JP2007168016A - サンドブラスト装置、および、プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に形成された積層体を良好に加工でき、加工条件の最適化における作業者の負担を軽減できるサンドブラスト装置を提供する。
【解決手段】サンドブラスト装置は、搬送手段と、複数のガンと、制御部とを具備している。複数のガンは、切削材を噴射すると共に、搬送方向に対して略直交する方向に同一の移動時間ｔで往復運動する。制御部は、ガン３４Ａに第１の開始時点にて往復運動を開始させ、ガン３４Ｂに第２の開始時点にて往復運動を開始させる。複数のガンのそれぞれが積層体Ａに対して描く軌跡が互いに重ならず、切削ムラを生じさせずに積層体Ａを所望の形状に加工できる。そして、変更に制限のあるガンの移動速度Ｓなどのパラメータを逐次調整せずとも加工条件の最適化を容易に実施できる。
【選択図】図８

Description

本発明は、基板上に形成された積層体をサンドブラスト加工により所定の形状に加工するサンドブラスト装置、および、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

従来、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）の背面基板となる基板上に隔壁（リブ）を形成する際に用いられるサンドブラスト装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この特許文献１記載のサンドブラスト装置は、基板を搬送する搬送ローラと、この搬送ローラによる搬送方向と略直交する方向に往復運動しながら切削材を噴射する複数のガンとを備えている。そして、基板上に隔壁を形成する際には、まず、基板上にガラスペーストを塗布して、これを乾燥した後、このガラスペースト（積層体）上における隔壁となる部分に、耐サンドブラスト性を有するマスクを形成する。この後、この基板を搬送ローラにて所定方向に搬送するとともに、複数のガンを基板の搬送方向と略直交する方向に往復運動させながら切削材を基板に向けて噴射させることにより、マスクが形成されていない部分のガラスペーストを切削して隔壁を形成する。

このような特許文献１のサンドブラスト装置のような構成においては、一般的に複数のガンが同期して、すなわち、複数のガンが各折返点から同時に始動して往復運動する。その際、隣接するガン同士は互いに逆方向に移動し、かつ、それぞれのガンの移動速度およびガンの往復ピッチ幅は同一に設定されている。

ここにおいて、切削ムラを生じさせずに積層体を所望の形状に加工するためには、一定の速度で搬送されてくる基板に対して、複数のガンにて満遍なく切削材を噴射することが必要となる。このためには、基板の搬送速度、ガンの移動速度、ガンの往復ピッチ幅、隣接するガン同士の間隔などの各種パラメータを調整し、複数のガンのそれぞれが基板に対して描く軌跡が互いに重ならないようにする必要がある。

ここで、上述したような従来のサンドブラスト装置における最適な動作条件について、図１に基づいて説明する。図１は、従来のサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間２ｔ後の状態を示し、（Ｄ）は時間３ｔ後の状態を示し、（Ｅ）は時間４ｔ後の状態を示す。
なお、図１では、説明の簡易化のために、２つのガンを備えたサンドブラスト装置を示している。そして、図中Ｇ１は基板搬送方向の上流側に位置する第１のガンであり、Ｇ２は第１のガンＧ１よりも基板搬送方向の下側に位置する第２のガンである。また、図中実線Ａで示す四角形の領域は、基板上における積層体が形成された領域を示す。さらに、図中一点鎖線ＬＧ１は積層体Ａに対する第１のガンＧ１の軌跡を示し、二点鎖線ＬＧ２は積層体Ａに対する第２のガンＧ２の軌跡を示す。

図１に示すサンドブラスト装置において、基板の搬送速度Ｄは一定値に設定されている。
また、第１のガンＧ１および第２のガンＧ２の移動速度Ｓは同一に設定され、互いに逆方向に往復運動するようになっている。この移動速度Ｓは、サンドブラスト装置に装備された各ガンＧ１，Ｇ２を駆動する駆動手段の能力により決まる値である。
そして、説明の簡易化のために、各ガンＧ１，Ｇ２の往復ピッチ幅Ｐは、それぞれ積層体Ａの幅ｗと一致する条件で設定されている。すなわち、被加工領域の幅方向両端部上に、第１のガンＧ１および第２のガンＧ２のそれぞれにおける一方の折返点および他方の折返点が位置する条件で設定されている。

このような従来のサンドブラスト装置において、基板は各ガンＧ１，Ｇ２に向かって搬送されてくる。そして、当該基板はそれぞれのガンＧ１，Ｇ２の往復ピッチ間（一方と他方の折返点の間）を搬送され、各ガンＧ１，Ｇ２同士は基板の中央ですれ違いながら、基板上に形成された積層体に対して切削材を噴射する。

具体的には、図１（Ａ）に示す初期状態では、第１のガンＧ１は積層体Ａの一隅（図中、右上端部）に対向し、一方の折返点（図中上側）に位置している。この状態では、第２のガンＧ２は他方の折返点（図中下側）に位置している。
そして、時間ｔ毎に、第１のガンＧ１および第２のガンＧ２は図１（Ｂ）〜（Ｅ）に示す状態で各折返点間を移動する。この間に基板は一定の搬送速度Ｄで搬送されるため、積層体Ａに対して、第１のガンＧ１および第２のガンＧ２は軌跡ＬＧ１，ＬＧ２を描く状態で切削材を噴射する。なお、時間ｔはｔ＝Ｐ／Ｓで求まる値であって、各ガンＧ１，Ｇ２に固有の値と言え、時間２ｔは各ガンＧ１，Ｇ２の往復運動時間に相当する。

図１（Ｅ）に示す時間４ｔ経過後の状態では、軌跡ＬＧ１，ＬＧ２は互いに重ならずに、基板搬送方向における軌跡ＬＧ１，ＬＧ２間の間隔ｘ、ｙは等しくなっている。これは、一定の速度で移動してくる積層体Ａに対して、複数のガンＧ１，Ｇ２にて満遍なく切削材を噴射でき、切削ムラが生じず積層体を所望の形状に加工できたことを意味する。つまり、上記した各条件は、上記した従来のサンドブラスト装置における最適な動作条件となっている。

しかしながら、上記した従来のサンドブラスト装置では、各ガンＧ１，Ｇ２の往復運動は基板の搬送速度Ｄに対しては何ら考慮されておらず、単に各ガンＧ１，Ｇ２の往復運動のみを同期させるものとなっている。このため、図１に示す条件では、偶然にも基板の搬送速度Ｄと各ガンＧ１，Ｇ２の往復運動時間２ｔとの間でバランスが取れて、好適なサンドブラスト加工が実現できたものの、基板の搬送速度Ｄが少しでも変更された場合は、好適なサンドブラスト加工を施せなくなるおそれがある。

すなわち、例えば、基板の搬送速度のみを図１の基板の搬送速度Ｄの１．５倍に上げ、その他の条件を変更しない場合、第１のガンＧ１および第２のガンＧ２が積層体Ａに対して描く軌跡ＬＧ１，ＬＧ２は図２に示す状態となる。この場合、図２（Ｅ）に示す時間４ｔ経過後の状態では、軌跡ＬＧ１，ＬＧ２は互いに重なっていないものの、軌跡ＬＧ１，ＬＧ２間の間隔ｘ、ｙは等間隔となっていない。このため、軌跡幅が広い箇所と狭い箇所とが発生してしまい、切削ムラが生じて加工形状がバラつく可能性が大きくなる。

さらに、例えば、基板の搬送速度のみを図１の基板の搬送速度Ｄの２倍に上げ、その他の条件を変更しない場合、第１のガンＧ１および第２のガンＧ２が積層体Ａに対して描く軌跡ＬＧ１，ＬＧ２は、図３に示す状態となる。この場合、図３（Ｅ）に示す時間４ｔ経過後の状態では、軌跡ＬＧ１，ＬＧ２は互いに完全に重なっている。このため、切削される部分と切削されない部分とが完全に分かれるので、大きな切削ムラが生じてしまう可能性がある。

特開２００１−２２２９４６号公報（第６頁左欄−第９頁右欄）

上記した問題点を踏まえて、上記特許文献１記載のような従来のサンドブラスト装置にて、各ガンＧ１，Ｇ２の往復運動条件に合わせて、基板の搬送速度Ｄを変更する方法も考えられる。しかし、基板の搬送速度をサンドブラスト工程の都合だけで変更した場合、ライン全体における生産性に影響を及ぼすばかりか、このサンドブラスト装置がその前後工程と直結したインラインタイプである場合、ライン全体の搬送速度がその調整により変わってしまう。このため、安易に基板の搬送速度Ｄを変更することはできない。

そして、上記した問題点を踏まえて、各ガンＧ１，Ｇ２の往復ピッチ幅Ｐを変更することも考えられるが、当該往復ピッチ幅Ｐは積層体Ａの幅ｗに依存するものであるため、容易に変更することはできない。
また、各ガンＧ１，Ｇ２の移動速度Ｓを変更することも考えられるが、当該移動速度ＳはガンＧ１，Ｇ２を駆動する駆動手段の負荷と、加工能力・加工ムラとに直結しているため、容易に変更できない。すなわち、移動速度Ｓを上げ過ぎると当該駆動手段に負荷が生じ、高い移動速度Ｓを要求する場合、当該駆動手段に相応の能力を付与するために構成が大掛かりなものとなる。また、移動速度Ｓは、低すぎると加工ムラが発生し易くなり、高すぎると折り返しの回数が増加し、加工能力が低下してしまう。

