JP2007160470A - カーボンナノチューブの配向方法および電界電子放出素子 - Google Patents

Abstract

【課題】カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させる。
【解決手段】カーボンナノチューブ１を陰極基板２に対して垂直方向に配向させるようにしたカーボンナノチューブの配向方法において、密閉容器５内に配置された陰極基板２の下側に磁石４を配置し、密閉容器５内のうち、陰極基板２の上側の空間に、磁性を有する金属１ｂが残されたカーボンナノチューブ１を噴霧する。また、カーボンナノチューブ１を噴霧する前に、陰極基板２上に導電性ペースト７を塗布する。
【選択図】図１

Description

本発明は、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に配向させるようにしたカーボンナノチューブの配向方法およびそのカーボンナノチューブを用いた電界電子放出素子に関し、特には、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができるカーボンナノチューブの配向方法およびそのカーボンナノチューブを用いた電界電子放出素子に関する。

近年、強電界を印加することにより、電界放出電子を放出する電子源の研究・開発が盛んに行われ、そのような電子源をフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、フィールドエミッションランプ（ＦＥＬ）、Ｘ線源などへ応用することが期待されている。一方、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は先端が鋭利な構造であって、かつ、導電性を有することから、カーボンナノチューブを電子源として活用しようとする試みが幾つかなされている。

カーボンナノチューブが活用されている従来の電子源においては、例えばＣＶＤ（化学気相成長）法、アーク放電法、レーザーアブレーション法等によって作製されたカーボンナノチューブが、例えばＩＴＯ、カーボン等の導電性ペーストに混合せしめられて混合材料が調製され、その混合材料が、例えばスクリーン印刷法などによって陰極基板に塗布され、その塗布された混合材料の表面が、例えばテープ、レーザーなどを用いることによって粗され、それにより、カーボンナノチューブの先端が、陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられている。

あるいは、他の従来の方法においては、例えばＣＶＤ法などによって陰極基板上にカーボンナノチューブが直接成長せしめられている。

詳細には、カーボンナノチューブを有する導電性ペーストが、例えば特開２０００−６３７２６号公報に記載されている。また、磁界をかけながらカーボンナノチューブを基板に直接成長させる技術が、例えば特許第３４９７７４０号公報に記載されている。更に、カーボンナノチューブが基板上で配向せしめられる技術であって、例えば粘着テープなどが用いられている技術が、例えば特開２００４−２２０８９５号公報に記載されている。また、カーボンナノチューブが基板上で配向せしめられる技術であって、レーザー処理が施される技術が、２００５年カーボンナノチューブ−ＦＥＤプロジェクト公開シンポジウムにおいて紹介されている。

更に、カーボンナノチューブ作製法およびカーボンナノチューブの優れた電界電子放出特性が、小林和夫監修，「カーボンナノテクノロジーの基礎と応用」，サイベック社，２００２年において説明されている。また、ナノワイヤーを備えた物品の作製プロセスが、例えば特開２００１−１６７６９２号公報に記載されている。更に、電子放出膜に関する技術が、例えば特開２００３−４５３１５号公報に記載されている。また、磁性金属付き炭素繊維の使用例が、例えば特開２０００−２６４６０１号公報に記載されている。更に、針状磁性金属の使用例が、例えば特開２００４−２８１３０８号公報に記載されている。

ところが、カーボンナノチューブが導電性ペーストに混合せしめられて、混合材料が調製され、その混合材料が、例えばスクリーン印刷法などによって陰極基板に塗布される場合には、上述したように例えばテープ、レーザーなどを用いることによって混合材料の表面を処理する工程が必要になってしまう。また、このような方法では、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができなかった。つまり、カーボンナノチューブの配向が十分ではなかった。その結果、このように不十分に配向せしめられたカーボンナノチューブを例えば蛍光表示管などに適用すると、発光面内で輝度のバラツキが生じるおそれがあった。

更に、例えばＣＶＤ法などによって陰極基板上にカーボンナノチューブが直接成長せしめられる場合には、７００℃以上の高温にしなければならず、そのため、例えばガラス、プラスチックなどのような高温に耐えることができない材料を陰極基板として用いることができず、陰極基板の材質が制約されてしまう。また、例えばＣＶＤ法などによって陰極基板上にカーボンナノチューブが直接成長せしめられる場合には、カーボンナノチューブと陰極基板との密着力が弱くなり、そのため、高電界をかけると陰極基板からカーボンナノチューブが剥離してしまうおそれがあった。

