JP2007154226A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】原料ガスの分解効率が高く、かつ、石英膜中へのパーティクルの混入を抑制するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、成膜室２、混合ガス１６を成膜室２内へ導入する第一のガス供給手段３、第二のキャリアガス１８を成膜室２内へ導入する第二のガス供給手段４、成膜室２内を減圧する排気手段５を少なくとも備え、成膜室２は、導入部１７が配置された第一の空間６と、基板側電極９が配置される第二の空間７と、第一の空間６と第二の空間７を分割する第一のシャワーヘッド８Ａおよび第二のシャワーヘッド８Ｂとから構成され、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５に、第二のキャリアガス１８の導入部２１を設け、第一のシャワーヘッド８Ａと基板側電極９のそれぞれに高周波を印加する電力供給手段１０を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、原料ガスを放電によってプラズマ状態とし、活性なラジカルやイオンを生成させて、低温にて基材上に石英膜などの薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置に関する。

基板型光導波路、アクティブマトリックス液晶ディスプレイパネルおよび密着型イメージセンサなどの入出力装置、携帯電話などには、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられている。この薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜は、低温にて形成されることが求められている。プラズマＣＶＤ装置を用いた成膜方法は、低温にて基材上に石英膜などの薄膜を形成することができる方法であるため、例えば、この薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の形成などに用いられている。

プラズマＣＶＤ装置を用いた成膜方法では、薄膜中へのパーティクルの混入が大きな問題となる。薄膜中にパーティクルが混入すると、その薄膜は電気的特性や光学的特性が劣化するばかりでなく、製造歩留まりが低下して、製造コストが増加するという問題がある。言い換えれば、高品質の薄膜を低コストで形成するには、製造歩留まりを向上すること、すなわち、薄膜中へのパーティクルの混入量を低減する必要がある。

薄膜中へのパーティクルの混入量を低減する方法としては、例えば、特許文献１には、所望の薄膜を形成するための基板を配置する反応室と、プラズマ形成室とを、網目状電極で分割した構造をなしているプラズマＣＶＤ装置を用いた成膜方法が開示されている。
このプラズマＣＶＤ装置を用いた成膜方法では、プラズマ形成室で形成された酸素活性種を反応室に輸送するとともに、基板の表面に薄膜の原料となる反応ガス（原料ガス）を供給することにより、基板の表面上でのみ反応がすすみ、基板上にパーティクルの混入量が少ない薄膜を形成する。
また、このプラズマＣＶＤ装置を用いた成膜方法では、基板の外側に、反応ガスを供給するためのガス導入配管を配置することにより、ガス導入配管の表面に形成された薄膜や粒状の堆積物が基板上に落下することが防止されている。そのため、薄膜中へのパーティクルの混入が抑制されている。
特開平１１−１０６９２８号公報

しかしながら、特許文献１に開示されている方法では、基板の表面付近で反応ガスが分解されるので、反応ガスの分解に用いられるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力が小さい場合には、反応ガスが十分に分解されないため、薄膜中へ不純物が混入したり、成膜速度が低下したりするという問題がある。一方、反応ガスの分解を促進するために、ＲＦ電力を大きくすると、基板もしくは薄膜が劣化することがある。

そこで、反応ガスの分解を促進して、基板上に薄膜を形成する方法としては、例えば、図３に示すようなプラズマＣＶＤ装置１００を用いた方法が挙げられる。
図３中、符号１０１は高周波電源、１０２は基板側電極、１０３はシャワーヘッド、１０４はキャリアガス、１０５は原料ガス、１０６は微粒子、１０７は基板、１０８は石英膜、１０９は容器、１１０は液体原料、１１１は流量計、１１２は配管、１１３は真空ポンプ、１１４は成膜室、をそれぞれ示している。

