JP2007150318A - 超伝導マグネット及び冷媒冷却回路向けの離散的経路及び実質的に伝導性のカプラを伴うコールドマス - Google Patents

Abstract

【課題】交流電流（ＡＣ）環境で動作する超伝導マグネットを提供すること。
【解決手段】超伝導マグネット・システム（１０）向けのコールドマス（２０２）は一例として、超伝導マグネット（２０３）、冷媒冷却回路（２０６）、及びマグネット／冷却回路支持体（２０８）を備える。このマグネット／冷却回路支持体（２０８）は超伝導マグネット（２０３）と冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をする離散的経路内に実質的に伝導性のカプラ（７０２）を備える。
【選択図】図２

Description

本発明は全般的には超伝導マグネット・システムに関し、さらに詳細には交流電流（ＡＣ）環境で動作する超伝導マグネットに関する。

ＡＣ環境で動作する例示的な超伝導マグネット・システムには、変圧器、発電機、モータ、超伝導磁気エネルギー貯蔵（ＳＭＥＳ）、磁気共鳴（ＭＲ）システムが含まれる。従来のＭＲマグネットはＤＣモードで動作しているが、幾つかのＭＲマグネットはマグネットに対する傾斜漏洩磁場が高い場合に傾斜コイルからのＡＣ磁場下で動作することがある。こうしたＡＣ磁場はマグネット内にＡＣ損失を発生させる。説明を目的として、ＭＲシステムの例示的な詳細に関する例証的検討を提示することにする。

人体組織などの物質を均一な磁場（偏向磁場Ｂ_０）にかけると、組織中のスピンの個々の磁気モーメントはこの偏向磁場と整列しようとして、この周りをラーモアの特性周波数によってランダムな秩序で歳差運動することになる。この物質や組織に、ｘ−ｙ平面内にありラーモア周波数に近い周波数をもつ磁場（励起磁場Ｂ_１）がかけられると、正味の整列モーメント（すなわち、「縦磁化」）Ｍ_Ｚは、ｘ−ｙ平面内に来るように回転させられ（すなわち、「傾けられ（ｔｉｐｐｅｄ）」）、正味の横方向磁気モーメントＭ_ｔが生成される。励起信号Ｂ_１を停止させた後、励起したスピンにより信号が放出され、さらにこの信号を受信し処理して画像を形成させることができる。

これらの信号を用いて画像を作成する際には、磁場傾斜（Ｇ_ｘ、Ｇ_ｙ及びＧ_ｚ）が利用される。典型的には、撮像しようとする領域が、使用する具体的な位置特定方法に従ってこれらの傾斜を変更させている一連の計測サイクルによりスキャンを受ける。結果として得られる受信した核磁気共鳴（ＮＭＲ）信号の組はディジタル化されかつ処理され、よく知られている多くの再構成技法のうちの１つを用いて画像が再構成される。

ＭＲシステムの一例として、コールドマスは、超伝導マグネット、マグネットコイル支持構造及びヘリウム容器を備える。ヘリウム容器内に包含された液体ヘリウムは、超伝導マグネットに対して冷却を提供すると共に、超伝導動作のために超伝導マグネットを低い温度に維持していることは当業者であれば理解されよう。この液体ヘリウムは、概ね及び／または実質的に４．２ケルビン（Ｋ）の液体ヘリウム温度に超伝導マグネットを維持している。熱的に分離させるために、この液体ヘリウムを包含するヘリウム容器は一例として、圧力容器を真空容器の内部に備えている。

コールドマスは一例として、かなり大きくかつ／または大規模な金属構成要素を備える。ヘリウム容器は、かなり大きなステンレス鋼及び／またはアルミニウム片を備える。マグネットコイル支持構造は複合材料及び／またはかなり広範な金属分布を備える。

ＭＲシステム向けの超伝導マグネットがＡＣ場環境で動作する場合、コールドマスの金属内にうず電流が誘導される。うず電流はヘリウム容器のかなり大きな金属構成要素内に誘導される。別の例では、うず電流はマグネットコイル支持構造のかなり大規模な金属構成要素内に誘導される。

うず電流は熱を発生させる。うず電流が発生させた熱はＭＲシステムを動作させるために消費する必要がある熱に追加される。超伝導マグネットは超伝導動作のために低い温度に維持する必要があるため、うず電流はＭＲシステムに対してＡＣ損失を意味する。

したがって、超伝導マグネット・システム内のうず電流及びこれによるＡＣ損失に寄与する金属の存在及び／または規模の低減を促進することが望ましい。超伝導マグネットからの熱除去を促進するために、超伝導マグネット・システムにおいて液体ヘリウムの冷却フロー及びヘリウム蒸気ロック（ｖａｐｏｒ ｌｏｃｋ）の回避を促進することが望ましい。

本発明の一態様では、超伝導マグネット・システム向けのコールドマスは、超伝導マグネット、冷媒冷却回路、及びマグネット／冷却回路支持体を備える。このマグネット／冷却回路支持体は、超伝導マグネットと冷媒冷却回路を結合させる役割をする離散的経路内に実質的に伝導性のカプラを備えている。

本発明の別の態様では、ＭＲ装置のＭＲシステムは、偏向磁場を印加するためにコールドマスのマグネットボアの周りに位置決めされた複数の傾斜コイルと、ＲＦコイル・アセンブリにＭＲ画像を収集させるＲＦ信号を送るようにパルスモジュールにより制御を受けるＲＦ送受信器システム及びＲＦスイッチと、を備える。このＭＲシステムのコールドマスは、コールドマスのマグネットと冷媒冷却回路を結合させる役割をする離散的経路内に実質的に伝導性のカプラを備えたマグネット／冷却回路支持体を備える。

本発明のさらに別の態様では、超伝導マグネット・システム向けのコールドマスのマグネット／冷却回路支持体に関連する金属は、超伝導マグネットと冷媒冷却回路を結合する１つまたは複数の離散的経路に制限されている。

