JP2007190374A - Toy block set and its management method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a block and its management method expected to encourage the growth of an infant by facilitating to update and change an assemble procedure manual. <P>SOLUTION: This toy block set incorporates wireless chips in blocks and has a function allowing a storage box storing the blocks to acquire information inside the wireless chips, a function capable of sending the acquired information via Internet, and a function capable of displaying the information received via Internet. This constitution can highly efficiently manage the blocks to easily update the assemble procedure manual. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、無線通信可能なブロックを有する玩具用ブロックセット及びその管理方法に関する。 The present invention relates to a toy block set having a block capable of wireless communication and a management method thereof.

近年、幼児の知育に高い関心が寄せられており、幼児の脳の発達を促すと考えられる様々な知育玩具が開発され発売されている。特に玩具用ブロック(以下、ブロックと記す。)や積み木は、空間の認識能力やものを創り出す能力を養うのに役立つと考えられ、また手を動かすことにより脳の発達を促すと考えられる。 In recent years, there has been a great interest in infant intellectual education, and various educational toys that are thought to promote infant brain development have been developed and put on the market. In particular, toy blocks (hereinafter referred to as “blocks”) and blocks are thought to be useful for cultivating the ability to recognize spaces and create things, and are thought to promote brain development by moving hands.

このような幼児の知育を目的としたブロックは多数存在する(例えば、特許文献1、2参照)。 There are many blocks for the purpose of intellectual education of such infants (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

また学習支援システムとして、漢字の構成要素を表示したブロック部材に表示した漢字構成要素を特定するための識別コードを記憶したRFIDタグを装着したものが提案されている(特許文献3参照)。
特開2000−288260号公報 実公平6−49350号公報 特開2002−215012号公報
In addition, a learning support system has been proposed in which an RFID tag storing an identification code for specifying a Chinese character component displayed on a block member displaying a Chinese character component is mounted (see Patent Document 3).
JP 2000-288260 A Japanese Utility Model Publication No. 6-49350 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-2115012

幼児は、何かの形を模倣することで空間認識力や創造力を養うと考えられており、実際に作られたもの(例えば、自動車、電車、飛行機など)を見ることや、複数個のブロックが一組になったブロックセットを購入した際に付属されている組み立て手順書を見ることで、ブロックを組み立てる。 Infants are thought to cultivate spatial awareness and creativity by imitating some form of shape, such as seeing what is actually made (for example, cars, trains, airplanes, etc.) Assemble the block by looking at the assembly instructions that come with the purchase of the block set.

既存のブロックセットに付属されている手順書は、紙に印刷されており、ブロックの開発元で新たな組み立て手順書を作成したとしても容易に更新されることはない。 The procedure manual attached to the existing block set is printed on paper, and even if a new assembly procedure manual is created by the block developer, it is not easily updated.

また、幼児の発育に合わせてブロックセットを追加購入した場合、追加購入したブロックセットの組み立て手順書では、以前に購入したブロックセットのブロックを用いて組み立てることができない。 Further, when a block set is additionally purchased in accordance with the growth of the infant, the assembly procedure manual for the additionally purchased block set cannot be assembled using the blocks of the previously purchased block set.

そこで本発明は、組み立て手順書の変更を容易にし、幼児の発達をより促すことが期待できるブロックとその管理方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a block that can be easily changed in the assembly procedure manual and can be expected to further promote the development of an infant and a management method thereof.

上記課題を鑑み、ブロックに無線チップを内蔵させ、前記無線チップを内蔵したブロックを多数収納できる機能と、収納した無線チップ内の情報を取得できる機能と、取得した情報を、インターネットを介して送ることのできる機能と、インターネットを介して受け取った情報を表示できる機能とを有した収納箱を設けることにより、ブロックを効率的に管理し、組み立て手順書を容易に更新することができる。 In view of the above problems, a wireless chip is incorporated in a block, a function capable of storing a large number of blocks incorporating the wireless chip, a function capable of acquiring information in the stored wireless chip, and sending the acquired information via the Internet By providing a storage box having a function capable of displaying the information received via the Internet, the block can be efficiently managed and the assembly procedure manual can be easily updated.

本発明の一形態は、無線チップを有するブロック及び該ブロックの収納箱を有し、前記収納箱は前記ブロックを収納する機能を有し、前記収納箱は前記無線チップの情報を取得する機能を有し、前記収納箱はインターネットを介して、前記取得した情報を通信する機能を有し、前記収納箱は、前記インターネットを介して受信した情報を表示する表示部を有することを特徴とする玩具用ブロックセットである。 One embodiment of the present invention includes a block having a wireless chip and a storage box for the block, the storage box having a function of storing the block, and the storage box having a function of acquiring information of the wireless chip. And the storage box has a function of communicating the acquired information via the Internet, and the storage box has a display unit for displaying the information received via the Internet. It is a block set for.

上記構成の本発明において、前記ブロックには、前記無線チップが貼り付けられていることが好ましい。 In the present invention having the above configuration, it is preferable that the wireless chip is attached to the block.

上記構成の本発明において、前記無線チップは、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタを有することが好ましい。 In the present invention having the above structure, the wireless chip preferably includes a thin film transistor formed over an insulating substrate.

上記構成の本発明において、前記絶縁基板はフィルム基板であることが好ましい。 In the present invention configured as described above, the insulating substrate is preferably a film substrate.

本発明の別形態は、ブロックに内蔵された無線チップと、収納箱により構成される玩具用ブロックセットの管理方法であって、前記無線チップは、共振回路と、電力生成回路と、クロック生成回路と、復調回路と、読み出し回路と、認証レジスタと、符号化回路と、変調回路と、を有し、前記共振回路は、前記収納箱から受信した電波にて交流信号を発生し、前記電力生成回路は、前記交流信号から電力を生成し、前記クロック生成回路は、前記交流信号からクロック信号を生成し、前記復調回路は、前記交流信号を復調して前記読み出し回路へ復調データを送信し、前記読み出し回路は、前記復調データが有する認証番号読み出し命令を前記認証レジスタへ送信し、前記認証レジスタは、前記認証番号読み出し命令により前記符号化回路に前記無線チップに固有の認証番号を送信し、前記符号化回路は、前記認証番号を符号化した認証信号を前記変調回路に送信し、前記変調回路は、前記認証信号を変調した変調データを前記共振回路に送信することでブロックを管理することを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法である。 Another embodiment of the present invention is a method for managing a toy block set including a wireless chip incorporated in a block and a storage box, wherein the wireless chip includes a resonance circuit, a power generation circuit, and a clock generation circuit. And a demodulation circuit, a readout circuit, an authentication register, an encoding circuit, and a modulation circuit, and the resonance circuit generates an AC signal by radio waves received from the storage box, and generates the power A circuit generates power from the AC signal, the clock generation circuit generates a clock signal from the AC signal, and the demodulation circuit demodulates the AC signal and transmits demodulated data to the readout circuit; The read circuit transmits an authentication number read command included in the demodulated data to the authentication register, and the authentication register transmits the authentication number read command to the encoding circuit. An authentication number unique to the wireless chip is transmitted, the encoding circuit transmits an authentication signal encoding the authentication number to the modulation circuit, and the modulation circuit transmits the modulation data obtained by modulating the authentication signal. A block management method for toys, characterized in that blocks are managed by transmission to a resonance circuit.

上記構成の本発明において、前記収納箱はブロックの収納部と、前記ブロックの組み立て手順を表示する表示部と、前記収納箱を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は前記無線チップと前記認証信号を送受信することができるリーダ部を有することが好ましい。 In the present invention configured as described above, the storage box includes a block storage unit, a display unit that displays an assembly procedure of the block, and a control device that controls the storage box, and the control device includes the wireless chip. It is preferable to have a reader unit that can transmit and receive the authentication signal.

上記構成の本発明において、前記制御装置は、インターネット経由で組み立て手順を受信して更新することが好ましい。 In the present invention configured as described above, it is preferable that the control device receives and updates an assembly procedure via the Internet.

なお、本発明において、半導体装置とは、半導体素子を有する装置をいう。 Note that in the present invention, a semiconductor device refers to a device having a semiconductor element.

なお、本発明において、無線チップとは、無線通信可能な半導体装置をいう。 Note that in the present invention, a wireless chip refers to a semiconductor device capable of wireless communication.

