JP2007149605A - Organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display device - Google Patents
Organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007149605A JP2007149605A JP2005345887A JP2005345887A JP2007149605A JP 2007149605 A JP2007149605 A JP 2007149605A JP 2005345887 A JP2005345887 A JP 2005345887A JP 2005345887 A JP2005345887 A JP 2005345887A JP 2007149605 A JP2007149605 A JP 2007149605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lumo
- layer
- electron
- organic electroluminescent
- electron extraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 101
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 147
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 270
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- -1 Li 2 O Chemical class 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTCSROCYPKJPDZ-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-2-[4-[12-[4-(6-methyl-1,3-benzothiazol-2-yl)phenyl]-6,11-diphenyltetracen-5-yl]phenyl]-1,3-benzothiazole Chemical group S1C2=CC(C)=CC=C2N=C1C(C=C1)=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C22)=C3C=CC=CC3=C(C=3C=CC(=CC=3)C=3SC4=CC(C)=CC=C4N=3)C1=C2C1=CC=CC=C1 WTCSROCYPKJPDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMBDUNZEZNKXDM-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-tetracen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]tetracen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=CC=2)C=C1 AMBDUNZEZNKXDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescent element and an organic electroluminescent display device.
有機エレクトロルミネッセント素子(有機EL素子)は、ディスプレイや照明への応用の観点から活発に開発が行われている。有機EL素子の駆動原理は、以下のようなものである。すなわち、陽極及び陰極からそれぞれホールと電子が注入され、これらが有機薄膜中を輸送され、発光層において再結合し励起状態が生じ、この励起状態から発光が得られる。発光効率を高めるためには、効率良くホール及び電子を注入させ、有機薄膜中を輸送させることが必要である。 Organic electroluminescent elements (organic EL elements) are being actively developed from the viewpoint of application to displays and lighting. The driving principle of the organic EL element is as follows. That is, holes and electrons are injected from the anode and the cathode, respectively, and these are transported through the organic thin film, recombined in the light emitting layer to generate an excited state, and light emission can be obtained from this excited state. In order to increase the luminous efficiency, it is necessary to inject holes and electrons efficiently and transport the organic thin film.
有機EL素子においては、電極と発光層の間にホールまたは電子を移送させるための電荷輸送層や電荷注入層等が一般に設けられている。 In an organic EL element, a charge transport layer, a charge injection layer, or the like for transferring holes or electrons is generally provided between an electrode and a light emitting layer.
特許文献1では、陽極側から陰極側にかけてホール注入層、ホール輸送層、電子捕獲層、発光層、及び電子輸送層が積層された構造において、電子捕獲層の母材の伝導帯最低準位が、ホール輸送層の母材の伝導帯最低準位及び発光層の母材の伝導帯最低準位よりも低くすることが提案されている。これにより、陽極側のホール輸送層の母材の劣化を防止している。
In
特許文献2においては、隣り合う2層のホール輸送層の界面に、隣り合うホール輸送層の構成材料が混合されてなる混合層を介在させることが提案されており、これにより隣り合う2層の電荷輸送層間の密着性を向上させ、発光効率や輝度寿命を向上できる旨説明されている。
In
特許文献3においては、陰極と発光層の間において、陰極バッファ層と電子輸送層とを交互に少なくとも2回以上積層することにより、電子輸送効率を制御することが提案されている。 In Patent Document 3, it is proposed to control the electron transport efficiency by alternately laminating the cathode buffer layer and the electron transport layer at least twice between the cathode and the light emitting layer.
従来より、ホール輸送層としては、NPB(N,N′−ジ(ナフタセン−1−イル)−N,N′−ジフェニルベンジジン)などの3級アリールアミン系材料が用いられているが、キャビティを調整するため、このNPB等からなるホール輸送層の膜厚を厚くすると、NPB等のホール輸送性材料のキャリア移動度が低いため、駆動電圧が高くなるという問題があった。従って、従来より、NPB等の膜厚を厚くしても、駆動電圧を低減することができる有機EL素子の素子構造が求められている。
本発明の目的は、キャビティを調整することができ、かつ高い発光効率を有し、駆動電圧を低減させ、信頼性を高めることができる有機EL素子及び有機EL表示装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an organic EL element and an organic EL display device that can adjust a cavity, have high luminous efficiency, reduce driving voltage, and increase reliability.
本発明の有機EL素子は、陰極と、陽極と、陰極及び陽極の間に配置される中間ユニットと、陰極及び中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、陽極及び中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットと、中間ユニット及び第2の発光ユニットの間に配置され、中間ユニットに隣接して設けられるキャビティ調整ユニットとを備え、
中間ユニットは、キャビティ調整ユニットから電子を引き抜くための第1の電子引き抜き層と、第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とを有し、
キャビティ調整ユニットは、第1の電子引き抜き層の陰極側に隣接して設けられ、第1の電子引き抜き層に電子を引き抜かれる第1のキャビティ調整層と、陰極側に隣接する電子供給層から電子を引き抜くための第2の電子引き抜き層とを有し、
第1の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(B)│と、第1のキャビティ調整層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(A)│が、│HOMO(A)│−│LUMO(B)│≦1.5eVの関係にあり、電子注入層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(C)│または仕事関数の絶対値│WF(C)│は、│LUMO(B)│より小さく、
第2の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(D)│と、電子供給層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(E)│が、│HOMO(E)│−│LUMO(D)│≦1.5eVの関係にあり、第1のキャビティ調整層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、│LUMO(D)│が、│LUMO(A)│<│LUMO(D)│の関係にあることを特徴としている。
The organic EL device of the present invention includes a cathode, an anode, an intermediate unit disposed between the cathode and the anode, a first light emitting unit disposed between the cathode and the intermediate unit, and the anode and the intermediate unit. A second light emitting unit disposed on the intermediate unit, and a cavity adjusting unit disposed between the intermediate unit and the second light emitting unit and provided adjacent to the intermediate unit,
The intermediate unit has a first electron extraction layer for extracting electrons from the cavity adjustment unit, and an electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer,
The cavity adjustment unit is provided adjacent to the cathode side of the first electron extraction layer, the first cavity adjustment layer from which electrons are extracted to the first electron extraction layer, and the electron from the electron supply layer adjacent to the cathode side. A second electron extraction layer for extracting
Absolute value of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the first electron extraction layer | LUMO (B) | and absolute value of the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the first cavity adjustment layer HOMO (A) | is in a relationship of | HOMO (A) | --LUMO (B) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the electron injection layer | LUMO (C ) | Or the absolute value of work function | WF (C) | is smaller than | LUMO (B) |
Absolute value | LUMO (D) | of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the second electron extraction layer and absolute value of the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the electron supply layer | HOMO (E ) | Is in a relationship of | HOMO (E) | --LUMO (D) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first cavity adjustment layer | LUMO (A ) | And | LUMO (D) | are in a relationship of | LUMO (A) | <| LUMO (D) |.