本発明に関する別の様々な特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面から明らかとなろう。

図面では、本発明を実施するために目下のところ企図される好ましい実施形態を図示している。

図１を参照すると、超伝導マグネット・システム１０は一例として、交流電流（ＡＣ）環境で動作する超伝導マグネット・システムを含む。例示的な超伝導マグネット・システムは、変圧器、発電機、モータ、超伝導磁気エネルギー貯蔵（ＳＭＥＳ）、及び／または磁気共鳴（ＭＲ）システムを備える。従来のＭＲマグネットはＤＣモードで動作するが、幾つかのＭＲマグネットはマグネットに対する傾斜漏洩磁場が高いときに傾斜コイルからのＡＣ磁場下で動作することがある。こうしたＡＣ磁場によってマグネット内にＡＣ損失が発生する。磁気共鳴及び／または磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）装置及び／またはシステムの例示的な詳細に関する例証検討を、説明を目的として提示することにする。

ＭＲシステムの動作は、キーボードその他の入力デバイス１３、制御パネル１４及び表示スクリーン１６を含むオペレータ・コンソール１２から制御を受けている。コンソール１２は、オペレータが画像の作成及び表示スクリーン１６上への画像表示を制御できるようにする独立のコンピュータ・システム２０と、リンク１８を介して連絡している。コンピュータ・システム２０は、バックプレーン２０ａを介して互いに連絡している多くのモジュールを含んでいる。これらのモジュールには、画像プロセッサ・モジュール２２、ＣＰＵモジュール２４、並びに当技術分野でフレーム・バッファとして知られている画像データ・アレイを記憶するためのメモリ・モジュール２６が含まれる。コンピュータ・システム２０は、画像データ及びプログラムを記憶するためにディスク記憶装置２８及びテープ駆動装置３０とリンクしており、さらに高速シリアルリンク３４を介して独立のシステム制御部３２と連絡している。入力デバイス１３は、マウス、ジョイスティック、キーボード、トラックボール、タッチ作動スクリーン、光学読取り棒、音声制御器、あるいは同様な任意の入力デバイスや同等の入力デバイスを含むことができ、また入力デバイス１３は対話式幾何学指定のために使用することができる。

システム制御部３２は、バックプレーン３２ａにより互いに接続させたモジュールの組を含んでいる。これらのモジュールには、ＣＰＵモジュール３６や、シリアルリンク４０を介してオペレータ・コンソール１２に接続させたパルス発生器モジュール３８が含まれる。システム制御部３２は、実行すべきスキャンシーケンスを指示するオペレータからのコマンドをこのリンク４０を介して受け取っている。パルス発生器モジュール３８は、各システム構成要素を動作させて所望のスキャンシーケンスを実行させ、発生させる無線周波数（ＲＦ）パルスのタイミング、強度及び形状、並びにデータ収集ウィンドウのタイミング及び長さを指示するデータを発生させている。パルス発生器モジュール３８は、スキャン中に発生させる傾斜パルスのタイミング及び形状を指示するために１組の傾斜増幅器４２と接続させている。パルス発生器モジュール３８はさらに、生理学的収集制御器４４から患者データを受け取ることができ、この生理学的収集制御器４４は、患者に装着した電極からのＥＣＧ信号など患者に接続した異なる多数のセンサからの信号を受け取っている。また最終的には、パルス発生器モジュール３８はスキャン室インタフェース回路４６と接続されており、スキャン室インタフェース回路４６はさらに、患者及びマグネット・システムの状態に関連付けした様々なセンサからの信号を受け取っている。このスキャン室インタフェース回路４６を介して、患者位置決めシステム４８は患者を所望のスキャン位置に移動させるコマンドを受け取っている。

パルス発生器モジュール３８が発生させる傾斜波形は、Ｇｘ増幅器、Ｇｙ増幅器及びＧｚ増幅器を有する傾斜増幅器システム４２に加えられる。各傾斜増幅器は、収集する信号の空間エンコードに使用する磁場傾斜を生成させるように全体を番号５０で示す傾斜コイル・アセンブリ内の物理的に対応する傾斜コイルを励起させている。傾斜磁場コイル・アセンブリ５０は、偏向マグネット５４及び全身用ＲＦコイル５６を含むマグネット・アセンブリ５２の一部を形成している。システム制御部３２内の送受信器モジュール５８は、ＲＦ増幅器６０により増幅を受けて送信／受信スイッチ６２によりＲＦコイル５６に結合されるようなパルスを発生させている。患者内の励起された原子核が放出して得られた信号は、同じＲＦコイル５６により検知し、送信／受信スイッチ６２を介して前置増幅器６４に結合させることができる。増幅したＭＲ信号は、送受信器５８の受信器部分で復調され、フィルタ処理され、さらにディジタル化される。送信／受信スイッチ６２は、パルス発生器モジュール３８からの信号により制御し、送信モードではＲＦ増幅器６０をコイル５６と電気的に接続させ、受信モードでは前置増幅器６４をコイル５６に接続させている。送信／受信スイッチ６２によりさらに、送信モードと受信モードのいずれに関しても独立したＲＦコイル（例えば、表面コイル）を使用することが可能となる。

ＲＦコイル５６により取り込まれたＭＲ信号は送受信器モジュール５８によりディジタル化され、システム制御部３２内のメモリ・モジュール６６に転送される。未処理のｋ空間データのアレイをメモリ・モジュール６６内に収集し終わると１回のスキャンが完了となる。この未処理のｋ空間データは、各画像を再構成させるように別々のｋ空間データアレイの形に配置し直しており、これらの各々は、データをフーリエ変換して画像データのアレイにするように動作するアレイ・プロセッサ６８に入力される。この画像データはシリアルリンク３４を介してコンピュータ・システム２０に送られ、コンピュータ・システム２０において画像データはディスク記憶装置２８内などの記憶装置内に格納される。この画像データは、オペレータ・コンソール１２から受け取ったコマンドに応じて、テープ駆動装置３０上などの長期記憶内にアーカイブしたり、画像プロセッサ２２によりさらに処理してオペレータ・コンソール１２に伝達しディスプレイ１６上に表示させたりすることができる。

