JP2007201503A - Development processing method and development processor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To set time-process conditions at desired values without causing rear-ender of substrates on a transport path in a flat flowing-system development processing, i.e., the movement of a substrate is temporarily suspended and a developer is supplied. <P>SOLUTION: A development processor compares a lower limit moving speed operation means that finds a lower limit moving speed V<SB>low</SB>of the substrate G based on a tact time T<SB>t</SB>, a maximum suspension time T<SB>s</SB>, a substrate size D, and a desired minimum substrate distance d, a development time setting means that gives a desired set value for a development time T<SB>g</SB>, a developer supply time setting means that gives a desired set value for a development supply time T<SB>s</SB>, a speed temporarily set value operation means that finds a temporarily set value V<SB>D</SB>based on a development time set value T<SB>g</SB>, a developer supply time set value T<SB>a</SB>, a traveling distance L, and the temporarily set value of a first speed with the lower limit moving speed V<SB>low</SB>, and has a speed set value determining means that determines a normally set value if it is the lower limit moving speed V<SB>low</SB>or higher. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、平流し方式で被処理基板に現像処理等の処理を施す現像処理方法および現像処理装置に関する。   The present invention relates to a development processing method and a development processing apparatus for performing processing such as development processing on a substrate to be processed by a flat flow method.

従来より、LCD(液晶表示ディスプレイ)製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、LCD基板の大型化に有利に対応できる現像方法あるいは洗浄方法として、搬送ローラや搬送ベルトなどの搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路上でLCD基板を搬送しながら現像処理あるいは洗浄処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が知られている。   Conventionally, in a resist coating and developing processing system in LCD (liquid crystal display) manufacturing, as a developing method or a cleaning method that can advantageously cope with an increase in size of an LCD substrate, a conveying body such as a conveying roller or a conveying belt is laid horizontally. A so-called flat-flow method is known in which development processing or cleaning processing is performed while an LCD substrate is transported on a transport path.

一般に、このような平流し方式の基板処理システムでは、たとえば特許文献1に示されるように、搬送路上で上流側の搬入部から下流側の搬出部まで1枚の被処理基板を一定の時間をかけて搬送し、搬送の途中で搬送路の上方または下方あるいは傍らに配置された複数の工程処理部が移動中または一時停止中の基板に対して各段階の工程処理を施すようにしている。そして、パイプライン方式で、多数の基板をタクトタイムの時間間隔で搬入部より搬送路上に次々と搬入して、各工程処理部をタクトタイムの時間間隔で次々と通過させ、各処理部はタクトタイムの時間間隔で同一の処理を繰り返し、搬出部より処理済の基板を搬送路からタクトタイムの時間間隔で次々と搬出するようにしている。
特開2003−7582
In general, in such a flat-flow type substrate processing system, as shown in, for example, Patent Document 1, a certain amount of time is taken for a certain substrate to be processed from an upstream carry-in section to a downstream carry-out section on a transport path. A plurality of process processing units arranged above, below or along the transfer path in the middle of the transfer process each step of processing on the moving or temporarily stopped substrate. Then, in the pipeline system, a large number of substrates are successively loaded onto the conveyance path from the carry-in section at a time interval of tact time, and each process processing section is passed one after another at a time interval of tact time. The same processing is repeated at the time interval, and the processed substrates are sequentially carried out from the carrying path at the time interval of the tact time from the carry-out section.
JP 2003-7582

上記のような平流し方式の基板処理システムにおいては、処理内容や品質、スループット、フットプリント等の様々な要求仕様に応じて搬送路上の基板搬送速度を最適制御することが求められている。たとえば、処理内容や品質の向上を図ろうとすると、搬送路上での処理工程の種類、数、処理時間等が増大し、搬送路上で基板を一時停止させたり搬送速度を変更する場面も増えてくるが、搬送速度の設定を誤ると停止中または減速時の基板に後から来る基板が追突する可能性が出てくる。また、スループット向上のためにタクトタイムを短くする場合にも、搬送速度の適確な設定ないし調整がなされないと、やはり搬送路上で基板の追突事故が起こる可能性は高くなる。基板の追突事故が起こると、当該基板は破損して廃棄するしかなく、生産効率または製品歩留まりが低下する。   In the flat-flow type substrate processing system as described above, it is required to optimally control the substrate transport speed on the transport path in accordance with various required specifications such as processing contents, quality, throughput, footprint, and the like. For example, when trying to improve the processing content and quality, the types, number, processing time, etc. of the processing steps on the transport path increase, and the number of scenes where the substrate is temporarily stopped or the transport speed is changed on the transport path increases. However, if the conveyance speed is set incorrectly, there is a possibility that the substrate that comes later will collide with the substrate that is stopped or decelerated. Even when the tact time is shortened to improve the throughput, if the transport speed is not properly set or adjusted, there is a high possibility that a substrate rear-end collision will occur on the transport path. When a substrate rear-end collision occurs, the substrate must be damaged and discarded, and the production efficiency or product yield is reduced.

本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、基板を一時停止させて現像液供給を行う平流し方式の現像処理において搬送路上で基板の追突事故を起こさずに時間的なプロセス条件を所望の値に設定できるようにした現像処理方法および現像処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and in a flat-flow type development process in which a substrate is temporarily stopped and a developing solution is supplied, a time-lapse without causing a rear-end collision of the substrate on the conveyance path. An object of the present invention is to provide a development processing method and a development processing apparatus in which process conditions can be set to desired values.

上記の目的を達成するために、本発明の現像処理方法は、搬送路上で複数の被処理基板を所望のタクトタイム(Tt)で少なくとも1回の一時停止を含めて順次搬送し、搬送の途中で前記搬送路上の前記基板に現像処理を施す現像処理方法であって、前記搬送路上の第1の停止位置で前記基板を一時停止させて前記基板に現像液を供給する現像液供給工程と、前記搬送路上で前記第1の停止位置から搬送下流側に所定の距離だけ離れた第2の停止位置まで前記基板を第1の速度で移動させる基板搬送工程と、前記第2の停止位置で前記基板から前記現像液を実質的に除去して現像を停止する現像停止工程と、前記タクトタイム(Tt)と前記基板が一時停止する最大の停止時間(TS)と前記基板の搬送方向の長さサイズ(D)と搬送方向における所望の最小基板間隔(d)とに基づいて前記基板の下限移動速度(Vlow)を決定する下限移動速度決定工程と、前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置で現像を停止するまでの現像時間(Tg)について所望の設定値を与える現像時間設定工程と、前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置に向けての前記基板の移動を開始するまでの現像液供給時間(Ts)について所望の設定値を与える現像液供給時間設定工程と、前記現像時間設定値(Tg)と前記現像液供給時間設定値(Ta)と前記第1の停止位置から前記第2の停止位置までの移動距離(L)とに基づいて前記第1の速度の仮設定値(VD)を求める速度仮設定値演算工程と、前記第1の速度の仮設定値を前記下限移動速度(Vlow)と比較し、前記下限移動速度(Vlow)以上の場合に正規の設定値とする速度設定値決定工程とを有する。 In order to achieve the above object, the development processing method of the present invention sequentially transports a plurality of substrates to be processed on a transport path, including at least one temporary stop at a desired tact time (T t ). A development processing method for performing development processing on the substrate on the transport path in the middle, wherein the developer is temporarily stopped at a first stop position on the transport path and the developer is supplied to the substrate. A substrate transfer step of moving the substrate at a first speed from the first stop position to a second stop position separated by a predetermined distance from the first stop position on the transfer path; and at the second stop position A development stopping step of substantially removing the developer from the substrate and stopping development; the tact time (T t ); the maximum stop time (T S ) during which the substrate is temporarily stopped; and the transport direction of the substrate Length size (D) and in the transport direction And lower moving speed determination step of determining a lower limit movement speed of the substrate (V low) based on the kick desired minimum spacing between the substrates (d), the developer with respect to the substrate at the first stop position of the conveying path A development time setting step of giving a desired set value for the development time (T g ) from the start of supply until the development is stopped at the second stop position; and at the first stop position on the transport path Developer supply time setting that gives a desired set value for the developer supply time (T s ) from the start of the supply of the developer to the substrate to the start of the movement of the substrate toward the second stop position Based on the process, the developing time set value (T g ), the developer supply time set value (T a ), and the moving distance (L) from the first stop position to the second stop position. Obtain the temporary setting value (V D ) for the first speed. And Mel velocity provisional setpoint calculation process, compared to the first provisional setpoint the lower movement speed of the speed (V low), the normal set value when more than the lower limit movement speed (V low) A speed setting value determining step.

また、上記の目的を達成するために、本発明の現像処理装置は、被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、前記搬送路上で前記基板を移動させるために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、所定のタクトタイム(Tt)で前記搬送路上に前記基板を搬入する基板搬入部と、前記搬送路上の第1の停止位置で前記基板を一時停止させて前記基板に現像液を供給する現像液供給部と、前記搬送路上で前記第1の停止位置から搬送下流側に所定の距離だけ離れた第2の停止位置まで前記基板を第1の速度で移動させる基板搬送部と、前記第2の停止位置で前記基板から前記現像液を実質的に除去して現像を停止する現像停止部と、前記搬送路上から処理済みの前記基板を搬出する基板搬出部と、前記搬送路上に設定された1つまたは複数の停止位置で前記基板をそれぞれ所定の停止時間だけ一時停止させる停止手段と、前記タクトタイム(Tt)と前記基板が停止する最大の停止時間(TS)と前記基板の搬送方向の長さサイズ(D)と搬送方向における所望の最小基板間隔(d)とに基づいて前記基板の下限移動速度(Vlow)を求める下限移動速度演算手段と、前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置で現像を停止するまでの現像時間(Tg)について所望の設定値を与える現像時間設定手段と、前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置に向けての前記基板の移動を開始するまでの現像液供給時間(Ts)について所望の設定値を与える現像液供給時間設定手段と、前記現像時間設定値(Tg)と前記現像液供給時間設定値(Ta)と前記第1の停止位置から前記第2の停止位置までの移動距離(L)とに基づいて前記第1の速度の仮設定値(VD)を求める速度仮設定値演算手段と、前記第1の速度の仮設定値を前記下限移動速度(Vlow)と比較し、前記下限移動速度(Vlow)以上の場合に正規の設定値とする速度設定値決定手段とを有する。 In order to achieve the above-described object, the development processing apparatus of the present invention includes a transport path in which a transport body for transporting a substrate to be processed in a substantially horizontal state is laid in a horizontal direction, and the transport path on the transport path. A transport driving means for driving the transport body to move the substrate, a substrate carry-in portion for transporting the substrate onto the transport path at a predetermined tact time (T t ), and a first stop position on the transport path A developer supply unit that temporarily stops the substrate and supplies the developer to the substrate; and a second stop position that is separated from the first stop position on the transport path by a predetermined distance downstream from the first transport position. A substrate transport unit that moves the substrate at a first speed, a development stop unit that stops the development by substantially removing the developer from the substrate at the second stop position, and has been processed from above the transport path A substrate unloading section for unloading the substrate; A stop means for said substrate, respectively with one or more stop positions set on the transport path suspended for a predetermined stop time, the tact time (T t) and said maximum downtime substrate is stopped (T S ), A length size (D) in the transport direction of the substrate, and a desired minimum substrate interval (d) in the transport direction, a lower limit travel speed calculation means for obtaining a lower limit travel speed (V low ) of the substrate, Development time giving a desired set value for the development time (T g ) from the start of supply of the developer to the substrate at the first stop position on the transport path until the development is stopped at the second stop position. Setting means and developer supply time from the start of the supply of the developer to the substrate at the first stop position on the transport path to the start of the movement of the substrate toward the second stop position (T s ) A developer supply time setting means for providing a desired set value for the above, the development time set value (T g ), the developer supply time set value (T a ), and the second stop position from the first stop position. Speed temporary setting value calculating means for obtaining the temporary setting value (V D ) of the first speed based on the moving distance (L) up to and including the temporary setting value of the first speed as the lower limit moving speed (V low ) and a speed setting value determining means for setting a normal setting value when the speed is equal to or higher than the lower limit moving speed (V low ).

本発明の現像処理方法または現像処理装置は、基板に現像液を供給するために搬送路上の第1の停止位置で基板を停止させ、基板から現像液を実質的に除去して現像を停止するために搬送路上の第2の停止位置よりも下流側の第2の停止位置で基板を停止させる。かかる平流し方式の現像処理工程において、第1の停止位置で基板に対する現像液の供給を開始してから第2の停止位置で現像を停止するまでの現像時間(Tg)、第1の停止位置で基板に対する現像液の供給を開始してから第2の停止位置に向けての基板の移動を開始するまでの現像液供給時間(Ts)をユーザが任意に設定できるようにする一方で、それらの設定値および他の既定値に基づいて基板が第1の停止位置から第2の停止位置まで移動する速度(第1の速度)を求めて、基板同士の衝突を回避するための下限移動速度を下回らないか否かをチェックする。このことにより、基板を一時停止させて現像液供給を行う平流し方式の現像処理において搬送路上で基板の追突事故を起こさずに時間的なプロセス条件を所望の値に設定することができる。 In the development processing method or the development processing apparatus of the present invention, the substrate is stopped at the first stop position on the transport path in order to supply the developer to the substrate, and the development is substantially removed by removing the developer from the substrate. Therefore, the substrate is stopped at the second stop position on the downstream side of the second stop position on the transport path. In such a flat-flow development process, the development time (T g ) from the start of the supply of the developer to the substrate at the first stop position until the development stops at the second stop position, the first stop While allowing the user to arbitrarily set the developer supply time (T s ) from the start of the supply of the developer to the substrate at the position to the start of the movement of the substrate toward the second stop position A lower limit for avoiding a collision between the substrates by obtaining a speed (first speed) at which the substrate moves from the first stop position to the second stop position based on the set values and other predetermined values. Check if the movement speed is not reduced. As a result, the temporal process condition can be set to a desired value without causing a rear-end collision of the substrate on the transport path in the flat-flow type development processing in which the substrate is temporarily stopped and the developer is supplied.

本発明の好適な一態様によれば、上記第2の現像処理方法または現像処理装置において、下限移動速度Vlowは、下記のように、タクトタイムTtから現像液供給時間Tsを差し引いた時間(Tt−Ts)の間に基板長Dと基板最小間隔dとを足し合わせた距離(D+d)だけ移動する速度として求められる。
low=(D+d)/(Tt−Ts
According to a preferred aspect of the present invention, in the second development processing method or the development processing apparatus, the lower limit moving speed V low is obtained by subtracting the developer supply time T s from the tact time T t as described below. It is obtained as a speed of moving by a distance (D + d) obtained by adding the substrate length D and the minimum substrate distance d during the time (T t −T s ).
V low = (D + d) / (T t −T s )

本発明の現像処理方法において、好適な一態様によれば、現像液供給工程では、第1の停止位置で停止中の基板に対して、搬送路に沿って所定の速度で移動する第1のノズルより現像液を供給する。また、現像停止工程では、第2の停止位置で基板を傾斜させて基板から現像液を重力で流し落とす。また、現像停止工程では、第2の停止位置で停止中の基板に対して、搬送路に沿って所定の速度で移動する第2のノズルよりリンス液を供給する。   According to a preferred aspect of the development processing method of the present invention, in the developing solution supply step, the first moving at a predetermined speed along the transport path with respect to the substrate stopped at the first stop position. The developer is supplied from the nozzle. In the development stop step, the substrate is tilted at the second stop position, and the developer is caused to flow off from the substrate by gravity. In the development stop step, the rinse liquid is supplied from the second nozzle that moves at a predetermined speed along the transport path to the substrate that is stopped at the second stop position.