また、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に配向させるようにしたカーボンナノチューブの配向方法の他の例として、例えば特開２０００−２９４１１９号公報に記載されたものがある。

特開２０００−２９４１１９号公報に記載されたカーボンナノチューブの配向方法では、ペースト状の陰極、ペースト状の抵抗体、あるいはペースト状の接着剤にカーボンナノチューブが被着せしめられ、次いで、ペーストから突出しているカーボンナノチューブに電界が印加され、それにより、ペーストから突出しているカーボンナノチューブの多くが陰極基板の表面に対して垂直方向に配向せしめられている。

ところが、特開２０００−２９４１１９号公報に記載されたカーボンナノチューブの配向方法では、陰極基板の表面に対して垂直方向に配向させるためにカーボンナノチューブに電界が印加される時に、カーボンナノチューブの少なくとも一部が、粘性の大きいペーストによって拘束されてしまっている。そのため、特開２０００−２９４１１９号公報に記載されたカーボンナノチューブの配向方法では、電界を印加してカーボンナノチューブを配向させる時にペーストの拘束力が抵抗になってしまい、その結果、カーボンナノチューブを陰極基板の表面に対して垂直方向に高精度に配向させることができない。

詳細には、特開２０００−２９４１１９号公報に記載されたカーボンナノチューブの配向方法では、陰極基板の表面に対して垂直方向に配向せしめられるカーボンナノチューブの割合を多くし、カーボンナノチューブの配向性を高精度にしようとすると、例えば電界の印加時間を長くしたり、印加される電界を大きくしたりしなければならない。その結果、特開２０００−２９４１１９号公報に記載されたカーボンナノチューブの配向方法では、カーボンナノチューブを配向させるのに要するコストが嵩んでしまう。

特開２０００−６３７２６号公報 特許第３４９７７４０号公報 特開２００４−２２０８９５号公報 特開２００１−１６７６９２号公報 特開２００３−４５３１５号公報 特開２０００−２６４６０１号公報 特開２００４−２８１３０８号公報 特開２０００−２９４１１９号公報 小林和夫監修，「カーボンナノテクノロジーの基礎と応用」，サイベック社，２００２年

前記問題点に鑑み、本発明は、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができるカーボンナノチューブの配向方法を提供することを目的とする。

詳細には、本発明は、粘性の大きいペーストによって拘束された状態でカーボンナノチューブが配向せしめられる場合よりも、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができるカーボンナノチューブの配向方法を提供することを目的とする。

更に詳細には、カーボンナノチューブを配向させるのに要するコストを抑制しつつ、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができるカーボンナノチューブの配向方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明によれば、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に配向させるようにしたカーボンナノチューブの配向方法において、密閉容器内に配置された陰極基板の一方の側に磁石を配置し、密閉容器内のうち、陰極基板を隔てて磁石の反対側の空間に、磁性を有する金属が残されたカーボンナノチューブを噴霧することを特徴とするカーボンナノチューブの配向方法が提供される。

請求項２に記載の発明によれば、密閉容器の下部に陰極基板をほぼ水平に配置し、陰極基板の下側に磁石を配置し、密閉容器の上部の側面からカーボンナノチューブをほぼ水平方向に噴霧することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法が提供される。

請求項３に記載の発明によれば、磁石として永久磁石を用いたことを特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブの配向方法が提供される。

請求項４に記載の発明によれば、カーボンナノチューブを噴霧する前に、陰極基板上に導電性ペーストを塗布することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの配向方法が提供される。

請求項５に記載の発明によれば、請求項１〜４のいずれか一項に記載されたカーボンナノチューブの配向方法により配向せしめられたカーボンナノチューブを用いた電界電子放出素子が提供される。

請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、密閉容器内に配置された陰極基板の一方の側に磁石が配置される。更に、密閉容器内のうち、陰極基板を隔てて磁石の反対側の空間に、磁性を有する金属が残されたカーボンナノチューブが噴霧される。

つまり、請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、磁性を有する金属が残されたカーボンナノチューブが、陰極基板を隔てて磁石の反対側の空間に噴霧される。次いで、その噴霧されたカーボンナノチューブが、磁石によって磁石の側に引き付けられながら、浮遊中の抵抗の小さい状態で陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられる。次いで、その配向せしめられたカーボンナノチューブが、磁石によって磁石の側、つまり、陰極基板の側に更に引き付けられ、陰極基板上に配置される。

