JP2007212688A - Liquid crystal display element - Google Patents

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Kazuaki Igarashi
和明 五十嵐
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal panel in which occurrence of an image remaining after interruption of power supply is prevented. <P>SOLUTION: A signal is generated with a signal generating means 22 when a voltage drop on interruption of the power supply is detected with a voltage drop detecting means 20. A common electrode, a storage capacitor, and a signal line are respectively made to be at the same electric potential by an initializing means 23 based on the signal, and at the same time, electric charges of the common electrode and the storage capacitor are compulsorily discharged to the ground with a discharge means 24. The occurrence of the image remaining after interruption of the power supply is prevented because the electric charges held by a liquid crystal capacitor and the storage capacitor of each pixel are certainly discharged without producing an electric potential difference between the common electrode and the storage capacitor and the signal line. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、画素電極に電気的に接続された保持容量と、画素電極に対し液晶層を介して対向して配設された共通電極とを備えた液晶表示素子に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device including a storage capacitor electrically connected to a pixel electrode, and a common electrode disposed to face the pixel electrode with a liquid crystal layer interposed therebetween.

従来、液晶表示装置は、液晶表示素子を用いており、軽量、薄型および低消費電力などの特徴を有することから、OA機器や、情報端末装置、時計、テレビジョンなどの様々な分野に用いられている。特に、液晶表示装置の中で、薄膜トランジスタ(TFT)素子を用いた液晶表示装置は、TFT素子が応答性に優れている点から、携帯電話器や、テレビジョン、コンピュータなどの多くの表示装置として用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal display devices use liquid crystal display elements, and have characteristics such as light weight, thinness, and low power consumption. Therefore, they are used in various fields such as OA equipment, information terminal devices, watches, and televisions. ing. In particular, among liquid crystal display devices, liquid crystal display devices using thin film transistor (TFT) elements are excellent in responsiveness, so that many display devices such as mobile phones, televisions, computers, etc. It is used.

このような液晶表示素子としては、薄膜トランジスタにより駆動される各画素がマトリクス状に形成された表示領域を備えたアクティブマトリクス型のものがある。この液晶表示素子は、アレイ基板と対向基板とを対向配置し、これら基板間に液晶層を介在して構成されている。   As such a liquid crystal display element, there is an active matrix type having a display region in which pixels driven by thin film transistors are formed in a matrix. In this liquid crystal display element, an array substrate and a counter substrate are arranged to face each other, and a liquid crystal layer is interposed between the substrates.

また、表示領域には、ゲートドライバに電気的に接続された走査線と、ソースドライバに電気的に接続された信号線とが画素の間に沿って格子状に配設され、これら走査線と信号線との交点近傍に、これら走査線および信号線にそれぞれ電気的に接続された薄膜トランジスタと保持容量とが配設されている。さらに、画素は、アレイ基板側に配設された画素電極と、対向基板側に配設された共通基板との間に液晶層が位置して構成されている。   In the display region, scanning lines electrically connected to the gate driver and signal lines electrically connected to the source driver are arranged in a lattice pattern between the pixels. Near the intersection with the signal line, a thin film transistor and a storage capacitor electrically connected to the scanning line and the signal line are disposed. Further, the pixel is configured such that a liquid crystal layer is located between a pixel electrode disposed on the array substrate side and a common substrate disposed on the counter substrate side.

そして、ゲートドライバに入力される走査線駆動信号と、ソースドライバに入力される信号線駆動信号とに基づいて、走査線と信号線との交点近傍に位置する薄膜トランジスタがオンオフされ、この薄膜トランジスタのオンオフにより各画素の画素電極に印加される電圧が変化することで、各画素の表示状態が変化する。   Then, based on the scanning line driving signal input to the gate driver and the signal line driving signal input to the source driver, the thin film transistor located in the vicinity of the intersection of the scanning line and the signal line is turned on / off. By changing the voltage applied to the pixel electrode of each pixel, the display state of each pixel changes.

しかしながら、このような液晶表示素子では、電源が遮断された後に、保持容量および液晶容量に電荷が残ることで、電源を遮断する直前まで画素により表示されていた画像が残像として表示されてしまうおそれがある。   However, in such a liquid crystal display element, after the power source is shut off, charges remain in the storage capacitor and the liquid crystal capacitor, so that an image displayed by the pixel until immediately before the power source is shut off may be displayed as an afterimage. There is.

そこで、保持容量および液晶容量に充電された電荷を放電するために、電源が遮断された際に、液晶容量と電気的に接続された共通電極の電位である共通電極電位と、保持容量電位と信号線電位とを同電位にする構成が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平11−271707号公報
Therefore, in order to discharge the charges charged in the storage capacitor and the liquid crystal capacitor, when the power supply is shut off, the common electrode potential that is the potential of the common electrode electrically connected to the liquid crystal capacitor, the storage capacitor potential, A configuration in which the signal line potential is set to the same potential is known (for example, see Patent Document 1).
JP-A-11-271707

しかしながら、上述の液晶表示素子では、電源遮断後に、信号線電位がソースドライバを経由してアースすなわちグランドに比較的早く抜けてしまうのに対して、共通電極電位および保持容量電位は、画素電極の信号線、あるいは走査線に対するカップリング対策用に搭載された大容量コンデンサの影響によりグランドへの放電に時間を要するので、電荷を放電した後に一瞬電位差が生じ、この電位差によって残像が発生してしまうという問題点を有している。   However, in the above-described liquid crystal display element, after the power supply is cut off, the signal line potential passes through the source driver to the earth, that is, the ground relatively quickly, whereas the common electrode potential and the storage capacitor potential are Since it takes time to discharge to the ground due to the influence of a large-capacitance capacitor mounted as a countermeasure against coupling to the signal line or scanning line, a potential difference occurs for a moment after discharging the charge, and an afterimage occurs due to this potential difference. Has the problem.

また、一般的に、電源遮断後は、駆動回路のアナログ電源が直ちに放電されるため、回路を制御することが容易でなく、このような回路の制御には、液晶表示素子が組み込まれている機器本体側から電源遮断を知らせる信号の入力が必要となっていた。   In general, after the power supply is cut off, the analog power supply of the drive circuit is immediately discharged, so that it is not easy to control the circuit, and a liquid crystal display element is incorporated in the control of such a circuit. It was necessary to input a signal to notify power shutdown from the device body.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、電源遮断後の残像を防止した液晶表示素子を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display element that prevents an afterimage after power-off.

本発明は、交差状に配置された複数の信号線および複数の走査線と、これら信号線と走査線との各交差部に設けられた画素電極と、前記走査線に供給される駆動信号により制御されて前記画素電極を駆動させるスイッチング素子と、前記画素電極に電気的に接続された保持容量と、前記画素電極に対し液晶層を介して対向して配設された共通電極とを備えた液晶表示素子であって、電源遮断時の電圧降下を検出する電圧降下検出手段と、この電圧降下検出手段により電圧降下を検出した際に信号を生成する信号生成手段と、この信号生成手段により生成された信号に基づき、前記共通電極、前記保持容量および前記信号線のそれぞれを同電位とする初期化手段と、前記信号生成手段により生成された信号に基づき、前記共通電極および前記保持容量の電荷をグランドへと放電する放電手段とを具備したものである。   The present invention relates to a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged in an intersecting manner, a pixel electrode provided at each intersection of the signal lines and the scanning lines, and a drive signal supplied to the scanning lines. A switching element that is controlled to drive the pixel electrode, a storage capacitor electrically connected to the pixel electrode, and a common electrode disposed to face the pixel electrode through a liquid crystal layer A liquid crystal display element, a voltage drop detecting means for detecting a voltage drop when the power is cut off, a signal generating means for generating a signal when the voltage drop is detected by the voltage drop detecting means, and a signal generating means The common electrode, the storage capacitor, and the signal line are set to the same potential based on the generated signal, and the common electrode and the storage line are set based on the signal generated by the signal generation unit. It is obtained by and a discharge means for discharging to the ground the electric charge of the capacitor.