本発明の現像処理装置において、好適な一態様によれば、現像液供給部は、第1の停止位置で停止中の基板に対して、搬送路に沿って所定の速度で移動しながら現像液を供給する第1のノズルを備える。また、現像停止部は、第2の停止位置で基板を傾斜させて基板から現像液を重力で流し落とす基板傾斜手段を備える。また、現像停止部は、第2の停止位置で停止中の基板に対して、搬送路に沿って所定の速度で移動しながらリンス液を供給する第2のノズルを備える。   In the development processing apparatus of the present invention, according to a preferred aspect, the developer supply unit moves at a predetermined speed along the transport path with respect to the substrate stopped at the first stop position. The 1st nozzle which supplies is provided. The development stopping unit includes a substrate tilting unit that tilts the substrate at the second stop position and causes the developer to flow from the substrate by gravity. The development stopping unit includes a second nozzle that supplies a rinsing liquid to the substrate stopped at the second stop position while moving at a predetermined speed along the transport path.

本発明の現像処理方法または現像処理装置によれば、上記のような構成および作用により、基板を一時停止させて現像液供給を行う平流し方式の現像処理において搬送路上で基板の追突事故を起こさずに時間的なプロセス条件を所望の値に設定することができる。   According to the development processing method or the development processing apparatus of the present invention, due to the above-described configuration and operation, a substrate rear-end collision is caused on the transport path in the flat-flow type development processing in which the substrate is temporarily stopped and the developer is supplied. The temporal process condition can be set to a desired value without any change.

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1に、本発明の現像方法および現像装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。   FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the developing method and the developing apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing processing system 10 is installed in a clean room, and uses, for example, an LCD substrate as a substrate to be processed, and performs various processes such as cleaning, resist coating, pre-baking, developing, and post-baking in the photolithography process in the LCD manufacturing process. Is. The exposure process is performed by an external exposure apparatus 12 installed adjacent to this system.

この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション(P/S)16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション(C/S)14とインタフェースステーション(I/F)18とを配置している。   In the coating and developing system 10, a horizontally long process station (P / S) 16 is disposed at the center, and a cassette station (C / S) 14 and an interface station (I / F) are disposed at both ends in the longitudinal direction (X direction). ) 18.

カセットステーション(C/S)14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平方向たとえばY方向に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション(P/S)16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The cassette station (C / S) 14 is a cassette loading / unloading port of the system 10, and can accommodate up to four cassettes C that can accommodate a plurality of substrates C in a horizontal direction, for example, in the Y direction by stacking substrates G in multiple stages. A cassette stage 20 and a transport mechanism 22 for loading and unloading the substrate G with respect to the cassette C on the stage 20. The transport mechanism 22 has a means for holding the substrate G, for example, a transport arm 22a, and can be operated with four axes of X, Y, Z, and θ, and the adjacent process station (P / S) 16 side and the substrate G Delivery is now possible.

プロセスステーション(P/S)16は、システム長手方向(X方向)に延在する平行かつ逆向きの一対のラインA,Bに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション(C/S)14側からインタフェースステーション(I/F)18側へ向う上流部のプロセスラインAには、洗浄プロセス部24と、第1の熱的処理部26と、塗布プロセス部28と、第2の熱的処理部30とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション(I/F)18側からカセットステーション(C/S)14側へ向う下流部のプロセスラインBには、第2の熱的処理部30と、現像プロセス部32と、脱色プロセス部34と、第3の熱的処理部36とを横一列に配置している。このライン形態では、第2の熱的処理部30が、上流側のプロセスラインAの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインBの先頭に位置しており、両ラインA,B間に跨っている。   In the process station (P / S) 16, the processing units are arranged in the order of the process flow or process on a pair of parallel and opposite lines A and B extending in the system longitudinal direction (X direction). More specifically, the upstream process line A from the cassette station (C / S) 14 side to the interface station (I / F) 18 side includes a cleaning process unit 24, a first thermal processing unit 26, and The coating process section 28 and the second thermal processing section 30 are arranged in a horizontal row. On the other hand, in the downstream process line B from the interface station (I / F) 18 side to the cassette station (C / S) 14 side, a second thermal processing unit 30, a development processing unit 32, and a decolorization process are provided. The unit 34 and the third thermal processing unit 36 are arranged in a horizontal row. In this line configuration, the second thermal processing unit 30 is located at the end of the upstream process line A and at the beginning of the downstream process line B, and straddles between both lines A and B. ing.

両プロセスラインA,Bの間には補助搬送空間38が設けられており、基板Gを1枚単位で水平に載置可能なシャトル40が図示しない駆動機構によってライン方向(X方向)で双方向に移動できるようになっている。   An auxiliary transfer space 38 is provided between the process lines A and B, and a shuttle 40 that can horizontally place the substrate G in units of one sheet is bidirectional in the line direction (X direction) by a drive mechanism (not shown). Can be moved to.

上流部のプロセスラインAにおいて、洗浄プロセス部24は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット(SCR)42内のカセットステーション(C/S)10と隣接する場所にエキシマUV照射ユニット(e−UV)41を配置している。スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内の洗浄部は、LCD基板Gをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインA方向に搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。   In the upstream process line A, the cleaning process unit 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 42, and an excimer is disposed at a location adjacent to the cassette station (C / S) 10 in the scrubber cleaning unit (SCR) 42. A UV irradiation unit (e-UV) 41 is arranged. The cleaning unit in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 performs brushing cleaning or blow cleaning on the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while transporting the LCD substrate G in the horizontal direction by roller transport or belt transport. It is like that.

洗浄プロセス部24の下流側に隣接する第1の熱的処理部26は、プロセスラインAに沿って中心部に縦型の搬送機構46を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図2に示すように、上流側の多段ユニット部(TB)44には、基板受け渡し用のパスユニット(PASS)50、脱水ベーク用の加熱ユニット(DHP)52,54およびアドヒージョンユニット(AD)56が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASS)50は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)42側と基板Gの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部(TB)48には、基板受け渡し用のパスユニット(PASS)60、冷却ユニット(CL)62,64およびアドヒージョンユニット(AD)66が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット(PASS)60は、塗布プロセス部28側と基板Gの受け渡しを行うためのものである。   The first thermal processing unit 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process unit 24 is provided with a vertical transfer mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of units are arranged in multiple stages on both front and rear sides thereof. is doing. For example, as shown in FIG. 2, the upstream multi-stage unit section (TB) 44 includes a substrate passing pass unit (PASS) 50, dehydrating baking heating units (DHP) 52 and 54, and an adhesion unit. (AD) 56 are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) 50 is used to transfer the substrate G to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 side. In addition, a substrate passing pass unit (PASS) 60, cooling units (CL) 62 and 64, and an adhesion unit (AD) 66 are stacked in order from the bottom on the downstream multi-stage unit section (TB) 48. Here, the pass unit (PASS) 60 is for delivering the substrate G to the coating process unit 28 side.

図2に示すように、搬送機構46は、鉛直方向に延在するガイドレール68に沿って昇降移動可能な昇降搬送体70と、この昇降搬送体70上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体72と、この旋回搬送体72上で基板Gを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット74とを有している。昇降搬送体70を昇降駆動するための駆動部76が垂直ガイドレール68の基端側に設けられ、旋回搬送体72を旋回駆動するための駆動部78が昇降搬送体70に取り付けられ、搬送アーム74を進退駆動するための駆動部80が回転搬送体72に取り付けられている。各駆動部76,78,80はたとえば電気モータ等で構成されてよい。   As shown in FIG. 2, the transport mechanism 46 includes a lift transport body 70 that can be moved up and down along a guide rail 68 that extends in the vertical direction, and a turn that can rotate or swivel in the θ direction on the lift transport body 70. It has a transport body 72 and a transport arm or tweezers 74 that can move back and forth in the front-rear direction while supporting the substrate G on the revolving transport body 72. A drive unit 76 for driving the lifting and lowering conveyance body 70 up and down is provided on the base end side of the vertical guide rail 68, and a driving unit 78 for driving the swiveling conveyance body 72 to rotate is attached to the lifting and lowering conveyance body 70. A drive unit 80 for advancing and retracting 74 is attached to the rotary transport body 72. Each drive part 76,78,80 may be comprised by the electric motor etc., for example.

上記のように構成された搬送機構46は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部(TB)44,48の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間38側のシャトル40とも基板Gを受け渡しできるようになっている。   The transport mechanism 46 configured as described above can move up and down or swivel at high speed to access any unit in the multistage unit sections (TB) 44 and 48 on both sides, and the shuttle on the auxiliary transport space 38 side. 40 can also deliver the substrate G.

第1の熱的処理部26の下流側に隣接する塗布プロセス部28は、図1に示すように、レジスト塗布ユニット(CT)82、減圧乾燥ユニット(VD)84およびエッジリムーバ・ユニット(ER)86をプロセスラインAに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部28内には、これら3つのユニット(CT)82、(VD)84、(ER)86に基板Gを工程順に1枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット(CT)82、(VD)84、(ER)86内では基板1枚単位で各処理が行われるようになっている。   As shown in FIG. 1, the coating process unit 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing unit 26 includes a resist coating unit (CT) 82, a vacuum drying unit (VD) 84, and an edge remover unit (ER). 86 are arranged in a line along the process line A. Although not shown in the drawing, in the coating process section 28, a transport device is provided for loading and unloading the substrates G one by one in the order of the processes in these three units (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86. In each unit (CT) 82, (VD) 84, and (ER) 86, each process is performed in units of one substrate.

塗布プロセス部28の下流側に隣接する第2の熱的処理部30は、上記第1の熱的処理部26と同様の構成を有しており、両プロセスラインA,Bの間に縦型の搬送機構90を設け、プロセスラインA側(最後尾)に一方の多段ユニット部(TB)88を設け、プロセスラインB側(先頭)に他方の多段ユニット部(TB)92を設けている。   The second thermal processing unit 30 adjacent to the downstream side of the coating process unit 28 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26, and a vertical type between the process lines A and B. , A multi-stage unit portion (TB) 88 is provided on the process line A side (last), and the other multi-stage unit portion (TB) 92 is provided on the process line B side (lead).

図示省略するが、たとえば、プロセスラインA側の多段ユニット部(TB)88には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット(PASS)が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)がたとえば3段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインB側の多段ユニット部(TB)92には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット(PASS)が置かれ、その上に冷却ユニット(COL)がたとえば1段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)がたとえば2段積みに重ねられてよい。   Although not shown, for example, in the multi-stage unit section (TB) 88 on the process line A side, a pass unit (PASS) for substrate transfer is placed at the bottom, and a heating unit (PREBAKE) for pre-baking is placed thereon. For example, they may be stacked in three stages. In the multi-stage unit section (TB) 92 on the process line B side, a pass unit (PASS) for substrate transfer is placed at the bottom, and a cooling unit (COL) is stacked thereon, for example, one stage above it. In addition, prebaking heating units (PREBAKE) may be stacked in a two-stage stack, for example.

第2の熱的処理部30における搬送機構90は、両多段ユニット部(TB)88,92のそれぞれのパスユニット(PASS)を介して塗布プロセス部28および現像プロセス部32と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル40や後述するインタフェースステーション(I/F)18とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。   The transport mechanism 90 in the second thermal processing unit 30 includes the coating process unit 28, the development process unit 32, and the substrate G through the pass units (PASS) of both the multistage unit units (TB) 88 and 92. In addition to delivering in units, the substrate G can also be delivered in units of sheets to the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38 and the interface station (I / F) 18 described later.

下流部のプロセスラインBにおいて、現像プロセス部32は、基板Gを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット(DEV)94を含んでいる。   In the downstream process line B, the development process unit 32 includes a so-called flat-flow development unit (DEV) 94 that performs a series of development processing steps while transporting the substrate G in a horizontal posture.

現像プロセス部32の下流側には脱色プロセス部34を挟んで第3の熱的処理部36が配置される。脱色プロセス部34は、基板Gの被処理面にi線(波長365nm)を照射して脱色処理を行うためのi線UV照射ユニット(i−UV)96を備えている。   A third thermal processing unit 36 is disposed downstream of the development process unit 32 with the decolorization process unit 34 interposed therebetween. The decoloring process unit 34 includes an i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 for performing a decoloring process by irradiating the surface to be processed of the substrate G with i-line (wavelength 365 nm).

第3の熱的処理部36は、上記第1の熱的処理部26や第2の熱的処理部30と同様の構成を有しており、プロセスラインBに沿って縦型の搬送機構100とその前後両側に一対の多段ユニット部(TB)98,102を設けている。   The third thermal processing unit 36 has the same configuration as that of the first thermal processing unit 26 and the second thermal processing unit 30, and the vertical transport mechanism 100 along the process line B. A pair of multi-stage unit portions (TB) 98 and 102 are provided on both the front and rear sides.

図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部(TB)98には、最下段にパスユニット(PASS)が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット(POBAKE)がたとえば3段積みに重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部(TB)102には、最下段にポストベーキング・ユニット(POBAKE)が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット(PASS・COL)が1段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット(POBAKE)が2段積みに重ねられてよい。   Although not shown in the figure, for example, in the upstream multi-stage unit section (TB) 98, a pass unit (PASS) is placed at the lowest stage, and a post-baking heating unit (POBAKE) is stacked in, for example, three stages. May be overlaid. In the downstream multi-stage unit section (TB) 102, a post-baking unit (POBAKE) is placed at the lowermost stage, and a substrate-passing / cooling unit (PASS / COL) for transferring and cooling the substrate is placed thereon. The heating unit (POBAKE) for post-baking may be stacked in two layers.

第3の熱的処理部36における搬送機構100は、両多段ユニット部(TB)98,102のパスユニット(PASS)およびパス・クーリングユニット(PASS・COL)を介してそれぞれi線UV照射ユニット(i−UV)96およびカセットステーション(C/S)14と基板Gを1枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間38内のシャトル40とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。   The transport mechanism 100 in the third thermal processing section 36 includes i-line UV irradiation units (PASS) (PASS) and pass cooling units (PASS / COL) of both multi-stage unit sections (TB) 98 and 102, respectively. i-UV) 96 and cassette station (C / S) 14 and the substrate G can be transferred not only in units of one sheet, but also can be transferred in units of sheets to the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38. .

インタフェースステーション(I/F)18は、隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置104を有し、その周囲にバッファ・ステージ(BUF)106、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108および周辺装置110を配置している。バッファ・ステージ(BUF)106には定置型のバッファカセット(図示せず)が置かれる。エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション(P/S)16側と基板Gをやりとりする際に用いられる。周辺装置110は、たとえばタイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置104は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム104aを有し、隣接する露光装置12や各ユニット(BUF)106、(EXT・COL)108、(TITLER/EE)110と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。   The interface station (I / F) 18 includes a transfer device 104 for exchanging the substrate G with the adjacent exposure device 12, and a buffer stage (BUF) 106 and an extension / cooling stage (EXT / COL) around the transfer device 104. ) 108 and peripheral device 110 are arranged. A stationary buffer cassette (not shown) is placed on the buffer stage (BUF) 106. The extension / cooling stage (EXT / COL) 108 is a stage for transferring a substrate having a cooling function, and is used when the substrate G is exchanged with the process station (P / S) 16 side. For example, the peripheral device 110 may have a configuration in which a titler (TITLER) and a peripheral exposure device (EE) are stacked vertically. The transfer device 104 has a means for holding the substrate G, for example, a transfer arm 104a, and transfers the substrate G to and from the adjacent exposure device 12, each unit (BUF) 106, (EXT / COL) 108, (TITLER / EE) 110. Can be done.