本発明のブロックセット(玩具用ブロックセットともよぶ)は、少なくとも2つのブロックと、収納箱を有する。2つのブロックは、それぞれ、無線チップを有する。無線チップは、認証番号が記憶された記憶部(認証レジスタともよぶ)を有する。収納箱は、無線チップの認証番号を取得するリーダ部と、インターネットを介して、サーバーから無線チップの認証番号を送信し、サーバーから手順書(組み立て手順ともよぶ)を受信するインターフェース部と、手順書を記憶する記憶部と、手順書を表示する表示部と、を有することを特徴とする。 The block set of the present invention (also referred to as a toy block set) has at least two blocks and a storage box. Each of the two blocks has a wireless chip. The wireless chip includes a storage unit (also referred to as an authentication register) in which an authentication number is stored. The storage box includes a reader unit that acquires a wireless chip authentication number, an interface unit that transmits the wireless chip authentication number from the server and receives a procedure manual (also referred to as an assembly procedure) from the server, and a procedure. And a display unit for displaying a procedure manual.

本発明のブロックセット(玩具用ブロックセットともよぶ)の管理方法は、収納箱が含むリーダ部により、ブロックが含む無線チップの認証番号を取得する工程と、収納箱が含むインターフェース部により、インターネットを介して、サーバーから無線チップの認証番号を送信し、サーバーから手順書を受信する工程と、収納箱が含む表示部により手順書を表示する工程を含むことを特徴とする。 The management method of the block set (also referred to as toy block set) according to the present invention includes the step of obtaining the authentication number of the wireless chip included in the block by the reader unit included in the storage box, and the interface unit included in the storage box. And the step of transmitting the authentication number of the wireless chip from the server and receiving the procedure manual from the server, and the step of displaying the procedure manual by the display unit included in the storage box.

本発明のブロックセット(玩具用ブロックセットともよぶ)の管理方法は、収納箱が含むリーダ部により、前記ブロックが含む無線チップの認証番号を取得する工程と、収納箱が含むインターフェース部により、インターネットを介して、サーバーから無線チップの認証番号を送信し、サーバーから第1の手順書を受信する工程と、収納箱が含む記憶部に、第1の手順書が記憶される工程と、収納箱が含む表示部により第1の手順書を表示する工程と、インターフェース部により、インターネットを介して、サーバーに無線チップの認証番号を送信し、サーバーから第2の手順書を受信する工程と、記憶部に第2の手順書が記憶される工程と、表示部により第2の手順書を表示する工程とを含むことを特徴とする。 The management method of the block set (also referred to as a toy block set) according to the present invention includes a step of obtaining an authentication number of a wireless chip included in the block by a reader unit included in the storage box, and an interface unit included in the storage box. The step of transmitting the wireless chip authentication number from the server and receiving the first procedure manual from the server, the step of storing the first procedure manual in the storage unit included in the storage box, and the storage box A step of displaying the first procedure manual by the display unit included, a step of transmitting the authentication number of the wireless chip to the server via the Internet by the interface unit, and receiving the second procedure manual from the server, and storage And a step of storing the second procedure manual in the unit and a step of displaying the second procedure manual on the display unit.

本発明によれば、ブロックに無線チップを内蔵させることにより、ブロックを効率的に管理し、幼児の発育に合わせ、より高度な組み立て手順書に容易に更新することができ、幼児の脳の発達を促すことが期待できる。
である。
According to the present invention, by incorporating a wireless chip in the block, the block can be efficiently managed, and can be easily updated to a more advanced assembly procedure according to the infant's development, and the infant's brain development Can be expected.
It is.

以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。尚、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態1)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes, and those skilled in the art can easily understand that the modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Is done. Therefore, the present invention is not construed as being limited to the description of this embodiment mode. Note that in all the drawings for describing the embodiments, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference numerals, and repetitive description thereof is omitted.
(Embodiment 1)

本実施の形態では、本発明の無線チップを内蔵したブロックの構成例と、内蔵されている無線チップの構成例について説明する。また本実施の形態では、ブロックを管理し組み立て手順を取り込む収納箱の構成例、及び、組み立て手順の取り込み方法例について説明する。 In this embodiment mode, a configuration example of a block incorporating a wireless chip of the present invention and a configuration example of a built-in wireless chip will be described. In the present embodiment, a configuration example of a storage box that manages blocks and takes in an assembly procedure, and an example of a method for taking in an assembly procedure will be described.

本実施の形態の無線チップを内蔵したブロックの構成について、図1を用いて説明する。ブロック100は、無線チップ200を有する。無線チップ200は、ブロック100の完成後にブロック100の一部を除去して貼り付け、又は埋め込む等して作り込めばよい。また無線チップ200をブロック100に内蔵するように、ブロック100の製造過程で作り込んでもよい。図1には、無線チップ200を埋め込んだブロック100を示す。 A structure of a block incorporating the wireless chip of this embodiment is described with reference to FIG. The block 100 includes a wireless chip 200. The wireless chip 200 may be formed by removing and pasting or embedding a part of the block 100 after the block 100 is completed. Further, the wireless chip 200 may be built in the manufacturing process of the block 100 such that the wireless chip 200 is built in the block 100. FIG. 1 shows a block 100 in which a wireless chip 200 is embedded.

尚、図1には無線チップ200を内蔵した直方体状の白色のブロック100を記載している。しかし、無線チップを内蔵したブロックは様々な形状、色が考えられる。本発明のブロックは特定の形状や色に限定されない。 In FIG. 1, a rectangular parallelepiped white block 100 incorporating a wireless chip 200 is illustrated. However, various shapes and colors are conceivable for the block incorporating the wireless chip. The block of the present invention is not limited to a specific shape or color.

次に、本実施の形態の無線チップの構成について、図2を用いて説明する。無線チップ200は、アンテナと共振容量を有する共振回路201と、電力生成回路202と、クロック生成回路203と、復調回路204と、変調回路205と、読み出し回路206と、符号化回路207と、認証レジスタ208と、を有する。認証レジスタはIDレジスタとも呼ばれる。 Next, the structure of the wireless chip of this embodiment is described with reference to FIG. The wireless chip 200 includes a resonance circuit 201 having an antenna and a resonance capacitor, a power generation circuit 202, a clock generation circuit 203, a demodulation circuit 204, a modulation circuit 205, a readout circuit 206, an encoding circuit 207, and an authentication. And a register 208. The authentication register is also called an ID register.

共振回路201は収納箱300からの電波を受信し、アンテナ両端に交流信号を発生することができる回路である。発生した交流信号は、収納箱300からの情報を含んでいる。更には、該交流信号は無線チップ200の電力源にもなりうる。また、共振回路201は、アンテナを介し電波にて、変調データを収納箱300に送信することができる回路である。 The resonance circuit 201 is a circuit that can receive radio waves from the storage box 300 and generate AC signals at both ends of the antenna. The generated AC signal includes information from the storage box 300. Further, the AC signal can also be a power source for the wireless chip 200. The resonance circuit 201 is a circuit that can transmit modulation data to the storage box 300 by radio waves via an antenna.

電力生成回路202は、共振回路201に発生した交流信号を整流回路(ダイオードを含む。)で整流し、容量を用いて平滑化することで、電力を生成し、各回路へ供給することができる回路である。つまり、電力生成回路202は、整流回路を有する。 The power generation circuit 202 can rectify an alternating current signal generated in the resonance circuit 201 by a rectifier circuit (including a diode) and smooth it using a capacitor, thereby generating power and supplying it to each circuit. Circuit. That is, the power generation circuit 202 includes a rectifier circuit.

クロック生成回路203は、共振回路201に発生した交流信号を基に、クロック信号を生成し、各回路へ供給することができる回路である。 The clock generation circuit 203 is a circuit that can generate a clock signal based on the AC signal generated in the resonance circuit 201 and supply the clock signal to each circuit.

復調回路204は、共振回路201に発生した交流信号を復調し、読み出し回路206へ復調データを送ることができる回路である。 The demodulation circuit 204 is a circuit that can demodulate an AC signal generated in the resonance circuit 201 and send demodulated data to the reading circuit 206.

読み出し回路206は、送られてきた復調データから読み出し命令情報を抽出し、認証レジスタ208へ認証番号読み出し命令を出すことができる回路である。 The read circuit 206 is a circuit that can extract read command information from the received demodulated data and issue an authentication number read command to the authentication register 208.