そして、電源遮断時の電圧降下を電圧降下検出手段で検出した際に信号生成手段により生成された信号に基づき、初期化手段が共通電極、保持容量および信号線のそれぞれを同電位とするとともに、放電手段が共通電極および保持容量の電荷をグランドへと強制的に放電する。   Then, based on the signal generated by the signal generation means when the voltage drop at the time of power interruption is detected by the voltage drop detection means, the initialization means sets the common electrode, the storage capacitor, and the signal line to the same potential, The discharging means forcibly discharges the charges of the common electrode and the storage capacitor to the ground.

本発明によれば、各画素に保持されている電荷を、信号線との間に電位差を生じることなく確実に放電できるので、電源遮断後の残像を防止できる。   According to the present invention, since the charge held in each pixel can be reliably discharged without causing a potential difference with the signal line, an afterimage after the power is shut off can be prevented.

以下、本発明の一実施の形態の液晶表示素子の構成を図面を参照して説明する。   Hereinafter, a configuration of a liquid crystal display element according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図3および図4において、1は液晶表示素子としての液晶パネルを示し、この液晶パネル1は、例えばHV反転駆動(ドット反転駆動)、あるいは容量結合駆動(ライン反転駆動)されるもので、アレイ基板2と対向基板3とを対向配置し、これら基板2,3間に図示しない液晶層が充填され、四角形状の表示領域5に画素6がマトリクス状に配設され、また、この表示領域5の一側に沿って、走査線駆動ICとしてのゲートドライバ7が複数配設されているとともに、表示領域5の一端に沿って、信号線駆動ICとしてのソースドライバ8が複数配設されている。   3 and 4, reference numeral 1 denotes a liquid crystal panel as a liquid crystal display element. The liquid crystal panel 1 is, for example, driven by HV inversion driving (dot inversion driving) or capacitively coupled driving (line inversion driving). A substrate 2 and a counter substrate 3 are arranged to face each other, and a liquid crystal layer (not shown) is filled between the substrates 2 and 3, and pixels 6 are arranged in a square display area 5 in a matrix form. A plurality of gate drivers 7 serving as scanning line driving ICs are disposed along one side of the display area, and a plurality of source drivers 8 serving as signal line driving ICs are disposed along one end of the display area 5. .

アレイ基板2には、透光性を有する絶縁基板としてのガラス基板上に、ゲートドライバ7に電気的に接続された走査線11とソースドライバ8に電気的に接続された信号線12とが、画素6の間に沿って格子状に配設され、これら走査線11および信号線12の各交点近傍に、図4に示すように、画素6の液晶容量13に対応してスイッチング素子としての薄膜トランジスタ14と保持容量15とがそれぞれ電気的に接続されている。   The array substrate 2 includes a scanning line 11 electrically connected to the gate driver 7 and a signal line 12 electrically connected to the source driver 8 on a glass substrate as a light-transmitting insulating substrate. A thin film transistor as a switching element corresponding to the liquid crystal capacitor 13 of the pixel 6 is arranged near the intersection of the scanning line 11 and the signal line 12 as shown in FIG. 14 and the storage capacitor 15 are electrically connected to each other.

また、アレイ基板2には、ガラス基板上に、薄膜トランジスタ14と保持容量15とを覆って例えばITOなどにより形成された透明電極である画素電極16が成膜され、この画素電極16上に図示しない配向膜が成膜されている。   The array substrate 2 is formed with a pixel electrode 16, which is a transparent electrode formed of, for example, ITO on the glass substrate so as to cover the thin film transistor 14 and the storage capacitor 15, and is not shown on the pixel electrode 16. An alignment film is formed.

対向基板3は、透光性を有する絶縁基板としてのガラス基板上に、例えば赤(R)、緑(G)および青(B)に対応した図示しないカラーフィルタが画素6毎に設けられ、これらカラーフィルタ上に、例えばITOなどにより形成された透明電極である共通電極18が成膜され、この共通電極18上に図示しない配向膜が成膜されている。   The counter substrate 3 is provided with a color filter (not shown) corresponding to, for example, red (R), green (G), and blue (B) for each pixel 6 on a glass substrate as a light-transmitting insulating substrate. On the color filter, a common electrode 18 which is a transparent electrode made of, for example, ITO is formed, and an alignment film (not shown) is formed on the common electrode 18.

そして、ゲートドライバ7は、対をなすプラス側電圧(VDD)およびマイナス側電圧(VSS)と、各画素6のデジタル階調データに応じたデジタル電圧(DVDD)とが駆動電圧としてそれぞれ供給され、ゲートドライバ制御信号(XDON)により動作を制御されているとともに、表示する画像データに応じて図示しないPCの描画エンジンなどから出力された走査線駆動信号(GS)が入力されている。   The gate driver 7 is supplied with a positive voltage (VDD) and a negative voltage (VSS) and a digital voltage (DVDD) corresponding to the digital gradation data of each pixel 6 as a drive voltage. The operation is controlled by a gate driver control signal (XDON), and a scanning line drive signal (GS) output from a drawing engine of a PC (not shown) or the like is input in accordance with image data to be displayed.

また、ソースドライバ8は、各画素6のデジタル階調データに応じたアナログ電圧(AVDD)、デジタル電圧(DVDD)、および、基準電圧(VREF)が駆動電圧として供給され、表示する画像データに応じて図示しないPCの描画エンジンなどから出力された信号線駆動信号(SS)が入力されている。   The source driver 8 is supplied with an analog voltage (AVDD), a digital voltage (DVDD), and a reference voltage (VREF) corresponding to the digital gradation data of each pixel 6 as drive voltages, and depends on image data to be displayed. A signal line drive signal (SS) output from a drawing engine of a PC (not shown) is input.

次に、上記一実施の形態の回路構成について説明する。   Next, the circuit configuration of the above embodiment will be described.

図1に示すように、液晶パネル1(図3)に対して電源電圧(POWER)を給電する電源Pに対して、この電源Pの電圧の降下を検出する電圧降下検出手段20(以下、単に検出手段20という)が電気的に接続され、この検出手段20は、電荷蓄積手段21と、信号生成手段22と、初期化手段23と、共通電極電位放電手段である放電手段24とのそれぞれに電気的に接続されている。   As shown in FIG. 1, a voltage drop detecting means 20 (hereinafter simply referred to as a voltage drop detecting means 20) for detecting a voltage drop of the power supply P with respect to a power supply P that supplies a power supply voltage (POWER) to the liquid crystal panel 1 (FIG. 3). The detection means 20 is electrically connected to each of the charge storage means 21, the signal generation means 22, the initialization means 23, and the discharge means 24 that is a common electrode potential discharge means. Electrically connected.

