JP2005158583A - Organic electroluminescent device and electronic equipment - Google Patents

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Inventor
Yukihiro Hashi
幸弘 橋
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Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL device and electronic equipment, capable of an excellent display by restraining voltage fall in opposing electrodes and achieving uniformity of brightness of emitted light. <P>SOLUTION: The organic electroluminescent device has a luminous layer 140B formed between the opposing electrodes 141, 154. An auxiliary electrode 151 is fitted at a non-display area for subsidizing the electrodes 141, 154. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence device, and an electronic apparatus.

近年、液晶ディスプレイに替わる自発発光型ディスプレイとして、有機物を用いた有機エレクトロルミネッセンス(以下、「有機EL」と略称する)装置の開発が加速している。 Recently, as a spontaneous emission type display alternative to liquid crystal displays, organic electroluminescence using organic (hereinafter, abbreviated as "organic EL") development apparatus is accelerating. また、有機EL装置の中でも、インクジェット(液滴吐出)法等の液相法によって発光層が形成された高分子系有機EL装置は、比較的安価に製造できるという利点や、高精度が要求されるマスク蒸着が不要であるという利点を有しており、低分子系よりも優位性を有していると言われている。 Among the organic EL device, an ink jet (liquid droplet ejection) polymer organic EL device in which the light-emitting layer is formed by a liquid phase method such as a method, and advantage can be manufactured at a relatively low cost, high accuracy is required has the advantage that the mask deposition is required, it is said to have an advantage than low molecular weight.

高分子系の有機EL装置を製造する場合においては、インクジェット法を用いて画素画素毎に発光材料等の液体材料を塗布する際に、当該液体材料が隣接する画素に混入する必要がある。 In case of manufacturing the organic EL device of high molecular weight, when applying a liquid material such as a light emitting material in each pixel pixel by using the inkjet method, it is necessary to be mixed to the pixel to which the liquid material adjacent. そこで、各画素の境界部近傍にバンクと呼ばれる隔壁部材を形成するのが一般的であった(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, to form the partition member called a bank in the vicinity boundary of each pixel is a common (e.g., see Patent Document 1).
特開2002−222695号公報 JP 2002-222695 JP

ところで、有機EL装置においては、発光光を効率的に取り出すことが可能なトップエミッション型と呼ばれる構成が提案されている。 Incidentally, in the organic EL device, the configuration called top emission type capable of emitted light efficiently has been proposed. 当該トップエミッション型は、回路基板に対向配置された対向基板側から発光光を取り出すようになっており、当該発光光は対向基板側の透明電極を透過して出射する。 The top emission type is adapted to extract emitted light from the counter substrate arranged to face the circuit board, the light-emitting light is emitted through the transparent electrode of the counter substrate side.
しかしながら、透明電極の材料として用いられているITO(インジウム−スズ酸化物)の比抵抗は、10 −4 Ωcmレベルであり、一般的に配線材として用いられるAl等の金属のそれよりも大きい。 However, ITO that is used as the transparent electrode material - specific resistance of (indium tin oxide) is 10-4 are Ωcm level, greater than that of general metal such as Al used as a wiring material. 従って、有機EL装置の大型化が進むと、対向電極の面積が大きくなり、ITOの電気抵抗に起因して電圧降下が生じてしまうという問題があった。 Therefore, the size of the organic EL device progresses, the area of ​​the counter electrode is increased, the voltage drop there is a problem that occurs due to the electrical resistance of the ITO.
そして、対向電極における電圧降下は、発光光の輝度の不均一化を招いてしまい、表示ムラが生じてしまうという問題があった。 Then, the voltage drop at the counter electrode, which could lead to non-uniformity of brightness of emitted light, there is a problem that uneven display occurs.

本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、大型の有機EL装置であっても、対向電極における電圧降下を抑制し、発光光の輝度の均一化を達成し、良好に表示することができる有機EL装置及び電子機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, even in large-sized organic EL device to suppress the voltage drop in the counter electrode, to achieve uniform luminance of the emitted light, it can be satisfactorily displayed and to provide an organic EL device and an electronic apparatus that can.

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。 To achieve the above object, the present invention employs the following aspects.
本発明の有機EL装置は、対向する電極間に発光層が形成された有機EL装置であって、非表示領域に前記電極を補助する補助電極が設けられていることを特徴としている。 The organic EL device of the present invention is an organic EL device in which the light-emitting layer is formed between opposing electrodes, it is characterized in that an auxiliary electrode for assisting the electrode in the non-display region is provided.
このようにすれば、補助電極を設けることによって電極の抵抗が低減され、電極の電圧降下を抑制することができる。 In this way, the resistance of the electrode is reduced by providing the auxiliary electrode, it is possible to suppress the voltage drop of the electrode. また、特に大型の有機EL装置においては電極の面積が大きいために電圧降下が問題となっていたが、上記構成によって当該問題を解決できる。 In particular although the organic EL device of a large voltage drop for the area of ​​the electrode is large has been a problem, it can be solved the problems the above configuration.
そして、電極の電圧降下が抑制されることにより、発光光の輝度の均一化を図ることができ、表示ムラの発生を防止することができる。 By the voltage drop across the electrodes is suppressed, it is possible to achieve uniform brightness of the emitted light, it is possible to prevent the occurrence of display unevenness.
また、非表示領域に補助電極を形成することから、開口度が向上し、表示部における発光光の遮蔽を防止できる。 Moreover, since forming the auxiliary electrode in the non-display area, improved aperture ratio can be prevented shielding of the emitted light in the display unit.
また、補助電極を設けることにより、発光層から発光された光が当該補助電極によって反射され、表示領域から出射するので、発光効率を向上させることができる。 Further, by providing the auxiliary electrode, light emitted from the light-emitting layer is reflected by the auxiliary electrode, so emitted from the display area, thereby improving the luminous efficiency.

また、前記有機EL装置において、非表示領域は隔壁部材であることを特徴としている。 Further, in the organic EL device, the non-display region is characterized by a partition member.
このようにすれば、隔壁部材に前記補助電極を設けることが可能となる。 Thus, it is possible to provide the auxiliary electrode to the partition member. そして、隔壁部材を有する構成、例えば、液相法によって発光層が形成された高分子系有機EL装置においては、特に有効である。 The structure having the partition member, for example, in polymer organic EL device in which the light-emitting layer is formed by a liquid phase method, it is particularly effective. また、隔壁部材に補助電極が形成されるので、隔壁部材の平面パターンに応じて補助電極を形成することができる。 Further, since the auxiliary electrode in the partition wall member is formed, it is possible to form the auxiliary electrode in accordance with the plane pattern of the partition member. また、補助電極の平面方向における幅を隔壁部材の幅よりも小さく設定すれば、発光面積が小さくならず、効率的に発光させることができる。 Also, the width in the planar direction of the auxiliary electrode is set smaller than the width of the partition wall member, the light emitting area is not reduced, it is possible to efficiently emit light.

また、前記有機EL装置において、前記補助電極は前記隔壁部材の上部に形成されていることを特徴としている。 Further, in the organic EL device, the auxiliary electrode is characterized by being formed on an upper portion of the partition wall member.
このようにすれば、電極と隔壁部材との間に補助電極が設けられることによって、電極の低抵抗化を実現できる。 Thus, by the auxiliary electrode between the electrode and the partition wall member is provided, it is possible to realize a reduction in the resistance of the electrode.

また、前記有機EL装置において、前記隔壁部材には前記補助電極が形成される形成部が設けられていることを特徴としている。 Further, in the organic EL device, the said partition wall member is characterized by forming part of the auxiliary electrode is formed is provided.
このようにすれば、当該形成部内に補助電極が設けられるので、単に隔壁部材に補助電極を設ける場合と比較して有機EL装置の断面構造を簡素にすることができる。 In this way, since the auxiliary electrode to the formation portion is provided simply it can be simplified cross-sectional structure of an organic EL device as compared with the case where the auxiliary electrode to the partition member. また、形成部内に補助電極を設けることにより、補助電極の上面と隔壁部材の上面が平坦化されるので、当該補助電極及び隔壁部材の上方に形成される配線層や電極層の断線を防止できる。 Further, by providing the auxiliary electrode forming portion, the upper surface of the upper surface and the partition member of the auxiliary electrode is planarized, the disconnection of the auxiliary electrode and the wiring layer formed above the partition member and the electrode layer can be prevented .

また、前記有機EL装置において、前記補助電極は前記電極の上部に形成されていることを特徴としている。 Further, in the organic EL device, the auxiliary electrode is characterized by being formed in an upper portion of the electrode.
このようにすれば、電極の上に補助電極が設けられることによって、電極の低抵抗化を実現できる。 Thus, by the auxiliary electrode is provided on the electrode, it is possible to realize a reduction in the resistance of the electrode.

また、前記有機EL装置において、前記補助電極は、前記電極よりも高導電性の材料からなることを特徴としている。 Further, in the organic EL device, the auxiliary electrode is characterized in that it consists of highly conductive material than the electrode.
このようにすれば、電極のみにおける場合の導電性よりも、電極に補助電極が設けられた場合の導電性が高くなるので、上記のように電極の低抵抗化を実現できる。 In this way, than the conductivity of the case in the electrode only, since the conductive when the auxiliary electrode is provided on the electrode is high, it can realize the resistance of the electrodes as described above.