認証レジスタ208は、無線チップ製造時に各無線チップ固有の認証番号が作り込まれるメモリを有しており、読み出し回路206から認証番号読み出し命令が届くと、符号化回路207へ認証番号を送ることができる回路である。メモリには、SRAM、フラッシュメモリ、不揮発性メモリ、ROMまたはFeRAM等や、有機材料が一対の電極間に挟持された有機メモリ等を適用することができる。つまり、本発明は、無線チップの認証番号が記憶されるメモリとして、情報が作り込まれるメモリに限定されない。 The authentication register 208 includes a memory in which an authentication number unique to each wireless chip is created when the wireless chip is manufactured. When an authentication number read command is received from the reading circuit 206, the authentication register 208 is sent to the encoding circuit 207. It is a circuit that can. As the memory, an SRAM, a flash memory, a nonvolatile memory, a ROM, an FeRAM, or the like, an organic memory in which an organic material is sandwiched between a pair of electrodes, or the like can be used. That is, the present invention is not limited to a memory in which information is created as a memory in which an authentication number of a wireless chip is stored.

尚、本実施の形態の全ての認証情報は、ブロック開発元で管理されており、ブロック開発元は、固有の認証番号を持った無線チップとその無線チップを作り込んだブロックの形状と色を対応できるようにしている。ここで管理方法の例について、図3を用いて説明する。図3は認証情報を管理する表を示しており、認証番号700とブロックの形状1及び色1、認証番号701とブロックの形状2及び色2、等を対応させて管理することができる。 Note that all authentication information in this embodiment is managed by the block developer, and the block developer specifies the shape and color of the wireless chip having a unique authentication number and the block in which the wireless chip is built. I am trying to respond. Here, an example of the management method will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a table for managing authentication information. Authentication number 700 and block shape 1 and color 1, authentication number 701 and block shape 2 and color 2, and the like can be managed in association with each other.

認証情報とは、無線チップの認証番号700と、ブロックの形状の情報と、ブロックの色の情報等を含むものである。上記の形態では、無線チップに認証番号が記憶される形態を示したが、本発明はこれに限定されない。無線チップには、認証情報が記憶されていてもよい。 The authentication information includes an authentication number 700 of the wireless chip, block shape information, block color information, and the like. In the above embodiment, the authentication chip is stored in the wireless chip. However, the present invention is not limited to this. Authentication information may be stored in the wireless chip.

符号化回路207は、認証レジスタ208から認証番号が送られると、認証番号を符号化した信号を生成し、符号化した信号を変調回路205に出力することができる回路である。 When the authentication number is sent from the authentication register 208, the encoding circuit 207 is a circuit that can generate a signal in which the authentication number is encoded and output the encoded signal to the modulation circuit 205.

変調回路205は、符号化信号を変調し、変調データを共振回路201に出力することができる回路である。 The modulation circuit 205 is a circuit that can modulate the encoded signal and output the modulated data to the resonance circuit 201.

次に、本実施の形態の収納箱の構成について、図4を用いて説明する。収納箱300は、数多くのブロックを収納するための十分大きな容積を持つ収納部301と、本収納箱に収納されるブロックを用いて構成される構造物の組み立て手順を表示する表示部302と、収納箱300を制御する制御装置303と、ID取得ボタン306と、送信ボタン307と、を有する。 Next, the structure of the storage box of this embodiment will be described with reference to FIG. The storage box 300 includes a storage unit 301 having a sufficiently large capacity for storing a large number of blocks, a display unit 302 for displaying an assembly procedure of a structure configured using the blocks stored in the main storage box, A control device 303 that controls the storage box 300, an ID acquisition button 306, and a transmission button 307 are provided.

次に、本実施の形態の制御装置303の構成について、図5を用いて説明する。制御装置303は、リーダ部304と、入出力インタフェース部305と、ネットワークインタフェース部308と、メモリ部309と、本体制御部310と、を有する。 Next, the structure of the control apparatus 303 of this Embodiment is demonstrated using FIG. The control device 303 includes a reader unit 304, an input / output interface unit 305, a network interface unit 308, a memory unit 309, and a main body control unit 310.

以下に、制御装置303の有している各部の機能を示す。 Below, the function of each part which the control apparatus 303 has is shown.

メモリ部309は、本体制御部310によって実行されるプログラムを格納するプログラム格納領域311と、各ブロックの無線チップの認証番号を格納する認証番号格納領域312と、組み立て手順データを格納する組み立て手順格納領域313と、を有している。メモリ部309には、SRAM、フラッシュメモリ、不揮発性メモリ、ROMまたはFeRAM等や、有機材料が一対の電極間に挟持された有機メモリ等を適用することができる。特に、電源を供給しなくとも、格納されているデータが消失しない、不揮発性メモリを適用することが好ましい。 The memory unit 309 includes a program storage area 311 for storing a program executed by the main body control unit 310, an authentication number storage area 312 for storing the authentication number of the wireless chip of each block, and an assembly procedure storage for storing assembly procedure data. A region 313. As the memory portion 309, an SRAM, a flash memory, a nonvolatile memory, a ROM, an FeRAM, or the like, an organic memory in which an organic material is sandwiched between a pair of electrodes, or the like can be used. In particular, it is preferable to apply a nonvolatile memory in which stored data is not lost even if power is not supplied.

なお、認証番号格納領域312には、認証番号、形状及び色などの情報を含む認証情報が記憶されてもよい。 The authentication number storage area 312 may store authentication information including information such as an authentication number, shape, and color.

リーダ部304は、本体制御部310からの命令により、収納箱300に収納された各ブロックの無線チップの認証番号を取得するために、電波を送信する機能を有している。またリーダ部304は、各ブロックから送信された無線チップの認証番号を受信しメモリ部309の認証番号格納領域312に格納する機能を有している。 The reader unit 304 has a function of transmitting radio waves in order to acquire the authentication number of the wireless chip of each block stored in the storage box 300 according to a command from the main body control unit 310. The reader unit 304 has a function of receiving the authentication number of the wireless chip transmitted from each block and storing it in the authentication number storage area 312 of the memory unit 309.

リーダ部304は、共振回路を有する。共振回路は、アンテナと共振容量を有する。共振回路は、ブロックの無線チップからの電波を受信する。 The reader unit 304 has a resonance circuit. The resonant circuit has an antenna and a resonant capacitance. The resonant circuit receives radio waves from the wireless chip of the block.

入出力インタフェース部305は、ID取得ボタン及び送信ボタンが押下されたことを信号として受け付け、本体制御部310に知らせる機能を有している。また入出力インタフェース部305は、本体制御部310からの命令により、メモリ部309の組み立て手順格納領域313に格納された組み立て手順データを表示部302に表示する機能を有している。 The input / output interface unit 305 has a function of receiving, as a signal, that the ID acquisition button and the transmission button have been pressed and notifying the main body control unit 310. The input / output interface unit 305 has a function of displaying the assembly procedure data stored in the assembly procedure storage area 313 of the memory unit 309 on the display unit 302 in accordance with a command from the main body control unit 310.

ネットワークインタフェース部308は、本体制御部310からの命令により、メモリ部309の認証番号格納領域312に格納された各ブロックの無線チップの認証番号をインターネット経由でブロックの開発元サーバに送信する機能を有している。またネットワークインタフェース部308は、開発元サーバから送信されてきた新しい組み立て手順データをメモリ部309の組み立て手順格納領域313に格納する機能を有している。 The network interface unit 308 has a function of transmitting the authentication number of the wireless chip of each block stored in the authentication number storage area 312 of the memory unit 309 to the block development server via the Internet according to a command from the main body control unit 310. Have. The network interface unit 308 has a function of storing new assembly procedure data transmitted from the developer server in the assembly procedure storage area 313 of the memory unit 309.

本体制御部310は、メモリ部309のプログラム格納領域311からプログラムを読み出し、各部に命令を出す機能を有している。 The main body control unit 310 has a function of reading a program from the program storage area 311 of the memory unit 309 and issuing a command to each unit.

次に、組み立て手順の取り込み方法について示す。尚、以下の組み立て手順の取り込みは、メモリ部309のプログラム格納領域311に格納されているプログラムが本体制御部310によって実行されることにより行われる。 Next, a method for taking in the assembly procedure will be described. The following assembly procedure is taken in by the main body control unit 310 executing a program stored in the program storage area 311 of the memory unit 309.

先ず、本実施の形態において、ブロックの管理に必要となる無線チップの認証番号を収納箱300が取得するまでの無線チップの一連の動作について、図6を用いて説明する。 First, in this embodiment, a series of operations of the wireless chip until the storage box 300 acquires the authentication number of the wireless chip necessary for block management will be described with reference to FIG.

S100の「待機」状態は、無線チップ200が収納箱300のリーダ部304からの電波を待っており、何の動作もしていないことを示す。リーダ部304からの電波を受信しなければ、「待機」状態を保つ。リーダ部304から電波を受信したならば、S101の「電波受信」状態に遷移する。 The “standby” state in S100 indicates that the wireless chip 200 is waiting for a radio wave from the reader unit 304 of the storage box 300 and is not performing any operation. If the radio wave from the reader unit 304 is not received, the “standby” state is maintained. If a radio wave is received from the reader unit 304, the state transits to the “radio wave reception” state in S101.