図3に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C/S)14において、搬送機構22が、ステージ20上の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション(P/S)16の洗浄プロセス部24のエキシマUV照射ユニット(e−UV)41に搬入する(ステップS1)。   FIG. 3 shows a processing procedure in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the transport mechanism 22 takes out one substrate G from a predetermined cassette C on the stage 20, and the excimer of the cleaning process unit 24 of the process station (P / S) 16. It is carried into the UV irradiation unit (e-UV) 41 (step S1).

エキシマUV照射ユニット(e−UV)41内で基板Gは紫外線照射による乾式洗浄を施される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Gは、カセットステーション(C/S)14の搬送機構22によって洗浄プロセス部24のスクラバ洗浄ユニット(SCR)42へ移される。   In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, the substrate G is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation (step S2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After completion of the ultraviolet cleaning, the substrate G is moved to the scrubber cleaning unit (SCR) 42 of the cleaning process unit 24 by the transport mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.

スクラバ洗浄ユニット(SCR)42では、上記したように基板Gをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインA方向に平流しで搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する(ステップS3)。そして、洗浄後も基板Gを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。   In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, as described above, the substrate G is brushed or blown onto the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while being transported in a horizontal position in the horizontal direction by roller transport or belt transport. By performing cleaning, particulate dirt is removed from the substrate surface (step S3). After the cleaning, the substrate G is rinsed while being conveyed in a flat flow, and finally the substrate G is dried using an air knife or the like.

スクラバ洗浄ユニット(SCR)42内で洗浄処理の済んだ基板Gは、第1の熱的処理部26の上流側多段ユニット部(TB)44内のパスユニット(PASS)50に搬入される。   The substrate G that has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is carried into the pass unit (PASS) 50 in the upstream multistage unit section (TB) 44 of the first thermal processing section 26.

第1の熱的処理部26において、基板Gは搬送機構46により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Gは、最初にパスユニット(PASS)50から加熱ユニット(DHP)52,54の1つに移され、そこで脱水処理を受ける(ステップS4)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)62,64の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。しかる後、基板Gはアドヒージョンユニット(AD)56に移され、そこで疎水化処理を受ける(ステップS6)。この疎水化処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)62,64の1つで一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。最後に、基板Gは下流側多段ユニット部(TB)48に属するパスユニット(PASS)60に移される。   In the first thermal processing unit 26, the substrate G is rotated in a predetermined unit by the transport mechanism 46 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) 50 to one of the heating units (DHP) 52 and 54, where it undergoes a dehydration process (step S4). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL) 62 and 64, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S5). Thereafter, the substrate G is transferred to an adhesion unit (AD) 56, where it is subjected to a hydrophobic treatment (step S6). After completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by one of the cooling units (COL) 62 and 64 (step S7). Finally, the substrate G is moved to the pass unit (PASS) 60 belonging to the downstream multi-stage unit section (TB) 48.

このように、第1の熱的処理部26内では、基板Gが、搬送機構46を介して上流側の多段ユニット部(TB)44と下流側の多段ユニット部(TB)48との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第2および第3の熱的処理部30,36でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。   As described above, in the first thermal processing unit 26, the substrate G is interposed between the upstream multi-stage unit unit (TB) 44 and the downstream multi-stage unit unit (TB) 48 via the transport mechanism 46. You can come and go arbitrarily. The second and third thermal processing units 30 and 36 can perform the same substrate transfer operation.

第1の熱的処理部26で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Gは、下流側多段ユニット部(TB)48内のパスユニット(PASS)60から下流側隣の塗布プロセス部28のレジスト塗布ユニット(CT)82へ移される。   The substrate G that has undergone a series of thermal or thermal processing as described above in the first thermal processing section 26 is adjacent to the downstream side from the pass unit (PASS) 60 in the downstream multistage unit section (TB) 48. Is moved to a resist coating unit (CT) 82 of the coating process unit 28.

基板Gはレジスト塗布ユニット(CT)82でたとえばスピンコート法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット(VD)84で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット(ER)86で基板周縁部の余分(不要)なレジストを取り除かれる(ステップS8)。   The substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (surface to be processed) by a resist coating unit (CT) 82, for example, by spin coating, and immediately after that, it is subjected to a drying process by a reduced pressure drying unit (VD) 84 adjacent to the downstream side. Then, the unnecessary (unnecessary) resist on the peripheral edge of the substrate is removed by the edge remover unit (ER) 86 adjacent to the downstream side (step S8).

上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Gは、エッジリムーバ・ユニット(ER)86から隣の第2の熱的処理部30の上流側多段ユニット部(TB)88に属するパスユニット(PASS)に受け渡される。   The substrate G that has undergone the resist coating process as described above is a pass unit (PASS) belonging to the upstream multi-stage unit section (TB) 88 of the second thermal processing section 30 adjacent to the edge remover unit (ER) 86. Is passed on.

第2の熱的処理部30内で、基板Gは、搬送機構90により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Gは、最初に該パスユニット(PASS)から加熱ユニット(PREBAKE)の1つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける(ステップS9)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)の1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。しかる後、基板Gは下流側多段ユニット部(TB)92側のパスユニット(PASS)を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション(I/F)18側のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108へ受け渡される。   Within the second thermal processing unit 30, the substrate G is rotated through a predetermined unit by the transport mechanism 90 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (PREBAKE), where it is subjected to baking after resist coating (step S9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL), where it is cooled to a constant substrate temperature (step S10). Thereafter, the substrate G passes through the downstream side multistage unit (TB) 92 side pass unit (PASS) or without passing through the interface station (I / F) 18 side extension cooling stage (EXT COL). ) 108.

インタフェースステーション(I/F)18において、基板Gは、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108から周辺装置110の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップS11)。   In the interface station (I / F) 18, the substrate G is transferred from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 to the peripheral exposure device (EE) of the peripheral device 110, where the resist adhering to the peripheral portion of the substrate G is removed. After receiving an exposure for removal at the time of development, it is sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S11).

露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション(I/F)18に戻されると(ステップS11)、先ず周辺装置110のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS12)。しかる後、基板Gはエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108に戻される。インタフェースステーション(I/F)18における基板Gの搬送および露光装置12との基板Gのやりとりは搬送装置104によって行われる。   In the exposure device 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Then, when the substrate G that has undergone pattern exposure is returned from the exposure apparatus 12 to the interface station (I / F) 18 (step S11), it is first carried into a titler (TITLER) of the peripheral device 110, where there is a predetermined on the substrate. Predetermined information is written in the part (step S12). Thereafter, the substrate G is returned to the extension / cooling stage (EXT / COL) 108. Transfer of the substrate G in the interface station (I / F) 18 and exchange of the substrate G with the exposure apparatus 12 is performed by the transfer device 104.

プロセスステーション(P/S)16では、第2の熱的処理部30において搬送機構90がエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)108より露光済の基板Gを受け取り、プロセスラインB側の多段ユニット部(TB)92内のパスユニット(PASS)を介して現像プロセス部32へ受け渡す。   In the process station (P / S) 16, the transport mechanism 90 receives the exposed substrate G from the extension / cooling stage (EXT / COL) 108 in the second thermal processing unit 30, and the multi-stage unit unit on the process line B side (TB) The image is transferred to the development process unit 32 via the pass unit (PASS) in 92.

現像プロセス部32では、該多段ユニット部(TB)92内のパスユニット(PASS)から受け取った基板Gを現像ユニット(DEV)94に搬入する。現像ユニット(DEV)94において基板GはプロセスラインBの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる(ステップS13)。   In the development process unit 32, the substrate G received from the pass unit (PASS) in the multi-stage unit unit (TB) 92 is carried into the development unit (DEV) 94. In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is conveyed in a flat flow manner toward the downstream side of the process line B, and a series of development processing steps of development, rinsing, and drying are performed during the conveyance (step S13).

現像プロセス部32で現像処理を受けた基板Gは下流側隣の脱色プロセス部34へ搬入され、そこでi線照射による脱色処理を受ける(ステップS14)。脱色処理の済んだ基板Gは、第3の熱的処理部36の上流側多段ユニット部(TB)98内のパスユニット(PASS)に受け渡される。   The substrate G that has undergone the development process in the development process unit 32 is carried into the decolorization process unit 34 adjacent to the downstream side, where it undergoes a decolorization process by i-line irradiation (step S14). The substrate G that has been subjected to the decoloring process is transferred to the pass unit (PASS) in the upstream multistage unit section (TB) 98 of the third thermal processing section 36.

第3の熱的処理部36において、基板Gは、最初に該パスユニット(PASS)から加熱ユニット(POBAKE)の1つに移され、そこでポストベーキングを受ける(ステップS15)。次に、基板Gは、下流側多段ユニット部(TB)102内のパスクーリング・ユニット(PASS・COL)に移され、そこで所定の基板温度に冷却される(ステップS16)。第3の熱的処理部36における基板Gの搬送は搬送機構100により行われる。   In the third thermal processing section 36, the substrate G is first transferred from the pass unit (PASS) to one of the heating units (POBAKE), where it is subjected to post-baking (step S15). Next, the substrate G is transferred to a path cooling unit (PASS / COL) in the downstream multi-stage unit section (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S16). The transport of the substrate G in the third thermal processing unit 36 is performed by the transport mechanism 100.

カセットステーション(C/S)14側では、搬送機構22が、第3の熱的処理部36のパスクーリング・ユニット(PASS・COL)から塗布現像処理の全工程を終えた基板Gを受け取り、受け取った基板Gをいずれか1つのカセットCに収容する(ステップS1)。   On the cassette station (C / S) 14 side, the transport mechanism 22 receives and receives the substrate G that has completed all the steps of the coating and developing process from the pass cooling unit (PASS COL) of the third thermal processing unit 36. The substrate G is accommodated in any one cassette C (step S1).

この塗布現像処理システム10においては、現像プロセス部32の現像ユニット(DEV)94に本発明を適用することができる。以下、図4〜図15を参照して本発明を現像ユニット(DEV)94に適用した一実施形態を説明する。   In the coating and developing processing system 10, the present invention can be applied to the developing unit (DEV) 94 of the developing process unit 32. Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a development unit (DEV) 94 will be described with reference to FIGS.

図4および図5に、本発明の一実施形態による現像ユニット(DEV)94内の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット(DEV)94は、プロセスラインBに沿って水平方向(X方向)に延在する連続的な搬送路112を形成する複数たとえば10台のモジュールM1〜M10を一列に連続配置してなる。 4 and 5 schematically show the overall configuration of the developing unit (DEV) 94 according to an embodiment of the present invention. The developing unit (DEV) 94 is continuously arranged plural e.g. ten modules M 1 ~M 10 in a line to form a continuous conveying path 112 extending in the horizontal direction (X direction) along the process line B Do it.

これらのモジュールM1〜M10のうち、最上流端に位置する1番目のモジュールM1には搬入部114が設けられている。2番目のモジュールM2は導入部116を構成している。3番目、4番目および5番目のモジュールM3,M4,M5には現像部118が設けられている。6番目のモジュールM6には第1リンス部120が設けられ、7番目のモジュールM7には第2リンス部122が設けられている。8番目のモジュールM8には乾燥部124が設けられている。9番目のモジュールM9は送出部126を構成している。最後尾の10番目のモジュールM10には搬出部128が設けられている。 Among these modules M 1 ~M 10, loading unit 114 is provided in the first module M 1 located at the most upstream end. The second module M 2 constitutes the introduction part 116. The third, fourth, and fifth modules M 3 , M 4 , and M 5 are provided with a developing unit 118. The sixth module M 6 is provided with a first rinse part 120, and the seventh module M 7 is provided with a second rinse part 122. A drying unit 124 is provided in the eighth module M 8 . The ninth module M 9 constitutes the sending unit 126. The last tenth module M 10 is provided with a carry-out unit 128.

搬入部114は、隣の基板搬送機構(図示せず)から手渡される基板Gを水平姿勢で受け取って搬送路112上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン130を有している。搬出部128も、基板Gを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構(図示せず)へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン132を有している。   The carry-in unit 114 has a plurality of lift pins 130 that can be moved up and down to receive a substrate G handed from an adjacent substrate transport mechanism (not shown) in a horizontal position and transfer it onto the transport path 112. The carry-out unit 128 also has a plurality of lift pins 132 that can be lifted and lowered to lift the substrate G in a horizontal posture and hand it over to an adjacent substrate transport mechanism (not shown).

導入部116は、搬入部114と現像部118との間の緩衝領域を形成している。搬入部114から各基板Giを導入部116を介して現像部118まで高速で一気に搬送することにより、予め設定されたタクトタイムTt(たとえば60秒)の時間経過後に搬入部114に搬入されてくる後続の基板Gi+1との間に十分な空間的隔たり(距離間隔)を確保できるようになっている。また、現像部118から搬送上流側に現像液が飛散しても、導入部116で止まり、搬入部114へは届かない(汚染しない)ようになっている。 The introduction unit 116 forms a buffer region between the carry-in unit 114 and the developing unit 118. By once conveyed at high speed from the loading section 114 to the developing unit 118 through the inlet 116 of each substrate G i, is carried into the loading unit 114 after a time lapse of a preset tact time T t (e.g. 60 seconds) A sufficient spatial separation (distance interval) can be ensured between the subsequent substrate G i + 1 coming. Further, even when the developer is scattered from the developing unit 118 to the upstream side of the conveyance, it stops at the introduction unit 116 and does not reach the carry-in unit 114 (does not contaminate).

現像部118は、より詳細には、モジュールM3,M4にそれぞれ第1現像液供給部134,第2現像液供給部136を設け、モジュールM5に液切り/リンス部138を設けている。 More specifically, the developing unit 118 includes a first developer supply unit 134 and a second developer supply unit 136 in the modules M 3 and M 4 , respectively, and a liquid drain / rinse unit 138 in the module M 5 . .

第1現像液供給部134は、導入部116から搬送されてきた基板Gにパドル方式で現像液を供給(液盛り)するためのもので、搬送路112の上方に搬送方向(X方向)に移動可能な1本または複数本の現像液ノズル140を備えている。図示の例では、搬送方向に延在するガイドレール142に沿って移動可能に構成されたノズル搬送体144に現像液ノズル140を取り付け、駆動機構(図示せず)によってノズル搬送体144を搬送方向に移動させる構成としている。ノズル搬送体144に現像液ノズル140を昇降移動させるための昇降機構(図示せず)を取り付けてもよい。   The first developer supply unit 134 is used to supply (pile up) developer solution to the substrate G transported from the introduction unit 116 by a paddle method, and in the transport direction (X direction) above the transport path 112. One or a plurality of movable developer nozzles 140 are provided. In the illustrated example, the developer nozzle 140 is attached to a nozzle transport body 144 configured to be movable along a guide rail 142 extending in the transport direction, and the nozzle transport body 144 is transported in the transport direction by a drive mechanism (not shown). It is set as the structure moved to. A lifting mechanism (not shown) for moving the developer nozzle 140 up and down may be attached to the nozzle carrier 144.