さらに、従来、各ガンの往復ピッチ幅Ｐと、各ガンの移動速度Ｓと、各ガン間の間隔Ｃと、基板の搬送速度Ｄとを調整して最適な加工条件を選定する際には、装置作業者が、処理時間や各ガンＧ１，Ｇ２を駆動する駆動手段の能力、積層体Ａの幅ｗなどを考慮した上で、最もバランスの良い加工条件を逐次選定するのが一般的であった。
しかしながら、積層体Ａのサイズの変更や生産タクトの制限などが変化する度に条件を変更するのは非常に非効率的であり、装置作業者の作業負担ともなっていた。

本発明は、上述したような問題点に鑑みて、基板上に形成された積層体を良好に加工でき、加工条件の最適化における作業者の負担を軽減できるサンドブラスト装置、および、プラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを１つの目的とする。

請求項１に記載の発明は、基板上に形成された積層体をサンドブラスト加工により所定の形状に加工するサンドブラスト装置であって、一定の搬送速度で前記基板を搬送する搬送手段と、前記基板の搬送方向に対して略直交する方向に往復運動すると共に、前記積層体に対して前記サンドブラスト加工で用いる切削材を噴射する複数のガンと、前記複数のガンと各種信号が送受信可能な状態で接続され、前記複数のガンのそれぞれにおける前記往復運動および前記切削材の噴射動作を制御する制御部とを具備し、前記複数のガンの全てにおいて、前記往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間が同一であり、前記制御部は、前記複数のガンのうちの第１のガンを、第１の開始時点にてこの第１のガンにおける前記一方の折返点から前記往復運動を開始させ、前記複数のガンのうちの第２のガンを、前記第１のガンが前記往復運動を動作中であって前記第１の開始時点と異なる第２の開始時点にて、この第２のガンにおける前記他方の折返点から前記往復運動を開始させることを特徴とするサンドブラスト装置である。

請求項９に記載の発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に設けられて前記放電空間を区画する隔壁とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造する方法であって、前記一方の基板の内面上に積層体を形成し、前記積層体上に、耐サンドブラスト性を有し前記隔壁のパターンに対応するマスクを形成し、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のサンドブラスト装置を用いて、前記積層体および前記マスクに対してサンドブラスト加工を実施して前記隔壁を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法である。

本発明は、折返点間の移動時間が一定の複数のガンに対して、当該複数のガンのそれぞれの往復運動開始時間を別個に調整してガンの軌跡を重ならないように制御することで、上記課題を解決するものである。
以下に、本発明の一実施形態に係るサンドブラスト装置、および、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）の製造方法について説明する。
なお、本実施形態では、本発明のサンドブラスト装置によりプラズマディスプレイパネルの背面基板における隔壁を形成する場合について例示するが、これに限らない。すなわち、プラズマディスプレイパネルの背面基板におけるアドレス電極などの電極パターンや、その他、基板上に形成され、サンドブラスト加工によりパターン形成可能ないずれの積層体に対しても適用できる。

（１）第１実施形態
(1-1)ＰＤＰの構成
まず、本発明の第１実施形態に係るサンドブラスト装置により製造されるＰＤＰについて、図面に基づいて説明する。図４は、本実施形態のサンドブラスト装置により製造されるＰＤＰの内部構造を示した斜視図である。図５は、ＰＤＰの外観を示した正面図である。

図４および図５に示すように、１００はＰＤＰであり、このＰＤＰ１００は、放電空間２００を介して互いに対向配置された背面基板３００および前面基板４００を備えている。これら背面基板３００および前面基板４００は、図５に示すように、シールフリット５００にて封着され、封着された内部空間は負圧状態とされて、Ｈｅ−Ｘｅ（ヘリウム−キセノン）系やＮｅ−Ｘｅ（ネオン−キセノン）系の不活性ガスが充填されている。

背面基板３００は、例えば平面略長方形状のガラス板である。この背面基板３００は、基板内面側に略直線状に形成された複数のアドレス電極３１０と、これらアドレス電極３１０上を被覆するアドレス電極保護層３２０と、このアドレス電極保護層３２０上に設けられた隔壁３３０と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層（３４０Ｒ,３４０Ｇ,３４０Ｂ）とを備えている。

隔壁３３０は、例えばアドレス電極保護層３２０と同一成分のガラスペーストで井桁状に形成され、図５中二点鎖線Ａで示す領域に設けられる。この隔壁３３０は、その基端部から頂部までの高さが所定寸法に設定されており、背面基板３００と前面基板４００との間隙を所定の寸法に規定する。また、隔壁３３０は、放電空間２００を井桁状に区画し、これにより複数の矩形状の放電セル３３０Ａが形成されている。これら複数の放電セル３３０Ａ内部には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層（３４０Ｒ,３４０Ｇ,３４０Ｂ）が順に設けられている。
なお、図４に示すＰＤＰでは井桁状の隔壁３３０を例示しているが、これに限らず、隔壁３３０の形状は、ストライプ状や梯子形状など、複数の放電セル３３０Ａを形成可能なパターン形状であればいずれでもよい。

前面基板４００は、例えば平面略長方形状のガラス板である。この前面基板４００は、基板内面上に略Ｔ字形状に形成された複数の透明電極４１０と、これら透明電極４１０に積層された複数の直線状のバス電極対４２０と、これらバス電極対４２０間に設けられた複数の直線状のブラックストライプ４３０と、透明電極４１０、バス電極対４２０およびブラックストライプ４３０を被覆する誘電体層４４０と、この誘電体層４４０を被覆する保護層４５０とを備えている。

(1-2)ＰＤＰの製造方法
上記したＰＤＰ１００の製造方法について説明する。まず、背面基板３００の製造方法について説明する。
背面基板３００の製造ラインにおいて、ガラス基板の内面側を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。
この後、当該ガラス基板の内面側の全面にＡｌなどの導電体を含んた導電性薄膜を形成して、フォトリソグラフィ法によりアドレス電極３１０のパターンを形成する。

アドレス電極３１０の形成後、これらアドレス電極３１０上を被覆する状態で、例えばダイコータ法などにて、図５の二点鎖線Ａに示す領域にガラスペースト層（積層体）を塗布形成する。この後、ガラスペースト層を焼成して、ガラスペースト層上に、耐サンドブラスト性を有しかつ隔壁３３０のパターンに対応するマスクを形成する。
当該マスクの形成後、本実施形態の後述するサンドブラスト装置１を用いて、ガラスペースト層およびマスクに対してサンドブラスト加工を実施する（サンドブラスト工程）。このサンドブラスト工程については後程詳述する。これにより、アドレス電極保護層３２０および隔壁３３０が形成される。

そして、放電セル３３０Ａ内部にスクリーン印刷法などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これを焼成して蛍光体層（３４０Ｒ,３４０Ｇ,３４０Ｂ）を形成する。これにより、ＰＤＰ１００の背面基板３００が完成する。

次に、前面基板４００の製造方法について説明する。
前面基板４００の製造ラインにおいて、十分に洗浄されたガラス基板の内面側の全面にＩＴＯなどの透明電極材料膜を形成して、フォトリソグラフィ法などにより複数の透明電極４１０を形成する。この後、フォトリソグラフィ法などにより、透明電極４１０上にバス電極対４２０に対応するパターンを積層形成し、これを焼成してバス電極対４２０を形成する。次いで、ディスペンサー法などにより、黒色無機顔料を含むペーストをバス電極対４２０間に塗布し、これを焼成して複数のブラックストライプ４３０を形成する。この後、透明電極４１０、バス電極対４２０およびブラックストライプ４３０を被覆する状態にガラスペーストを塗布し、これを焼成して誘電体層４４０を形成する。さらに、誘電体層４４０の上に蒸着法やスパッタリング法などにより保護層４５０を成膜形成する。これにより、ＰＤＰ１００の前面基板４００が完成する。

そして、完成した背面基板３００および前面基板４００のそれぞれの外周縁部にシールフリット５００を設けて封着し、さらに封着した空間内部を減圧して不活性ガスを充填する。以上により、ＰＤＰ１００が完成する。

(1-3)サンドブラスト装置１の構成
次に、本実施形態に係るサンドブラスト装置について、図面に基づいて説明する。図６は、本実施形態に係るサンドブラスト装置を示す概略構成図である。図７は、サンドブラスト装置を模式的に示したものであり、（Ａ）は側断面図であり、（Ｂ）は平断面図である。
なお、図６および図７において、３００は、予め複数のアドレス電極３１０、ガラスペースト層（積層体Ａ）およびマスクが順に形成された矩形状の背面基板である。また、図６では、簡略化のために、制御部とこれに制御される各部との接続状態を図示省略している。

図６において、サンドブラスト装置１は、サンドブラスト室２の内部に収納されており、加工部３と、材料供給タンク４と、分離フィルター５と、遠心分離機６と、集塵機７と、切削材タンク８と、定量供給装置９とを備えている。
また、サンドブラスト室２の内部には湿度調整部１０が設けられており、この湿度調整部１０によりサンドブラスト室２内部が所定の湿度に維持されて、サンドブラスト加工時における静電気の発生が抑制されるようになっている。

加工部３は、背面基板３００に対してサンドブラスト加工を実施する。この加工部３は、加工室３１と、この加工室３１に隣接して設けられたブラストキャビネット３２と、背面基板３００を搬送する搬送手段３３と、加工室３１内部に設けられた複数のガン３４Ａ〜３４Ｄと、加工室３１内部にて各ガン３４Ａ〜３４Ｄに対応して設けられた複数の位置センサ３５Ａ〜３５Ｄと、制御部３６とを備えて構成されている。