S101の「電波受信」状態は、無線チップ200がリーダ部304から電波を受信し、共振回路201が、受信した電波を基に交流信号を発生し、電力生成回路202が、発生した交流信号を基に各回路で消費する電力を生成し、各回路に生成した電力を供給し、クロック生成回路203が、発生した交流信号を基に各回路が同期動作するためのクロック信号を生成し、各回路に生成したクロック信号を供給し、復調回路204が、共振回路201で発生した交流信号を復調し、復調データを生成し、読み出し回路206が、復調データから読み出し命令情報を抽出し、認証レジスタ208に抽出した認証情報読み出し命令を送っていることを示す。この後、S102の「電波送信」状態に遷移する。 In the “radio wave reception” state of S101, the wireless chip 200 receives radio waves from the reader unit 304, the resonance circuit 201 generates an AC signal based on the received radio waves, and the power generation circuit 202 outputs the generated AC signal. Based on the generated AC signal, the clock generation circuit 203 generates a clock signal for each circuit to operate synchronously, and generates power consumed by each circuit based on the generated AC signal. The generated clock signal is supplied to the circuit, the demodulating circuit 204 demodulates the AC signal generated by the resonant circuit 201, generates demodulated data, the reading circuit 206 extracts the read command information from the demodulated data, and the authentication register 208 indicates that the extracted authentication information read command is being sent. Thereafter, the state transits to the “radio wave transmission” state of S102.

S102の「電波送信」状態は、無線チップ200の認証レジスタ208が認証情報読み出し命令を受けた後、無線チップ200の認証番号を符号化回路207へ送り、符号化回路207が、認証番号を符号化した信号を生成し、変調回路205が、符号化された信号を変調し、共振回路201がアンテナを介して電波にて変調されたデータをリーダに送信することを示す。この後、S100の「待機」状態に戻り、次の電波を待つ。 In the “radio wave transmission” state of S102, after the authentication register 208 of the wireless chip 200 receives the authentication information read command, the authentication number of the wireless chip 200 is sent to the encoding circuit 207. This indicates that the modulated signal is generated, the modulation circuit 205 modulates the encoded signal, and the resonance circuit 201 transmits data modulated by radio waves to the reader via the antenna. Thereafter, the process returns to the “standby” state of S100 and waits for the next radio wave.

以上により、収納箱300のリーダ部304が、各ブロックの無線チップ200の認証番号を受信し、収納箱300が各ブロックの無線チップ200の認証番号を取得することができる。 As described above, the reader unit 304 of the storage box 300 can receive the authentication number of the wireless chip 200 of each block, and the storage box 300 can acquire the authentication number of the wireless chip 200 of each block.

以下に、本実施の形態において、収納箱300に組み立て手順が格納されていない場合に、最初に収納箱300に組み立て手順を取り込む方法について、図7を用いて説明する。 Below, in this Embodiment, when the assembly procedure is not stored in the storage box 300, the method of taking in an assembly procedure in the storage box 300 first is demonstrated using FIG.

S200の「立ち上げ」状態は、収納箱300に電源が供給され、メモリ部309のプログラム格納領域311に格納されているプログラムが本体制御部310によって実行され始めたことを示す。「立ち上げ」状態は、その後、S201の「表示」状態に遷移する。 The “start-up” state in S200 indicates that power is supplied to the storage box 300 and that the program stored in the program storage area 311 of the memory unit 309 has started to be executed by the main body control unit 310. The “start-up” state then transitions to the “display” state in S201.

S201の「表示」状態は、収納箱300に組み立て手順が格納されていない場合、最初の「表示」状態に至ると、表示部302に組み立て手順がない旨の文が表示される。「表示」状態は、その後、S202の「待機」状態に遷移する。 In the “display” state of S201, when the assembly procedure is not stored in the storage box 300, when the first “display” state is reached, a message indicating that there is no assembly procedure is displayed on the display unit 302. The “display” state then transitions to the “standby” state in S202.

S202の「待機」状態は、ID取得ボタンが押下されることを、収納箱300が待っていることを示す。尚、表示部302は、S201で表示されているものから変化しない。ID取得ボタンが押下されなければ、「待機」状態を保つ。ID取得ボタンが押下されたならば、S203の「ID取得」状態に遷移する。 The “standby” state in S202 indicates that the storage box 300 is waiting for the ID acquisition button to be pressed. The display unit 302 does not change from that displayed in S201. If the ID acquisition button is not pressed, the “standby” state is maintained. If the ID acquisition button is pressed, the process proceeds to the “ID acquisition” state of S203.

S203の「ID取得」状態は、リーダ部304により収納箱に収納されている各ブロックの無線チップ200の認証番号が取得され、メモリ部309の認証番号格納領域314に格納されることを示す。格納が終了したならば、S204の「送信待ち」状態に遷移する。 The “ID acquisition” state in S203 indicates that the authentication number of the wireless chip 200 of each block stored in the storage box is acquired by the reader unit 304 and stored in the authentication number storage area 314 of the memory unit 309. When the storage is completed, the process transits to the “waiting for transmission” state in S204.

S204の「送信待ち」状態は、表示部302に各ブロックの無線チップ200の認証番号を開発元サーバに送る旨の文が表示され、送信ボタンが押下されることを待っていることを示す。送信ボタンが押下されなければ、「送信待ち」状態を保つ。送信ボタンが押下されたならば、S205の「送信」状態に遷移する。 The “waiting to send” state in S204 indicates that a message that the authentication number of the wireless chip 200 of each block is sent to the developer server is displayed on the display unit 302, and that the send button is pressed. If the transmission button is not pressed, the “transmission waiting” state is maintained. If the transmission button is pressed, the process transits to the “transmission” state in S205.

S205の「送信」状態は、ネットワークインタフェース部308を介して、インターネット経由で無線チップ200の認証番号を開発元サーバに送信していることを示す。送信が終了したならば、S206の「受信」状態に遷移する。 The “transmission” state in S205 indicates that the authentication number of the wireless chip 200 is transmitted to the developer server via the Internet via the network interface unit 308. When the transmission is completed, the process transits to the “reception” state in S206.

S206の「受信」状態は、制御装置303がインターネット経由で開発元サーバから組み立て手順のデータの受信を行っていることを示し、受信したデータをメモリ部309の組み立て手順格納領域313に格納していることを示す。格納が終了したならば、S201の「表示」状態に遷移し、取り込まれた組み立て手順が表示される。 The “reception” state in S206 indicates that the control device 303 is receiving data of the assembly procedure from the developer server via the Internet, and stores the received data in the assembly procedure storage area 313 of the memory unit 309. Indicates that When the storage is completed, the process transits to the “display” state in S201, and the fetched assembly procedure is displayed.

尚、最初に組み立て手順を取り込んだ後、収納箱に電源を供給し、S201の「表示」状態に至ったとき、表示部302にはメモリ部309の組み立て手順格納領域313に格納されている最初に取り込んだ組み立て手順データに基づいて、組み立て手順が表示される。 Incidentally, after the assembly procedure is first taken in, when the power is supplied to the storage box and the “display” state of S201 is reached, the display unit 302 stores the first stored in the assembly procedure storage area 313 of the memory unit 309. The assembly procedure is displayed based on the assembly procedure data fetched in.

また、新たに組み立て手順データを取り込む場合は、新しく取り込んだ組み立て手順データが、メモリ部309の組み立て手順格納領域313に上書き格納される。そのため、収納箱に電源を供給する場合は、常に新しく更新された手順が表示部に表示される。 In addition, when newly assembling procedure data is fetched, the newly fetched assembling procedure data is overwritten and stored in the assembling procedure storage area 313 of the memory unit 309. Therefore, when power is supplied to the storage box, a newly updated procedure is always displayed on the display unit.

なお、新しく取り込んだ組み立て手順データは、メモリ部309の組み立て手順格納領域313に、上書き格納されなくてもよい。メモリ部309の組み立て手順格納領域313には、以前に取り込んだ組み立て手順データと、新しく取り込んだ組み立て手順データが記憶されていてもよい。 The newly taken assembly procedure data may not be overwritten and stored in the assembly procedure storage area 313 of the memory unit 309. The assembly procedure storage area 313 of the memory unit 309 may store previously acquired assembly procedure data and newly imported assembly procedure data.