また、本発明の電子機器は、先に記載の有機EL装置を備えたことを特徴としている。 The electronic device of the present invention is characterized by comprising an organic EL device described above.
ここで、電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。 Here, the electronic apparatus, for example, cellular phones, mobile information terminals, can be exemplified clock, word processor, an information processing device such as a personal computer.
従って、本発明によれば、先に記載の有機EL装置を用いた表示部を備えているので、発光光の輝度の均一化を達成し、表示ムラの発生が防止された良好な表示特性を有する電子機器となる。 Therefore, according to the present invention, since a display unit using an organic EL device described above, to achieve a uniform luminance of the emitted light, a good display characteristic that occurrence of display unevenness is prevented the electronic device having.

以下、本発明を詳しく説明する。 The present invention will be described in detail.
まず、本発明の有機EL装置について、その概略構成を説明する。 First, the organic EL device of the present invention, illustrating a schematic configuration thereof.
図1、図2は本発明の有機EL装置をアクティブマトリクス型、かつトップエミッション型のディスプレイに適用した場合の一例を示すもので、これらの図において符号1はディスプレイである。 1, 2 show an example of the application of the organic EL device of the present invention an active matrix type, and a top emission type in display, reference numeral 1 in these figures is a display.

このディスプレイ(有機EL装置)1は、回路図である図1に示すように基板(図示せず)上に、複数の走査線131と、これら走査線131に対して交差する方向に延びる複数の信号線132と、これら信号線132に並列に延びる複数の共通給電線133とがそれぞれ配線されたもので、走査線131及び信号線132の各交点に、画素(画素領域素)1Aが設けられて構成されたものである。 The display (organic EL device) 1 includes, over a substrate as shown in FIG. 1 is a circuit diagram (not shown), a plurality of scanning lines 131, a plurality of extending in a direction crossing the scanning lines 131 a signal line 132, in which a plurality of common feeder lines 133 extending parallel to these signal lines 132 are wired respectively, at intersections of the scanning lines 131 and signal lines 132, is provided a pixel (pixel region element) 1A those constructed Te.

信号線132に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路3が設けられている。 For the signal line 132, a shift register, a level shifter, a video line, a data-side driving circuit 3 comprising an analog switch is provided.
一方、走査線131に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路4が設けられている。 On the other hand, with respect to the scanning lines 131, a scanning side driving circuit 4 comprising a shift register and a level shifter is provided. また、画素領域1Aの各々には、走査線131を介して走査信号がゲート電極に供給される第1の薄膜トランジスタ142と、この第1の薄膜トランジスタ142を介して信号線132から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2の薄膜トランジスタ143と、この第2の薄膜トランジスタ143を介して共通給電線133に電気的に接続したときに共通給電線133から駆動電流が流れ込む画素電極(電極)141と、この画素電極141と陰極(電極)154との間に挟み込まれる発光部140と、が設けられている。 Further, each of the pixel regions 1A, the image signal scanning signals through the scanning lines 131 and the first thin film transistor 142 which is supplied to the gate electrode, is supplied from the signal line 132 through the first thin film transistor 142 a storage capacitor cap for holding an image signal held by the holding capacitor cap and the second thin film transistor 143 which is supplied to the gate electrode and electrically connected to the common current supply line 133 via the second thin film transistor 143 a pixel electrode (electrode) 141 into which a driving current flows from the common power supply line 133, and the light emitting portion 140 sandwiched between the pixel electrode 141 and a cathode (electrode) 154, is provided at the time.

このような構成のもとに、走査線131が駆動されて第1の薄膜トランジスタ142がオンになると、そのときの信号線132の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて、第2の薄膜トランジスタ143の導通状態が決まる。 Under this structure, when the first thin film transistor 142 scanning line 131 is driven is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is stored in the storage capacitor cap, according to the state of the storage capacitor cap Te, it determines the conducting state of the second thin film transistor 143. そして、第2の薄膜トランジスタ143のチャネルを介して共通給電線133から画素電極141に電流が流れ、更に発光部140を通じて陰極154に電流が流れることにより、発光部140は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。 Then, when the second current flows from the common feeding line 133 through a channel of the thin film transistor 143 to the pixel electrode 141, further current flows to the cathode 154 through the light emitting unit 140, the light emitting unit 140, the amount of current flowing therethrough in response it made to emit light.

ここで、各画素1Aの平面構造は、図2(a)に示すように平面形状が長方形の画素電極141の四辺が、信号線132、共通給電線133、走査線131及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。 Here, the planar structure of each pixel 1A has 2 four sides of planar shape as shown in (a) a rectangular pixel electrode 141, signal line 132, common feeder line 133, scanning lines 131 and the other pixels, not shown It has a configuration which is surrounded by the scanning lines for the electrodes. なお、図2(a)では対向電極やバンク(隔壁部材、非表示領域)を取り除いた状態で示している。 Also shows on the condition of removing FIGS. 2 (a) the counter electrode and a bank (partition member, the non-display area) the.
また、画素1A近傍の内部構造は、図2(a)における、画素1A近傍でのA−A線矢視断面図である図2(b)に示すように、第2の薄膜トランジスタ143の上方にバンク150が形成され、このバンク150上に補助電極151が形成され、更にこれらバンク150および補助電極151を覆って陰極154と封止層160が形成された構造となっている。 The internal structure of the neighboring pixels. 1A, in FIG. 2 (a), the as shown in FIG. 2 (b) is an A-A sectional view taken along line in the pixel 1A vicinity above the second thin film transistor 143 bank 150 is formed, the auxiliary electrode 151 on the bank 150 is formed, and further a structure in which a cathode 154 and sealing layer 160 is formed over these banks 150 and the auxiliary electrode 151. なお、図2(b)において符号143は薄膜トランジスタ、170はゲート絶縁膜、140Aは正孔注入層、140Bは発光層、140Cは電子輸送層である。 Reference numeral 143 is a thin film transistor, the gate insulating film 170, 140A for the hole injection layer in FIG. 2 (b), 140B light-emitting layer, 140C is an electron-transporting layer.

次に、このようなディスプレイ1の製造方法について、図3〜図5を用いて説明する。 Next, the manufacturing method of the display 1 will be described with reference to FIGS.
なお、図3〜図5では、説明を簡略化するべく、単一の画素1Aについてのみ図示する。 In 3-5, in order to simplify the description, illustrated only a single pixel 1A.
まず、基板を用意する。 First, a substrate is provided. ここで、本発明のディスプレイ1は、後述する発光層による発光光を、基板(TFT基板)と反対の側、即ち対向電極側から取り出すトップエミッションタイプに構成されるものであり、従って発光光を基板側から取り出す場合と異なり、基板材料として透明ないし半透明なものを用いる必要がない。 Here, the display 1 of the present invention, the light emitted by the light emitting layer described later, the side opposite to the substrate (TFT substrate), i.e., those composed a top emission type taken out from the counter electrode side, thus the emitted light Unlike the case of taking from the substrate side, it is not necessary to use a transparent or translucent as a substrate material. ただし、透明材料であっても、例えば安価なソーダガラスなどを用いてもよい。 However, a transparent material may be used, for example, such as inexpensive soda glass. その場合に、これにシリカコートを施すのが、酸アルカリに弱いソーダガラスを保護する効果を有し、更に基板の平坦性をよくする効果も有するため好ましい。 In that case, is subjected to a silica-coated to have the effect of protecting the vulnerable soda glass alkali, preferably to further also has the effect of improving the flatness of the substrate.
また、基板として不透明なものを用いる場合、アルミナ等のセラミックスや、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。 In the case of using a opaque as a substrate, or a ceramic such as alumina, that has been subjected to an insulating treatment such as surface oxidation on the metal sheet such as stainless steel, a thermosetting resin, thermoplastic resin or the like can be used.

本例では、基板として図3(a)に示すようにソーダガラス等からなる基板(TFT基板)121を用意する。 In this example, a substrate (TFT substrate) 121 made of soda glass or the like as shown in FIG. 3 (a) as the substrate. そして、これに対し、必要に応じてTEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約200〜500nmのシリコン酸化膜からなる下地保護膜(図示せず)を形成する。 And, contrary to form a optionally TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas, etc. made of a silicon oxide film having a thickness of about 200~500nm by the plasma CVD method as a raw material base protective film (not shown) .

次に、基板121の温度を約350℃に設定して、下地保護膜の表面にプラズマCVD法により厚さ約30〜70nmのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜200を形成する。 Then, the temperature of the substrate 121 is set to about 350 ° C., to form a semiconductor film 200 made of amorphous silicon film having a thickness of about 30~70nm by a plasma CVD method on the surface of the underlying protective film. 次いで、この半導体膜200に対してレーザアニールまたは固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜200をポリシリコン膜に結晶化する。 Then carried out the crystallization step such as laser annealing or solid phase growth method for this semiconductor film 200 is crystallized semiconductor film 200 to a polysilicon film. レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が400mmのラインビームを用い、その出力強度は例えば200mJ/cm 2とする。 In laser annealing, for example, using a line beam length dimensions of 400mm beam in the excimer laser, the output intensity is, for example, 200 mJ / cm 2. ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の90%に相当する部分が各領域に重なるようにラインビームを走査する。 The line beam, a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction to scan the line beam to overlap each area.

