JP2007208019A

JP2007208019A - Light emitting device, and method of manufacturing same

Info

Publication number: JP2007208019A
Application number: JP2006025345A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Takei; 周一武井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-02-02
Filing date: 2006-02-02
Publication date: 2007-08-16
Anticipated expiration: 2026-02-02
Also published as: JP4770492B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device which is capable of achieving equivalent element characteristics, even if the manufacturing conditions of the hole transporting layer of an electroluminescent element are changed, and to provide its manufacturing method. SOLUTION: In the organic electroluminescent element 110 of the light emitting device 100, the hole transporting layer 113c is equipped with a high-resistance layer 113b formed of a polystyrenesulfonic acid and higher in resistivity than a conductive high polymer layer 113a, besides the conductive high polymer layer 113a formed of 3,4-polyethylene dioxy thiophene that contains a polystyrenesulfonic acid as a dopant, so that a resistance change in the conductive high polymer layer 113a can be corrected by the high-resistance layer 113b, even if the conductive high polymer layer 113a becomes lower in resistance due to a change in its forming conditions. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置、およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a light emitting device including an electroluminescence element and a method for manufacturing the same.

発光装置に用いられている有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ／Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子は、少なくとも、陽極層、正孔輸送層、発光層および陰極層がこの順に積層されている。これらの各層のうち、正孔輸送層および発光層を形成する方法として、基板上に、高分子材料からなる有機機能材料を溶媒に溶解あるいは分散した液状物の液滴をノズル開口からドット状に吐出した後、液体から溶媒を乾燥させることにより基板上に定着させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In an organic electroluminescence (EL / Electroluminescence) element used in a light emitting device, at least an anode layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and a cathode layer are laminated in this order. Among these layers, as a method for forming a hole transport layer and a light emitting layer, liquid droplets in which an organic functional material made of a polymer material is dissolved or dispersed in a solvent are formed into dots from a nozzle opening. There has been proposed a method of fixing on a substrate by drying a solvent from a liquid after discharging (see, for example, Patent Document 1).

このような製造方法において、正孔輸送層がドーパントとしてポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）からなる場合、ポリスチレンスルホン酸およびポリエチレンジオキシチオフェンのいずれもが水に分散可能であるため、ポリスチレンスルホン酸および３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを水単独に分散させた液状物の液滴をドット状に吐出して正孔輸送層を形成するのが一般的である。
特開２００３−１２３９８８号公報 In such a production method, when the hole transport layer is made of 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT) containing polystyrenesulfonic acid (PSS) as a dopant, both polystyrenesulfonic acid and polyethylenedioxythiophene are used. Since it is dispersible in water, it is common to form a hole transport layer by discharging liquid droplets of polystyrene sulfonic acid and 3,4-polyethylenedioxythiophene dispersed in water alone in the form of dots. It is.
JP 2003-123988 A

液状物の液滴をノズル開口からドット状に吐出する液滴吐出法では、液滴を安定した状態に吐出するには、液状物の粘度などを調整する必要があり、それには、ポリスチレンスルホン酸および３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを溶解あるいは分散させる溶媒として、水に有機溶剤を配合した混合溶媒を用いればよい。しかしながら、原因については未だ十分に解明されていないが、溶媒として水を用いた場合と、有機溶剤と水との混合溶媒を用いた場合とでは、正孔輸送層の導電率、表面粗さ、仕事関数などが変化してしまうという問題点がある。このため、正孔輸送層から発光層への正孔注入量が変化し、発光層でのキャリアバランスが崩れる結果、発光効率が低下するという問題点がある。特に上記の特性のうち、正孔輸送層の抵抗値が低くなると、エレクトロルミネッセンス素子全体としての抵抗が低くなる結果、エレクトロルミネッセンス素子の寿命が低下する。 In the liquid droplet ejection method in which liquid droplets are ejected in the form of dots from the nozzle opening, it is necessary to adjust the viscosity of the liquid material in order to eject the droplets in a stable state. As a solvent for dissolving or dispersing 3,4-polyethylenedioxythiophene, a mixed solvent in which an organic solvent is mixed with water may be used. However, the cause has not yet been fully elucidated, but when water is used as a solvent and when a mixed solvent of an organic solvent and water is used, the conductivity, surface roughness, There is a problem that the work function changes. For this reason, the amount of holes injected from the hole transport layer into the light emitting layer changes, and the carrier balance in the light emitting layer is disrupted, resulting in a problem that the light emission efficiency is lowered. In particular, among the above characteristics, when the resistance value of the hole transport layer is lowered, the resistance of the electroluminescence element as a whole is lowered, so that the lifetime of the electroluminescence element is reduced.

このような問題は、液滴吐出法に限らず、スピンコート法などを採用した場合にも同様に発生する。すなわち、湿式法を採用する限り、避けられない問題点である。 Such a problem occurs not only in the droplet discharge method but also in the case where a spin coating method or the like is employed. That is, as long as the wet method is employed, this is an inevitable problem.

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の製造条件を変えても同等の素子特性を得ることのできる発光装置およびその製造方法を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of obtaining equivalent device characteristics even when the manufacturing conditions of the hole transport layer of the electroluminescence device are changed, and a manufacturing method thereof. .

上記課題を解決するために、本発明では、少なくとも、陽極層、正孔輸送層、発光層および陰極層がこの順に積層されたエレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置において、前記正孔輸送層では、導電性高分子層と、該導電性高分子層よりも抵抗率が高く、かつ、当該導電性高分子層よりも膜厚が薄い高抵抗層とが積層されていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, in the present invention, in the light emitting device including an electroluminescence element in which at least an anode layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and a cathode layer are laminated in this order, A conductive polymer layer and a high-resistance layer having a higher resistivity than the conductive polymer layer and a thickness smaller than that of the conductive polymer layer are stacked.

本発明では、正孔輸送層を液滴吐出法などの湿式法により形成する際に、液状物の液滴を安定した状態に吐出することを目的に液状物の溶媒として有機溶剤と水との混合溶媒を用いたことに起因して正孔輸送層の抵抗が溶媒として水単独を用いて場合と比較して低くなった場合でも、正孔輸送層が導電性高分子層に加えてこの導電性高分子層よりも抵抗率が高い高抵抗層を備えているため、製造条件の変更に伴う抵抗変化を高抵抗層で補正できる。また、高抵抗層は抵抗率が高いが、膜厚が薄いので、エレクトロルミネッセンス素子全体としての抵抗を高めることはない。それ故、液状物の溶媒として有機溶剤と水との混合溶媒を用いた場合でも、高抵抗層の膜厚を最適化するだけで、正孔輸送層全体としての抵抗については、液状物の溶媒として水単独を用いた場合と同等にすることができるので、エレクトロルミネッセンス素子に十分な寿命を確保することができ、かつ、同等の発光特性を得ることができる。 In the present invention, when the hole transport layer is formed by a wet method such as a droplet discharge method, an organic solvent and water are used as a liquid solvent for the purpose of discharging liquid droplets in a stable state. Even when the resistance of the hole transport layer is lower than when using water alone as the solvent due to the use of the mixed solvent, the hole transport layer is added to the conductive polymer layer in addition to this conductive polymer layer. Since the high resistance layer having a higher resistivity than that of the conductive polymer layer is provided, the resistance change accompanying the change in the manufacturing conditions can be corrected by the high resistance layer. Moreover, although the high resistance layer has a high resistivity, since the film thickness is thin, the resistance of the entire electroluminescent element is not increased. Therefore, even when a mixed solvent of an organic solvent and water is used as a liquid solvent, it is only necessary to optimize the film thickness of the high resistance layer. Since it can be made equivalent to the case where water alone is used, a sufficient lifetime can be secured for the electroluminescence element, and equivalent light emission characteristics can be obtained.

本発明において、前記正孔輸送層では、例えば、前記高抵抗層が前記導電性高分子層の上層に形成されている構成を採用することができる。 In the present invention, for the hole transport layer, for example, a configuration in which the high resistance layer is formed in an upper layer of the conductive polymer layer can be adopted.

本発明において、前記導電性高分子層は、例えば、ドーパントを導電性高分子材料中に含有している。この場合、前記ドーパントは高分子材料からなり、前記高抵抗層は、前記ドーパントと同一の高分子材料からなる構成を採用することができる。このように構成すると、導電性高分子層と高抵抗層との間での正孔の輸送を円滑に行うことができる。 In the present invention, the conductive polymer layer contains, for example, a dopant in a conductive polymer material. In this case, the dopant may be made of a polymer material, and the high resistance layer may be made of the same polymer material as the dopant. If comprised in this way, the hole transport between a conductive polymer layer and a high resistance layer can be performed smoothly.

本発明において、前記導電性高分子層は、例えば、ポリスチレンスルホン酸を前記ドーパントとして含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンからなる。 In the present invention, the conductive polymer layer is made of 3,4-polyethylenedioxythiophene containing, for example, polystyrene sulfonic acid as the dopant.

本発明は、前記正孔輸送層と前記発光層との層間に、高分子材料からなる中間層が電子ブロック層などとして形成されている場合にも適用することができる。 The present invention can also be applied to the case where an intermediate layer made of a polymer material is formed as an electron blocking layer or the like between the hole transport layer and the light emitting layer.

