JP2007172756A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】陽極酸化に伴う膜剥がれを抑制して高い歩留まりを得ることができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】円盤状の基板１の上に、下地層２、軟磁性裏打ち層３及び中間層４を順次形成する。中間層４としては、例えば酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層を用いることができ、例えばスパッタ法又は蒸着法により形成することができる。中間層４の厚さは、例えば１０ｎｍ程度以下とする。中間層４上にＡｌ層５を形成する。Ａｌ層５の陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うことにより、Ａｌ層５の表面から所定の深さまでを、ポア６ａが存在するアルマイト層６に変化させる。希リン酸溶液等に浸漬させることにより、ポア６ａの直径を増加させる。ポア６ａ内に強磁性金属ピラー７を充填する。ポア６ａ内に強磁性金属ピラー７が充填されたアルマイト層６上に、保護膜９及び潤滑膜１０を形成する。
【選択図】図２Ｅ

Description

本発明は、ナノホールパターンドメディアに好適な磁気記録媒体及びその製造方法に関する。

近年、ＩＴ産業等における技術革新に伴い、磁気記録媒体等の大容量化、高速化及び低コスト化の研究開発が盛んに行われている。これらの大容量化、高速化及び低コスト化のためには、磁気記録媒体等における記録密度の向上が必須である。従来、連続磁性膜の水平記録により、磁気記録媒体等の記録密度を向上させる試みがなされてきたが、技術的には限界を迎えつつある。これは、連続磁性膜を形成する磁性粒子の結晶粒が大きいと複雑磁区を生じてノイズが大きくなってしまう一方で、これを避けるために結晶粒を小さくすると、熱揺らぎにより磁化が経時的に減少してエラーが生じてしまうからである。また、磁気記録媒体等の記録密度を高めると相対的に記録減磁界が大きくなるため、磁気記録媒体等の保磁力を大きくする必要がある一方で、記録ヘッドの書込み能力が不足してオーバーライト特性が確保できなくなるからである。

このため、最近では、水平記録に代わる新しい記録方式に関する研究が盛んに行われてきている。その一つとして、磁気記録媒体等における磁性膜を、連続膜とせずにドット、バー、ピラー等のパターン状とし、そのサイズをナノメートルスケールにすることにより複雑磁区ではなく単磁区構造としたパターンドメディアを用いる記録方式が挙げられる（非特許文献１）。また、他の一つとして、水平記録に比して、記録減磁界が小さいため高密度化が可能で、記録層を極端に薄くする必要がないため記録磁化の熱揺らぎに対する耐性向上が可能である垂直記録による記録方式が挙げられる（特許文献１）。更に、これらのパターンドメディアを用いる記録方式と垂直記録による記録方式とを併せた新しい磁気記録方式についての研究もされている（特許文献１）。この記録方式では、磁気記録媒体として、陽極酸化アルミナ層（アルマイト層）のポア中に磁性金属が充填されたものが用いられる。

図８は、従来の磁気記録媒体の構造を示す断面図である。この従来の磁気記録媒体では、基板１０１上にＴａ層等の下地層１０２が形成され、この下地層１０２上にＮｉＦｅ層等の軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ：soft under layer）１０３が形成されている。そして、軟磁性裏打ち層１０３上にＡｌ膜１０５を介して、ポア１０６ａが形成されたアルマイト層１０６が形成され、ポア１０６ａ内に強磁性金属ピラー１０７が埋め込まれている。

このような磁気記録媒体では、アルマイト層１０６中の強磁性金属ピラー１０７が露出面に対して垂直方向に細長く（高アスペクト比で）伸びているため、垂直方向に磁化し易い。従って、強磁性金属ピラー１０７の形状異方性の存在により、熱揺らぎに強いという利点がある。また、通常、アルマイト層１０６のポア１０６ａはハニカム型の六方最密格子状に自己組織化的に発生するため、リソグラフィ的手法で１ドットずつドット形成する方法に比べて低コストで製造することができるという利点もある。