次いで、図3(b)に示すように、半導体膜(ポリシリコン膜)200をパターニングして島状の半導体膜210とし、その表面に対して、TEOSや酸素ガスなどを原料としてプラズマCVD法により厚さ約60〜150nmのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜220を形成する。 Then, as shown in FIG. 3 (b), the semiconductor film 210 of the island by patterning the semiconductor film (polysilicon film) 200, to its surface, by a plasma CVD method, or the like TEOS or oxygen gas as a raw material forming a gate insulating film 220 made of a silicon oxide film or a nitride film having a thickness of about 60 to 150 nm. なお、半導体膜210は、図2に示した第2の薄膜トランジスタ143のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては第1の薄膜トランジスタ142のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。 The semiconductor film 210 is one in which a channel region and source and drain regions of the second thin film transistor 143 shown in FIG. 2, at different sectional positions the channel region and source and drain regions of the first thin film transistor 142 become a semiconductor film is also formed. つまり、図3〜図5に示す製造工程では二種類のトランジスタ142、143が同時に作られるのであるが、同じ手順で作られるため、以下の説明ではトランジスタに関しては、第2の薄膜トランジスタ143についてのみ説明し、第1の薄膜トランジスタ142についてはその説明を省略する。 That, in the manufacturing process shown in FIGS. 3 to 5 are the two types of transistors 142 and 143 are produced simultaneously, because they are made of the same procedure, with respect to the transistor in the following description, the second thin film transistor 143 only Description and, the first thin film transistor 142 is omitted.

次いで、図3(c)に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極143Aを形成する。 Then, as shown in FIG. 3 (c), aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, was formed by sputtering a conductive film made of a metal film such as tungsten, and patterned to form a gate electrode 143A.
次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、半導体膜210に、ゲート電極143Aに対して自己整合的にソース・ドレイン領域143a、143bを形成する。 Then, implantation of high concentration of phosphorus ions in this state, the semiconductor film 210 is formed self-aligned manner the source and drain regions 143a, the 143b with the gate electrode 143A. なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域143cとなる。 The portion which impurities are not introduced become channel regions 143c.

次いで、図3(d)に示すように、層間絶縁膜230を形成した後、コンタクトホール232、234を形成し、これらコンタクトホール232、234内に中継電極236、238を埋め込む。 Then, as shown in FIG. 3 (d), after forming an interlayer insulating film 230, a contact hole 232, 234, embedding the relay electrodes 236 and 238 in these contact holes 232 and 234.
次いで、図3(e)に示すように、層間絶縁膜230上に、信号線132、共通給電線133及び走査線(図3に示さず)を形成する。 Then, as shown in FIG. 3 (e), on the interlayer insulating film 230, the signal lines 132, to form a common feed line 133 and a scanning line (not shown in FIG. 3). ここで、中継電極238と各配線とは、同一工程で形成されていてもよい。 Here, the respective wires and the relay electrode 238 may be formed in the same step.

そして、各配線の上面をも覆うように層間絶縁膜240を形成し、中継電極236に対応する位置にコンタクトホール(図示せず)を形成し、そのコンタクトホール内にも埋め込まれるように例えばアルミニウム等の金属からなる反射膜を蒸着法等によって形成する。 Then, the upper surface of each wiring and an interlayer insulating film 240 so as to cover, to form a contact hole (not shown) in a position corresponding to the relay electrode 236, for example aluminum be implanted in the contact hole a reflective film made of metal etc. is formed by vapor deposition or the like. そして、この上にITO(インジウム・スズ酸化物)膜を形成し、更にこれら反射膜及びITO膜をパターニングして、信号線132、共通給電線133及び走査線(図示せず)に囲まれた所定位置に、ソース・ドレイン領域143aに電気的に接続する画素電極141を形成する。 Then, this on the ITO (indium tin oxide) film is formed, and further patterning these reflective films and ITO film, the signal line 132, surrounded by a common feed line 133 and a scanning line (not shown) in position, to form a pixel electrode 141 electrically connected to the source-drain region 143a. この画素電極141は陽極として機能するもので、ITOからなる透明電極141aと、アルミニウム等からなる陰極141bとによって構成されたものとなる。 The pixel electrode 141 functions as an anode, comprising a transparent electrode 141a made of ITO, those constituted by the cathode 141b made of aluminum or the like. ここで、画素電極141の表面側にITOからなる透明電極141aを用いているのは、これの上に形成される正孔注入層または正孔輸送層に対して、ITOは十分に正孔を供給できるエネルギー準位にある材料となっているからである。 Here, what a transparent electrode 141a made of ITO on the surface side of the pixel electrode 141, to the hole injection layer or a hole transport layer is formed on top of this, ITO is sufficiently holes since it has become a material in energy level that can be supplied. また、信号線132及び共通給電線133、更には走査線(図示せず)に挟まれた部分が、後述するように正孔注入層(又は正孔輸送層)や発光層の形成場所となっている。 The signal line 132 and the common current supply line 133, is further portion sandwiched between the scanning lines (not shown), a formation location of the hole injection layer (or a hole transport layer) and the light-emitting layer as described below ing.

次いで、図4(a)に示すように、前記の形成場所を囲むようにバンク150を形成する。 Then, as shown in FIG. 4 (a), forming a bank 150 so as to surround the formation location. このバンク150は仕切り部材として機能するもので、例えばポリイミド等の感光性の絶縁性有機材料を成膜して、露光、現像後にキュア(焼成)することにより形成される。 The bank 150 is intended to function as a partition member, for example, a photosensitive insulating organic material such as polyimide is deposited, exposed, is formed by curing (baking) after development. バンク150の膜厚については、例えば1〜2μmの高さとなるように形成する。 The thickness of the bank 150 is formed so as for example a height of 1 to 2 [mu] m. このようなバンク150により、正孔注入層(又は正孔輸送層)や発光層の形成場所、即ちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲のバンク150との間には、十分な高さの段差111が形成されるようになる。 Such bank 150, a hole injection layer (or a hole transport layer) and forming location of the light emitting layer, i.e., between the application position of these forming materials and the surrounding bank 150, of sufficient height so step 111 is formed.

次いで、形成したバンク150の上面を覆った状態にAl(アルミニウム)金属による導電材料を蒸着法等によって形成し、続いてこの導電膜を例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより、図4(b)に示すようにバンク150上に補助電極151を形成する。 Then, a conductive material by Al (aluminum) metal is formed by vapor deposition or the like in a state of covering the upper surface of the formed bank 150, followed by patterning by using the conductive film, for example a photolithography technique and an etching technique, forming an auxiliary electrode 151 on the bank 150 as shown in Figure 4 (b).
ここで、補助電極151を形成するための導電材料としては、後述する対向電極の形成材料より導電性の高い材料が用いられる。 Here, as the conductive material for forming the auxiliary electrode 151, a material having high conductivity than the material for forming the counter electrode to be described later is used. また、この補助電極151は、本例ではバンク150の平面視した状態での形状(バンク150の平面形状)に沿って格子状に形成される。 Further, the auxiliary electrode 151, in this embodiment is formed along the shape (planar shape of the bank 150) in a state viewed from the top of the bank 150 in a grid pattern. ただし、本発明はこれに限ることなく、例えばストライプ状に形成してもよい。 However, the present invention is not limited thereto, for example, it may be formed in a stripe shape.

なお、補助電極151の材料としては、Alに限定するものではない。 As the material of the auxiliary electrode 151 is not limited to Al. Al以外にも、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、等の低抵抗材料を用いてもよい。 Besides al, Au (gold), Ag (silver), Cu (copper) may be made of a low-resistance material such as.
また、当該補助電極151の形成方法は、フォトリソグラフィ技術を用いることに限定するものではない。 The formation method of the auxiliary electrode 151 is not limited to the use of photolithography. 当該技術以外にも、上記金属材料の金属微粒子を有する分散液を吐出するインクジェット(液滴吐出)法や、上記金属を含有するペーストを塗布する印刷法、等の各種液相法を用いる技術を適用してもよい。 Besides the art, and the ink jet (liquid droplet ejection) method for ejecting a dispersion having metal fine particles of the metal material, printing method of applying a paste containing the metal, the techniques using various liquid phase equal application may be. このような液相法を用いる場合には、材料液体を所定の位置に塗布するために、親液処理又は撥液処理を適宜に施すことが好ましい。 When using such a liquid phase method, in order to apply the material liquid in a predetermined position, it is preferably subjected to appropriate lyophilic process or liquid-repellent treatment.
また、当該補助電極151を形成する工程は、バンク形成後に行うことを限定するものではない。 The step of forming the auxiliary electrode 151 is not limited to be performed after the bank formation. 例えば、発光層や電子注入層等の各種発光機能層を形成した後に当該工程を施してもよい。 For example, it may be subjected to the step after forming the various light-emitting functional layer such as a light emitting layer and an electron injection layer.
また、当該補助電極151の幅は、バンク150の幅よりも小さいことが好ましい。 The width of the auxiliary electrode 151 is preferably smaller than the width of the bank 150. このようにすれば、発光面積が小さくならず、効率的に発光させることができる。 In this way, the light emitting area is not reduced, it is possible to efficiently emit light.