本発明を適用した発光装置を製造する際、前記導電性高分子層の形成にあたっては、当該導電性高分子層を形成するための材料を溶媒に溶解あるいは分散させた液状物を媒体上に塗布する塗布工程と、当該媒体上に吐出した前記液状物を乾燥させる乾燥工程とを行い、前記液状物では前記溶媒として有機溶剤と水との混合溶媒を用いる。 When manufacturing the light emitting device to which the present invention is applied, the conductive polymer layer is formed by applying a liquid material in which a material for forming the conductive polymer layer is dissolved or dispersed in a solvent on the medium. And a drying step of drying the liquid material discharged onto the medium, and the liquid material uses a mixed solvent of an organic solvent and water as the solvent.

ここで、前記塗布工程では、前記液状物の液滴をノズル開口から媒体上に吐出する液滴吐出工程を行うことが好ましい。このように構成すると、スピンコート法と比較して、媒体上の所定位置に液状物を選択的に塗布でき、生産効率が高いとともに材料が無駄にならないという利点がある。 Here, in the coating step, it is preferable to perform a droplet discharge step of discharging the liquid droplets onto the medium from the nozzle openings. When configured in this manner, the liquid material can be selectively applied to a predetermined position on the medium as compared with the spin coating method, and there is an advantage that the production efficiency is high and the material is not wasted.

本発明を適用した発光装置は、携帯電話機、テレビ、車載パネル、パーソナルコンピュータやＰＤＡなどの電子機器においてフルカラー表示装置として用いられる。また、本発明を適用した発光装置は、文字情報表示パネルや車載パネルのエリアカラー表示装置として用いることができる。さらに、本発明を適用した発光装置は、各種光源や、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして用いることができる。 A light-emitting device to which the present invention is applied is used as a full-color display device in electronic devices such as a mobile phone, a television, an in-vehicle panel, a personal computer, and a PDA. The light-emitting device to which the present invention is applied can be used as an area color display device for a character information display panel or a vehicle-mounted panel. Furthermore, the light emitting device to which the present invention is applied can be used as an exposure head in various light sources and image forming apparatuses such as digital copying machines and printers.

以下に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を相違させてある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings used for the following description, the scales are different for each layer and each member in order to make each layer and each member large enough to be recognized on the drawing.

（発光装置の全体構成）
図１は、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置のうち、エレクトロルミネッセンス表示装置の電気的構成を示すブロック図である。 (Whole structure of light emitting device)
FIG. 1 is a block diagram illustrating an electrical configuration of an electroluminescence display device among light-emitting devices each including an organic electroluminescence element as a light-emitting element.

図１に示す発光装置１００は、駆動電流が流れることによって発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を薄膜トランジスタで駆動制御するエレクトロルミネッセンス装置であり、このタイプの発光装置１００では、有機エレクトロルミネッセンス素子が自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。本形態の発光装置１００では、複数の走査線１６３と、この走査線１６３の延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１６４と、これらのデータ線１６４に並列する複数の共通給電線１６５と、データ線１６４と走査線１６３との交差点に対応する画素１１５とが構成され、画素１１５は、画像表示領域にマトリクス状に配置されている。データ線１６４に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１５１が構成されている。走査線１６３に対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１５４が構成されている。また、複数の画素１１５の各々には、走査線１６３を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用の薄膜トランジスタ１０６と、この薄膜トランジスタ１０６を介してデータ線１６４から供給される画像信号を保持する保持容量１３３と、この保持容量１３３によって保持された画像信号がゲート電極に供給される電流制御用の薄膜トランジスタ１０７と、薄膜トランジスタ１０７を介して共通給電線１６５に電気的に接続したときに共通給電線１６５から駆動電流が流れ込む有機エレクトロルミネッセンス素子１１３とが構成されている。 A light-emitting device 100 shown in FIG. 1 is an electroluminescence device that drives and controls an organic electroluminescence element that emits light when a driving current flows, and this type of light-emitting device 100 self-emits an organic electroluminescence element. There are advantages such as no need for a backlight and less viewing angle dependency. In the light emitting device 100 of this embodiment, a plurality of scanning lines 163, a plurality of data lines 164 extending in a direction intersecting with the extending direction of the scanning lines 163, and a plurality of data lines 164 arranged in parallel with these data lines 164. The common power supply line 165 and the pixel 115 corresponding to the intersection of the data line 164 and the scanning line 163 are configured, and the pixels 115 are arranged in a matrix in the image display area. For the data line 164, a data line driving circuit 151 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is configured. A scanning line driving circuit 154 including a shift register and a level shifter is configured for the scanning line 163. Each of the plurality of pixels 115 receives a pixel switching thin film transistor 106 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 163 and an image signal supplied from the data line 164 through the thin film transistor 106. Common when a storage capacitor 133 to be held, a current control thin film transistor 107 to which an image signal held by the storage capacitor 133 is supplied to the gate electrode, and the common power supply line 165 through the thin film transistor 107 are electrically connected An organic electroluminescence element 113 into which a drive current flows from the feeder line 165 is configured.

（発光装置の画素構成）
図２（Ａ）、（Ｂ）は各々、本発明を適用した発光装置の１画素分の平面図および断面図である。図３は、本発明を適用した発光装置の各色に対応する３つの画素（１ドット分）の断面図である。 (Pixel structure of light emitting device)
2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, for one pixel of a light emitting device to which the present invention is applied. FIG. 3 is a cross-sectional view of three pixels (for one dot) corresponding to each color of the light emitting device to which the present invention is applied.

本形態の発光装置１００を構成するにあたって、より具体的には、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板を構成するガラス基板などからなる基板１２０上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）が形成され、この下地保護膜上に、薄膜トランジスタ１０７などを構成するためのポリシリコン膜からなる半導体膜１０９ａが島状に形成されている。半導体膜１０９ａには不純物の導入によってソース・ドレイン領域１０９ｂ、１０９ｃが形成され、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１０９ｄとなっている。下地保護膜および半導体膜１０９ａの上層側にはゲート絶縁膜１２１が形成され、ゲート絶縁膜１２１上にはアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなる走査線１６３およびゲート電極１４３が形成されている。走査線１６３、ゲート電極１４３およびゲート絶縁膜１２１の上層側には、第１層間絶縁膜１２２と第２層間絶縁膜１２３とがこの順に積層されている。ここで、第１層間絶縁膜１２２および第２層間絶縁膜１２３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ₂）、チタン酸化物（ＴｉＯ₂）などの無機絶縁膜から構成されている。 More specifically, when the light emitting device 100 of this embodiment is configured, as shown in FIGS. 2A and 2B, a silicon oxide film is formed on a substrate 120 made of a glass substrate that constitutes an element substrate. A base protective film (not shown) is formed, and a semiconductor film 109a made of a polysilicon film for forming the thin film transistor 107 and the like is formed in an island shape on the base protective film. Source / drain regions 109b and 109c are formed in the semiconductor film 109a by introducing impurities, and a portion where no impurities are introduced becomes a channel region 109d. A gate insulating film 121 is formed on an upper layer side of the base protective film and the semiconductor film 109a. On the gate insulating film 121, aluminum (Al), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), titanium (Ti), tungsten (W A scanning line 163 and a gate electrode 143 are formed. On the upper layer side of the scanning line 163, the gate electrode 143, and the gate insulating film 121, a first interlayer insulating film 122 and a second interlayer insulating film 123 are stacked in this order. Here, the first interlayer insulating film 122 and the second interlayer insulating film 123 are made of an inorganic insulating film such as silicon oxide (SiO ₂ ) or titanium oxide (TiO ₂ ).

第１層間絶縁膜１２２の上層には、第１層間絶縁膜１２２およびゲート絶縁膜１２１のコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域１０９ｂ、１０９ｃにそれぞれ接続するソース・ドレイン電極１２６および共通給電線１６５が形成されている。また、第１層間絶縁膜１２２の上層にはデータ線１６４も形成されている。 A source / drain electrode 126 and a common feed line 165 are connected to the source / drain regions 109b and 109c through contact holes of the first interlayer insulating film 122 and the gate insulating film 121, respectively, on the first interlayer insulating film 122. Is formed. A data line 164 is also formed in the upper layer of the first interlayer insulating film 122.

第２層間絶縁膜１２２上には、ＩＴＯ（酸化インジウム−スズ／ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）層からなる光透過性の画素電極１１１が形成され、この画素電極１１１は、第２層間絶縁膜１２２のコンタクトホールを介してソース・ドレイン電極１２６に電気的に接続している。従って、画素電極１１１は、薄膜トランジスタ１０７を介して共通給電線１６５に電気的に接続したとき、共通給電線１６５から駆動電流が流れ込む。 A light transmissive pixel electrode 111 made of an ITO (Indium Tin Oxide / Indium Tin Oxide) layer is formed on the second interlayer insulating film 122, and the pixel electrode 111 is a contact hole of the second interlayer insulating film 122. The electrode is electrically connected to the source / drain electrode 126. Accordingly, when the pixel electrode 111 is electrically connected to the common power supply line 165 via the thin film transistor 107, a drive current flows from the common power supply line 165.

