JP2007173645A - 平面型トランスおよび電源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型かつ薄型であって、面積当たりのターン数が大きく、しかも容易に製造することができる平面型トランスを提供する。
【解決手段】半導体基板からなる第1基板10と第2基板20とが積層される。第1基板10の厚み方向の一面には第1パターン111,112…が並設される。第2基板20において第1基板10との対向面には、第2パターン211,212…が並設される。第2パターン211,212…には、2本分の間隔を隔てた電極部21b,21c間を接続するとともに第1パターン111,112…と立体交差する短絡接続部21dが形成される。第1パターン111,112…の両端部に第2パターン211,212…を電気的に接続する主接続部12が第1基板10を貫通する形で設けられる。第1パターン111,112…は第2パターン211,212…を介して接続され2回路の巻線が形成される。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板からなる第1基板10と第2基板20とが積層される。第1基板10の厚み方向の一面には第1パターン111,112…が並設される。第2基板20において第1基板10との対向面には、第2パターン211,212…が並設される。第2パターン211,212…には、2本分の間隔を隔てた電極部21b,21c間を接続するとともに第1パターン111,112…と立体交差する短絡接続部21dが形成される。第1パターン111,112…の両端部に第2パターン211,212…を電気的に接続する主接続部12が第1基板10を貫通する形で設けられる。第1パターン111,112…は第2パターン211,212…を介して接続され2回路の巻線が形成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、平面型トランスおよびそれを用いた電源装置に関するものである。
従来から、平面型トランスと称する薄型のトランスが種々提案されている。また、平面型トランスの基板として半導体基板を用いることにより半導体製造プロセスを利用して小型化することも考えられている(たとえば、特許文献1参照)。
特許文献1では、電源の小型軽量化のために半導体基板を用いる平面型トランスにおいて、磁気誘導型銅損を減少させるためにコイル導体の厚みを大きくすることが考えられており、コイル基板上にコイル導体を形成した2個の平面コイルをコイル面同士が電気的に接続されるように重ね合わせた構造を有している。また、コイル基板とコイル導体との間に磁性薄膜を配置した構成が記載されている。
特開平11−176639号公報
ところで、特許文献1に記載された平面型トランスでは、コイル導体が一平面内でスパイラル状に形成されているものであるから、面積当たりのターン数を大きくとることができないという問題を有している。
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、小型かつ薄型に形成することができるのはもちろんのこと、面積当たりのターン数を大きくとることができ、しかも容易に製造することができる平面型トランスおよびその平面型トランスを用いた電源装置を提供することにある。
請求項1の発明は、半導体基板であって表裏の一面に導電層からなる複数本の線状の第1パターンが並設された第1基板と、第1基板が積層される基板であって第1基板との対向面に導電層からなり第1パターンと並設される複数本の線状の第2パターンが並設された第2基板とを備え、第1基板は第1パターンの両端部にそれぞれ電気的に接続され第1基板を貫通するとともに第2パターンと電気的に接続される貫通導体である主接続部を備え、第1パターンと第2パターンとの一方は、並んでいる方向に沿って他方の2本以上の一定間隔離れた端部間を電気的に接続する短絡接続部を備え、第1パターンと第2パターンとが電気的に接続されることにより当該間隔に応じた個数の巻線が形成されて成ることを特徴とする。
この構成によれば、第1パターンと第2パターンとによる2層の導体層が形成されるとともに第1パターンと第2パターンとを主接続部で電気的に接続することによりループ状の電路が形成されているから、面積当たりのターン数を多くとることができる。また、第1基板と第2基板とを積層する程度の厚み寸法の薄型であり、しかも第1基板が半導体基板であるから、半導体製造プロセスによる貫通導体の微細加工が可能であって、小型の平面型トランスを提供することができる。さらに、第1基板には貫通導体からなる主接続部を形成する必要があるものの第2基板には貫通導体が不要であるから、第2基板は必ずしも半導体基板を用いる必要がなくガラス基板やプリント基板などを用いて容易に形成することができる。加えて、第2基板は第1基板との対向面において第2パターンが形成されており、第2基板の一面には導電層を形成する必要がないから、フェイスアップ型の実装を容易に行うことができる。さらには、第1基板が半導体基板であるから、第1基板に他素子を形成することによってトランスを含む回路を1チップに集積回路化することができる。加えて、第1パターンと第2パターンとの一方に短絡接続部を形成し、2本以上の一定間隔離れた端部間を電気的に接続しているから、電路の異なる巻線が循環的に配列されることになり、電路の異なる巻線同士が比較的近接して配置されることにより巻線間の結合度が高くなる。