本実施の形態においては、以上のように組み立て手順の更新がなされる。 In the present embodiment, the assembly procedure is updated as described above.

無線チップを内蔵したブロックを追加した場合、現存のブロックと共に追加したブロックを収納箱に収納し、前記組み立て手順を取り込む方法で新たな組み立て手順を取り込むことにより、現存のブロックと追加したブロックとを使用する組み立て手順に更新することができる。 When a block containing a wireless chip is added, the added block is stored together with the existing block in the storage box, and the new assembly procedure is imported by the method of incorporating the assembly procedure. It can be updated to the assembly procedure used.

本実施の形態では、最初に組み立て手順を取り込む形態を説明したが、工場集荷時に初めから組み立て手順データが格納されていてもよい。 In the present embodiment, the configuration in which the assembly procedure is first taken in has been described. However, the assembly procedure data may be stored from the beginning at the time of factory collection.

以上により、本実施の形態によれば、ブロックに無線チップを内蔵させることにより、ブロックを効率的に管理し、組み立て手順を容易に更新することができる。
(実施の形態2)
As described above, according to the present embodiment, by incorporating a wireless chip in a block, the block can be efficiently managed and the assembly procedure can be easily updated.
(Embodiment 2)

本実施の形態では、ブロックに貼り付ける無線チップの作製方法について説明する。 In this embodiment, a method for manufacturing a wireless chip attached to a block will be described.

図8(A)には、絶縁表面を有する基板(絶縁基板600)上に、剥離層601、絶縁層602、半導体膜603を順に形成する。絶縁基板600には、ガラス基板、石英基板、珪素からなる基板、金属基板、プラスチック基板等を用いることができる。また絶縁基板600は研磨することによって薄型化してもよい。薄型化された絶縁基板を用いることによって、完成品を軽量化、薄型化することができる。 In FIG. 8A, a peeling layer 601, an insulating layer 602, and a semiconductor film 603 are formed in this order over a substrate having an insulating surface (insulating substrate 600). As the insulating substrate 600, a glass substrate, a quartz substrate, a substrate made of silicon, a metal substrate, a plastic substrate, or the like can be used. The insulating substrate 600 may be thinned by polishing. By using a thin insulating substrate, the finished product can be reduced in weight and thickness.

剥離層601には、W、Ti、Ta、Mo、Nb、Nd、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Siから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料から形成することができる。剥離層は、上記元素等の単層構造、又は上記元素等の積層構造を用いることができる。このような剥離層はCVD法、スパッタリング法または電子ビーム等によって形成することができる。本実施の形態では、WをCVD法により形成する。このとき、O、N又はNOを用いてプラズマで処理を行うとよい。すると、後の工程である剥離工程を簡便に行うことができる。剥離層601は、単層構造又は積層構造を用いることができる。また剥離層601は、絶縁基板全体に形成する必要はなく、選択的に形成しても良い。すなわち、剥離層601は、後に絶縁基板600を剥離することができればよく、剥離層を形成する領域は限定されない。 The peeling layer 601 is mainly composed of an element selected from W, Ti, Ta, Mo, Nb, Nd, Ni, Co, Zr, Zn, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, and Si. It can be formed from an alloy material or a compound material. For the separation layer, a single-layer structure of the above elements or a stacked structure of the above elements can be used. Such a release layer can be formed by a CVD method, a sputtering method, an electron beam, or the like. In this embodiment, W is formed by a CVD method. At this time, the treatment may be performed with plasma using O 2 , N 2, or N 2 O. Then, the peeling process which is a subsequent process can be easily performed. The separation layer 601 can have a single-layer structure or a stacked structure. The peeling layer 601 is not necessarily formed over the entire insulating substrate, and may be selectively formed. That is, the peeling layer 601 only needs to be able to peel off the insulating substrate 600 later, and the region where the peeling layer is formed is not limited.

絶縁層602には、酸化珪素、窒化珪素等の無機材料を用いることができる。絶縁層602は、単層構造又は積層構造を用いることができる。窒化珪素を用いることにより、絶縁基板からの不純物元素の侵入を防止することができる。このような窒化珪素は、積層構造を有する場合、いずれか一にあることによって、効果を発揮する。 For the insulating layer 602, an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride can be used. The insulating layer 602 can have a single-layer structure or a stacked structure. By using silicon nitride, entry of an impurity element from the insulating substrate can be prevented. When such a silicon nitride has a laminated structure, it has an effect by being in any one.

半導体膜603には、シリコンを有する材料を用いることができる。半導体膜はCVD法、又はスパッタリング法を用いて形成することができる。半導体膜603の結晶構造は、非晶質、結晶質、微結晶のいずれであってもよい。結晶性が高いほど、薄膜トランジスタの移動度を高くすることができ、好ましい。また微結晶や非晶質では、隣接する半導体膜間での結晶状態のばらつきがなく、好ましい。 For the semiconductor film 603, a material containing silicon can be used. The semiconductor film can be formed by a CVD method or a sputtering method. The crystal structure of the semiconductor film 603 may be amorphous, crystalline, or microcrystalline. Higher crystallinity is preferable because the mobility of the thin film transistor can be increased. In addition, microcrystalline or amorphous is preferable because there is no variation in crystal state between adjacent semiconductor films.

結晶質の半導体膜を形成するためには、絶縁層602に直接形成する場合もあるが、絶縁層602上に形成された非晶質半導体膜を加熱することにより作製される。例えば、非晶質半導体膜に対して加熱炉、レーザ照射を用いて加熱する。その結果、結晶質の高い半導体膜を形成することができる。このとき、加熱温度を低くするため、結晶化を促進する金属元素を用いてもよい。例えば、ニッケル(Ni)を非晶質半導体膜表面上に添加し、加熱処理を行うことによって、温度を低下させることができる。その結果、耐熱性の低い絶縁基板上に結晶質半導体膜を形成することができる。なおレーザ照射を用いる場合、選択的に半導体膜を加熱することができるため、加熱温度は使用する絶縁基板の耐熱性に制約されない。 In order to form a crystalline semiconductor film, it may be formed directly on the insulating layer 602, but it is manufactured by heating an amorphous semiconductor film formed on the insulating layer 602. For example, the amorphous semiconductor film is heated using a heating furnace or laser irradiation. As a result, a highly crystalline semiconductor film can be formed. At this time, a metal element that promotes crystallization may be used to lower the heating temperature. For example, the temperature can be lowered by adding nickel (Ni) to the surface of the amorphous semiconductor film and performing heat treatment. As a result, a crystalline semiconductor film can be formed over an insulating substrate with low heat resistance. Note that when laser irradiation is used, the semiconductor film can be selectively heated; therefore, the heating temperature is not limited by the heat resistance of the insulating substrate to be used.

図8(B)に示すように、半導体膜603を所定の形状を有するように加工する。加工には、フォトリソグラフィー法によって形成されたマスクを用いたエッチングを用いることができる。エッチングには、ドライエッチング法又はウエットエッチング法を用いることができる。 As shown in FIG. 8B, the semiconductor film 603 is processed to have a predetermined shape. For the processing, etching using a mask formed by a photolithography method can be used. For the etching, a dry etching method or a wet etching method can be used.

加工された半導体膜を覆うように、ゲート絶縁膜604として機能する絶縁層を形成する。ゲート絶縁膜604は、無機材料を用いて形成することができ、例えば、窒化珪素、酸化珪素を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜604の形成前、または形成後にプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理には、酸素プラズマ、又は水素プラズマを用いることができる。このようなプラズマ処理により、ゲート絶縁膜被形成面、又はゲート絶縁膜表面の不純物を除去することができる。 An insulating layer functioning as the gate insulating film 604 is formed so as to cover the processed semiconductor film. The gate insulating film 604 can be formed using an inorganic material, for example, silicon nitride or silicon oxide. Plasma treatment may be performed before or after the gate insulating film 604 is formed. For the plasma treatment, oxygen plasma or hydrogen plasma can be used. By such plasma treatment, impurities on the gate insulating film formation surface or the gate insulating film surface can be removed.

その後、ゲート絶縁膜604を介して、半導体膜上にゲート電極605として機能する導電層を形成する。ゲート電極605は、単層構造、又は積層構造を有することができる。ゲート電極605には、チタン(Ti)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ネオジウム(Nd)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、インジウム(In)から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いることができる。 After that, a conductive layer functioning as the gate electrode 605 is formed over the semiconductor film with the gate insulating film 604 interposed therebetween. The gate electrode 605 can have a single-layer structure or a stacked structure. The gate electrode 605 includes titanium (Ti), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), neodymium (Nd), cobalt (Co), zirconium (Zr), zinc (Zn), ruthenium (Ru). , Rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt), aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), indium (In) Or an alloy material or a compound material containing the element as a main component can be used.