本発明においては、第1の発光ユニットと第2の発光ユニットの間に中間ユニットが設けられており、中間ユニットと第1の発光ユニットの間に、中間ユニットと隣接するようにキャビティ調整ユニットが設けられている。従って、このキャビティ調整ユニットの膜厚を調整することにより、キャビティを調整することができる。第2の発光ユニットで発光された光は、中間ユニット、キャビティ調整ユニット、及び第1の発光ユニットを通り、一般に金属薄膜から形成される陰極で反射され、再び第1の発光ユニット、キャビティ調整ユニット、中間ユニット、第1の発光ユニット、及び陽極を通り、外部に出射される。従って、キャビティ調整ユニットの膜厚を調整することにより、第2の発光ユニットで発光された光のキャビティを有効に調整することができる。 In the present invention, an intermediate unit is provided between the first light emitting unit and the second light emitting unit, and the cavity adjustment unit is disposed between the intermediate unit and the first light emitting unit so as to be adjacent to the intermediate unit. Is provided. Therefore, the cavity can be adjusted by adjusting the film thickness of the cavity adjusting unit. The light emitted from the second light-emitting unit passes through the intermediate unit, the cavity adjusting unit, and the first light-emitting unit, and is generally reflected by the cathode formed from a metal thin film, and again the first light-emitting unit and cavity adjusting unit. , Through the intermediate unit, the first light emitting unit, and the anode, and emitted to the outside. Therefore, the cavity of the light emitted by the second light emitting unit can be effectively adjusted by adjusting the film thickness of the cavity adjusting unit.
中間ユニットには、キャビティ調整ユニットから電子を引き抜くための第1の電子引き抜き層と、第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層が設けられている。 The intermediate unit is provided with a first electron extraction layer for extracting electrons from the cavity adjustment unit, and an electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer.
キャビティ調整ユニットには、第1の電子引き抜き層の陰極側に隣接して設けられ、第1の電子引き抜き層に電子を引き抜かれる第1のキャビティ調整層と、陰極側に位置する電子供給層から電子を引き抜くための第2の電子引き抜き層とが設けられている。 The cavity adjustment unit is provided adjacent to the cathode side of the first electron extraction layer, and includes a first cavity adjustment layer from which electrons are extracted by the first electron extraction layer, and an electron supply layer located on the cathode side. A second electron extraction layer for extracting electrons is provided.
中間ユニットにおいて、第1の電子引き抜き層の│LUMO(B)│と、第1のキャビティ調整層の│HOMO(A)│とは、
│HOMO(A)│−│LUMO(B)│≦1.5eV ………(1)
の関係にある。
In the intermediate unit, | LUMO (B) | of the first electron extraction layer and | HOMO (A) | of the first cavity adjustment layer are:
│HOMO (A) │-│LUMO (B) │ ≦ 1.5eV ………… (1)
Are in a relationship.
従って、第1の電子引き抜き層は、隣接する第1のキャビティ調整層から容易に電子を引き抜くことができる。 Therefore, the first electron extraction layer can easily extract electrons from the adjacent first cavity adjustment layer.
また、第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層の│LUMO(C)│または│WF(C)│と、第1の電子引き抜き層の│LUMO(B)│は、
│LUMO(C)│または│WF(C)│<│LUMO(B)│ ………(2)
の関係にある。従って、第1の電子引き抜き層によって引き抜かれた電子は、電子注入層に供給され、電子注入層から第2の発光ユニットに供給される。
Also, | LUMO (C) | or | WF (C) | of the electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer and | LUMO (B) | of the first electron extraction layer are
│LUMO (C) │ or │WF (C) │ <│LUMO (B) │ ……… (2)
Are in a relationship. Therefore, the electrons extracted by the first electron extraction layer are supplied to the electron injection layer, and are supplied from the electron injection layer to the second light emitting unit.
キャビティ調整ユニットにおける第2の電子引き抜き層の│LUMO(D)│と、この第2の電子引き抜き層の陰極側に隣接する電子供給層│HOMO(E)│は、
│HOMO(E)│−│LUMO(D)│≦1.5eV ………(3)
の関係にある。従って、第2の電子引き抜き層は、電子供給層から容易に電子を引き抜くことができる。
The | LUMO (D) | of the second electron extraction layer in the cavity adjustment unit and the electron supply layer | HOMO (E) | adjacent to the cathode side of the second electron extraction layer are:
│HOMO (E) │-│LUMO (D) │ ≦ 1.5eV ………… (3)
Are in a relationship. Therefore, the second electron extraction layer can easily extract electrons from the electron supply layer.
また、第1のキャビティ調整層の│LUMO(A)│と、第2の電子引き抜き層の│LUMO(D)│とは、
│LUMO(A)│<│LUMO(D)│ ………(4)
の関係にある。従って、第2の電子引き抜き層によって引き抜かれた電子は、第1のキャビティ調整層によってブロックされ、第2の電子引き抜き層中に電子が蓄積する。このため、局所的に高い電界がかかり、この高い電界によりエネルギーバンドが変化し、第1のキャビティ調整層の膜厚を厚くしても、駆動電圧が高くなるのを抑制することができると考えられる。
Also, │LUMO (A) │ of the first cavity adjustment layer and │LUMO (D) │ of the second electron extraction layer are
│LUMO (A) │ <│LUMO (D) │ ……… (4)
Are in a relationship. Therefore, the electrons extracted by the second electron extraction layer are blocked by the first cavity adjustment layer, and electrons accumulate in the second electron extraction layer. For this reason, a high electric field is locally applied, the energy band is changed by this high electric field, and it is considered that the drive voltage can be suppressed from increasing even if the thickness of the first cavity adjustment layer is increased. It is done.
