JP2007165028A - 異方導電性材料とこれを用いた実装方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】狭いピッチ化した場合の短絡による実装障害を低減することを目的とする。
【解決手段】樹脂中に分散させたマイクロカプセル状の導電性粒子11は、外力が作用した部分だけで絶縁膜14が破れて導電性の部分13が露出するので、隣接する端子間に位置する導電性粒子11の表面は絶縁膜14で覆われており、短絡事故が発生しない。
【選択図】図1
【解決手段】樹脂中に分散させたマイクロカプセル状の導電性粒子11は、外力が作用した部分だけで絶縁膜14が破れて導電性の部分13が露出するので、隣接する端子間に位置する導電性粒子11の表面は絶縁膜14で覆われており、短絡事故が発生しない。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板面に半導体装置などの電気部品を実装する異方導電性材料に関するものである。
従来の異方導電性材料は、図9(a)に示す直径5μm程度のニッケル粒子1を、エポキシ系樹脂の中に分散させて構成されている。この異方導電性材料2を用いた実装方法は、図8に示すように実行されている。
図8(a)では、基板3の接続端子4の上に異方導電性材料2を供給し、次に図8(b)を経て図8(c)に示すように実装すべき電気部品の半導体チップ5を、半導体チップ5の電極6が基板3の接続端子4に対向するように、異方導電性材料2を介して基板3に押し付ける。
これによって、異方導電性材料2のニッケル粒子1のうちの一部が、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との間に挟まれて、ニッケル粒子1を介して基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とが電気接続される。この状態で異方導電性材料2のエポキシ樹脂7が硬化して、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との導通状態が維持される。
また、異方導電性材料2中のニッケル粒子1に代わるものとして、図9(b)に示すように金属粒子のコア8の外側に絶縁膜9を介して導体膜10が形成されたものも知られている。
特開2000−306428公報
基板3の接続端子4のピッチが120μm程度で、接続端子4の大きさが40μm程度の場合には、隣接する接続端子4との間に40μm程度の隙間が形成されるので、直径5μm程度のニッケル粒子1を用いても、隣接する接続端子4の間で短絡する実装障害の発生は少なかったが、隣接する接続端子4との隙間が間に15μm程度に狭ピッチ化の場合には、図10に示す短絡個所Aのように、直径5μm程度のニッケル粒子1が直列接続されることによる実装障害の発生が多くなる。
本発明は、狭いピッチ化が進んだ場合であっても、実装障害の発生が極めて少ない、高信頼性の異方導電性材料とこれを用いた実装方法を提供することを目的とする。
本発明の請求項1記載の異方導電性材料は、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、樹脂材料中に分散させたことを特徴とする。
本発明の請求項2記載の異方導電性材料は、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、ペースト中に分散させたことを特徴とする。
本発明の請求項3記載の異方導電性材料は、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、シート中に分散させたことを特徴とする。
本発明の請求項4記載の異方導電性材料は、請求項1〜請求項3の何れかにおいて、前記導電性粒子は、外力によって形状が変形する粒子の表面を、導電性メッキまたは導電性粒子で覆って、さらにその表面に電気絶縁性を付与したことを特徴とする。
本発明の請求項5記載の異方導電性材料は、請求項1〜請求項3の何れかにおいて、前記導電性粒子は、導電性を有し外力によって形状が変形する粒子の表面に電気絶縁性を付与したことを特徴とする。
本発明の請求項6記載の実装方法は、電気部品を基板に実装するに際し、電気部品の電極部または基板面の少なくとも一方を、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、樹脂材料中に分散させた異方導電性材料によってコーティングし、前記基板面の実装位置にセットした前記電気部品と前記基板とを前記異方導電性材料を挟んで圧接させることによって表面に露出した前記導電材料によって電気部品の電極部と基板面とを電気接続した状態で前記樹脂材料を硬化させることを特徴とする。