各画素１１５には、陽極としてのＩＴＯ膜からなる画素電極１１１と、有機機能層１１３と、陰極としての対向電極１１２がこの順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子１１０が形成されている。 In each pixel 115, an organic electroluminescence element 110 is formed in which a pixel electrode 111 made of an ITO film as an anode, an organic functional layer 113, and a counter electrode 112 as a cathode are laminated in this order.

本形態の発光装置１００は、基板側に向けて表示光を出射するボトムエミッション型であり、対向電極１１２は、薄いカルシウム層やアルミニウム膜などといった光反射性の導電膜により構成されている。なお、発光装置１００が、基板とは反対側に向けて表示光を出射するトップエミッション型である場合、対向電極１１２は、例えば、薄いカルシウム層と、ＩＴＯ層などからなる光透過性陰極層とから構成され、画素電極１１１の下層側には、画素電極１１１の略全体と重なるようにアルミニウム膜などからなる光反射層が形成される。 The light emitting device 100 of this embodiment is a bottom emission type that emits display light toward the substrate side, and the counter electrode 112 is formed of a light reflective conductive film such as a thin calcium layer or an aluminum film. When the light emitting device 100 is a top emission type that emits display light toward the side opposite to the substrate, the counter electrode 112 includes, for example, a thin calcium layer and a light-transmitting cathode layer made of an ITO layer or the like. A light reflection layer made of an aluminum film or the like is formed on the lower layer side of the pixel electrode 111 so as to overlap substantially the entire pixel electrode 111.

本形態では、隣接する画素１１５の境界領域には、画素電極１１１の周縁部を取り囲むように、感光性樹脂からなる隔壁１０５がバンクとして形成されている。隔壁１０５は、有機機能層１１３を形成するのにインクジェット法（液体吐出法）を用いるとき、塗布される液状物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状物が均一な厚さで形成される。インクジェット式の液滴吐出装置としては、後述するように、圧電体素子の体積変化により流動体を吐出させるピエゾジェットの液滴吐出装置や、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた液滴吐出装置などが採用される。なお、液滴吐出装置としてはディスペンサー装置でもよい。ここで、液状物は、水性であると油性であるとを問わない。また、液状物については、流動性を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。また、液体材料に含まれる固体物質は融点以上に加熱されて溶解されたものでも、溶媒中に微粒子として分散させたものでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料を添加したものであってもよい。 In this embodiment, a partition 105 made of a photosensitive resin is formed as a bank in a boundary region between adjacent pixels 115 so as to surround a peripheral portion of the pixel electrode 111. The partition wall 105 defines an application region of a liquid material to be applied when the ink jet method (liquid ejection method) is used to form the organic functional layer 113, and the liquid material has a uniform thickness due to the surface tension. Is formed. As will be described later, an inkjet type droplet discharge device includes a piezoelectric jet droplet discharge device that discharges a fluid by changing the volume of a piezoelectric element, and a droplet discharge that uses an electrothermal transducer as an energy generating element. A device or the like is employed. The droplet discharge device may be a dispenser device. Here, it does not matter whether the liquid material is aqueous or oily. Moreover, about a liquid substance, it is enough if it has fluidity | liquidity, and even if a solid substance is mixed, it should just be a fluid as a whole. In addition, the solid material contained in the liquid material may be dissolved by being heated to a temperature higher than the melting point, or may be dispersed as fine particles in a solvent, and a dye, pigment or other functional material added in addition to the solvent It may be.

なお、基板１２０の素子形成面側には、水や酸素の侵入を防ぐことによって、陰極層あるいは機能層の酸化を防止する封止樹脂（図示せず）が形成され、さらに封止基板（図示せず）が貼られることがある。 Note that a sealing resin (not shown) that prevents oxidation of the cathode layer or the functional layer by preventing intrusion of water or oxygen is formed on the element forming surface side of the substrate 120, and further, a sealing substrate (see FIG. (Not shown) may be affixed.

（有機エレクトロルミネッセンス素子の構成）
本形態の有機エレクトロルミネッセンス素子１１０において、有機機能層１１３は、画素電極１１１上に積層された正孔輸送層１１３ｃと、この正孔輸送層１１３ｃの上層側に形成された発光層１１３ｅとを備えている。発光層１１３ｅは、正孔輸送層１１３ｃの側から注入される正孔と、対向電極１１２の側から注入される電子とが結合して発光する領域としての機能を担っており、各画素１１５が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれの色に対応するかは、発光層１１３ｅを構成する有機材料の種類によって規定されている。発光層１１３ｅの膜厚は約８０〜１５０ｎｍである。本形態では、正孔輸送層１１３ｃが、正孔を発光層１１３ｅに注入する正孔注入層としての機能も担っている。 (Configuration of organic electroluminescence element)
In the organic electroluminescent element 110 of this embodiment, the organic functional layer 113 includes a hole transport layer 113c stacked on the pixel electrode 111 and a light emitting layer 113e formed on the upper layer side of the hole transport layer 113c. ing. The light emitting layer 113e functions as a region that emits light by combining holes injected from the hole transport layer 113c and electrons injected from the counter electrode 112 side. Whether the color corresponds to red (R), green (G), or blue (B) is defined by the type of the organic material constituting the light emitting layer 113e. The thickness of the light emitting layer 113e is about 80 to 150 nm. In this embodiment, the hole transport layer 113c also functions as a hole injection layer that injects holes into the light emitting layer 113e.

本形態において、正孔輸送層１１３ｃは、ドーパントを導電性高分子材料中に含有する導電性高分子層１１３ａと、この導電性高分子層１１３ａよりも抵抗率が高い高抵抗層１１３ｂとが積層された構造を備えており、高抵抗層１１３ｂは、導電性高分子層１１３ａの上層、すなわち導電性高分子層１１３ａと発光層１１３ｅとの層間に形成されている。ここで、高抵抗層１１３ｂの膜厚は、導電性高分子層１１３ａの膜厚よりも薄い。なお、導電性高分子層１１３ａの膜厚は、例えば約１０〜６０ｎｍであり、高抵抗層１１３ｂの膜厚は例えば約１〜１０ｎｍである。 In this embodiment, the hole transport layer 113c includes a conductive polymer layer 113a containing a dopant in a conductive polymer material and a high resistance layer 113b having a higher resistivity than the conductive polymer layer 113a. The high resistance layer 113b is formed above the conductive polymer layer 113a, that is, between the conductive polymer layer 113a and the light emitting layer 113e. Here, the film thickness of the high resistance layer 113b is smaller than the film thickness of the conductive polymer layer 113a. The film thickness of the conductive polymer layer 113a is, for example, about 10 to 60 nm, and the film thickness of the high resistance layer 113b is, for example, about 1 to 10 nm.

このように構成した正孔輸送層１１３ａにおいて、高抵抗層１１３ｂは、例えば、導電性高分子層１１３ａが含有するドーパントと同一の高分子材料により構成される。例えば、導電性高分子層１１３ｂは、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンからなり、高抵抗層１１３ｂは、ポリスチレンスルホン酸からなる。 In the hole transport layer 113a configured as described above, the high resistance layer 113b is composed of, for example, the same polymer material as the dopant contained in the conductive polymer layer 113a. For example, the conductive polymer layer 113b is made of 3,4-polyethylenedioxythiophene containing polystyrene sulfonic acid as a dopant, and the high resistance layer 113b is made of polystyrene sulfonic acid.

（発光装置１００の動作）
このように構成した発光装置１００において、走査線１６３が駆動されて薄膜トランジスタ１０６がオン状態になると、そのときの信号線１６４の電位が保持容量１３３に保持され、この保持容量１３３の状態に応じて薄膜トランジスタ１０７の導通状態が制御される。また、薄膜トランジスタ１０７がオン状態になったとき、薄膜トランジスタ１０７を介して共通給電線１６５から画素電極１１１に電流が流れ、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０では、有機機能層１１３を通じて対向電極１１２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて発光層１１３ｅが発光する。そして、ボトムエミンション型の場合、発光層１１３ｅから発した光は、画素電極１１１および基板１２０を透過して出射される。これに対して、トップエミッション型の場合、対向電極１１２を透過して、観測者側に出射される一方、発光層１１３ｅから基板１２０に向けて出射された光は、画素電極１１１の下層に形成された光反射層によって反射され、対向電極１１２を透過して観測者側に出射される。 (Operation of Light Emitting Device 100)
In the light emitting device 100 configured as described above, when the scanning line 163 is driven and the thin film transistor 106 is turned on, the potential of the signal line 164 at that time is held in the holding capacitor 133, and according to the state of the holding capacitor 133. The conduction state of the thin film transistor 107 is controlled. Further, when the thin film transistor 107 is turned on, a current flows from the common power supply line 165 to the pixel electrode 111 through the thin film transistor 107, and in the organic electroluminescence element 110, a current flows to the counter electrode 112 through the organic functional layer 113. The light emitting layer 113e emits light according to the amount of current at this time. In the case of the bottom emission type, the light emitted from the light emitting layer 113e is emitted through the pixel electrode 111 and the substrate 120. On the other hand, in the case of the top emission type, the light emitted from the light emitting layer 113e toward the substrate 120 is formed in the lower layer of the pixel electrode 111 while being transmitted through the counter electrode 112 and emitted to the observer side. The light is reflected by the light reflecting layer, passes through the counter electrode 112, and is emitted to the observer side.