第2現像液供給部136は、搬送中の基板Gから現像液がこぼれ落ちる場合に新規の現像液を追加供給つまり補充するためのもので、搬送方向の適当な位置にて搬送路112の上方に定置型の現像液ノズル146を1本または複数本配置している。   The second developer supply unit 136 is for additionally supplying or replenishing a new developer when the developer spills from the substrate G being transported, and above the transport path 112 at an appropriate position in the transport direction. One or a plurality of stationary type developer nozzles 146 are arranged.

各部の現像液ノズル140,146は、搬送路112の左右幅方向(Y方向)において基板Gの端から端までカバーするような長尺状のノズル本体を有し、該ノズル本体に形成された無数の穴状吐出口あるいは1個または数個のスリット状吐出口より搬送路112上の基板Gに向けて現像液を略帯状またはスプレー状に吐出するようになっている。なお、必要に応じて、現像液ノズル146も搬送方向に移動可能にしてもよく、あるいは第2現像液供給部136を省くことも可能である。   The developer nozzles 140 and 146 in each part have a long nozzle body that covers the substrate G from end to end in the left-right width direction (Y direction) of the transport path 112, and are formed in the nozzle body. The developer is discharged in a substantially strip shape or spray shape toward the substrate G on the transport path 112 from an infinite number of hole-shaped discharge ports or one or several slit-shaped discharge ports. If necessary, the developer nozzle 146 may be movable in the transport direction, or the second developer supply unit 136 may be omitted.

液切り/リンス部138は、基板Gから現像液を除去して現像停止を行うためのもので、搬送方向で基板Gを後向きまたは前向きに傾斜させて現像液を重力で流し落とすための基板傾斜機構(図示せず)と、基板Gにリンス液を吹き付けて現像液を洗い落とすための1本または複数本のリンス液ノズル148とを有している。   The liquid draining / rinsing unit 138 is for removing the developing solution from the substrate G and stopping the development, and tilting the substrate G to tilt the substrate G backward or forward in the transport direction and to wash off the developing solution by gravity. A mechanism (not shown) and one or a plurality of rinse liquid nozzles 148 for spraying a rinse liquid onto the substrate G to wash away the developer are provided.

図示の例では、リンス液ノズル148を可動型に構成している。より詳細には、搬送路112の上方でリンス液ノズル148をノズル搬送体150に取り付け、駆動機構(図示せず)によってノズル搬送体150を搬送方向に延在するガイドレール152に沿って移動させる構成としている。ノズル搬送体150にリンス液ノズル148を昇降移動させるための昇降機構(図示せず)を取り付けてもよい。リンス液ノズル148は、搬送路112の左右幅方向(Y方向)において基板Gの端から端までカバーするような長尺状のノズル本体を有し、該ノズル本体に形成された無数の穴状吐出口あるいは1個または数個のスリット状吐出口より搬送路112上の基板Gに向けてリンス液を略帯状またはスプレー状に吐出するようになっている。   In the illustrated example, the rinse liquid nozzle 148 is configured to be movable. More specifically, the rinsing liquid nozzle 148 is attached to the nozzle transport body 150 above the transport path 112, and the nozzle transport body 150 is moved along a guide rail 152 extending in the transport direction by a drive mechanism (not shown). It is configured. A lift mechanism (not shown) for moving the rinse liquid nozzle 148 up and down may be attached to the nozzle carrier 150. The rinsing liquid nozzle 148 has a long nozzle body that covers from the end to the end of the substrate G in the left-right width direction (Y direction) of the transport path 112, and has an infinite number of holes formed in the nozzle body. The rinsing liquid is discharged in a substantially strip shape or spray shape toward the substrate G on the transport path 112 from the discharge port or one or several slit-shaped discharge ports.

第1リンス部120および第2リンス部122は、基板Gから現像液や異物・汚れ等を十全に除去するためのもので、それぞれ搬送方向の適当な位置に長尺状のリンス液ノズル154,156を横掛で1本または複数本配置している。好ましくは、基板Gの上面(デバイス形成面)だけでなく下面または裏面も洗浄するように、搬送路112を挟んで上下にリンス液ノズル154,156を配置してよい。各リンス液ノズル154,156の構成は、上記リンス液ノズル148と同じであってもよく、異なってもよい。   The first rinsing section 120 and the second rinsing section 122 are for fully removing the developer, foreign matter, dirt, etc. from the substrate G, and are respectively long rinsing liquid nozzles 154 at appropriate positions in the transport direction. , 156 are arranged in a horizontal manner. Preferably, the rinse liquid nozzles 154 and 156 may be arranged above and below the conveyance path 112 so as to clean not only the upper surface (device formation surface) but also the lower surface or the back surface of the substrate G. The configuration of each of the rinse liquid nozzles 154 and 156 may be the same as or different from that of the rinse liquid nozzle 148.

乾燥部124は、リンス処理後の基板Gに付着しているリンス液を気体流(たとえばエアー)で払い落として基板表面を乾かすためのもので、搬送路112に沿って適当な位置に長尺状のエアーナイフ158を横掛で1本または複数本配置している。エアーナイフ158も、基板Gの上下両面に気体流を当てるように、搬送路112の上下に配置されてよい。好ましくは、図5に示すように、エアーナイフ158は、搬送路112の幅方向(Y方向)において適当な角度だけ斜めに傾いて基板Gの端から端までカバーするように配置される。このようなエアーナイフ158の斜め配置により、基板Gの表面に付着しているリンス液を基板後端側の角隅部に集めて効率よく吹き飛ばせるようになっている。   The drying unit 124 is for drying the substrate surface by wiping off the rinse liquid adhering to the substrate G after the rinsing process with a gas flow (for example, air), and is long at an appropriate position along the transport path 112. One or a plurality of air knives 158 are arranged horizontally. The air knives 158 may also be arranged above and below the conveyance path 112 so as to apply a gas flow to both the upper and lower surfaces of the substrate G. Preferably, as shown in FIG. 5, the air knife 158 is disposed so as to be inclined at an appropriate angle in the width direction (Y direction) of the transport path 112 so as to cover the substrate G from end to end. By such an oblique arrangement of the air knife 158, the rinse liquid adhering to the surface of the substrate G can be collected at the corners on the rear end side of the substrate and efficiently blown off.

送出部126は、乾燥部124と搬出部128との間の緩衝領域を形成している。上記のような一連の現像処理を受けてきた基板Giを送出部126から搬出部128まで高速で一気に搬送することにより、搬出部128で搬出のため搬送方向において一時停止する該基板GiとタクトタイムTtの経過後に現像処理を終えてくる後続の基板Gi+1との間に十分な空間的隔たり(距離間隔)を確保できるようになっている。 The delivery unit 126 forms a buffer area between the drying unit 124 and the carry-out unit 128. By once conveyed at high speed substrate G i which has received a series of development processing as described above from the sending unit 126 to unloading unit 128, and the substrate G i to pause in the conveying direction for unloading at the unloading unit 128 A sufficient spatial separation (distance interval) can be ensured between the substrate G i + 1 and the subsequent development process after finishing the tact time T t .

図4に示すように、現像部118およびリンス部120,122においては、搬送路112の下に落ちた液を受け集めるためのパン160,162がそれぞれ設けられている。これらのパン160,162の底に設けられている排液口には排液管164,166がそれぞれ接続されている。現像部118側の排液管164は現像液循環再利用システム(図示せず)に通じている。リンス部120,122側の排液管166は廃液処理部(図示せず)に通じている。   As shown in FIG. 4, the developing unit 118 and the rinsing units 120 and 122 are provided with pans 160 and 162 for collecting liquid that has fallen under the conveyance path 112, respectively. Drainage pipes 164 and 166 are connected to drainage openings provided at the bottoms of these pans 160 and 162, respectively. The drainage pipe 164 on the developing unit 118 side communicates with a developer circulation reuse system (not shown). The drainage pipes 166 on the side of the rinse sections 120 and 122 communicate with a waste liquid treatment section (not shown).

図示の例では、現像部118側のパン160とリンス部120,122側のパン162との境界部が現像部118の液切り部/リンス部138の下に設定されている。この境界部付近には、液切り部/リンス部138で傾斜姿勢の基板Gから落ちてくる現像液またはリンス液を、現像液はパン160へ、リンス液はパン162へそれぞれ選択的に振り向けるための排液振分手段(図示せず)が設けられている。   In the illustrated example, the boundary between the pan 160 on the developing unit 118 side and the pan 162 on the rinsing units 120 and 122 side is set below the liquid draining / rinsing unit 138 of the developing unit 118. In the vicinity of this boundary portion, the developer or rinse liquid falling from the inclined substrate G by the liquid draining / rinsing portion 138 is selectively directed to the pan 160 and the rinse liquid to the pan 162, respectively. A drainage distribution means (not shown) is provided.

図6に、この現像ユニット(DEV)94における平流し搬送機構の構成を模式的に示す。搬送路112には、基板Gをほぼ水平に載置できる搬送ローラまたはコロ170がプロセスラインB(図4)に沿って一定間隔で敷設されている。   FIG. 6 schematically shows a configuration of a flat flow conveying mechanism in the developing unit (DEV) 94. In the transport path 112, transport rollers or rollers 170 on which the substrate G can be placed substantially horizontally are laid at regular intervals along the process line B (FIG. 4).

この実施形態では、搬送路112上のコロ170が、たとえば各モジュールM1〜M10毎に複数の区間に分割され、各区間毎に独立して駆動されるようになっている。より詳細には、各モジュールMn(n=1〜10)の区間に属するコロ170は、個別の伝動機構172(n)を介して個別の搬送駆動部174(n)に駆動接続されている。各搬送駆動部174(n)は駆動源としてたとえば電気モータを有しており、電気モータの駆動力により伝動機構172(n)を介してコロ170を回転運動させ、搬送路112上でほぼ水平姿勢の基板Gをコロ搬送によってプロセスラインBの方向へ移動させるようになっている。 In this embodiment, the roller 170 on the conveyance path 112 is divided into a plurality of sections for each of the modules M 1 to M 10 , for example, and is driven independently for each section. More specifically, the rollers 170 belonging to the sections of the modules M n (n = 1 to 10) are drivingly connected to the individual transport driving units 174 (n) via the individual transmission mechanisms 172 (n). . Each conveyance drive unit 174 (n) has, for example, an electric motor as a drive source. The roller 170 is rotated through the transmission mechanism 172 (n) by the driving force of the electric motor, and is substantially horizontal on the conveyance path 112. The substrate G in the posture is moved in the direction of the process line B by roller conveyance.

搬送制御部176は、たとえばマイクロコンピュータからなり、搬送路112上の各部および全体の基板搬送動作を制御するために、全区間の搬送駆動部174(1)〜174(10)に個別の搬送制御信号を与える。搬送制御の精度を上げるために、好ましくは、搬送路112上の基板Gの位置を検出するための少なくとも1つのセンサ(図示せず)が設けられ、各センサの出力が搬送制御部176に接続されている。また、搬送制御部176はコントローラとして、ホストコンピュータ180(図12)等とも接続されている。   The transfer control unit 176 is composed of, for example, a microcomputer, and individually controls the transfer drive units 174 (1) to 174 (10) in all sections in order to control each unit on the transfer path 112 and the entire substrate transfer operation. Give a signal. In order to increase the accuracy of the conveyance control, preferably, at least one sensor (not shown) for detecting the position of the substrate G on the conveyance path 112 is provided, and the output of each sensor is connected to the conveyance control unit 176. Has been. Further, the transport control unit 176 is also connected to the host computer 180 (FIG. 12) as a controller.

次に、この現像ユニット(DEV)94において1枚の基板Giに対して行なわれる一連の処理工程を工程順に説明する。 Next, a series of processing steps carried out in the developing unit (DEV) 94 with respect to one substrate G i in the order of processes.

[ステップ1]
搬入部114は、隣の基板搬送機構(図示せず)から基板Giをほぼ水平にリフトピン130で受け取り、次いでリフトピン130を降ろして基板Giを搬送路112上に、つまりモジュールM1内のコロ170の上に移載する。この搬入動作の間、基板Giは搬送方向において一定位置(リフトピン130上)で予め設定された所定時間つまり搬入時間T1(たとえば15秒)だけ一時停止する。
[Step 1]
Loading unit 114 receives in substantially horizontal lift pins 130 of the substrate G i from the adjacent substrate transfer mechanism (not shown) and then onto the conveying path 112 of the substrate G i to lower the lift pins 130, i.e. the module M 1 in the Transfer onto the roller 170. During this loading operation, the substrate G i is stopped for a certain position by (lift pin 130 above) in a preset time that is carried time T 1 (e.g. 15 seconds) Pauses in the conveying direction.

[ステップ2]
搬送路112上に基板Giが移載されると、モジュールM1,M2,M3の搬送機構により、直ちに基板Giは搬送下流側へ送り出され、予め設定された第1移動速度V1(たとえば200mm/s)で導入部116を通って現像部118へ搬送される。そして、基板Giが現像部118の第1現像液供給部134に搬入されると、モジュールM3の搬送機構が基板Giの搬送を停止する。
[Step 2]
When the substrate G i on the transport path 112 is transferred, the module M 1, M 2, the transport mechanism of M 3, immediately substrate G i is fed to the conveying downstream, first moving speed V which is set in advance 1 (for example, 200 mm / s), the sheet is conveyed to the developing unit 118 through the introduction unit 116. When the substrate G i is loaded into the first developer supply portion 134 of the developing unit 118, the transport mechanism of the module M 3 stops the conveyance of the substrate G i.

[ステップ3]
第1現像液供給部134では、予め設定された所定の停止時間つまり液盛り時間T2(たとえば13.2秒)の間に、現像液ノズル140を搬送方向またはその逆方向に所定の速度で移動させながら現像液を吐出させ、基板Giの上面全体に現像液を塗布する(液盛りする)。この際、基板Giからこぼれた現像液は搬送路112の下に設置されている現像液パン160に受け集められる。なお、基板Gi上に現像液を重ね塗りするために現像液ノズル140を1回または複数回往復走査してもよく、レシピで任意の走査パターンを設定できる。
[Step 3]
In the first developer supply unit 134, the developer nozzle 140 is moved at a predetermined speed in the transport direction or in the opposite direction during a predetermined stop time, that is, a liquid build-up time T 2 (for example, 13.2 seconds). while moved by ejecting a developing solution, applying a developing solution to the entire upper surface of the substrate G i (to puddle). At this time, the developing solution spilled from the substrate G i is collected received in the developer pan 160 is installed below the conveying path 112. Incidentally, the developer nozzle 140 to recoating the developer on the substrate G i may be one or more times back and forth scan can be set to any scanning pattern recipe.

[ステップ4]
第1現像液供給部134で上記液盛り時間T2が経過すると、モジュールM3,M4,M5の搬送機構により、基板Giは直ちに搬送下流側へ送り出され、予め設定された第2移動速度V2(たとえば50.5mm/s)で液切り/リンス部138まで搬送される。途中、第2現像液供給部136を通過する際には、現像液ノズル146より移動中の基板Gに現像液が補給される。基板Giが液切り/リンス部138に搬入されると、モジュールM5の搬送機構が基板Giの移動を停止する。
[Step 4]
When the liquid accumulation time T 2 elapses in the first developer supply unit 134, the substrate G i is immediately sent to the downstream side of the transfer by the transfer mechanism of the modules M 3 , M 4 , and M 5 , and the preset second time is set. It is conveyed to the liquid drain / rinse section 138 at a moving speed V 2 (for example, 50.5 mm / s). In the middle, when passing through the second developer supply unit 136, the developer is supplied to the moving substrate G from the developer nozzle 146. When the substrate G i is loaded into the drainer / rinsing section 138, the transport mechanism of the module M 5 stops movement of the substrate G i.