ここで、上述のような磁気記録媒体を製造する従来の方法について説明する。図９Ａ乃至図９Ｃは、磁気記録媒体を製造する従来の方法を工程順に示す断面図である。

従来の製造方法では、先ず、図９Ａに示すように、基板１０１上に、下地層１０２、軟磁性裏打ち層１０３及びＡｌ膜１０５を順次形成する。

次に、図９Ｂに示すように、Ａｌ膜１０５に対して陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うことにより、Ａｌ膜１０５の一部を、ポア１０６ａが存在するアルマイト層１０６に変化させる。このとき、上述のように、ポア１０６ａは自己組織化的に発生する。

次いで、図９Ｃに示すように、ポア１０６ａ内に強磁性金属ピラー１０７を形成する。

そして、研磨及び潤滑膜の形成等を行うことにより、磁気記録媒体を完成させる。

しかしながら、上述の製造方法では、陽極酸化処理（アルマイト処理）の際に膜剥がれが生じることがある。ここで、膜剥がれについて説明する。Ａｌ膜１０５の表面に存在する欠陥等のために、陽極酸化が速く進行する部位が存在し、図１０に示すように、陽極酸化液が軟磁性裏打ち層１０３まで到達することがある。そして、陽極酸化液が軟磁性裏打ち層１０３まで到達すると、陽極酸化液と軟磁性裏打ち層１０３との間で化学反応が起こり、水素が発生すると共に、軟磁性裏打ち層１０３まで到達したアルマイト層１０６が軟磁性裏打ち層１０３から剥がれるのである。このような膜剥がれが生じると、十分な電気的特性及び機械的特性を確保することができなくなるため、歩留まりが低下する。

特開２００２−１７５６２１号公報 S. Y. Chou Proc. IEEE 85(4), 652 (1997)

本発明は、陽極酸化に伴う膜剥がれを抑制して高い歩留まりを得ることができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。

本願発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。

本発明に係る磁気記録媒体には、基板と、前記基板の上方に形成された軟磁性層と、前記軟磁性層の上方に形成され、その内部に強磁性金属ピラーが埋め込まれた絶縁層と、が設けられている。更に、この磁気記録媒体には、前記軟磁性層と前記絶縁層との間に形成され、金属層を陽極酸化処理することにより前記絶縁層を形成する際に用いられる処理液と前記軟磁性層との反応を防止する中間層が設けられている。

本発明に係る磁気記録媒体の製造方法では、基板の上方に軟磁性層を形成した後、前記軟磁性層の上方に中間層を形成する。次に、前記軟磁性層の上方に金属層を形成する。次いで、前記金属層を陽極酸化処理することにより、孔を有する絶縁層を形成する。その後、前記孔内に強磁性金属ピラーを埋め込む。そして、前記中間層として、前記陽極酸化処理の際に用いられる処理液と前記軟磁性層との反応を防止する層を形成する。

本発明によれば、絶縁層と軟磁性層との間に中間層が存在しているため、陽極酸化処理の処理液の軟磁性層への到達を抑制することができる。従って、処理液と軟磁性層との反応を原因とする膜剥がれを抑制して、高い歩留まりを得ることができる。

以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。但し、ここでは、便宜上、磁気記録媒体の構造については、その製造方法と共に説明する。図１Ａ乃至図１Ｅは、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を工程順に示す平面図であり、図２Ａ乃至図２Ｅは、夫々図１Ａ乃至図１Ｅ中のＩ−Ｉ線に沿った断面を示す断面図である。

本実施形態では、先ず、図１Ａ及び図２Ａに示すように、円盤状の基板１の上に、下地層２、軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）３及び中間層４を順次形成する。

基板１の構造は、単層構造又は積層構造のいずれでもよい。基板１の材料としては、例えばアルミニウム、ガラス、シリコン及び石英が挙げられる。また、シリコン基板の表面に熱酸化膜が形成されたものを用いてもよい。なお、基板１の平面形状は円盤状でなくてもよい。