ここで、発光装置１００でカラー表示を行う場合には、図３に示すように、各画素１１５を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に対応させることになる。この場合も、各色の画素１１５において、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の基本的な構成は共通である。なお、発光装置１００でカラー表示を行うにあたっては、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０から白色光を出射させ、この白色光をカラーフィルタで着色する構成を採用することもある。 Here, when performing color display with the light emitting device 100, as shown in FIG. 3, each pixel 115 is made to correspond to red (R), green (G), and blue (B). Also in this case, the basic configuration of the organic electroluminescence element 110 is common to the pixels 115 of the respective colors. In addition, when performing color display with the light emitting device 100, a configuration in which white light is emitted from the organic electroluminescence element 110 and the white light is colored with a color filter may be employed.

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の発光装置１００に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子１１０では、正孔輸送層１１３ｃが、ドーパントを導電性高分子材料中に含有する導電性高分子層１１３ａに加えて、この導電性高分子層１１３ａよりも抵抗率が高い高抵抗層１１３ｂを備えている。このため、後述するように、導電性高分子層１１３ａを液滴吐出法により形成する際に、液状物の液滴を安定した状態に吐出することを目的に液状物の溶媒として有機溶剤と水との混合溶媒を用いたために導電性高分子層１１３ａの抵抗が溶媒として水単独を用いて場合と比較して低くなった場合でも、かかる抵抗変化は高抵抗層１１３ｂで補正できる。 (Main effects of this form)
As described above, in the organic electroluminescence element 110 used in the light emitting device 100 of this embodiment, the hole transport layer 113c is added to the conductive polymer layer 113a containing the dopant in the conductive polymer material. A high resistance layer 113b having a higher resistivity than the conductive polymer layer 113a is provided. Therefore, as will be described later, when the conductive polymer layer 113a is formed by the droplet discharge method, an organic solvent and water are used as the liquid solvent for the purpose of discharging liquid droplets in a stable state. Therefore, even if the resistance of the conductive polymer layer 113a is lower than that using water alone as the solvent, the resistance change can be corrected by the high resistance layer 113b.

また、導電性高分子層１１３ａに用いた３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンはそれ自身も導電性を有しているのに対して、ポリスチレンスルホン酸はＰ型のドーパントであるため、高抵抗層１１３ｂは抵抗率が高い。しかるに本形態では、高抵抗層１１３ｂの膜厚が薄いので、絶縁性は高いが、その膜厚を最適化するだけで、所定の抵抗値に設定できる。それ故、液状物の溶媒として有機溶剤と水との混合溶媒を用いた場合でも、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０全体としての抵抗については、液状物の溶媒として水単独を用いた場合と同等にすることができるので、エレクトロルミネッセンス素子１１０に十分な寿命を確保することができ、かつ、同等の発光特性を得ることができる。 Further, since 3,4-polyethylenedioxythiophene used for the conductive polymer layer 113a itself has conductivity, polystyrene sulfonic acid is a P-type dopant, so that it is a high resistance layer. 113b has a high resistivity. However, in this embodiment, since the high resistance layer 113b is thin, the insulation is high, but it can be set to a predetermined resistance value only by optimizing the film thickness. Therefore, even when a mixed solvent of an organic solvent and water is used as the liquid solvent, the resistance of the organic electroluminescence element 110 as a whole should be equivalent to that when water alone is used as the liquid solvent. Therefore, a sufficient lifetime can be secured for the electroluminescent element 110, and equivalent light emission characteristics can be obtained.

また、高抵抗層１１３ｂに用いたポリスチレンスルホン酸は、導電性高分子層１１３ａのドーパントと同一材料であり、かつ、導電性高分子層１１３ａとの密着性が高い。それ故、導電性高分子層１１３ａと高抵抗層１１３ｂとの間での正孔の輸送を円滑に行うことができる。 The polystyrene sulfonic acid used for the high resistance layer 113b is the same material as the dopant of the conductive polymer layer 113a and has high adhesion to the conductive polymer layer 113a. Therefore, holes can be transported smoothly between the conductive polymer layer 113a and the high resistance layer 113b.

（液滴吐出ヘッドの構成）
図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本形態の発光装置１００を製造する際に使用される液滴吐出ヘッドの内部構造を模式的に示す説明図、撓み振動モードの圧力発生素子の説明図、および縦振動モードの圧力発生素子の説明図である。 (Configuration of droplet discharge head)
4A, 4 B, and 4 C are explanatory diagrams schematically showing the internal structure of the droplet discharge head used when manufacturing the light-emitting device 100 of the present embodiment, and the pressure in the flexural vibration mode. It is explanatory drawing of a generating element, and explanatory drawing of the pressure generating element of a longitudinal vibration mode.

本形態の発光装置１００を製造するにあたって、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１１３ｃおよび発光層１１３ｅを形成するにあたっては、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して説明する液滴吐出ヘッドが用いられる。図４（Ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド２２は、液滴として吐出する液状物Ｍを貯留しておくタンク状、カートリッジ状などの液状物貯留部３７に接続されている。また、液滴吐出ヘッド２２は、多数のノズル開口２７を列状に並べることによって形成されたノズル列を備えている。ノズル開口２７の数は、例えば１８０個であり、ノズル開口２７の穴径は例えば２８μｍであり、ノズル開口２７間のノズルピッチは例えば１４１μｍである。このような液滴吐出ヘッド２２において、そのノズル列が主走査方向と交差する副走査方向へ延びており、液滴吐出ヘッド２２が主走査方向に移動する間に、液状物Ｍを複数のノズル開口２７から選択的に吐出することにより、図２（Ｂ）に示す基板１２０（媒体）上の所定位置に液滴Ｍ０を着弾させる。また、液滴吐出ヘッド２２は副走査方向へ所定距離だけ平行移動することにより、液滴吐出ヘッド２２による主走査位置を所定の間隔でずらせることができる。 In manufacturing the light emitting device 100 of this embodiment, when forming the hole transport layer 113c and the light emitting layer 113e by using a droplet discharge method, refer to FIGS. 4A, 4B, and 4C. The droplet discharge head described is used. As shown in FIG. 4A, the droplet discharge head 22 is connected to a liquid material storage unit 37 such as a tank shape or a cartridge shape for storing the liquid material M to be discharged as droplets. Further, the droplet discharge head 22 includes a nozzle row formed by arranging a large number of nozzle openings 27 in a row. The number of nozzle openings 27 is, for example, 180, the hole diameter of the nozzle openings 27 is, for example, 28 μm, and the nozzle pitch between the nozzle openings 27 is, for example, 141 μm. In such a droplet discharge head 22, the nozzle row extends in the sub-scanning direction intersecting the main scanning direction, and the liquid M is transferred to the plurality of nozzles while the droplet discharge head 22 moves in the main scanning direction. By selectively discharging from the opening 27, the droplet M0 is landed at a predetermined position on the substrate 120 (medium) shown in FIG. Further, the liquid droplet ejection head 22 can move the main scanning position by the liquid droplet ejection head 22 at a predetermined interval by moving in parallel in the sub-scanning direction by a predetermined distance.

図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド２２は、例えば、ステンレス製のノズルプレート２９と、それに対向する弾性板３１と、それらを互いに接合する複数の仕切部材３２とを有している。ノズルプレート２９と弾性板３１との間には、仕切部材３２によって複数の圧力発生室３３、および液溜り３４が形成され、複数の圧力発生室３３と液溜り３４とは液状物流入口３８を介して互いに連通している。弾性板３１の適所には液状物供給穴３６が形成され、この液状物供給穴３６に液状物貯留部３７が接続される。従って、液状物貯留部３７は吐出されることとなる液状物Ｍを液状物供給穴３６へ供給する。供給された液状物Ｍは液溜り３４に充満し、さらに液状物流入口３８を通って圧力発生室３３に充満する。このようにして、液状物貯留部３７と各圧力発生室３３とが連通している。 4A and 4B, the droplet discharge head 22 includes, for example, a stainless steel nozzle plate 29, an elastic plate 31 facing the nozzle plate 29, and a plurality of partition members 32 that join them together. have. A plurality of pressure generating chambers 33 and a liquid reservoir 34 are formed between the nozzle plate 29 and the elastic plate 31 by the partition member 32, and the plurality of pressure generating chambers 33 and the liquid reservoir 34 are connected via a liquid flow inlet 38. Communicate with each other. A liquid material supply hole 36 is formed at an appropriate position of the elastic plate 31, and a liquid material storage part 37 is connected to the liquid material supply hole 36. Accordingly, the liquid material storage unit 37 supplies the liquid material M to be discharged to the liquid material supply hole 36. The supplied liquid material M fills the liquid reservoir 34, and further fills the pressure generating chamber 33 through the liquid flow inlet 38. In this way, the liquid material storage portion 37 and each pressure generating chamber 33 communicate with each other.