[ステップ5]
液切り/リンス部138では、予め設定された所定の停止時間つまり液切り時間T3(たとえば20.2秒)の間に現像停止処理が行なわれる。先ず、基板傾斜機構が作動して、基板Giを水平姿勢から傾斜姿勢に変換して、基板Gi上の現像液を重力で流れ落とす。基板Giから流れ落ちた現像液は上記排液振分手段によって現像液パン160側に回収される。一方で、適当なタイミングで、好ましくは基板Giの傾斜角度が設定値に到達するとほぼ同時に、リンス液ノズル148を搬送方向またはその逆方向に所定の速度で移動させながら傾斜状態の基板Giに向けて上からリンス液を供給し、基板Gi上の液をリンス液に置換する。この際、基板Gから流れ落ちたリンス液は上記排液振分手段によってリンス液パン162側に回収される。最後に、基板傾斜機構が基板Giを傾斜姿勢から水平姿勢に戻す。
[Step 5]
In the liquid drain / rinse unit 138, development stop processing is performed during a predetermined stop time, that is, a liquid drain time T 3 (for example, 20.2 seconds). First, the substrate inclining mechanism is actuated to convert the substrate G i from the horizontal position to the inclined position, dropping flowing developing solution on the substrate G i by gravity. Developer flowing down from the substrate G i is recovered in the developer pan 160 side by the drainage distributing means. On the other hand, at an appropriate timing, preferably almost at the same time when the inclination angle of the substrate G i reaches the set value, the substrate G i in the inclined state is moved while moving the rinse liquid nozzle 148 at a predetermined speed in the transport direction or in the opposite direction. supplying a rinsing liquid from the top toward the to replace the liquid on the substrate G i the rinsing solution. At this time, the rinse liquid that has flowed down from the substrate G is collected on the rinse liquid pan 162 side by the drainage distribution means. Finally, the substrate inclining mechanism returns to the horizontal position of the substrate G i from the inclined posture.

なお、第1現像液供給部134で基板Gi上に現像液の液盛りを開始してから液切り/リンス部138で液切りを開始するまでの時間を現像時間Tgとし、この現像時間Tgも予め設定するようになっている。 Incidentally, the time from the start of the puddle of the developing solution on the substrate G i in the first developer supply unit 134 to the start of draining the liquid cutting / rinsing unit 138 and the developing time T g, the developing time T g is also set in advance.

[ステップ6]
液切り/リンス部138で上記液切り時間T3が経過すると、モジュールM5,M6の搬送機構により、基板Giは直ちに搬送下流側へ送り出され、予め設定された第3移動速度V3(たとえば50.5mm/s)で隣の第1リンス部120へ搬送される。この実施形態では、後に詳述するように、基板Giが第1リンス部120を通過する間にモジュールM6の搬送機構が移動速度を上記第3移動速度V3よりも低い予め設定された第4移動速度V4(たとえば36.7mm/s)に減速する。第1リンス部120では、搬送路112上を移動する基板Giの上下両面にリンス液ノズル154よりリンス液を吹き付けて、基板Giに残存または付着している現像液を洗い落とす。この際、基板Giから流れ落ちたリンス液はリンス液パン162に受け集められる。
[Step 6]
When the liquid cutting time T 3 has elapsed at drainer / rinsing section 138, module M5, the transfer mechanism M 6, the substrate G i is immediately fed to the conveyance downstream side, and the third movement speed V 3 which is set in advance ( For example, it is conveyed to the adjacent first rinse section 120 at 50.5 mm / s). In this embodiment, as described later, the substrate G i is lower preset than the third moving velocity V 3 conveyance mechanism moving speed of the module M 6 while passing through the first rinse section 120 Decelerate to the fourth moving speed V 4 (for example, 36.7 mm / s). In the first rinse section 120, by spraying a rinsing liquid from the rinse liquid nozzle 154 on the upper and lower surfaces of the substrate G i moving on a transfer path 112, wash off the developer remaining or adhered to the substrate G i. At this time, the rinsing liquid flowing down from the substrate G i is collected received in the rinsing liquid pan 162.

[ステップ7]
基板GiがモジュールM6を出た後も、モジュールM7,M8,M9の搬送機構により、基板Giを上記第4移動速度V4で第2リンス部122と乾燥部124を通過させ送出部126まで搬送する。第2リンス部122でも、搬送路112上を移動する基板Giに対して上記と同様のリンス処理を施す。もっとも、基板Gの移動速度V4が比較的遅いため、第1リンス部120よりも丁寧な仕上げ洗浄を行える。乾燥部124では、搬送路112上を移動する基板Giの上下両面にエアーナイフ158よりナイフ状の鋭利な気体流を当てることにより、基板Giに付着している液(主にリンス液)を基板後方へ払い落とす。やはり、基板Giの移動速度V4が遅めに設定されているため、気体流をそのぶん多量に基板Giに当てて、基板表面を十全に乾かすことができる。
[Step 7]
Even after the substrate G i leaves the module M 6 , the substrate G i passes through the second rinse unit 122 and the drying unit 124 at the fourth moving speed V 4 by the transport mechanism of the modules M 7 , M 8 , and M 9. Then, it is conveyed to the sending section 126. Even second rinse section 122 performs a rinsing process similar to the above with respect to the substrate G i moving on a transfer path 112. However, since the moving speed V 4 of the substrate G is relatively slow, the finish cleaning can be performed more carefully than the first rinse section 120. In the drying unit 124, a liquid (mainly a rinsing liquid) attached to the substrate G i by applying a knife-like sharp gas flow from the air knife 158 to the upper and lower surfaces of the substrate G i moving on the transport path 112. To the back of the board. Again, since the moving speed V 4 of the substrate G i is set to be slow, the substrate surface can be thoroughly dried by applying a large amount of the gas flow to the substrate G i .

[ステップ8]
基板Giが送出部126まで来ると、モジュールM9,M10の搬送機構により、基板Giの移動速度をそれまでの第4移動速度V4から予め設定された高速の第5移動速度V5(たとえば200mm/s)に切り換えて、隣の搬出部128まで基板Giを一気に送る。
[Step 8]
When the substrate G i arrives at the delivery unit 126, the transfer mechanism of the modules M 9 and M 10 changes the moving speed of the substrate G i from the fourth moving speed V 4 up to the fifth moving speed V set in advance. 5 (e.g. 200 mm / s) is switched on, once sending the substrate G i to next unloading unit 128.

[ステップ9]
搬出部128では、基板Giが着くと、搬送路112の下に待機していたリフトピン132を上方へ突き上げて基板Giを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構(図示せず)へ渡す。この搬出動作の間、基板Giは搬送方向の一定位置(リフトピン132上)で予め設定された所定時間つまり搬出時間T4(たとえば15秒)だけ滞在または一時停止することになる。
[Step 9]
In the carry-out unit 128, when the substrate G i arrives, the lift pins 132 that have been waiting under the transfer path 112 are pushed upward to lift the substrate G i in a horizontal posture and pass it to the next substrate transfer mechanism (not shown). . During this unloading operation, the substrate G i stays or pauses at a predetermined position in the transfer direction (on the lift pins 132) for a predetermined time, ie, unloading time T 4 (for example, 15 seconds).

この現像ユニット(DEV)94では、上記のような平流し式の一連の処理工程がパイプライン方式によりタクトタイムTtの時間間隔で多数の基板‥‥,Gi,Gi+1,Gi+2,‥‥に対して繰り返される。ここで求められるのは、搬送路112上で相前後する基板Gi,Gi+1同士の衝突(追突)を起こさずに、各段階の工程処理部における処理内容を最適化し、かつシステム全体のスループットを最大限に向上させることである。 In this developing unit (DEV) 94, a series of processing processes of the flat flow type as described above are carried out in a pipeline manner with a large number of substrates at a time interval of tact time T t , G i , G i + 1 , G i. Repeated for +2 ,. What is required here is to optimize the processing contents in the process processing section at each stage without causing a collision (recursion) between the substrates G i and G i + 1 that are in succession on the transport path 112, and the entire system. Is to maximize the throughput.

図7に、この現像ユニット(DEV)94において1枚の基板Giが上記一連の処理工程(ステップ1〜9)を受けるに際して搬送路112上を移動する軌跡を基板Giの前端位置と後端位置とで示す。同図には、後続の基板Gi+1についても同様の軌跡を点線で示す。なお、搬入位置(始点)から搬出位置(終点位置)までの搬送距離Jも所定の値(たとえば16900mm)に設定されている。 In FIG. 7, in the developing unit (DEV) 94, when one substrate G i receives the above-described series of processing steps (Steps 1 to 9), the trajectory that moves on the conveyance path 112 is shown as the front end position and the rear end of the substrate G i. It is indicated by the end position. In the figure, the same locus is indicated by a dotted line for the subsequent substrate G i + 1 . The transport distance J from the carry-in position (start point) to the carry-out position (end point position) is also set to a predetermined value (for example, 16900 mm).

上記したように、ステップ1で、基板Giは搬入部114で搬入時間T1(たとえば15秒)だけ搬送方向で一時停止する。ステップ2で、基板Giは搬入部114から導入部116を通って第1現像液供給部134まで高速の第1移動速度V1(たとえば200mm/s)で移動する。ステップ3で、基板Giは第1現像液供給部134で液盛り時間T2(たとえば13.2秒)だけ一時停止または滞在する。ステップ4で、基板Giは第1現像液供給部134から液切り/リンス部138まで中速の第2移動速度V2(たとえば50.5mm/s)で移動する。ステップ5で、基板Giは液切り/リンス部138で液切り時間T3(たとえば20.5秒)だけ一時停止または滞在する。ステップ6で、基板Giは液切り/リンス部138から第1リンス部120まで中速の第3移動速度V3(たとえば50.5mm/s)で移動し、第1リンス部120を通過する際に移動速度を第3移動速度V3から低速の第4移動速度V4(たとえば36.7mm/s)に変更する。ステップ7で、基板Giは第2リンス部122および乾燥部124を通って送出部126まで第4移動速度V4で移動する。ステップ8で、基板Giは送出部126から搬出部128まで高速の第5移動速度V5(たとえば200mm/s)で移動する。最後に、ステップ9で、基板Giは搬出部128で搬出時間T4(たとえば15秒)だけ搬送方向で一時停止してから現像ユニット(DEV)94の外へ搬出される。 As described above, in step 1, the substrate G i pauses only the conveying direction carry time T 1 at loading unit 114 (e.g., 15 seconds). In Step 2, the substrate G i are moved in the loading section first fast 114 through the inlet 116 from to the first developing solution supply unit 134 movement speed V 1 (for example 200 mm / s). In Step 3, the substrate G i is a puddle time T 2 (e.g. 13.2 seconds) pause or stay in the first developer supplying section 134. In Step 4, to move the substrate G i is first developer supply unit 134 from the drainer / rinsing unit second medium speed to 138 movement speed V 2 (e.g. 50.5 mm / s). In step 5, the substrate G i is temporarily stopped or stays at the liquid drain / rinse section 138 for the liquid drain time T 3 (for example, 20.5 seconds). In step 6, the substrate G i moves from the liquid draining / rinsing unit 138 to the first rinsing unit 120 at a medium third speed V 3 (for example, 50.5 mm / s) and passes through the first rinsing unit 120. At this time, the moving speed is changed from the third moving speed V 3 to the lower fourth moving speed V 4 (for example, 36.7 mm / s). In step 7, the substrate G i moves through the second rinse unit 122 and the drying unit 124 to the delivery unit 126 at the fourth movement speed V 4 . In Step 8, the substrate G i is a fast moving of the fifth moving speed V 5 from the delivery unit 126 to unloading unit 128 (e.g. 200 mm / s). Finally, in step 9, the substrate G i is unloaded from the paused just conveying direction out time T 4 by the unloading unit 128 (e.g., 15 seconds) to the outside of the developing unit (DEV) 94.

この例の搬送シーケンスにおいて、最も長い停止時間は液切り/リンス部138における液切り時間T3(20.5秒)であり、最も低い移動速度は第1リンス部120から送出部126にかけての第4移動速度V4(36.7mm/s)である。 In the transport sequence of this example, the longest stop time is the liquid draining time T 3 (20.5 seconds) in the liquid draining / rinsing unit 138, and the lowest moving speed is the first one from the first rinse unit 120 to the delivery unit 126. 4 The moving speed is V 4 (36.7 mm / s).

この実施形態では、各工程処理部の処理内容に応じて搬送路112上の各所で基板Giを一時停止させたり搬送速度を変更する場面が多々あり、比較的複雑な搬送シーケンスとなっている。ここで問題になるのは、搬送方向において移動速度に対する基板Giの長さサイズ(たとえば1200mm)が大きいため、基板Giの前端位置と後端位置との間に相当の移動時間差が生じる(移動速度が40mm/sの場合は20秒)ことと、同じ搬送路112上で別の基板Gi+1がタクトタイムTtの時間間隔(たとえば60秒)を置いて後から続いて来ることであり、搬送速度の設定を誤ると停止中または減速時の基板Giに後から来る基板Gi+1が追突する可能性がある。 In this embodiment, there are many scenes to change the conveying speed or pause the substrate G i at various locations on the conveying path 112 in accordance with the processing content of each process section, and has a relatively complicated transfer sequence . The problem here is that the length size (eg, 1200 mm) of the substrate G i with respect to the moving speed in the transport direction is large, so that there is a considerable difference in moving time between the front end position and the rear end position of the substrate G i ( 20 seconds when the moving speed is 40 mm / s), and another substrate G i + 1 continues on the same transport path 112 after a tact time T t (for example, 60 seconds). If the conveyance speed is set incorrectly, there is a possibility that the substrate G i + 1 that comes later will collide with the substrate G i that is stopped or decelerated.

図7に示すように、この実施形態の例では、第1リンス部120で基板Giの移動速度を中速の第3移動速度V3(たとえば50.5mm/s)から最も低い第4移動速度V4(36.7mm/s)に切り換えた直後辺りで、基板Giの後端の直ぐ後に基板Gi+1の前端が接近してくるが、本発明にしたがって搬送速度が安全圏に制御されているため、追突するまでには至らない。 As shown in FIG. 7, in the exemplary embodiment, the lowest fourth moving from the substrate G i third moving speed V 3 of the medium-speed movement speed (e.g. 50.5 mm / s) in the first rinse section 120 in Atari immediately after switching to the speed V 4 (36.7mm / s), approaching the front end of the substrate G i + 1 immediately after the rear end of the substrate G i, but the safety zone is conveying speed in accordance with the present invention Because it is controlled, it does not lead to a rear-end collision.

ここで、図8〜図11につき、平流し方式における基板の搬送速度に係る本発明の基本原則を説明する。   Here, with reference to FIGS. 8 to 11, the basic principle of the present invention relating to the substrate transport speed in the flat flow method will be described.