図２を参照すると、マグネット・アセンブリ５２（図１）は、超伝導マグネット・システム１０向けのコールドマス２０２を備える。このコールドマス２０２は、１つまたは複数の超伝導コイル２０４を備えた１つまたは複数の超伝導マグネット２０３を備える。コールドマス２０２は、１つまたは複数の冷却回路２０６を備える。コールドマス２０２は、１つまたは複数の支持体２０８を備える。コールドマス２０２は、複数の超伝導コイル２０４、冷却回路２０６及び支持体２０８を備えた超伝導マグネット２０３を備える。支持体２０８は、円筒状の形状を備える。支持体２０８は、例えば１つまたは複数の伝導性カプラ７０２（図７）などの１つまたは複数の実質的に伝導性のカプラを備える。例示的な伝導性カプラ７０２は、本明細書に記載したように超伝導マグネット２０３の１つまたは複数の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合させる役割をする離散的経路内に配置させた熱伝導性カプラを備える。

図２は、コールドマス２０２を例示的に水平の向きとした例示的な冷却回路２０６を表している。このコールドマス２０２は、図１に示すようなマグネット・アセンブリ５２の実質的に水平の向きと連係及び／または整合するような実質的に水平の向きを備える。偏向マグネット５４（図１）は、超伝導コイル２０４を備えた超伝導マグネット２０３を備える。超伝導コイル２０４は、支持体２０８上に巻かれた１つまたは複数の導体を含む。一例として、超伝導コイル２０４は、タイプ２の超伝導体ケーブルの１本または複数本のワイヤを備える。例えば超伝導コイル２０４は、ニオブチタン（ＮｂＴｉ）を備える。

超伝導コイル２０４は支持体２０８に接着（ｂｏｎｄ）されている。エポキシは超伝導コイル２０４を支持体２０８に接着する役割をする。接着は、超伝導コイル２０４及び冷却回路２０６を伝導性カプラ７０２及び１つまたは複数のスペーサ７０４（図７）を含む支持体２０８と接続状態に保つ役割をする。接着は、１つまたは複数の超伝導コイル２０４及び／または冷却回路２０６の１つまたは複数の部分を１つまたは複数の伝導性カプラ７０２及び／またはスペーサ７０４を含む支持体２０８と接続状態に保つ役割をする。エポキシは、接着を実行する役割をする。例えば超伝導コイル２０４は、エポキシを用いて巻きつけられかつブラッシングされる。一例として、その超伝導コイル２０４にエポキシを含浸させる。伝導性カプラ７０２はエポキシと一緒に超伝導コイル２０４及び冷却回路２０６上に置き、これを硬化させて物理的な接着を生成させている。

冷却回路２０６は、冷媒冷却回路を備える。別の例では、冷却回路２０６は、１つまたは複数の冷却回路区画を備える。冷却回路２０６は、インレット経路及びアウトレット経路を備える。冷却回路２０６のインレット経路は、実質的に下向きのインレット経路を備える。冷却回路２０６のインレット経路によって、伝導性カプラ７０２との直接的な伝導性の熱係合が回避される。冷却回路２０６のアウトレット経路は、実質的に上向きのアウトレット経路を備える。冷却回路２０６のアウトレット経路は、伝導性カプラ７０２と直接的な伝導性の熱係合を備える。

冷却回路２０６のインレット経路は、支持体２０８の上側部分から実質的に下向きに延びる入り口を備える。冷却回路２０６のインレット経路は、冷却回路２０６の伝導性カプラ７０２との直接的な伝導性の熱係合並びに超伝導コイル２０４から冷却回路２０６のアウトレット経路までの熱負荷との実質的な熱係合を遅延させる役割をする。冷却回路２０６のアウトレット経路は、伝導性カプラ７０２との直接的な伝導性の熱係合並びに超伝導コイル２０４からの熱負荷との実質的な熱係合を備える。一例として、冷却回路２０６のアウトレット経路は、支持体２０８の下側部分から上側部分まで概ね及び／または実質的な半円形で支持体２０８を横断し実質的に上向きに延びる１つまたは複数の対応するアウトレットで終わる１つまたは複数のカーブを備える。

冷却回路２０６は、冷却を提供するために概ね及び／または実質的な半円形を備える。冷却回路２０６は超伝導冷却作用のためにヘリウムを移送する。このヘリウムは、概ね及び／または実質的に４．２ケルビン（Ｋ）の液体ヘリウム温度に超伝導マグネット２０４を維持している。冷却回路２０６は、冷却を提供するように配列させたチューブを備える。冷却回路２０６のアウトレット経路は少なくともその一部が支持体２０８内に埋め込まれている。例えば冷却回路２０６は、支持体２０８内に埋め込まれた閉ループ冷却チューブを備える。

冷却回路２０６のアウトレット経路は少なくともその一部で、伝導性カプラ７０２と接触した面積をかなり大きくさせる役割をする矩形断面冷却チューブを備える。冷却回路２０６の冷却チューブ断面は、伝導性カプラ７０２と接触した面積をかなり大きくさせるように矩形としている。一例として、冷却回路２０６は、ステンレス鋼、アルミニウム、銅、及び／またはセラミックのうちの１つまたは幾つかを備える。冷却回路２０６はヘリウム漏洩防止性である。

一例として冷却回路２０６が金属を含む場合、金属を切断して電気絶縁体が挿入される。電気絶縁体は一例として、電気絶縁性のチューブを備える。例えばその電気絶縁体は、セラミック絶縁体を備える。電気絶縁体は、冷却回路２０６のループ状実現形態の一部分を備える。電気絶縁体は、ＡＣ損失を低下させるために冷却回路２０６内のうず電流を切断する役割をする。冷却回路２０６は、冷却回路２０６の構成金属からのＡＣ損失の低減を促進するためにかなり薄い壁をもつ金属チューブを備える。冷却回路２０６の金属チューブは、０．０１０インチから０．０２０インチまで（０．２５ミリメートルから０．５ミリメートルまで）の壁厚を備える。

冷却回路２０６の上側部分は、冷却回路２０６の最上部を成す。冷却回路２０６の下側部分は、冷却回路２０６の最底部を成す。例えば冷却回路２０６の下側部分は、冷却回路２０６の最底面を成す。液体ヘリウムは冷却回路２０６の最底部まで流れると共に、ヘリウム気体バブルが冷却回路２０６の最上部から上に流れて出てくる。冷却回路２０６のアウトレット経路内の液体ヘリウムは、伝導性カプラ７０２に対して直接的に、したがって超伝導コイル２０４とは間接的に熱的結合されている。超伝導コイル２０４からの熱の吸収によって、液体ヘリウムがヘリウム気体バブルに変換される。