請求項2の発明では、請求項1の発明において、前記第1基板と前記第2基板との間に磁性体板よりなるコア板が積層され、コア板は前記主接続部と第2パターンとの間を電気的に接続する貫通導体である副接続部を備えることを特徴とする。
この構成によれば、第1パターンと第2パターンと主接続部とからなる巻線に囲まれる部位に磁性体からなるコア板の少なくとも一部が配置されるから、鉄心入りのトランスを構成することができ、結合度を高めることができる。
請求項3の発明では、請求項1の発明において、前記第1基板は前記第2基板との対向面において前記主接続部を除く部位に凹所が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、半導体基板である第1基板において第2基板との対向面に凹所を形成することにより、第1パターンや接続部の保持に関係しない部位を除去することができ、第1基板が軽量化されるとともに第1基板が高抵抗になる。また、第2基板との対向面に凹所を形成していることにより第2パターンが第1基板により短絡される可能性が低減され、レイヤショートの発生確率を低減することができる。
請求項4の発明では、請求項3の発明において、前記凹所に磁性体からなるコア部材が充填されていることを特徴とする。
この構成によれば、第1パターンと第2パターンと主接続部とからなる巻線に囲まれる部位に磁性体からなるコア部材が配置されるから、鉄心入りのトランスを構成することができ、結合度を高めることができる。
請求項5の発明では、請求項1ないし請求項4のいずれかの発明において、前記第1基板と前記第2基板との積層体を両側から挟む形で磁性体板により形成された一対のヨーク板が配置されて成ることを特徴とする。
この構成によれば、第1パターンと第2パターンと主接続部とにより形成される巻線を磁性体からなる一対のヨーク板で挟んでいるから、巻線の周囲に生じる磁界をヨーク板に通すことができ、結合度を高めることができる。
請求項6の発明では、請求項1ないし請求項5のいずれかの発明において、前記第2基板が磁性体基板により形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、第2基板が磁性体基板であるから、第1パターンと第2パターンと主接続部とからなる巻線に近接して磁性体を配置して巻線の周囲に生じる磁界を第2基板に通すことができ、結合度を高めることができる。しかも、第1基板と第2基板との間にコア板を挟む構成や、第1基板と第2基板との積層体を一対のヨーク板で挟む構成に比較すると全体の厚み寸法が小さくなる。
請求項7の発明は、請求項1ないし請求項5のいずれかの発明において、前記第2基板が半導体基板により形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、第2基板を第1基板と同様に半導体製造プロセスを適用して製造することができるから、第2基板および第2パターンの微細加工が可能になる。また、他素子を形成して集積回路化する際に、第1基板と第2基板とに振り分けて素子を形成することが可能であるから、面積当たりの部品数の多い集積回路を提供することが可能である。
請求項8の発明は、請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の平面型トランスとスイッチング素子とスイッチング素子のオンオフを制御する制御回路とを備える電源装置であって、スイッチング素子と制御回路とが第1基板と第2基板との少なくとも一方に形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、電源装置を構成する部品のうちトランスを薄型かつ小型に形成することにより電源装置の薄型化および小型化が可能になる。また、第1基板が半導体基板であるから、電源装置を構成する回路部品の少なくとも一部を必要に応じて第1基板に形成することができ、電源装置の一層の小型化に寄与することができる。
本発明の構成によれば、第1パターンと第2パターンとによる2層の導体層を主接続部とで電気的に接続することによりループ状の電路が複数個形成されているから、第1基板と第2基板との厚みを利用することで、平面内でスパイラル状のパターンを形成する場合よりも面積当たりのターン数を多くとることができるという利点がある。また、第1基板と第2基板とを積層した程度の厚み寸法であるから薄型であり、しかも第1基板が半導体基板であるから小型の平面型トランスを提供することができるという利点を有する。さらに、第2基板には貫通導体は不要であり、この第2基板に第1基板を積層すれば平面型トランスを形成することができるから、容易に製造することができるという利点がある。加えて、第1パターンと第2パターンとの一方に短絡接続部を形成し、2本以上の一定間隔ごとに端部間を電気的に接続しているから、電路の異なる巻線が比較的近接して配置されることにより巻線間の結合度が高くなるという利点がある。