ノズルプレート２９には、圧力発生室３３から液状物Ｍを液滴Ｍ０として噴射するためのノズル開口２７が設けられており、そのノズル開口２７が開口しているノズル形成面は平坦面とされている。このようにしてノズル開口２７は、圧力発生室３３で開口している。弾性板３１の圧力発生室３３を形成する面の裏面には、この圧力発生室３３に対応させて圧力発生素子３９が取り付けられている。この圧力発生素子３９は、例えば、図４（Ｂ）に示すように、圧電素子４１、およびこの圧電素子４１を挟持する一対の電極４２ａ、４２ｂを備えたたわみ振動モードの圧電素子である。その振動方向を矢印Ｃで示す。なお、図４（Ｃ）に示すように、圧力発生素子３９としては、縦振動モードの圧電素子を用いてもよい。この縦振動モードの圧電素子（圧力発生素子３９）では、伸長方向に平行に圧電材料と導電材料を交互に積層して構成されており、その先端は弾性板３１に固定され、他端は基台２０に固定されている。このような圧力発生素子３９では、充電状態では導電層の積層方向と直角な方向に収縮し、また充電状態が解かれると、導電層と直角な方向に伸長する。 The nozzle plate 29 is provided with a nozzle opening 27 for ejecting the liquid M from the pressure generating chamber 33 as a droplet M0. The nozzle forming surface on which the nozzle opening 27 is open is a flat surface. Yes. In this way, the nozzle opening 27 is opened in the pressure generating chamber 33. A pressure generating element 39 is attached to the back surface of the surface of the elastic plate 31 forming the pressure generating chamber 33 so as to correspond to the pressure generating chamber 33. For example, as shown in FIG. 4B, the pressure generating element 39 is a piezoelectric element in a flexural vibration mode including a piezoelectric element 41 and a pair of electrodes 42 a and 42 b that sandwich the piezoelectric element 41. The vibration direction is indicated by an arrow C. As shown in FIG. 4C, the pressure generating element 39 may be a longitudinal vibration mode piezoelectric element. This longitudinal vibration mode piezoelectric element (pressure generating element 39) is configured by alternately laminating piezoelectric materials and conductive materials in parallel to the extension direction, with the tip fixed to the elastic plate 31 and the other end based on the base. It is fixed to the base 20. Such a pressure generating element 39 contracts in a direction perpendicular to the stacking direction of the conductive layers in a charged state, and extends in a direction perpendicular to the conductive layer when the charged state is released.

いずれの圧電素子を用いた場合も、電極間に印加される駆動信号によって変形し、圧力発生室３３を膨張、収縮させる。なお、ノズル開口２７の周辺部には、液滴Ｍ０の飛行曲がりやノズル開口２７の穴詰まりなどを防止するために、例えばＮｉ−テトラフルオロエチレン共析メッキ層からなる撥液状物層４３が設けられる。 When any piezoelectric element is used, it is deformed by a drive signal applied between the electrodes, and the pressure generating chamber 33 is expanded and contracted. In addition, a liquid repellent layer 43 made of, for example, a Ni-tetrafluoroethylene eutectoid plating layer is provided around the nozzle opening 27 in order to prevent the flying of the droplet M0 and the clogging of the nozzle opening 27. It is done.

（発光装置の製造方法）
図５〜図８は、上記液滴吐出装置を用いて発光装置１００を製造する方法を示す工程断面図である。 (Method for manufacturing light emitting device)
5 to 8 are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the light emitting device 100 using the droplet discharge device.

本形態の発光装置１００を製造するには、まず、図５（Ａ）に示すように、基板１２０を用意する。ここで、発光装置１００がボトムエミッション型である場合、基板１２０としてはガラスや石英、樹脂などの透明ないし半透明なものが用いられるが、特にガラスが好適に用いられる。また、基板１２０に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御するようにしてもよい。これに対して、発光装置１００がトップエミッション型である場合、基板１２０は不透明であってもよく、その場合、アルミナなどのセラミックス、ステンレスなどの金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。 In order to manufacture the light emitting device 100 of this embodiment, first, a substrate 120 is prepared as shown in FIG. Here, when the light emitting device 100 is a bottom emission type, a transparent or translucent material such as glass, quartz, or resin is used as the substrate 120, and glass is particularly preferably used. Further, a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent material, or a dielectric reflection film may be disposed on the substrate 120 to control the emission color. On the other hand, when the light emitting device 100 is a top emission type, the substrate 120 may be opaque. In this case, a ceramic sheet such as alumina or a metal sheet such as stainless steel is subjected to an insulation treatment such as surface oxidation. A thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be used.

次に、基板１２０に対して、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。 Next, a base protective film (not shown) made of a silicon oxide film having a thickness of about 200 to 500 nm is formed on the substrate 120 by plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a raw material if necessary. Form.

次に、基板１２０の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜１０９を形成する。次に、半導体膜１０９に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜１０９をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ²とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。 Next, the temperature of the substrate 120 is set to about 350 ° C., and a semiconductor film 109 made of an amorphous silicon film having a thickness of about 30 to 70 nm is formed on the surface of the base protective film by plasma CVD. Next, a crystallization process such as laser annealing or solid phase growth is performed on the semiconductor film 109 to crystallize the semiconductor film 109 into a polysilicon film. In the laser annealing method, for example, a line beam having a long beam length of 400 mm is used with an excimer laser, and the output intensity is set to 200 mJ / cm ² , for example. With respect to the line beam, the line beam is scanned so that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

次に、図５（Ｂ）に示すように、半導体膜（ポリシリコン膜）１０９をパターニングして島状の半導体膜１０９ａとし、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜１２１を形成する。なお、半導体膜１０９ａは、図２に示す薄膜トランジスタ１０７のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては薄膜トランジスタ１０６のチャネル領域およびソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。すなわち、発光装置１００では、二種類のトランジスタ１０６、１０７が同一の層間、あるいは異なる層間に形成されるが、概ね同一の手順で形成されるため、以下の説明では、薄膜トランジスタ１０７についてのみ説明し、薄膜トランジスタ１０６についてはその説明を省略する。 Next, as shown in FIG. 5B, the semiconductor film (polysilicon film) 109 is patterned to form an island-shaped semiconductor film 109a, and a plasma CVD method using TEOS, oxygen gas, or the like as a raw material on the surface thereof. Thus, a gate insulating film 121 made of a silicon oxide film or a nitride film having a thickness of about 60 to 150 nm is formed. Note that the semiconductor film 109a serves as a channel region and a source / drain region of the thin film transistor 107 illustrated in FIG. 2, but semiconductor films serving as a channel region and a source / drain region of the thin film transistor 106 are also formed at different cross-sectional positions. ing. That is, in the light emitting device 100, the two types of transistors 106 and 107 are formed in the same layer or in different layers, but are formed in substantially the same procedure. Therefore, in the following description, only the thin film transistor 107 is described. The description of the thin film transistor 106 is omitted.

次に、図５（Ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極１４３などを形成する。次に、この状態でリンなどの不純物を打ち込み、半導体膜１０９ａに、ゲート電極１４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域１０９ｂ、１０９ｃを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１０９ｄとなる。 Next, as shown in FIG. 5C, a conductive film made of a metal film such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten is formed by sputtering, and then patterned to form a gate electrode 143 or the like. . Next, an impurity such as phosphorus is implanted in this state to form source / drain regions 109b and 109c in the semiconductor film 109a in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 143. Note that a portion where no impurity is introduced becomes the channel region 109d.

次に、図５（Ｄ）に示すように、第１層間絶縁膜１２２を形成した後、コンタクトホールを形成し、これらのコンタクトホールを介してソース・ドレイン領域１０９ｂ、１０９ｃに電気的に接続するソース・ドレイン電極１２６および共通給電線１６５を形成する。その際、データ線１６４なども形成する。 Next, as shown in FIG. 5D, after forming the first interlayer insulating film 122, contact holes are formed and electrically connected to the source / drain regions 109b and 109c through these contact holes. A source / drain electrode 126 and a common feed line 165 are formed. At that time, a data line 164 and the like are also formed.

次に、図５（Ｅ）に示すように、各配線の上面を覆うように、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂などの無機絶縁膜からなる第２層間絶縁膜１２３を形成した後、第２層間絶縁膜１２３に対してソース・ドレイン電極１２６に対応する位置にコンタクトホールを形成する。 Next, as shown in FIG. 5E, a second interlayer insulating film 123 made of an inorganic insulating film such as SiO ₂ or TiO ₂ is formed so as to cover the upper surface of each wiring, and then the second interlayer insulating film A contact hole is formed at a position corresponding to the source / drain electrode 126 with respect to 123.

次に、画素電極形成工程において、第２層間絶縁膜２３の上層にＩＴＯ膜を形成した後、ＩＴＯ膜をパターニングして、データ線１６４、走査線１６３および共通給電線１６５に囲まれた所定位置に画素電極１１１を形成する。 Next, in the pixel electrode forming step, an ITO film is formed on the second interlayer insulating film 23, and then the ITO film is patterned, and a predetermined position surrounded by the data line 164, the scanning line 163, and the common power supply line 165 A pixel electrode 111 is formed on the substrate.

次に、必要に応じて、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行い、画素電極１１１あるいは、第２層間絶縁膜１２３のうち、画素電極１１１から露出している部分に親液性を付与する。 Next, if necessary, plasma processing using oxygen as a processing gas (O ₂ plasma processing) is performed in the air atmosphere to expose the pixel electrode 111 or the second interlayer insulating film 123 from the pixel electrode 111. Give lyophilicity to the part.