図8(C)に示すように、ゲート電極605側面にサイドウォール607として機能する絶縁物を形成する。サイドウォール607は、無機材料又は有機材料を用いて形成することができる。無機材料として、酸化珪素、窒化珪素が挙げられる。例えば、酸化珪素をゲート電極605を覆うように形成し、等方性のエッチングを行うと、ゲート電極605の側面にのみ残存し、これをサイドウォールとして用いることができる。等方性のエッチングには、ドライエッチング法又はウエットエッチング法を用いることができる。サイドウォール607を加工するとき、ゲート絶縁膜604もエッチング除去される。その結果、半導体膜の一部が露出される。 As shown in FIG. 8C, an insulator functioning as a sidewall 607 is formed on the side surface of the gate electrode 605. The sidewall 607 can be formed using an inorganic material or an organic material. Examples of the inorganic material include silicon oxide and silicon nitride. For example, when silicon oxide is formed so as to cover the gate electrode 605 and isotropic etching is performed, it remains only on the side surface of the gate electrode 605 and can be used as a sidewall. A dry etching method or a wet etching method can be used for the isotropic etching. When the sidewall 607 is processed, the gate insulating film 604 is also removed by etching. As a result, a part of the semiconductor film is exposed.

サイドウォール607及びゲート電極605を用いて、自己整合的に不純物元素を半導体膜へ添加する。その結果、異なる濃度を有する不純物領域が半導体膜に形成される。すなわち、サイドウォール607の下方に設けられた低濃度不純物領域609と、露出された半導体膜に形成された高濃度不純物領域608が形成される。このように不純物濃度の異なる領域を有することによって、短チャネル効果を防止することができる。 An impurity element is added to the semiconductor film in a self-aligning manner using the sidewall 607 and the gate electrode 605. As a result, impurity regions having different concentrations are formed in the semiconductor film. That is, a low concentration impurity region 609 provided below the sidewall 607 and a high concentration impurity region 608 formed in the exposed semiconductor film are formed. By having regions with different impurity concentrations in this way, the short channel effect can be prevented.

図8(D)に示すように、半導体膜、ゲート電極等を覆って絶縁層611、612を形成する。半導体膜、ゲート電極等を覆う絶縁層は、単層構造を用いてもよいが、本実施の形態のように積層構造とすると好ましい。なぜなら、絶縁層611を無機材料を用いて形成することにより不純物の侵入を防止でき、またCVD法を用いた無機材料を適用することによって、絶縁層611中の水素を用いて半導体膜中のダングリングボンドを終端させることができるからである。その後、絶縁層612を有機材料によって形成することにより、平坦性を高めることができる。有機材料はポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテンを用いることができる。その他、シロキサン、又はポリシラザンを用いることができる。なお、シロキサンとは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えばアルキル基、芳香族炭化水素)が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。ポリシラザンは、珪素(Si)と窒素(N)の結合を有するポリマー材料を出発原料として形成される。 As shown in FIG. 8D, insulating layers 611 and 612 are formed so as to cover the semiconductor film, the gate electrode, and the like. The insulating layer covering the semiconductor film, the gate electrode, or the like may have a single layer structure, but preferably has a stacked structure as in this embodiment mode. This is because impurities can be prevented from entering by forming the insulating layer 611 using an inorganic material, and by using an inorganic material using a CVD method, dang in a semiconductor film can be formed using hydrogen in the insulating layer 611. This is because the ring bond can be terminated. After that, the insulating layer 612 is formed using an organic material, whereby planarity can be improved. As the organic material, polyimide, acrylic, polyamide, polyimide amide, resist, or benzocyclobutene can be used. In addition, siloxane or polysilazane can be used. Note that siloxane has a skeleton structure of a bond of silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group or an aromatic hydrocarbon) is used. A fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as a substituent. Polysilazane is formed using a polymer material having a bond of silicon (Si) and nitrogen (N) as a starting material.

その後、絶縁層611、612、ゲート絶縁膜604を貫通し、不純物領域608と接続する配線613を形成する。配線613は、単層構造、又は積層構造を用いることができ、チタン(Ti)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ネオジウム(Nd)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、インジウム(In)から選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料を用いて形成することができる。配線613と同時に、絶縁層612上にその他の配線を形成することができる。その他の配線とは、引き回し配線等に相当する。 After that, a wiring 613 that penetrates the insulating layers 611 and 612 and the gate insulating film 604 and is connected to the impurity region 608 is formed. The wiring 613 can have a single-layer structure or a stacked structure. Titanium (Ti), tungsten (W), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), neodymium (Nd), cobalt (Co), zirconium (Zr) ), Zinc (Zn), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt), aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag) ), Copper (Cu), indium (In), or an alloy material containing the element as a main component. At the same time as the wiring 613, another wiring can be formed over the insulating layer 612. The other wiring corresponds to a routing wiring or the like.

このようにしてTFT615(Thin Film Transistor。薄膜トランジスタ。以下、TFTという。)、及びTFT群616を形成することができる。TFT群とは、一定の機能を奏する回路を構成するTFTの集まりを指す。 In this manner, a TFT 615 (Thin Film Transistor; a thin film transistor; hereinafter referred to as a TFT) and a TFT group 616 can be formed. A TFT group refers to a collection of TFTs that constitute a circuit having a certain function.

図9(A)に示すように、絶縁層612上に絶縁層620を形成する。絶縁層620は絶縁層611、612と同様に無機材料、又は有機材料等を用いて形成することができる。絶縁層620に開口部を形成し、配線621を形成する。配線621は、配線613と同様に形成することができる。配線621は、絶縁層620に設けられた開口部を介して、領域622で配線613と電気的に接続している。領域622では、後に形成されるメモリ素子の共通電極を接地することができる。また配線621と同一層から、パッド623が形成される。パッド623は、絶縁層620に設けられた開口部を介して、領域624で配線613と電気的に接続している。 As illustrated in FIG. 9A, the insulating layer 620 is formed over the insulating layer 612. The insulating layer 620 can be formed using an inorganic material, an organic material, or the like similarly to the insulating layers 611 and 612. An opening is formed in the insulating layer 620 and a wiring 621 is formed. The wiring 621 can be formed in a manner similar to that of the wiring 613. The wiring 621 is electrically connected to the wiring 613 in the region 622 through an opening provided in the insulating layer 620. In the region 622, a common electrode of a memory element to be formed later can be grounded. A pad 623 is formed from the same layer as the wiring 621. The pad 623 is electrically connected to the wiring 613 in the region 624 through an opening provided in the insulating layer 620.

図9(B)に示すように、絶縁層620上に絶縁層630を形成する。絶縁層630は、絶縁層611、612と同様に無機材料、又は有機材料を用いて形成することができる。そして、絶縁層630に開口部を設ける。開口部の側面は、傾斜を有するように絶縁層630を加工する。 As illustrated in FIG. 9B, the insulating layer 630 is formed over the insulating layer 620. The insulating layer 630 can be formed using an inorganic material or an organic material similarly to the insulating layers 611 and 612. Then, an opening is provided in the insulating layer 630. The insulating layer 630 is processed so that the side surface of the opening has an inclination.

TFT615上に設けられた開口部に、有機化合物層631を形成する。有機化合物層631は、蒸着法、スパッタリング法により形成することができる。このような有機化合物層は、公知のエレクトロルミネッセンス材料から形成することができる。その後、有機化合物層631、絶縁層630の一部を覆って、配線632が形成される。配線632は、配線621と同様に形成することができる。配線632が形成される領域は、メモリ領域及びコンタクト領域となる。配線632は、メモリ素子の共通電極となる。 An organic compound layer 631 is formed in an opening provided on the TFT 615. The organic compound layer 631 can be formed by an evaporation method or a sputtering method. Such an organic compound layer can be formed from a known electroluminescent material. After that, a wiring 632 is formed so as to cover part of the organic compound layer 631 and the insulating layer 630. The wiring 632 can be formed in a manner similar to that of the wiring 621. A region where the wiring 632 is formed becomes a memory region and a contact region. The wiring 632 serves as a common electrode of the memory element.