下地層２としては、例えばＴａ層を用いることができ、例えばスパッタ法により形成することができる。また、下地層２の厚さは、例えば５ｎｍ程度とする。

軟磁性裏打ち層３としては、例えばＮｉＦｅ層又はＣｏＦｅＢ層を用いることができ、例えばスパッタ法により形成することができる。また、軟磁性裏打ち層３の厚さは、例えば５０ｎｍ程度とする。なお、軟磁性裏打ち層３の構造を、磁区制御層を備えた多層構造としてもよい。この場合、例えば、軟磁性層、磁区制御層及び軟磁性層が積層された構造とすればよい。軟磁性層としては、例えばＮｉＦｅ層又はＣｏＦｅＢ層を用いることができ、磁区抑制層としては、例えばＲｕ層を用いることができる。

中間層４としては、後述の陽極酸化処理の際に用いられる処理液と軟磁性裏打ち層３との反応を防止するものを用いる。例えば酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層等の絶縁層又は高抵抗層を用いることができ、例えばスパッタ法又は蒸着法により形成することができる。中間層４の厚さは、例えば１０ｎｍ程度以下とする。これは、中間層４の厚さが１０ｎｍを超えると、軟磁性裏打ち層３の作用（書き込みヘッドからの磁束を再びヘッドに環流させる作用）が不十分となることがあるからである。

次に、図１Ｂ及び図２Ｂに示すように、中間層４上にＡｌ層５を形成する。Ａｌ層５は、例えばスパッタ法により形成することができ、その厚さは、例えば２００ｎｍ程度とする。

次いで、図１Ｃ及び図２Ｃに示すように、Ａｌ層５の陽極酸化処理（アルマイト処理）を行うことにより、Ａｌ層５の表面から所定の深さまでを、ポア（孔）６ａが存在するアルマイト層６に変化させる。陽極酸化処理中の電圧の印加は、例えばＡｌ層５の表面に電極を接触させて行うことができる。ここで、ポア６ａのピッチ（間隔）Ｐは、概ね、式「Ｐ（ｎｍ）＝印加電圧（Ｖ）×２．５」に沿うので、印加電圧を調整することにより、ピッチＰを決定することができる。

なお、磁気記録媒体においては、ピッチＰを５ｎｍ〜５００ｎｍとすることが好ましく、１０ｎｍ〜２００ｎｍとすることがより好ましい。これは、ピッチＰが上記範囲の下限未満であると、後に強磁性金属ピラーを形成することが困難となる場合があり、上限を超えると、強磁性金属ピラーが単磁区構造にならない場合があるためである。但し、ピッチＰは一定であってもよく、ばらつきがあってもよい。

また、陽極酸化処理における電解液の種類、濃度、温度及び時間等に特に制限はなく、形成しようとするポア６ａのピッチ、数、大きさ及びアスペクト比等に応じて適宜選択することができる。例えば、ポア６ａのピッチを１０ｎｍ〜１５０ｎｍとする場合には、希硫酸溶液を用いることが好ましい。また、ポア６ａのピッチを１５０ｎｍ〜５００ｎｍとする場合には、希リン酸溶液を用いることが好ましい。また、ポア６ａのピッチを８０ｎｍ〜２００ｎｍとする場合には、希蓚酸溶液を用いてもよい。

なお、アルマイト層６の形成に当たっては、記録ヘッドからの信号強度を考慮すると、ポア６ａの深さを１ｎｍ〜１００ｎｍとすることが好ましい。

また、ポア６ａの配列に特に制限はないが、記録時及び読み出し時における磁気ヘッドの制御を考慮すると、同心円状及び螺旋状に配列させることが好ましい。更に、ポア６ａは、半径方向に配列させることが好ましい。これは、磁気ヘッドの書き込み電流を増やすことなく高密度記録及び高速記録が可能となるからである。また、大容量化も可能であり、優れたオーバーライト特性が得られ、均一な特性が得られ、優れた低ノイズ性及び耐熱揺らぎ性等が得られるという利点もある。なお、ポア６ａの配列の制御方法については後述する。