(実施形態1)
本実施形態は、図1、図2に示すように、第1基板10と第2基板20とを積層することにより形成される空芯の平面型トランス(本発明で、平面型とは一平面内という意味ではなく薄型という意味で用いている。したがって、薄型トランス同義である。)について説明する。また、第1基板10と第2基板20とは、ともに半導体基板であって、ここではシリコン基板を用いるものとする。また、第1基板10と第2基板20とは、いずれも平面視において矩形状に形成されているものとする。
本実施形態は、図1、図2に示すように、第1基板10と第2基板20とを積層することにより形成される空芯の平面型トランス(本発明で、平面型とは一平面内という意味ではなく薄型という意味で用いている。したがって、薄型トランス同義である。)について説明する。また、第1基板10と第2基板20とは、ともに半導体基板であって、ここではシリコン基板を用いるものとする。また、第1基板10と第2基板20とは、いずれも平面視において矩形状に形成されているものとする。
第1基板10は厚み方向の一面に導電層からなる複数本の第1パターン11m(m=1,2,3……)が形成され、第2基板20は第1基板10との対向面に導電層からなる複数本の第2パターン21m(m=1,2,3……)が形成される。第1パターン11mと第2パターン21mとは金属(銅が望ましい)により形成される。また、各第1パターン11mはそれぞれ同形状・同寸法に形成され、また、各第2パターン21mもそれぞれ同形状・同寸法に形成されている。ここに、第1基板10の表面において第1パターン11mとの間および第2基板20との対向面には酸化膜あるいは窒化膜による絶縁層を形成しておく。また、第2基板20の表面において第2パターン21mとの間にも酸化膜あるいは窒化膜による絶縁層を形成しておく。
各第1パターン11mは、第1基板10の一辺に平行な直線状に形成された主パターン部11aと、主パターン部11aの両端に連続し主パターン部11aよりも広幅に形成された電極部11b,11cとを備える形状にそれぞれ形成されている。また、第1基板10には、第1基板10を厚み方向に貫通する貫通導体であって一端が各電極部11b,11cに電気的に接続された主接続部12が形成されている。主接続部12は第1基板10と電気的に接続されないように、主接続部12を設ける貫通孔の内周面には酸化膜または窒化膜による絶縁層を形成しておく必要がある。
一方、各第2パターン21mは、図示例では、第2基板20の一辺に略平行な線状に形成された主パターン部21aと、主パターン部21aの両端に連続し主パターン部21aよりも広幅に形成された電極部21b,21cとを備える形状に形成されている点で第1パターン11mと類似した形状であるが、主パターン部21aの中間部において第2基板20の一辺に対して斜めに交差する方向に延長された短絡接続部21dを備える点が異なっている。つまり、第1パターン11mでは、第1基板10の一辺に平行な一直線上に配列された2個の電極部11b,11cの間を主パターン部11aが連結する形状であるのに対して、第2パターン21mでは、1個の電極部21bに対して短絡接続部21dを介して接続される電極部21cは、当該電極部21bに対して第1パターン11mの2本分離れた第2パターン21m+2の端部である電極部21cになる。たとえば、第2パターン211の電極部21bに対しては、第2パターン213の電極部21cが短絡接続部21dを介して接続される。ここに、短絡接続部21dによって2本分離れた第2パターン21m,21m+2の端部間を接続しているのは2回路の電路を形成するためであり、3回路以上の電路を形成する場合には、短絡接続部21dにより3本分離れた電極部21b,21cの間を接続する。上述した接続形態により、第1パターン11mと第2パターン21mと接続導体12と短絡接続部21dとにより巻線が形成される。
上述した構成によって、第2基板20において第2パターン21mが形成されている面に、第1基板10において第1パターン11mが形成されていない面を当接させ、かつ主接続部12を電極部21b,21cに対して電気的に接続するように、第1基板10と第2基板20とを積層して接合する。ここに、主接続部12と電極部21b,21cとは、一方にバンプを形成して接合したり、半田を用いたりして接合する。さらに、第1基板10と第2基板20とを陽極接合などの技術により接合してもよい。
第1パターン11mと第2パターン21mとを上述の関係で接続すると、2本分離れた第1パターン11mが第2パターン21mを介して1つの電路を形成するように接続されるから、第1パターン11mと第2パターン21mと主接続部12とにより2回路の巻線が形成される。しかも、2回路の巻線は第1パターン11mが並ぶ方向において交互に(つまり、循環的に)配列されているから、2回路の巻線同士の距離が小さく、両巻線の結合度が高くなる。