本発明の中間ユニットにおいては、第1の電子引き抜き層がキャビティ調整ユニットの第1のキャビティ調整層から電子を引き抜き、この引き抜いた電子を電子注入層を介して陽極側の第2の発光ユニットに供給する。第2の発光ユニットでは、陽極から供給されたホールとこの電子とが結合し、発光する。一方、電子を引き抜かれた第1のキャビティ調整層ではホールが発生する。 In the intermediate unit of the present invention, the first electron extraction layer extracts electrons from the first cavity adjustment layer of the cavity adjustment unit, and the extracted electrons are passed through the electron injection layer to the second light emitting unit on the anode side. Supply. In the second light emitting unit, the holes supplied from the anode and the electrons are combined to emit light. On the other hand, holes are generated in the first cavity adjustment layer from which electrons have been extracted.
キャビティ調整ユニットにおいては、第2の電子引き抜き層が、隣接する電子供給層から電子を引き抜き、引き抜かれた電子は、上述のように第2の電子引き抜き層に蓄積され、これによって局所的に高い電界が発生する。第2の電子引き抜き層に蓄積された電子は、第1のキャビティ調整層に発生したホールと結合する。電子を引き抜かれた電子供給層においては、ホールが発生し、このホールが陰極側の第1の発光ユニットに供給され、陰極から供給された電子と結合し、第1の発光ユニットが発光する。 In the cavity adjustment unit, the second electron extraction layer extracts electrons from the adjacent electron supply layer, and the extracted electrons are accumulated in the second electron extraction layer as described above, and thereby locally high. An electric field is generated. The electrons accumulated in the second electron extraction layer are combined with holes generated in the first cavity adjustment layer. In the electron supply layer from which electrons have been extracted, holes are generated, and the holes are supplied to the first light emitting unit on the cathode side, and are combined with the electrons supplied from the cathode, so that the first light emitting unit emits light.
以上のように、本発明においては、中間ユニット及びキャビティ調整ユニットから陽極側の第2の発光ユニットに電子が供給され、陰極側の第1の発光ユニットにホールが供給されるので、それぞれの発光ユニットにおいて効率良く発光させることができる。また、上述のように第2の電子引き抜き層に電子が蓄積することにより、局所的に高い電界がかかる。このため、キャビティ調整ユニットにおける第1のキャビティ調整層の膜厚を厚くしても、駆動電圧の上昇を抑制することができるので、高い発光効率が得られる。 As described above, in the present invention, electrons are supplied from the intermediate unit and the cavity adjustment unit to the second light-emitting unit on the anode side, and holes are supplied to the first light-emitting unit on the cathode side. The unit can emit light efficiently. Further, as described above, electrons accumulate in the second electron extraction layer, and thus a high electric field is locally applied. For this reason, even if the film thickness of the 1st cavity adjustment layer in a cavity adjustment unit is made thick, since the raise of a drive voltage can be suppressed, high luminous efficiency is obtained.
さらに、本発明においては、上述のように、キャビティ調整ユニットの第1のキャビティ調整層によって電子がブロックされる。従って、陽極側に過剰に電子が供給されるのを防止することができるので、素子寿命を長くすることができ、素子の信頼性を高めることができる。 Furthermore, in the present invention, as described above, electrons are blocked by the first cavity adjustment layer of the cavity adjustment unit. Therefore, excessive supply of electrons to the anode side can be prevented, so that the device life can be extended and the device reliability can be improved.
本発明において、電子供給層は、ホール輸送性材料から形成されることが好ましい。第1の発光ユニット内に設けられる発光層が、ホール輸送性材料をホスト材料とするものであれば、この発光層を電子供給層とすることができる。従って、本発明において、電子供給層は、第1の発光ユニット内に設けられていてもよい。 In the present invention, the electron supply layer is preferably formed from a hole transporting material. If the light-emitting layer provided in the first light-emitting unit uses a hole transporting material as a host material, this light-emitting layer can be used as an electron supply layer. Therefore, in the present invention, the electron supply layer may be provided in the first light emitting unit.
また、本発明において、電子供給層は、キャビティ調整ユニット内に設けられる第2のキャビティ調整層であってもよい。この場合、第1のキャビティ調整層に加えて、第2のキャビティ調整層の膜厚も厚くすることができ、キャビティ調整に用いることができる。 In the present invention, the electron supply layer may be a second cavity adjustment layer provided in the cavity adjustment unit. In this case, in addition to the first cavity adjustment layer, the film thickness of the second cavity adjustment layer can also be increased and can be used for cavity adjustment.
本発明において、第1及び第2のキャビティ調整層は、ホール輸送性材料から形成されていることが好ましい。このようなホール輸送性材料としては、3級アリールアミン系材料が挙げられる。 In the present invention, the first and second cavity adjusting layers are preferably formed from a hole transporting material. Examples of such hole transporting materials include tertiary arylamine materials.
また、本発明において、キャビティ調整ユニットは、第1のキャビティ調整層と第2の電子引き抜き層とを組み合わせ、これらの層を複数の繰り返し単位で有していてもよい。すなわち、キャビティ調整ユニット内に、第1のキャビティ調整層/第2の電子引き抜き層/第1のキャビティ調整層/第2の電子引き抜き層の積層構造や、第1のキャビティ調整層/第2の電子引き抜き層/第1のキャビティ調整層/第2の電子引き抜き層/第1のキャビティ調整層/第2の電子引き抜き層の積層構造を有していてもよい。キャビティ調整層の好ましい膜厚は、一般に10〜700nmの範囲内である。キャビティ調整層の膜厚が厚くなりすぎると、駆動電圧が高くなりすぎ、発光効率が低下するという問題を生じる。このため、キャビティ調整層の膜厚をこの範囲より厚くしたい場合には、第2の電子引き抜き層を適宜挿入し、第1のキャビティ調整層と第2の電子引き抜き層の繰り返し単位を複数設けることが好ましい。 Moreover, in this invention, the cavity adjustment unit may combine the 1st cavity adjustment layer and the 2nd electron extraction layer, and may have these layers in a some repeating unit. That is, in the cavity adjustment unit, a laminated structure of the first cavity adjustment layer / second electron extraction layer / first cavity adjustment layer / second electron extraction layer, or first cavity adjustment layer / second It may have a laminated structure of an electron extraction layer / first cavity adjustment layer / second electron extraction layer / first cavity adjustment layer / second electron extraction layer. The preferred film thickness of the cavity adjusting layer is generally in the range of 10 to 700 nm. If the thickness of the cavity adjustment layer is too large, the drive voltage becomes too high, causing a problem that the light emission efficiency is lowered. For this reason, when the thickness of the cavity adjustment layer is desired to be larger than this range, the second electron extraction layer is appropriately inserted, and a plurality of repeating units of the first cavity adjustment layer and the second electron extraction layer are provided. Is preferred.