図9(C)に示すように、アンテナ640を形成する。このとき、パッド623に対して熱圧着して、アンテナ640を電気的に接続する。このようにして、引き回し配線等が形成される配線領域644、メモリ素子が形成されるメモリ領域642、TFT群を有し、特定の機能を有する回路が形成される集積回路領域643、パッド領域645、コンタクト領域646を有する無線チップが形成される。そして、パッド領域とメモリ領域とは、ある程度に離れて設けられているとよい。その結果、パッド領域におけるアンテナ圧着時に、メモリ領域が応力の影響を受けることなく、データの書き込みを行うことができる。尚、ここで示した集積回路領域643の集積回路は、実施の形態1で示した無線チップ200の有する回路のうち、共振回路201のアンテナと認証レジスタ208のメモリを除いた部分を指す。 As shown in FIG. 9C, an antenna 640 is formed. At this time, the antenna 640 is electrically connected to the pad 623 by thermocompression bonding. In this manner, a wiring region 644 where a lead-out wiring or the like is formed, a memory region 642 where a memory element is formed, an integrated circuit region 643 where a circuit having a specific function is provided, and a pad region 645. A wireless chip having a contact region 646 is formed. The pad area and the memory area may be provided apart from each other to some extent. As a result, data can be written without the memory area being affected by stress when the antenna is crimped in the pad area. Note that the integrated circuit in the integrated circuit region 643 shown here indicates a portion of the circuit included in the wireless chip 200 described in Embodiment 1 except for the antenna of the resonance circuit 201 and the memory of the authentication register 208.

またアンテナ圧着は、絶縁基板の柔軟性が低い状態で行うとよい。そのため、本実施の形態では、アンテナ圧着後、薄膜トランジスタをフィルム基板に転置する形態を示す。 The antenna crimping is preferably performed in a state where the flexibility of the insulating substrate is low. Therefore, in this embodiment mode, a mode in which a thin film transistor is transferred to a film substrate after antenna crimping is shown.

図10(A)に示すように、剥離層601を除去することにより、絶縁基板600を剥離する。剥離層601は、物理的又は化学的に除去することができる。例えば、半導体膜への加熱処理等により、剥離層601の結晶構造も変化させることができる。その後、剥離層601の一部が露出するよう開口部を設け、露出した剥離層601にレーザ光を照射する。剥離層601にレーザ光を照射することによって、剥離のきっかけを与えることができる。すると、物理的に絶縁基板と、薄膜トランジスタ等を剥離させることもできる。更には、膜の応力により特段力を加えることなく、絶縁基板から薄膜トランジスタ等が自然に剥がれることもある。または、剥離層601へ到達する開口部を形成し、開口部を介してエッチング剤を導入し、化学反応を利用して剥離層601を除去することができる。 As shown in FIG. 10A, the insulating substrate 600 is peeled by removing the peeling layer 601. The release layer 601 can be removed physically or chemically. For example, the crystal structure of the separation layer 601 can be changed by heat treatment of the semiconductor film or the like. After that, an opening is provided so that a part of the peeling layer 601 is exposed, and the exposed peeling layer 601 is irradiated with laser light. By irradiating the peeling layer 601 with laser light, a trigger for peeling can be given. Then, the insulating substrate and the thin film transistor can be physically peeled off. Furthermore, a thin film transistor or the like may be peeled off naturally from the insulating substrate without applying a special force due to the stress of the film. Alternatively, an opening reaching the peeling layer 601 can be formed, an etching agent can be introduced through the opening, and the peeling layer 601 can be removed using a chemical reaction.

その後図10(B)に示すように、フィルム基板650を貼り合わせる。フィルム基板650の表面に接着性を有する場合、そのまま貼り合わせることができる。また接着性がない場合、接着剤を介してフィルム基板650を貼り合わせることができる。 Thereafter, as shown in FIG. 10B, a film substrate 650 is attached. When the surface of the film substrate 650 has adhesiveness, it can be bonded as it is. When there is no adhesiveness, the film substrate 650 can be bonded through an adhesive.

そして、フィルム基板に薄膜トランジスタ等が転置された無線チップを形成することができる。このような無線チップは、メモリ領域が一体形成された上、軽量化、薄型化が図られており、ブロックに貼り付けることが容易となる。 Then, a wireless chip in which a thin film transistor or the like is transferred to the film substrate can be formed. In such a wireless chip, a memory region is integrally formed, and the weight and thickness are reduced, so that the wireless chip can be easily attached to a block.

また、剥離層601を除去した後、接着剤を介してブロックに貼り付けても良い。こうすることにより、無線チップを内蔵したブロックの製造工程短縮、コスト削減を図ることができる。
(実施の形態3)
Further, after removing the release layer 601, it may be attached to the block with an adhesive. By doing so, it is possible to shorten the manufacturing process and cost of the block incorporating the wireless chip.
(Embodiment 3)

本実施の形態では、上記実施の形態と異なり、ガラス基板上に形成された無線チップの作製方法について説明する。 In this embodiment, unlike the above embodiment, a method for manufacturing a wireless chip formed over a glass substrate will be described.

上記実施の形態では剥離層601を形成し、これを剥離することによってフィルム基板に薄膜トランジスタを転置する無線チップの作製方法を説明した。しかしながら、本発明の無線チップは、ガラス基板上に直接形成することができる。 In the above embodiment mode, a method for manufacturing a wireless chip in which the peeling layer 601 is formed and the thin film transistor is transferred to the film substrate by peeling the peeling layer 601 has been described. However, the wireless chip of the present invention can be formed directly on a glass substrate.

ガラス基板上に形成された無線チップは、最上面に保護膜として窒化珪素膜を形成するとよい。 A wireless chip formed over a glass substrate is preferably formed using a silicon nitride film as a protective film on the top surface.

また薄型化を望む場合、ガラス基板を研磨してもよい。例えば、ガラス基板の薄膜トランジスタが形成されない面を、CMP法等によって研磨する。その結果、無線チップにおいて、一般に最も厚みを有するガラス基板の薄型化を達成でき、無線チップ全体の薄型化を図ることができる。 Further, when it is desired to reduce the thickness, the glass substrate may be polished. For example, the surface of the glass substrate on which the thin film transistor is not formed is polished by a CMP method or the like. As a result, in the wireless chip, it is possible to reduce the thickness of the glass substrate that is generally the thickest, and to reduce the thickness of the entire wireless chip.

このようにガラス基板上に無線チップを作製できるのは、薄膜トランジスタが有する結晶質半導体膜の作製工程において、結晶化を助長する金属元素や、レーザ照射を用いたことによって低温での結晶化が可能となったこと、又はガラスへの加熱を防止できたことによる。
(実施の形態4)
Wireless chips can be manufactured on a glass substrate in this way because it is possible to crystallize at low temperatures by using metal elements that promote crystallization and laser irradiation in the manufacturing process of crystalline semiconductor films of thin film transistors. This is because it was possible to prevent the glass from being heated.
(Embodiment 4)

本実施の形態では、コイル状のアンテナを有する無線チップの構成について説明する。 In this embodiment, a structure of a wireless chip having a coiled antenna is described.

図11(A)には、コイル状のアンテナを有する無線チップの上面図を示す。無線チップ200は、フィルム基板650の中心部にメモリ領域642、集積回路領域643を有し、これらを囲むようにコイル状のアンテナ648が設けられている。コイル状のアンテナとは、矩形状に設けられたアンテナであり、4つ以上の角を有する。またこのようなアンテナは、中心から外側へ向かって、直径が増すようにコイル状に巻かれた状態を有する。 FIG. 11A is a top view of a wireless chip having a coiled antenna. The wireless chip 200 includes a memory region 642 and an integrated circuit region 643 in the center of the film substrate 650, and a coiled antenna 648 is provided so as to surround them. The coiled antenna is an antenna provided in a rectangular shape and has four or more corners. Such an antenna has a state of being wound in a coil shape so that its diameter increases from the center toward the outside.

そして、アンテナ648の先端には、共振回路201の共振容量と接続するためのパッド623が設けられているとよい。コイル状のアンテナ圧着時における応力の影響を受けることなく、データの書き込みを行うことができるからである。 A pad 623 for connecting to the resonance capacitor of the resonance circuit 201 is preferably provided at the tip of the antenna 648. This is because data can be written without being affected by the stress when the coiled antenna is crimped.

本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。例えば絶縁基板からフィルム基板650へ薄膜トランジスタを転置することによって無線チップを形成することができる。 This embodiment can be freely combined with any of the other embodiments. For example, a wireless chip can be formed by transferring a thin film transistor from an insulating substrate to a film substrate 650.