このプラズマＣＶＤ装置１００を用いた成膜方法では、ＲＦ電源やマイクロ波電源などの高周波電源１０１により、基板側電極１０２とシャワーヘッド１０３のそれぞれに、異なる周波数の高周波を印加している。これにより、基板側電極１０２とシャワーヘッド１０３の間の領域のプラズマ密度を高くすることができるので、この領域において、キャリアガス１０４によって成膜室１１４内に搬送された原料ガス１０５の分解効率を向上させることができる。
このような基板側電極１０２とシャワーヘッド１０３の両方に高周波を印加するＣＶＤ装置は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ）−ＣＶＤ装置と呼ばれ、基板型光導波路のみならず、半導体デバイスの製造やパッケージングなどの分野に、広く適用することができる。

このプラズマＣＶＤ装置１００では、シャワーヘッド１０３に印加した高周波によって、原料ガス１０５がシャワーヘッド１０３付近にて、イオン種や活性種に分解される。そして、シャワーヘッド１０３を貫通する細孔１０３ａを通過したイオン種や活性種は、基板側電極１０２とシャワーヘッド１０３の間の領域にて、プラズマのエネルギーなどによって互いに結合し、ある大きさ以上の微粒子１０６となり、基板１０７上に堆積する。この基板１０７上に堆積した微粒子１０６が、石英膜１０８中に形成されるパーティクルとなる。
プラズマＣＶＤ装置１００では、原料ガス１０５の分解効率を向上させることができるものの、特許文献１に記載されているように、原料ガス１０５を基板１０７の表面付近でのみ分解させて、石英膜１０８中へのパーティクルの混入を抑制することはできなかった。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、原料ガスの分解効率が高く、かつ、石英膜中へのパーティクルの混入を抑制するプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。

本発明の請求項１に係るプラズマＣＶＤ装置は、成膜室、第一のキャリアガスと原料ガスからなる混合ガスを前記成膜室内へ導入する第一のガス供給手段、第二のキャリアガスを前記成膜室内へ導入する第二のガス供給手段、および、前記成膜室内を減圧する排気手段を少なくとも備え、前記成膜室は、前記混合ガスの導入部が配置された第一の空間と、薄膜が形成される基板を載置する基板側電極が配置された第二の空間と、前記第一の空間と前記第二の空間を分割するように、間隔をおいて重ねて設けられた複数のシャワーヘッドとから構成され、前記シャワーヘッド同士の間隙に、前記第二のキャリアガスの導入部を設け、前記シャワーヘッドのうち少なくとも初段をなすシャワーヘッドと前記基板側電極のそれぞれに高周波を印加する電力供給手段を有することを特徴とする。

本発明の請求項２に係るプラズマＣＶＤ装置は、請求項１において、前記基板側電極から見て最も近傍に配置されたシャワーヘッドは、前記成膜室と同電位にあることを特徴とする。

本発明の請求項３に係るプラズマＣＶＤ装置は、請求項１において、前記第二のキャリアガスの導入部は、シャワーヘッド同士の間隙に対して平行に第二のキャリアガスを導入するように配置されていることを特徴とする。

本発明の請求項４に係るプラズマＣＶＤ装置は、請求項１において、前記第二のキャリアガスの導入部は、シャワーヘッド同士の間隙に対して垂直に第二のキャリアガスを導入するように配置されていることを特徴とする。

本発明の請求項５に係るプラズマＣＶＤ装置は、請求項１において、前記基板と、前記基板側電極から見て最も近傍に配置されたシャワーヘッドとの間隔は、２０ｍｍ以上、２００ｍｍ以下であることを特徴とする。

本発明の請求項６に係るプラズマＣＶＤ装置は、請求項１において、前記第二のキャリアガスが酸素であることを特徴とする。

本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、原料ガスの分解効率を高めることができるとともに、原料ガスが分解して生じたイオン種や活性種を、第二のキャリアガスであると、基板上にてのみ反応させ、薄膜を形成することができるで、薄膜中へのパーティクルの混入を大幅に抑制することができる。