また、アルマイト層６の形成に当たっては、Ａｌ層５の一部をシールしておき、酸化しないようにしておく。これは、後にめっき処理を行う際に電圧を印加可能とするためである。

アルマイト層６を形成した後には、希リン酸溶液等に浸漬させることにより、ポア６ａの直径を増加させる。これにより、所望のアスペクト比（長さ／断面径）のポア６ａを形成することができる。なお、磁気記録媒体の製造に当たっては、ポア６ａの直径を２００ｎｍ以下とすることが好ましい。また、ポア６ａの直径を１００ｎｍ以下とすることがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍとすることが特に好ましい。これは、後に形成する強磁性金属ピラーを確実に単磁区構造とするためである。更に、ポア６ａの直径は一定であることが好ましいが、ばらつきがあっても本発明の効果を得ることは可能である。

なお、ポア６ａのアスペクト比が高いほど形状異方性が大きくなり、磁気記録媒体の保磁力を向上させることができる。磁気記録媒体においてアスペクト比が２未満であると、十分な保磁力を得にくい場合がある。このため、ポア６ａのアスペクト比を２以上とすることが好ましく、３〜１５とすることがより好ましい。

ポア６ａの直径を調整した後には、図１Ｄ及び図２Ｄに示すように、ポア６ａ内に強磁性金属ピラー７を充填する。この充填は、例えばめっき法等により行うことができる。めっき法としては、例えば、無電解めっき法及び電解めっき法等が挙げられる。また、電解めっき法として交流めっき法を採用する場合、電圧の印加は、例えばＡｌ層５のアルマイト層６から露出している部分に電極を接触させて行うことができる。強磁性金属ピラー７の材料としては、例えばＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ及びＮｉＰｔ等が挙げられる。なお、強磁性金属ピラー７の充填を他の方法によって行うことも可能である。但し、蒸着法及びスパッタ法等のＰＶＤ法では、ポア６ａの底にまで充填することが困難な場合があるため、めっき法が最も好ましい。

強磁性金属ピラー７の高さ（長さ）は、めっき時間に応じて変化する。図３Ａ及び図３Ｂは、めっき時間以外が同一の条件下で撮影した電子顕微鏡写真である。Ｃｏからなる強磁性金属ピラー７を１分間成長させた場合、図３Ａに示すように、その高さは約１１０ｎｍとなった。一方、Ｃｏからなる強磁性金属ピラー７を５分間成長させた場合、図３Ｂに示すように、その高さは約５００ｎｍとなった。

図１Ｄ及び図２Ｄに示すように、強磁性金属ピラー７の充填後には、その材料の剰余部８が存在する。そこで、アルマイト層６の表面を平坦化するまで化学機械的研磨（ＣＭＰ）を行うことにより、剰余部８を除去する。

続いて、図１Ｅ及び図２Ｅに示すように、ポア６ａ内に強磁性金属ピラー７が充填されたアルマイト層６上に、保護膜９及び潤滑膜１０を形成する。保護膜としては、例えばダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）膜をスパッタ法により形成することができ、その厚さは、例えば５ｎｍ程度とする。また、潤滑膜１０の形成に当たっては、例えば、保護膜９上に潤滑剤としてパーフルオロポリエーテルをディップ法により塗布すればよい。潤滑膜１０の厚さは、例えば４ｎｍとする。

このような本実施形態によれば、Ａｌ層５と軟磁性裏打ち層３との間に、中間層４を形成しているため、Ａｌ層５の表面に欠陥が存在していても、陽極酸化液は軟磁性裏打ち層３まで到達することができない。従って、陽極酸化液と軟磁性裏打ち層３との反応を原因とする膜剥がれを抑制することができる。

なお、中間層４の厚さ、ポア６ａの深さ（＝強磁性金属ナノピラー７の高さ＝記録層の厚さ）は、上述の範囲に限定されるものはなく、磁気記録媒体（ハードディスク媒体）の記録密度に依存して適宜設定することができる。