次いで、図4(c)に示すように、基板121の上面を上に向けた状態で、インクジェットヘッド法によって正孔注入層の形成材料をインクジェットヘッド10より、前記バンク150に囲まれた塗布位置に選択的に塗布する。 Then, as shown in FIG. 4 (c), in a state of facing upward upper surface of the substrate 121, from the inkjet head 10 to the formation material of the hole injection layer by an ink jet head method, application position surrounded by the bank 150 selectively applied to.
ここで、インクジェットヘッド10は、図6(a)に示すように例えばステンレス製のノズルプレート12と振動板13とを備え、両者を仕切り部材(リザーバプレート)14を介して接合したものである。 Here, the inkjet head 10 is provided with a nozzle plate 12, for example, stainless steel, as shown in FIG. 6 (a) and vibrating plate 13 is obtained by bonding them together through the partition member (reservoir plate) 14. ノズルプレート12と振動板13との間には、仕切り部材14によって複数の空間15と液溜まり16とが形成されている。 Between the nozzle plate 12 and the vibration plate 13, it is formed with a plurality of spaces 15 and a liquid reservoir 16 by a partition member 14. 各空間15と液溜まり16の内部はインクで満たされており、各空間15と液溜まり16とは供給口17を介して連通したものとなっている。 Within each space 15 and the liquid reservoir 16 is filled with ink, which is what was communicated through the supply port 17 and the spaces 15 and the liquid reservoir 16. また、ノズルプレート12には、空間15からインクを噴射するためのノズル孔18が一列に配列された状態で複数形成されている。 Further, in the nozzle plate 12, formed with a plurality in a state where the nozzle holes 18 for ejecting ink from the space 15 are arranged in a row. 一方、振動板13には、液溜まり16にインクを供給するための孔19が形成されている。 On the other hand, the vibrating plate 13, holes 19 for supplying ink to the liquid reservoir 16 are formed.

また、振動板13の空間15に対向する面と反対側の面上には、図6(b)に示すように圧電素子(ピエゾ素子)20が接合されている。 Further, on the opposite side on the surface as the surface facing the space 15 of the diaphragm 13, piezoelectric element 20 is bonded as shown in Figure 6 (b). この圧電素子20は、一対の電極21の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。 The piezoelectric element 20 is located between a pair of electrodes 21, in which is energized which is configured to flex so as to project outwardly. そして、このような構成のもとに圧電素子20が接合されている振動板13は、圧電素子20と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間15の容積が増大するようになっている。 The vibration plate 13 under this configuration the piezoelectric element 20 is joined, is integrated with the piezoelectric element 20 is adapted to flex outward at the same time, whereby the volume of the space 15 so that the increasing. 従って、空間15内に増大した容積分に相当するインクが、液溜まり16から供給口17を介して流入する。 Therefore, the ink corresponding to the volume fraction that increases in the space 15, flows through the supply port 17 from the liquid reservoir 16. また、このような状態から圧電素子20への通電を解除すると、圧電素子20と振動板13はともに元の形状に戻る。 Further, when releasing the energization from this state to the piezoelectric element 20, the vibrating plate 13 and the piezoelectric element 20 both return to their original shape. 従って、空間15も元の容積に戻ることから、空間15内部のインクの圧力が上昇し、ノズル孔18から基板に向けてインクの液滴22が吐出される。 Therefore, since the space 15 also returns to its original volume, increases the pressure in the space 15 inside the ink, the ink droplet 22 is ejected toward the nozzle hole 18 to the substrate.
なお、インクジェットヘッド10のインクジェット方式としては、前記の圧電素子20を用いたピエゾジェットタイプ以外の、公知の方式のものを採用してもよい。 As the ink jet system of the ink jet head 10, other than the piezo-jet type using the piezoelectric element 20, it may be adopted a known method.

このような構成のインクジェットヘッド10を用いて、本例では図4(c)に示したようにバンク150内に正孔注入層の形成材料をインクとして塗布する。 Using an inkjet head 10 having such a configuration, in this embodiment the material for forming the hole injection layer is applied as an ink to the bank 150 as shown in FIG. 4 (c).
正孔注入層の形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、1,1−ビス−(4−N,N−ジトリルアミノフェニル)シクロヘキサン、トリス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム等が挙げられる。 As a material for forming the hole injection layer, polyphenylene vinylene polymer precursor is a poly tetrahydrothiophenyl phenylene, 1,1-bis - (4-N, N-ditolyl aminophenyl) cyclohexane, tris (8-hydroxyquinolinol ) aluminum and the like. なお、正孔注入層に代えて正孔輸送層を形成するようにしてもよく、その場合に、正孔輸送層の形成材料としては、例えばピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が用いられる。 Incidentally, may be formed a hole transport layer instead of the hole injection layer, in which case, as the material for forming the hole transport layer, for example pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, triphenyl diamine derivatives and the like are used. また、これら正孔注入層あるいは正孔輸送層の形成材料として、ポリエチレンジオキシチオフェン、またはポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物等の高分子系材料も使用可能である。 These as a material for forming the hole injection layer or the hole transport layer, a polymer based material, such as a mixture of polyethylene dioxythiophene or polyethylene dioxythiophene and polystyrene sulfonic acid, it can be used.
このようにしてインクジェットヘッド10を用いて形成材料11Aを塗布すると、液状の形成材料114Aは流動性が高いため、水平方向に広がろうとするものの、塗布された位置を囲んでバンク150が形成されていることにより、バンク150を越えてその外側に広がることが防止される。 In this manner, when the forming material 11A is coated by using an inkjet head 10, the liquid material for forming 114A has a high fluidity, although attempts to spread horizontally, the bank 150 is formed to surround the coating position by being, to spread outside it can be prevented over the bank 150.

次いで、図5(a)に示すように加熱あるいは光照射により液状の形成材料114A中の溶媒を蒸発させて、画素電極141上に、固形の正孔注入層(又は正孔輸送層)140Aを形成する。 Then, the solvent in the liquid material for forming 114A is evaporated by heating or light irradiation, as shown in FIG. 5 (a), on the pixel electrode 141, a hole injection layer (or a hole transport layer) 140A solid Form. 次いで、正孔注入層(又は正孔輸送層)140Aの形成の場合と同様にして、インクジェットヘッド10よりインクとして発光層の形成材料(発光材料)を前記バンク150内の正孔注入層(又は正孔輸送層)140A上に選択的に塗布する。 Then, in the formation of the hole injection layer (or a hole transport layer) 140A and similarly, the hole injection layer in the bank 150 formed of a light-emitting layer material (luminescent material) as an ink from the inkjet head 10 (or selectively applying the hole transport layer) on the 140A.

発光層の形成材料としては、例えば共役系高分子有機化合物の前駆体と、得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものが好適に用いられる。 As the material for forming the luminescent layer, for example a precursor of a conjugated polymer organic compound, which comprises a fluorescent dye for changing the emission characteristic of the light-emitting layer obtained is suitably used.
共役系高分子有機化合物の前駆体は、蛍光色素等とともにインクジェットヘッド10から吐出されて薄膜に成形された後、例えば以下の式(I)に示すように加熱硬化されることによって共役系高分子有機EL層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等である。 Precursor of a conjugated polymer organic compound, after being ejected from the inkjet head 10 is formed into a thin film with a fluorescent dye or the like, a conjugated polymer by being heated and cured, for example, as shown in the following formula (I) refers to one capable of generating a light emitting layer made of an organic EL layer, for example, in the case of sulfonium salts of the precursors, the sulfonium group is eliminated by being heated, it is one such as a conjugated polymer organic compound.

このような共役系高分子有機化合物は固体で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。 Such conjugated polymer organic compound has a strong fluorescence in the solid, it is possible to form a homogeneous solid ultra thin films. また、このような化合物の前駆体は、硬化した後には強固な共役系高分子膜を形成することから、加熱硬化前においては前駆体溶液を後述するインクジェットパターニングに適用可能な所望の粘度に調整することができ、簡便かつ短時間で最適条件の膜形成を行うことができる。 Further, precursors of such compounds, adjusted to the desired viscosity applicable since it forms a solid conjugated polymer film, before heat curing the ink jet patterning, which will be described later precursor solution after curing it can be, it is possible to perform the film formation of simple and short time under optimum conditions.