加工室３１は、内部でサンドブラスト加工が実施される筐体である。この加工室３１の側面部には、背面基板３００が搬入される搬入窓３１１と、背面基板３００が搬出される搬出窓３１２とが設けられている。また、加工室３１の底部には、切削後の加工屑を排出するための排出部３１３が設けられている。このような加工室３１の内部は後述する集塵機７の作用により負圧に保たれており、これにより、加工屑が加工室３１の外部に飛散しないようになっている。

ブラストキャビネット３２は、加工室３１、および、加工室３１に対して背面基板３００の搬送方向下流側に設けられたバッファー室３２１の全体を囲う筐体であり、加工室３１およびバッファー室３２１に飛散した加工屑を回収する。このブラストキャビネット３２の側面部には、背面基板３００を搬入する搬入窓３２２と、背面基板３００を搬出する搬出窓３２３とが設けられている。また、バッファー室３２１にはサンドブラスト加工後の背面基板３００に付着した加工屑をエアで洗浄・除去する図示しないエア洗浄手段が設けられている。

搬送手段３３は、加工室３１における搬入窓３１１および搬出窓３１２と、ブラストキャビネット３２における搬入窓３２２および搬出窓３２３とを介して、背面基板３００を水平面内における一方向（以下、搬送方向と称す）に沿って搬入・搬出する。
このような搬送手段３３は、図７に示すように、複数本の搬送ローラ３３１と、これら搬送ローラ３３１の両端部を回転可能に軸支する一対の支持板３３２と、複数の搬送ローラ３３１の一端側に巻き回されたタイミングベルト３３３と、モータ３３４とを備えている。

複数の搬送ローラ３３１は、水平面内において回転軸が搬送方向に略直交する状態で、加工室３１の搬入窓３１１側からブラストキャビネット３２の搬出窓３２３側までに亘り、それぞれ並列して設けられている。
モータ３３４は、その駆動軸にタイミングベルト３３３が巻き回されており、タイミングベルト３３３を介して複数の搬送ローラ３３１に回転駆動力を伝達する。また、モータ３３４は、制御部３６に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、制御部３６の制御により駆動軸を回転させる。これにより、背面基板３００は、搬送ローラ３３１上に載置された状態で、一定の搬送速度Ｄで搬送されるようになっている。

複数のガン３４Ａ〜３４Ｄは、加工室３１の内部における搬送ローラ３３１の上方に設けられている。ガン３４Ａは、本発明における第１のガンに相当し、搬送方向における最上流側に配置されている。ガン３４Ｂは、本発明における第２のガンに相当し、ガン３４Ａの搬送方向下流側に所定間隔Ｃだけ離れて配置されている。ガン３４Ｃおよびガン３４Ｄも本発明における第２のガンに相当し、それぞれガン３４Ｂのさらに搬送方向下流側に所定間隔ずつ離れて配置されている。なお、本実施形態では、図７に示すように４つのガンを備えた構成を例示しているが、２つ以上であればいずれの数としてもよい。

これら複数のガン３４Ａ〜３４Ｄは、背面基板３００の搬送方向に対して略直交する方向に往復運動させる図示しない駆動手段を備えている。なお、これらガン３４Ａ〜３４Ｄの移動速度は、厳密には一方の折返点から他方の折返点までの間（往復ピッチ幅Ｐに対応）で、初速、中間速および終速など、移動箇所により多少異なるため、ここでの移動速度Ｓは往復ピッチ幅Ｐ間を移動する平均速度とする。
また、それぞれのガン３４Ａ〜３４Ｄは、背面基板３００上の積層体Ａに対して、サンドブラスト加工に使用する切削材をドライエアと共に噴射可能となっている。なお、切削材には比重の大きなガラスビーズ、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２等を用いることができる。
このような複数のガン３４Ａ〜３４Ｄは、制御部３６に各種信号が送受信可能な状態で接続されており、制御部３６の制御により、各ガン３４Ａ〜３４Ｄのそれぞれが独立して前記往復運動および切削材の噴射動作を実施する。切削材の噴射により、背面基板３００におけるマスクにより被覆されていない積層体Ａは切削・除去され、切削後の隔壁材料と切削材とが混在した加工屑が発生する。

位置センサ３５Ａ〜３５Ｄは、光電式や接触式などの位置センサであり、加工室３１の内部における搬送ローラ３３１の下方に、各ガン３４Ａ〜３４Ｄのそれぞれに対応して設けられている。そして、それぞれの位置センサ３５Ａ〜３５Ｄは、制御部３６と各種信号が送受信可能な状態で接続され、搬送ローラ３３１上の基板の位置情報をそれぞれ取得する。さらに、取得した位置情報を制御部３６に送信する。
なお、サンドブラスト装置の機構上、切削材のかかりにくい箇所にセンサーを配置する必要があり、また、光電式よりも接触式のセンサーの方が望ましい。

制御部３６は、上述したように、搬送手段３３におけるモータ３３４と、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄおよびそれらの駆動手段と、複数の位置センサ３５Ａ〜３５Ｄとに各種信号が送受信可能な状態で接続されており、各部の動作を制御する。

材料供給タンク４は、分離フィルター５へ切削材を供給するタンクである。分離フィルター５は、加工室３１の排出部３１３より排出された加工屑に混入した異物を除去するフィルターである。遠心分離機６は、分離フィルター５によって分離された加工屑を、機構重量が小さい切削後の隔壁材料と、重量が大きい切削材とに遠心分離する。

集塵機７は、その内部に設けられた吸気ファン７１にて、遠心分離機６で分離された切削後の隔壁材料を吸引し、この隔壁材料を集塵機７内部に設けられた隔壁材料収納部（図示しない）へと移送する。また、集塵機７は、吸気ファン７１の吸気により、加工室３１の内部圧力を加工室３１の外部圧力に対して低くなるように調整する。なお、隔壁材料収納部に貯蔵された切削後の隔壁材料は、省資源化の観点から再使用される。
切削材タンク８は、遠心分離機６で分離された切削材を回収し、この切削材を定量供給装置９へと移送する。定量供給装置９は、切削材タンク８から移送された切削材を定量調整してから、この切削材を各ガン３４Ａ〜３４Ｄに加圧供給する。

以上のように、本実施形態のサンドブラスト装置１では、各ガン３４Ａ〜３４Ｄに切削材を供給し、サンドブラスト加工後の加工屑を回収してから加工屑中の切削材を分離し、再度、サンドブラスト加工に利用するというように、切削材は省資源化の観点から循環して利用される。

(1-4)サンドブラスト装置１の動作（サンドブラスト工程）
上記のような構成のサンドブラスト装置１により、ＰＤＰ１００の背面基板３００に隔壁３３０を形成する動作について、図面に基づいて説明する。図８は、本実施形態のサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間２ｔ後の状態を示し、（Ｄ）は時間３ｔ後の状態を示し、（Ｅ）は時間４ｔ後の状態を示し、（Ｆ）は時間５ｔ後の状態を示す。

まず、サンドブラスト加工を行う前工程において、予め、複数のアドレス電極３１０、積層体Ａおよびマスクが順に形成された背面基板３００を準備しておく。そして、搬送手段３３にて、背面基板３００を加工室３１の内部へと搬入する。この後、サンドブラスト加工が実施される。

本実施形態におけるサンドブラスト加工では、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄのうち搬送方向上流側の２つのガン３４Ａ，３４Ｂのみが作動する場合について説明する。そして、各ガン３４Ａ，３４Ｂにおいて、前記往復運動における一方の折返点から他方の折返点までのピッチ幅Ｐが同一であり、かつ、積層体Ａの搬送方向に略直交する方向の幅ｗと略同一に設定されている。また、各ガン３４Ａ，３４Ｂにおいて、搬送方向に対して略直交する方向への移動速度Ｓが同一となっている。このため、各ガン３４Ａ，３４Ｂにおいて、前記往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間ｔが同一となっている。なお、ガン３４Ａ，３４Ｂ間の間隔Ｃは装置に固有の値であり、基板の搬送速度Ｄについても装置や生産ラインのタクトタイムによって決まる値である。

各ガン３４Ａ，３４Ｂはそれぞれ、デフォルト位置が一方または他方いずれかの折返点とされて、非稼動時は該折返点にて待機をしている。例えば、図８ではガン３４Ａは一方の折返点（図中上側）がデフォルト位置となっており、ガン３４Ｂは他方の折返点（図中下側）がデフォルト位置となっている。そして、制御部３６の制御により、背面基板３００が搬送手段３３にて加工室３１内に搬入されると、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出する。そして、制御部３６は、この時点を第１の開始時点として設定する。このとき、ガン３４Ａは、図８（Ａ）に示すように、積層体Ａの一隅（図中、右上端部）上に位置するようになっている。すなわち、この例では、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出するこの第１の開始時点で、ガン３４Ａが積層体Ａの一隅上に位置する様に、位置センサ３５Ａの配置等が予め調整されている。そして、ガン３４Ａが積層体Ａの一隅上に位置したこの第１の開始時点で、ガン３４Ａが一方の折返点（図中上側）から始動を始める。
なお、図１〜３に示すような従来のサンドブラスト装置の場合、ガンＧ１の始動と同時にガンＧ２も始動し始めるが、図８に示す本実施形態では、ガン３４Ｂは始動せずに停止したままである。

第１の開始時点から時間ｔ（ｔ＝Ｐ／Ｓ）経過の間、搬送手段３３は背面基板３００を一定の搬送速度Ｄで搬送し、同時に、ガン３４Ａのみが他方の折返点（図中下側）へ向けて一定の移動速度Ｓで移動する。そして、時間ｔ経過後の図８（Ｂ）に示す状態において、ガン３４Ａは他方の折返点（図中下側）まで到達するが、この時、ガン３４Ｂは未だ始動していない。