冷却回路２０６のインレット経路及びアウトレット経路は、インレット経路内における蒸気ロックを防止するように配列させている。冷却回路２０６内の液体ヘリウムは、アウトレット経路内において比較的高い熱負荷下で蒸気ヘリウムに変換されており、蒸気ロックを生じることなく蒸気をバブル排除することができる。冷却回路２０６のインレット経路の伝導性カプラ７０２との直接的な熱結合を回避することによって冷却回路２０６のインレット経路内においては、冷却回路２０６内の液体ヘリウムが高い熱負荷下で蒸気ヘリウムに変換され蒸気ヘリウムが蓄積するのが回避される。

図２に示した冷却回路２０６は、支持体２０８の最上部の周辺において支持体２０８の端面に沿って下向きに延びている垂直方向を向いた液体ヘリウム向けの入り口を備える。この冷却回路２０６の入り口は、支持体２０８の最底面の下側で実質的に水平方向に延び実質的に水平の中間通路と実質的に直角に繋がり、冷却回路２０６の１つまたは複数のカーブの位置において支持体２０８の最底面と出会うまで実質的に直角で垂直方向上向きに延びている。冷却回路２０６の例示的なカーブの１つは、最底面から最上部まで概ね及び／または実質的な半円形で支持体２０８を横断している。このカーブは、支持体２０８の最上部から実質的に垂直で上向きに延びる冷却回路２０６のアウトレット内で終わっている。

図２に示した冷却回路２０６の形状によって、蒸気ロックの回避が促進される。支持体２０８の最上部から冷却回路２０６の１つまたは複数のカーブに出会うまで下向きに延びる液体ヘリウム向けの入り口からの冷却回路２０６のインレット経路は、超伝導マグネット２０３の超伝導コイル２０４からの熱負荷との冷却回路２０６の直接的で伝導性の熱係合を遅延させる役割をする。さらに、１つまたは複数のカーブに出会うまでの冷却回路２０６のインレット経路によって、冷却回路２０６の残りの経路が１つまたは複数のカーブ及び対応する１つまたは複数のアウトレットを通って実質的に垂直で上向きに延びるまで、超伝導コイル２０４からの熱負荷との冷却回路２０６の直接的で伝導性の熱係合が先送りされる。ヘリウムによる熱吸収は液体ヘリウムからヘリウム蒸気への変換を生じさせ、これが上向きで冷却回路２０６の冷却チューブを通ってコールドマス２０２から離れるバブルとなる。例えば、液体ヘリウムからヘリウム蒸気への変換を生じさせるヘリウムによる熱吸収によって、ヘリウム蒸気が上向きで冷却回路２０６のカーブからアウトレットを通ってコールドマス２０２から離れるバブルとなるために、熱フローが継続されることになる。ヘリウムガスが支持体２０８の最上部の冷却回路２０６の入り口の位置に溜まって行き場が無くなることがないように保証することによって蒸気フローが継続される。

図３は、コールドマス２０２を例示的に垂直向きにした例示的な冷却回路２０６を表している。このコールドマス２０２は、マグネット・アセンブリ５２（図１）の実質的に垂直の向きと連係及び／または整合するように実質的に垂直の向きを備えていることは当業者であれば理解されよう。冷却回路２０６は、冷却を提供するために概ね及び／または実質的なスパイラル形状を備える。冷却回路２０６のインレット経路は、支持体２０８の上側部分から実質的に下向きに延びる入り口を備える。冷却回路２０６のアウトレット経路は、下側部分から上側部分まで支持体２０８を横断し実質的に上向きに延びるアウトレット内で終わっているスパイラルを備える。液体ヘリウムは冷却回路２０６の最底部まで流れると共に、ヘリウム気体バブルが冷却回路２０６の最上部から上に流れて出てくる。

冷却回路２０６のインレット経路は、支持体２０８の最上部の位置において支持体２０８の側面に沿って垂直で下向きに延びる実質的に真っ直ぐで垂直方向を向いた液体ヘリウム向けの入り口を備える。冷却回路２０６の入り口は、冷却回路２０６のアウトレットのスパイラルに出会うまで支持体２０８の側面と実質的に水平に延びる実質的に水平の通路と実質的に直角に繋がっている。冷却回路２０６のスパイラルは、支持体２０８上で垂直方向で上向きに巻きつけられ、支持体２０８の側面から実質的に直角に外方に延びる別の実質的に水平の通路内で終わっている。この通路は、実質的に垂直で上向きに延びる冷却回路２０６のアウトレット内で終わっている。

図３に示した冷却回路２０６の形状によって、蒸気ロックの回避が促進される。支持体２０８の最上部から冷却回路２０６のアウトレット経路のスパイラルに出会うまで下向きに延びる液体ヘリウム向けの入り口からの冷却回路２０６のインレット経路は、超伝導マグネット２０３の超伝導コイル２０４からの熱負荷との冷却回路２０６の直接的で伝導性の熱係合を遅延させる役割をする。さらに、アウトレット経路のスパイラルに出会うまでの冷却回路２０８のインレット経路によって、冷却回路２０６のアウトレットの残りの経路がスパイラルを通ってアウトレットまで実質的に垂直で上向きに延びるまで、超伝導コイル２０４からの熱負荷との冷却回路２０６の直接的で伝導性の熱係合が先送りされる。ヘリウムによる熱吸収は液体ヘリウムからヘリウム蒸気への変換を生じさせ、これが上向きで冷却回路２０６の冷却チューブを通ってコールドマス２０２から離れるバブルとなる。例えば、液体ヘリウムからヘリウム蒸気への変換を生じさせるヘリウムによる熱吸収によって、ヘリウム蒸気が上向きで冷却回路２０６のスパイラルからアウトレットを通ってコールドマス２０２から離れるバブルとなるために、熱フローが継続されることになる。ヘリウムガスが支持体２０８の最上部の冷却回路２０６のインレット経路の入り口の位置に溜まって行き場が無くなることがないように保証することによって蒸気フローが継続される。

