、これら上部基板と下部基板との間に形成された柱状スペーサにより液晶が充填されたセルギャップを維持する。

柱状スペーサは、液晶滴下方式で液晶層が形成された大型液晶表示装置に主に適用される。ここで、柱状スペーサは、液晶滴下マージンを左右する。つまり、柱状スペーサの圧縮変形量が大きいほど液晶滴下マージンが向上する。このために、柱状スペーサの材質、大きさ、及び密度を調節して圧縮変形量を大きくする方法が提案されている。

しかし、柱状スペーサの圧縮変形量が大きいと、柱状スペーサ又はその下部膜が破損してしまう恐れがあるため、柱状スペーサの圧縮変形量により液晶滴下マージンを向上させるには限界があった。このため、液晶滴下マージンの不足により液晶の滴下量を調整することが困難となり、所望する滴下量よりも超過したり、不足したりしてしまう。液晶の量を超過した場合には、上部基板に形成された柱状スペーサが下部基板と接触することができなくなり、液晶が重力によって流動し、セルギャップのバラツキが起こり、輝度のバランスが悪くなるという問題が発生する。また、液晶の量が不足した場合には、液晶が充填されていない空間から光が漏れてしまうという問題が発生する。

そこで、本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、液晶滴下マージンを向上させ、液晶の滴下量を容易に調整することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向して配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成される液晶層と、前記第１基板又は前記第２基板のいずれか一方の基板上に形成された有機膜と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された柱状スペーサと、前記柱状スペーサと前記有機膜が接触する部位に形成された緩衝パターンと、を備えることを特徴とする。

前記緩衝パターンは、前記有機膜に形成される溝もしくは孔により定義されることを特徴とする。

さらに、前記緩衝パターン内に形成される内部溝もしくは内部孔を備えることを特徴とする。前記外郭溝または前記内部孔は、前記緩衝パターンを囲むように形成されるか、又は前記緩衝パターンの周囲に部分的に形成される。

また、さらに、前記有機膜上に形成された透明導電層と、前記柱状スペーサと前記有機膜の緩衝パターンとの間に前記透明導電層が存在しないように、前記透明電極を貫通する孔とを備える。

また、本発明による液晶表示装置は、前記第１基板と前記有機膜との間に形成された薄膜トランジスタと、前記第１基板と前記有機膜との間に形成されて前記薄膜トランジスタに接続されたゲートライン及びデータラインと、前記有機膜上に前記透明導電層で形成され、前記有機膜を貫通するコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とをさらに備える。また、前記有機膜上に前記ゲートライン及び前記データラインの少なくとも一方と重なるように、前記透明導電層で形成されたシールド共通ラインをさらに備える。また、前記薄膜トランジスタと前記有機膜との間に形成された無機絶縁膜をさらに備える。

上記の目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板及び第２基板を提供する段階と、前記第１基板又は前記第２基板のいずれか一方の基板に有機膜を形成する段階と、前記第１基板又は前記第２基板のいずれか一方の基板に柱状スペーサを形成する段階と、液晶層を介して前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせる段階と、前記有機膜のうち、前記柱状スペーサと接触する領域に緩衝パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする。また、前記有機膜には前記柱状スペーサと接触する部位に緩衝パターンが形成される。また、前記有機膜の外郭溝は、回折露光マスク又はハーフトーンマスクを利用して形成される。

本発明による液晶表示装置及びその製造方法は、柱状スペーサと接触する有機絶縁膜に、外郭溝（孔）により区分されて柱状スペーサと共に圧縮変形される緩衝パターンを形成することにより、柱状スペーサの変形量による液晶滴下マージンに緩衝パターンの変形による液晶滴下マージンが加えられ、液晶滴下マージンが増加する。この結果、液晶滴下マージンが十分に確保することができるので、液晶の滴下不良によって生じ得る画質不良を防止することができる。

以下、本発明の好ましい一実施形態について図１〜図６を参照して詳細に説明する。図１Ａ及び図１Ｂは本発明の一実施形態による液晶表示装置に圧力を印加する前と印加した後の断面を柱状スペーサ中心に示す断面図であり、図２は本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面を柱状スペーサ中心に示す断面図である。

図１Ａ、図１Ｂ、および図２に示す液晶表示装置は、液晶層（図示せず）を介して貼り合わせられた上部基板（第１基板）１１０及び下部基板（第２基板）１２０と、上部基板１１０と下部基板１２０との間に形成された柱状スペーサ１３０とを備えている。