以下、図面を参照して、本発明を実施したプラズマＣＶＤ装置について詳細に説明する。

（１）第一の実施形態
図１は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第一の実施形態を示す概略構成図である。
図１中、符号１はプラズマＣＶＤ装置、２は成膜室、３は第一のガス供給手段、４は第二のガス供給手段、５は排気手段、６は第一の空間、７は第二の空間、８はシャワーヘッド、８Ａは第一のシャワーヘッド、８Ｂは第二のシャワーヘッド、９は基板側電極、１０は電力供給手段、１１は第一のキャリアガス、１２は液体原料、１３は容器、１４は流量計、１５は配管、１６は混合ガス、１７は導入部、１８は第二のキャリアガス、１９は流量計、２０は配管、２１は導入部、２２は基板、２３は薄膜、２４は微粒子、２５は間隙、をそれぞれ示している。

この実施形態のプラズマＣＶＤ装置１は、成膜室２、第一のキャリアガス１１と液体原料１２を気化させて発生させた原料ガスからなる混合ガス１６を成膜室２内へ導入する第一のガス供給手段３、第二のキャリアガス１８を成膜室２内へ導入する第二のガス供給手段４、および、成膜室２内を所定の気圧に減圧する排気手段５から概略構成されている。
また、成膜室２は、混合ガス１６の導入部１７が配置された第一の空間６と、薄膜２３が形成される基板２２を載置する基板側電極９が配置された第二の空間７と、第一の空間６と第二の空間７を分割するように、所定の間隔をおいて重ねて設けられた第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂからなるシャワーヘッド８とから構成されている。

また、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５には、第二のキャリアガス１８の導入部２１が設けられており、この導入部２１は、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５に対して平行に、第二のキャリアガス１８を導入するように配置されている。
さらに、プラズマＣＶＤ装置１は、第一のシャワーヘッド８Ａと基板側電極９のそれぞれに、高周波を印加する電力供給手段１０を備えている。

プラズマＣＶＤ装置１では、基板側電極９から見て最も近傍に配置された第二のシャワーヘッド８Ｂには、高周波を印加する電力供給手段１０が接続されておらず、第二のシャワーヘッド８Ｂと成膜室２は同電位にある。これにより、ＲＦ印加時の異常放電が起こり難くなり、薄膜２３中へのパーティクルの混入量が減少するだけでなく、プラズマＣＶＤ装置１の不具合も起こり難くなる。

基板側電極９に載置された基板２２と、基板側電極９から見て最も近傍に配置された第二のシャワーヘッド８Ｂとの距離は、２０ｍｍ以上、２００ｍｍ以下であることが好ましく、２０ｍｍ以上、１００ｍｍ以下であることがより好ましい。
基板２２と、第二のシャワーヘッド８Ｂとの距離が２０ｍｍ未満では、基板２２上に形成される薄膜２３の面内均一性が劣化する。一方、基板２２と、第二のシャワーヘッド８Ｂとの距離が２００ｍｍを超えると、基板２２と、第二のシャワーヘッド８Ｂとの間の空間において、パーティクルの形成が進行し、薄膜２３内へのパーティクルの混入量が増加する。

第二のキャリアガス１８は、酸素であることが好ましい。これにより、第二の空間７内に移動したイオン種や活性種が、基板２２上にてのみ、第二のキャリアガス１８である酸素と反応し、基板２２上に薄膜２３を形成する。

第一のガス供給手段３は、第一のキャリアガス１１の流量、および、容器１３に収容されている液体原料１２を気化させて発生させた原料ガスの流量を制御する流量計１４と、この流量計１４および導入部２０に接続され、第一のキャリアガス１１と原料ガスからなる混合ガス１６を成膜室２内へ導入する配管１５とから構成されている。

第二のガス供給手段４は、第二のキャリアガス１８の流量を制御する流量計１９と、この流量計１９および導入部２１に接続され、第二のキャリアガス１８を第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５に導入する配管２０とから構成されている。

排気手段５としては、メカニカルブースターポンプ、ドライポンプなどの真空ポンプが用いられる。この排気手段５により、成膜室２内の気圧（真空度）が所定の値に保たれるようになっている。