具体的に、図2に示すように、検出手段20は、デジタル電圧(DVDD)が供給される抵抗26と、この抵抗26に出力端子が電気的に接続された制御信号出力手段としてのリセットIC27とを有している。   Specifically, as shown in FIG. 2, the detecting means 20 includes a resistor 26 to which a digital voltage (DVDD) is supplied, and a reset IC 27 as a control signal output means having an output terminal electrically connected to the resistor 26. And have.

リセットIC27は、電源Pからの入力電圧が予め設定された所定値以下の際に初期化パルス信号であるリセット信号(RST)を出力するものであり、出力端子に、スイッチング素子としてのMOSFET31のゲート電極と、スイッチング素子としてのMOSOFET32のゲート電極と、信号生成手段22とが、抵抗26と電気的に並列接続されている。   The reset IC 27 outputs a reset signal (RST) that is an initialization pulse signal when the input voltage from the power supply P is equal to or lower than a predetermined value set in advance, and the gate of the MOSFET 31 as a switching element is output to the output terminal. The electrode, the gate electrode of the MOSOFET 32 as a switching element, and the signal generating means 22 are electrically connected in parallel with the resistor 26.

MOSFET31は、例えばn型のものであり、ソース電極が接地されているとともに、ドレイン電極に、プラス側電圧(VDD)が供給される抵抗34と、スイッチング素子としてのMOSFET35のゲート電極と、スイッチ部37と、スイッチ部38と、放電手段24とが電気的に並列接続され、このドレイン電極から、これらMOSFET35、スイッチ部36、スイッチ部37、スイッチ部38および放電手段24の動作選択用の初期化信号である選択信号(SELECT)を出力する。   The MOSFET 31 is, for example, an n-type, the source electrode is grounded, the resistor 34 is supplied with a positive side voltage (VDD) to the drain electrode, the gate electrode of the MOSFET 35 as a switching element, and the switch unit 37, the switch unit 38, and the discharge means 24 are electrically connected in parallel. From the drain electrode, initialization for selecting the operation of the MOSFET 35, the switch unit 36, the switch unit 37, the switch unit 38, and the discharge unit 24 is performed. A selection signal (SELECT) as a signal is output.

MOSFET35は、例えばn型のものであり、ソース電極が接地され、ドレイン電極に、プラス側電圧(VDD)が供給される抵抗41と、スイッチ部としてのスイッチング素子であるMOSFET42のゲート電極と、スイッチ部としてのスイッチング素子であるMOSFET43のゲート電極とが電気的に並列接続され、このドレイン電極から、選択信号(SELECT)と逆位相で、かつ、MOSFET42,43の動作選択用の選択信号(/SELECT)が出力される。すなわち、MOSFET42,43は、選択信号(/SELECT)により、スイッチ部36,37,38および放電手段24と逆の動作をするように制御される。   The MOSFET 35 is, for example, an n-type, and includes a resistor 41 whose source electrode is grounded and a positive voltage (VDD) is supplied to the drain electrode, a gate electrode of the MOSFET 42 serving as a switching element as a switch unit, and a switch The gate electrode of the MOSFET 43 which is a switching element as a unit is electrically connected in parallel. From the drain electrode, the selection signal (/ SELECT) for selecting the operation of the MOSFETs 42 and 43 is in phase opposite to the selection signal (SELECT). ) Is output. That is, the MOSFETs 42 and 43 are controlled by the selection signal (/ SELECT) so as to perform the reverse operation of the switch units 36, 37, and 38 and the discharging means 24.

MOSFET42は、例えばn型のものであり、ソース電極がスイッチ部36に電気的に接続されているとともに、ドレイン電極が基準電圧入力部V1に電気的に接続され、入力共通電極電圧(VCOM_IN)が供給されている。   The MOSFET 42 is, for example, an n-type, and the source electrode is electrically connected to the switch unit 36, the drain electrode is electrically connected to the reference voltage input unit V1, and the input common electrode voltage (VCOM_IN) is Have been supplied.

MOSFET43は、例えばn型のものであり、ソース電極がスイッチ部36に電気的に接続されているとともに、ドレイン電極が共通電極電圧入力部V2に電気的に接続され、入力基準電圧(VP_IN)が供給されている。   The MOSFET 43 is of an n-type, for example, and the source electrode is electrically connected to the switch unit 36, the drain electrode is electrically connected to the common electrode voltage input unit V2, and the input reference voltage (VP_IN) is Have been supplied.

スイッチ部36は、例えばスイッチング素子としての例えばn型のMOSFET44,45のドレイン電極同士が電気的に接続され、これらMOSFET44,45のゲート電極がMOSFET31のドレイン電極に電気的に接続されているとともに、MOSFET44のソース電極がMOSFET42のソース電極に、MOSFET45のソース電極がMOSFET43のソース電極に、それぞれ電気的に接続されている。   In the switch unit 36, for example, the drain electrodes of n-type MOSFETs 44 and 45 as switching elements are electrically connected to each other, and the gate electrodes of these MOSFETs 44 and 45 are electrically connected to the drain electrode of the MOSFET 31, The source electrode of the MOSFET 44 is electrically connected to the source electrode of the MOSFET 42, and the source electrode of the MOSFET 45 is electrically connected to the source electrode of the MOSFET 43.

一方、スイッチ部37は、例えばスイッチング素子としての例えばn型のMOSFET47,48のドレイン電極同士が電気的に接続され、これらMOSFET47,48のゲート電極がMOSFET31のドレイン電極に電気的に接続されているとともに、MOSFET47のソース電極がMOSFET44のソース電極に、MOSFET48のソース電極が分圧部49に、それぞれ電気的に接続されている。   On the other hand, in the switch unit 37, for example, the drain electrodes of n-type MOSFETs 47 and 48 as switching elements are electrically connected to each other, and the gate electrodes of these MOSFETs 47 and 48 are electrically connected to the drain electrode of the MOSFET 31. At the same time, the source electrode of the MOSFET 47 is electrically connected to the source electrode of the MOSFET 44, and the source electrode of the MOSFET 48 is electrically connected to the voltage divider 49.

ここで、分圧部49は、供給されるアナログ電圧(AVDD)を分圧するもので、例えば互いに抵抗値が等しい抵抗51,52の直列回路がグランドとの間に形成され、これら抵抗51,52間が、スイッチ部37のMOSFET48のソース電極と、演算増幅回路54とに電気的に接続されている。したがって、分圧部49においては、アナログ電圧の半分の電圧が分圧部出力電圧(AVDD/2)として出力されるように構成されている。   Here, the voltage divider 49 divides the supplied analog voltage (AVDD). For example, a series circuit of resistors 51 and 52 having the same resistance value is formed between the resistors 51 and 52. The gap is electrically connected to the source electrode of the MOSFET 48 of the switch unit 37 and the operational amplifier circuit 54. Therefore, the voltage dividing unit 49 is configured to output a voltage half the analog voltage as the voltage dividing unit output voltage (AVDD / 2).