[基本原則1]
基板Gの搬送方向の長さをD、搬送路112上にタクトタイムTtの時間間隔で基板Gが投入されるとすると、本発明の第1の基本原則によれば、搬送路112上で基板Gを一度も止めずに連続移動で搬送する場合に追突を避けるための最低の移動速度つまり下限移動速度Vlowは下記の式(1)で与えられる。
low=D/Tt ‥‥‥(1)
[Basic Principle 1]
Assuming that the length of the substrate G in the transport direction is D and the substrate G is loaded on the transport path 112 at a time interval of tact time T t , according to the first basic principle of the present invention, When the substrate G is transported by continuous movement without stopping, the minimum movement speed for avoiding a rear-end collision, that is, the lower limit movement speed V low is given by the following equation (1).
V low = D / T t (1)

図8につき、第1の基本原則を説明する。いま、搬送路112上で移動中の基板Giが時点taで任意の位置Paに位置しているとすると、この時点taからタクトタイムTtの経過後の時点tcには後続の基板Gi+1がこの位置Paまで移動してくるので、時点taから時点tcの間に基板Giが少なくとも基板長Dの距離だけ前方へ移動すれば、当該位置Paを去って基板Gi+1との追突を避けることができる。したがって、この条件が成立するための下限移動速度Vlowは、タクトタイムTtの間に基板長Dの距離だけ移動する速度として、上記の式(1)で与えられる。 The first basic principle will be described with reference to FIG. Now, subsequent the substrate G i in the movement is to be located at an arbitrary position P a at time t a, the time t c after the elapse of the cycle time T t from the time point t a on the conveying path 112 since the substrate G i + 1 of comes moved to this position P a, the substrate G i between time t c from the time point t a is when moved forward by a distance of at least the substrate length D, and the position P a It is possible to avoid a rear-end collision with the substrate G i + 1 . Therefore, the lower limit moving speed V low for satisfying this condition is given by the above equation (1) as the speed of moving by the distance of the substrate length D during the tact time T t .

もっとも、通常の平流しシステムでは、追突の可能性を極力避けるため、搬送路112上に適当な最小基板間隔dを設定し、前の基板Giに後の基板Gi+1が最小基板間隔dよりも接近しないようにしている。この場合は、図9に示すように、実際の基板長Dに最小基板間隔dを足し合わせた長さD'(D+d)を搬送上の基板長とみなしてよく、上式(1)の代わりに下記の式(2)を用いてよい。
low=(D+d)/Tt ‥‥‥(2)
However, in an ordinary flat flow system, in order to avoid the possibility of a rear-end collision as much as possible, an appropriate minimum substrate interval d is set on the transport path 112, and the subsequent substrate G i + 1 is set to the minimum substrate interval on the previous substrate G i. It is kept away from d. In this case, as shown in FIG. 9, the length D ′ (D + d) obtained by adding the minimum substrate distance d to the actual substrate length D may be regarded as the substrate length on conveyance, and instead of the above equation (1) The following formula (2) may be used.
V low = (D + d) / T t (2)

[基本原則2]
本発明の第2の基本原則によれば、搬送路112上で基板Gを任意の時間Tsだけ一時停止させる場合に追突を避けるための下限移動速度Vlowは下記の式(3)で表される。
low=(D+d)/(Tt−Ts) ‥‥‥(3)
[Basic Principle 2]
According to the second basic principle of the present invention, when the substrate G is temporarily stopped on the transport path 112 for an arbitrary time T s , the lower limit moving speed V low for avoiding a rear-end collision is expressed by the following equation (3). Is done.
V low = (D + d) / (T t −T s ) (3)

図10に、一時停止の後の最低速度条件を示す。なお、説明を簡単にするために、最小基板間隔dを零(d=0)とする。いま、搬送路112上の任意の位置Paに時点taで基板Giが到着したものとする。この時点taからタクトタイムTtの経過する時点tcには後続の基板Gi+1がこの位置Paまで移動してくるところ、時点taから停止時間Ts後の時点tbまで基板Giは当該位置Paに止まっているため、時点tbから時点tcまでの残りの時間(Tt−Ts)の間に基板Giが少なくとも基板長Dの距離だけ前方へ移動すれば、当該停止位置Paを去って後続基板Gi+1との追突を避けることができる。したがって、この条件が成立するための下限移動速度Vlowは、タクトタイムTtから停止時間Tsを差し引いた時間(Tt−Ts)の間に基板長Dの距離だけ移動する速度として、上記の式(3)で与えられる。 FIG. 10 shows the minimum speed condition after the temporary stop. In order to simplify the description, the minimum substrate interval d is set to zero (d = 0). Now, it is assumed that the substrate G i arrived at t a at an arbitrary position P a on the conveying path 112. When subsequent substrate G i + 1 is the time t c that the course of the time t a from the tact time T t has come to move to the position P a, from time t a to time t b after stopping time T s since the substrate G i is stopped at the position P a, moving the substrate G i during the remaining time from t b until the time t c (T t -T s) is forward by a distance of at least the substrate length D if, it is possible to avoid collision with a subsequent substrate G i + 1 leaving the stop position P a. Therefore, the lower limit moving speed V low for satisfying this condition is a speed that moves by the distance of the substrate length D during the time (T t −T s ) obtained by subtracting the stop time T s from the tact time T t . It is given by the above equation (3).

図11に、一時停止の前の最低速度条件を示す。上記と同様に、説明を簡単にするために、最小基板間隔dを零(d=0)とする。いま、時点taで、搬送路112上で移動中の基板Giが停止位置Pbよりも基板長Dだけ前(上流側)の位置Paに位置しているとする。この時点taからタクトタイムTtの経過後の時点tcに後続の基板Gi+1がこの位置Paに到着するので、この時に基板Giが少なくとも当該位置Paより基板長Dの距離だけ前方の位置つまり停止位置Pbまで移動していれば、追突を避けることができる。ところが、この場合は、基板Giが停止位置Pbで時間Tsだけ時間を潰す(停止する)ため、時点taから遅くても停止開始の時点tbまでに停止位置Pbに到着していなければならない。したがって、この条件が成立するための下限移動速度Vlowは、タクトタイムTtから停止時間Tsを差し引いた時間(Tt−Ts)の間に基板長Dの距離だけ移動する速度として、やはり上記の式(3)で与えられる。 FIG. 11 shows the minimum speed condition before the temporary stop. Similarly to the above, in order to simplify the description, the minimum substrate distance d is set to zero (d = 0). Now, at time t a, the substrate G i being moved on the conveying path 112 is located at a position P a earlier by the substrate length D than the stop position P b (upstream side). Since subsequent substrate G i + 1 at time t c after the elapse of the cycle time T t from the time point t a arrives at the position P a, the substrate G i at this time of the substrate length D of at least the position P a distance if moved to the front position that is the stop position P b, it can be avoided collision. However, in this case, the substrate G i crushes only time period T s at the stop position P b (stopped) because, at the latest from the time t a arrives at the stop position P b up to the time t b the start stop Must be. Therefore, the lower limit moving speed V low for satisfying this condition is a speed that moves by the distance of the substrate length D during the time (T t −T s ) obtained by subtracting the stop time T s from the tact time T t . It is also given by the above equation (3).

[基本原則3]
本発明の第3の基本原則によれば、搬送路112上で基板Gを一時停止する場合の停止時間TsはタクトタイムTtよりも短くなければならない。この原則は、上式(3)からも導かれる。すなわち、停止時間Tsを長くするほど下限移動速度Vlowが増大し、TsがTtに近づくとVlowが実現不可能なほど大きくなることから、自明な原則である。
[Basic Principle 3]
According to the third basic principle of the present invention, the stop time T s when the substrate G is temporarily stopped on the transport path 112 must be shorter than the tact time T t . This principle is also derived from the above equation (3). That is, the lower limit moving speed V low increases as the stop time T s becomes longer, and when T s approaches T t , V low becomes so large that it cannot be realized.

図12に、この実施形態における制御系の構成を示す。入力部178は、たとえばキーボードやディスプレイ等を有する操作盤からなり、基板Gの属性(特にサイズ)や処理条件に関する種々の設定値を入力する。ホストコンピュータ180は、入力された条件設定値および所定の演算処理によって求めた条件設定値その他のレシピ情報を内蔵のメモリに格納し、所定のプログラムおよび条件設定値ないしレシピ情報にしたがって現像ユニット(DEV)94内の各工程処理部、特に搬入部114、第1現像液供給部134、‥‥、搬出部128の動作と搬送制御部176の動作を統括制御する。図13に、この実施形態における条件設定値の例を示す。   FIG. 12 shows the configuration of the control system in this embodiment. The input unit 178 is composed of, for example, an operation panel having a keyboard, a display, and the like, and inputs various setting values related to attributes (particularly size) of the substrate G and processing conditions. The host computer 180 stores the input condition setting value and the condition setting value obtained by a predetermined calculation process and other recipe information in a built-in memory, and the developing unit (DEV) according to the predetermined program and the condition setting value or recipe information. ) Centrally controls the operation of each process processing unit in 94, particularly the operation of the carry-in unit 114, the first developer supply unit 134,. FIG. 13 shows an example of condition setting values in this embodiment.

この実施形態の平流しシステムでは、上記のように搬送路112上で基板Gを少なくとも1回以上一時停止させることから、本発明の第2の基本原則が適用される。この場合、複数回の一時停止の中の最も長い停止時間Tsから求められる下限移動速度Vlowがシステム全体の最低速度条件を律則する。上記の例(図13)では、搬入部114、第1現像液供給部134、液切り/リンス部138および搬出部128の4箇所で一時停止が行なわれ、その中で最大の停止時間Tsは液切り/リンス部138における液切り時間T3(20.5秒)である。したがって、上式(3)より下限移動速度Vlowは以下のようにして求められる。
low=(D+d)/(Tt−Ts
=(1250+20)/(60−20.5)
=36.7(mm/s) ‥‥‥(4)
In the flat flow system of this embodiment, the substrate G is temporarily stopped at least once on the transfer path 112 as described above, and therefore the second basic principle of the present invention is applied. In this case, the lower limit moving speed V low obtained from the longest stop time T s among a plurality of pauses governs the minimum speed condition of the entire system. In the above-described example (FIG. 13), temporary stop is performed at four locations of the carry-in unit 114, the first developer supply unit 134, the liquid drain / rinse unit 138, and the carry-out unit 128, and the maximum stop time T s among them. Is a liquid draining time T 3 (20.5 seconds) in the liquid draining / rinsing unit 138. Therefore, the lower limit moving speed V low is obtained as follows from the above equation (3).
V low = (D + d) / (T t −T s )
= (1250 + 20) / (60-20.5)
= 36.7 (mm / s) (4)

この下限移動速度Vlowの値(36.7mm/s)は基板Gを第1リンス部120から送出部126まで移動させる際の第4移動速度V4の設定値に等しい。つまり、第4移動速度V4は本発明の第2基本原則の要件をぎりぎりにクリアしていることになる。したがって、上記のように第1リンス部120付近で基板Giの後端に基板Gi+1の前端が接近して来るにしても、その接近距離は最小基板間隔d(20mm/s)より小さくなることはない。 The value of the lower limit moving speed V low (36.7 mm / s) is equal to the set value of the fourth moving speed V 4 when moving the substrate G from the first rinse section 120 to the delivery section 126. That is, the fourth moving speed V 4 almost satisfies the requirements of the second basic principle of the present invention. Therefore, even if the front end of the substrate G i + 1 to the rear end of the substrate G i in the first rinse section 120 near the above is approaching, the approach distance is the minimum distance between the substrates d (20mm / s) It will never get smaller.

ところで、この現像ユニット(DEV)94における処理条件の中でも、現像時間Tgは現像処理の仕様または品質に最も影響する条件であり、また現像液の種類やリサイクル回数等に応じて頻繁かつ広範囲に変更される条件でもある。かかる現像時間Tgは、上記ステップ5の説明の中で上述したように、たとえば第1現像液供給部134で基板Gi上に現像液の液盛りを開始してから液切り/リンス部138で液切りを開始するまでの時間としてよい。したがって、現像時間Tgの設定値が与えられると、現像中の移動速度つまり第2移動速度V2の仮設定値VDが下記の式(5)から求められる。
D=L/(Tg−T2) ‥‥‥(5)
By the way, among the processing conditions in the developing unit (DEV) 94, the developing time Tg is the condition that most affects the specifications or quality of the developing process, and frequently and widely depending on the type of developer and the number of recycling times. It is also a condition to be changed. The developing time The T g, as described above in the description of step 5, for example, the first developer supplying portion 134 liquid from the start of the puddle of the developing solution on the substrate G i in cutting / rinsing section 138 The time until the start of draining can be used. Therefore, when the set value of the developing time T g is given, the temporary set value V D of the moving speed, that the second moving speed V 2 during development is determined from the following equation (5).
V D = L / (T g −T 2 ) (5)

ここで、T2は上記液盛り時間であり、Lは第1現像液供給部134の液盛り停止位置から液切り/リンス部138の液切り停止位置まで基板Gが移動する距離である。 Here, T 2 is the above-described liquid build-up time, and L is the distance that the substrate G moves from the liquid build-up stop position of the first developer supply unit 134 to the liquid cut-off stop position of the liquid drain / rinse unit 138.

この現像ユニット(DEV)94において、上記移動距離Lがたとえば2868mmであるとすると、図13の設定例では、現像時間Tgが60秒、液盛り時間T2が13.2秒であるから、上式(5)より求められる第2移動速度V2の仮設定値VDは以下のようになる。
D=2363/(60−13.2)
=50.5mm/s ‥‥‥(6)
In this developing unit (DEV) 94, when the moving distance L is assumed to be 2868mm example, in the setting example of FIG. 13, the developing time T g is 60 seconds, because a puddle time T 2 is 13.2 seconds, The temporary setting value V D of the second moving speed V 2 obtained from the above equation (5) is as follows.
V D = 2363 / (60-13.2)
= 50.5mm / s (6)

この第2移動速度V2の仮設定値VDは、下限移動速度Vlow(36.7mm/s)よりも大きく、本発明の第2基本原則の要件を満たしている。したがって、ホストコンピュータ180において、この仮設定値VDを正規の設定値として登録し、実際の搬送制御に用いてよい。 The temporary set value V D of the second movement speed V 2 is larger than the lower limit movement speed V low (36.7 mm / s) and satisfies the requirement of the second basic principle of the present invention. Therefore, the temporary setting value V D may be registered as a normal setting value in the host computer 180 and used for actual conveyance control.

ところが、現像時間Tgを長めに、たとえば78秒に設定すると、上式(3)より求められる第2移動速度V2の仮設定値VDは36.5mm/sとなって下限移動速度Vlow(36.7mm/s)よりも低くなってしまい、本発明の第2基本原則の要件を満たさなくなる。この場合は、ホストコンピュータ180が、ディスプレイを通じてこの設定値VDが不適であることを警告して現像時間Tgの再設定入力を要求するか、あるいは下限移動速度Vlowに対応する現像時間Tgつまり本発明の第2基本原則の条件を満たす上限の現像時間を越える入力値は受け付けないようにインターロックをかけるようにしてもよい。もちろん、上限現像時間の値を表示出力してもよい。また、液盛り時間T2についても、上記と同様の設定入力処理を行うことができる。 However, the longer the development time T g, for example set to 78 seconds, the above equation (3) provisionally set value of the second moving speed V 2 which is obtained from V D is lower moving speed V becomes 36.5 mm / s It becomes lower than low (36.7 mm / s), and the requirement of the second basic principle of the present invention is not satisfied. In this case, the host computer 180 warns that this set value V D is inappropriate through the display and requests resetting of the developing time T g , or develops time T corresponding to the lower limit moving speed V low. In other words, an interlock may be applied so as not to accept an input value exceeding the upper limit developing time that satisfies the condition of the second basic principle of the present invention. Of course, the value of the upper limit development time may be displayed and output. As for the puddle time T 2, it is possible to perform the same setting input process as described above.