本発明の請求項7記載の実装方法は、請求項6において、記導電性粒子として、前記電気部品と前記基板との圧接によって形状が変形する粒子の表面を、導電性メッキまたは導電性粒子で覆って、さらにその表面に電気絶縁性を付与したものを使用することを特徴とする。
本発明の請求項8記載の実装方法は、請求項6において、前記導電性粒子として、導電性を有し外力によって形状が変形する粒子の表面に電気絶縁性を付与したものを使用することを特徴とする。
この構成によると、異方導電性材料は、外力が作用した部分だけで導電性粒子の導電性の部分が露出し、外力が作用しない部分の導電性粒子の表面は絶縁膜で覆われた状態になるため、狭いピッチ化が進んだ場合であっても、隣接する接続端子の間で短絡することが無く、実装障害の発生が極めて少ない高信頼性の実装方法を実現できる。
以下、本発明の各実施の形態を図1〜図7に基づいて説明する。
(実施の形態1)
図1と図2は本発明の(実施の形態1)を示す。
(実施の形態1)
図1と図2は本発明の(実施の形態1)を示す。
この実施の形態で使用する異方導電性材料2は、熱硬化性樹脂等からなる例えばエポキシ樹脂材料の中に、図2(a)に示すように表面を絶縁膜としてのシリカ薄膜14で覆ったマイクロカプセル状の特殊な構造の導電性粒子11を分散させたペースト状である。
詳しくは、外力によって形状が変形する樹脂製のコア粒子12の表面に導電性メッキ13を施して良好な電気導電性を付与し、さらにその表面にシリカ薄膜14をゾル−ゲル法などの成膜プロセスでコーティングして電気絶縁性を付与した構造である。樹脂製の前記コア粒子12は、具体的には、アクリルゴム、シリコンゴム,フッ素系ゴムなどの耐熱性のあるものを用いることができる。しかし、耐熱性の無い、ニトリルゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、ウレタンゴムでも、熱で弾力性が無くなるだけで、用いることができる。
導電性メッキ13の材料は、硬さが接続端子4、電極6とほぼ同じかそれよりも硬い金属(合金を含む)であり、具体的にはアルミニウム系金属、金、銀、ニッケル、クロム、銅等である。導電性粒子11の平均直径は3〜5μm程度であり、導電性メッキ13の厚さは数千Å程度であり、シリカ薄膜14の厚さも数千Å程度である。
この異方導電性材料2を、図1に示すように基板3の接続端子4に供給してコーティングし、実装すべき電気部品の半導体チップ5を、半導体チップ5の電極6が基板3の接続端子4に対向するように、異方導電性材料2を介して基板3に押し付けることによって、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とで挟まれた導電性粒子11には、図2(b)に示すように、シリカ薄膜14と導電性メッキ13を介してコア粒子12に外力が作用し、コア粒子12の変形に伴って、導電性メッキ13の表面を覆っていたシリカ薄膜14のマイクロカプセルが図2(c)に示すように脱落して、導電性メッキ13が表面に露出する。基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とは、導電性粒子11の露出した導電性メッキ3によって導通し、この状態で異方導電性材料2のエポキシ樹脂7が硬化して、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との導通状態が維持される。
これに対して、基板3の隣接する接続端子4の間、ならびに半導体チップ5の隣接する電極6の間に位置する導電性粒子11については、上記のような外力が作用しないため、シリカ薄膜14の脱落が発生しないため、各導電性粒子11の表面がシリカ薄膜14で覆われたままの状態であるため、導電性粒子11の同士が接触しても短絡するような実装障害が発生しない。
(実施の形態2)
図3は本発明の(実施の形態2)を示す。
(実施の形態1)の異方導電性材料2はペースト状であったが、図3は表面を絶縁膜としてのシリカ薄膜14の絶縁膜で覆ったマイクロカプセル状の構造の導電性粒子11を樹脂シート中に分散させた場合を示している。導電性粒子11の具体的な構造は(実施の形態1)と同様である。
図3は本発明の(実施の形態2)を示す。
(実施の形態1)の異方導電性材料2はペースト状であったが、図3は表面を絶縁膜としてのシリカ薄膜14の絶縁膜で覆ったマイクロカプセル状の構造の導電性粒子11を樹脂シート中に分散させた場合を示している。導電性粒子11の具体的な構造は(実施の形態1)と同様である。