演算増幅回路54は、例えばオペアンプなどの4つの増幅部56a,56b,56c,56dを内蔵しアナログ電圧(AVDD)が供給される演算部としての増幅用IC56と、この増幅用IC56の異なる出力端子に電気的に接続されるとともに互いに直列に接続された抵抗57,58とを有している。   The operational amplifier circuit 54 includes, for example, four amplifiers 56a, 56b, 56c, and 56d such as operational amplifiers, and an amplifier IC 56 as an arithmetic unit to which an analog voltage (AVDD) is supplied, and different output terminals of the amplifier IC 56 And resistors 57 and 58 connected in series with each other.

増幅部56aは、MOSFET42のソース電極とスイッチ部37のMOSFET48のソース電極とがプラス入力端子にそれぞれ電気的に接続されているとともに、出力端子がマイナス入力端子と、抵抗57と、基準電圧回路61とに電気的に接続されている。   In the amplifying unit 56a, the source electrode of the MOSFET 42 and the source electrode of the MOSFET 48 of the switch unit 37 are electrically connected to the plus input terminal, respectively, the output terminal is the minus input terminal, the resistor 57, and the reference voltage circuit 61. And is electrically connected.

また、増幅部56bは、分圧部49の抵抗51,52間がプラス入力端子に電気的に接続され、抵抗57,58間がマイナス入力端子に電気的に接続され、かつ、出力端子が抵抗57と基準電圧回路61とに電気的に並列接続されている。   In the amplifying unit 56b, the resistors 51 and 52 of the voltage dividing unit 49 are electrically connected to the positive input terminal, the resistors 57 and 58 are electrically connected to the negative input terminal, and the output terminal is a resistor. 57 and the reference voltage circuit 61 are electrically connected in parallel.

ここで、基準電圧回路61は、ソースドライバ8(図3)の基準電圧(VREF0、VREF1、…、VREF(n−1)、VREFn)を生成するものであり、複数の端子が抵抗63とコンデンサ64とを介して、プラス側が増幅部56aの出力端子に電気的に接続され、マイナス側が増幅部56bの出力端子に電気的に接続されている。したがって、この基準電圧回路61のプラス側電位であるソースドライバ8(図3)のプラス側電位(VP)は、増幅部56aにより、入力基準電圧(VP_IN)と等しく設定され、基準電圧回路61のマイナス側電位であるソースドライバ8(図3)のマイナス側電位(VN)は、増幅部56bにより、分圧部出力電圧(AVDD/2)の2倍とプラス側電位(VP)との差分電圧(2×(AVDD/2)−VP)に設定される。   Here, the reference voltage circuit 61 generates reference voltages (VREF0, VREF1,..., VREF (n−1), VREFn) of the source driver 8 (FIG. 3), and a plurality of terminals have resistors 63 and capacitors. The positive side is electrically connected to the output terminal of the amplifying unit 56a, and the negative side is electrically connected to the output terminal of the amplifying unit 56b. Therefore, the plus side potential (VP) of the source driver 8 (FIG. 3) which is the plus side potential of the reference voltage circuit 61 is set equal to the input reference voltage (VP_IN) by the amplifier 56a. The minus side potential (VN) of the source driver 8 (FIG. 3), which is a minus side potential, is a differential voltage between twice the divided voltage output voltage (AVDD / 2) and the plus side potential (VP) by the amplifier 56b. It is set to (2 × (AVDD / 2) −VP).

さらに、増幅部56cは、MOSFET43のソース電極とスイッチ部36のMOSFET45のソース電極とがマイナス入力端子に電気的に接続されているとともに、出力端子がプラス入力端子と、共通電極18に電気的に接続される共通電極線L1と、スイッチ部38とに電気的に接続されている。また、共通電極線L1には、カップリング対策用の大容量のコンデンサ66がグランドとの間に電気的に接続されているとともに、このコンデンサ66の共通電極18側に、放電手段24が電気的に接続されている。   Further, in the amplifying unit 56c, the source electrode of the MOSFET 43 and the source electrode of the MOSFET 45 of the switch unit 36 are electrically connected to the negative input terminal, and the output terminal is electrically connected to the positive input terminal and the common electrode 18. The common electrode line L1 to be connected and the switch unit 38 are electrically connected. The common electrode line L1 is electrically connected with a large-capacitance capacitor 66 as a countermeasure against coupling to the ground, and the discharge means 24 is electrically connected to the common electrode 18 side of the capacitor 66. It is connected to the.

また、抵抗57,58は、それぞれ分圧部49の抵抗51,52と等しい抵抗値に設定されている。   The resistors 57 and 58 are set to have the same resistance values as the resistors 51 and 52 of the voltage dividing section 49, respectively.

スイッチ部38は、スイッチング素子としてのMOSFET67と、このMOSFET67のソース電極に電気的に接続された抵抗68とを有している。   The switch unit 38 includes a MOSFET 67 as a switching element and a resistor 68 electrically connected to the source electrode of the MOSFET 67.

MOSFET67は、例えばn型のものであり、ドレイン電極が演算増幅回路54の増幅用IC56の増幅部56cの出力端子に電気的に接続され、ゲート電極に、MOSFET31のドレイン電極と、MOSFET35のゲート電極と、スイッチ部36のMOSFET44のゲート電極とが電気的に並列接続されている。   The MOSFET 67 is, for example, of the n-type, and the drain electrode is electrically connected to the output terminal of the amplification unit 56c of the amplification IC 56 of the operational amplifier circuit 54. The drain electrode of the MOSFET 31 and the gate electrode of the MOSFET 35 are connected to the gate electrodes. And the gate electrode of the MOSFET 44 of the switch unit 36 are electrically connected in parallel.

また、抵抗68は、各保持容量15に電気的に接続される保持容量線L2と、スイッチ部としてのMOSFET71のドレイン電極に電気的に接続されている。このMOSFET71は、例えばn型のものであり、ソース電極が保持容量電圧入力部V3に電気的に接続されて入力保持容量電圧(VCST_IN)が供給されているとともに、ゲート電極に、プラス側電圧(VDD)が供給される抵抗73と、スイッチング素子としてのMOSFET74のドレイン電極とが電気的に並列接続されている。   The resistor 68 is electrically connected to the storage capacitor line L2 that is electrically connected to each storage capacitor 15 and the drain electrode of the MOSFET 71 serving as a switch unit. The MOSFET 71 is, for example, an n-type, and the source electrode is electrically connected to the storage capacitor voltage input unit V3 to be supplied with the input storage capacitor voltage (VCST_IN), and the positive voltage ( A resistor 73 to which (VDD) is supplied and a drain electrode of a MOSFET 74 as a switching element are electrically connected in parallel.

ここで、MOSFET74は、例えばp型のものであり、プラス側電圧(VDD)とマイナス側電圧(VSS)がソース電極に供給されているとともに、ゲート電極に、マイナス側電圧(VSS)が供給される抵抗76と、MOSFET32のドレイン電極とが電気的に並列接続され、ドレイン電極からMOSFET71のゲート電極へとリセット信号(NRST)を出力する。   Here, the MOSFET 74 is of a p-type, for example, and a positive voltage (VDD) and a negative voltage (VSS) are supplied to the source electrode, and a negative voltage (VSS) is supplied to the gate electrode. The resistor 76 and the drain electrode of the MOSFET 32 are electrically connected in parallel, and a reset signal (NRST) is output from the drain electrode to the gate electrode of the MOSFET 71.