上述した例では、第2パターン21mに互いに交差せずに第1パターン11mと立体交差する短絡接続部21dを形成することにより、第2パターン21mによって2本分離れた2本の第1パターン11m,11m+2の間を接続する構成とした例を示したが、平面視において第2パターン21mの全体を直線状に形成しておき、第2パターン21の全体を短絡接続部21dとして用いたり、第1パターン11mにおいて第2パターン21mと立体交差する短絡接続部を形成することも可能である。
また、上述の構成例では第2パターン21mは互いに立体交差していないが、図3に示すように、異なる巻線を形成する第2パターン21mにおいて短絡接続部21dを互いに立体交差させてもよい。この構成では、たとえば一方の回路の巻線となる第2パターン211の電極部21bと第2パターン213の電極部21cとが電気的に接続されるように短絡接続部21dを形成している場合に、他方の回路の巻線となる第2パターン212の電極部21cと第2パターン214の電極部21bとが電気的に接続されるように短絡接続部21dを形成することになる。なお、図3に示す例では、第2パターン21mを数える際には、手前から奇数番目を左端部で数え、手前から偶数番目を右端部で数えている。つまり、左端部においては、もっとも手前に位置するものが第2パターン211であり、右端部においては、もっとも手前に位置するものが第2パターン212である。この配置では、異なる回路の短絡接続部21d同士が互いに立体交差する。立体交差させる短絡接続部21dの一方は第2基板20における第1基板10との対向面に形成し、他方は第2基板20に埋設すればよい。つまり、短絡接続部21dを多層配線によって実現すればよい。この構成を採用する場合も第1パターン11mと第2パターン21mとは入れ換え可能である。
いずれにしても、第1パターン11mと第2パターン21mとを主接続部12で接続すれば、2本の独立した螺旋状の電路が形成されるから、各電路は巻線として機能し、しかも巻線同士が隣接していることにより、両巻線が電磁結合してトランスとして機能することになる。
上述した構成例では、巻線の周囲に磁性体が存在しないから空芯のトランスとして機能するものであるが、さまざまな形で巻線の近傍にフェライトのような磁性体を配置することによって、結合度を大きくすることができる。一例としては第2基板20を磁性体基板により形成すればよい。この場合、第2基板20の材料にフェライトを用いるとすれば、第2パターン21mを第2基板20の表面に直接形成することが可能である。あるいはまた、第2基板20の表面に絶縁層を形成した後に第2パターン21mを形成してもよい。なお、本発明は第1基板10を半導体基板により形成するものであるが、応用例として第1基板10を磁性体基板とすることも可能である。
巻線の近傍に磁性体を配置する技術としては、図4に示すように、第1基板10と第2基板20とを積層した積層体の厚み方向の両側にフェライト板のような磁性体板からなるヨーク板13を採用することができる。ヨーク板13を配置すれば第2基板20を磁性体で形成する場合と同様にヨーク板13に磁束を通すことにより結合度を大きくすることができる。
また、図5に示すように、第1基板10と第2基板20との間にフェライト板のような磁性体板からなるコア板14を挟持する技術も採用可能である。ただし、この構成では、主接続部12と第2パターン21mとの間の電気的接続のためにコア板14に貫通導体である副接続部15を設ける必要がある。副接続部15は、第1基板10と第2基板20とコア板14とを積層したときに、主接続部12に一致する位置に形成される。この構成によれば、第1パターン10と第2パターン20とが主接続部12および副接続部15を介して接続され、図1、図2を用いて説明した構成と同様に、1本の電路としての巻線を形成することができる。また、コア板14を用いた構成では、コア板14の厚み寸法分だけ厚み寸法が増加するが、巻線の近傍に磁性体を設けることの効果に加えて、同面積内での巻線の総延長が長くなる。
なお、図4に示すように、第1基板10と第2基板20とからなる積層体の両側にヨーク板13を配置する構成は、第2基板20を磁性体基板で形成する構成や、第1基板10と第2基板20との間にコア板14を介装する構成と併用することが可能である。また、上述した構成例では、第1パターン11mと第2パターン21mとの各端部に形成した電極部11b,11c,21b,21cをそれぞれ主パターン部11a,21aよりも広幅に形成しているが、この形状は必須というわけではなく、主接続部12と電気的接続を良好な状態に保つことができる形状であればよい。したがって、第1パターン11mと第2パターン21mとをそれぞれ一定幅に形成してもよい。
(実施形態2)