上記のように、この実施形態では、搬送路112上で複数の被処理基板‥‥,Gi,Gi+1,‥‥を所望のタクトタイムTtで少なくとも1回以上の一時停止を含めて順次搬送し、搬送路112上で停止または移動中の基板Gに対して一連の現像処理工程を行う現像ユニット(DEV)94において、タクトタイムTtと基板Gが一時停止する停止時間の中の最大停止時間Tsと基板の搬送方向の長さサイズDと搬送方向における所望の最小基板間隔dとに基づいて基板Gの下限移動速度Vlowを決定し、搬送路112上で基板Gを移動させる速度を下限移動速度Vlow以上の速度に設定する。かかる搬送速度制御によれば、基板長D、タクトタイムTt、最小基板間隔d、最大停止時間Tsの各条件についてワーク(基板)の仕様やスループット、フットプリント等の観点から所望の値が設定されると、それらの設定値に応じた適確な速度で基板Gを移動させ、相前後する基板Gi,Gi+1間の追突事故を確実に防止することができる。 As described above, in this embodiment, a plurality of substrates to be processed on the transport path 112, including G i , G i + 1 ,... Including at least one temporary stop at a desired tact time T t. In the development unit (DEV) 94 that sequentially conveys and performs a series of development processing steps on the substrate G that is stopped or moving on the conveyance path 112, the tact time T t and the stop time during which the substrate G is temporarily stopped The lower limit moving speed V low of the substrate G is determined based on the maximum stop time T s of the substrate, the length D of the substrate in the transport direction, and the desired minimum substrate distance d in the transport direction. Set the moving speed to a speed equal to or higher than the lower limit moving speed V low . According to such conveyance speed control, desired values are obtained from the viewpoints of workpiece (substrate) specifications, throughput, footprint, and the like for each condition of the substrate length D, tact time T t , minimum substrate interval d, and maximum stop time T s. When set, the substrate G is moved at an appropriate speed according to the set values, and a rear-end collision between the adjacent substrates G i and G i + 1 can be surely prevented.

また、現像時間Tgと液盛り時間T2(現像液供給時間Ta)と現像中の移動距離Lとに基づいて現像中の移動速度つまり第2移動速度V2の仮設定値VDを求めて、仮設定値VDが下限移動速度Vlow以上である場合にこれを正規の設定値として採用するようにしているので、基板の追突事故を回避できる基板移動速度の下で所望の現像処理品質を得ることができる。 Further, based on the development time T g , the liquid build-up time T 2 (developer supply time T a ), and the movement distance L during development, a temporary setting value V D of the movement speed during development, that is, the second movement speed V 2 is obtained. Thus, when the temporary setting value V D is equal to or higher than the lower limit moving speed V low , this is adopted as the normal setting value, so that the desired development can be performed under the substrate moving speed that can avoid the substrate rear-end collision accident. Processing quality can be obtained.

次に、この実施形態において基板Gの移動速度を安全かつ効率的に減速するための機構および搬送制御方法を説明する。上述したように、現像ユニット(DEV)94では、基板Giが第1リンス部120を通過する間にモジュールM6の搬送機構が移動速度を第3移動速度V3(50.5mm/s)から第4移動速度V4(36.7mm/s)に減速する。その際には、当該基板Giに後続の基板Gi+1が追突するのを回避するだけでなく、両基板Gi,Gi+1にそれぞれの移動位置に応じた設定移動速度を与えなければならない。減速後の移動速度(V4)が下限移動速度Vlow付近まで低くなり、しかも最小基板間隔dが小さい場合は、両基板Gi,Gi+1が近接して移動するため、両基板Gi,Gi+1に異なる設定移動速度を同時に与えることは非常に難しくなる。この実施形態では、図14および図15に示すようにしてこの問題を解決している。 Next, a mechanism and a transport control method for safely and efficiently decelerating the moving speed of the substrate G in this embodiment will be described. As described above, the developing unit (DEV) 94 in the module M conveying mechanism 6 moving speed third moving velocity V 3 while the substrate G i passes through a first rinse section 120 (50.5mm / s) To 4th moving speed V 4 (36.7 mm / s). At that time, not only the substrate G i + 1 subsequent to the substrate G i to avoid the collision, both substrates G i, gives the setting movement speed corresponding to each movement position on the G i + 1 There must be. When the moving speed (V 4 ) after deceleration decreases to near the lower limit moving speed V low and the minimum substrate distance d is small, both the substrates G i and G i + 1 move close to each other. It becomes very difficult to simultaneously give i and G i + 1 different moving speeds. In this embodiment, this problem is solved as shown in FIGS.

図14に示すように、減速の速度切換を行うために、第1リンス部120が設けられるモジュールM6の搬送区間が、搬送方向において前段区間M6aと後段区間M6aとに2分割され、両搬送区間M6a,M6bに属するコロ170は図6に示す仕組みでそれぞれ個別の伝動機構172(6a),172(6b)を介して個別の搬送駆動部174(6a),174(6b)に接続されている。好ましくは、搬送方向において両搬送区間M6a,M6bを足し合わせた長さ、つまりモジュールM6の区間長が基板長Dとほぼ同じでよい。各搬送区間M6a,M6bの区間長Ea,Ebおよび両区間の境界の位置Hについては図15につき後に詳しく述べる。 As shown in FIG. 14, in order to switch the speed of deceleration, the transport section of the module M 6 provided with the first rinse section 120 is divided into two sections, a front section M 6a and a rear section M 6a in the transport direction. The rollers 170 belonging to both the transport sections M 6a and M 6b have the mechanism shown in FIG. 6 and are respectively transported by individual transport driving units 174 (6a) and 174 (6b) via the individual transmission mechanisms 172 (6a) and 172 (6b). It is connected to the. Preferably, the length obtained by adding both transport sections M 6a and M 6b in the transport direction, that is, the section length of the module M 6 may be substantially the same as the substrate length D. The section lengths E a and E b of the transport sections M 6a and M 6b and the boundary position H between both sections will be described in detail later with reference to FIG.

図14につき、この実施形態における減速のための速度切換制御方法を説明する。図14の(A)に示すように、搬送路112上で基板GiはモジュールM5の区間内の所定位置(液切り停止位置)P5から搬送速度V3でモジュールM6の区間に入ってくる。この時、モジュールM6の前段区間M6aおよび後段区間M6bの搬送機構は、図14の(A)に示すように、それぞれの区間M6a,M6bに入ってくる基板Giを搬送速度V3で順次迎える。こうして、基板GiはモジュールM6(M6a,M6b)の区間内にすっぽり入る切るまで搬送速度V3で移動してくる。そして、基板Giの全体がモジュールM6(M6a,M6b)の区間内にすっぽり入る切るとほぼ同時に、図14の(C)に示すように、両搬送区間M6a,M6bの搬送機構が搬送速度をそれまでの搬送速度V3から低速の搬送速度V4に同時に切り換える。一方、モジュールM7の区間では、遅くてもこの時には、あるいは定常的にこの区間内の搬送速度を搬送速度V4に保っている。こうして、モジュールM6(M6a,M6b)、M7の搬送機構により、基板GiはモジュールM6(M6a,M6b)の中から搬送速度V4でモジュールM7の区間へ送り出される。 A speed switching control method for deceleration in this embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 14A, the substrate G i enters the section of the module M6 at the transport speed V 3 from the predetermined position (liquid drain stop position) P 5 in the section of the module M 5 on the transport path 112. come. At this time, the transport mechanism of the front section M 6a and subsequent sections M 6b of the module M 6, as shown in FIG. 14 (A), the conveying speed each section M 6a, the substrate G i coming into M 6b sequentially greet at V 3. Thus, the substrate G i moves at the transport speed V 3 until it completely enters the section of the module M 6 (M 6a , M 6b ). Then, almost as soon as the entire substrate G i completely enters the section of the module M 6 (M 6a , M 6b ), as shown in FIG. 14C, the transport in both transport sections M 6a , M 6b . The mechanism simultaneously switches the conveyance speed from the previous conveyance speed V 3 to the low conveyance speed V 4 . On the other hand, in the section of the module M 7 , the transport speed in this section is kept at the transport speed V 4 at this time or regularly at the latest. Thus, the module M 6 by (M 6a, M 6b), the transport mechanism of M 7, is fed to the section of the module M 7 at the conveying speed V 4 from the substrate G i is the module M 6 (M 6a, M 6b ) .

そして、図14の(D)に示すように、基板Giの後端がモジュールM6の前段区間M6aを抜け出ると、この時点または直後に前段区間M6aの搬送速度が搬送速度V4から搬送速度V3に切り換えられる。これにより、図14の(E)に示すように、モジュールM5の区間からモジュールM6の前段区間M6aに入ってくる後続の基板Gi+1を前の基板Giに対するのと同じ搬送速度V3で迎えることができる。一方、基板Giの後端がモジュールM6の後段区間M6bを出ると、この時点または直後に後段区間M6bの搬送速度が第4搬送速度V4から第3搬送速度V3に切り換えられる。これにより、図14の(E)に示すように、モジュールM6の前段区間M6aから後段区間M6bに入ってくる後続の基板Gi+1を前の基板Giに対するのと同じ第3搬送速度V3で迎えることができる。以後も、前の基板Giに対するのと同じ動作が各部で繰り返される。 Then, as shown in FIG. 14D, when the rear end of the substrate G i exits the preceding section M 6a of the module M 6 , the transport speed of the preceding section M 6a is changed from the transport speed V 4 at this time or immediately after. The transfer speed is switched to V 3 . Thus, as shown in FIG. 14E , the subsequent substrate G i + 1 entering the preceding section M 6a of the module M 6 from the section of the module M 5 is transferred in the same manner as the previous substrate G i. it can be welcome at a speed V 3. On the other hand, when the rear end of the substrate G i exits the rear section M 6b of the module M 6 , the transport speed of the rear section M 6b is switched from the fourth transport speed V 4 to the third transport speed V 3 at this time or immediately after. . As a result, as shown in FIG. 14E , the subsequent third substrate G i + 1 entering the subsequent segment M 6b from the preceding segment M 6a of the module M6 is transferred to the same third transport as the previous substrate G i . it can be welcome at a speed V 3. Thereafter also, the same operation as for the previous substrate G i is repeated in each unit.

このように、この実施形態では、基板長Dにほぼ等しい区間長に設定されたモジュールM6の搬送区間を搬送方向において独立に速度制御の可能な前段区間M6aと後段区間M6bとに2分割し、両区間M6a,M6bの搬送速度をそれぞれ所定のタイミングで第3搬送速度V3または第4搬送速度V4のいずれかに選択的に切り換えることにより、最小限の搬送スペースで効率よくかつ追突無しに基板の搬送速度を下限移動速度Vlow以上の所望の値に減速させることができる。 As described above, in this embodiment, the transport section of the module M 6 set to a section length substantially equal to the substrate length D is divided into two sections, a front section M 6a and a rear section M 6b , in which speed control can be independently performed in the transport direction. By dividing and selectively switching the transport speeds of both sections M 6a and M 6b to either the third transport speed V 3 or the fourth transport speed V 4 at a predetermined timing, respectively, it is efficient with a minimum transport space. It is possible to reduce the substrate transport speed to a desired value that is equal to or higher than the lower limit movement speed V low well and without a collision.

このような減速の速度制御に際しては、両区間M6a,M6bのいずれか(通常は前段区間M6a)で前の基板Giを第4移動速度V4で送り出している最中に当該区間内に後続の基板Gi+1が第3移動速度V3で入ってくる、いわば同時乗り入れの事態を避ける必要がある。そのような同時乗り入れの事態が生じるときは、後続の基板Gi+1が基板前部が第4移動速度V4で搬送されると同時に基板後部が第3移動速度V3で搬送されることになり、安定したコロ搬送は行えなくなる。この実施形態では、モジュールM6における前段区間M6aと後段区間M6bとの間の境界位置Hを以下のようにして設定することにより、上記の問題を解決している。 Such upon speed control deceleration, both sections M 6a, one (usually front section M 6a) the the midst of sending a substrate G i before in the fourth moving velocity V 4 section M 6b It is necessary to avoid a situation where the subsequent substrate G i + 1 enters at the third movement speed V 3 , that is, the simultaneous loading. Such time a situation of simultaneous rode occurs such, the subsequent substrates G i + 1 is the substrate front part at the same time the substrate rear is conveyed by the fourth moving velocity V 4 is conveyed at the third traveling speed V 3 Therefore, stable roller conveyance cannot be performed. In this embodiment, the above problem is solved by setting the boundary position H between the preceding section M 6a and the succeeding section M 6b in the module M 6 as follows.

すなわち、図15に示すように、基板GiがモジュールM6の区間内にすっぽり入った状態から第4移動速度V4で移動してその基板後端がモジュールM6の前段区間M6aから出るまでに後続の基板Gi+1がまだ前段区間M6aに入ってこなければよい。この条件が成立する最も厳しい局面は、減速後の第4移動速度V4が下限移動速度Vlowにほぼ等しく、しかも減速前の第3移動速度V3が第4移動速度V4より僅かに高い場合である。この場合、基板Giの後端が第4移動速度V4で前段区間M6aから出るのと同時に、基板Gi+1の前端が最小基板間隔dを挟んで第3移動速度V3で前段区間M6aに入ってくるので、この瞬間に前段区間M6aの搬送速度を第4移動速度V4から第3移動速度V3に切り換えればよい。この時の基板Giの後端位置は、後続基板Gi+1の現在位置つまりモジュールM5の区間内の基板停止位置P5から基板Giが近似的に下限移動速度Vlowに等しい移動速度でタクトタイムTtの時間をかけて移動した時点における基板Giの後端位置として求めることができ、この位置を両区間M6a,M6bの境界位置Hと決定することができる。上記の設定例の場合、基板長D=1250mm、最小基板間隔d=20mm、タクトタイムTt=60秒、下限移動速度Vlow=36.7mm/sであるから、モジュールM6の前段区間M6aおよび後段区間M6bのそれぞれの区間長Ea,EbはEa=932mm、Eb=318mmと決定される。 That is, as shown in FIG. 15, the substrate from the rear end while the substrate G i is wholly contained within the section of the module M 6 moves in the fourth moving velocity V 4 exits from the preceding section M 6a modules M 6 It is sufficient that the subsequent substrate G i + 1 does not yet enter the preceding section M 6a . The most severe situation where this condition is satisfied is that the fourth movement speed V 4 after deceleration is substantially equal to the lower limit movement speed V low , and the third movement speed V 3 before deceleration is slightly higher than the fourth movement speed V 4. Is the case. In this case, the rear end of the substrate G i exits from the preceding section M 6a at the fourth moving speed V 4 , and at the same time, the front end of the substrate G i + 1 moves at the third moving speed V 3 across the minimum substrate interval d. Since the section M 6a is entered, at this moment, the transport speed of the preceding section M 6a may be switched from the fourth movement speed V 4 to the third movement speed V 3 . The rear end position of the substrate G i at this time is the movement of the substrate G i approximately equal to the lower limit moving speed V low from the current position of the subsequent substrate G i + 1 , that is, the substrate stop position P 5 in the section of the module M 5. It can be obtained as the rear end position of the substrate G i at the time of moving over the tact time T t by speed, and this position can be determined as the boundary position H between both sections M 6a and M 6b . In the case of the above setting example, since the substrate length D = 1250 mm, the minimum substrate distance d = 20 mm, the tact time T t = 60 seconds, and the lower limit moving speed V low = 36.7 mm / s, the preceding section M of the module M 6 The section lengths E a and E b of 6a and the rear section M 6b are determined as E a = 932 mm and E b = 318 mm.