また、MOSFET32は、例えばp型のものであり、ゲート電極が検出手段20のリセットIC27の出力端子に電気的に接続されてリセット信号(RST)が供給されているとともに、ソース電極に、電荷蓄積手段21と、信号生成手段22とが電気的に並列接続され、ドレイン電極からMOSFET74のゲート電極へとリセット信号(RST)と逆位相のリセット信号(/RST)を出力する。   The MOSFET 32 is, for example, a p-type, and the gate electrode is electrically connected to the output terminal of the reset IC 27 of the detecting means 20 to be supplied with a reset signal (RST). The means 21 and the signal generating means 22 are electrically connected in parallel to output a reset signal (RST) having a phase opposite to that of the reset signal (RST) from the drain electrode to the gate electrode of the MOSFET 74.

電荷蓄積手段21は、電源Pからの入力電圧が所定値以下の際に電荷を所定時間保持する、すなわちデジタル電圧(DVDD)の低下のタイミングを遅延させ、この遅延させた遅延電圧(DVDD_DELAY)を信号生成手段22に供給してこの信号生成手段22を駆動させるもので、デジタル電圧(DVDD)がアノード側に供給される整流素子としてのダイオード83と、このダイオード83のカソード側とグランドとの間に電気的に接続された保持素子としてのコンデンサ84とを有し、これらダイオード83とコンデンサ84との間にMOSFET32のソース電極が電気的に接続されている。   The charge accumulating means 21 holds the charge for a predetermined time when the input voltage from the power source P is lower than the predetermined value, that is, delays the timing of the decrease of the digital voltage (DVDD), and uses the delayed delay voltage (DVDD_DELAY). The signal generating means 22 is supplied to drive the signal generating means 22, and a diode 83 as a rectifying element to which a digital voltage (DVDD) is supplied to the anode side, and between the cathode side of the diode 83 and the ground And a capacitor 84 as a holding element electrically connected to the capacitor 83, and the source electrode of the MOSFET 32 is electrically connected between the diode 83 and the capacitor 84.

ダイオード83は、電源P側への電流流出を防止する保護素子である。   The diode 83 is a protective element that prevents current from flowing to the power supply P side.

また、信号生成手段22は、リセットIC27から出力された初期化パルス信号によりオンされ、全てのゲートドライバ7のゲート電極のオンオフを制御する信号を生成するもので、リセットIC27の出力端子にゲート電極が電気的に接続されるスイッチング素子としてのMOSFET86と、このMOSFET86のドレイン電極とMOSFET32のソース電極との間に電気的に接続された抵抗87とを有している。   The signal generation means 22 is turned on by the initialization pulse signal output from the reset IC 27, and generates a signal for controlling on / off of the gate electrodes of all the gate drivers 7. The gate electrode is connected to the output terminal of the reset IC 27. MOSFET 86 as a switching element electrically connected to each other, and a resistor 87 electrically connected between the drain electrode of MOSFET 86 and the source electrode of MOSFET 32.

MOSFET86は、例えばn型のものであり、ソース電極が接地され、リセットIC27から出力されたリセット信号(RST)がHレベル出力である際には、ゲートドライバ制御信号(XDON)をLレベル出力としてゲートドライバ7を通常動作させるとともに、リセットIC27から出力されたリセット信号(RST)がLレベル出力である際には、ゲートドライバ制御信号(XDON)をHレベル出力である全オン信号として出力し、ゲートドライバ7を介して全ての薄膜トランジスタ14のゲート電極をオン状態とする。   The MOSFET 86 is, for example, an n-type, and when the source electrode is grounded and the reset signal (RST) output from the reset IC 27 is an H level output, the gate driver control signal (XDON) is output as an L level output. When the gate driver 7 is normally operated and the reset signal (RST) output from the reset IC 27 is an L level output, the gate driver control signal (XDON) is output as an all-on signal that is an H level output, The gate electrodes of all the thin film transistors 14 are turned on via the gate driver 7.

また、このMOSFET86と抵抗87との間は、ゲートドライバ7(図3)のゲート電極に電気的に接続されている。   The MOSFET 86 and the resistor 87 are electrically connected to the gate electrode of the gate driver 7 (FIG. 3).

初期化手段23は、電源電圧(POWER)の低下時に、画素6(図4)の液晶容量電位である共通電極電位(VCOM)と、信号線電位であるソースドライバ8のプラス側電位(VP)およびマイナス側電位(VN)と、保持容量電位(VCST)とをそれぞれ同電位に設定するものであり、スイッチ部36、スイッチ部37、スイッチ部38、および、MOSFET42,43,71により構成されている。   When the power supply voltage (POWER) decreases, the initialization unit 23 performs common electrode potential (VCOM) that is the liquid crystal capacitance potential of the pixel 6 (FIG. 4) and positive side potential (VP) of the source driver 8 that is the signal line potential. The negative potential (VN) and the holding capacitance potential (VCST) are set to the same potential, and are composed of a switch unit 36, a switch unit 37, a switch unit 38, and MOSFETs 42, 43, 71. Yes.

そして、放電手段24は、共通電極線L1と保持容量線L2とを接地させることで、共通電極電位(VCOM)と保持容量電位(VCST)とを強制的にグランドに放電させるもので、ゲート電極がMOSFET31のドレイン電極に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタとしてのMOSFET91と、このMOSFET91のドレイン電極と共通電極線L1との間に電気的に接続された抵抗92とを有している。   The discharge means 24 is for forcibly discharging the common electrode potential (VCOM) and the retention capacitance potential (VCST) to the ground by grounding the common electrode line L1 and the retention capacitance line L2. MOSFET 91 as a transistor which is a switching element electrically connected to the drain electrode of MOSFET 31, and a resistor 92 electrically connected between the drain electrode of MOSFET 91 and the common electrode line L1 .

MOSFET91は、例えばn型のものであり、ソース電極が接地され、MOSFET31から出力される選択信号(SELECT)によりその動作が制御される。なお、この選択信号(SELECT)は、特にMOSFET91の閾値電圧に対して充分な振幅を持たせるように生成される。   The MOSFET 91 is, for example, an n-type, and its source electrode is grounded, and its operation is controlled by a selection signal (SELECT) output from the MOSFET 31. This selection signal (SELECT) is generated so as to have a sufficient amplitude with respect to the threshold voltage of the MOSFET 91 in particular.

また、抵抗92は、放電手段24での放電時の電流を抵抗値により制限するものであり、本実施の形態では、図5に示すプラス側電位(VP)およびマイナス側電位(VN)の放電時の傾斜に対して、共通電極電位(VCOM)と保持容量電位(VCST)との放電時の傾斜が一致するように抵抗値が設定されている。   Further, the resistor 92 limits the current at the time of discharging in the discharging means 24 by the resistance value, and in this embodiment, discharging of the positive potential (VP) and the negative potential (VN) shown in FIG. The resistance value is set so that the slope at the time of discharge of the common electrode potential (VCOM) and the storage capacitor potential (VCST) matches the slope at the time.

次に、上記一実施の形態の動作を説明する。   Next, the operation of the above embodiment will be described.