そのため、請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、例えば特開２００５−２９４１１９号公報に記載されたカーボンナノチューブの配向方法のように、カーボンナノチューブの少なくとも一部が粘性の大きいペーストによって拘束された状態でカーボンナノチューブが配向せしめられる場合よりも、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができる。

詳細には、請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、カーボンナノチューブが浮遊中の抵抗の小さい状態で陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられる。つまり、カーボンナノチューブの向きが、浮遊中の抵抗の小さい状態で変えられる。そのため、粘性の大きいペーストによって拘束された抵抗の大きい状態でカーボンナノチューブが配向せしめられる場合のように、カーボンナノチューブを配向させるための磁界の印加時間を長くしたり、磁界を強くしたりする必要性を回避することができる。その結果、例えば電磁石の磁界の印加時間を長くしたり、電磁石または永久磁石の磁界を強くしたりするのに伴うコストの増大を回避することができる。

つまり、請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法によれば、粘性の大きいペーストによって拘束された状態でカーボンナノチューブが配向せしめられる場合よりも、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができる。

換言すれば、請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法によれば、カーボンナノチューブを配向させるのに要するコストを抑制しつつ、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができる。

請求項２及び３に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、密閉容器の下部に陰極基板がほぼ水平に配置され、陰極基板の下側に磁石が配置され、密閉容器の上部の側面からカーボンナノチューブがほぼ水平方向に噴霧される。

つまり、請求項２及び３に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、磁力のみならず、重力も利用して、カーボンナノチューブが陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられる。そのため、重力が利用されない場合よりも磁力を抑えつつ、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができる。

また、請求項２及び３に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、陰極基板および磁石が密閉容器の下部に配置され、カーボンナノチューブが密閉容器の上部の側面から水平方向に噴霧される。換言すれば、陰極基板とカーボンナノチューブの噴霧口とが密閉容器内で最も離され、噴霧されたカーボンナノチューブが陰極基板に到達するまでの時間が十分に確保されている。そのため、陰極基板とカーボンナノチューブの噴霧口とが密閉容器内で比較的近接して配置されている場合や、カーボンナノチューブが陰極基板に向けて噴霧される場合よりも、噴霧されたカーボンナノチューブが陰極基板に到達するまでの時間を長くすることができる。つまり、磁力および重力によってカーボンナノチューブが陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられる時間として、比較的長い時間を確保することができる。それにより、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができる。

請求項２及び３に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、好ましくは、磁石として永久磁石が用いられる。

請求項４に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、カーボンナノチューブが噴霧される前に、導電性ペーストが陰極基板上に塗布される。つまり、請求項４に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、カーボンナノチューブが、磁石によって、陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられた後に、陰極基板上に配置され、次いで、陰極基板上に予め配置された導電性ペーストが乾燥し固化することにより、陰極基板上のカーボンナノチューブが、陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられた状態で固定される。

そのため、請求項４に記載のカーボンナノチューブの配向方法によれば、簡単な方法により、陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられた状態を維持したまま、カーボンナノチューブを固定することができる。

詳細には、請求項４に記載のカーボンナノチューブの配向方法によれば、例えばテープ、レーザーなどを用いることによって導電性ペーストの表面を処理する工程が必要ないため、導電性ペーストの表面を処理する工程が設けられている従来の方法よりも工程数を低減することができる。

また、請求項４に記載のカーボンナノチューブの配向方法によれば、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができるため、カーボンナノチューブが適用される蛍光表示管などの発光面内で輝度のバラツキが生じてしまうおそれを低減することができる。

更に、請求項４に記載のカーボンナノチューブの配向方法によれば、カーボンナノチューブが陰極基板上に直接成長せしめられるのではないため、陰極基板の温度は、高くても４５０℃という比較的低い温度までしか上昇しない。そのため、陰極基板として、例えばガラス、プラスチックなどのような比較的安価な材料を使用することができ、陰極基板の材質の制約を従来の場合よりも緩和することができる。

請求項４に記載のカーボンナノチューブの配向方法では、好ましくは、例えば４５０℃で焼成し、固着させることができるＩＴＯペーストが、導電性ペーストとして用いられる。あるいは、例えば２００℃で焼成し、固着させることができるカーボンペーストが、導電性ペーストとして用いられる。また、例えば２３０℃で焼成し、固着させることができる銀ペーストが、導電性ペーストとして用いられる。あるいは、例えば室温で固着させることができる室温固着タイプのペーストが、導電性ペーストとして用いられる。

請求項５に記載の電界電子放出素子によれば、カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に高精度に配向させることができる。