実施形態1では、第1基板10が厚みの均一な板状である場合を想定していたが、本実施形態では、図6に示すように、第1基板10における第2基板20との対向面において主接続部12を除く部位に凹所16を形成した例を示す。実際に凹所16を形成している部位は、各電極部11bに対応して設けた主接続部12が並ぶ領域と、各電極部11cに対応して設けた主接続部12が並ぶ領域との間の部位になる。また、凹所16は第1基板10において、第1パターン11mに直交する方向の全長に亘る溝状に形成される。
実施形態1では、第1基板10が厚みの均一な板状である場合を想定していたが、本実施形態では、図6に示すように、第1基板10における第2基板20との対向面において主接続部12を除く部位に凹所16を形成した例を示す。実際に凹所16を形成している部位は、各電極部11bに対応して設けた主接続部12が並ぶ領域と、各電極部11cに対応して設けた主接続部12が並ぶ領域との間の部位になる。また、凹所16は第1基板10において、第1パターン11mに直交する方向の全長に亘る溝状に形成される。
第1基板10をこのような形状に形成することにより、第1基板10において第2パターン21mと接触する部位が少なくなり、それだけ第2パターン21mが第1基板10を通して短絡する可能性が低減される。つまり、レイヤショートの発生確率が低減する。また、第1基板10が軽量化されるとともに、第1基板10の表面積が大きくなることによって放熱性の向上が期待できる。
本実施形態において磁性体を併用する場合には、図7に示すように、凹所16の中に磁性体からなるコア部材17を充填する。図7の構成を採用すれば、図5に示したコア板14を設ける構成と同様に巻線内に磁性体を配置することができるから、結合度を大きくすることができ、しかも第1基板10の厚み寸法内でコア部材17を設けているから、全体としての厚み寸法の増加を防止できる。図7の構成は、第2基板20を磁性体基板とする構成、あるいは図4に示したヨーク板13を用いる構成と併用することが可能である。他の構成は実施形態1と同様である。
実施形態1、実施形態2では第2基板20を半導体基板または磁性体基板とする場合を想定しているが、ガラス基板やプリント基板を用いることも可能である。とくに、プリント基板を第2基板20として用いる場合には、第1基板10に設けた主接続部12にバンプを形成し、第2パターン21mを形成した第2基板20に対してバンプによる接合を行うようにすれば、第1基板10と第2基板20との間の電気的接続と機械的結合とを同時に行うことができる。また、第2基板20には回路部品を実装することができるから、第2基板20に他の回路部品とともに第1基板10を実装することにより、第2基板20を用いてトランスを含む電子回路を構成することが可能になる。
なお、第1基板10には半導体基板を用いており、第2基板20には半導体基板以外のものを用いることがあるが、いずれにせよトランスを構成する基板の材料として半導体基板を用いるから、半導体基板に他の素子を形成することによってトランスを備える回路を集積回路化することが可能である。
ところで、実施形態1、実施形態2に示した平面型トランスは、電源装置に用いるDC−DCコンバータなどを構成する際に用いることができる。DC−DCコンバータとしては、フライバック型、フォワード型が知られている。図8にフライバック型のDC−DCコンバータの基本的な構成を示す。この構成では、商用電源をダイオードブリッジで整流することなどにより得られる直流電源(図示せず)の両端間にトランスTの1次巻線n1とスイッチング素子(MOSFETなど)Qとの直列回路が接続され、トランスTの2次巻線n2にダイオードDと平滑コンデンサCとの直列回路を接続した構成を有している。また、スイッチング素子Qのオンオフは制御回路CNにより制御される。
この種のDC−DCコンバータは周知のものであるが、簡単に動作を説明すると、スイッチング素子Qのオン期間において直流電源からトランスTの1次巻線n1に電流が流れることによりトランスTに電磁エネルギが蓄積される。また、トランスTに蓄積された電磁エネルギは、スイッチング素子Qのオフ期間においてダイオードDを通して放出され、平滑コンデンサCに充電電流を流す。この電源装置の出力は平滑コンデンサCの両端から取り出される。
上述した電源装置を構成する際に、トランスTとして実施形態1、実施形態2において説明した平面型トランスを採用すれば、小型かつ薄型の電源装置を構成することができる。ここに、平面型トランスはごく小型であるから、蓄積できる電磁エネルギは比較的小さいものである。したがって、スイッチング素子Qのオンオフの周波数(つまり、スイッチング周波数)は100kHz〜数MHz程度の高周波で行うことが望ましい。
このような電源装置を構成する場合に、トランスTを構成する半導体基板に、スイッチング素子QとダイオードDと制御回路CNとを形成して集積回路化しておけば、平滑コンデンサCを外付するだけで電源装置を構成することが可能になる。また、上述したトランスTを電源装置に用いることにより、電源装置の構成部品のうちの大型部品であったトランスTを小型化することができる。しかも、スイッチング素子QとともにトランスTを集積回路化することによりスイッチング素子Qの近傍にトランスTを設けることができ、結果的に、スイッチング素子Qのオンオフを高周波で行う場合に問題となる寄生容量の影響を軽減することができる。