このような前駆体としては、例えばPPV(ポリ(パラ−フェニレンビニレン))またはその誘導体の前駆体が好ましい。 Examples of such precursors, e.g., PPV (poly (para - phenylene vinylene)) or a precursor of a derivative thereof. PPVまたはその誘導体の前駆体は、水あるいは有機溶媒に可溶であり、また、ポリマー化が可能であるため光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。 PPV or precursors of its derivatives are soluble in water or an organic solvent, also, it is possible to obtain a high-quality thin film in optical order are possible polymerization. 更に、PPVは強い蛍光を持ち、また二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電性高分子でもあるため、高性能の有機EL素子を得ることができる。 Furthermore, PPV has a strong fluorescence, and since that is also conductive polymer π electrons of the double bonds are non-polar localization on the polymer chain, it is possible to obtain a high-performance organic EL device.

このようなPPVまたはPPV誘導体の前駆体として、例えば化学式(II)に示すような、PPV(ポリ(パラ−フェニレンビニレン))前駆体、MO−PPV(ポリ(2,5−ジメトキシ−1,4−フェニレンビニレン))前駆体、CN−PPV(ポリ(2,5−ビスヘキシルオキシ−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)))前駆体、MEH−PPV(ポリ[2−メトキシ−5−(2'−エチルヘキシルオキシ)]−パラ−フェニレンビニレン)前駆体等が挙げられる。 As a precursor of such a PPV or PPV derivatives such as shown in formula (II), PPV (poly (para - phenylene vinylene)) precursor, MO-PPV (poly (2,5-dimethoxy-1,4 - phenylenevinylene)) precursor, CN-PPV (poly (2,5-bis-hexyloxy-1,4-phenylene - (1-cyanovinylene))) precursor, MEH-PPV (poly [2-methoxy-5- (2'-ethylhexyl oxy)] - p - phenylenevinylene) precursor and the like.

PPVまたはPPV誘導体の前駆体は、前述したように水に可溶であり、成膜後の加熱により高分子化してPPV層を形成する。 Precursor of PPV or PPV derivative is soluble in water as described above, to form a PPV layer was polymerized by heating after film formation. 前記PPV前駆体に代表される前駆体の含有量は、組成物全体に対して0.01〜10.0wt%が好ましく、0.1〜5.0wt%が更に好ましい。 The content of the precursor represented by the PPV precursor is preferably 0.01~10.0Wt% of the total composition, 0.1 to 5.0% is more preferable. 前駆体の添加量が少な過ぎると共役系高分子膜を形成するのに不十分であり、多過ぎると組成物の粘度が高くなり、インクジェット法による精度の高いパターニングに適さない場合がある。 If the amount of the precursor is too small and insufficient to form the conjugated polymer film, the viscosity is increased too high and the composition may not be suitable for patterning high accuracy by the inkjet method.

更に、発光層の形成材料としては、少なくとも1種の蛍光色素を含むのが好ましい。 Further, as the material for forming the light emitting layer preferably contains at least one fluorescent dye. これにより、発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長(発光色)を変えるための手段としても有効である。 Thus, it is possible to change the emission characteristics of the light-emitting layer, for example, it is also effective as a means for altering the improvement in luminous efficiency of the light-emitting layer or light absorption maximum wavelength, (emission color). 即ち、蛍光色素は単に発光層材料としてではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利用することができる。 That is, the fluorescent dye can not just as a light emitting layer material, used as a dye material having a light-emitting function itself. 例えば、共役系高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエキシトンのエネルギーをほとんど蛍光色素分子上に移すことができる。 For example, it is possible to transfer the energy of excitons generated by carrier recombination on the conjugated polymer organic compound molecule almost on the fluorescent dye molecules. この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍光色素分子からのみ起こるため、発光層の電流量子効率も増加する。 In this case, light emission since only occurs from high fluorophore fluorescence quantum efficiency, also increases the current quantum efficiency of the light-emitting layer. 従って、発光層の形成材料中に蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペクトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるための手段としても有効となる。 Therefore, by adding a fluorescent dye in the formation of the luminescent layer material, at the same time the emission spectrum of the light-emitting layer also becomes fluorescent molecules, also effective as a means for changing the luminescent color.

なお、ここでいう電流量子効率とは、発光機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であって、下記式により定義される。 Note that the current quantum efficiency here, a measure for considering the luminescence performance based on the luminous function, as defined by formula.
ηE =放出されるフォトンのエネルギー/入力電気エネルギー そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換によって、例えば赤、青、緑の3原色を発光させることができ、その結果フルカラー表示体を得ることが可能となる。 ? E = Energy / input electrical energy of photons emitted and, obtained by the conversion of light absorption maximum wavelength by doping the fluorescent pigment, for example, red, blue, it is possible to emit three primary colors of green, the result a full color display body it becomes possible.
更に蛍光色素をドーピングすることにより、EL素子の発光効率を大幅に向上させることができる。 By further doping a fluorescent dye, it can significantly improve the luminous efficiency of the EL element.

蛍光色素としては、赤色の発色光を発光する発光層を形成する場合、赤色の発色光を有するローダミンまたはローダミン誘導体を用いるのが好ましい。 As the fluorescent dye, when forming the light-emitting layer which emits red color light, to use a rhodamine or rhodamine derivatives having a red color light preferred. これらの蛍光色素はPPVと相溶性がよく、均一で安定した発光層の形成が容易である。 These fluorescent dyes may have PPV compatibility, it is easy to form a uniform and stable emission layer. このような蛍光色素として具体的には、ローダミンB、ローダミンBベース、ローダミン6G、ローダミン101過塩素酸塩等が挙げられ、これらを2種以上混合したものであってもよい。 Specific examples of such fluorescent dyes, rhodamine B, rhodamine B base, rhodamine 6G, include rhodamine 101 perchlorate, etc., may also be a mixture of two or more of these.

また、緑色の発色光を発光する発光層を形成する場合、緑色の発色光を有するキナクリドンおよびその誘導体を用いるのが好ましい。 In the case of forming the light-emitting layer which emits green color light, to use quinacridone and derivatives thereof having a green color light preferred. これらの蛍光色素もPPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。 The formation of these fluorescent dyes are also PPV compatibility well light emitting layer is easy.

更に、青色の発色光を発光する発光層を形成する場合、青色の発色光を有するジスチリルビフェニルおよびその誘導体を用いるのが好ましい。 Furthermore, when forming the light-emitting layer which emits blue color light, to use distyryl biphenyl and its derivatives having a blue color light preferred. これらの蛍光色素は水・アルコール混合溶液に可溶であり、またPPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。 These fluorescent dyes are soluble in water-alcohol mixed solution, also PPV compatibility is good easy formation of the light emitting layer.

また、青色の発色光を有する他の蛍光色素としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることができる。 As the other fluorescent dye having a blue color light, mention may be made of coumarin and its derivatives. これらの蛍光色素はPPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。 These fluorescent dyes are easily formed PPV compatibility well emission layer. このような蛍光色素として具体的には、クマリン、クマリン−1、クマリン−6、クマリン−7、クマリン120、クマリン138、クマリン152、クマリン153、クマリン311、クマリン314、クマリン334、クマリン337、クマリン343等が挙げられる。 Specific examples of such fluorescent dyes, coumarin, coumarin-1, coumarin-6, coumarin-7, coumarin 120, coumarin 138, coumarin 152, coumarin 153, coumarin 311, coumarin 314, coumarin 334, coumarin 337, coumarin 343, and the like.

更に、別の青色の発色光を有する蛍光色素としては、テトラフェニルブタジエン(TPB)またはTPB誘導体を挙げることができる。 Furthermore, as the fluorescent dye having a different blue color light, it may be mentioned tetraphenyl butadiene (TPB) or TPB derivative. これらの蛍光色素はPPVと相溶性がよく発光層の形成が容易である。 These fluorescent dyes are easily formed PPV compatibility well emission layer.
以上の蛍光色素については、各色ともに1種のみを用いてもよく、また2種以上を混合して用いてもよい。 Or for the fluorescent dye may be used alone in each color both, or may be used in combination of two or more.

これらの蛍光色素については、前記共役系高分子有機化合物の前駆体固形分に対し、0.5〜10wt%添加するのが好ましく、1.0〜5.0wt%添加するのがより好ましい。 These fluorescent dyes, to the precursor solid content of the conjugated polymer organic compound, it is preferable to add 0.5-10%, and more preferably added 1.0~5.0wt%. 蛍光色素の添加量が多過ぎると発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少な過ぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる効果が十分に得られないからである。 Maintaining weather resistance and durability of the light-emitting layer amount of fluorescent dye is too large, it becomes difficult, while when the amount is too small, because there is not sufficiently obtained effects by adding a fluorescent dye as described above it is.

また、前記前駆体および蛍光色素については、極性溶媒に溶解または分散させてインクとし、このインクをインクジェットヘッド10から吐出するのが好ましい。 Also, the for precursor and the fluorescent dye is dissolved or dispersed in a polar solvent and an ink, preferably ejects the ink from the ink jet head 10. 極性溶媒は、前記前駆体、蛍光色素等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、インクジェットヘッド10のノズル孔18での発光層形成材料中の固形分が付着して、目詰りが生じるのを防止することができる。 Polar solvent, wherein the precursor for the fluorescent dye and the like can be easily dissolved or uniformly dispersed and adhered solids emitting layer forming material at the nozzle holes 18 of the inkjet head 10, clogging is it can be prevented from occurring.

このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルイミダゾリン(DMI)、ジメチルスルホキシド(DMSO)等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を2種以上適宜混合したものであってもよい。 Such Specific examples polar solvent, water, methanol, alcohols compatible with water such as ethanol, N, N-dimethylformamide (DMF), N-methylpyrrolidone (NMP), dimethyl imidazoline (DMI), organic solvent or an inorganic solvent such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and the like, may also be a mixture of these solvents optionally two or more.

更に、前記形成材料中に湿潤剤を添加しておくのが好ましい。 Further, preferably before addition to the wetting agent in the formation material. これにより、形成材料がインクジェットヘッド10のノズル孔18で乾燥・凝固することを有効に防止することができる。 Thus, forming material can be effectively prevented from being dried and solidified at the nozzle hole 18 of the inkjet head 10. かかる湿潤剤としては、例えばグリセリン、ジエチレングリコール等の多価アルコールが挙げられ、これらを2種以上混合したものであってもよい。 Such wetting agents, for example glycerol, include polyhydric alcohols such as diethylene glycol, can also be a mixture of two or more of these. この湿潤剤の添加量としては、形成材料の全体量に対し、5〜20wt%程度とするのが好ましい。 The amount of the wetting agent, the total amount of forming material with respect to, preferably about 5 to 20 wt%.
なお、その他の添加剤、被膜安定化材料を添加してもよく、例えば、安定剤、粘度調整剤、老化防止剤、pH調整剤、防腐剤、樹脂エマルジョン、レベリング剤等を用いることができる。 The other additives may be added to the coating stabilizing material, for example, stabilizers, viscosity modifiers, antioxidants, pH adjusting agents, preservatives, it is possible to use a resin emulsion, leveling agent or the like.

このような発光層の形成材料をインクジェットヘッド10のノズル孔18から吐出すると、この形成材料はバンク150内の正孔注入層140A上に塗布される。 When ejecting a material for forming such a light-emitting layer from the nozzle hole 18 of the inkjet head 10, the forming material is applied onto the hole injection layer 140A in the bank 150.
ここで、形成材料の吐出による発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層の形成材料、緑色の発色光を発光する発光層の形成材料、青色の発色光を発光する発光層の形成材料を、それぞれ対応する画素1Aに吐出し塗布することによって行う。 Here, formation of the luminescent layer by the discharge of the forming material, the material for forming the light emitting layer for emitting red color light, the material for forming the light emitting layer which emits green color light, the light-emitting layer which emits blue color light the forming material is performed by ejecting applied to a corresponding pixel 1A. なお、各色に対応する画素1Aは、これらが規則的な配置となるように予め決められている。 The pixel 1A corresponding to each color, it is predetermined to have a regular arrangement.

このようにして各色の発光層形成材料を吐出し塗布したら、発光層形成材料中の溶媒を蒸発させることにより、図5(b)に示すように正孔注入層140A上に固形の発光層140Bを形成し、これにより正孔注入層140Aと発光層140Bとからなる発光部140、即ち本発明における積層体を得る。 After this manner by coating ejecting respective colors of the light emitting layer formation material, the light emitting layer by evaporating the solvent of the forming material, the solid light-emitting layer 140B on the hole injection layer 140A, as shown in FIG. 5 (b) forming a, obtained thereby emitting portion 140 composed of a hole injection layer 140A and the luminescent layer 140B, i.e. a laminate in the present invention. ここで、発光層形成材料114B中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層の形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、従って各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層140Bを形成することができる。 Here, the evaporation of the solvent in the light-emitting layer forming material 114B, since it performs the process of heating or decompression, if necessary, the material for forming the light emitting layer is quick-drying normally drying is good, especially such process without performing, by sequentially discharging coating of each color light emitting layer formation material Accordingly, it is possible to form the light-emitting layer 140B of each color to the coating order.
なお、本例では積層体となる発光部140を、正孔注入層140A(あるいは正孔輸送層)と発光層140Bとから形成したが、更に発光層140B上に電子輸送層を形成し、三層構造としてもよい。 Incidentally, the light emitting portion 140 serving as the laminated body in the present embodiment, has been formed from a hole injecting layer 140A (or the hole transport layer) and the light-emitting layer 140B, and further forming an electron transporting layer on the light-emitting layer 140B, three it may be a layer structure.

その後、図5(c)に示すように、基板121の表面全体に、透明導電材料を蒸着法等によって成膜して、陰極として機能する対向電極154を前記補助電極151と接した状態に形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 5 (c), the entire surface of the substrate 121, a transparent conductive material is deposited by vapor deposition or the like, formed is a counter electrode 154 serving as a cathode in contact with the auxiliary electrode 151 to. 透明導電材料としては、特に限定されることなく種々のものが採用可能であるが、例えばITOが用いられる。 As the transparent conductive material, various ones can be adopted without particular limitation, for example, ITO is used. なお、発光層に対する保護性を高めるために、Al等の金属膜を透明性を有する膜厚(例えば数十nm)でITOと補助電極151の間に形成してもよい。 In order to increase the protection against luminescent layer may be formed between the ITO and the auxiliary electrode 151 with a film thickness (for example, several tens of nm) having transparency of the metal film of Al or the like. また、この保護膜については、単一の材料からでなく、複数の材料を積層することによる、複合膜としてもよい。 Moreover, this protective film is not a single material, by stacking a plurality of materials may be a composite film.
そして、更にこの対向電極154上を公知の封止材料によって封止することにより、本発明の有機EL装置の一実施形態例となるディスプレイを得る。 Then, by further sealing the upper counter electrode 154 by a known sealing materials, obtaining a display which is an embodiment of the organic EL device of the present invention.

上述したように、有機EL装置(ディスプレイ1)においては、陰極154を補完する補助電極151がバンクに150に設けられているので、当該補助電極151を設けることによって陰極154の抵抗値が低減され、陰極154の電圧降下を抑制することができる。 As described above, in the organic EL device (display 1), the auxiliary electrode 151 to complement the cathode 154 is provided 150 to the bank, the resistance value of the cathode 154 is reduced by providing the auxiliary electrode 151 , it is possible to suppress the voltage drop of the cathode 154. また、特に大型の有機EL装置においては陰極154の面積が大きいために電圧降下が問題となっていたが、上記構成によって当該問題を解決できる。 In particular although the organic EL device of a large voltage drop due to the large area of ​​the cathode 154 has been a problem, it can be solved the problems the above configuration.
そして、陰極154の電圧降下が抑制されることにより、発光光の輝度の均一化を図ることができ、表示ムラの発生を防止することができる。 By the voltage drop of the cathode 154 is suppressed, it is possible to achieve uniform brightness of the emitted light, it is possible to prevent the occurrence of display unevenness.
また、非表示領域にあたるバンク150に補助電極151を形成することから、開口度が向上し、表示部における発光光の遮蔽を防止できる。 Moreover, since forming the auxiliary electrode 151 to the bank 150 corresponding to the non-display area, improved aperture ratio can be prevented shielding of the emitted light in the display unit.
また、補助電極151を設けることにより、発光層から発光された光が当該補助電極151によって反射され、陰極154側から出射するので、発光効率を向上させることができる。 Further, by providing the auxiliary electrode 151, light emitted from the light-emitting layer is reflected by the auxiliary electrode 151, since the output from the cathode 154 side, thereby improving the luminous efficiency.
また、バンク150に補助電極151が形成されるので、バンク150の平面パターンに応じて補助電極151を形成することができる。 Further, since the auxiliary electrode 151 to the bank 150 is formed, it is possible to form the auxiliary electrode 151 in accordance with the plane pattern of the bank 150.
また、補助電極151の平面方向における幅を隔壁部材の幅よりも小さく設定することで、発光面積が小さくならず、効率的に発光させることができる。 Also, the width in the planar direction of the auxiliary electrode 151 is set to be smaller than the width of the partition wall member, the light emitting area is not reduced, it is possible to efficiently emit light.
また、補助電極151がバンク150の上部に形成されることによって、陰極154の低抵抗化を実現できる。 Further, by the auxiliary electrode 151 is formed on the banks 150 can be realized the resistance of the cathode 154.
また、補助電極151は、陰極154よりも高導電性の材料(例えばAl等)から形成されているので、陰極154のみにおける場合の導電性よりも、陰極154に補助電極151が設けられた場合の導電性が高くなるので、上記のように陰極154の低抵抗化を実現できる。 The auxiliary electrode 151 is so formed from highly conductive material (e.g., Al, etc.) than the cathode 154, than the conductivity of the case only in the cathode 154, if the auxiliary electrode 151 is provided on the cathode 154 since the conductivity is high, as described above can realize reduction in resistance of the cathode 154.