そして、制御部３６は、互いに隣接するガン３４Ａ，３４Ｂ間の間隔Ｃを搬送速度Ｄで除した値（時間Ｃ／Ｄ）を、第１の開始時点に加えた値を第２の開始時点として設定する。この第２の開始時点において、ガン３４Ｂが他方の折返点（図中下側）から始動を始める。つまり、積層体Ａの搬送方向側先端が、ガン３４Ａの下を通過する時点が第１の開始時点となり、ガン３４Ａと隣接するガン３４Ｂの下を通過する時点が第２の開始時点となる。

さらに、時間ｔ経過毎に、ガン３４Ａおよびガン３４Ｂは図８（Ｃ）〜（Ｆ）に示す状態で各折返点間を移動する。この間、背面基板３００は一定の搬送速度Ｄで搬送されるため、積層体Ａに対して、ガン３４Ａおよびガン３４Ｂは軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂを描く状態で移動する。
そして、図８（Ｆ）に示す時間５ｔ経過後の状態では、軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂは互いに重ならずに、軌跡Ｌ３４Ａの間に軌跡Ｌ３４Ｂが入り、基板搬送方向における軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂ間の間隔ｘは全て等しくなっている。

このようにして、制御部３６が、第１の開始時点を基準に第２の開始時点を設定し、ガン３４Ａおよびガン３４Ｂの往復運動を制御することにより、図８（Ｆ）に示すような軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂが得られる。このような第１の開始時点および第２の開始時点は、背面基板３００の位置情報と、背面基板３００の搬送速度Ｄと、ガン３４Ａおよびガン３４Ｂの搬送方向における間隔Ｃと、ガン３４Ａおよびガン３４Ｂの移動時間ｔ（ｔ＝Ｐ／Ｓ）とに基づいて、制御部３６により容易に得られる。そして、これらパラメータ（搬送速度Ｄ、間隔Ｃ、移動時間ｔ）がいかなる値であっても、図８（Ｆ）に示すような軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂが得られる。

以上のように各ガン３４Ａ，３４Ｂが積層体Ａ上を移動している間は、各ガン３４Ａ，３４Ｂは積層体Ａに向けて切削材を噴射するので、積層体Ａの全面が満遍なく加工される。これにより、背面基板３００のマスクで被覆されていない積層体Ａが切削・除去され、所定の形状の隔壁３３０と、アドレス電極保護層３２０とが形成される。

この後、背面基板３００は搬出窓３１２からバッファー室３２１に搬送され、バッファー室３２１において背面基板３００はエア洗浄手段により洗浄される。背面基板３００のエア洗浄後、背面基板３００は搬出窓３２３からブラストキャビネット３２の外側に搬出され、一連のサンドブラスト加工が完了する。この後、背面基板３００からマスクを剥離する工程へと進む。
なお、サンドブラスト加工において発生した加工屑は、加工室３１の排出部３１３に吸引されてから、分離フィルター５と、遠心分離機６と、集塵機７と、切削材タンク８と、定量供給装置９とにより、再度利用に供される。

(1-5)第１実施形態の効果
上記第１実施形態におけるサンドブラスト装置１、および、ＰＤＰ１の製造方法によれば、以下の効果を奏することができる。

(1-5-1)サンドブラスト装置１は、背面基板３００上に形成された積層体Ａをサンドブラスト加工により所定の形状に加工する。このサンドブラスト装置１は、搬送手段３３と、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄと、制御部３６とを具備している。搬送手段３３は、一定の搬送速度Ｄで背面基板３００を搬送する。複数のガン３４Ａ〜３４Ｄは、搬送方向に対して略直交する方向に往復運動すると共に、積層体Ａに対してサンドブラスト加工で用いる切削材を噴射する。これら複数のガン３４Ａ〜３４Ｄの全てにおいて、往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間ｔが同一となっている。制御部３６は、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄと各種信号が送受信可能な状態で接続され、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄのうちガン３４Ａを、第１の開始時点にてこのガン３４Ａにおける一方の折返点から往復運動を開始させ、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄのうちガン３４Ｂを、ガン３４Ａが往復運動を動作中であって第１の開始時点と異なる第２の開始時点にて、このガン３４Ｂにおける他方の折返点から前記往復運動を開始させる。

このように、複数のガンの往復運動を同期させずに、複数のガンの往復運動開始時点をずらしているので、複数のガンのそれぞれが積層体Ａに対して描く軌跡が互いに重ならないようにすることができる。このため、切削ムラを生じさせずに、積層体Ａを所望の形状に加工できる。
そして、生産ライン全体において基板の搬送速度Ｄが変化した場合でも、変更に制限のある各種パラメータ（ガンの移動速度Ｓや往復ピッチ幅Ｐなど）を制限の範囲内で逐次調整せずとも、それぞれのガンの往復運動開始時点をずらすだけで、複数のガンのそれぞれが積層体Ａに対して描く軌跡が互いに重ならないようにすることができる。このため、作業者はサンドブラスト加工の加工条件の最適化を容易に実施できる。したがって、加工条件の最適化における作業者の負担を軽減できる。また、サンドブラスト工程だけのために生産ライン全体の流れを変更することを防ぐことができ、良好な生産性を確保できる。

(1-5-2)制御部３６は、第１の開始時点および第２の開始時点を、背面基板３００に対するガン３４Ａの軌跡Ｌ３４Ａと、背面基板３００に対するガン３４Ｂの軌跡Ｌ３４Ｂとが互いに重ならない条件で設定する。
このような条件とすることで、積層体Ａにおいて切削される部分と切削されない部分とが分かれることがなくなり、大きな切削ムラが生じることを防ぐことができる。したがって、加工後の積層体Ａの形状を良好なものとすることができる。

(1-5-3)サンドブラスト装置１は、制御部３６と各種信号が送受信可能な状態で接続され、搬送ローラ３３１上の背面基板３００の位置情報を取得する位置センサ３５Ａを具備している。制御部３６は、第１の開始時点および第２の開始時点を、搬送手段３３による基板の搬送速度Ｄと、位置センサ３５Ａにて取得された基板の位置情報とに基づいて設定する。
このため、生産ラインにおいて順次搬送されてくる複数の背面基板３００のそれぞれに対して、背面基板３００の位置を的確に捉えた上で、ガン３４Ａおよびガン３４Ｂの加工開始のタイミングを調整できるので、良好な生産性を確保できると共に製品品質を高めることができる。

(1-5-4)制御部３６は、第１の開始時点および第２の開始時点を、ガン３４Ａの軌跡の間にガン３４Ｂの軌跡が入る条件で設定する。
このような条件とすることで、背面基板３００に対するガン３４Ａの軌跡Ｌ３４Ａと、背面基板３００に対するガン３４Ｂの軌跡Ｌ３４Ｂとが互いに重ならず、かつ、良好に分散させることができる。このため、サンドブラスト加工を満遍なく実施できる。したがって、加工後の積層体Ａに切削ムラが生じることを防ぐことができ、積層体Ａを良好に加工することができる。

(1-5-5)制御部３６は、第１の開始時点および第２の開始時点を、背面基板３００に対する複数のガン３４Ａ，３４Ｂの軌跡が、それぞれ互いに隣接する軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂ同士の間隔が搬送方向において等間隔となる条件で設定する。
このような条件は、サンドブラスト加工における最適な加工条件であり、積層体Ａに対するそれぞれのガンの軌跡が互いに重ならず、かつ、積層体Ａの全面に亘り均一に分散させることができる。したがって、サンドブラスト加工後の積層体Ａの形状を最も良好なものにすることができる。

(1-5-6)制御部３６は、互いに隣接するガン３４Ａ，３４Ｂ間の間隔Ｃを搬送速度Ｄで除した値（時間Ｃ／Ｄ）を、第１の開始時点に加えた値を第２の開始時点として設定する。
このため、第２の開始時点の設定が容易であり、作業者の加工条件の最適化における負担を軽減できる。そして、このような条件でサンドブラスト加工を実施することにより、それぞれ互いに隣接する軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂ同士の間隔が等間隔となり、加工後の製品品質を最も高めることができる。なお、搬送速度Ｄ、間隔Ｃおよび移動時間ｔの各パラメータがいずれの値であっても、互いに隣接する軌跡同士の間隔を等間隔とすることができる。

(1-5-7)積層体Ａは矩形状であり、複数のガン３４Ａ，３４Ｂの全てにおいて、往復運動における一方の折返点から他方の折返点までのピッチ幅Ｐは、積層体Ａの搬送方向に略直交する方向の幅ｓと等しく設定される。
このような設定とすることで、複数のガン３４Ａ，３４Ｂにおける切削材の噴出量が必要最小限となって効率的であり、積層体Ａに対して描かれる複数のガン３４Ａ，３４Ｂによる軌跡Ｌ３４Ａ，Ｌ３４Ｂを細密なものすることができる。したがって、製造効率を向上できると共に、積層体Ａに対して良好にサンドブラスト加工を施すことができる。

(1-5-8)本実施形態で製造されるＰＤＰ１００は、放電空間２００を介して対向配置された背面基板３００および前面基板４００と、背面基板３００の内面上に設けられて放電空間２００を区画する隔壁３３０とを備えている。このようなＰＤＰ１００の製造方法では、背面基板３００の内面上にガラスペーストにて積層体Ａを形成する。この積層体Ａ上に耐サンドブラスト性を有し隔壁３３０のパターンに対応するマスクを形成する。そして、上記サンドブラスト装置１を用いて、積層体Ａおよびマスクに対してサンドブラスト加工を実施して隔壁３３０を形成する。
このように、上記サンドブラスト装置１を用いて隔壁３３０を形成しているので、隔壁３３０の形状が背面基板３００の全面において均質であり、ＰＤＰ１００の特性を優れたものにすることができる。また、当該サンドブラスト加工のためにＰＤＰ１００の生産ラインにおける基板搬送速度を変更しなくても済むので、ＰＤＰ１００を良好に製造できる。