次に、図５（Ｆ）に示す隔壁形成工程において、図２に示す有機機能層１１３の形成場所を囲むように隔壁１０５を形成する。その結果、隔壁１０５の内側には凹部１５１が形成される。隔壁１０５は、仕切り部材として機能するものであり、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの絶縁性有機材料で形成する。隔壁５の膜厚については、例えば１〜２μｍの高さとなるように形成する。なお、隔壁５は、ポリシラザンなどの絶縁性無機材料で形成してもよい。 Next, in the partition formation step illustrated in FIG. 5F, the partition 105 is formed so as to surround the formation place of the organic functional layer 113 illustrated in FIG. As a result, a recess 151 is formed inside the partition wall 105. The partition wall 105 functions as a partition member, and is formed of an insulating organic material such as acrylic resin or polyimide resin. About the film thickness of the partition 5, it forms so that it may become the height of 1-2 micrometers, for example. The partition wall 5 may be formed of an insulating inorganic material such as polysilazane.

次に、必要に応じて、隔壁１０５に対して撥液化処理を行い、隔壁１０５に対して、有機機能層１１３を形成するための液状物に対する撥液性を付与する。このような撥液性を付与するためには、例えば、隔壁１０５の表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法が採用される。フッ素化合物としては、例えばＣＦ₄、ＳＦ₅、ＣＨＦ₃などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。 Next, if necessary, the partition wall 105 is subjected to a liquid repellency treatment so that the partition wall 105 is provided with liquid repellency for a liquid material for forming the organic functional layer 113. In order to provide such liquid repellency, for example, a method of treating the surface of the partition wall 105 with a fluorine compound or the like is employed. Examples of the fluorine compound include CF ₄ , SF ₅ , and CHF _3. Examples of the surface treatment include plasma treatment and UV irradiation treatment.

次に、正孔輸送層１１３ｃの下層を構成する導電性高分子層１１３ａを形成する。それには、図６（Ａ）に示す液滴吐出工程（塗布工程）においては、基板１２０の上面を上に向けた状態で、図５を参照して説明した液滴吐出ヘッドより、液状の正孔輸送層形成材料（液状物）の液滴Ｍｂを、隔壁１０５に囲まれた凹部１５１内に選択的に充填する。その際、正孔輸送層形成材料は、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで隔壁１０５が形成されているので、正孔輸送層形成材料は隔壁１０５を越えてその外側に広がることがない。 Next, a conductive polymer layer 113a constituting the lower layer of the hole transport layer 113c is formed. For this purpose, in the droplet discharge step (coating step) shown in FIG. 6A, the liquid is discharged from the droplet discharge head described with reference to FIG. 5 with the upper surface of the substrate 120 facing upward. The droplets Mb of the hole transport layer forming material (liquid material) are selectively filled into the recesses 151 surrounded by the partition walls 105. At that time, the hole transport layer forming material tends to spread in the horizontal direction because of its high fluidity. However, since the partition wall 105 is formed surrounding the applied position, the hole transport layer forming material is the partition wall 105. It doesn't spread beyond that.

ここで、正孔輸送層形成材料としては、例えば、ポリオレフィン誘導体である３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（導電性高分子材料）と、ポリスチレンスルホン酸（ドーパント）とを溶媒に分散させた溶液を用いる。 Here, as the hole transport layer forming material, for example, a solution in which 3,4-polyethylenedioxythiophene (conductive polymer material) which is a polyolefin derivative and polystyrene sulfonic acid (dopant) are dispersed in a solvent is used. Use.

このような正孔輸送層形成材料としては、溶媒として水単独を用い、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸を水に分散させたものを用いることができるが、正孔輸送層形成材料の液滴Ｍａをノズル開口から安定した状態に吐出するには、正孔輸送層形成材料の粘度などを最適化する必要があり、本形態では、ポリスチレンスルホン酸および３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させる溶媒として、水に有機溶剤を配合した混合溶媒を用いる。 As such a hole transport layer forming material, water alone is used as a solvent, and 3,4-polyethylenedioxythiophene and polystyrene sulfonic acid dispersed in water can be used. In order to discharge the droplet Ma of the material from the nozzle opening in a stable state, it is necessary to optimize the viscosity of the hole transport layer forming material. In this embodiment, polystyrenesulfonic acid and 3,4-polyethylenedioxy are used. As a solvent for dispersing thiophene, a mixed solvent in which an organic solvent is mixed with water is used.

このような混合溶媒に使用可能な有機溶剤としては、以下に例示するアルコール類、エーテル類、ラクトン類、オキサゾリジノン類、カーボネート類、ニトリル類、アミド類、スルホン類などを用いることができる。 Examples of the organic solvent that can be used for such a mixed solvent include alcohols, ethers, lactones, oxazolidinones, carbonates, nitriles, amides, sulfones and the like exemplified below.

アルコール類としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、ジアセトンアルコール、ベンジルアルコール、アミルアルコール、フルフリルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ヘキシレングリコール、グリセリン、ヘキシトールなどが挙げられる。 Examples of alcohols include methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol, butyl alcohol, diacetone alcohol, benzyl alcohol, amyl alcohol, furfuryl alcohol, ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, hexylene glycol, glycerin, and hexitol. .

エーテル類として、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、３−メチルテトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルなどが挙げられる。 As ethers, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol phenyl ether, tetrahydrofuran, 3-methyltetrahydrofuran, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl Examples include ether.

ラクトン類として、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン、β−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなどが挙げられる。 Examples of lactones include γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, β-butyrolactone, γ-valerolactone, and δ-valerolactone.

オキサゾリジノン類として、Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン、３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノンなどが挙げられる。 Examples of oxazolidinones include N-methyl-2-oxazolidinone and 3,5-dimethyl-2-oxazolidinone.

カーボネート類として、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどが挙げられる。 Examples of carbonates include ethylene carbonate and propylene carbonate.

アミド類として、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリックアミドなどが挙げられる。 As amides, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide, N, N-diethyl Examples include acetamide and hexamethylphosphoric amide.

ニトリル類として、アセトニトリル、アクリロニトリル、アジポニトリル、３−メトキシプロピオニトリルなどが挙げられる。 Examples of nitriles include acetonitrile, acrylonitrile, adiponitrile, 3-methoxypropionitrile and the like.

スルホン類として、ジメチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、スルホラン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホランなどが挙げられる。 Examples of the sulfones include dimethyl sulfone, ethyl methyl sulfone, diethyl sulfone, sulfolane, 3-methyl sulfolane, and 2,4-dimethyl sulfolane.

その他の有機溶媒として、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホオキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、トルエン、キシレン、パラフィン類などが挙げられる。また、高分子量体としてポリエチレングリコールやポリプロピレングリコールなどのポリアルキレングリコール及びその共重合体（以下、ポリアルキレングリコール）などが挙げられる。 Examples of other organic solvents include N-methyl-2-pyrrolidone, dimethyl sulfoxide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, toluene, xylene, paraffins, and the like. Examples of the high molecular weight material include polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol and copolymers thereof (hereinafter referred to as polyalkylene glycol).

但し、正孔輸送層形成材料の粘度調整に加えて、沸点を高めたい場合には、上記の有機溶剤のうち、水よりも沸点の高い有機溶剤を用いることが好ましい。 However, in addition to adjusting the viscosity of the hole transport layer forming material, in order to increase the boiling point, it is preferable to use an organic solvent having a boiling point higher than that of water among the above organic solvents.

このようにして正孔輸送層形成材料を液滴吐出ヘッドから吐出して所定位置に配置した後、液状の正孔輸送層形成材料に対して乾燥処理を行い、正孔輸送層形成材料中の溶媒を蒸発させ、正孔輸送層形成材料を固化させる（乾燥工程）。ここで、乾燥処理の方法としては、４０〜２００℃程度で加熱して前記正孔輸送層形成材料中の溶媒を蒸発させる方法と、大気圧以下、例えば１０^-4〜１０^-6パスカル（Ｐａ）程度の減圧雰囲気中に放置して、正孔輸送層形成材料中の溶媒を蒸発させる方法などがある。このような乾燥工程により、図６（Ｂ）に示すように、画素電極１１１上に、正孔輸送層１１３ｃの下層を構成する導電性高分子層１１３ａが約１０〜６０ｎｍの膜厚で形成される。 In this way, after the hole transport layer forming material is discharged from the droplet discharge head and disposed at a predetermined position, the liquid hole transport layer forming material is dried, The solvent is evaporated to solidify the hole transport layer forming material (drying step). Here, as a method of the drying treatment, a method of heating at about 40 to 200 ° C. to evaporate the solvent in the hole transport layer forming material, or a pressure below atmospheric pressure, for example, 10 ⁻⁴ to 10 ⁻⁶ Pascal (Pa And a method of evaporating the solvent in the hole transport layer forming material by leaving it in a reduced pressure atmosphere. By such a drying process, as shown in FIG. 6B, the conductive polymer layer 113a constituting the lower layer of the hole transport layer 113c is formed on the pixel electrode 111 with a film thickness of about 10 to 60 nm. The

次に、正孔輸送層１１３ｃの上層を構成する高抵抗層１１３ｂを形成する。それには、図７（Ａ）に示す液滴吐出工程においては、基板１２０の上面を上に向けた状態で、図５を参照して説明した液滴吐出ヘッドより、液状の高抵抗層形成材料（液状物）の液滴Ｍｂを、隔壁１０５に囲まれた凹部１５１内に選択的に充填する。その際、高抵抗層形成材料は、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んで隔壁１０５が形成されているので、高抵抗層形成材料は隔壁１０５を越えてその外側に広がることがない。 Next, the high resistance layer 113b that forms the upper layer of the hole transport layer 113c is formed. To that end, in the droplet discharge step shown in FIG. 7A, a liquid high-resistance layer forming material is formed by the droplet discharge head described with reference to FIG. 5 with the upper surface of the substrate 120 facing upward. The liquid droplet Mb is selectively filled into the recess 151 surrounded by the partition wall 105. At that time, the high resistance layer forming material tends to spread in the horizontal direction due to its high fluidity, but the partition wall 105 is formed so as to surround the applied position, so that the high resistance layer forming material exceeds the partition wall 105. Does not spread outside.