以下、本発明のカーボンナノチューブの配向方法の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法を実施するために用いられるカーボンナノチューブ配向装置の概略構成図であり、図２は図１に示すカーボンナノチューブ配向装置によって陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられたカーボンナノチューブなどを示した図である。詳細には、図２（Ａ）はカーボンナノチューブ、陰極基板などを示した平面図、図２（Ｂ）はカーボンナノチューブ、陰極基板などを示した前側面図である。

図１および図２において、１は１個のカーボンナノチューブを示しており、１’は配向せしめられた多数のカーボンナノチューブ１からなるカーボンナノチューブ集合体を示しており、１ａはカーボンナノチューブ本体を示しており、１ｂは例えばＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏなどのような磁性を有する金属材料を示している。２は陰極基板を示しており、３は例えばスパッタ法、蒸着法などを用いることにより、例えばＡｌなどの金属膜または例えばＩＴＯなどの導電性膜によって形成された電極を示している。４は例えば永久磁石のような磁石を示しており、５は密閉容器を示しており、６はカーボンナノチューブ１を噴霧するための噴霧口を示している。７は例えばスクリーン印刷法などによって塗布された例えばＩＴＯペースト、カーボンペーストなどのような導電性ペーストを示している。

図１に示すカーボンナノチューブ配向装置によって陰極基板２に対して垂直方向に配向せしめられるカーボンナノチューブ１は、図示しない前工程において、例えばＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏなどのような磁性を有する金属材料を触媒に用いて、例えばＣＶＤ法などによって作製される。この作製方法によって作製されたカーボンナノチューブ１では、図１に示すように、触媒として用いられた磁性を有する金属材料１ｂが一端に残されている。従来においては、この残された磁性を有する金属材料１ｂが、例えば酸処理などによって溶融せしめられて除去されていたが、第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、図１に示すように、磁性を有する金属材料１ｂが残された状態で、カーボンナノチューブ１が配向せしめられる。

第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、まず最初に、例えばＡｌなどの金属膜または例えばＩＴＯなどの導電性膜が、例えばスパッタ法、蒸着法などによって電極３として陰極基板２上に形成される。次いで、例えばＩＴＯ、カーボンなどのような導電性ペースト７が、例えばスクリーン印刷法などによって電極３上に塗布される。第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、導電性ペースト７としてＩＴＯまたはカーボンが用いられるが、第２の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、代わりに、導電性ペースト７として例えば銀ペースト、室温固着タイプのペーストなどを用いることも可能である。

また、第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、導電性ペースト７が塗布される陰極基板２として、例えばスパッタ法、蒸着法などによって例えばＡｌなどの金属膜やＩＴＯなどの導電性膜の電極３が着けられたガラス基板が用いられるが、第３の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、代わりに、陰極基板２として金属基板、プラスチック基板などを用いることも可能である。

次いで、第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、陰極基板２に塗布された導電性ペースト７が乾燥・固化する前に、図１に示すように、陰極基板２が密閉容器５内に配置される。詳細には、密閉容器５の下部に、まず最初に磁石４が配置され、次いで、その磁石４の上側に電極３および導電性ペースト７付きの陰極基板２が配置される。

第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、図１に示すように、陰極基板２の表面がほぼ水平になるように磁石４、陰極基板２、電極３および導電性ペースト７が積層されるが、第４の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、陰極基板２の表面が水平面に対して鋭角をなすように陰極基板２を配置したり、陰極基板２の表面が水平面に対して直角をなすように陰極基板２を配置したりすることも可能である。

また、第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、図１に示すように、磁石４として例えばネオジ鉄ボロン系、サマリュウムコバルト系などのような磁力の強い永久磁石が用いられるが、第５の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、代わりに、例えばフェライト系などのような磁力がそれほど強くない永久磁石を用いることも可能である。あるいは、第６の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、代わりに、磁石４として電磁石を用いることも可能である。

次いで、第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、図１に示すように、磁性を有する金属材料１ｂが残されたカーボンナノチューブ１が、密閉容器５の上部の側面に配置された噴霧口６からほぼ水平方向に噴霧される。

第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、カーボンナノチューブ１が噴霧口６から噴霧される時に密閉容器５内に大気が充填されているが、第７の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、代わりに、カーボンナノチューブ１が噴霧口６から噴霧される時に密閉容器５内に例えばアルゴンガスなどのような不活性ガス、窒素ガスなどを充填しておくことも可能である。