（２）第２実施形態
次に本発明の第２実施形態に係るサンドブラスト装置について、図面に基づいて説明する。図９は、第２実施形態に係るサンドブラスト装置の４つのガンが積層体に対して描く軌跡を模式的に示した平面図である。
なお、本実施形態におけるサンドブラスト装置は、図６〜図８に示した第１実施形態のサンドブラスト装置１と、制御部３６の制御動作のみが異なるものである。すなわち、第１実施形態における制御部３６は２つのガン３４Ａ，３４Ｂのみを制御したが、本実施形態における制御部は、４つのガン３４Ａ〜３４Ｄを制御するものであり、さらにはｍ（ｍ≧５）以上のガンをも制御可能である。以下、第１実施形態のサンドブラスト装置１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

(2-1)サンドブラスト装置１の動作（サンドブラスト工程）
本実施形態におけるサンドブラスト加工では、制御部３６の制御により、４つのガン３４Ａ〜３４Ｄが作動する。そして、各ガン３４Ａ〜３４Ｄの全てにおいて、前記往復運動における一方の折返点から他方の折返点までのピッチ幅Ｐが同一であり、かつ、積層体Ａの搬送方向に略直交する方向の幅ｗと略同一に設定されている。また、搬送方向に対して略直交する方向への移動速度Ｓが同一となっている。このため、各ガン３４Ａ〜３４Ｄの全てにおいて、前記往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間ｔが同一となっている。

各ガン３４Ａ〜３４Ｄは、デフォルト位置が一方または他方いずれかの折返点とされて、非稼動時は該折返点にて待機をしている。例えば、図９ではガン３４Ａは一方の折返点（図中上側）がデフォルト位置となっている。そして、制御部３６の制御により、背面基板３００が搬送手段３３にて加工室３１内に搬入されると、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出する。そして、制御部３６は、この時点を第１の開始時点として設定する。このとき、ガン３４Ａは、積層体Ａの一隅（図９中、右上端部）上に位置するようになっている。すなわち、この例では、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出するこの第１の開始時点で、ガン３４Ａが積層体Ａの一隅上に位置する様に、位置センサ３５Ａの配置等が予め調整されている。そして、ガン３４Ａが積層体Ａの一隅上に位置したこの第１の開始時点で、ガン３４Ａが一方の折返点（図中上側）から始動を始める。
なお、図９に示す本実施形態では、この第１の開始時点においては、ガン３４Ｂ〜３４Ｄは始動せずに停止したままである。

ここで、制御部３６は、ガン３４Ｂ〜３４Ｄを搬送方向の上流側からｎ番目（２≦ｎ≦ｍ、本実施形態ではｍ＝４）に位置するガンとし、ガン３４Ｂ〜３４Ｄが他方の折返点（図中下側）から始動する時点をそれぞれの第２の開始時点とした場合、各第２の開始時点と第１の開始時点との時間差Ｔを下記式(１）より算出し、第１の開始時点および各第２の開始時点を設定する。つまり、第２の開始時点は、ガン３４Ｂ〜３４Ｄのそれぞれについて設定される。

〔数式〕
Ｔ＝（Ｃ（ｎ−１）／Ｄ）＋（２ｔ（ｎ−１）／ｍ）―ｔ …（１）
Ｃ：互いに隣接するガン同士間の間隔、Ｄ：基板の搬送速度、ｍ：ガンの総数、ｔ：ガンの一方の折返点と他方の折返点との間の移動時間

すなわち、ガン３４Ｂの第２の開始時点は第１の開始時点から時間（Ｃ／Ｄ）＋（ｔ／２）（ｔ＝Ｐ／Ｓ）経過時であり、ガン３４Ｃの第２の開始時点は第１の開始時点から時間（２Ｃ／Ｄ）＋ｔ（ｔ＝Ｐ／Ｓ）経過時であり、ガン３４Ｄの第２の開始時点は第１の開始時点から時間（３Ｃ／Ｄ）＋（３ｔ／２）（ｔ＝Ｐ／Ｓ）経過時である。
このため、第１の開始時点から時間（Ｃ／Ｄ）＋（ｔ／２）経過後、ガン３４Ｂは他方の折返点（図９中下側）から一方の折返点（図９中上側）へ向けて移動を開始する。また、第１の開始時点から時間（２Ｃ／Ｄ）＋ｔ経過後、ガン３４Ｃは他方の折返点（図９中下側）から一方の折返点（図９中上側）へ向けて移動を開始する。さらに、第１の開始時点から時間（３Ｃ／Ｄ）＋（３ｔ／２）経過後、ガン３４Ｄは他方の折返点（図９中下側）から一方の折返点（図９中上側）へ向けて移動を開始する。

そして、ガン３４Ａ〜３４Ｄが往復運動している間、背面基板３００は一定の搬送速度Ｄで搬送されるため、積層体Ａに対して、ガン３４Ａ〜３４Ｄは図９に示す軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄを描く状態で移動する。この図９に示す状態では、軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄは互いに重ならずに、軌跡Ｌ３４Ａの間に軌跡Ｌ３４Ｂ〜Ｌ３４Ｄが入り、隣接する軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄ同士間の基板搬送方向における間隔は全て等しくなっている。

このようにして、制御部３６が、第１の開始時点を基準に第２の開始時点を設定し、ガン３４Ａ〜３４Ｄの往復運動を制御することにより、図９に示す状態の軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄが得られる。このような第１の開始時点および第２の開始時点は、背面基板３００の位置情報と、背面基板３００の搬送速度Ｄと、ガン３４Ａ〜３４Ｄの搬送方向における間隔Ｃと、ガン３４Ａ〜３４Ｄの移動時間ｔ（ｔ＝Ｐ／Ｓ）と、上記式（１）とに基づいて、制御部３６により容易に得られる。そして、これらパラメータ（搬送速度Ｄ、間隔Ｃ、移動時間ｔ）がいかなる値であっても、図９に示すような軌跡Ｌ３４Ｂ〜Ｌ３４Ｄが得られる。

以上のようにガン３４Ａ〜３４Ｄが積層体Ａ上を移動している間は、ガン３４Ａ〜３４Ｄは積層体Ａに向けて切削材を噴射するので、積層体Ａの全面が満遍なく加工される。これにより、背面基板３００のマスクで被覆されていない積層体Ａが切削・除去され、所定の形状の隔壁３３０と、アドレス電極保護層３２０とが形成される。

(2-2)上記式（１）について
ここで、上記式（１）について図面に基づいて説明する。
まず、図９において、搬送方向最上流のガン３４Ａの軌跡Ｌ３４Ａは、一点鎖線で示されている。このガン３４Ａは、上述の通り時間２ｔで１往復してガン３４Ａの軌跡Ｌ３４Ａの搬送方向長さは２ｔ×Ｄとなる。
「ｍ個のガンのそれぞれの軌跡が等間隔になる」とは、ガン３４Ａの軌跡Ｌ３４Ａの搬送方向長さ２ｔ×Ｄをｍで割った間隔毎に、それぞれのガンの折返点がくるようにすれば、それぞれのガンの軌跡は等間隔になる。これは、それぞれのガンの時間tがすべて同一であることに起因する。

すなわち、搬送方向最上流のガン３４Ａの折返点を原点とすれば、各ガンの折返点が下記（条件１）で表される位置に配置されるように各ガンの往復運動開始時間を設定すれば、ｍ個のガンのそれぞれの軌跡が等間隔になる。

（条件１）
上流２番目のガン３４Ｂの折返点は、２ｔ×Ｄ×（１／ｍ）（図９二点鎖線に対応）
上流３番目のガン３４Ｃの折返点は、２ｔ×Ｄ×（２／ｍ）（図９大きな点線に対応）
上流４番目のガン３４Ｄの折返点は、２ｔ×Ｄ×（３／ｍ）（図９小さな点線に対応）
上流ｎ番目のガンの折返点は、２ｔ×Ｄ×（（ｎ−１）／ｍ）（ｎ：２≦ｎ≦ｍを示す自然数）

次に、ｍ個のガンのそれぞれの往復運動開始時間について、図１０に基づいて説明する。図１０は、本実施形態のサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間Ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間Ｔ＋ｔ後の状態を示す。

まず、最上流のガン３４Ａが一方の折返点（図中上側）から始動する時間を原点「０」とする（図１０（Ａ））。時間Ｔ後には、ガン３４Ａは図１０（Ｂ）に示す位置に至る。この時点（時間Ｔ後）にｎ番目のガン３４Ｎ（ｎ：２≦ｎ≦ｍの自然数）が他方の折返点（図中下側）から始動を開始する。さらに、時間（Ｔ＋ｔ）後には、このｎ番目のガン３４Ｎは図１０（Ｃ）に示した所望の折返点に到達する。この時点において、ｎ番目のガン３４Ｎはガン３４Ａが積層体Ａ上において原点「０」の時に始動を開始した地点から搬送方向の逆方向に、条件１で示した様な所望の折返点である「２ｔ×Ｄ×（（ｎ−１）／ｍ）」離れた地点に存在することとなる。また、それぞれ隣接するガン間の間隔を上記の如くＣとすると、下記式（２）が成り立つ。