図3(a)では、樹脂シート状の異方導電性材料2を基板3の接続端子4に載置し、次に図3(b)では、実装すべき電気部品の半導体チップ5を、半導体チップ5の電極6が基板3の接続端子4に対向するように、異方導電性材料2を介して基板3に押し付けることによって、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とで挟まれた導電性粒子11には、シリカ薄膜14と導電性メッキ13を介してコア粒子12に外力が作用し、コア粒子12の変形に伴って、導電性メッキ13の表面を覆っていたシリカ薄膜14のマイクロカプセルが脱落して、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とは導電性メッキ13によって導通し、この状態で異方導電性材料2のエポキシ樹脂7が硬化して、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との導通状態が維持される。基板3の隣接する接続端子4の間、ならびに半導体チップ5の隣接する電極6の間に位置する導電性粒子11については、シリカ薄膜14の脱落が発生しないため、各導電性粒子11の表面がシリカ薄膜14で覆われており、導電性粒子11同士が接触しても短絡するような実装障害が発生しない。
(実施の形態3)
図4は本発明の(実施の形態3)を示す。
上記の各実施の形態の異方導電性材料2における導電性粒子11は、樹脂製のコア粒子12と、導電性メッキ13と、絶縁膜としてのシリカ薄膜14との三層構造であって、コア粒子12は導電性樹脂または絶縁性樹脂の何れでも良かったが、この図4ではコア粒子12が導電性樹脂製で、この樹脂は外力によって形状が変形する。その表面に絶縁膜としてのシリカ薄膜14をコーティングして電気絶縁性を付与した2層構造である点だけが異なっている。具体的には、導電性のコア粒子12は、例えば、ゴム中に導電性の微粒子が混入された導電性ゴムで、導電性の微粒子の含有率は、体積比50%以上が必要で、好ましくは70%以上あればよい。
図4は本発明の(実施の形態3)を示す。
上記の各実施の形態の異方導電性材料2における導電性粒子11は、樹脂製のコア粒子12と、導電性メッキ13と、絶縁膜としてのシリカ薄膜14との三層構造であって、コア粒子12は導電性樹脂または絶縁性樹脂の何れでも良かったが、この図4ではコア粒子12が導電性樹脂製で、この樹脂は外力によって形状が変形する。その表面に絶縁膜としてのシリカ薄膜14をコーティングして電気絶縁性を付与した2層構造である点だけが異なっている。具体的には、導電性のコア粒子12は、例えば、ゴム中に導電性の微粒子が混入された導電性ゴムで、導電性の微粒子の含有率は、体積比50%以上が必要で、好ましくは70%以上あればよい。
(実施の形態4)
図5は本発明の(実施の形態4)を示す。
上記の各実施の形態において、基板3の接続端子4、ならびに半導体チップ5の電極6の面は何れもフラットであったが、図5に示すように基板3の接続端子4、ならびに半導体チップ5の電極6の面に凹凸15を形成する加工を施すことによって、導電性粒子11の導電性メッキ13がより確実に露出して好ましい。凹凸15は、少なくも0.5μm以上あればよい。好ましくは1μm以上あればよい。
図5は本発明の(実施の形態4)を示す。
上記の各実施の形態において、基板3の接続端子4、ならびに半導体チップ5の電極6の面は何れもフラットであったが、図5に示すように基板3の接続端子4、ならびに半導体チップ5の電極6の面に凹凸15を形成する加工を施すことによって、導電性粒子11の導電性メッキ13がより確実に露出して好ましい。凹凸15は、少なくも0.5μm以上あればよい。好ましくは1μm以上あればよい。
なお、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6の面の一方に凹凸15を形成する加工を施すことによっても、ほぼ同様の効果を期待できる。
上記の各実施の形態では、基板3の接続端子4を異方導電性材料2でコーティングしたが、半導体チップ5の電極6を異方導電性材料2でコーティングしたり、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6の両方を異方導電性材料2でコーティングしてから、接続端子4と電極6を異方導電性材料2を介して押し付けることによっても同様に実施できる。
上記の各実施の形態では、基板3の接続端子4を異方導電性材料2でコーティングしたが、半導体チップ5の電極6を異方導電性材料2でコーティングしたり、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6の両方を異方導電性材料2でコーティングしてから、接続端子4と電極6を異方導電性材料2を介して押し付けることによっても同様に実施できる。
(実施の形態5)
図6は本発明の(実施の形態5)を示す。