上述した小型の電源装置を用いた配線システムの例を図9に示す。図示する配線システムでは、建物内の適所に埋込配置されたスイッチボックス3にゲート装置4と称する配線器具を収納する。ゲート装置4には壁内に先行配線された電力線Lpと情報線Liとが接続される。スイッチボックス3およびゲート装置4は1個ずつでもよいが、以下では複数個設ける場合について説明する。また、図示例では、ルータとハブとを内蔵したゲートウェイの機能を有している基本モジュール1と、メインブレーカMBおよび分岐ブレーカBBとを内蔵した配線盤5を用いている。
基本モジュール1には、複数系統(図示例では3系統)の情報線Liが接続され、ゲートウェイとして各情報線Liを外部のインターネット網NTに接続する。基本モジュール1は、情報線Liを複数系統に分岐したり情報線Liをインターネット網NTに接続するだけでなく、情報線Liを通して後述する各機能モジュール2の動作状態を監視する機能も備えている。また、メインブレーカMBは商用電源ACに接続され、分岐ブレーカBBに電力線Lpが接続される。図示例では分岐ブレーカBBを1系統で代表して示しているが通常は複数系統の分岐ブレーカBBを設ける。
図9に示す例では、機能モジュール2として、コンセントあるいはスイッチのように負荷制御を主な機能とするものと、スピーカあるいは表示器のように情報の授受を主な機能とするものとを示している。本実施形態の構成では、負荷制御を主な機能とする場合であっても、コンセントに接続した負荷で使用した電力量やスイッチを操作した回数などを情報として情報線Liを介して監視することが可能になる。
各系統のゲート装置4の間は電力線Lpおよび情報線Liの送り配線によって接続される。また、各系統のゲート装置4のうちの1個は配線盤5との間で電力線Lpおよび情報線Liを介して接続される。つまり、各系統のゲート装置4は電力線Lpに並列接続され、また情報線Liに並列接続されることになる。
ゲート装置4は、電力線Lpと情報線Liとに接続されたコネクタからなる接続口6(図10参照)を備える。したがって、後述する機能モジュール2のコネクタをゲート装置4の接続口6に接続するだけで、機能モジュール2に電力を供給する電力路と、機能モジュール2との間で通信するための情報路とを同時に確保することができる。しかも、ゲート装置4は電力線Lpと情報線Liとにそれぞれ並列接続されているだけであるから、機能モジュール2はどのゲート装置4にも接続することができる。つまり、機能モジュール2は、ゲート装置4の配置されている範囲内で自由に配置することができるから、レイアウトの自由度が高い施工性に優れた配線システムを提供することができる。
スイッチボックス3は、たとえばJIS規格(C 8375)に規定する取付枠9(図10参照)を取り付けることができるものを用いる。図示する取付枠9は一連形と呼ばれており、JIS規格(C 8304)において大角連用形スイッチの1個モジュールとして規格化されている埋込形の配線器具を3個取り付けることができる。
取付枠9は、図10に示すように、中央部に表裏に貫通した器具取付用の矩形状の窓孔9aを備える。取付枠9に取付対象である配線器具を取り付けるには、窓孔9aの後方から配線器具の前部を挿入し、取付枠9の左右両側の枠片9bに設けた器具係止部に配線器具の左右両側に設けた被係止部を結合させる。図示例では、配線器具に被係止部として爪を設け取付枠9の枠片9bに器具係止部として間隙を設けている。ただし、配線器具に被係止部として穴を設け取付枠9の枠片9bに器具係止部として爪を設けた構成もある。取付枠9の上下の枠片9cには挿入孔9dが貫設されている。取付枠9をスイッチボックス3に取り付けるには、取付枠9に配線器具を装着した状態で、図示しない取付ねじを挿入孔9dに前方から挿入してスイッチボックス3に設けたねじ受け(図示せず)に螺入させる。
なお、取付枠9を壁パネルに取り付ける場合には、壁パネルに取付孔を貫設し、挿入孔9dに挿入される引締ねじを挟み金具(図示せず)と称する部材に螺合させ、壁パネルに貫設した取付孔の周部を取付枠9と挟み金具との間で挟持するように引締ねじを締め付けてもよい。あるいはまた、取付枠9を通して壁材に木ねじを螺合させることによって、取付枠9を壁に取り付けることも可能である。
本実施形態では、各スイッチボックス3の上部からは、配電ボックス1または他のスイッチボックス3に接続された電力線Lpおよび情報線Liが導入され、各系統の末端に位置するスイッチボックス3を除いた各スイッチボックス3の下部からは他のスイッチボックス3への送り配線である電力線Lpおよび情報線Liが導出される。また、ゲート装置4を取り付けた取付枠9を各スイッチボックス3に取り付けることによって、上述したように、各スイッチボックス3にそれぞれゲート装置4が収納される。ここにおいて、ゲート装置4には、電力線Lpと情報線Liとが接続されるから、電力線Lpと情報線Liとの混触を防止するために、電力線Lpと情報線Liとのスイッチボックス3への導入口および導出口はそれぞれ個別に設けるのが望ましい。