〔数式〕
Ｄ×（Ｔ＋ｔ）＝（ｎ−１）×Ｃ＋（２ｔ×Ｄ×（（ｎ−１）／ｍ））・・・（２）

この式（２）をＴについて整理することにより、上記式（１）が得られる。つまり、最上流ガン３４Ａの一方の折返点からの始動時点（第１の開始時点）を基準として、ｎ番目のガンの他方の折返点からの始動時点（第２の開始時点）が上記式（１）より求まることが分かる。なお、各係数Ｃ、ｔ、ｎ、ｍは共にサンドブラスト装置固有の定数であるので、基板の搬送速度Ｄがラインのタクトタイム等によって決定されると、時間差Ｔが上記式（１）より自ずと求めることができることが分かる。すなわち、様々な搬送速度Ｄにおいて、各ガンのそれぞれが上記式（１）より得られる時間差Ｔを踏まえて始動を開始することにより、ｍ個のガンのそれぞれの軌跡が等間隔になる。
なお、この上記式（１）で求まる時間差Ｔは、各ガンが他方の折返点を始動する始動時点を表す式となるが、一方の折返点を始動する始動時点に変換したい場合には、この時間差Ｔに、各ガンの移動時間ｔを加算又は減算すれば、当然求めることができる。

ここで、上記式（１）の検証として、前述の図８に示す第１実施形態のように、ガンが２つの場合で考察する。この場合、ガン３４Ａの第１の開始時点とガン３４Ｂの第２の開始時点との時間差Ｔは、ｍ＝２、ｎ＝２であるから、上記式（１）式より、Ｔ＝（Ｃ（２−１）／Ｄ）＋（２ｔ（２−１）／２）−ｔ＝Ｃ／Ｄとなり、上述の「時間Ｃ／Ｄ」と一致することが分かる。

(2-3)第２実施形態の効果
上記第２実施形態におけるサンドブラスト装置１、および、ＰＤＰ１の製造方法によれば、上記第１実施形態が奏する上記(1-5-1)〜(1-5-5)、(1-5-7)および(1-5-8)に示す効果に加えて、以下の効果を奏することができる。

(2-3-1)ガン３４Ａを搬送方向の最上流側のガンとし、かつ、ガン３４Ｂ〜３４Ｄを搬送方向の上流側からｎ番目（２≦ｎ≦ｍ、本実施形態ではｍ＝４）に位置するガンとした場合、制御部３６は、第２の開始時点と第１の開始時点との時間差Ｔを上記式(１）より算出する。そして、ガン３４Ａについての第１の開始時点、および、ガン３４Ｂ〜３４Ｄについての第２の開始時点を設定する。
このように、ガン３４Ｂ〜３４Ｄについての第２の開始時点は、ガン同士間の間隔Ｃ、基板の搬送速度Ｄ、各ガンの移動時間ｔおよびガンの総数ｍを上記式(１)に代入し、第１の開始時点に加えるだけで容易に得ることができる。このため、第２の開始時点の設定が容易であり、作業者の加工条件の最適化における負担を軽減できる。そして、このような条件でサンドブラスト加工を実施することにより、それぞれ互いに隣接する軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄ同士の間隔が等間隔となり、加工後の製品品質を最も高めることができる。なお、搬送速度Ｄ、間隔Ｃおよび移動時間ｔの各パラメータがいずれの値であっても、互いに隣接する軌跡同士の間隔を等間隔とすることができる。

（３）第３実施形態
次に本発明の第３実施形態に係るサンドブラスト装置について、図面に基づいて説明する。図１１は、第３実施形態のサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｑ／Ｄ後の状態を示し、（Ｃ）は時間ｒ／Ｄ後の状態を示し、（Ｄ）は時間（ｑ＋ｒ）／Ｄ後の状態を示す。
なお、本実施形態におけるサンドブラスト装置は、図９に示した第２実施形態のサンドブラスト装置１と、制御部３６の制御動作のみが異なるものである。すなわち、上記した第２実施形態では、制御部３６は位置センサ３５Ａが基板を検知した時点を第１の開始時点と設定したが、本実施形態の制御部３６は、位置センサ３５Ａが基板を検知した時点から所定の時間ｔ１経過時を第１の開始時点と設定する。これにて、積層体Ａの所定の位置からガン３４Ａによる切削を開始させることを可能としたものである。
また、本実施形態では、説明の簡易化のために２つのガン３４Ａ，３４Ｂのみを図示するが、ガン３４Ｃ，３４Ｄ、さらにはｍ（ｍ≧５）以上のガンをも制御可能である。以下、第２実施形態のサンドブラスト装置１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

(3-1)サンドブラスト装置１の動作（サンドブラスト工程）
各ガン３４Ａ〜３４Ｄにおいて、前記往復運動における一方の折返点から他方の折返点までのピッチ幅Ｐは同一である。このピッチ幅Ｐは、積層体Ａの搬送方向に略直交する方向の幅ｗよりも若干大きく、例えば背面基板３００の搬送方向に略直交する方向の幅と等しくなっている。また、搬送方向に対して略直交する方向への移動速度Ｓが同一となっている。このため、各ガン３４Ａ〜３４Ｄにおいて、前記往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間ｔが同一となっている。
そして、背面基板３００の搬送方向先端から積層体Ａの搬送方向先端までの距離はｑに設定されている。この距離ｑは背面基板３００により決まる固定値である。
また、位置センサ３５Ａとガン３４Ａとの搬送方向における間隔はｒに設定されている。この間隔ｒはサンドブラスト装置１によって決まる固定値である。

各ガン３４Ａ〜３４Ｄは、デフォルト位置が一方または他方いずれかの折返点とされて、非稼動時は該折返点にて待機をしている。例えば、図１１ではガン３４Ａは一方の折返点（図中上側）がデフォルト位置となっている。
そして、制御部３６の制御により、背面基板３００が搬送手段３３にて加工室３１内に搬入されると、図１１（Ａ）に示すように、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出する。

ここで、制御部３６は、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出した時点から、下記式（３）で示す時間ｔ１経過後にガン３４Ａの移動を開始させる。なお、式（３）中のｔ２は、ガン３４Ａが折返点から積層体Ａの搬送方向先端における所定位置に到達するまでの時間であり、サンドブラスト装置１に固有の値である。

〔数式〕
ｔ１＝（（ｑ＋ｒ）／Ｄ）−ｔ２・・・（３）

例えば、図１１では、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出した時点では、ガン３４Ａから積層体Ａの搬送方向先端までの搬送方向における距離は（ｑ＋ｒ）となっている。このため、ガン３４Ａが、積層体Ａの搬送方向先端を含む直線上に位置するまでには、基板の搬送速度がＤであるため、時間（ｑ＋ｒ）／Ｄだけかかることになる。
ここにおいて、ガン３４Ａのサンドブラスト加工を積層体Ａの一隅（図１１中、右上端部）から開始したい場合、ガン３４Ａが折返点から積層体Ａの該一隅までの搬送方向に直交する方向での距離を、ガン３４Ａの移動速度Ｓで除算することにより、時間ｔ２を得る。そして、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出した時点から、上記時間（ｑ＋ｒ）／Ｄから時間ｔ２を差し引いた時間ｔ１経過後にガン３４Ａが折返点より移動を開始すれば、時間（ｑ＋ｒ）／Ｄ後には、ガン３４Ａが積層体Ａの該一隅と対向することとなる（図１１（Ｄ））。

このようにして、制御部３６は上記式（３）に基づいてガン３４Ａを移動させる。また、制御部３６は、ガン３４Ａが積層体Ａの一隅（図１１中、右上端部）に対向した時点を第１の開始時点として設定する。なお、図１１に示す本実施形態では、この第１の開始時点においては、ガン３４Ｂ〜３４Ｄは始動せずに停止したままである。
そして、制御部３６は、この第１の開始時点から上記式（１）における時間Ｔを加えた時点を、２番目以降のｎ番目のガン（３４Ｂ〜３４Ｄ）の第２の開始時点として設定し、各第２の開始時点にて各ガンの移動をそれぞれの他方の折返点から開始させる。

これにより、ガン３４Ａ〜３４Ｄは、積層体Ａに対して図９に示すような軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄを描く状態で移動する。そして、ガン３４Ａ〜３４Ｄが積層体Ａ上を移動している間は、ガン３４Ａ〜３４Ｄは積層体Ａに向けて切削材を噴射するので、積層体Ａの全面が満遍なく加工される。これにより、背面基板３００のマスクで被覆されていない積層体Ａが切削・除去され、所定の形状の隔壁３３０と、アドレス電極保護層３２０とが形成される。

(3-2)第３実施形態の効果
上記第３実施形態におけるサンドブラスト装置１、および、ＰＤＰ１の製造方法によれば、上記第２実施形態が奏する上記(1-5-1)〜(1-5-5)、(1-5-7)、(1-5-8)および（2-3-1）に示す効果に加えて、以下の効果を奏することができる。

(3-2-1)サンドブラスト装置１は、制御部３６と各種信号が送受信可能な状態で接続され、搬送ローラ３３１上の背面基板３００の位置情報を取得する位置センサ３５Ａを具備している。そして、各ガン３４Ａ〜３４Ｄにおけるピッチ幅Ｐは同一であり、このピッチ幅Ｐは積層体Ａの搬送方向に略直交する方向の幅ｗよりも若干大きく設定されている。そして、制御部３６は、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出した時点から、上記式（３）で示す時間ｔ１経過後にガン３４Ａの移動を開始させる。また、制御部３６は、この第１の開始時点から上記式（１）における時間Ｔを加えた時点を、２番目以降のｎ番目のガン（３４Ｂ〜３４Ｄ）の第２の開始時点として設定し、各第２の開始時点から各ガンの移動を開始させる。
このため、ガン３４Ａは積層体Ａの所定の位置からサンドブラスト加工を実施することができるので、背面基板３００の大きさと積層体Ａの大きさとが異なる場合であっても、確実かつ切削材の無駄なくサンドブラスト加工を実施できる。
また、２番目以降のｎ番目のガン（３４Ｂ〜３４Ｄ）についても、第１の開始時点および上記式（１）に基づいて切削を開始できる。このため、ガン３４Ａ〜３４Ｄは、積層体Ａに対して図９に示すような軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄを描く状態で移動できるので、背面基板３００の全面において均一な形状の隔壁３３０形成することができる。