ここで、高抵抗層形成材料としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸を溶媒に溶解あるいは分散させた溶液を用いる。また、高抵抗層形成材料の溶媒としては、水単独、あるいは、正孔輸送層形成材料と同様、水に有機溶剤を配合した混合溶媒を用いることができる。 Here, as the high resistance layer forming material, for example, a solution in which polystyrene sulfonic acid is dissolved or dispersed in a solvent is used. As a solvent for the high resistance layer forming material, water alone or a mixed solvent in which an organic solvent is mixed with water can be used as in the hole transport layer forming material.

このようにして高抵抗層形成材料を液滴吐出ヘッドから吐出して所定位置に配置した後、液状の高抵抗層形成材料に対して乾燥処理を行い、高抵抗層形成材料中の溶媒を蒸発させ、高抵抗層形成材料を固化させる。ここで、乾燥処理の方法としては、４０〜２００℃程度で加熱して前記高抵抗層形成材料中の溶媒を蒸発させる方法と、大気圧以下、例えば１０^-4〜１０^-6パスカル（Ｐａ）程度の減圧雰囲気中に放置して、高抵抗層形成材料中の溶媒を蒸発させる方法などがある。このような乾燥工程により、図７（Ｂ）に示すように、導電性高分子層１１３ａの上層に高抵抗層１１３ｂが形成される。ここで、導電性高分子層１１３ａの膜厚は約１０〜６０ｎｍであり、高抵抗層１１３ｂの膜厚は、約１〜１０ｎｍの範囲で導電性高分子層１１３ａよりも薄い膜厚に設定される。このようにして、導電性高分子層１１３ａの上層に高抵抗層１１３ｂが積層された正孔輸送層１１３ｃが形成される。 After the high resistance layer forming material is discharged from the droplet discharge head in this way and arranged at a predetermined position, the liquid high resistance layer forming material is dried and the solvent in the high resistance layer forming material is evaporated. And the high resistance layer forming material is solidified. Here, as a drying treatment method, a method of heating at about 40 to 200 ° C. to evaporate the solvent in the high resistance layer forming material, or a pressure below atmospheric pressure, for example, 10 ⁻⁴ to 10 ⁻⁶ Pascal (Pa). There is a method of evaporating the solvent in the high resistance layer forming material by leaving it in a reduced pressure atmosphere. By such a drying process, as shown in FIG. 7B, a high resistance layer 113b is formed on the conductive polymer layer 113a. Here, the film thickness of the conductive polymer layer 113a is about 10 to 60 nm, and the film thickness of the high resistance layer 113b is set to be thinner than the conductive polymer layer 113a in the range of about 1 to 10 nm. The In this manner, the hole transport layer 113c in which the high resistance layer 113b is laminated on the conductive polymer layer 113a is formed.

ここで、導電性高分子層１１３ａを液滴吐出法により形成した際に液状物の溶媒として有機溶剤と水との混合溶媒を用いたことが原因で、導電性高分子層１１３ａの抵抗が、溶媒として水単独を用いて場合と比較して低くなった場合でも、かかる変化は高抵抗層１１３ｂで補正できる。また、高抵抗層１１３ｂは抵抗率が高いが、膜厚が薄く、その膜厚を最適化するだけで、液状物の溶媒として有機溶剤と水との混合溶媒を用いた場合でも、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０全体としての抵抗については、液状物の溶媒として水単独を用いた場合と同等にすることができる。 Here, when the conductive polymer layer 113a is formed by a droplet discharge method, the resistance of the conductive polymer layer 113a is reduced because a mixed solvent of an organic solvent and water is used as a liquid solvent. Even when water alone is used as the solvent, the change can be corrected by the high resistance layer 113b even when the water becomes lower than the case. The high resistance layer 113b has a high resistivity, but the film thickness is thin. Even when a mixed solvent of an organic solvent and water is used as a liquid solvent, the organic electroluminescence can be obtained only by optimizing the film thickness. The resistance of the element 110 as a whole can be made equivalent to the case where water alone is used as a liquid solvent.

次に、図８（Ａ）に示す液滴吐出工程においては、基板１２０の上面を上に向けた状態で、図５を参照して説明したような液滴吐出ヘッドより、発光層形成材料（液状物）の液滴Ｍｃを、隔壁１０５に囲まれた凹部１５１内に選択的に充填する。発光材料としては、例えば分子量が１０００以上の高分子材料が用いられる。具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどをドープしたものが用いられる。なお、このような高分子材料としては、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化しているπ共役系高分子材料が、導電性高分子でもあることから発光性能に優れるため、好適に用いられる。特に、その分子内にフルオレン骨格を有する化合物、すなわちポリフルオレン系化合物がより好適に用いられる。また、このような材料以外にも、例えば特開平１１−４０３５８号公報に示される有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物、すなわち共役系高分子有機化合物の前駆体と、発光特性を変化させるための少なくとも１種の蛍光色素とを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用組成物も、発光層形成材料として使用可能である。 Next, in the droplet discharge process shown in FIG. 8A, the light emitting layer forming material (from the droplet discharge head described with reference to FIG. 5 is used with the upper surface of the substrate 120 facing upward. Liquid droplets Mc are selectively filled into the recesses 151 surrounded by the partition walls 105. As the light emitting material, for example, a polymer material having a molecular weight of 1000 or more is used. Specifically, a polyfluorene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinyl carbazole, a polythiophene derivative, or a polymer material thereof, a perylene dye, a coumarin dye, a rhodamine dye such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, What doped tetraphenyl butadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone, etc. is used. As such a polymer material, a π-conjugated polymer material in which π electrons of a double bond are non-polarized on a polymer chain is also a conductive polymer, and thus has excellent light emitting performance. Preferably used. In particular, a compound having a fluorene skeleton in the molecule, that is, a polyfluorene compound is more preferably used. In addition to such materials, for example, a composition for an organic electroluminescence device disclosed in JP-A-11-40358, that is, a precursor of a conjugated polymer organic compound, and at least one for changing the light emission characteristics A composition for an organic electroluminescence device comprising a seed fluorescent dye can also be used as a light emitting layer forming material.

このような発光材料を溶解あるいは分散する有機溶媒としては、非極性溶媒が好適とされ、特に発光層１１３ｅが正孔輸送層１１３ｃの上に形成されることから、この正孔輸送層１１３ｃに対して不溶なものが用いられることが好ましい。具体的には、キシレン、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼンなどが好適に用いられる。なお、発光層形成材料の吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素に吐出し塗布することによって行う。また、各色に対応する画素は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。 As an organic solvent for dissolving or dispersing such a light emitting material, a nonpolar solvent is preferable. In particular, the light emitting layer 113e is formed on the hole transporting layer 113c. It is preferable to use an insoluble material. Specifically, xylene, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene and the like are preferably used. In addition, the formation of the light emitting layer by discharging the light emitting layer forming material includes a light emitting layer forming material that emits red colored light, a light emitting layer forming material that emits green colored light, and a light emitting layer that emits blue colored light. The forming material is discharged and applied to the corresponding pixels. Further, the pixels corresponding to the respective colors are determined in advance so that they are regularly arranged.

このようにして各色の発光層形成材料を吐出した後、液状の発光層形成材料に対して乾燥処理を行い、発光層形成材料中の溶媒を蒸発させ、発光層形成材料を固化させる（固化工程）。その結果、図８（Ｂ）に示すように、正孔輸送層１１３ｃ上に固形の発光層１１３ｅが形成される。これにより、正孔輸送層１１３ｃおよび発光層１１３ｅからなる有機機能層１１３が形成される。ここでの乾燥処理の方法としても、４０〜２００℃程度で加熱して発光層形成材料中の溶媒を蒸発させる方法と、大気圧以下、例えば１０^-4〜１０^-6パスカル（Ｐａ）程度の減圧雰囲気中に放置して発光層形成材料中の溶媒を蒸発させる方法などがある。 After discharging the light emitting layer forming material of each color in this way, the liquid light emitting layer forming material is dried, the solvent in the light emitting layer forming material is evaporated, and the light emitting layer forming material is solidified (solidification step). ). As a result, as shown in FIG. 8B, a solid light emitting layer 113e is formed on the hole transport layer 113c. Thereby, the organic functional layer 113 including the hole transport layer 113c and the light emitting layer 113e is formed. As a method of the drying treatment here, a method of heating at about 40 to 200 ° C. to evaporate the solvent in the light emitting layer forming material, and a pressure below atmospheric pressure, for example, about 10 ⁻⁴ to 10 ⁻⁶ Pascal (Pa). There is a method of evaporating the solvent in the light emitting layer forming material by leaving it in a reduced pressure atmosphere.