ゲート装置4は、板ばねのばね力を利用して電線を結線する、いわゆる速結端子構造の端子を器体に内蔵しており、器体の背面に開口する電線挿入口に電線を挿入することにより、電線の機械的保持と電気的接続とがなされる構成を採用している。電線挿入口は、電力線Lpと情報線Liとについて2対ずつ設けてある。各1対は送り配線を接続するために用いられる。ゲート装置4の器体の前面には、電力線Lpが接続される端子に電気的に接続されている接触部を設けた電力路接続口6aと、情報線Liが接続される端子に電気的に接続されている接触部を設けた情報路接続口6bとが配置される。
電力路接続口6aと情報路接続口6bとは1個の接続口6としてモジュール化されている。配線システム内の各ゲート装置4において、各電力路接続口6aと各情報路接続口6bとはそれぞれ同仕様(接触部の配列や接続口のサイズなど)であり、また電力路接続口6aおよび情報路接続口6bの位置関係は統一されている。接続口6には、機能モジュール2の背面に設けた接続体7が着脱可能に結合される。すなわち、機能モジュール2の接続体7には、電力路接続口6aに着脱可能に結合される電力路接続体7aと、情報路接続口6bに着脱可能に結合される情報路接続体7bとをモジュール化した接続体7が設けられる。機能モジュール2の接続体7をゲート装置4の接続口6に接続した状態において、機能モジュール2はゲート装置4の前面を覆う。ここに、接続口6と接続体7とはコネクタを構成する。
機能モジュール2は、図11に示すように、ゲート装置4に対して1台だけ接続することによって単独で用いることができる基本機能モジュール2aと、基本機能モジュール2aに対して壁面に沿う面内で配列され基本機能モジュール2aと組み合わせて用いることにより基本機能モジュール2aの機能を拡張する拡張機能モジュール2bとがある。拡張機能モジュール2aは、基本機能モジュール2aに対して1台接続するだけではなく、複数台を接続することも可能である。
以下の説明においては、基本機能モジュール2aを単独で用いるか、基本機能モジュール2aに拡張機能モジュール2bを結合して用いるかにかかわらず、どちらの場合についても機能モジュール2として説明する。
機能モジュール2は、図12、図13に示すように、合成樹脂製の扁平なハウジング8aを備える。すなわち、ゲート装置4に取り付けたときに壁面からの突出寸法が小さく、かつハウジング8aの前面側に露出する表示、報知、操作などの各種機能を持つ機能部に割り当てる面積を大きくとることができる薄型に形成されている。ハウジング8aの背面には接続体7が設けられ、接続体7をゲート装置4の接続口6に結合すれば、機能モジュール2が電力線Lpおよび情報線Liと電気的に接続される。ハウジング8aの上部および下部には取付用孔8cが開口しており、ハウジング8aをゲート装置4に結合した状態で、ハウジング8aの前面側から取付用孔8cに取付ねじ(図示せず)を挿入し、取付枠9の取付ねじ孔10eに取付ねじを螺入することにより、機能モジュール2が取付枠9に対して機械的に固定され、結果的に機能モジュール2のゲート装置4に対する結合強度を高めることができる。ハウジング8aの前面部には化粧カバー8bが着脱可能に被着され、化粧カバー8bをハウジング8aに装着した状態では、取付ねじの頭部が隠される。
上述の構成から明らかなように、機能モジュール2には電力線Lpを通して商用電源ACから電力が供給されるから、機能モジュール2の内部回路の動作用の電源を生成するために商用電源ACから内部回路の動作用に用いる直流電圧を生成する電源装置が必要である。また、ハウジング8aは扁平で小型であるから、このようなハウジング8aに収納可能な薄型かつ小型の電源装置が必要である。したがって、実施形態1、実施形態2において説明した平面型トランスを用いる電源装置は、この種の機能モジュール2に用いるのに適した電源装置になる。
機能モジュール2が、基本機能モジュール2aだけではなく拡張機能モジュール2bも含んでいる場合には、電源装置は拡張機能モジュール2bにも電力を供給する。基本機能モジュール2aから拡張機能モジュール2bへの電力の供給は交流を用いる。また、基本機能モジュール2aと拡張機能モジュール2bとの内部においては、交流−直流変換を行って直流電力を内部回路に供給する。そのため、基本機能モジュール2aと拡張機能モジュール2bとには、それぞれ電源装置が設けられる。拡張機能モジュール2bに設けた電源装置においても実施形態1、実施形態2の平面型トランスを用いることにより、拡張機能モジュール2bのハウジングに収納可能な薄型かつ小型の電源装置を構成することができる。
1 基本モジュール
2 機能モジュール
10 第1基板
111,112…… 第1パターン