図２及び３を参照すると、コールドマス２０２の冷却回路２０６と超伝導コイル２０４を結合させる伝導性カプラ７０２との直接的な伝導性の熱係合を回避するために、超伝導マグネット・システム１０用のコールドマス２０２の冷却回路２０６のインレット経路内の液体の形でヘリウムがチャンネル移送される。別の例では、伝導性カプラ７０２と直接的な伝導性の熱係合を伴うような冷却回路２０６のアウトレット経路内の液体及び／または蒸気の形でヘリウムがチャンネル移送される。一例として、冷却回路２０６のインレット内には、蒸気ロックの発生に至らない程度の量の蒸気ヘリウムが存在することがある。

図４は、コールドマス２０２を例示的に水平の向きにした別の例示的な冷却回路２０６を表している。この冷却回路２０６は、冷却を提供するために概ね及び／または実質的な全円形を備える。一例として、冷却回路２０６の冷却チューブのうちの数組が、支持体２０８上の異なる軸方向位置にクランプされかつエポキシ接着されている。

図５を見ると、コールドマス２０２の支持体２０８は体部５０２を備える。体部５０２は、１つまたは複数のコイル通路５０４、１つまたは複数のカプラ通路５０６、及び／または１つまたは複数の冷却回路通路５０８を備える。体部５０２は、ＡＣ損失を生じさせるうず電流を可能にさせる金属の存在を低減させるためにかなり非伝導性の構造を備える。

支持体２０８は、複数の層及び／または多重層（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｌａｙｅｒｓ）を備える。支持体２０８の多重層は、１つまたは複数の非伝導層と、例えば１つまたは複数の伝導性カプラ７０２を成す１つまたは複数の離散的な伝導層と、を備える。支持体２０８の多重層は、複数の非伝導層と、１つまたは複数の伝導性カプラ７０２を成す１つまたは複数の離散的な伝導層と、を備える。支持体２０８の多重層は、多数の非伝導層と、例えば離散的でありかつ支持体２０８の伝導性カプラ７０２のすべて及び／または実質的にすべてを成す少数の伝導層と、を備える。この少数の伝導層は、超伝導マグネット２０３と冷却回路２０６を結合する役割をする複数の離散的経路内に複数の伝導性カプラ７０２を備える。少数の伝導層は、超伝導マグネット２０３の１つまたは複数の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合する役割をする複数の離散的経路内に複数の伝導性カプラ７０２を備える。

支持体２０８の体部５０２は一例として、ガラス繊維複合材またはプラスチックを備える。体部５０２のガラス繊維複合材は、コイル通路５０４、カプラ通路５０６、及び／または冷却回路通路５０８を形成するように、機械加工、成型加工または鋳造を受ける。コイル通路５０４、カプラ通路５０６、及び／または冷却回路通路５０８のうちの１つまたは幾つかは体部５０２内で溝を成している。

支持体２０８に対して、コイル通路５０４はフープ（ｈｏｏｐ）方向に延びており、カプラ通路５０６は軸方向に延びており、かつ／または冷却回路通路５０８はフープ方向に延びている。カプラ通路５０６は、支持体２０８を基準とした半径方向で体部５０２の中間の高さ位置に配置されている。一例として、そのカプラ通路５０６は、支持体２０８を基準とした半径方向でコイル通路５０４の深度全体の半分の位置に配置されている。

図６を見ると、超伝導コイル２０４はコイル通路５０４内に配置されている。超伝導コイル２０４は、超伝導ワイヤを巻きつけることによってコイル通路５０４内に据え付けられる。例えば超伝導コイル２０４のワイヤは、１層あたり２０〜４０周回で隣り合わせて巻きつけられている。超伝導コイル２０４の導体の連続する層を、完成層の上に配置させている。導体の周回と超伝導コイル２０４の導体層とは、エポキシによって相互に接着されている。超伝導コイル２０４は、コイル通路５０４内で中間の深度まで（例えば、真ん中の位置まで）部分的に巻きつけられている。

図７を見ると、伝導性カプラ７０２がカプラ通路５０６内に配置されている。この伝導性カプラ７０２同士の間には、スペーサ７０４を１つまたは幾つか配置させている。伝導性カプラ７０２は、伝導性の金属を含む。一例として、その伝導性カプラの１つまたは幾つかは銅を備える。別の例では、その伝導性カプラの１つまたは幾つかはアルミニウムを備える。

伝導性カプラ７０２は、細線で（ｆｉｎｅ−ｓｔｒａｎｄｅｄ）完全転置式の（ｆｕｌｌｙ ｔｒａｎｓｐｏｓｅｄ）導体を含む。例示的な伝導性カプラ７０２は、Ｌｉｔｓワイヤ及び／またはケーブルを含む。例示的な伝導性カプラ７０２は、かなり細い（例えば、１／８インチ×３／８インチ（３ミリメートル×１０ミリメートル）。

超伝導コイル２０４が支持体２０８の半径方向においてかなり厚い場合は、複数の伝導性カプラ７０２が利用される。伝導性カプラ７０２の数は、超伝導コイル２０４からの熱負荷及び超伝導コイル２０４の厚さに応じて様々な値とすることができる。伝導性カプラ７０２は、超伝導コイル２０４が支持体２０８の半径方向においてかなり厚い場合に利用されるような実質的に伝導性の層を備える。実質的に伝導性の層にある伝導性カプラ７０２の数は、超伝導コイル２０４からの熱負荷及び超伝導コイル２０４の厚さに応じて様々な値とすることができる。伝導性カプラ７０２は、超伝導コイル２０４が支持体２０８の半径方向においてかなり厚い場合に利用されるような複数の実質的に伝導性の層を備える。伝導性カプラ７０２の実質的に伝導性の層の数は、超伝導コイル２０４からの熱負荷及び超伝導コイル２０４の厚さに応じて様々な値とすることができる。

例示的なスペーサ７０４は、支持体２０８の半径方向に対して概ね及び／または実質的に同じ厚さの伝導性カプラ７０２を備える。スペーサ７０４は、伝導性カプラ７０２同士の間のスペースを埋める役割をする。伝導性カプラ７０２とスペーサ７０４は支持体２０８の同じ層内に配置される。

一例として、スペーサ７０４は、実質的に非伝導の材料を備える。別の例では、スペーサ７０４は、実質的に伝導性の材料を備える。スペーサ７０４と伝導性カプラ７０２は、実質的に同じ材料を備える。スペーサ７０４に関する実質的に伝導性の材料の利用は、支持体２０８の軸方向での超伝導コイル２０４から冷却回路２０６への軸方向熱伝導性を促進する役割をする。