図11(B)には、このような無線チップのA−Bにおける断面図を示す。A−Bの断面図において、無線チップは、アンテナ648を両側に有し、一方のアンテナ648から順にコンタクト領域646、メモリ領域642、集積回路領域643、パッド領域645が設けられている。 FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line AB of such a wireless chip. In the cross-sectional view taken along the line AB, the wireless chip has antennas 648 on both sides, and a contact region 646, a memory region 642, an integrated circuit region 643, and a pad region 645 are provided in order from one antenna 648.

フィルム基板650上には、上記実施の形態と同様に絶縁層602を介してTFT615、TFT群616等が設けられている。TFT615上には、メモリ素子633が形成されており、メモリ素子633を区分けするための絶縁層630がメモリ領域642、集積回路領域643に渡って設けられている。 A TFT 615, a TFT group 616, and the like are provided over the film substrate 650 with an insulating layer 602 interposed therebetween as in the above embodiment. A memory element 633 is formed over the TFT 615, and an insulating layer 630 for partitioning the memory element 633 is provided over the memory region 642 and the integrated circuit region 643.

絶縁層に開口部を設け、パッド623が形成され、パッドに圧着するようにアンテナ640が設けられている。 An opening is provided in the insulating layer, a pad 623 is formed, and an antenna 640 is provided so as to be pressure-bonded to the pad.

本発明のブロックを示した図である。It is the figure which showed the block of this invention. 本発明のブロックが含む無線チップの構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the wireless chip which the block of this invention contains. 認証情報の管理表を示した図である。It is the figure which showed the management table of authentication information. 本発明の収納箱を示した図である。It is the figure which showed the storage box of this invention. 本発明の収納箱が含む制御装置を示した図である。It is the figure which showed the control apparatus which the storage box of this invention contains. 本発明のフローチャートを示した図である。It is the figure which showed the flowchart of this invention. 本発明のフローチャートを示した図である。It is the figure which showed the flowchart of this invention. 本発明のブロックが含む無線チップの作成方法を示した図である。It is the figure which showed the production method of the radio | wireless chip which the block of this invention contains. 本発明のブロックが含む無線チップの作成方法を示した図である。It is the figure which showed the production method of the radio | wireless chip which the block of this invention contains. 本発明のブロックが含む無線チップの作成方法を示した図である。It is the figure which showed the production method of the radio | wireless chip which the block of this invention contains. 本発明のブロックが含む無線チップの上面図と断面図を示した図The figure which showed the top view and sectional drawing of the wireless chip which the block of this invention contains

符号の説明Explanation of symbols

100 ブロック
200 無線チップ
201 共振回路
202 電力生成回路
203 クロック生成回路
204 復調回路
205 変調回路
206 読み出し回路
207 符号化回路
208 認証レジスタ
300 収納箱
301 収納部
302 表示部
303 制御装置
304 リーダ部
305 入出力インタフェース部
306 ID取得ボタン
307 送信ボタン
308 ネットワークインタフェース部
309 メモリ部
310 本体制御部
311 プログラム格納領域
312 認証番号格納領域
313 手順格納領域
314 認証番号格納領域
600 絶縁基板
601 剥離層
602 絶縁層
603 半導体膜
604 ゲート絶縁膜
605 ゲート電極
607 サイドウォール
608 不純物領域
609 不純物領域
611 絶縁層
612 絶縁層
613 配線
615 TFT
616 TFT群
620 絶縁層
621 配線
622 領域
623 パッド
624 領域
630 絶縁層
631 有機化合物層
632 配線
633 メモリ素子
640 アンテナ
642 メモリ領域
643 集積回路領域
644 配線領域
645 パッド領域
646 コンタクト領域
648 アンテナ
650 フィルム基板
700 認証番号
701 認証番号
100 block 200 wireless chip 201 resonance circuit 202 power generation circuit 203 clock generation circuit 204 demodulation circuit 205 modulation circuit 206 readout circuit 207 encoding circuit 208 authentication register 300 storage box 301 storage unit 302 display unit 303 control unit 304 reader unit 305 input / output Interface unit 306 ID acquisition button 307 Send button 308 Network interface unit 309 Memory unit 310 Main body control unit 311 Program storage area 312 Authentication number storage area 313 Procedure storage area 314 Authentication number storage area 600 Insulating substrate 601 Release layer 602 Insulating layer 603 Semiconductor film 604 Gate insulating film 605 Gate electrode 607 Side wall 608 Impurity region 609 Impurity region 611 Insulating layer 612 Insulating layer 613 Wiring 615 TFT
616 TFT group 620 Insulating layer 621 Wiring 622 region 623 Pad 624 region 630 Insulating layer 631 Organic compound layer 632 Wiring 633 Memory element 640 Antenna 642 Memory region 643 Integrated circuit region 644 Wiring region 645 Pad region 646 Contact region 648 Antenna 650 Film substrate 700 Certification number 701 Certification number

Claims (7)

無線チップを有するブロック及び該ブロックの収納箱を有し、
前記収納箱は前記ブロックを収納する機能を有し、
前記収納箱は前記無線チップの情報を取得する機能を有し、
前記収納箱はインターネットを介して、前記取得した情報を通信する機能を有し、
前記収納箱は、前記インターネットを介して受信した情報を表示する表示部を有することを特徴とする玩具用ブロックセット。
A block having a wireless chip and a storage box for the block;
The storage box has a function of storing the block,
The storage box has a function of acquiring information of the wireless chip,
The storage box has a function of communicating the acquired information via the Internet,
The toy block set, wherein the storage box has a display unit for displaying information received via the Internet.
請求項1において、
前記ブロックには、前記無線チップが貼り付けられていることを特徴とする玩具用ブロックセット。
In claim 1,
The toy block set, wherein the wireless chip is attached to the block.
請求項1又は請求項2において、
前記無線チップは、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタを有することを特徴とする玩具用ブロックセット。
In claim 1 or claim 2,
The toy block set, wherein the wireless chip includes a thin film transistor formed on an insulating substrate.
請求項3において、
前記絶縁基板はフィルム基板であることを特徴とする玩具用ブロックセット。
In claim 3,
The toy block set, wherein the insulating substrate is a film substrate.
ブロックに内蔵された無線チップと、収納箱により構成される玩具用ブロックセットの管理方法であって、
前記無線チップは、共振回路と、電力生成回路と、クロック生成回路と、復調回路と、読み出し回路と、認証レジスタと、符号化回路と、変調回路と、を有し、
前記共振回路は、前記収納箱から受信した電波にて交流信号を発生し、
前記電力生成回路は、前記交流信号から電力を生成し、
前記クロック生成回路は、前記交流信号からクロック信号を生成し、
前記復調回路は、前記交流信号を復調して前記読み出し回路へ復調データを送信し、
前記読み出し回路は、前記復調データが有する認証番号読み出し命令を前記認証レジスタへ送信し、
前記認証レジスタは、前記認証番号読み出し命令により前記符号化回路に前記無線チップに固有の認証番号を送信し、
前記符号化回路は、前記認証番号を符号化した認証信号を前記変調回路に送信し、
前記変調回路は、前記認証信号を変調した変調データを前記共振回路に送信することでブロックを管理することを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法。
A management method for a toy block set comprising a wireless chip built into a block and a storage box,
The wireless chip includes a resonance circuit, a power generation circuit, a clock generation circuit, a demodulation circuit, a readout circuit, an authentication register, an encoding circuit, and a modulation circuit,
The resonant circuit generates an AC signal with radio waves received from the storage box,
The power generation circuit generates power from the AC signal,
The clock generation circuit generates a clock signal from the AC signal,
The demodulation circuit demodulates the AC signal and transmits demodulated data to the readout circuit,
The read circuit transmits an authentication number read command included in the demodulated data to the authentication register,
The authentication register transmits an authentication number unique to the wireless chip to the encoding circuit by the authentication number read command,
The encoding circuit transmits an authentication signal encoding the authentication number to the modulation circuit,
The toy block set management method, wherein the modulation circuit manages the block by transmitting modulation data obtained by modulating the authentication signal to the resonance circuit.
請求項5において、
前記収納箱はブロックの収納部と、前記ブロックの組み立て手順を表示する表示部と、前記収納箱を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置は前記無線チップと前記認証信号を送受信することができるリーダ部を有することを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法。
In claim 5,
The storage box includes a block storage unit, a display unit that displays an assembly procedure of the block, and a control device that controls the storage box,
The control device includes a reader unit that can transmit and receive the authentication signal to and from the wireless chip.
請求項6において、
前記制御装置は、インターネット経由で組み立て手順を受信して更新することを特徴とする玩具用ブロックセットの管理方法。
In claim 6,
A control method for a toy block set, wherein the control device receives and updates an assembly procedure via the Internet.
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