第一のシャワーヘッド８Ａおよび第二のシャワーヘッド８Ｂには、間隙２５に対して垂直な方向に、シャワーヘッドを貫通する多数の細孔８ａが設けられている。
この細孔８ａは、第一のシャワーヘッド８Ａに印加した高周波によって原料ガスが分解されることによって生じたイオン種や活性種、あるいは、イオン種や活性種が集合してなる微粒子を通過させるために設けられている。

基板側電極９としては、アルミニウムもしくはステンレスが用いられる。
電力供給手段１０としては、第一のシャワーヘッド８Ａと基板側電極９のそれぞれに、異なる電力および異なる周波数の高周波を印加することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ＲＦ電源、マイクロ波電源などの高周波電源が挙げられる。

なお、この実施形態では、シャワーヘッド８を、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂからなる二段構造のものとしたが、本発明のプラズマＣＶＤ装置はこれに限定されるものではない。本発明のプラズマＣＶＤ装置にあっては、シャワーヘッドを、間隔をおいて三段以上重ねて設けてもよい。
また、本発明のプラズマＣＶＤ装置にあっては、シャワーヘッドを三段以上重ねて設けた場合、シャワーヘッドのうち少なくとも初段をなすシャワーヘッドと基板側電極のそれぞれに高周波を印加する電力供給手段を設ければよい。なお、本発明のプラズマＣＶＤ装置において、初段をなすシャワーヘッドとは、原料ガスの導入部に最も近くに配置されているシャワーヘッドのことである。

次に、この実施形態のプラズマＣＶＤ装置１を用いて、基板２２上に薄膜２３を形成する方法について説明する。
プラズマＣＶＤ装置１を用いて、基板２２上に薄膜２３を形成するには、容器１３内に収容されている薄膜２３の原料となる原料液体１２を気化させて原料ガスとするとともに、この原料ガスを第一のキャリアガス１１と混合して混合ガス１６とし、配管１５を介して、導入部１７から成膜室２の第一の空間６内に導入する。

この際、原料ガスと第一のキャリアガス１１の流量を、流量計１４により制御する。
また、第一のキャリアガス１１の流量を、１００ｓｃｃｍ以上、３０００ｓｃｃｍ以下とする。
原料液体１２を気化させてなる原料ガスの流量を、５ｓｃｃｍ以上、１００ｓｃｃｍ以下とする。

また、排気手段５により、成膜室２内の気圧は所定の値に保たれている。
成膜室２内の気圧を、１０^−５Ｐａ以上、１００Ｐａ以下とする。

さらに、電力供給手段１０により、第一のシャワーヘッド８Ａと基板側電極９のそれぞれには、異なる電力および異なる周波数の高周波が印加されており、第一のシャワーヘッド８Ａと基板側電極９との間で電位差が生じている。
第一のシャワーヘッド８Ａに印加する高周波の電力を、５Ｗ以上、２００Ｗ以下とし、周波数を１０ＭＨｚ以上、２７ＭＨｚ以下とする。
基板側電極９に印加する高周波の電力を、１００Ｗ以上、１０００Ｗ以下とし、周波数を１００ｋＨｚ以上、５００ｋＨｚ以下とする。

第一の空間６内に導入された原料ガス１６は、第一のシャワーヘッド８Ａに印加した高周波により、イオン種や活性種に分解される。
原料ガス１６の分解によって生じたイオン種や活性種は、第一のシャワーヘッド８Ａの細孔８ａを通過して、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５に移動する。

第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５内に移動してきたイオン種や活性種は、導入部２１から間隙２５に平行に、間隙２５内に導入された、酸素からなる第二のキャリアガス１８によって、第二のシャワーヘッド８Ｂの細孔８ａを通過して、第二の空間７へ移動する。
第二のキャリアガス１８の流量を、２５ｓｃｃｍ以上、７５０ｓｃｃｍ以下とする。