なお、発光層形成材料の乾燥処理については、発光層形成材料のガラス転移点未満の温度、例えば１００℃未満の温度で加熱することにより、乾燥するのが好ましい。このような温度で乾燥することにより、発光層形成材料中の溶剤の蒸発速度を比較的低く抑えることができるとともに、発光層形成材料の液状化による流動も抑えることができ、その結果、得られる発光層１１３ｅについても十分に平坦化することができる。また、発光層形成の際の乾燥処理によって生じる熱的ダメージが、発光層発光層１１３ｅだけでなく、正孔輸送層１１３ｃに対しても小さくなり、初期輝度の低下などによる表示性能の低下が抑制される。 In addition, about the drying process of a light emitting layer forming material, it is preferable to dry by heating at the temperature below the glass transition point of a light emitting layer forming material, for example, the temperature of less than 100 degreeC. By drying at such a temperature, the evaporation rate of the solvent in the light emitting layer forming material can be kept relatively low, and the flow due to liquefaction of the light emitting layer forming material can also be suppressed. The light emitting layer 113e can also be sufficiently planarized. In addition, thermal damage caused by the drying process during the formation of the light emitting layer is reduced not only for the light emitting layer light emitting layer 113e but also for the hole transport layer 113c, thereby suppressing a decrease in display performance due to a decrease in initial luminance. Is done.

次に、図３（Ａ）に示すように、基板１２０の表面全体に、あるいはストライプ状に、ＬｉＦ／Ａｌ（ＬｉＦとＡｌとの積層膜）やＭｇＡｇ、あるいはＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ（ＬｉＦとＣａとＡｌとの積層膜）を蒸着法などによって成膜し、対向電極１１２を形成する。その後、封止を行った後、さらに配線などの各種要素を形成することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０を各画素１１５に備えた発光装置１００を製造することができる。 Next, as shown in FIG. 3A, LiF / Al (a laminated film of LiF and Al), MgAg, or LiF / Ca / Al (LiF and Ca) are formed on the entire surface of the substrate 120 or in a stripe shape. A counter electrode 112 is formed by depositing a film of Al and Al) by an evaporation method or the like. Then, after sealing, the light-emitting device 100 provided with the organic electroluminescent element 110 in each pixel 115 can be manufactured by further forming various elements such as wiring.

［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。 [Other embodiments]
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Specific materials and configurations described in the embodiment are It is only an example and can be changed as appropriate.

例えば、上記形態では、液状物の液滴をノズル開口から媒体上に吐出する液滴吐出法を採用したが、液状物を媒体上にスピンコート法により塗布する塗布工程を採用した場合に本発明を適用してもよい。 For example, in the above-described embodiment, the liquid droplet ejection method for ejecting liquid droplets onto the medium from the nozzle opening is employed. May be applied.

また、上記形態では、正孔輸送層１１３ｃの導電性高分子層１１３ａとしては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを用いたが、その他のポリアルキルチオフェン誘導体や、ポリピロール誘導体を用いてもよい。また、導電性高分子層１１３ａとしては、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサンなどを高分子前駆体として形成した層を用いた場合に本発明を適用してもよい。 In the above embodiment, 3,4-polyethylenedioxythiophene is used as the conductive polymer layer 113a of the hole transport layer 113c. However, other polyalkylthiophene derivatives or polypyrrole derivatives may be used. In addition, as the conductive polymer layer 113a, a layer formed by using polyphenylene vinylene, which is polytetrahydrothiophenylphenylene, 1,1-bis- (4-N, N-ditolylaminophenyl) cyclohexane, or the like as a polymer precursor. The present invention may be applied when using.

また、図９に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の有機機能層１１３において、正孔輸送層１１３ｃと発光層１１３ｅとの層間に、高分子材料からなる中間層１１３ｄが形成されている場合にも、正孔輸送層１１３ｃが導電性高分子層１１３ａと高抵抗層１１３ｂとの二層構造を備えた構成を採用してもよい。このような中間層１１３ｄは、例えば、膜厚が約１〜１０ｎｍの高分子材料層として形成され、発光層１１３ｅから正孔輸送層１１３ｃへの電子の移動を妨げる電子ブロック層などとして機能する。また、中間層１１３ｄとして、ＳｂＣｌ₅、ＡｌＣｌ₃、ＦｅＣｌ₃、ＡｓＣｌ₃、ＢＦなどのハロゲン化金属などのドーパントを含有する芳香属族アミン誘導体層などを形成すれば、正孔輸送層１１３ｃから発光層１１３ｅに不純物イオンが拡散することを防止する不純物イオンブロック層などとして機能する。 As shown in FIG. 9, in the organic functional layer 113 of the organic electroluminescence element 110, an intermediate layer 113d made of a polymer material is formed between the hole transport layer 113c and the light emitting layer 113e. Alternatively, a configuration in which the hole transport layer 113c has a two-layer structure of the conductive polymer layer 113a and the high resistance layer 113b may be employed. Such an intermediate layer 113d is formed, for example, as a polymer material layer having a thickness of about 1 to 10 nm, and functions as an electron blocking layer that prevents the movement of electrons from the light emitting layer 113e to the hole transport layer 113c. Further, if an aromatic amine derivative layer containing a dopant such as a metal halide such as SbCl ₅ , AlCl ₃ , FeCl ₃ , AsCl ₃ , or BF is formed as the intermediate layer 113 d, light is emitted from the hole transport layer 113 c. It functions as an impurity ion blocking layer for preventing impurity ions from diffusing into the layer 113e.

また、本発明を適用した発光装置は、デジタル複写機やプリンタなどの画像形成装置における露光用ヘッドとして用いることもできる。 The light emitting device to which the present invention is applied can also be used as an exposure head in an image forming apparatus such as a digital copying machine or a printer.

有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた発光装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of the light-emitting device provided with the organic electroluminescent element. （Ａ）、（Ｂ）は、本発明を適用した発光装置の１画素分の平面図および断面図である。(A) and (B) are a plan view and a cross-sectional view of one pixel of a light emitting device to which the present invention is applied. 本発明を適用した発光装置の各色に対応する３つの画素（１ドット分）の断面図である。It is sectional drawing of three pixels (for 1 dot) corresponding to each color of the light-emitting device to which this invention is applied. （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、液滴吐出装置に用いた液滴吐出ヘッドの内部構造を模式的に示す説明図、撓み振動モードの圧力発生素子の説明図、および縦振動モードの圧力発生素子の説明図である。(A), (B), and (C) are explanatory diagrams schematically showing an internal structure of a droplet discharge head used in the droplet discharge device, an explanatory diagram of a pressure generating element in a bending vibration mode, and longitudinal vibration, respectively. It is explanatory drawing of the pressure generation element of a mode. 本発明に係る発光装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明に係る発光装置の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the light-emitting device which concerns on this invention. 本発明を適用した発光装置の別の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of another organic electroluminescent element of the light-emitting device to which this invention is applied.

Explanation of symbols

１００・・発光装置、１１３・・有機機能層、１１３ａ・・導電性高分子層、１１３ｂ・・高抵抗層１１３ｂ、１１３ｃ・・正孔輸送層、１１３ｄ・・中間層、１１３ｅ・・発光層 100 ... Light emitting device, 113 ... Organic functional layer, 113a ... Conductive polymer layer, 113b ... High resistance layer 113b, 113c ... Hole transport layer, 113d ... Intermediate layer, 113e ... Light emitting layer

Claims

At least in a light emitting device including an electroluminescent element in which an anode layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and a cathode layer are laminated in this order,
In the hole transport layer, a conductive polymer layer and a high resistance layer having a higher resistivity than the conductive polymer layer and a thickness smaller than that of the conductive polymer layer are stacked. A light emitting device characterized by that.

The light emitting device according to claim 1, wherein in the hole transport layer, the high resistance layer is formed on an upper layer of the conductive polymer layer.

The light emitting device according to claim 1, wherein the conductive polymer layer contains a dopant in a conductive polymer material.

The dopant is made of a polymer material,
The light emitting device according to claim 3, wherein the high resistance layer is made of the same polymer material as the dopant.

5. The light emitting device according to claim 3, wherein the conductive polymer layer is made of 3,4-polyethylenedioxythiophene containing polystyrene sulfonic acid as the dopant.

6. The light emitting device according to claim 1, wherein an intermediate layer made of a polymer material is formed between the hole transport layer and the light emitting layer.

In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claims 1 thru | or 6,
In the formation of the conductive polymer layer, an application step of applying a liquid material in which a material for forming the conductive polymer layer is dissolved or dispersed in a solvent is applied to the medium; A drying process for drying the liquid material,
In the liquid material, a mixed solvent of an organic solvent and water is used as the solvent.

The method for manufacturing a light emitting device according to claim 7, wherein in the applying step, a droplet discharging step of discharging the liquid droplets onto a medium from a nozzle opening is performed.