上記の各実施の形態において、導電性粒子11は、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で完全に覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子であったが、図6(a)に示すように、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子11Aであっても同様に実施できる。具体的には、樹脂製のコア粒子12の表面に導電性メッキによって導電膜13Aを形成し、その上をシリカ微粒子16で覆っている。シリカ微粒子16の粒径は100nm程度の微粒子である。樹脂製のコア粒子12の表面に形成された導電膜13Aの半球程度がシリカ微粒子16で覆われておれば電気絶縁性を保てる。より好ましくは、70%以上がシリカ微粒子16で覆われていることが好ましい。
図6は本発明の(実施の形態5)を示す。
上記の各実施の形態において、導電性粒子11は、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で完全に覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子であったが、図6(a)に示すように、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子11Aであっても同様に実施できる。具体的には、樹脂製のコア粒子12の表面に導電性メッキによって導電膜13Aを形成し、その上をシリカ微粒子16で覆っている。シリカ微粒子16の粒径は100nm程度の微粒子である。樹脂製のコア粒子12の表面に形成された導電膜13Aの半球程度がシリカ微粒子16で覆われておれば電気絶縁性を保てる。より好ましくは、70%以上がシリカ微粒子16で覆われていることが好ましい。
この導電性粒子11Aを(実施の形態1)のようにペースト状、または(実施の形態21)のように樹脂シート中に分散させて、この異方導電性材料2を、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との少なくとも一方に供給してコーティングし、実装すべき電気部品の半導体チップ5を、基板3の接続端子4に対向するように、異方導電性材料2を介して基板3に押し付けることによって、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とで挟まれた導電性粒子11Aは、図6(b)に示すように、導電性メッキ13の表面を覆っていたシリカ微粒子16が脱落して、導電性メッキ13が表面に露出する。基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とは、導電性粒子11Aの露出した導電性メッキ13によって導通し、この状態で異方導電性材料2のエポキシ樹脂7が硬化して、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との導通状態が維持される。
(実施の形態6)
図7は本発明の(実施の形態6)を示す。
(実施の形態5)の導電性粒子11Aは、樹脂製のコア粒子12の表面に導電性メッキによって導電膜13Aを形成し、その上をシリカ微粒子16で覆っていたが、図7(a)に示すように、樹脂製のコア粒子12の表面に導電性微粒子としての金属微粒子17で覆い、その上を表面が電気絶縁性の微粒子としてのシリカ微粒子16で覆った導電性粒子11Bを、(実施の形態1)のようにペースト状、または(実施の形態21)のように樹脂シート中に分散させて、この異方導電性材料2を、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との少なくとも一方に供給してコーティングし、実装すべき電気部品の半導体チップ5を、基板3の接続端子4に対向するように、異方導電性材料2を介して基板3に押し付けることによって、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とで挟まれた導電性粒子11Bは、図7(b)に示すように、金属微粒子17の表面を覆っていたシリカ微粒子16が脱落して、金属微粒子17が表面に露出する。基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とは、導電性粒子11の露出した金属微粒子17によって導通し、この状態で異方導電性材料2のエポキシ樹脂7が硬化して、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との導通状態が維持される。
図7は本発明の(実施の形態6)を示す。