なお、本発明の有機EL素子及びその製造方法については、前記例に限定されることなく、例えば図7に示すようにバンク150の上面に凹部(形成部)150aを形成し、この凹部150a内に補助電極の材料をインクジェット法で塗布することにより、補助電極151を形成するようにしてもよい。 Note that the organic EL device and the manufacturing method thereof of the present invention is not limited to the examples, for example, the upper surface in the recess (formation part) of the bank 150 as shown in FIG. 7 150a is formed, in the recess 150a the material of the auxiliary electrode by applying by an inkjet method, may be formed an auxiliary electrode 151.
即ち、バンク150の形成時において、バンク150の上面に該バンク150の形状に沿ってその中央部に凹部が形成されるようにレジストパターン(図示せず)を形成し、これを用いてエッチングすることにより、図7に示したようにバンク150上に凹部150aを形成する。 That is, in the formation of the bank 150, a resist pattern (not shown) so as to recess at its center portion is formed along the shape of the bank 150 on the upper surface of the bank 150 is etched by using the it allows to form a recess 150a on the bank 150 as shown in FIG. そして、この凹部150a内に補助電極151の材料をインクジェット法で塗布することにより、補助電極151を形成する。 Then, by applying the material of the auxiliary electrode 151 within the recess 150a by an inkjet method to form the auxiliary electrode 151.

このようなインクジェット法による塗布が可能な導電材料としては、例えば銀コロイド分散液や金コロイド分散液を用いることができる。 As the conductive material that can be applied by an ink-jet method, it can be used, for example a silver colloidal dispersion or colloidal gold dispersions. このようなコロイド液を図6(a)、(b)に示したインクジェットヘッド10より吐出し、凹部150a内に塗布した後、これを加熱等の処理を施すことにより、図7に示したように補助電極151を形成することができる。 Such colloidal liquid FIG 6 (a), discharged from the inkjet head 10 shown in (b), after coating in the recess 150a, which by performing a process such as heating, as shown in FIG. 7 it is possible to form the auxiliary electrode 151.
このようにして補助電極151を形成すれば、導電材料がバンク150上面から流れ落ちてバンク150内に至り、画素電極141と導通してしまうといった不都合を防止することができる。 By forming the auxiliary electrode 151 In this way, leading to the bank 150 conductive material flows down from the bank 150 top, it is possible to prevent a disadvantage results in conduction with the pixel electrode 141.

また、補助電極151の形成については、このようなインクジェット法に代えてディップ法を採用することもできる。 As for the formation of the auxiliary electrode 151, it may be employed a dip method in place of such an ink jet method. 即ち、図4(a)に示したようにバンク150を形成した後、このバンクの上面を親液処理するとともにその側面を撥液処理しておく。 That is, after forming the bank 150 as shown in FIG. 4 (a), keep lyophobic process the sides with handles lyophilic the upper surface of the bank. そして、このバンク150の上面部を液状に調製した導電材料(例えば前記の銀コロイド分散液や金コロイド分散液)に浸し、該バンク150の上面に導電材料を付着させる。 Then, immersed in a conductive material to prepare a top portion of the bank 150 in the liquid (e.g., the silver colloidal dispersion or colloidal gold dispersions), depositing a conductive material on the upper surface of the bank 150. その後、加熱処理等によってこの導電材料を硬化させ、補助電極151とする。 Then, by heat treatment or the like to cure the conductive material, and the auxiliary electrode 151. ここで、バンク150の側面に撥液性を発現させるためには、例えばバンク150の表面(側面)にCF 4 、SF 5 、CHF 3などのフッ素系化合物を塗布し、更にこれをプラズマ処理するといった手法が採用される。 Here, in order to express the liquid repellency on the side surface of the bank 150, for example, a CF 4, SF 5, a fluorine-based compounds such as CHF 3 is applied to the surface (side surface) of the bank 150, to further plasma treatment this technique is employed, such as. また、バンク150の上面に親液性を発現させるためには、先に撥液処理した面(上面)に対しUV照射処理するといった手法が採用される。 Further, in order to express a lyophilic to the upper surface of the bank 150, techniques such with respect to a plane which is liquid-repellent treatment previously (upper surface) to UV irradiation treatment is employed.

このようにしてバンク150の上面を親液処理し、側面を撥液処理した後、このバンク150の上面部を液状に調製した補助電極の材料に浸すと、この液状の材料がバンク150の側面に付着することなく、上面にのみ選択的に付着するようになる。 Thus the upper surface of the bank 150 and the lyophilic treatment, after a side and liquid-repellent treatment, when immersing the upper surface of the bank 150 in the material of the auxiliary electrode prepared in liquid form, the side surface of the material of the liquid bank 150 without adhering to, so to selectively deposited only on the upper surface. 従って、このような処理により、バンク上への補助電極の形成を比較的容易に行うことができる。 Therefore, such a process, it is possible to form the auxiliary electrode onto the bank relatively easily.

上述したように、バンク150に補助電極151が形成される形成部150aを設けることにより、単にバンク150に補助電極151を設ける場合と比較して、バンク150の内部に補助電極151が設けられるので、ディスプレイ1の断面構造を簡素にすることができる。 As described above, by providing the forming portions 150a to the auxiliary electrode 151 to the bank 150 is formed simply as compared with the case of providing the auxiliary electrode 151 to the bank 150, since the auxiliary electrode 151 is provided inside the bank 150 , the cross-sectional structure of the display 1 can be simplified. また、形成部150a内に補助電極151を設けることにより、補助電極151の上面とバンク150の上面が平坦化されるので、当該補助電極151及びバンク150の上方に形成される配線層や電極層の断線を防止できる。 Further, by providing the auxiliary electrode 151 in the forming section 150a, the auxiliary since the upper surface of the top and the bank 150 of the electrode 151 is flattened, the wiring layer is formed above the auxiliary electrode 151 and the bank 150 and the electrode layer the disconnection can be prevented.

また、上記の実施形態においては、陰極154とバンク150の間に補助電極151を設けた構成を示したが、これに限定することなく、図8に示すように陰極154の上部に補助電極151を設けてもよい。 Further, in the above embodiment, although the structure in which the auxiliary electrode 151 between the cathode 154 and the bank 150, without limitation, auxiliary to the top of the cathode 154 as shown in FIG. 8 electrode 151 the may be provided.
このような構成においても、上記と同様の効果が得られる。 In such a configuration, the same effect as described above can be obtained.

なお、上記の実施形態においては、バンク150の上部又はバンク150に設けた形成部150aの内部に補助電極151を設けた構成を採用したが、これに限定するものではない。 In the above embodiment it has been adopted a structure in which a inner auxiliary electrode 151 of the forming portion 150a which is provided in the upper or bank 150 bank 150, but the embodiment is not limited thereto. ディスプレイ1において発光に寄与しない非表示領域に、当該補助電極151を設けてもよい。 The non-display region that does not contribute to light emission in the display 1 may be provided with the auxiliary electrodes 151.

また、画素電極141の形成に先立ってバンク150を形成しておき、その状態から例えばアルミニウムを全面に成膜して、その後、このアルミニウム膜をパターニングすることにより、画素電極141における陰極141aと補助電極151とを同時に形成するようにしてもよい。 Alternatively, it is acceptable to form the bank 150 prior to the formation of the pixel electrode 141, by forming from the state such as aluminum on the entire surface, followed by patterning the aluminum film, a cathode 141a of the pixel electrode 141 auxiliary it may be formed and an electrode 151 at the same time.

また、前記実施形態例では、画素電極141を陽極として、対向電極154を陰極としてそれぞれ機能させるよう構成したが、逆に、画素電極141を陰極として、対向電極154を陽極としてそれぞれ機能させるように構成することもできる。 In the above embodiment, the pixel electrode 141 as an anode, has been configured to function respectively the counter electrode 154 as the cathode, conversely, as the cathode a pixel electrode 141, so as to respectively function the counter electrode 154 as an anode It can also be configured. その場合、正孔注入層(又は正孔輸送層)140Aについては、陽極として機能する電極側、即ち対向電極側に設けることになる。 In that case, the hole injection layer (or a hole transport layer) 140A, the electrode side which functions as an anode, that is, by providing the counter electrode side. また、このように構成する場合には、画素電極141を、例えばその内面側(発光層側)にカルシウム等からなる電極を配置するとともに、外側(基板側)に保護膜としても機能するアルミニウム等の陰極を配置することによって形成し、一方、対向電極154を、透明導電材料であるITOによって形成するようにすればよい。 Further, when such a configuration is the pixel electrode 141, for example, with disposing an electrode made of calcium, and the like on the inner surface side (light emitting layer side), aluminum or the like that functions as a protective film on the outside (the substrate side) of it formed by placing a cathode, whereas, the counter electrode 154, it is sufficient to form the ITO is a transparent conductive material.