また、本発明においては、中間ユニット内の電子注入層と、第2の発光ユニットとの間に電子輸送層が設けられていてもよい。このような電子輸送層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(F)│は、│LUMO(C)│または│WF(C)│より小さくなるように設定される。 In the present invention, an electron transport layer may be provided between the electron injection layer in the intermediate unit and the second light emitting unit. The absolute value | LUMO (F) | of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of such an electron transport layer is set to be smaller than | LUMO (C) | or | WF (C) |.
また、本発明においては、第1のキャビティ調整層の│HOMO(A)│と、第2の電子引き抜き層の│HOMO(D)│は、
│HOMO(A)│<│HOMO(D)│ ………(5)
の関係にあることが好ましい。
In the present invention, │HOMO (A) │ of the first cavity adjustment layer and │HOMO (D) │ of the second electron extraction layer are
│HOMO (A) │ <│HOMO (D) │ ……… (5)
It is preferable that the relationship is
上記(5)の式を見出すことにより、第1のキャビティ調整層と第2の電子引き抜き層の界面にホールが蓄積され、これによってさらに局所的に高い電界をかけることができ、駆動電圧をより低下させることができると考えられる。 By finding the equation of (5) above, holes are accumulated at the interface between the first cavity adjustment layer and the second electron extraction layer, whereby a higher electric field can be applied locally, and the drive voltage can be further increased. It is thought that it can be reduced.
本発明において、第1及び/または第2の電子引き抜き層を形成する材料として、以下に示す構造式で表されるピラジン誘導体が挙げられる。 In the present invention, examples of the material for forming the first and / or second electron extraction layer include pyrazine derivatives represented by the following structural formulas.
(ここで、Arはアリール基を示し、Rは水素、炭素数1〜10のアルキル基、アルキルオキシ基、ジアルキルアミン基、またはF、Cl、Br、IもしくはCNを示す。)
また、本発明の第1及び/または第2の電子引き抜き層を形成する材料は、以下に示す構造式で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体であることがさらに好ましい。
(Here, Ar represents an aryl group, and R represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkyloxy group, a dialkylamine group, or F, Cl, Br, I, or CN.)
Further, the material forming the first and / or second electron extraction layer of the present invention is more preferably a hexaazatriphenylene derivative represented by the structural formula shown below.
(ここで、Rは水素、炭素数1〜10のアルキル基、アルキルオキシ基、ジアルキルアミン基、またはF、Cl、Br、IもしくはCNを示す。)
また、本発明においては、第1及び/または第2の電子引き抜き層に、電子引き抜きを促進するための電子引き抜き促進材料がドープされていてもよい。このような電子引き抜き促進材料の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(G)│は、
│HOMO(A)│または│HOMO(E)│>│LUMO(G)│>│LUMO(B)または│LUMO(D)│ ………(6)
の関係にあることが好ましい。
(Here, R represents hydrogen, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkyloxy group, a dialkylamine group, or F, Cl, Br, I, or CN.)
In the present invention, the first and / or second electron extraction layer may be doped with an electron extraction promoting material for promoting electron extraction. The absolute value of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level | LUMO (G) |
│HOMO (A) │ or │HOMO (E) │> │LUMO (G) │> │LUMO (B) or │LUMO (D) │ ……… (6)
It is preferable that the relationship is
│HOMO(A)│と│LUMO(G)│との差及び│HOMO(E)│と│LUMO(G)│との差は、1.5eV以下であることが好ましい。このような差にすることにより、│HOMO(A)│と│LUMO(B)│との差及び│HOMO(E)│と│LUMO(D)│との差が1.5eVより大きくなっても、例えば2.0eVになっても、電子引き抜き層による電子の引き抜きを容易に行なうことが可能となる。 The difference between | HOMO (A) | and | LUMO (G) | and the difference between | HOMO (E) | and | LUMO (G) | are preferably 1.5 eV or less. By making such a difference, the difference between │HOMO (A) │ and │LUMO (B) │ and the difference between │HOMO (E) │ and │LUMO (D) │ become larger than 1.5 eV. However, even when the voltage becomes 2.0 eV, for example, electrons can be easily extracted by the electron extraction layer.
本発明における第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットは、それぞれ単独の発光層であってもよいし、複数の発光層を積層した積層構造のものであってもよい。例えば、オレンジ色発光層と青色発光層を積層した白色発光の発光ユニットであってもよい。 Each of the first light emitting unit and the second light emitting unit in the present invention may be a single light emitting layer, or may have a laminated structure in which a plurality of light emitting layers are laminated. For example, a white light emitting unit in which an orange light emitting layer and a blue light emitting layer are stacked may be used.