上記した実施形態の現像ユニット(DEV)92における各部の構成は一例であり、現像液供給部、リンス部、乾燥部等の各工程処理部について種々の変形が可能である。上記した実施形態では搬送路112をコロ搬送型に構成したが、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型等に構成することも可能である。   The configuration of each unit in the development unit (DEV) 92 according to the above-described embodiment is an example, and various modifications can be made to each process processing unit such as a developer supply unit, a rinse unit, and a drying unit. In the above-described embodiment, the conveyance path 112 is configured as a roller conveyance type. However, the conveyance path 112 may be configured as a belt conveyance type in which a pair of belts are laid in a horizontal direction with a certain interval therebetween.

上記した実施形態は現像ユニットまたは現像処理装置に係るものであったが、本発明は現像処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいてはスクラバ洗浄ユニット(SCR)42の平流し装置にも適用可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。   Although the above-described embodiment relates to the development unit or the development processing apparatus, the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus other than the development processing apparatus. For example, in the coating development processing system as described above, scrubber cleaning is performed. The present invention can also be applied to a flat flow device of the unit (SCR) 42. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, and various substrates for flat panel displays, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like are also possible.

本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the application | coating development processing system which can apply this invention. 上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the thermal process part in the said application | coating development processing system. 上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence in the said application | coating development processing system. 上記塗布現像処理システムにおける現像ユニットの全体構成を示す正面図である。It is a front view which shows the whole structure of the image development unit in the said application | coating development processing system. 上記現像ユニットの全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the said developing unit. 上記現像ユニットにおける搬送機構の構成を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structure of the conveyance mechanism in the said developing unit. 上記現像ユニットにおいて1枚の基板が搬送路上を移動する軌跡を示す図である。It is a figure which shows the locus | trajectory in which the one board | substrate moves on a conveyance path in the said developing unit. 基板の搬送速度に関する第1の基本原則を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st basic principle regarding the conveyance speed of a board | substrate. 搬送路上で相前後する基板間に最小基板間隔を設定する例を示す図である。It is a figure which shows the example which sets the minimum board | substrate space | interval between the board | substrates which follow each other on a conveyance path. 基板の搬送速度に関する第2の基本原則(一時停止後の移動速度条件)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd basic principle (movement speed conditions after a temporary stop) regarding the conveyance speed of a board | substrate. 上記第2の基本原則(一時停止前の移動速度条件)を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the said 2nd basic principle (movement speed conditions before a temporary stop). 実施形態の現像ユニットにおける制御系のシステム構成を示す平面図である。It is a top view which shows the system configuration | structure of the control system in the image development unit of embodiment. 実施形態の現像ユニットにおける各種設定条件の設定例を示す図である。It is a figure which shows the example of a setting of the various setting conditions in the image development unit of embodiment. 実施形態における減速の速度切換制御を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the speed switching control of the deceleration in embodiment. 減速区間の設定方法を示す図である。It is a figure which shows the setting method of a deceleration area.

符号の説明Explanation of symbols

10 塗布現像処理システム
16(P/S) プロセスステーション
94(DEV) 現像ユニット
114 搬入部
116 導入部
118 現像部
120 第1リンス部
122 第2リンス部
124 乾燥部
126 送出部
128 搬出部
134 第1現像液供給部
136 第2現像液供給部
138 液切り/リンス部
140,146 現像液ノズル
148,154,156 リンス液ノズル
158 エアナイフ
170 コロ
172 伝動機構
174 搬送駆動部
176 搬送制御部
178 入力部
180 ホストコンピュータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Application | coating development system 16 (P / S) Process station 94 (DEV) Development unit 114 Carry-in part 116 Introduction part 118 Development part 120 1st rinse part 122 2nd rinse part 124 Drying part 126 Delivery part 128 Carry-out part 134 1st Developer supply part 136 Second developer supply part 138 Liquid draining / rinsing part 140,146 Developer nozzle 148,154,156 Rinse liquid nozzle
158 Air knife 170 Roller 172 Transmission mechanism 174 Transport drive unit 176 Transport control unit 178 Input unit 180 Host computer

Claims (12)

搬送路上で複数の被処理基板を所望のタクトタイム(Tt)で少なくとも1回の一時停止を含めて順次搬送し、搬送の途中で前記搬送路上の前記基板に現像処理を施す現像処理方法であって、
前記搬送路上の第1の停止位置で前記基板を一時停止させて前記基板に現像液を供給する現像液供給工程と、
前記搬送路上で前記第1の停止位置から搬送下流側に所定の距離だけ離れた第2の停止位置まで前記基板を第1の速度で移動させる基板搬送工程と、
前記第2の停止位置で前記基板から前記現像液を実質的に除去して現像を停止する現像停止工程と、
前記タクトタイム(Tt)と前記基板が一時停止する最大の停止時間(TS)と前記基板の搬送方向の長さサイズ(D)と搬送方向における所望の最小基板間隔(d)とに基づいて前記基板の下限移動速度(Vlow)を決定する下限移動速度決定工程と、
前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置で現像を停止するまでの現像時間(Tg)について所望の設定値を与える現像時間設定工程と、
前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置に向けての前記基板の移動を開始するまでの現像液供給時間(Ts)について所望の設定値を与える現像液供給時間設定工程と、
前記現像時間設定値(Tg)と前記現像液供給時間設定値(Ta)と前記第1の停止位置から前記第2の停止位置までの移動距離(L)とに基づいて前記第1の速度の仮設定値(VD)を求める速度仮設定値演算工程と、
前記第1の速度の仮設定値を前記下限移動速度(Vlow)と比較し、前記下限移動速度(Vlow)以上の場合に正規の設定値とする速度設定値決定工程と
を有する現像処理方法。
A development processing method of sequentially transporting a plurality of substrates to be processed on a transport path at a desired tact time (T t ), including at least one pause, and developing the substrate on the transport path in the middle of transport. There,
A developer supply step of temporarily stopping the substrate at a first stop position on the transport path and supplying the developer to the substrate;
A substrate transfer step of moving the substrate at a first speed from the first stop position to a second stop position that is a predetermined distance away from the first stop position on the transfer path;
A development stopping step of substantially stopping the development by substantially removing the developer from the substrate at the second stop position;
Based on the takt time (T t ), the maximum stop time (T s ) during which the substrate is temporarily stopped, the length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate interval (d) in the transport direction. A lower limit moving speed determining step for determining a lower limit moving speed (V low ) of the substrate;
Development giving a desired set value for the development time (T g ) from the start of supply of the developer to the substrate at the first stop position on the transport path until development is stopped at the second stop position A time setting process;
Developer supply time (T s ) from the start of the supply of the developer to the substrate at the first stop position on the transport path to the start of the movement of the substrate toward the second stop position A developer supply time setting step for giving a desired set value for,
Based on the development time setting value (T g ), the developer supply time setting value (T a ), and the moving distance (L) from the first stop position to the second stop position, A temporary speed setting value calculating step for obtaining a temporary speed setting value (V D );
A speed setting value determining step for comparing the first temporarily set value of the first speed with the lower limit moving speed (V low ) and setting a normal set value when the lower limit moving speed (V low ) is exceeded; Method.
前記下限移動速度(Vlow)が下記の式(1)で求められる請求項1に記載の現像処理方法。
low=(D+d)/(Tt−Ts) ‥‥‥(1)
The development processing method according to claim 1, wherein the lower limit moving speed (V low ) is obtained by the following formula (1).
V low = (D + d) / (T t −T s ) (1)
前記第1の速度の仮設定値(VD)が下記の式(2)で求められる請求項1または請求項2に記載の現像処理方法。
D=L/(TD−Ta) ‥‥‥(2)
The development processing method according to claim 1, wherein the temporary setting value (V D ) of the first speed is obtained by the following formula (2).
V D = L / (T D −T a ) (2)
前記現像液供給工程が、前記第1の停止位置で停止中の前記基板に対して、前記搬送路に沿って所定の速度で移動する第1のノズルより現像液を供給する工程を含む請求項1〜3のいずれか一項に記載の現像処理方法。   The developer supplying step includes a step of supplying a developer from a first nozzle that moves at a predetermined speed along the transport path to the substrate that is stopped at the first stop position. The development processing method as described in any one of 1-3. 前記現像停止工程が、前記第2の停止位置で前記基板を傾斜させて前記基板から前記現像液を重力で流し落とす基板傾斜工程を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の現像処理方法。   5. The development processing according to claim 1, wherein the development stopping step includes a substrate tilting step of tilting the substrate at the second stop position and causing the developer to flow off from the substrate by gravity. Method. 前記現像停止工程が、前記第2の停止位置で停止中の前記基板に対して、前記搬送路に沿って所定の速度で移動する第2のノズルよりリンス液を供給する工程を含む請求項1〜5のいずれか一項に記載の現像処理方法。   2. The development stopping step includes a step of supplying a rinsing liquid from a second nozzle that moves at a predetermined speed along the transport path to the substrate that is stopped at the second stop position. The development processing method as described in any one of -5. 被処理基板をほぼ水平に載せて搬送するための搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路と、
前記搬送路上で前記基板を移動させるために前記搬送体を駆動する搬送駆動手段と、
所定のタクトタイム(Tt)で前記搬送路上に前記基板を搬入する基板搬入部と、
前記搬送路上の第1の停止位置で前記基板を一時停止させて前記基板に現像液を供給する現像液供給部と、
前記搬送路上で前記第1の停止位置から搬送下流側に所定の距離だけ離れた第2の停止位置まで前記基板を第1の速度で移動させる基板搬送部と、
前記第2の停止位置で前記基板から前記現像液を実質的に除去して現像を停止する現像停止部と、
前記搬送路上から処理済みの前記基板を搬出する基板搬出部と、
前記搬送路上に設定された1つまたは複数の停止位置で前記基板をそれぞれ所定の停止時間だけ一時停止させる停止手段と、
前記タクトタイム(Tt)と前記基板が停止する最大の停止時間(TS)と前記基板の搬送方向の長さサイズ(D)と搬送方向における所望の最小基板間隔(d)とに基づいて前記基板の下限移動速度(Vlow)を求める下限移動速度演算手段と、
前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置で現像を停止するまでの現像時間(Tg)について所望の設定値を与える現像時間設定手段と、
前記搬送路上の前記第1の停止位置で前記基板に対する現像液の供給を開始してから前記第2の停止位置に向けての前記基板の移動を開始するまでの現像液供給時間(Ts)について所望の設定値を与える現像液供給時間設定手段と、
前記現像時間設定値(Tg)と前記現像液供給時間設定値(Ta)と前記第1の停止位置から前記第2の停止位置までの移動距離(L)とに基づいて前記第1の速度の仮設定値(VD)を求める速度仮設定値演算手段と、
前記第1の速度の仮設定値を前記下限移動速度(Vlow)と比較し、前記下限移動速度(Vlow)以上の場合に正規の設定値とする速度設定値決定手段と
を有する現像処理装置。
A transport path formed by horizontally laying a transport body for transporting the substrate to be processed substantially horizontally;
Transport driving means for driving the transport body to move the substrate on the transport path;
A substrate carry-in section for carrying the substrate onto the transfer path at a predetermined tact time (T t );
A developer supply unit that temporarily stops the substrate at a first stop position on the transport path and supplies the developer to the substrate;
A substrate transport section that moves the substrate at a first speed from the first stop position to a second stop position that is a predetermined distance away from the first stop position on the transport path;
A development stop unit that stops the development by substantially removing the developer from the substrate at the second stop position;
A substrate unloading section for unloading the processed substrate from the transport path;
Stop means for temporarily stopping the substrate for a predetermined stop time at one or a plurality of stop positions set on the transport path;
Based on the tact time (T t ), the maximum stop time (T S ) for stopping the substrate, the length size (D) in the transport direction of the substrate, and the desired minimum substrate interval (d) in the transport direction. A lower limit moving speed calculating means for obtaining a lower limit moving speed (V low ) of the substrate;
Development giving a desired set value for the development time (T g ) from the start of supply of the developer to the substrate at the first stop position on the transport path until development is stopped at the second stop position Time setting means;
Developer supply time (T s ) from the start of the supply of the developer to the substrate at the first stop position on the transport path to the start of the movement of the substrate toward the second stop position A developer supply time setting means for giving a desired set value with respect to
Based on the development time setting value (T g ), the developer supply time setting value (T a ), and the moving distance (L) from the first stop position to the second stop position, A temporary speed setting value calculating means for obtaining a temporary speed setting value (V D );
Development processing comprising: a speed setting value determining unit that compares the temporary setting value of the first speed with the lower limit moving speed (V low ) and sets a normal setting value when the lower limit moving speed (V low ) is exceeded. apparatus.
前記下限移動速度演算手段が下記の式(3)を演算して前記下限移動速度(Vlow)を求める請求項7に記載の現像処理装置。
low=(D+d)/(Tt−Ts) ‥‥‥(3)
The developing processing apparatus according to claim 7, wherein the lower limit moving speed calculating means calculates the following expression (3) to obtain the lower limit moving speed (V low ).
V low = (D + d) / (T t −T s ) (3)
前記速度仮設定値演算手段が下記の式(4)を演算して前記第1の速度の仮設定値(VD)を求める請求項7または請求項8に記載の現像処理装置。
D=L/(TD−Ta) ‥‥‥(4)
The development processing apparatus according to claim 7 or 8, wherein the speed temporary set value calculation means calculates the following expression (4) to obtain a temporary set value (V D ) of the first speed.
V D = L / (T D −T a ) (4)
前記現像液供給部が、前記第1の停止位置で停止中の前記基板に対して、前記搬送路に沿って所定の速度で移動しながら現像液を供給する第1のノズルを有する請求項7〜9のいずれか一項に記載の現像処理装置。   8. The developer supply unit includes a first nozzle that supplies the developer while moving at a predetermined speed along the transport path with respect to the substrate stopped at the first stop position. The development processing apparatus as described in any one of -9. 前記現像停止部が、前記第2の停止位置で前記基板を傾斜させて前記基板から前記現像液を重力で流し落とす基板傾斜手段を有する請求項7〜10のいずれか一項に記載の現像処理装置。   The development processing according to any one of claims 7 to 10, wherein the development stopping unit includes a substrate tilting unit that tilts the substrate at the second stop position and causes the developer to flow down from the substrate by gravity. apparatus. 前記現像停止部が、前記第2の停止位置で停止中の前記基板に対して、前記搬送路に沿って所定の速度で移動しながらリンス液を供給する第2のノズルを有する請求項7〜11のいずれか一項に記載の現像処理装置。   The development stop portion has a second nozzle that supplies a rinsing liquid while moving at a predetermined speed along the transport path to the substrate stopped at the second stop position. The development processing apparatus according to claim 11.
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