伝導性カプラ７０２は、互いから電気的に絶縁させたワイヤを備える。例えば伝導性カプラ７０２は、実質的に均一パターンのねじり及び撚り長さで束状または編組みにした個別に薄膜絶縁したワイヤから製作されるワイヤを備える。伝導性カプラ７０２の多重撚り構成は、無線周波数電流が伝導性カプラ７０２の表面位置に集中する表皮効果または傾向のために、中実の導体で見られるようなパワー損失を低減させる役割をする。この効果に対抗するために一例として、伝導性カプラ７０２のサイズをあまり大きくすることなく、伝導性カプラ７０２の表面積を増大させている。伝導性カプラ７０２のＬｉｔｓ製作における個々の各撚り線は、中心から所与の長さだけ外側で後ろ方向に移動させた実質的に均一パターンで位置決めされる。伝導性カプラ７０２の単位長さあたりのねじりの数を変更することによって伝導性カプラ７０２の効率を向上させることが可能である。伝導性カプラ７０２は、ＡＣ磁場に曝されたときに生じる交流電流（ＡＣ）損失が最小となるようにＬｉｔｓワイヤ・ケーブルとして電気絶縁されかつねじられた編み組状の銅繊維を備える。伝導性カプラ７０２内の銅編み組は、ＡＣ磁場に曝されたときに生じるＡＣ損失がかなり小さくなるように絶縁された銅繊維からなるＬｉｔｓワイヤ・ケーブルを含む。

伝導性カプラ７０２は、支持体２０８の軸方向において十分な熱伝導率を提供する。伝導性の導体７０２で使用されるＬｉｔｓワイヤは、カプラ通路５０６内に据え付けるために切断した場合にも構成ワイヤが完全転置式であるために電気的にショートすることがない。伝導性カプラ７０２のワイヤが完全転置式であるために、ＡＣ磁場は一例として、正味の電流を発生させることがない。伝導性カプラ７０２の繊維のすべては、他の任意の繊維と同様に実質的に等しいすなわち同じ電磁カプリングを備える。例示的な伝導性カプラ７０２は、ＡＣ損失の低下を促進する役割をする電気絶縁された完全転置式のワイヤ組を備える。電気絶縁された完全転置式のワイヤ組は、伝導性カプラ７０２内部のＡＣ損失を制限する役割をする。

カプラ通路５０６内において、伝導性カプラ７０２は、例えばコイル通路５０４内の超伝導コイル２０４の巻き線の中間位置において超伝導コイル２０４と交差して配置されている。伝導性カプラ７０２は、コイル通路５０４内の超伝導コイル２０４と冷却回路通路５０８内の冷却回路２０６の一区画とを結合させる役割をする離散的経路内に配置されている。

一例として伝導性カプラ７０２は、支持体２０８の円筒状壁の中間位置に配置されている。別の例では伝導性カプラ７０２は、支持体２０８の表面位置に配置されている。支持体２０８の対応する複数の表面位置に複数の伝導性カプラ７０２が配置されている。１つまたは複数の伝導性カプラ７０２が支持体２０８の円筒状壁の中間位置に配置される、かつ／または１つまたは複数の伝導性カプラ７０２が支持体２０８の対応する表面位置に配置される。図１２は、伝導性カプラ７０２のそれぞれの伝導層を成す支持体２０８の内側層及び外側層を有する例示的なコールドマス２０２を表している。超伝導コイル２０４は、コイル巻き線の内径及び外径における局所磁場が超伝導コイル２０４のコイル巻き線の中間と比べてかなり大きいため、支持体２０８の内側層及び外側層の位置で伝導性カプラ７０２の伝導層によって提供される冷却は、超伝導コイル２０４の安定性にとって妥当である。

図８を見ると、コイル通路５０４内に超伝導コイル２０４が完全に巻きつけられており、また冷却回路２０６の例示的な区画が冷却回路通路５０８内に据え付けられている。超伝導コイル２０４及び冷却回路２０６のこの区画は、伝導性カプラ７０２と適度に接触した状態で配置されている。支持体２０８の体部５０２、超伝導コイル２０４、冷却回路２０６のこの区画は、例えば超伝導コイル２０４から冷却回路２０６の当該区画への熱伝導が促進されるようにエポキシ含浸によって相互接続されている。

例示的な伝導性カプラ７０２は、超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合させる役割をする離散的経路を備える。別の例では、伝導性カプラは、超伝導コイル２０４と冷却回路２０６の間に実質的に直接の経路を備える。伝導性カプラ７０２は、実質的に支持体２０８の軸方向に沿って整列させる。コイル通路５０４内において超伝導コイル２０４が支持体２０８に対して半径方向の向きで配置されており、かつ冷却回路通路５０８内において冷却回路２０６のその区画が支持体２０８に対して半径方向の向きで配置されている場合、通路５０６内における伝導性カプラ７０２の軸方向が、超伝導コイル２０４と冷却回路２０６の間の最も直接的及び／または最短の経路を成す。

伝導性カプラ７０２は、金属を含むと共に、超伝導マグネット２０３の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６とに対する支持体２０８に関連付けされている。例えば支持体２０８は伝導性カプラ７０２を備える。伝導性カプラ７０２の金属は、超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合する１つまたは複数の離散的経路に制限される。伝導性カプラ７０２の離散的経路は支持体２０８の軸方向に沿って整列させている。

コールドマス２０２は超伝導マグネット２０３を備える。コールドマス２０２は、超伝導マグネット２０３を形成する複数の超伝導コイル２０４を備える。伝導性カプラ７０２は超伝導マグネット２０３と冷却回路２０６を結合させる役割をしている。伝導性カプラ７０２は超伝導マグネット２０３の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６とを結合させる役割をしている。カプラ通路５０６内の伝導性カプラ７０２は、対応するコイル通路５０４内に配置させた超伝導コイル２０４と体部５０２の対応する冷却回路通路５０８内に配置させた冷却回路２０６の１つまたは複数の区画とを熱的に係合させている。カプラ通路５０６内の伝導性カプラ７０２の離散的経路は、対応するコイル通路５０４内に配置させた超伝導コイル２０４と体部５０２の対応する冷却回路通路５０８内に配置させた冷却回路２０６の区画とを結合させる役割をする。