本発明の有機エレクトロルミネッセント表示装置は、陽極と陰極に挟まれた素子構造を有する有機エレクトロルミネッセント素子と、表示画素毎に対応した表示信号を有機エレクトロルミネッセント素子に供給するための能動素子が設けられたアクティブマトリックス駆動基板とを備え、有機エレクトロルミネッセント素子をアクティブマトリックス駆動基板の上に配置し、陰極及び陽極のうち基板側に設けられる電極を透明電極としたボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセント表示装置であって、有機エレクトロルミネッセント素子が、陰極と、陽極と、陰極及び陽極の間に配置される中間ユニットと、陰極及び中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、陽極及び中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットと、中間ユニット及び第2の発光ユニットの間に配置され、中間ユニットに隣接して設けられるキャビティ調整ユニットとを備え、中間ユニットは、キャビティ調整ユニットから電子を引き抜くための第1の電子引き抜き層と、第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とを有し、キャビティ調整ユニットは、第1の電子引き抜き層の陰極側に隣接して設けられ、第1の電子引き抜き層に電子を引き抜かれる第1のキャビティ調整層と、陰極側に隣接する電子供給層から電子を引き抜くための第2の電子引き抜き層とを有し、第1の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(B)│と、第1のキャビティ調整層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(A)│が、│HOMO(A)│−│LUMO(B)│≦1.5eVの関係にあり、電子注入層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(C)│または仕事関数の絶対値│WF(C)│は、│LUMO(B)│より小さく、第2の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(D)│と、電子供給層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(E)│が、│HOMO(E)│−│LUMO(D)│≦1.5eVの関係にあり、第1のキャビティ調整層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、│LUMO(D)│が、│LUMO(A)│<│LUMO(D)│の関係にあることを特徴としている。 The organic electroluminescent display device of the present invention supplies an organic electroluminescent element having an element structure sandwiched between an anode and a cathode and a display signal corresponding to each display pixel to the organic electroluminescent element. And an active matrix driving substrate provided with an active element of the above, an organic electroluminescent element is arranged on the active matrix driving substrate, and the electrode provided on the substrate side of the cathode and the anode is a transparent electrode. Type organic electroluminescent display device, wherein an organic electroluminescent device is disposed between a cathode, an anode, an intermediate unit disposed between the cathode and the anode, and between the cathode and the intermediate unit The first light emitting unit and the second light emitting unit disposed between the anode and the intermediate unit. And a cavity adjustment unit disposed between the intermediate unit and the second light emitting unit and provided adjacent to the intermediate unit, the intermediate unit having a first electron extraction layer for extracting electrons from the cavity adjustment unit And an electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer, and the cavity adjustment unit is provided adjacent to the cathode side of the first electron extraction layer. A first cavity adjustment layer from which electrons are extracted, and a second electron extraction layer for extracting electrons from an electron supply layer adjacent to the cathode side, and the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first electron extraction layer ) Absolute value of energy level | LUMO (B) | and absolute value of energy level of highest occupied molecular orbital (HOMO) of first cavity adjustment layer | HOM (A) | is in a relationship of | HOMO (A) | --LUMO (B) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the electron injection layer | LUMO (C) | Or absolute value of work function | WF (C) | is smaller than | LUMO (B) | and is the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the second electron extraction layer | LUMO (D) | And the absolute value | HOMO (E) | of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the electron supply layer is in a relationship of | HOMO (E) | --LUMO (D) | ≦ 1.5 eV, The absolute value of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the first cavity adjustment layer | LUMO (A) | and | LUMO (D) | are | LUMO (A) | It is characterized by being in a relationship .
上記本発明の有機エレクトロルミネッセント表示装置において、有機EL素子が白色発光素子である場合、有機EL素子と基板との間にカラーフィルターを配置してカラー表示装置とすることができる。 In the organic electroluminescent display device of the present invention, when the organic EL element is a white light emitting element, a color filter can be arranged between the organic EL element and the substrate to obtain a color display device.
本発明の他の局面に従う有機エレクトロルミネッセント表示装置は、陽極と陰極に挟まれた素子構造を有する有機エレクトロルミネッセント素子と、表示画素毎に対応した表示信号を有機エレクトロルミネッセント素子に供給するための能動素子が設けられたアクティブマトリックス駆動基板と、該アクティブマトリックス駆動基板と対向して設けられる透明な封止基板とを備え、有機エレクトロルミネッセント素子をアクティブマトリックス駆動基板と封止基板の間に配置し、陰極及び陽極のうち封止基板側に設けられる電極を透明電極としたトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセント表示装置であって、有機エレクトロルミネッセント素子が、陰極と、陽極と、陰極及び陽極の間に配置される中間ユニットと、陰極及び中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、陽極及び中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットと、中間ユニット及び第2の発光ユニットの間に配置され、中間ユニットに隣接して設けられるキャビティ調整ユニットとを備え、中間ユニットは、キャビティ調整ユニットから電子を引き抜くための第1の電子引き抜き層と、第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とを有し、キャビティ調整ユニットは、第1の電子引き抜き層の陰極側に隣接して設けられ、第1の電子引き抜き層に電子を引き抜かれる第1のキャビティ調整層と、陰極側に隣接する電子供給層から電子を引き抜くための第2の電子引き抜き層とを有し、第1の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(B)│と、第1のキャビティ調整層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(A)│が、│HOMO(A)│−│LUMO(B)│≦1.5eVの関係にあり、電子注入層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(C)│または仕事関数の絶対値│WF(C)│は、│LUMO(B)│より小さく、第2の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(D)│と、電子供給層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(E)│が、│HOMO(E)│−│LUMO(D)│≦1.5eVの関係にあり、第1のキャビティ調整層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、│LUMO(D)│が、│LUMO(A)│<│LUMO(D)│の関係にあることを特徴としている。 An organic electroluminescent display device according to another aspect of the present invention includes an organic electroluminescent element having an element structure sandwiched between an anode and a cathode, and a display signal corresponding to each display pixel. An active matrix driving substrate provided with active elements for supplying to the active matrix, and a transparent sealing substrate provided opposite to the active matrix driving substrate, and sealing the organic electroluminescent element with the active matrix driving substrate. A top emission type organic electroluminescent display device which is arranged between a stop substrate and uses a transparent electrode as an electrode provided on the sealing substrate side of a cathode and an anode, wherein the organic electroluminescent element is a cathode An anode, an intermediate unit disposed between the cathode and the anode, and the cathode and the intermediate The first light emitting unit disposed between the knit, the second light emitting unit disposed between the anode and the intermediate unit, and disposed between the intermediate unit and the second light emitting unit and adjacent to the intermediate unit. The intermediate unit has a first electron extraction layer for extracting electrons from the cavity adjustment unit, and an electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer. The cavity adjustment unit is provided adjacent to the cathode side of the first electron extraction layer, and includes a first cavity adjustment layer from which electrons are extracted to the first electron extraction layer, and an electron supply layer adjacent to the cathode side. An absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first electron extraction layer | LUMO B) | and the absolute value | HOMO (A) | of the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the first cavity adjustment layer is | HOMO (A) |-| LUMO (B) | ≦ 1. The absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the electron injection layer | LUMO (C) | or the absolute value of the work function | WF (C) | is from | LUMO (B) | The absolute value of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the second electron extraction layer | LUMO (D) | and the absolute value of the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the electron supply layer | HOMO (E) | is in a relationship of | HOMO (E) | --LUMO (D) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first cavity adjustment layer | LUMO (A) │ and │LUMO (D) │ are characterized by a relationship of │LUMO (A) │ <│LUMO (D) │.
上記有機エレクトロルミネッセント表示装置において、有機EL素子が白色発光素子である場合、有機EL素子と封止基板との間にカラーフィルターを配置し、カラー表示装置とすることができる。 In the organic electroluminescent display device, when the organic EL element is a white light emitting element, a color filter can be disposed between the organic EL element and the sealing substrate to obtain a color display device.