図5に示すように、電源Pがオンの状態では、例えば5Vの電圧が電源電圧(POWER)として供給され、このとき、例えばデジタル電圧(DVDD)として3.3V、プラス側電圧(VDD)として24V、マイナス側電圧(VSS)として−6Vが、それぞれ供給される。   As shown in FIG. 5, when the power supply P is on, for example, a voltage of 5V is supplied as the power supply voltage (POWER). At this time, for example, the digital voltage (DVDD) is 3.3V, and the positive voltage (VDD) is 24V and -6V are supplied as the negative side voltage (VSS), respectively.

このとき、リセットIC27は、電源電圧(POWER)の降下を検知しないので、このリセットIC27からのリセット信号(RST)として、3.3VのHレベル出力がなされる。   At this time, since the reset IC 27 does not detect a drop in the power supply voltage (POWER), an H level output of 3.3 V is output as the reset signal (RST) from the reset IC 27.

このリセットIC27からのリセット信号(RST)によりMOSFET31がオンされ、グランド電位(GND)すなわちLレベル出力となった選択信号(SELECT)によりスイッチ部36,37,38と放電手段24のMOSFET91とがオフされ、かつ、プラス側電圧(VDD)がMOSFET42,43のゲート電極に選択信号(/SELECT)として供給されることで、MOSFET42,43がオンされる。   The MOSFET 31 is turned on by the reset signal (RST) from the reset IC 27, and the switch portions 36, 37, and 38 and the MOSFET 91 of the discharging means 24 are turned off by the selection signal (SELECT) that is the ground potential (GND), that is, the L level output. In addition, the positive side voltage (VDD) is supplied to the gate electrodes of the MOSFETs 42 and 43 as the selection signal (/ SELECT), so that the MOSFETs 42 and 43 are turned on.

また、リセットIC27からのリセット信号(RST)によりMOSFET32がオフされてマイナス側電圧(VSS)がリセット信号(/RST)としてMOSFET74のゲート電極に供給されることでMOSFET74がオフされ、プラス側電圧(VDD)がリセット信号(NRST)としてMOSFET71のゲート電極に供給されてこのMOSFET71がオンされる。   Further, the MOSFET 32 is turned off by the reset signal (RST) from the reset IC 27 and the negative side voltage (VSS) is supplied to the gate electrode of the MOSFET 74 as the reset signal (/ RST), whereby the MOSFET 74 is turned off and the positive side voltage ( VDD) is supplied as a reset signal (NRST) to the gate electrode of the MOSFET 71, and the MOSFET 71 is turned on.

さらに、リセットIC27からのリセット信号(RST)によりMOSFET86がオンされることで、ゲートドライバ制御信号(XDON)がグランド電位(GND)と同電位、すなわちLレベル出力となってゲートドライバ7へと出力される。   Further, when the MOSFET 86 is turned on by the reset signal (RST) from the reset IC 27, the gate driver control signal (XDON) becomes the same potential as the ground potential (GND), that is, an L level output and is output to the gate driver 7. Is done.

この結果、基準電圧入力部V1から入力された入力基準電圧(VP_IN)が増幅部56aを介して基準電圧回路61のプラス側に供給されてプラス側電位(VP)となるとともに、共通電極電圧入力部V2から入力された入力共通電極電圧(VCOM_IN)が増幅部56cを介して共通電極線L1を介して共通電極18に共通電極電位(VCOM)として供給され、かつ、保持容量線L2に保持容量電圧入力部V3から入力された入力保持容量電圧(VCST_IN)が保持容量電位(VCST)として保持容量線L2を介して供給される。   As a result, the input reference voltage (VP_IN) input from the reference voltage input unit V1 is supplied to the plus side of the reference voltage circuit 61 through the amplifying unit 56a to become the plus side potential (VP), and the common electrode voltage input The input common electrode voltage (VCOM_IN) input from the unit V2 is supplied as the common electrode potential (VCOM) to the common electrode 18 through the common electrode line L1 through the amplifier unit 56c, and the storage capacitor line L2 has a storage capacitor. The input storage capacitor voltage (VCST_IN) input from the voltage input unit V3 is supplied as a storage capacitor potential (VCST) via the storage capacitor line L2.

また、基準電圧回路61のマイナス側には、入力基準電圧(VP_IN)と分圧部49から出力される分圧部出力電圧(AVDD/2)の2倍との差分電圧(2×(AVDD/2)−VP)が供給されてマイナス側電位(VN)となる。   Further, on the negative side of the reference voltage circuit 61, a differential voltage (2 × (AVDD /) between the input reference voltage (VP_IN) and twice the divided voltage output voltage (AVDD / 2) output from the voltage divider 49 is provided. 2) -VP) is supplied and becomes a negative potential (VN).

そして、基準電圧回路61の各抵抗63により分圧された基準電圧(VREF0、VREF1、…)が、画素6(図4)の複数のデジタル階調データに応じてソースドライバ8(図3)に供給される。   Then, the reference voltages (VREF0, VREF1,...) Divided by the resistors 63 of the reference voltage circuit 61 are supplied to the source driver 8 (FIG. 3) according to a plurality of digital gradation data of the pixel 6 (FIG. 4). Supplied.

この結果、図3に示すように、ゲートドライバ7およびソースドライバ8により走査線11および信号線12を介して走査線駆動信号(GS)と信号線駆動信号(SS)が薄膜トランジスタ14(図4)に供給され、各画素6(図4)が所定の階調となるように駆動される。   As a result, as shown in FIG. 3, the gate driver 7 and the source driver 8 convert the scanning line drive signal (GS) and the signal line drive signal (SS) through the scanning line 11 and the signal line 12 into the thin film transistor 14 (FIG. 4). And each pixel 6 (FIG. 4) is driven to have a predetermined gradation.

一方、電源Pを遮断すなわちオフとした際には、電源電圧(POWER)とデジタル電圧(DVDD)とが徐々に低下する。   On the other hand, when the power source P is shut off, that is, turned off, the power source voltage (POWER) and the digital voltage (DVDD) gradually decrease.

このとき、コンデンサ84にてデジタル電圧(DVDD)の電荷を保持することにより、低下が遅延された遅延電圧(DVDD_DELAY)が電荷蓄積手段21により生成される。   At this time, by holding the charge of the digital voltage (DVDD) by the capacitor 84, the charge storage means 21 generates a delay voltage (DVDD_DELAY) whose drop is delayed.

リセットIC27は、電源電圧(POWER)が予め設定された所定の電圧よりも低くなった際には、リセット信号(RST)がLレベル出力となる。   In the reset IC 27, when the power supply voltage (POWER) becomes lower than a predetermined voltage set in advance, the reset signal (RST) becomes an L level output.