第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、図１に示すように、カーボンナノチューブ１が密閉容器５の上部の側面からほぼ水平方向に噴霧されるが、第８の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、代わりに、カーボンナノチューブ１を密閉容器５の上部の側面から斜め下向きまたは斜め上向きに噴霧したり、カーボンナノチューブ１を密閉容器５の上面から下向きに噴霧したりすることも可能である。

第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、図１に示すように、磁性を有する金属材料１ｂが残されたカーボンナノチューブ１が噴霧口６から噴霧されると、その噴霧されたカーボンナノチューブ１の磁性を有する金属材料１ｂが、磁石４によって下側に引き付けられ、それにより、浮遊中の抵抗の小さい状態でカーボンナノチューブ１が陰極基板２に対して垂直方向に配向せしめられる。つまり、カーボンナノチューブ１が、陰極基板２の表面に垂直な方向に対して平行になるように姿勢を変える。次いで、その配向せしめられたカーボンナノチューブ１の磁性を有する金属材料１ｂが、磁石４によって下側に更に引き付けられ、それにより、カーボンナノチューブ１が、導電性ペースト７に突き刺さり、陰極基板２上に垂直に立った状態で配置される。

次いで、第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、導電性ペースト７が乾燥・焼成せしめられ、それにより、カーボンナノチューブ１が陰極基板２に対して垂直方向に配向せしめられた状態で固定される。

次いで、第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、密閉容器４内から磁石４が退避せしめられ、次いで、窒素ガスまたはエアーによるブローが行われ、それにより、噴霧口６から噴霧されたカーボンナノチューブ１のうち、導電性ペースト７に突き刺さらなかったカーボンナノチューブ１が密閉容器４内から取り除かれる。

第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、陰極基板２に塗布される導電性ペースト７に磁性を有する金属材料１ｂが残されたカーボンナノチューブ１が含められていないが、第９の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、代わりに、陰極基板２に塗布される導電性ペースト７に磁性を有する金属材料１ｂが残されたカーボンナノチューブ１を含めておくことも可能である。第９の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法では、陰極基板２に塗布された導電性ペースト７が固化するまでの間に、その導電性ペースト７に含まれている磁性を有する金属材料１ｂが残されたカーボンナノチューブ１が、磁石４の磁力によって、陰極基板２上に垂直に立った状態に近づけられる。

第１の実施形態では、本発明のカーボンナノチューブの配向方法によって高精度に配向せしめられたカーボンナノチューブ集合体１’（図２参照）が、例えば電界電子放出素子に用いられるが、第１０の実施形態では、本発明のカーボンナノチューブの配向方法によって高精度に配向せしめられたカーボンナノチューブ集合体１’（図２参照）を、例えば冷陰極ランプ、液晶用バックライト、フィールドエミッションディスプレイ、蛍光表示管などのような従来からカーボンナノチューブが用いられている任意の物に対して用いることも可能である。

第１１の実施形態では、上述した第１から第１０の実施形態を適宜組合わせることも可能である。

第１の実施形態のカーボンナノチューブの配向方法を実施するために用いられるカーボンナノチューブ配向装置の概略構成図である。 図１に示すカーボンナノチューブ配向装置によって陰極基板に対して垂直方向に配向せしめられたカーボンナノチューブなどを示した図である。

符号の説明

１ カーボンナノチューブ
１’ カーボンナノチューブ集合体
１ａ カーボンナノチューブ本体
１ｂ 磁性を有する金属材料
２ 陰極基板
３ 電極
４ 磁石
５ 密閉容器
６ 噴霧口
７ 導電性ペースト

Claims (5)

1. カーボンナノチューブを陰極基板に対して垂直方向に配向させるようにしたカーボンナノチューブの配向方法において、密閉容器内に配置された陰極基板の一方の側に磁石を配置し、密閉容器内のうち、陰極基板を隔てて磁石の反対側の空間に、磁性を有する金属が残されたカーボンナノチューブを噴霧することを特徴とするカーボンナノチューブの配向方法。
2. 密閉容器の下部に陰極基板をほぼ水平に配置し、陰極基板の下側に磁石を配置し、密閉容器の上部の側面からカーボンナノチューブをほぼ水平方向に噴霧することを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブの配向方法。
3. 磁石として永久磁石を用いたことを特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブの配向方法。
4. カーボンナノチューブを噴霧する前に、陰極基板上に導電性ペーストを塗布することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの配向方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載されたカーボンナノチューブの配向方法により配向せしめられたカーボンナノチューブを用いた電界電子放出素子。

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