本発明の有機EL表示装置は、上記本発明の有機EL素子を備えるものであるので、発光色毎にキャビティを調整することができ、かつ駆動電圧を低減させて消費電力の低減化を図ることができる。また、高い信頼性を有する有機EL表示装置とすることができる。 Since the organic EL display device of the present invention includes the organic EL element of the present invention, the cavity can be adjusted for each emission color, and the driving voltage can be reduced to reduce power consumption. Can do. Further, an organic EL display device having high reliability can be obtained.
本発明によれば、キャビティを調整することができ、かつ高い発光効率を有し、駆動電圧を低減させ、信頼性を高めることができる有機EL素子及びこれを用いた有機EL表示装置とすることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it is set as the organic electroluminescent element which can adjust a cavity, has high luminous efficiency, can reduce a drive voltage, and can improve reliability, and an organic electroluminescent display apparatus using the same. Can do.
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to a following example.
図1は、本発明に従う実施例の有機EL素子において中間ユニット及びキャビティ調整ユニットを構成する各層のHOMO及びLUMOのエネルギーレベルを模式的に示す図である。本実施例において、中間ユニット1は、第1の電子引き抜き層3、電子注入層4、及び電子輸送層8から構成されている。キャビティ調整ユニット2は、第1のキャビティ調整層5及び第2の電子引き抜き層6から構成されている。第2の電子引き抜き層6の陰極側には、電子供給層7が設けられている。
FIG. 1 is a diagram schematically showing HOMO and LUMO energy levels of each layer constituting the intermediate unit and the cavity adjusting unit in the organic EL device of the embodiment according to the present invention. In this embodiment, the
図1において、第1の電子引き抜き層3のLUMOをLB、HOMOをHBとして示している。また、電子注入層4のLUMOをLCとして示し、電子輸送層8のLUMOをLFとして示しており、第1のキャビティ層5のLUMOをLA、HOMOをHAとして示している。また、第2の電子引き抜き層6のLUMOをLD、HOMOをHDとして示し、電子供給層7のHOMOをHEとして示している。
In FIG. 1, the LUMO of the first electron extraction layer 3 is shown as L B and the HOMO is shown as H B. Also shows LUMO of the
図1を参照して、本発明に従う有機EL素子においては、第1の電子引き抜き層のLBと、第1のキャビティ調整層5のHAのそれぞれの絶対値の差は1.5eV以下である。従って、第1の電子引き抜き層3は、第1のキャビティ調整層5から電子を容易に引き抜くことができる。電子注入層4のLCの絶対値は、第1の電子引き抜き層3のLBの絶対値より小さく、電子輸送層8のLFの絶対値は、LCの絶対値より小さくなっている。従って、第1の電子引き抜き層3によって引き抜かれた電子は、電子注入層4及び電子輸送層8を通り陽極側に供給される。
Referring to FIG. 1, in the organic EL device according to the present invention, and L B of the first electron-withdrawing layer, each of the difference in the absolute value of H A of the first
本発明において、第2の電子引き抜き層6のLDの絶対値と、電子供給層7のHEの絶対値の差は1.5eV以下である。従って、第2の電子引き抜き層6は、電子供給層7から電子を容易に引き抜くことができる。第1のキャビティ調整層のLAの絶対値は、第2の電子引き抜き層6のLDの絶対値より小さくなっているので、第2の電子引き抜き層6によって引き抜かれた電子は第1のキャビティ調整層5によってブロックされ、第2の電子引き抜き層6に蓄積される。これにより、局所的に高い電界がかかり、エネルギーレベルが歪むため、駆動電流を低減することができる。
In the present invention, the absolute value of L D of the second electron-withdrawing
電子を引き抜かれた電子供給層7においてはホールが発生し、このホールは陰極側に供給される。 Holes are generated in the electron supply layer 7 from which electrons have been extracted, and the holes are supplied to the cathode side.
本発明においては、以上のようにして中間ユニット1及びキャビティ調整ユニット2から電子を陽極側に供給するとともに、ホールを陰極側に供給することができる。従って、陽極側に位置する発光ユニットと陰極側に位置する発光ユニットをそれぞれ効率良く発光させることができる。また、上述のように、局所的に高い電界がかかるため、駆動電圧を低減させることができ、第1のキャビティ調整層5の膜厚を厚くしても、駆動電圧の上昇を抑制することができる。
In the present invention, electrons can be supplied from the
また、第1のキャビティ調整層5によって陽極側に電子が過剰に供給されるのを抑制することができるので、素子の寿命特性を改善することができ、信頼性を高めることができる。
Moreover, since it is possible to suppress excessive supply of electrons to the anode side by the first
(実施例1〜9及び比較例1〜6)
表1に示すホール注入層、ホール輸送層、第2の発光ユニット、中間ユニット、キャビティ調整ユニット、第1の発光ユニット、電子輸送層、及び陰極を有する実施例1〜9及び比較例1〜6の有機EL素子を作製した。以下の表において、( )内の数字は各層の厚み(nm)を示している。
(Examples 1-9 and Comparative Examples 1-6)
Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 6 having a hole injection layer, a hole transport layer, a second light emitting unit, an intermediate unit, a cavity adjustment unit, a first light emitting unit, an electron transport layer, and a cathode shown in Table 1. An organic EL element was prepared. In the following tables, the numbers in () indicate the thickness (nm) of each layer.
基板としては、ガラス基板の上に陽極としてのITO(インジウム錫酸化物)膜が形成されたガラス基板を用いた。ITO膜の上にフルオロカーボン(CFx)層を形成することによりホール注入層を形成した。表1における(15s)は、膜形成時間(秒)を意味している。 As the substrate, a glass substrate in which an ITO (indium tin oxide) film as an anode was formed on a glass substrate was used. A hole injection layer was formed by forming a fluorocarbon (CFx) layer on the ITO film. (15s) in Table 1 means the film formation time (seconds).
以上のようにして形成したホール注入層の上に、表1に示す各層を蒸着法により順次積層して形成した。 On the hole injection layer formed as described above, each layer shown in Table 1 was sequentially laminated by a vapor deposition method.
ホール輸送層は、NPB層の上にHAT−CN6層を積層することにより形成した。 The hole transport layer was formed by laminating a HAT-CN6 layer on the NPB layer.
第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットは、オレンジ色発光層の上に青色発光層を積層した白色発光の発光ユニットである。オレンジ色発光層を陽極側に配置し、青色発光層を陰極側に配置している。なお、表において%は特にことわらない限り重量%である。 The first light emitting unit and the second light emitting unit are white light emitting units in which a blue light emitting layer is stacked on an orange light emitting layer. The orange light emitting layer is disposed on the anode side, and the blue light emitting layer is disposed on the cathode side. In the table, “%” means “% by weight” unless otherwise specified.