このため、このリセット信号(RST)がゲート電極に供給されることによりMOSFET31がオフされることで、グランド電位(GND)へと徐々に低下するプラス側電圧(VDD)がスイッチ部36,37,38にそれぞれ選択信号(SELECT)として供給されて、これらスイッチ部36,37,38のMOSFET44,45,47,48,67がオンされ、かつ、選択信号(/SELECT)がグランド電位(GND)と等しい、すなわちLレベル出力となることでMOSFET42,43がオフされ、さらに、MOSFET32がリセット信号(RST)によりオフされ、グランド電位(GND)へと徐々に上昇するマイナス側電圧(VSS)が選択信号(/RST)としてMOSFET74のゲート電極に供給されてこのMOSFET74がオンされ、このMOSFET74を介してマイナス側電圧(VSS)がリセット信号(NRST)としてMOSFET71のゲート電極に供給されてこのMOSFET71がオフされる。   For this reason, when the reset signal (RST) is supplied to the gate electrode, the MOSFET 31 is turned off, so that the positive voltage (VDD) gradually decreasing to the ground potential (GND) is changed to the switch units 36, 37, 38 are supplied as selection signals (SELECT), the MOSFETs 44, 45, 47, 48, and 67 of the switch sections 36, 37, and 38 are turned on, and the selection signal (/ SELECT) is set to the ground potential (GND). The MOSFETs 42 and 43 are turned off when they are equal, that is, the L level output, and further, the MOSFET 32 is turned off by the reset signal (RST), and the negative voltage (VSS) gradually rising to the ground potential (GND) is selected. (/ RST) is supplied to the gate electrode of the MOSFET 74 to turn on the MOSFET 74, and the negative voltage (VS ) This MOSFET71 is turned off is supplied to the gate electrode of the MOSFET71 as a reset signal (NRST).

すなわち、スイッチ部37のMOSFET47,48のオンにより、増幅部56aに入力される入力基準電圧(VP_IN)と増幅部56cに入力される入力共通電極電圧(VCOM_IN)とが、分圧部49の抵抗51,52間と同電位、換言すれば分圧部出力電圧(AVDD/2)と等しくなるため、共通電極電位(VCOM)と、ソースドライバ8(図3)のプラス側電位(VP)とのそれぞれが分圧部出力電圧(AVDD/2)と等しくなり、2×(AVDD/2)−VPで得られるソースドライバ8(図3)のマイナス側電位(VN)も分圧部出力電圧(AVDD/2)と等しくなり、さらに、スイッチ部38のMOSFET67のオンにより、保持容量電位(VCST)も共通電極電位(VCOM)と等しい分圧部出力電圧(AVDD/2)となる。   That is, when the MOSFETs 47 and 48 of the switch unit 37 are turned on, the input reference voltage (VP_IN) input to the amplifying unit 56a and the input common electrode voltage (VCOM_IN) input to the amplifying unit 56c become the resistance of the voltage dividing unit 49. Since the same potential as that between 51 and 52, in other words, equal to the output voltage of the voltage dividing section (AVDD / 2), the common electrode potential (VCOM) and the positive potential (VP) of the source driver 8 (FIG. 3) Each is equal to the voltage divider output voltage (AVDD / 2), and the negative potential (VN) of the source driver 8 (FIG. 3) obtained by 2 × (AVDD / 2) −VP is also the voltage divider output voltage (AVDD). / 2), and further, when the MOSFET 67 of the switch unit 38 is turned on, the storage capacitor potential (VCST) also becomes the divided voltage output voltage (AVDD / 2) equal to the common electrode potential (VCOM).

この状態で、MOSFET86がリセットIC27からのリセット信号(RST)によりオフされることで、遅延電圧(DVDD_DELAY)がゲートドライバ制御信号(XDON)のHレベル出力となってゲートドライバ7へと出力され、これらゲートドライバ7を介して全ての画素6(図4)に対応する薄膜トランジスタ14のゲート電極が開かれる。   In this state, the MOSFET 86 is turned off by the reset signal (RST) from the reset IC 27, so that the delay voltage (DVDD_DELAY) becomes an H level output of the gate driver control signal (XDON) and is output to the gate driver 7. Through these gate drivers 7, the gate electrodes of the thin film transistors 14 corresponding to all the pixels 6 (FIG. 4) are opened.

そして、ソースドライバ8(図3)の各電位(VP,VN)は、グランドへと放電される。   Then, each potential (VP, VN) of the source driver 8 (FIG. 3) is discharged to the ground.

また、共通電極電位(VCOM)および保持容量電位(VCST)は、プラス側電圧(VDD)が放電手段24のMOSFET91のゲート電極に供給されることでこのMOSFET91がオンされることにより、選択信号(SELECT)がHレベル出力である間、抵抗92を介してグランドへと放電される。   Further, the common electrode potential (VCOM) and the storage capacitor potential (VCST) are selected when the positive voltage (VDD) is supplied to the gate electrode of the MOSFET 91 of the discharging means 24 and the MOSFET 91 is turned on. While SELECT is at the H level output, it is discharged to ground through resistor 92.

上述したように、上記一実施の形態では、電源遮断時の電圧降下を検出手段20で検出した際に信号生成手段22により生成された信号に基づき、初期化手段23が共通電極18、保持容量15および信号線12のそれぞれを同電位とするとともに、放電手段24が共通電極18および保持容量15の電荷をグランドへと強制的に放電する構成とした。   As described above, in the above-described embodiment, the initialization unit 23 includes the common electrode 18 and the storage capacitor based on the signal generated by the signal generation unit 22 when the voltage drop at the time of power-off is detected by the detection unit 20. 15 and the signal line 12 are set to the same potential, and the discharging means 24 forcibly discharges the charges of the common electrode 18 and the storage capacitor 15 to the ground.

すなわち、共通電極電位(VCOM)と保持容量電位(VCST)とのそれぞれの電位は、カップリング対策用の大容量のコンデンサ66により電荷が保持されることでその放電の速度が低減されてしまい、信号線電位となるプラス側電位(VP)およびマイナス側電位(VN)がグランドへと放電される際の速度よりも放電の速度が遅くなり、この放電の際に一瞬の電位差が生じ、この電位差によって一瞬の残像、すなわち直前まで画素6に表示されていた画像と関連する画像パターンが表示領域5に形成されるおそれがあるので、初期化手段23によりプラス側電位(VP)およびマイナス側電位(VN)と同電位にした共通電極電位(VCOM)と保持容量電位(VCST)とを、放電手段24を介してグランドへと強制的に素早く放電することで、放電時に共通電極電位(VCOM)および保持容量電位(VCST)と、プラス側電位(VP)およびマイナス側電位(VN)との間に電位差を生じることなく各画素6(図4)の液晶容量13と保持容量15とに保持されている電荷を確実に放電し、電源遮断後の残像を確実に防止できる。   That is, the electric potential of each of the common electrode potential (VCOM) and the holding capacitance potential (VCST) is held by the large-capacitance capacitor 66 as a countermeasure against coupling, so that the discharge speed is reduced. The rate of discharge is slower than the rate at which the plus potential (VP) and minus potential (VN), which are signal line potentials, are discharged to ground, and an instantaneous potential difference occurs during this discharge. May cause an afterimage for a moment, that is, an image pattern related to the image displayed on the pixel 6 until immediately before may be formed in the display area 5, so that the initialization means 23 causes the positive potential (VP) and the negative potential (VP) The common electrode potential (VCOM) and the holding capacitance potential (VCST), which are set to the same potential as VN), are forcibly and quickly discharged to the ground via the discharge means 24, so that the common electrode potential is discharged. The liquid crystal capacitance 13 and the holding capacitance 15 of each pixel 6 (FIG. 4) without causing a potential difference between the potential (VCOM) and the holding capacitance potential (VCST) and the plus side potential (VP) and the minus side potential (VN). Thus, the electric charge held in the first and second discharges can be surely discharged, and afterimages after power-off can be surely prevented.