12 主接続部
12d 短絡接続部
13 ヨーク板
14 コア板
15 副接続部
16 凹所
17 コア部材
20 第2基板
211,212…… 第2パターン
CN 制御回路
Li 情報線
Lp 電力線
Q スイッチング素子
2 機能モジュール
10 第1基板
111,112…… 第1パターン
12 主接続部
12d 短絡接続部
13 ヨーク板
14 コア板
15 副接続部
16 凹所
17 コア部材
20 第2基板
211,212…… 第2パターン
CN 制御回路
Li 情報線
Lp 電力線
Q スイッチング素子
Claims (8)
- 半導体基板であって表裏の一面に導電層からなる複数本の線状の第1パターンが並設された第1基板と、第1基板が積層される基板であって第1基板との対向面に導電層からなり第1パターンと並設される複数本の線状の第2パターンが並設された第2基板とを備え、第1基板は第1パターンの両端部にそれぞれ電気的に接続され第1基板を貫通するとともに第2パターンと電気的に接続される貫通導体である主接続部を備え、第1パターンと第2パターンとの一方は、並んでいる方向に沿って他方の2本以上の一定間隔離れた端部間を電気的に接続する短絡接続部を備え、第1パターンと第2パターンとが電気的に接続されることにより当該間隔に応じた個数の巻線が形成されて成ることを特徴とする平面型トランス。
- 前記第1基板と前記第2基板との間に磁性体板よりなるコア板が積層され、コア板は前記主接続部と第2パターンとの間を電気的に接続する貫通導体である副接続部を備えることを特徴とする請求項1記載の平面型トランス。
- 前記第1基板は前記第2基板との対向面において前記主接続部を除く部位に凹所が形成されていることを特徴とする請求項1記載の平面型トランス。
- 前記凹所に磁性体からなるコア部材が充填されていることを特徴とする請求項3記載の平面型トランス。
- 前記第1基板と前記第2基板との積層体を両側から挟む形で磁性体板により形成された一対のヨーク板が配置されて成ることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の平面型トランス。
- 前記第2基板が磁性体基板により形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の平面型トランス。
- 前記第2基板が半導体基板により形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の平面型トランス。
- 請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の平面型トランスとスイッチング素子とスイッチング素子のオンオフを制御する制御回路とを備える電源装置であって、スイッチング素子と制御回路とが第1基板と第2基板との少なくとも一方に形成されていることを特徴とする電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005371113A JP2007173645A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 平面型トランスおよび電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005371113A JP2007173645A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 平面型トランスおよび電源装置 |
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Family Applications (1)
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JP2005371113A Withdrawn JP2007173645A (ja) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 平面型トランスおよび電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007173645A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009142018A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 超小型電力変換装置 |
JP2014086575A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子 |
-
2005
- 2005-12-22 JP JP2005371113A patent/JP2007173645A/ja not_active Withdrawn
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