第二の空間７内に移動したイオン種や活性種は、基板２２上にて、第二のキャリアガス１８である酸素と反応し、基板２２上に薄膜２３を形成する。
また、このプラズマＣＶＤ装置１を用いた薄膜２３の形成方法では、イオン種や活性種が集合してなる微粒子２４は、従来よりも粒径が非常に小さいので、排気手段５によって、成膜室２から外部に排出されるため、基板２２や薄膜２３上に微粒子２４が堆積して、この微粒子２４が薄膜２３中にパーティクルとして混入することを抑制することができる。

この実施形態のプラズマＣＶＤ装置１によれば、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５内に、導入部２１から間隙２５に対して平行に酸素からなる第二のキャリアガス１８を導入するので、原料ガスの分解効率を高めることができるとともに、原料ガスが分解して生じたイオン種や活性種を、第二のキャリアガス１８と、基板２２上にてのみ反応させ、面内の膜厚分布がほぼ均一な薄膜２３を形成することができる。また、薄膜２３中へのパーティクルの混入を大幅に抑制することができる。

（２）第二の実施形態
図２は、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第二の実施形態を示す概略構成図である。
図２において、図１に示したプラズマＣＶＤ装置１と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
この実施形態のプラズマＣＶＤ装置３０が、上述のプラズマＣＶＤ装置１と異なる点は、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５には、第二のキャリアガス１８の導入部３１が設けられており、この導入部３１は、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５に対して垂直に、第二のキャリアガス１８を導入するように配置されている点である。

この実施形態のプラズマＣＶＤ装置３０によれば、第一のシャワーヘッド８Ａと第二のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５内に、導入部３１から間隙２５に対して垂直に酸素からなる第二のキャリアガス１８を導入するので、原料ガスの分解効率を高めることができるとともに、原料ガスが分解して生じたイオン種や活性種を、第二のキャリアガス１８と、基板２２上にてのみ反応させ、上記の第二の実施形態よりも面内の膜厚分布の均一性に優れる薄膜２３を形成することができる。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
図１に示すプラズマＣＶＤ装置１を用いて、直径１００ｍｍのシリコンからなる基板２２上に、二酸化シリコンからなる薄膜２３を形成した。
この実施例１では、第一のシャワーヘッド８Ａと第一のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５を５ｍｍとした。
基板２２の温度を３８０℃、成膜室２内の圧力を２０Ｐａ、第一のキャリアガス１１の流量を６００ｓｃｃｍ、第二のキャリアガス１８の流量を１５０ｓｃｃｍ、液体原料１２の正ケイ酸四エチル（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）を気化してなる原料ガスの流量を１２．５ｓｃｃｍとした。
第一のシャワーヘッド８Ａに印加するＲＦ電力を８０Ｗ、周波数を１３．５６ＭＨｚとした。基板側電極９に印加するＲＦ電力を６００Ｗ、周波数を３８０ｋＨｚとした。
上記の条件にて、基板２２上に形成された二酸化シリコンからなる薄膜２３の厚みは１０．５μｍ、基板２２面内の膜厚分布は±７％であった。
また、成膜室２内をクリーニングした後、５枚目の基板２２上に形成した薄膜２３中に存在する直径１μｍ以上のパーティクル数は３０個であった。

（比較例１）
図１に示すプラズマＣＶＤ装置１を用いて、直径１００ｍｍのシリコンからなる基板２２上に、二酸化シリコンからなる薄膜２３を形成した。
この実施例１では、第一のシャワーヘッド８Ａと第一のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５を５ｍｍとした。
基板２２の温度を３８０℃、成膜室２内の圧力を２０Ｐａ、第一のキャリアガス１１の流量を７５０ｓｃｃｍ、第二のキャリアガス１８の流量を０ｓｃｃｍ、液体原料１２の正ケイ酸四エチル（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）を気化してなる原料ガスの流量を１２．５ｓｃｃｍとした。
第一のシャワーヘッド８Ａに印加するＲＦ電力を８０Ｗ，周波数を１３．５６ＭＨｚとした。基板側電極９に印加するＲＦ電力を６００Ｗ，周波数を３８０ｋＨｚとした。
上記の条件にて、基板２２上に形成された二酸化シリコンからなる薄膜２３の厚みは１０．０μｍ、基板２２面内の膜厚分布は±６．５％であった。