具体的に、放電手段24は、MOSFET91と抵抗92とで構成されているので、このMOSFET91の閾値電圧を1.5V程度のものとすれば、CMOSロジックレベルなどで容易にスイッチング制御できるとともに、抵抗92の抵抗値を可変させることにより放電手段24による放電速度を容易に設定できる。   Specifically, since the discharging means 24 is composed of a MOSFET 91 and a resistor 92, if the threshold voltage of the MOSFET 91 is about 1.5V, switching control can be easily performed at a CMOS logic level and the like. By changing the resistance value of 92, the discharge rate by the discharge means 24 can be easily set.

しかも、この放電手段24は、MOSFET91と抵抗92との直列回路であるため、容易に構成できる。   Moreover, since the discharging means 24 is a series circuit of the MOSFET 91 and the resistor 92, it can be easily configured.

また、電源遮断後には、一般に電圧が直ちに放電され、信号生成手段22などの各種回路を制御することが容易でないため、電荷を所定時間保持する電荷蓄積手段21を設けることにより、例えば液晶パネル1が組み込まれている機器本体側から電源遮断時にこの電源遮断を知らせる所定の信号を別途出力するなどすることなく、信号生成手段22などを容易に制御でき、画素6(図4)の電荷を確実に放電させることができる。   In addition, since the voltage is generally discharged immediately after the power supply is cut off, and it is not easy to control various circuits such as the signal generation unit 22, the charge storage unit 21 that holds the charge for a predetermined time is provided. The signal generator 22 and the like can be easily controlled without separately outputting a predetermined signal for notifying the power shut-off when the power is shut down from the device main body side in which the device is incorporated, and the charge of the pixel 6 (FIG. 4) is surely secured. Can be discharged.

なお、上記一実施の形態において、検出手段20は、電源遮断時の電圧降下を検出できれば、その細部は上記構成に限定されるものではない。   In the above embodiment, the detecting means 20 is not limited to the above configuration as long as it can detect a voltage drop when the power is shut off.

同様に、電荷蓄積手段21は、検出手段20により電源電圧(POWER)の降下を検出した際に電荷を所定時間保持し、この電荷により信号生成手段22を駆動させることができれば、上記構成に限定されるものではなく、信号生成手段22は、検出手段20により電源電圧(POWER)の降下を検出した際に信号を生成できれば、上記構成に限定されるものではなく、初期化手段23は、信号生成手段22により生成された信号に基づき、保持容量15および信号線12のそれぞれを同電位にできれば、上記構成に限定されるものではなく、また、放電手段24は、信号生成手段22により生成された信号に基づき、共通電極18、保持容量15および信号線12のそれぞれを同電位として共通電極18および保持容量15の電荷をグランドへと放電できれば、上記構成に限定されるものではない。   Similarly, the charge storage means 21 is limited to the above configuration as long as it can hold the charge for a predetermined time when the detection means 20 detects a drop in the power supply voltage (POWER) and can drive the signal generation means 22 by this charge. The signal generating means 22 is not limited to the above configuration as long as it can generate a signal when the detecting means 20 detects a drop in the power supply voltage (POWER). As long as the holding capacitor 15 and the signal line 12 can be set to the same potential based on the signal generated by the generation unit 22, the configuration is not limited to the above, and the discharge unit 24 is generated by the signal generation unit 22. If the common electrode 18, the holding capacitor 15 and the signal line 12 can be set to the same potential and the electric charge of the common electrode 18 and the holding capacitor 15 can be discharged to the ground based on the signal, the configuration is limited to the above. No.

さらに、液晶パネル1のアレイ基板2および対向基板3などの細部は、上記構成に限定されるものではない。   Further, details of the array substrate 2 and the counter substrate 3 of the liquid crystal panel 1 are not limited to the above configuration.

本発明の一実施の形態の液晶表示素子を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the liquid crystal display element of one embodiment of this invention. 同上液晶表示素子の要部を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the principal part of a liquid crystal display element same as the above. 同上液晶表示素子を示す平面図である。It is a top view which shows a liquid crystal display element same as the above. 同上液晶表示素子の画素を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the pixel of a liquid crystal display element same as the above. 同上液晶表示素子の制御を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows control of a liquid crystal display element same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

1 液晶パネル
11 走査線
12 信号線
14 薄膜トランジスタ
15 保持容量
16 画素電極
18 共通電極
20 電圧降下検出手段
21 電荷蓄積手段
22 信号生成手段
23 初期化手段
24 放電手段
91 MOSFET
92 抵抗
1 LCD panel
11 Scan lines
12 Signal line
14 Thin film transistor
15 Holding capacity
16 pixel electrodes
18 Common electrode
20 Voltage drop detection means
21 Charge storage means
22 Signal generation means
23 Initialization method
24 Discharge means
91 MOSFET
92 Resistance

Claims (3)

交差状に配置された複数の信号線および複数の走査線と、これら信号線と走査線との各交差部に設けられた画素電極と、前記走査線に供給される駆動信号により制御されて前記画素電極を駆動させるスイッチング素子と、前記画素電極に電気的に接続された保持容量と、前記画素電極に対し液晶層を介して対向して配設された共通電極とを備えた液晶表示素子であって、
電源遮断時の電圧降下を検出する電圧降下検出手段と、
この電圧降下検出手段により電圧降下を検出した際に信号を生成する信号生成手段と、
この信号生成手段により生成された信号に基づき、前記共通電極、前記保持容量および前記信号線のそれぞれを同電位とする初期化手段と、
前記信号生成手段により生成された信号に基づき、前記共通電極および前記保持容量の電荷をグランドへと放電する放電手段と
を具備したことを特徴とした液晶表示素子。
Controlled by a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged in an intersecting manner, pixel electrodes provided at each intersection of the signal lines and the scanning lines, and a drive signal supplied to the scanning lines. A liquid crystal display element comprising: a switching element for driving a pixel electrode; a storage capacitor electrically connected to the pixel electrode; and a common electrode disposed facing the pixel electrode with a liquid crystal layer interposed therebetween. There,
A voltage drop detection means for detecting a voltage drop when the power is shut off;
A signal generating means for generating a signal when a voltage drop is detected by the voltage drop detecting means;
Initialization means for setting the common electrode, the storage capacitor, and the signal line to the same potential based on the signal generated by the signal generation means;
A liquid crystal display element comprising: a discharge unit that discharges charges of the common electrode and the storage capacitor to a ground based on a signal generated by the signal generation unit.
前記放電手段は、
ドレイン電極が接地されているとともに前記信号生成手段により生成された信号がゲート電極に入力されるトランジスタと、
前記共通電極と前記トランジスタのソース電極との間に電気的に接続された抵抗とを備えている
ことを特徴とした請求項1記載の液晶表示素子。
The discharging means includes
A transistor in which the drain electrode is grounded and the signal generated by the signal generating means is input to the gate electrode;
The liquid crystal display element according to claim 1, further comprising a resistor electrically connected between the common electrode and a source electrode of the transistor.
前記電圧降下検出手段により電圧降下を検出した際に電荷を所定時間保持し、この電荷により前記信号生成手段を駆動させる電荷蓄積手段を具備した
ことを特徴とした請求項1または2記載の液晶表示素子。
3. A liquid crystal display according to claim 1, further comprising charge storage means for holding a charge for a predetermined time when the voltage drop is detected by the voltage drop detection means and driving the signal generation means by the charge. element.
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