ここで、ポア６ａの配列の制御方法の一例について説明する。ポア６ａの配列を制御する場合には、例えば、図４Ａに示すように、陽極酸化処理の前に、ポア６ａを配列させるための凹状ライン１１をＡｌ層５に予め形成しておく。このような凹状ラインが形成されていると、陽極酸化処理の結果、図４Ｂに示すように、凹状ライン１１上にのみ効率的にポア６ａを形成することができるのである。凹状ライン１１の長さ方向及び直交方向の断面形状に、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、四角形状、Ｖ形状、半円形状等が挙げられる。また、上述のように、ポア６ａを同心円状又は螺旋状に配列させるためには、凹状ラインの平面形状を同心円状又は螺旋状とすればよい。

凹状ライン１１を形成する方法としては、例えば次のような２種類が挙げられるが、これらに限定されることはない。第１の方法では、先ず、図５Ａに示すように、一定間隔で凸状ライン１２とスペースとが配列されたモールド１３を準備する。次に、図５Ｂに示すように、Ａｌ層５の表面にモールド１３の凸状ライン１２をインプリント転写する。そして、図５Ｃに示すように、モールド１３を取り外す。

第２の方法では、図６Ａに示すように、Ａｌ層５上にフォトレジスト層１４（又は樹脂層）を形成した後、これをパターニングする。次に、図６Ｂに示すように、フォトレジスト層１４をマスクとしてＡｌ層５のエッチング処理を行う。そして、図６Ｃに示すように、フォトレジスト層１４を除去する。

なお、モールド１３における凸状ライン１２の幅、フォトレジスト層１４における凹状ラインパターンの幅等を、その長さ方向において一定間隔（一定周期）で変化させ、図７Ａに示すように、Ａｌ層５の凹状ライン１１の幅をその長さ方向において一定間隔（一定周期）で変化させることが好ましい。この場合、凹状ライン１１の幅が広い部分にポア６ａが形成され、ポア６ａがなす列の幅が当該列の長さ方向において一定間隔（一定周期）で変化（広く又は狭く）することとなる。この結果、図７Ｂに示すように、強磁性金属ピラー７が埋め込まれた後において、磁気記録媒体のジッタが低減され、より一層の高密度記録が可能となる。

モールド１３としては、例えば、連続使用耐久性の観点から炭化珪素基板等を用いることが好ましい。また、また、光ディスクの成型等に使用されているＮｉスタンパ等を用いてもよい。

インプリント転写の方法も特に制限されない。また、フォトレジスト層１４のレジスト材料には、光レジスト材料の他、電子線レジスト材料等も含まれる。光レジスト材料としては、例えば、近紫外光、近視野光等を利用可能な材料等が挙げられる。

以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。

（付記１）
基板と、
前記基板の上方に形成された軟磁性層と、
前記軟磁性層の上方に形成され、その内部に強磁性金属ピラーが埋め込まれた絶縁層と、
を有する磁気記録媒体において、
前記軟磁性層と前記絶縁層との間に形成され、金属層を陽極酸化処理することにより前記絶縁層を形成する際に用いられる処理液と前記軟磁性層との反応を防止する中間層を有することを特徴とする磁気記録媒体。

（付記２）
前記中間層は、絶縁層であることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。

（付記３）
前記中間層は、酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層であることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。

（付記４）
前記中間層の厚さは、１０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。

（付記５）
前記強磁性金属ピラーは、５ｎｍ乃至５００ｎｍのピッチで配列していることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。

（付記６）
前記強磁性金属ピラーの高さは、１ｎｍ乃至１００ｎｍであることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。

（付記７）
前記強磁性金属ピラーの直径は、２００ｎｍ以下であることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。

（付記８）
基板の上方に軟磁性層を形成する工程と、
前記軟磁性層の上方に中間層を形成する工程と、
前記軟磁性層の上方に金属層を形成する工程と、
前記金属層を陽極酸化処理することにより、孔を有する絶縁層を形成する工程と、
前記孔内に強磁性金属ピラーを埋め込む工程と、
を有し、
前記中間層として、前記陽極酸化処理の際に用いられる処理液と前記軟磁性層との反応を防止する層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