上記のようにして形成したホール輸送層の上に、オレンジ色発光層及び青色発光層を堆積して形成した。 On the hole transport layer formed as described above, an orange light emitting layer and a blue light emitting layer were deposited.
オレンジ色発光層は、NPBをホール輸送性のホスト材料として用い、TBADNを電子輸送性のホスト材料として用い、DBzRをドーパント材料として用いている。青色発光層は、TBADNを電子輸送性のホスト材料として用い、NPBをホール輸送性のホスト材料として用い、TBPをドーパント材料として用いている。 The orange light emitting layer uses NPB as a hole transporting host material, TBADN as an electron transporting host material, and DBzR as a dopant material. The blue light emitting layer uses TBADN as an electron transporting host material, NPB as a hole transporting host material, and TBP as a dopant material.
なお、実施例6、実施例7及び比較例5においては、第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットを単層の白色発光層から形成している。従って、1つの層にオレンジ色発光ドーパントであるDBzRと青色発光ドーパントであるTBPが含有されている。なお、第1の発光ユニット及び第2の発光ユニットには、陽極側にNPB層を形成している。 In Example 6, Example 7, and Comparative Example 5, the first light emitting unit and the second light emitting unit are formed from a single white light emitting layer. Accordingly, DBzR, which is an orange light emitting dopant, and TBP, which is a blue light emitting dopant, are contained in one layer. Note that an NPB layer is formed on the anode side in the first light emitting unit and the second light emitting unit.
中間ユニットの電子輸送層としては、電子輸送性材料を用いることができ、表1に示す実施例及び比較例においては、BCPを用いている。BCPのLUMOは、−2.7eVである。中間ユニットの電子輸送層の膜厚は、1〜100nmの範囲が好ましい。 As the electron transport layer of the intermediate unit, an electron transport material can be used. In the examples and comparative examples shown in Table 1, BCP is used. The LUMO of BCP is -2.7 eV. The film thickness of the electron transport layer of the intermediate unit is preferably in the range of 1 to 100 nm.
中間ユニットの電子注入層としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びそれらの酸化物などを用いることができる。表1に示す実施例及び比較例においては、Li2O、LiまたはMgを用いている。Liの仕事関数は、2.9eVであり、Mgの仕事関数は3.9eVである。Li2Oなどの金属酸化物の場合は、Liなどの金属の仕事関数が本発明の範囲内にあればよい。電子注入層の膜厚は、0.1〜10nmの範囲が好ましい。 As the electron injection layer of the intermediate unit, alkali metals, alkaline earth metals and oxides thereof can be used. In the examples and comparative examples shown in Table 1, Li 2 O, Li, or Mg is used. The work function of Li is 2.9 eV, and the work function of Mg is 3.9 eV. In the case of a metal oxide such as Li 2 O, the work function of a metal such as Li may be within the scope of the present invention. The thickness of the electron injection layer is preferably in the range of 0.1 to 10 nm.
中間ユニットの第1の電子引き抜き層としては、HAT−CN6を用いている。HAT−CN6のLUMOは−4.4eVであり、HOMOは−7.0eVである。第1の電子引き抜き層の膜厚は、1〜150nmの範囲が好ましい。 HAT-CN6 is used as the first electron extraction layer of the intermediate unit. HAT-CN6 has a LUMO of −4.4 eV and a HOMO of −7.0 eV. The film thickness of the first electron extraction layer is preferably in the range of 1 to 150 nm.
なお、比較例4においては、第1の電子引き抜き層の代わりにV2O5層を用いている。 In Comparative Example 4, a V 2 O 5 layer is used instead of the first electron extraction layer.
キャビティ調整ユニットの第1のキャビティ調整層としてはNPBを用いている。NPBのLUMOは−2.6eVであり、HOMOは−5.4eVである。 NPB is used as the first cavity adjustment layer of the cavity adjustment unit. The LUMO of NPB is -2.6 eV and the HOMO is -5.4 eV.
キャビティ調整ユニットの第2の電子引き抜き層としては、HAT−CN6を用いている。第2の電子引き抜き層の膜厚は、1〜150nmの範囲が好ましい。 HAT-CN6 is used as the second electron extraction layer of the cavity adjustment unit. The film thickness of the second electron extraction layer is preferably in the range of 1 to 150 nm.
第1の発光ユニット上に形成する電子輸送層としては、Alq層とBCP層の積層構造からなる電子輸送層が形成されている。なお、実施例6及び7並びに比較例5においては、BCP層のみから電子輸送層を形成している。 As the electron transport layer formed on the first light emitting unit, an electron transport layer having a stacked structure of an Alq layer and a BCP layer is formed. In Examples 6 and 7 and Comparative Example 5, the electron transport layer is formed only from the BCP layer.
電子輸送層の上には、Li2O層とAl層の積層構造からなる陰極が形成されている。 On the electron transport layer, a cathode having a laminated structure of a Li 2 O layer and an Al layer is formed.
NPBは、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジンであり、以下の構造を有している。 NPB is N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenylbenzidine and has the following structure.
HAT−CN6は、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボンニトリルであり、以下の構造を有している。 HAT-CN6 is hexaazatriphenylenehexacarboxylic nitrile and has the following structure.
TBADNは、2−ターシャリー−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセンであり、以下の構造を有している。 TBADN is 2-tertiary-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene and has the following structure.
DBzRは、5,12−ビス{4−(6−メチルベンゾチアゾール−2−イル)フェニル}−6,11−ジフェニルナフタセンであり、以下の構造を有している。 DBzR is 5,12-bis {4- (6-methylbenzothiazol-2-yl) phenyl} -6,11-diphenylnaphthacene and has the following structure.
TBPは、2,5,8,11−テトラ−ターシャリー−ブチルペリレンであり、以下の構造を有している。 TBP is 2,5,8,11-tetra-tertiary-butylperylene and has the following structure.
BCPは、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンであり、以下の構造を有している。 BCP is 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline and has the following structure.
Alqは、トリス−(8−キノリラト)アルミニウム(III)であり、以下の構造を有している。 Alq is tris- (8-quinolinato) aluminum (III) and has the following structure.
〔有機EL素子の評価〕
以上のようにして作製した各有機EL素子について、駆動電圧、発光効率、及び輝度半減寿命を測定した。測定結果を表2に示す。なお、測定結果は、40mA/cm2の駆動電流における値である。
[Evaluation of organic EL elements]
About each organic EL element produced as mentioned above, drive voltage, luminous efficiency, and luminance half life were measured. The measurement results are shown in Table 2. The measurement result is a value at a drive current of 40 mA / cm 2 .