（４）第４実施形態
次に本発明の第４実施形態に係るサンドブラスト装置について、図面に基づいて説明する。図１２は、第４実施形態のサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は所定時間経過後の状態を示す。
なお、本実施形態におけるサンドブラスト装置は、図１１に示した第３実施形態のサンドブラスト装置１と、制御部３６の制御動作のみが異なるものである。すなわち、本実施形態における制御部３６は、位置センサ３５Ａに加えて、位置センサ３５Ｂ〜３５Ｄにより得た背面基板３００の位置情報などに基づいて、第１の開始時点および第２の開始時点を設定するものである。
また、本実施形態では、説明の簡易化のために２つのガン３４Ａ，３４Ｂのみを図示するが、ガン３４Ｃ，３４Ｄ、さらにはｍ（ｍ≧５）以上のガンをも制御可能である。以下、第２実施形態のサンドブラスト装置１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。

(4-1)サンドブラスト装置１の動作（サンドブラスト工程）
本実施形態における各ガン３４Ａ〜３４Ｄは、ピッチ幅Ｐ、移動速度Ｓおよび移動時間ｔについては上記第３実施形態と同様となっている。また、背面基板３００の搬送方向先端から積層体Ａの搬送方向先端までの距離ｑ、位置センサ３５Ａとガン３４Ａとの搬送方向における間隔ｒについても上記第３実施形態と同様となっている。
各ガン３４Ａ〜３４Ｄは、デフォルト位置が一方または他方いずれかの折返点とされて、非稼動時は該折返点にて待機をしている。例えば、図１２ではガン３４Ａは一方の折返点（図中上側）がデフォルト位置となっている。

そして、制御部３６の制御により、背面基板３００が搬送手段３３にて加工室３１内に搬入されると、図１２（Ａ）に示すように、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出する。
そして、制御部３６は、位置センサ３５Ａにより基板先端位置が検出された時点から、上記式（３）における時間ｔ１後にガン３４Ａを移動させる。これにより、位置センサ３５Ａにより基板先端位置が検出された時点から時間（ｑ＋ｒ）／Ｄ後には、ガン３４Ａが積層体Ａの一隅（図１２中、右上端部）に対向する。そして、この時点を第１の開始時点として設定する。なお、図１２に示す本実施形態では、この第１の開始時点においては、ガン３４Ｂ〜３４Ｄは始動せずに停止したままである。

さらに、背面基板３００が搬送されて第１の開始時点から所定時間が経過すると、図１２（Ｂ）に示すように、位置センサ３５Ｂは背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出する。この際、ガン３４Ａは積層体Ａに対して軌跡Ｌ３４Ａを描いた状態となっている。
ここで、制御部３６は、ガン３４Ｂについても同様にして、位置センサ３５Ｂにより基板先端位置が検出された時点から、上記式（３）における時間ｔ１後にガン３４Ｂを移動させる。これにより、位置センサ３５Ｂにより基板先端位置が検出された時点から時間（ｑ＋ｒ）／Ｄ後には、例えばガン３４Ｂが積層体Ａの一隅（図１２中、右下端部）に対向する。
以後のガン３４Ｃ，３４Ｄについても同様にして、制御部３６は、各位置センサ３５Ｃ，３５Ｄの位置情報と上記式（３）とに基づいて移動を開始させる。この際、２番目以降の各ガンにおける切削開始位置は、上記（条件１）を満足するように設定される。このため、２番目以降のガンについての第２の開始時点は、各ガンがそれぞれ積層体Ａの搬送方向先端と対向した時点となり、この時点は上記式（１）に基づいて得られる移動開始時点に等しい。そして、制御部３６は、各第２の開始時点にて各ガンの移動をそれぞれの他方の折返点から開始させる。

これにより、ガン３４Ａ〜３４Ｄは、積層体Ａに対して図９に示すような軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｄを描く状態で移動する。そして、ガン３４Ａ〜３４Ｄが積層体Ａ上を移動している間は、ガン３４Ａ〜３４Ｄは積層体Ａに向けて切削材を噴射するので、積層体Ａの全面が満遍なく加工される。なお、ガン３４Ａのみならずガン３４Ｂ〜３４Ｄに対しても位置センサ３５Ｂ〜３５Ｄを配置し、その位置情報に基づいてガン３４Ｂ〜３４Ｄの移動開始のタイミングを決定しているので、より加工精度が高いものとなる。これにより、背面基板３００のマスクで被覆されていない積層体Ａが切削・除去され、所定の形状の隔壁３３０と、アドレス電極保護層３２０とが形成される。

(4-2)第４実施形態の効果
上記第４実施形態におけるサンドブラスト装置１、および、ＰＤＰ１の製造方法によれば、上記第３実施形態が奏する上記(1-5-1)〜(1-5-5)、(1-5-7)、(1-5-8)、（2-3-1）および(3-2-1)に示す効果に加えて、以下の効果を奏することができる。

(4-2-1)サンドブラスト装置１は、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄのそれぞれに対応して設けられた複数の位置センサ３５Ａ〜３５Ｄを備えている。制御部３６は、第１の開始時点および第２の開始時点を、搬送手段３３による基板の搬送速度Ｄと、複数の位置センサ３５Ａ〜３５Ｄにて取得された基板の位置情報とに基づいて設定する。すなわち、制御部３６は、位置センサ３５Ａが背面基板３００の搬送方向先端の位置を検出した時点から、上記式（３）で示す時間ｔ１経過後にガン３４Ａの移動を開始させる。そして、以後のガン３４Ｃ，３４Ｄについても同様にして、各位置センサ３５Ｃ，３５Ｄの位置情報と上記式（３）とに基づいて移動を開始させる。この際、２番目以降の各ガンにおける切削開始位置は、上記（条件１）を満足するように設定される。
このように、ガン３４Ａのみならずガン３４Ｂ〜３４Ｄに対しても位置センサ３５Ｂ〜３５Ｄを配置し、その位置情報に基づいてガン３４Ｂ〜３４Ｄの移動開始のタイミングを決定しているので、基板搬送の際に発生する若干の誤差を補正することができ、より高い精度でサンドブラスト加工を実施できる。

（５）実施形態の変形
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。

前記実施形態では、ＰＤＰとして、前面基板側に透明電極、バス電極およびこれらを被覆する誘電体層を設け、かつ、背面基板側に蛍光体層およびアドレス電極を設けた反射型交流ＰＤＰを例示したが、これに限らない。すなわち、本発明は、前面基板側に透明電極、バス電極、アドレス電極およびこれらを被覆する誘電体層を設け、背面基板側に蛍光体層を設けた反射型交流ＰＤＰや、前面基板側に蛍光体層を設け背面基板側に透明電極、バス電極、アドレス電極およびこれらを被覆する誘電体層を設けた透過型交流ＰＤＰ、放電空間のバス電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ、放電空間のバス電極とアドレス電極との交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなど、種々の形式のＰＤＰに対して適用できる。

前記実施形態では、搬送手段３３は、複数本の搬送ローラ３３１と、一対の支持板３３２と、タイミングベルト３３３と、モータ３３４とを備えたローラ式のものを例示したが、これに限らず、搬送手段はベルトコンベア式など、基板を一定方向に一定速度で搬送可能な構成であればいずれでも採用できる。

前記実施形態では、複数のガンの全てにおいて、ピッチ幅Ｐが同一であるとしたが、これに限らない。すなわち、複数のガンの全てにおいて、往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間ｔが同一であれば、各ガンにおけるピッチ幅Ｐが異なっていてもよい。このような場合でも、基板上に形成された積層体を良好に加工でき、加工条件の最適化における作業者の負担を軽減できる。

前記第１および第２実施形態では、複数のガンの全てにおいて移動速度Ｓが同一に設定されているとしたが、これに限らない。すなわち、複数のガンの全てにおいて、往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間ｔが同一であれば、各ガンにおける移動速度Ｓが異なっていてもよい。このような場合でも、基板上に形成された積層体を良好に加工でき、加工条件の最適化における作業者の負担を軽減できる。

前記第１および第２実施形態では、複数のガンの全てにおいて、ピッチ幅Ｐが積層体Ａの幅ｗと略同一に設定されているとしたが、ピッチ幅Ｐは幅ｗより大きく設定されてもよい。例えば、第２実施形態に係るサンドブラスト装置１において、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄの全てのピッチ幅Ｐを積層体Ａの幅ｗよりも大きく設定した場合、それぞれのガンにより基板に対して描かれる軌跡Ｌ３４Ａ〜Ｌ３４Ｂは図１３に示す状態となる。この場合でも、各軌跡の間隔ｘは等間隔となり、加工ムラが発生することなく良好にサンドブラスト加工を実施できる。なお、第１実施形態に係るサンドブラスト装置１において、ガン３４Ａ，３４Ｂのピッチ幅Ｐを積層体Ａの幅ｗよりも大きく設定した場合でも同様に、各軌跡の間隔を等間隔とすることができる。