（付記９）
前記中間層として、絶縁層を形成することを特徴とする付記８に記載の磁気記録媒体の製造方法。

（付記１０）
前記中間層として、酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層を形成することを特徴とする付記８に記載の磁気記録媒体の製造方法。

（付記１１）
前記中間層の厚さを、１０ｎｍ以下とすることを特徴する付記８乃至１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。

（付記１２）
前記強磁性金属ピラーをめっき法により埋め込むことを特徴とする付記８乃至１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。

本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を示す平面図である。 図１Ａに引き続き、磁気記録媒体の製造方法を示す平面図である。 図１Ｂに引き続き、磁気記録媒体の製造方法を示す平面図である。 図１Ｃに引き続き、磁気記録媒体の製造方法を示す平面図である。 図１Ｄに引き続き、磁気記録媒体の製造方法を示す平面図である。 図１Ａ中のＩ−Ｉ線に沿った断面を示す断面図である。 図１Ｂ中のＩ−Ｉ線に沿った断面を示す断面図である。 図１Ｃ中のＩ−Ｉ線に沿った断面を示す断面図である。 図１Ｄ中のＩ−Ｉ線に沿った断面を示す断面図である。 図１Ｅ中のＩ−Ｉ線に沿った断面を示す断面図である。 １分間成長させたＣｏの強磁性金属ピラーを示す電子顕微鏡写真である。 ５分間成長させたＣｏの強磁性金属ピラーを示す電子顕微鏡写真である。 ポア６ａの配列を制御する方法を示す平面図である。 図４Ａに引き続き、ポア６ａの配列を制御する方法を示す平面図である。 凹状ライン１１を形成する第１の方法を示す断面図である。 図５Ａに引き続き、凹状ライン１１を形成する第１の方法を示す断面図である。 図５Ｂに引き続き、凹状ライン１１を形成する第１の方法を示す断面図である。 凹状ライン１１を形成する第２の方法を示す断面図である。 図６Ａに引き続き、凹状ライン１１を形成する第２の方法を示す断面図である。 図６Ｂに引き続き、凹状ライン１１を形成する第２の方法の示す断面図である。 凹状ライン１１の一例を示す平面図である。 図７Ａに示す凹状ライン１１と強磁性金属ピラー７との関係を示す平面図である。 従来の磁気記録媒体の構造を示す断面図である。 磁気記録媒体を製造する従来の方法を示す断面図である。 図９Ａに引き続き、従来の製造方法を示す断面図である。 図９Ｂに引き続き、従来の製造方法を示す断面図である。 従来の製造方法における不具合を示す断面図である。

符号の説明

１：基板
２：下地層
３：軟磁性裏打ち層
４：中間層
５：Ａｌ層
６：アルマイト層
６ａ：ポア
７：強磁性金属ピラー
８：剰余部
９：保護膜
１０：潤滑膜
１１：凹状ライン
１２：凸状ライン
１３：モールド
１４：フォトレジスト層

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板の上方に形成された軟磁性層と、
   前記軟磁性層の上方に形成され、その内部に強磁性金属ピラーが埋め込まれた絶縁層と、
   を有する磁気記録媒体において、
   前記軟磁性層と前記絶縁層との間に形成され、金属層を陽極酸化処理することにより前記絶縁層を形成する際に用いられる処理液と前記軟磁性層との反応を防止する中間層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
2. 前記中間層は、絶縁層であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 基板の上方に軟磁性層を形成する工程と、
   前記軟磁性層の上方に中間層を形成する工程と、
   前記軟磁性層の上方に金属層を形成する工程と、
   前記金属層を陽極酸化処理することにより、孔を有する絶縁層を形成する工程と、
   前記孔内に強磁性金属ピラーを埋め込む工程と、
   を有し、
   前記中間層として、前記陽極酸化処理の際に用いられる処理液と前記軟磁性層との反応を防止する層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
4. 前記中間層として、絶縁層を形成することを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 前記強磁性金属ピラーをめっき法により埋め込むことを特徴とする請求項３又は４に記載の磁気記録媒体の製造方法。

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