上部基板１１０は、絶縁基板に形成されたカラーフィルタアレイを含む。下部基板１２０は、絶縁基板に形成された薄膜トランジスタアレイを含み、その薄膜トランジスタアレイを覆う有機絶縁膜１２２をさらに含む。上部基板１１０と下部基板１２０との間には柱状スペーサ１３０が形成されて一定のセルギャップが設けられ、そのセルギャップ内には液晶層が形成される。

下部基板１２０の有機絶縁膜１２２には、柱状スペーサ１３０と接触する部分に、柱状スペーサ１３０の圧力を吸収する緩衝パターン１２６が形成される。緩衝パターン１２６は、柱状スペーサ１３０と接触する部分の周囲に沿って有機絶縁膜１２２に外郭溝１２４を形成することにより設けられる。これとは異なり、有機絶縁膜１２２の外郭溝１２４は、図１Ａの点線で示すように、有機絶縁膜１２２を貫通するように延びて外郭孔の形状に形成することもできる。有機絶縁膜１２２の外郭溝（または外郭孔）１２４は、緩衝パターン１２６の周囲を全て囲むように形成されるか、又は緩衝パターン１２６の周囲に部分的に形成されることができる。また、図２に示すように、柱状スペーサ１３０と接触する有機絶縁膜１２２の緩衝パターン１２６内に内部溝（または外郭孔）１２８をさらに形成することもできる。

これにより、緩衝パターン１２６は、柱状スペーサ１３０を介して圧力が印加されると、図１Ｂに示すように圧縮変形されることによって圧力を吸収する。その結果、柱状スペーサ１３０の変形量による液晶滴下マージンに緩衝パターン１２６の変形による液晶滴下マージンが加えられることによって、液晶滴下マージンが増加する。つまり、上部基板１１０又は下部基板１２０に液晶を滴下した後にシール材を塗布して上部基板１１０と下部基板１２０を加熱圧着するとき、柱状スペーサ１３０と共に有機絶縁膜１２２の緩衝パターン１２６が変形されることによって、液晶滴下工程において液晶滴下マージンを十分に確保することができる。

ここで、有機絶縁膜１２２の緩衝パターン１２６と外郭溝（または外郭孔）１２４は、図３Ａ〜図３Ｅに示すように多様な形状に形成することができ、その形状は特に限定されない。例えば、図３Ａに示すように、有機絶縁膜１２２に円形帯状の外郭溝（または外郭孔）１２４を形成して円形形状の緩衝パターン１２６を形成することもでき、図３Ｂに示すように、円形の緩衝パターン１２６内に内部溝（または外郭孔）１２８をさらに形成することもできる。ここで、内部溝（または外郭孔）１２８は、図３Ｂに示すように外郭溝（または外郭孔）１２４に連結されて形成されるか、又は緩衝パターン１２６内に独立して形成される。一方、外郭溝（または外郭孔）１２４は、図３Ｅに示すように、有機絶縁膜１２２の緩衝パターン１２６の周囲に部分的に形成することもできる。これとは異なり、図３Ｃに示すように、有機絶縁膜１２２に四角形（多角形であっても良い）帯状の外郭溝（または外郭孔孔）１２４を形成して四角形（多角形）の緩衝パターン１２６を形成することもでき、図３Ｄに示すように、四角形（多角形）の緩衝パターン１２６内に内部溝（または外郭孔）１２８をさらに形成することもできる。

図４は本発明の一実施形態による有機絶縁膜が適用された液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板における１つのサブピクセル構造を示す平面図であり、図５は図４の薄膜トランジスタ基板のＶ−Ｖ′線断面をカラーフィルタ基板の断面と共に示す断面図である。

図４及び図５に示す薄膜トランジスタ基板は、ゲートライン２とデータライン４の交差により定義されたサブピクセル領域に形成された画素電極４０と、ゲートライン２及びデータライン４と画素電極４０の間に接続された薄膜トランジスタＴと、薄膜トランジスタＴと画素電極４０との間に形成された有機絶縁膜７４とを含む。

ゲートライン２とデータライン４は、ゲート絶縁膜７２を介して交差するように絶縁基板７０上に形成される。ゲートライン２とデータライン４の交差構造により各サブピクセル領域が定義される。ストレージライン３０は、絶縁基板７０上にゲートライン２と並んで形成され、各サブピクセルの中央部を短軸方向に経由してデータライン４とゲート絶縁膜７２を介して交差する。