支持体２０８は、超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合する役割をする複数の離散的経路内に配置させた複数の伝導性カプラ７０２を備える。支持体２０８は、第１の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合させる役割をする離散的経路内に配置させた第１の伝導性カプラ７０２と、第２の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合させる役割をする離散的経路内に配置させた第２の伝導性カプラ７０２と、を備える。支持体２０８は、第１の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６の第１の区画を結合させる役割をする離散的経路内に配置させた第１の伝導性カプラ７０２と、第２の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６の第２の区画を結合させる役割をする離散的経路内に配置させた第２の伝導性カプラ７０２と、を備える。

図９を見ると、伝導性カプラ７０２は伝導層を備える。伝導性カプラ７０２は、コールドマス２０２の支持体２０８の表面に対する伝導層を形成するようにエポキシ接着されている。伝導性カプラ７０２は、軸方向に伝導性のシリンダを形成するためにエポキシが注入されている。伝導層内で伝導性カプラ７０２は、支持体２０８の円筒形状の内径の位置に円筒状の内側スリーブを備える。

伝導層内において伝導性カプラ７０２は一例として、軸方向で高い伝導率を提供するように平坦にしたＬｉｔｓワイヤを備える。伝導性カプラ７０２のケーブルは、銅フィラメント自体に関するＡＣ損失を制限した伝導を提供するための例えばゲージ３０、３６または４０など電気絶縁された細い銅フィラメントを備える。伝導性カプラ７０２の伝導層では、軸方向に伝導性のシリンダが形成されるようにＬｉｔｓワイヤ・ケーブルはエポキシが注入されている。

図１０を見ると、冷却回路２０６の一区画が伝導性カプラ７０２の伝導層と繋がっている。例えば、伝導性カプラ７０２のＬｉｔｓワイヤ伝導性シリンダに対して、冷却回路２０６のステンレス鋼製冷却チューブをクランプしかつエポキシ接着させている。

図１１を見ると、支持体２０８の体部５０２が伝導性カプラ７０２の伝導層上に据え付けられていると共に、冷却回路２０６の別の区画が冷却回路通路５０８内に据え付けられている。例えば、支持体２０８の内径位置において伝導性カプラ７０２のＬｉｔｓワイヤシリンダに対して、体部５０２のガラス繊維複合材シリンダをクランプしかつエポキシ接着させている。支持体２０８は、熱的な相互接続を伴うコイル巻型及びコイル支持構造を備える。冷却回路２０６の冷却チューブの組は、体部５０２の外径位置において表面に対してクランプさせている。

体部５０２は、コイル通路５０４及び冷却回路通路５０８に対する溝と、円筒状の支持体２０８の内径位置において冷却回路２０６の区画の端部が円筒状の支持体２０８の外径まで突き通ることができるための半径方向孔と、を備えた精度事前形成のガラス繊維リングを備える。体部５０２のガラス繊維リングは、支持体２０８の内径位置で内側表面を成す伝導性カプラ７０２の伝導層の周りに巻きつけられており、支持体２０８の内径位置において伝導性カプラ７０２の伝導層上の冷却チューブ上にある冷却回路２０６の区画が既に占有している空間と干渉することはない。体部５０２内のコイル通路５０４によって、冷却回路２０６の区画及び支持体２０８の内径位置にある伝導性カプラ７０２から下まで超伝導コイル２０４を巻きつけて熱接着を得ることが可能である。超伝導コイル２０４はコイル通路５０４内で、冷却回路２０６の別の区画と結合された伝導性カプラ７０２の別の層を成す支持体２０８の外径のところまで巻きつけて熱接着を得ている。

図１２を見ると、コイル通路５０４内に超伝導コイル２０４が据え付けられると共に、支持体２０８の体部５０２上に伝導性カプラ７０２の別の例示的な伝導性カプラ層が据え付けられている。超伝導コイル２０４は体部５０２上に巻かれると共に、コールドマス２０２の内側表面を成す伝導性カプラ７０２のＬｉｔｓワイヤ・ケーブルシリンダにエポキシ接着されている。コールドマス２０２の外側表面では、超伝導コイル２０４の外径と、体部５０２の外径位置における冷却回路区画の外径との間の熱経路を形成するように、Ｌｉｔｓワイヤ・ケーブルが超伝導コイル２０４の外径及び体部５０２を横断して軸方向に配置されている。

伝導性カプラ７０２は、超伝導マグネット２０３と冷却回路２０６を結合する１つまたは複数の離散層内の１つまたは複数の離散的経路に制限された金属を含む。伝導性カプラ７０２は、超伝導マグネット２０３の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合する１つまたは複数の離散層内の１つまたは複数の離散的経路に制限された金属を含む。離散的経路と伝導性カプラ７０２の離散層は、支持体２０８の軸方向に沿って整列させている。伝導性カプラ７０２の複数の離散的経路は支持体２０８の同じ層内に配置されていると共に、超伝導マグネット２０３と冷却回路２０６を結合する役割をしている。伝導性カプラ７０２の複数の離散的経路は支持体２０８の同じ層内に配置されていると共に、超伝導マグネット２０３の超伝導コイル２０４と冷却回路２０６を結合する役割をしている。

コールドマス２０２の１つまたは複数の実現形態は一例として、冷却回路２０６の任意の実現形態を備える。図２に示したコールドマス２０２の実現形態は図２、３及び／または４に示した冷却回路２０６の１つまたは複数の実現形態を利用する。図３に示したコールドマス２０２の実現形態は図２、３及び／または４に示した冷却回路２０６の１つまたは複数の実現形態を利用する。図１２に示したコールドマス２０２の実現形態は図２、３及び／または４に示した冷却回路２０６の１つまたは複数の実現形態を利用する。

コールドマス２０２の１つまたは複数の実現形態は一例として、任意の向き（例えば、水平向き、斜方向向きまたは垂直向き）を成している。超伝導マグネット・システム１０及び／または超伝導マグネット・システム１０の１つまたは複数の構成要素（例えば、マグネット・アセンブリ５２及び／またはコールドマス２０２の１つまたは幾つか）の１つまたは複数の実現形態は一例として、任意の向き（例えば、水平向き、斜方向向きまたは垂直向き）を成しており、本明細書の説明及び図面は１つまたは複数の実現形態の１つまたは複数の例示的な向きを説明を目的として図示したものである。