次に、前記例のディスプレイとなる有機EL装置が備えられた電子機器の具体例について説明する。 Next, a specific example of an electronic apparatus display and comprising an organic EL device provided in the examples.
図9(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。 9 (a) is a perspective view showing an example of a cellular phone. 図9(a)において、500は携帯電話本体を示し、501は図1、図2、あるいは図8に示したディスプレイ(有機EL装置)を備えたEL表示部(表示手段)を示している。 In FIG. 9 (a), 500 denotes a cellular phone body, 501 FIG. 1 shows an EL display unit having a display (organic EL device) shown in FIG. 2 or FIG. 8, the (display means).
図9(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。 9 (b) is a word processor, a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a personal computer. 図9(b)において、600は情報処理装置、601はキーボードなどの入力部、603は情報処理本体、602は前記の図1、図2、あるいは図8に示したディスプレイ(有機EL装置)を備えたEL表示部(表示手段)を示している。 In FIG. 9 (b), 600 denotes an information processing apparatus, 601 denotes an input unit such as a keyboard, the information processing main body 603, FIG. 1 of said 602, a display (organic EL device) shown in FIG. 2 or 8, It shows EL display unit having a (display means).
図9(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。 9 (c) is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic apparatus. 図9(c)において、700は時計本体を示し、701は前記の図1、図2、あるいは図8に示したディスプレイ(有機EL装置)を備えたEL表示部(表示手段)を示している。 In FIG. 9 (c), 700 denotes a watch body, 701 1 of the shows EL display unit having a display (organic EL device) shown in FIG. 2 or FIG. 8, the (display means) .
図9(a)〜(c)に示す電子機器は、前記ディスプレイ(有機EL装置)が備えられたものであるので、優れた表示品質が得られる表示手段を備えた電子機器となる。 The electronic device illustrated in FIG. 9 (a) ~ (c), since the display (organic EL device) in which is provided, the electronic device including a display unit that excellent display quality can be obtained.
なお、電子機器に用いられる有機EL装置については、特にその光出射側に例えば偏光板と(λ/4)板とからなる反射防止フィルムを設けるのが好ましく、このようにすれば、バンク150上に形成した補助電極151での反射に起因する表示性能の低下を防止することができる。 Note that the organic EL device used in electronic equipment, particularly preferably of providing an antireflection film made of such a light emitting side for example, a polarizing plate and (lambda / 4) plate, in this manner, the bank 150 on deterioration in display performance due to the reflection on the auxiliary electrode 151 formed on can be prevented.

本発明の有機EL装置の配置部を示す回路図。 Circuit diagram showing an arrangement of the organic EL device of the present invention. 画素部の平面構造を示す拡大平面図、及び画素の要部断面図。 Enlarged plan view showing a planar structure of a pixel portion, and a main part cross-sectional view of a pixel. 本発明の有機EL装置の製造方法を説明するための要部側断面図。 Main portion side sectional view for explaining the manufacturing method of the organic EL device of the present invention. 本発明の有機EL装置の製造方法を説明するための要部側断面図。 Main portion side sectional view for explaining the manufacturing method of the organic EL device of the present invention. 本発明の有機EL装置の製造方法を説明するための要部側断面図。 Main portion side sectional view for explaining the manufacturing method of the organic EL device of the present invention. インクジェットヘッドの概略構成を説明するための図。 Diagram for explaining a schematic structure of an ink-jet head. 隔壁部材及び補助電極についての、別の製造例を示す要部側断面図。 For the partition member and the auxiliary electrode, side cross-sectional view showing another production example. 隔壁部材及び補助電極についての、別の製造例を示す要部側断面図。 For the partition member and the auxiliary electrode, side cross-sectional view showing another production example. 有機EL装置を備えた電子機器の具体例を示す図。 It shows a specific example of an electronic apparatus including the organic EL device.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…ディスプレイ(有機エレクトロルミネッセンス装置、有機EL装置) 1 ... display (organic electroluminescence device, an organic EL device)
140B…発光層141…画素電極(電極) 140B ... light-emitting layer 141 ... pixel electrode (electrode)
150…バンク(隔壁部材、非表示領域) 150 ... bank (partition wall member, the non-display area)
150a…形成部151…補助電極154…陰極(電極) 150a ... forming part 151 ... auxiliary electrodes 154 ... cathode (electrode)
500…携帯電話本体(電子機器) 500 ... main body of the cellular phone (electronic device)
600…情報処理装置(電子機器) 600 ... information processing device (electronic equipment)
700…時計本体(電子機器) 700 ... watch body (electronic equipment)

Claims (7)

  1. 対向する電極間に発光層が形成された有機エレクトロルミネッセンス装置であって、 An organic electroluminescence device in which the light-emitting layer is formed between opposing electrodes,
    非表示領域に前記電極を補助する補助電極が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 An auxiliary electrode for assisting the electrode in the non-display region is provided an organic electroluminescent device according to claim.
  2. 前記非表示領域は、隔壁部材であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The non-display region, an organic electroluminescent device according to claim 1, characterized in that the partition member.
  3. 前記補助電極は、前記隔壁部材の上部に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The auxiliary electrode, an organic electroluminescent device according to claim 1 or claim 2, characterized in that it is formed in an upper portion of the partition wall member.
  4. 前記隔壁部材には前記補助電極が形成される形成部が設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 3, wherein the forming portion in the partition wall member on which the auxiliary electrode is formed is provided.
  5. 前記補助電極は、前記電極の上部に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The auxiliary electrode, an organic electroluminescent device according to claim 1 or claim 2, characterized in that it is formed in an upper portion of the electrode.
  6. 前記補助電極は、前記電極よりも高導電性の材料からなることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The auxiliary electrode, an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it consists of highly conductive material than the electrode.
  7. 請求項1から請求項6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to claim 6.






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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166662A (en) * 2003-11-28 2005-06-23 Samsung Electronics Co Ltd Organic light emitting display and method for manufacturing it
JP2006100727A (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd Display panel
JP2007095515A (en) * 2005-09-29 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd Active matrix drive-type organic electroluminescent display device
JP2007095428A (en) * 2005-09-28 2007-04-12 Casio Comput Co Ltd Display device and method of manufacturing same
JP2007156388A (en) * 2005-11-14 2007-06-21 Seiko Epson Corp Emissive device and electronic apparatus
JP2009231264A (en) * 2008-02-26 2009-10-08 Seiko Epson Corp Manufacturing method of organic electroluminescent device
WO2009133680A1 (en) * 2008-04-28 2009-11-05 パナソニック株式会社 Display device and method for manufacturing same
US7906899B2 (en) 2007-03-19 2011-03-15 Seiko Epson Corporation Organic EL device, line head, and electronic apparatus with light shield
WO2012105310A1 (en) * 2011-02-02 2012-08-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescence element and illumination device
US8242685B2 (en) 2008-05-01 2012-08-14 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescence device capable of preventing light from being not emitted
WO2012111462A1 (en) * 2011-02-15 2012-08-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescence element and illumination device
US8599112B2 (en) 2008-01-16 2013-12-03 Sony Corporation Display device
CN105633120A (en) * 2015-12-31 2016-06-01 固安翌光科技有限公司 Light emitting display screen body with uniform brightness and preparation method thereof

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166662A (en) * 2003-11-28 2005-06-23 Samsung Electronics Co Ltd Organic light emitting display and method for manufacturing it
JP4613054B2 (en) * 2003-11-28 2011-01-12 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. The organic light emitting display panel and a manufacturing method thereof
JP2006100727A (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd Display panel
JP2007095428A (en) * 2005-09-28 2007-04-12 Casio Comput Co Ltd Display device and method of manufacturing same
JP2007095515A (en) * 2005-09-29 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd Active matrix drive-type organic electroluminescent display device
JP4736676B2 (en) * 2005-09-29 2011-07-27 凸版印刷株式会社 Active matrix driving type organic electroluminescent display device
JP2007156388A (en) * 2005-11-14 2007-06-21 Seiko Epson Corp Emissive device and electronic apparatus
US7906899B2 (en) 2007-03-19 2011-03-15 Seiko Epson Corporation Organic EL device, line head, and electronic apparatus with light shield
US8599112B2 (en) 2008-01-16 2013-12-03 Sony Corporation Display device
US9024848B2 (en) 2008-01-16 2015-05-05 Sony Corporation Display device
JP2009231264A (en) * 2008-02-26 2009-10-08 Seiko Epson Corp Manufacturing method of organic electroluminescent device
WO2009133680A1 (en) * 2008-04-28 2009-11-05 パナソニック株式会社 Display device and method for manufacturing same
US8791881B2 (en) 2008-04-28 2014-07-29 Panasonic Corporation Display device and manufacturing method therefor
US8242685B2 (en) 2008-05-01 2012-08-14 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescence device capable of preventing light from being not emitted
JP5900351B2 (en) * 2011-02-02 2016-04-06 コニカミノルタ株式会社 Method of manufacturing an organic electroluminescence element
WO2012105310A1 (en) * 2011-02-02 2012-08-09 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescence element and illumination device
JP5817742B2 (en) * 2011-02-15 2015-11-18 コニカミノルタ株式会社 The organic electroluminescence device and a lighting device
WO2012111462A1 (en) * 2011-02-15 2012-08-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic electroluminescence element and illumination device
US9368735B2 (en) 2011-02-15 2016-06-14 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element and illumination device
US9871222B2 (en) 2011-02-15 2018-01-16 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element and illumination device
CN105633120A (en) * 2015-12-31 2016-06-01 固安翌光科技有限公司 Light emitting display screen body with uniform brightness and preparation method thereof

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