薄膜トランジスタＴは、ゲートライン２に接続されたゲート電極６と、データライン４に接続されたソース電極１０と、画素電極４０に接続されたドレイン電極１２と、ソース電極１０及びドレイン電極１２に接続された半導体層８とを備える。半導体層８は、ソース電極１０とドレイン電極１２との間にチャネルを形成する活性層８Ａと、活性層８Ａとソース電極１０及びドレイン電極１２それぞれとのオーミックコンタクトのためのオーミックコンタクト層８Ｂとから構成される。

画素電極４０は、薄膜トランジスタＴを覆う有機絶縁膜７４上に形成され、その有機絶縁膜７４を貫通するコンタクトホール１５を介して薄膜トランジスタＴのドレイン電極１２に接続される。ここで、薄膜トランジスタＴのドレイン電極１２は、ストレージライン３０が形成されたサブピクセルの中央部まで延び、ストレージライン３０と重なったコンタクトホール１５を介して画素電極４０に接続される。

また、ドレイン電極１２は、ゲート絶縁膜７２を介してストレージライン３０と重なってストレージキャパシタＣｓｔを形成する。

また、有機絶縁膜７４の下部に無機絶縁膜７８をさらに形成してもよく、このとき、コンタクトホール１５は無機絶縁膜７８を貫通して形成される。

有機絶縁膜７４上には、データライン４及びゲートライン２と重なったシールド共通ライン６０がさらに形成される。シールド共通ライン６０は、データライン４よりは広い線幅を有し、ゲートライン２よりは狭い線幅を有する。シールド共通ライン６０には、カラーフィルタ基板の共通電極８６と同一又は類似の共通電圧が供給される。これにより、共通ライン６０とカラーフィルタ基板の共通電極８６間に電界が形成されないか、又は形成されたとしても微弱な電界なので、これらの間に垂直配向された液晶分子が駆動されないため、光漏れを遮断することができる。

画素電極４０には、マルチドメインの形成のためのスリット４４が形成される。画素電極４０のスリット４４は、サブピクセルの短軸方向、すなわち、ストレージライン３０を基準に対称となり、かつ傾斜した斜線方向に形成される。画素電極４０のスリット４４は、画素電極４０とカラーフィルタ基板の共通電極８６との間にフリンジ電界を形成し、液晶分子がスリット４４を基準に対称となるように配列することにより、マルチドメインを形成する。また、さらに多くのマルチドメインの形成のために、カラーフィルタ基板の共通電極８６には、画素電極４０のスリット４４と交互に並んだ構造で共通電極スリット（図示せず）をさらに形成することもできる。

図５に示すカラーフィルタ基板は、絶縁基板８０に順次積層されたブラックマトリクス８２、カラーフィルタ８４、共通電極８６を含み、カラーフィルタ８４と共通電極８６との間にはオーバーコート層をさらに形成することもできる。さらに、カラーフィルタ基板には柱状スペーサ５０が形成される。一般に、柱状スペーサ５０は、薄膜トランジスタ基板のストレージライン３０と重なるように形成される。

薄膜トランジスタ基板の有機絶縁膜７４には、柱状スペーサ５０と接触する部分に、柱状スペーサ５０の圧力を吸収する緩衝パターン７５が形成される。緩衝パターン７５は、柱状スペーサ５０と接触する部分の周囲に沿って有機絶縁膜７４に外郭溝７６を形成することにより設けられる。これとは異なり、有機絶縁膜７４の外郭溝７６は、点線で示すように、有機絶縁膜７４を貫通するように延びて外郭孔の形状に形成することもできる。有機絶縁膜７４の外郭溝（または外郭孔）７６は、緩衝パターン７５の周囲を全て囲むように形成されるか、又は緩衝パターン７５の周囲に部分的に形成される。また、前述したように、柱状スペーサ５０と接触する有機絶縁膜７４の緩衝パターン７５内に内部溝（または外郭孔）をさらに形成することもできる。これにより、緩衝パターン７５は、柱状スペーサ５０を介して圧力が印加されると、圧縮変形されることによって圧力を吸収する。この結果、柱状スペーサ５０の変形量による液晶滴下マージンに緩衝パターン７５の変形による液晶滴下マージンが加えられることによって、液晶滴下マージンが増加する。つまり、カラーフィルタ基板又は薄膜トランジスタ基板に液晶を滴下した後にシール材を塗布してこれら２つの基板を加熱圧着するとき、柱状スペーサ５０と共に有機絶縁膜７４の緩衝パターン７５が変形されることによって、液晶滴下工程において液晶滴下マージンを十分に確保することができるようになる。