超伝導マグネット・システム１０の一実現形態は一例として、１つまたは複数の電子的構成要素、ハードウェア構成要素、及び／またはコンピュータ・ソフトウェア構成要素などの複数の構成要素を備える。超伝導マグネット・システム１０の一実現形態において、こうした多数の構成要素を組み合わせること、あるいは分割することが可能である。

本発明を好ましい実施形態に関して記載してきたが、明示的に記述した以外に等価、代替及び修正が可能であり、これらも添付の特許請求の範囲の域内にあることを理解されたい。

一例としてＭＲシステムを含む超伝導マグネット・システムのブロック概要図である。 コールドマスを例示的に水平向きとした例示的な冷却装置を表している超伝導マグネット・システム向けの例示的なコールドマスの側面斜視図である。 図２と同様であるが、コールドマスを例示的に垂直向きとした例示的な冷却装置を表した図である。 図２と同様であるが、コールドマスを例示的に水平向きとした別の例示的な冷却装置を表した図である。 図２のコールドマスの支持体の例示的な体部に関する部分的な上側破断拡大斜視図である。 図５と同様であるが、さらに支持体の体部上での例示的な超伝導マグネット・コイルの巻き線の一部も表した図である。 図６と同様であるが、さらに支持体の例示的な伝導性カプラに関する据え付けも表した図である。 図７と同様であるが、さらに支持体上における超伝導マグネット・コイルの巻き線の全体及び例示的な冷却回路区画の据え付けも表した図である。 超伝導マグネット・システム向けの例示的なコールドマスの支持体の表面の例示的な伝導性カプラ層に関する部分斜視概念図である。 図９と同様であるが、さらに伝導性カプラ層における例示的な冷却回路区画の据え付けも表した図である。 図１０と同様であるが、さらにコールドマスの支持体の体部及び別の例示的な冷却回路区画の据え付けも表した図である。 図１１と同様であるが、さらに例示的な超伝導マグネット及び支持体の体部上での別の例示的な伝導性カプラ層の据え付けも表した図である。

符号の説明

１０ 超伝導マグネット・システム
１２ オペレータ・コンソール
１３ キーボードその他の入力デバイス
１４ 制御パネル
１６ 表示スクリーン
１８ リンク
２０ 単独のコンピュータ・システム
２０ａ バックプレーン
２２ 画像プロセッサ・モジュール
２４ ＣＰＵモジュール
２６ メモリモジュール
２８ ディスク記憶装置
３０ テープ駆動装置
３２ 単独のシステム制御
３２ａ バックプレーン
３４ 高速シリアルリンク
３６ ＣＰＵモジュール
３８ パルス発生器モジュール
４０ シリアルリンク
４２ 傾斜増幅器組
４４ 生理学的収集制御器
４６ スキャン室インタフェース回路
４８ 患者位置決めシステム
５０ 傾斜コイル・アセンブリの全体
５２ マグネット・アセンブリ
５４ 偏向マグネット
５６ 全身用ＲＦコイル
５８ 送受信器モジュール
６０ ＲＦ増幅器
６２ 送信／受信スイッチ
６４ 前置増幅器
６６ メモリモジュール
６８ アレイ・プロセッサ
２０２ コールドマス
２０３ 超伝導マグネット
２０４ 超伝導コイル
２０６ 冷却回路
２０８ 支持体
５０２ 体部
５０４ コイル通路
５０６ カプラ通路
５０８ 冷却回路通路
７０２ 伝導性カプラ
７０４ スペーサ

Claims (10)

1. 超伝導マグネット・システム（１０）向けのコールドマス（２０２）であって、
   超伝導マグネット（２０３）と、
   冷媒冷却回路（２０６）と、
   前記超伝導マグネット（２０３）と前記冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をする離散的経路内に実質的に伝導性のカプラ（７０２）を備えたマグネット／冷却回路支持体（２０８）と、
   を備えるコールドマス（２０２）。
2. 前記超伝導マグネット（２０３）は第１の超伝導コイル（２０４）と１つまたは複数の第２の超伝導コイル（２０４）とを備えること、
   前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は前記第１の超伝導コイル（２０４）、前記１つまたは複数の第２の超伝導コイル（２０４）のうちの１つまたは幾つか、及び前記冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をすること、
   を特徴とする請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
3. 前記超伝導マグネット（２０３）は第１の超伝導コイル（２０４）と１つまたは複数の第２の超伝導コイル（２０４）とを備えること、
   前記離散的経路は前記第１の超伝導コイル（２０４）、前記１つまたは複数の第２の超伝導コイル（２０４）のうちの１つまたは幾つか、及び前記冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をしており、前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は該第１の超伝導コイル（２０４）、該１つまたは複数の第２の超伝導コイル（２０４）のうちの１つまたは幾つか、及び該冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をする離散的経路内に配置されること、
   を特徴とする請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
4. 前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）の軸方向に実質的に沿うように整列している、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
5. 前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）の円筒状壁の中間位置に配置されている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
6. 前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）の表面に配置されている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
7. 前記離散的経路は前記超伝導マグネット（２０３）と前記冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をする第１の離散的経路を備えており、前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は該第１の離散的経路内に第１の実質的に伝導性のカプラ（７０２）を備えており、該第１の離散的経路は該超伝導マグネット（２０３）と該冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をしていること、
   前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）は前記超伝導マグネット（２０３）と前記冷媒冷却回路（２０６）を結合させる役割をする第２の離散的経路内に第２の実質的に伝導性のカプラ（７０２）を備えること、
   を特徴とする請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
8. 前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は、該実質的に伝導性のカプラ（７０２）内部の交流電流（ＡＣ）損失を制限する役割をする電気絶縁された完全転置式のワイヤ組を備えている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
9. 前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）は多層式支持体（２０８）を備えており、前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は該多層式支持体（２０８）の実質的に伝導性のカプラ層内に配置されている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
10. 超伝導マグネット・システム（１０）向けのコールドマス（２０２）のマグネット／冷却回路支持体（２０８）に関連する金属を超伝導マグネット（２０３）と冷媒冷却回路（２０６）を結合する１つまたは複数の離散的経路に制限する工程を含む処理法。

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