（実施例２）
図２に示すプラズマＣＶＤ装置１を用いて、直径１００ｍｍのシリコンからなる基板２２上に、二酸化シリコンからなる薄膜２３を形成した。
この実施例１では、第一のシャワーヘッド８Ａと第一のシャワーヘッド８Ｂの間隙２５を５ｍｍとした。
基板２２の温度を３８０℃、成膜室２内の圧力を２０Ｐａ、第一のキャリアガス１１の流量を６００ｓｃｃｍ、第二のキャリアガス１８の流量を１５０ｓｃｃｍ、液体原料１２の正ケイ酸四エチル（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）を気化してなる原料ガスの流量を１２．５ｓｃｃｍとした。
第一のシャワーヘッド８Ａに印加するＲＦ電力を８０Ｗ、周波数を１３．５６ＭＨｚとした。基板側電極９に印加するＲＦ電力を６００Ｗ、周波数を３８０ｋＨｚとした。
上記の条件にて、基板２２上に形成された二酸化シリコンからなる薄膜２３の厚みは１０．０μｍ、基板２２面内の膜厚分布は±３％であった。
また、成膜室２内をクリーニングした後、５枚目の基板２２上に形成した薄膜２３中に存在する直径１μｍ以上のパーティクル数は３７個であった。

本発明のプラズマＣＶＤ装置は、半導体デバイスの絶縁膜や光導波路の形成にも適用できる。

本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第一の実施形態を示す概略構成図である。 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第二の実施形態を示す概略構成図である。 従来のプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図である。

符号の説明

１・・・プラズマＣＶＤ装置、２・・・成膜室、３・・・第一のガス供給手段、４・・・第二のガス供給手段、５・・・排気手段、６・・・第一の空間、７・・・第二の空間、８・・・シャワーヘッド、８Ａ・・・第一のシャワーヘッド、８Ｂ・・・第二のシャワーヘッド、９・・・基板側電極、１０・・・電力供給手段、１１・・・第一のキャリアガス、１２・・・液体原料、１３・・・容器、１４・・・流量計、１５・・・配管、１６・・・混合ガス、１７・・・導入部、１８・・・第二のキャリアガス、１９・・・流量計、２０・・・配管、２１・・・導入部、２２・・・基板、２３・・・薄膜、２４・・・微粒子、２５・・・間隙、３０・・・プラズマＣＶＤ装置、３１・・・導入部。

Claims (6)

1. 成膜室、第一のキャリアガスと原料ガスからなる混合ガスを前記成膜室内へ導入する第一のガス供給手段、第二のキャリアガスを前記成膜室内へ導入する第二のガス供給手段、および、前記成膜室内を減圧する排気手段を少なくとも備え、
   前記成膜室は、前記混合ガスの導入部が配置された第一の空間と、薄膜が形成される基板を載置する基板側電極が配置された第二の空間と、前記第一の空間と前記第二の空間を分割するように、間隔をおいて重ねて設けられた複数のシャワーヘッドとから構成され、
   前記シャワーヘッド同士の間隙に、前記第二のキャリアガスの導入部を設け、
   前記シャワーヘッドのうち少なくとも初段をなすシャワーヘッドと前記基板側電極のそれぞれに高周波を印加する電力供給手段を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
2. 前記基板側電極から見て最も近傍に配置されたシャワーヘッドは、前記成膜室と同電位にあることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
3. 前記第二のキャリアガスの導入部は、シャワーヘッド同士の間隙に対して平行に第二のキャリアガスを導入するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
4. 前記第二のキャリアガスの導入部は、シャワーヘッド同士の間隙に対して垂直に第二のキャリアガスを導入するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
5. 前記基板と、前記基板側電極から見て最も近傍に配置されたシャワーヘッドとの間隔は、２０ｍｍ以上、２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
6. 前記第二のキャリアガスが酸素であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
   
   

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