一方、柱状スペーサ５０と有機絶縁膜７４の緩衝パターン７５との間に無機物の透明導電層が存在する場合、柱状スペーサ５０から印加される圧力により画素電極４０が破損する恐れがあるため、緩衝パターン７５上には透明導電層が存在しないようにする。例えば、図４及び図５に示すように、柱状スペーサ５０がストレージライン３０と重なる部分に形成された場合、有機絶縁膜７４の緩衝パターン７５と柱状スペーサ５０との間に画素電極４０が存在しないようにするために、その緩衝パターン７５に対応して画素電極４０を貫通する孔を形成する。これとは異なり、柱状スペーサ５０がゲートライン２又はデータライン４と重なる部分に形成された場合、有機絶縁膜７４の緩衝パターン７５と柱状スペーサ５０との間にシールド共通ライン６０が存在しないようにするために、その緩衝パターン７５に対応してシールド共通ライン６０を貫通する孔を形成する。これにより、カラーフィルタ基板と薄膜トランジスタ基板を加熱圧着するとき、又はカラーフィルタ基板に加えられる荷重により柱状スペーサ５０と有機絶縁膜７４の緩衝パターン７５が変形されるとき、透明導電層が破損することを防止することができるようになる。

以下、図４及び図５に示す薄膜トランジスタ基板の製造方法を具体的に説明する。第１マスク工程で、下部絶縁基板７０上にゲートライン２、ゲートライン２に接続されたゲート電極６、ゲートライン２と並んだストレージライン３０を含むゲート金属パターンが形成される。

第２マスク工程で、前記ゲート金属パターンが形成された下部絶縁基板７０上にゲート絶縁膜７２が形成され、ゲート絶縁膜７２上に活性層８Ａ及びオーミックコンタクト層８Ｂを含む半導体層８がゲートライン２及びゲート電極６の一部と重なるように形成される。

第３マスク工程で、半導体層８が形成されたゲート絶縁膜７２上にデータライン４、ソース電極１０、ドレイン電極１２を含むソース／ドレイン金属パターンが形成される。一方、半導体層８とソース／ドレイン金属パターンは、回折露光マスク又はハーフトーン（Ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）マスクを利用して１つのマスク工程で形成することもできる。

第４マスク工程で、ソース／ドレイン金属パターンが形成されたゲート絶縁膜７２上に、無機絶縁膜７８及び有機絶縁膜７４が積層され、コンタクトホール１５及び外郭溝（孔）７６が形成される。具体的には、図６に示すように、第４マスク工程で、前記ソース／ドレイン金属パターンが形成されたゲート絶縁膜７２上に、無機絶縁膜７８及び有機絶縁膜７４が積層され、マスク９０を利用したフォトリソグラフィ工程で有機絶縁膜７４及び無機絶縁膜７８がパターニングされる。ここで、マスク９０としては、回折露光マスク又はハーフトーンマスクが利用される。例えば、回折露光マスクを利用する場合、マスク基板９２に形成された遮断部９４に対応する遮断領域に、有機絶縁膜７４及び無機絶縁膜７８が存在し、マスク基板９２が露出した透過部９６に対応する全透過領域に、有機絶縁膜７４及び無機絶縁膜７８を貫通するコンタクトホール１５が形成される。そして、遮断部９４を貫通する複数のスリット９８が形成された回折露光部に対応する半透過領域に、有機絶縁膜７４の一部がエッチングされるか、又は有機絶縁膜７４のみを貫通する外郭溝（孔）７６が形成され、有機絶縁膜７４の緩衝パターン７５が設けられる。

第５マスク工程で、有機絶縁膜７４上に画素電極４０及び共通ライン６０を含む透明導電パターンが形成される。

以上のように構成される本発明による液晶表示装置及びその製造方法は、柱状スペーサと接触する有機絶縁膜に、外郭溝（孔）により区分されて柱状スペーサと共に圧縮変形される緩衝パターンを形成することにより、柱状スペーサの変形量による液晶滴下マージンに緩衝パターンの変形による液晶滴下マージンが加えられ、液晶滴下マージンが増加する。これにより、液晶滴下マージンが十分に確保されるので、液晶滴下不良による画質不良を防止することができる。

以上に説明した実施形態は、本発明を単に例示したものであって、当業者であれば、前述した内容により本発明を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かるであろう。従って、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるのではなく、特許請求の範囲により定められるべきである。