(実施の形態5)の導電性粒子11Aは、樹脂製のコア粒子12の表面に導電性メッキによって導電膜13Aを形成し、その上をシリカ微粒子16で覆っていたが、図7(a)に示すように、樹脂製のコア粒子12の表面に導電性微粒子としての金属微粒子17で覆い、その上を表面が電気絶縁性の微粒子としてのシリカ微粒子16で覆った導電性粒子11Bを、(実施の形態1)のようにペースト状、または(実施の形態21)のように樹脂シート中に分散させて、この異方導電性材料2を、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との少なくとも一方に供給してコーティングし、実装すべき電気部品の半導体チップ5を、基板3の接続端子4に対向するように、異方導電性材料2を介して基板3に押し付けることによって、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とで挟まれた導電性粒子11Bは、図7(b)に示すように、金属微粒子17の表面を覆っていたシリカ微粒子16が脱落して、金属微粒子17が表面に露出する。基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6とは、導電性粒子11の露出した金属微粒子17によって導通し、この状態で異方導電性材料2のエポキシ樹脂7が硬化して、基板3の接続端子4と半導体チップ5の電極6との導通状態が維持される。
ここで図7(b)において金属微粒子17は樹脂製のコア粒子12の表面に食い込んでいて強固に付着しているが、金属微粒子17の表面に付着していたシリカ微粒子16は金属微粒子17の表面から外れやすい。
本発明の異方導電性材料とこれを用いた実装方法によると、狭ピッチ化が進んだ場合であっても、短絡するような実装障害の発生が極めて少なく、高信頼性の実装を実現でき、各種電子機器の小型化に寄与できる。
2 異方導電性材料
3 基板
4 基板3の接続端子
5 半導体チップ(電気部品)
6 半導体チップ5の電極
7 異方導電性材料2のエポキシ樹脂
8 金属粒子のコア
9 絶縁膜
10 導体膜
11,11A,11B 導電性粒子
12 コア粒子
13 導電性メッキ
14 シリカ薄膜(絶縁膜)
15 凹凸
16 シリカ微粒子
17 金属微粒子
3 基板
4 基板3の接続端子
5 半導体チップ(電気部品)
6 半導体チップ5の電極
7 異方導電性材料2のエポキシ樹脂
8 金属粒子のコア
9 絶縁膜
10 導体膜
11,11A,11B 導電性粒子
12 コア粒子
13 導電性メッキ
14 シリカ薄膜(絶縁膜)
15 凹凸
16 シリカ微粒子
17 金属微粒子
Claims (8)
- 導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、樹脂材料中に分散させた
異方導電性材料。 - 導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、ペースト中に分散させた
異方導電性材料。 - 導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、シート中に分散させた
異方導電性材料。 - 前記導電性粒子は、
外力によって形状が変形する粒子の表面を、導電性メッキまたは導電性粒子で覆って、さらにその表面に電気絶縁性を付与した
請求項1〜請求項3の何れかに記載の異方導電性材料。 - 前記導電性粒子は、
導電性を有し外力によって形状が変形する粒子の表面に電気絶縁性を付与した
請求項1〜請求項3の何れかに記載の異方導電性材料。 - 電気部品を基板に実装するに際し、
電気部品の電極部または基板面の少なくとも一方を、導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の膜で覆われたマイクロカプセル状の導電性粒子、または導電材料を内部に持ち表面が電気絶縁性の微粒子で覆った導電性粒子を、樹脂材料中に分散させた異方導電性材料によってコーティングし、
前記基板面の実装位置にセットした前記電気部品と前記基板とを前記異方導電性材料を挟んで圧接させることによって表面に露出した前記導電材料によって電気部品の電極部と基板面とを電気接続した状態で前記樹脂材料を硬化させる
実装方法。 - 前記導電性粒子として、前記電気部品と前記基板との圧接によって形状が変形する粒子の表面を、導電性メッキまたは導電性粒子で覆って、さらにその表面に電気絶縁性を付与したものを使用する
請求項6記載の実装方法。 - 前記導電性粒子として、導電性を有し外力によって形状が変形する粒子の表面に電気絶縁性を付与したものを使用する
請求項6記載の実装方法。
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Cited By (3)
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