前記第４実施形態では、制御部３６は、位置センサ３５Ａにより基板先端位置が検出された時点から、上記式（３）における時間ｔ１後にガン３４Ａを移動させるとしたが、これに限らない。すなわち、制御部３６は、前記第１および第２実施形態のように、位置センサ３５Ａにより基板先端位置が検出された時点を第１の開始時点として設定して、ガン３４Ａの移動を開始させるようにしてもよい。

（６）実施形態の作用効果
上述したように、上記実施形態に係るサンドブラスト装置１は、搬送手段３３と、複数のガン３４Ａ〜３４Ｄと、制御部３６とを具備している。複数のガン３４Ａ〜３４Ｄは、搬送方向に対して略直交する方向に同一の移動時間ｔで往復運動すると共に、切削材を噴射する。制御部３６は、ガン３４Ａに、第１の開始時点にてこのガン３４Ａにおける一方の折返点から往復運動を開始させ、ガン３４Ｂ〜３４Ｄに、ガン３４Ａが往復運動を動作中であって第１の開始時点と異なる第２の開始時点にて、このガン３４Ｂ〜３４Ｄにおける他方の折返点から往復運動を開始させる。
このように、複数のガンの往復運動を同期させずに、複数のガンの往復運動開始時点をずらしているので、複数のガンのそれぞれが積層体Ａに対して描く軌跡が互いに重ならないようにすることができる。このため、切削ムラを生じさせずに、積層体Ａを所望の形状に加工できる。そして、変更に制限のある各種パラメータ（ガンの移動速度Ｓや往復ピッチ幅Ｐなど）を制限の範囲内で逐次調整せずとも、それぞれのガンの往復運動開始時点をずらすだけなので、作業者は加工条件の最適化を容易に実施できる。

また、上記実施形態で製造されるＰＤＰ１００は、放電空間２００を介して対向配置された背面基板３００および前面基板４００と、背面基板３００の内面上に設けられた隔壁３３０とを備えている。このようなＰＤＰ１００の製造方法では、背面基板３００の内面上にガラスペーストにて積層体Ａを形成する。この積層体Ａ上に耐サンドブラスト性を有し隔壁３３０のパターンに対応するマスクを形成する。そして、上記サンドブラスト装置１を用いて、積層体Ａおよびマスクに対してサンドブラスト加工を実施して隔壁３３０を形成する。
このように、上記サンドブラスト装置１を用いて隔壁３３０を形成しているので、隔壁３３０の形状が背面基板３００の全面において均質であり、ＰＤＰ１００の特性を優れたものにすることができる。また、当該サンドブラスト加工のためにＰＤＰ１００の生産ラインにおける基板搬送速度を変更しなくても済むので、ＰＤＰ１００を良好に製造できる。

従来のサンドブラスト装置における基板の搬送状態（搬送速度：Ｄ）、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間２ｔ後の状態を示し、（Ｄ）は時間３ｔ後の状態を示し、（Ｅ）は時間４ｔ後の状態を示す。 前記従来のサンドブラスト装置における基板の搬送状態（搬送速度：１．５Ｄ）、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間２ｔ後の状態を示し、（Ｄ）は時間３ｔ後の状態を示し、（Ｅ）は時間４ｔ後の状態を示す。 前記従来のサンドブラスト装置における基板の搬送状態（搬送速度：２Ｄ）、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間２ｔ後の状態を示し、（Ｄ）は時間３ｔ後の状態を示し、（Ｅ）は時間４ｔ後の状態を示す。 本発明の第１実施形態のサンドブラスト装置により製造されるＰＤＰの内部構造を示した斜視図である。 前記第１実施形態のサンドブラスト装置により製造されるＰＤＰの外観を示した正面図である。 前記第１実施形態に係るサンドブラスト装置を示す概略構成図である。 前記第１実施形態に係るサンドブラスト装置を模式的に示したものであり、（Ａ）は側断面図であり、（Ｂ）は平断面図である。 前記第１実施形態に係るサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間２ｔ後の状態を示し、（Ｄ）は時間３ｔ後の状態を示し、（Ｅ）は時間４ｔ後の状態を示し、（Ｆ）は時間５ｔ後の状態を示す。 本発明の第２実施形態に係るサンドブラスト装置の４つのガンが積層体に対して描く軌跡を模式的に示した平面図である。 前記第２実施形態に係るサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間Ｔ後の状態を示し、（Ｃ）は時間Ｔ＋ｔ後の状態を示す。 本発明の第３実施形態に係るサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は時間ｑ／Ｄ後の状態を示し、（Ｃ）は時間ｒ／Ｄ後の状態を示し、（Ｄ）は時間（ｑ＋ｒ）／Ｄ後の状態を示す。 本発明の第４実施形態に係るサンドブラスト装置における基板の搬送状態、ガンの往復運動状態、および、基板上のガンの軌跡を模式的に示した平面図であり、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は所定時間経過後の状態を示す。 前記第２実施形態の一変形例であるサンドブラスト装置の４つのガンが積層体に対して描く軌跡を模式的に示した平面図である。

符号の説明

１…サンドブラスト装置
３３…搬送手段
３３１…搬送ローラ
３４Ａ―３４Ｄ…ガン
３５Ａ―３５Ｄ…位置センサ
３６…制御部
１００…ＰＤＰ
２００…放電空間
３００…背面基板
３３０…隔壁
４００…前面基板
Ａ…積層体
Ｌ３４Ａ-Ｌ３４Ｄ…軌跡

Claims (9)

1. 基板上に形成された積層体をサンドブラスト加工により所定の形状に加工するサンドブラスト装置であって、
   一定の搬送速度で前記基板を搬送する搬送手段と、
   前記基板の搬送方向に対して略直交する方向に往復運動すると共に、前記積層体に対して前記サンドブラスト加工で用いる切削材を噴射する複数のガンと、
   前記複数のガンと各種信号が送受信可能な状態で接続され、前記複数のガンのそれぞれにおける前記往復運動および前記切削材の噴射動作を制御する制御部とを具備し、
   前記複数のガンの全てにおいて、前記往復運動における一方の折返点と他方の折返点との移動時間が同一であり、
   前記制御部は、前記複数のガンのうちの第１のガンを、第１の開始時点にてこの第１のガンにおける前記一方の折返点から前記往復運動を開始させ、前記複数のガンのうちの第２のガンを、前記第１のガンが前記往復運動を動作中であって前記第１の開始時点と異なる第２の開始時点にて、この第２のガンにおける前記他方の折返点から前記往復運動を開始させる
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
2. 請求項１に記載のサンドブラスト装置において、
   前記制御部は、前記第１の開始時点および前記第２の開始時点を、前記基板に対する前記第１のガンの軌跡と、前記基板に対する前記第２のガンの軌跡とが互いに重ならない条件で設定する
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
3. 請求項２に記載のサンドブラスト装置において、
   前記制御部と各種信号が送受信可能な状態で接続され、前記搬送手段上の前記基板の位置情報を取得する位置センサを具備し、
   前記制御部は、前記第１の開始時点および前記第２の開始時点を、前記搬送手段による前記基板の前記搬送速度と、前記位置センサにて取得された前記基板の前記位置情報とに基づいて設定する
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
4. 請求項３に記載のサンドブラスト装置において、
   前記位置センサは、前記複数のガンのそれぞれに対応して複数設けられ、
   前記制御部は、前記第１の開始時点および前記第２の開始時点を、前記搬送手段による前記基板の前記搬送速度と、前記複数の位置センサにて取得された前記基板の前記位置情報とに基づいて設定する
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
5. 請求項２に記載のサンドブラスト装置において、
   前記制御部は、前記第１の開始時点および前記第２の開始時点を、前記第１のガンの軌跡の間に前記第２のガンの軌跡が入る条件で設定する
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
6. 請求項２ないし請求項５のいずれかに記載のサンドブラスト装置において、
   前記制御部は、前記第１の開始時点および前記第２の開始時点を、前記基板に対する前記複数のガンの軌跡が、それぞれ互いに隣接する前記軌跡同士の間隔が前記基板における前記搬送方向において等間隔となる条件で設定する
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
7. 請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のサンドブラスト装置において、
   前記第１のガンを前記搬送方向の最上流側のガンとし、かつ、前記第２のガンを前記搬送方向の上流側からｎ番目（２≦ｎ≦ｍ）に位置するガンとした場合、
   前記制御部は、前記第２の開始時点と前記第１の開始時点との時間差Ｔを下記式(１）より算出し、前記第１の開始時点および前記第２の開始時点を設定する
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
   Ｔ＝（Ｃ（ｎ−１）／Ｄ）＋（２ｔ（ｎ−１）／ｍ）―ｔ …（１）
   Ｃ：互いに隣接するガン同士間の間隔、Ｄ：基板の搬送速度、ｍ：ガンの総数、ｔ：ガンの一方の折返点と他方の折返点との間の移動時間
8. 請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のサンドブラスト装置において、
   前記積層体は矩形状であり、
   前記複数のガンの全てにおいて、前記往復運動における一方の折返点から他方の折返点までのピッチ幅は、前記積層体の前記搬送方向に略直交する方向の幅と等しく設定される
   ことを特徴とするサンドブラスト装置。
9. 放電空間を介して対向配置された一対の基板と、これら一対の基板のうち一方の基板の内面上に設けられて前記放電空間を区画する隔壁とを備えたプラズマディスプレイパネルを製造する方法であって、
   前記一方の基板の内面上に積層体を形成し、
   前記積層体上に、耐サンドブラスト性を有し前記隔壁のパターンに対応するマスクを形成し、
   請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のサンドブラスト装置を用いて、前記積層体および前記マスクに対してサンドブラスト加工を実施して前記隔壁を形成する
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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