本発明は、液晶表示装置に関する技術分野に有用である。

本発明の一実施形態に係る液晶表示装置に圧力を印加する前と印加した後の断面を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置に圧力を印加する前と印加した後の断面を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る緩衝パターンを例示した平面図である。 本発明の一実施形態に係る緩衝パターンを例示した平面図である。 本発明の一実施形態に係る緩衝パターンを例示した平面図である。 本発明の一実施形態に係る緩衝パターンを例示した平面図である。 本発明の一実施形態に係る緩衝パターンを例示した平面図である。 本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板における１つのサブピクセルを示す平面図である。 図４の薄膜トランジスタ基板のＶ−Ｖ’線における断面をカラーフィルタ基板の断面と共に示す断面図である。 図５に示す有機絶縁膜の製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

１１０ 上部基板、
１２０ 下部基板、
１２２ 有機絶縁膜、
１２４ 外郭溝（外郭孔）、
１２６ 緩衝パターン、
１３０ 柱状スペーサ。

Claims (20)

1. 第１基板と、
   前記第１基板と対向して配置される第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に形成される液晶層と、
   前記第１基板又は前記第２基板のいずれか一方の基板上に形成された有機膜と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に形成された柱状スペーサと、
   前記柱状スペーサと前記有機膜が接触する部位に形成され、前記柱状スペーサからの圧力を緩衝するための緩衝パターンと、
   を備えることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記緩衝パターンは、前記有機膜に形成される溝もしくは孔により定義されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記緩衝パターン内に形成される内部溝もしくは内部孔をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記内部溝もしくは前記内部孔が、前記緩衝パターン内に独立して形成されるか、又は前記溝もしくは前記孔に連結されて形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記有機膜上に形成された透明導電層と、
   前記柱状スペーサと前記有機膜の緩衝パターンとの間に前記透明導電層が存在しないようにするために、前記透明導電層を貫通する孔と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１基板と前記有機膜との間に形成された薄膜トランジスタと、
   前記第１基板と前記有機膜との間に形成され、前記薄膜トランジスタに接続されたゲートライン及びデータラインと、
   前記有機膜上に前記透明導電層で形成され、前記有機膜を貫通するコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記有機膜上に前記ゲートライン及び前記データラインの少なくとも一方と重なるように、前記透明導電層で形成されたシールド共通ラインをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記薄膜トランジスタと前記有機膜との間に形成された無機絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
9. 前記緩衝パターンは前記柱状スペーサにより加圧され、前記柱状スペーサと接触する前記緩衝パターンの表面が前記有機膜の残りの表面と異なる平面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
10. 第１基板及び第２基板を提供する段階と、
    前記第１基板又は前記第２基板のいずれか一方の基板に有機膜を形成する段階と、
    前記第１基板又は前記第２基板のいずれか一方の基板に柱状スペーサを形成する段階と、
    液晶層を介して前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせる段階と、
    前記有機膜のうち前記柱状スペーサと接触する領域に、前記柱状スペーサからの圧力を緩衝するための緩衝パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
11. 前記有機膜に溝もしくは孔が形成されて前記緩衝パターンを定義することを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
12. 前記緩衝パターン内に内部溝もしくは内部孔がさらに形成されることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
13. 前記内部溝もしくは前記内部孔が、前記緩衝パターン内に独立して形成されるか、又は前記溝もしくは前記孔に連結されて形成されることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
14. 前記有機膜を形成する段階の後に、
    前記有機膜上に透明導電層を形成する段階と、
    前記柱状スペーサと前記有機膜の緩衝パターンとの間に前記透明導電層が存在しないようにするために、前記透明導電層を貫通する孔を形成する段階と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
15. 前記有機膜を形成する段階の後に、
    前記第１基板と前記有機膜との間に薄膜トランジスタを形成する段階と、
    前記薄膜トランジスタに接続されたゲートライン及びデータラインを形成する段階と、
    前記有機膜を貫通するコンタクトホールを形成する段階と、
    前記有機膜上に前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタに接続された画素電極を前記透明導電層で形成する段階と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。
16. 前記ゲートライン及びデータラインを形成する段階の後に、
    前記有機膜上に、前記ゲートライン及び前記データラインの少なくとも一方と重なるように、前記透明導電層でシールド共通ラインを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
17. 前記薄膜トランジスタと前記有機膜との間に無機絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
18. 前記コンタクトホール又は前記溝は、回折露光マスク又はハーフトーンマスクを利用して形成されることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
19. 前記コンタクトホール又は前記溝は、回折露光マスク又はハーフトーンマスクを利用して形成されることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
20. 前記緩衝パターンの表面が前記有機膜の表面と異なる平面に位置するように、前記柱状スペーサにより前記緩衝パターンを加圧することを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。

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