表2に示す結果から明らかなように、本発明に従う実施例1〜9においては、駆動電圧が低く、良好な発光効率を示すとともに、輝度半減寿命も長くなっている。 As is apparent from the results shown in Table 2, in Examples 1 to 9 according to the present invention, the driving voltage is low, the light emission efficiency is good, and the luminance half-life is also long.
キャビティ調整ユニットを設けた実施例1と、キャビティ調整ユニットを設けていない比較例1を比較すると、実施例1は、発光効率において若干比較例1に劣るものの、同程度の駆動電圧で駆動することができ、輝度半減寿命が比較例1よりも長くなっている。従って、駆動電圧を上昇させることなく、また寿命特性を低下させることなく、キャビティ調整ユニットを設けて、キャビティを調整することができる。 Comparing Example 1 provided with the cavity adjusting unit and Comparative Example 1 not provided with the cavity adjusting unit, Example 1 is driven at the same driving voltage, although the luminous efficiency is slightly inferior to Comparative Example 1. The luminance half-life is longer than that of Comparative Example 1. Therefore, the cavity can be adjusted by providing the cavity adjusting unit without increasing the drive voltage and without deteriorating the life characteristics.
キャビティ調整ユニットにおけるNPBをAlqに置き換えた比較例2では、駆動電圧が著しく高くなり、輝度半減寿命も著しく短くなっている。 In Comparative Example 2 in which NPB in the cavity adjustment unit is replaced with Alq, the driving voltage is remarkably increased and the luminance half-life is remarkably shortened.
また、キャビティ調整ユニットにおけるHAT−CN6をV2O5に代えた比較例4においては、発光効率が低下し、輝度半減寿命が著しく短くなっている。 Further, in Comparative Example 4 in which HAT-CN6 in the cavity adjustment unit is replaced with V 2 O 5 , the light emission efficiency is lowered and the luminance half life is remarkably shortened.
また、実施例6及び7と比較例5との比較、並びに実施例8及び9と比較例6との比較から明らかなように、NPB層の合計の膜厚を大幅に厚くする場合、第1の電子引き抜き層であるHAT−CN6層を適当な間隔おきに複数挿入することにより、駆動電圧を低減できることがわかる。 Further, as is clear from the comparison between Examples 6 and 7 and Comparative Example 5 and the comparison between Examples 8 and 9 and Comparative Example 6, when the total film thickness of the NPB layer is greatly increased, the first It can be seen that the drive voltage can be reduced by inserting a plurality of HAT-CN6 layers, each of which is an electron extraction layer, at appropriate intervals.
〔有機EL表示装置〕
図2は、本発明に従う実施例のボトムエミッション型の有機EL表示装置を示す断面図である。この有機EL表示装置においては、能動素子としてTFTを用いて各画素における発光を駆動している。なお、能動素子としてダイオードなども用いることができる。また、この有機EL表示装置においては、カラーフィルターが設けられている。この有機EL表示装置は、矢印で示しているように基板17の下方に光を出射して表示するボトムエミッション型の表示装置である。
[Organic EL display device]
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a bottom emission type organic EL display device according to an embodiment of the present invention. In this organic EL display device, light emission in each pixel is driven using a TFT as an active element. A diode or the like can be used as the active element. In this organic EL display device, a color filter is provided. This organic EL display device is a bottom emission type display device that emits and displays light below the
図2を参照して、ガラスなどの透明基板からなる基板17の上には、第1の絶縁層18が設けられている。第1の絶縁層18は、例えばSiO2及びSiNXなどから形成されている。第1の絶縁層18の上には、ポリシリコン層からなるチャネル領域20が形成されている。チャネル領域20の上には、ドレイン電極21及びソース電極23が形成されており、またドレイン電極21とソース電極23の間には、第2の絶縁層19を介してゲート電極22が設けられている。ゲート電極22の上には、第3の絶縁層14が設けられている。第2の絶縁層19は、例えばSiNX及びSiO2から形成されており、第3の絶縁層14は、SiO2及びSiNXから形成されている。
Referring to FIG. 2, a first insulating
第3の絶縁層14の上には、第4の絶縁層15が形成されている。第4の絶縁層15は、例えば、SiNXから形成されている。第4の絶縁層15の上の画素領域の部分には、カラーフィルター層9が設けられている。カラーフィルター層9としては、R(赤)、G(緑)、またB(青)などのカラーフィルターが設けられる。カラーフィルター層9の上には、第1の平坦化膜16が設けられている。ドレイン電極21の上方の第1の平坦化膜16にはスルーホール部が形成され、第1の平坦化膜16の上に形成されているITO(インジウムースズ酸化物)からなるホール注入電極18がスルーホール部内に導入されている。画素領域におけるホール注入電極(陽極)18の上には、ホール注入・輸送ユニット10が形成されている。画素領域以外の部分においては、第2の平坦化膜19が形成されている。
A fourth insulating
ホール注入・輸送ユニット10の上には、積層発光ユニット11が設けられている。積層発光ユニット11は、本発明に従い、第1の発光ユニットと第2の発光ユニットの間に中間ユニットとキャビティ調整ユニットを設けた構造を有している。
On the hole injecting / transporting
積層発光ユニット11の上には、電子輸送層12が設けられ、電子輸送層12の上には、電子注入電極(陰極)13が設けられている。
An
以上のように、本実施例の有機EL素子においては、画素領域の上に、ホール注入電極(陽極)8と、ホール注入・輸送ユニット10と、積層発光ユニット11と、電子輸送層12と、電子注入電極(陰極)13とが積層されて有機EL素子が構成されている。
As described above, in the organic EL element of this example, the hole injection electrode (anode) 8, the hole injection /
本実施例の積層発光ユニット11においては、オレンジ色発光層と青色発光層とを積層した発光ユニットを用いているので、積層発光ユニット11からは白色の発光がなされる。この白色の発光は、基板17を通り外部に出射するが、発光側にカラーフィルター層9が設けられているので、カラーフィルター層9の色に応じて、R、GまたはBの色が出射される。単色で発光する素子の場合、カラーフィルター層9はなくてもよい。
In the laminated
図3は本発明に従う実施例のトップエミッション型の有機EL表示装置を示す断面図である。本実施例の有機EL表示装置は、矢印で図示しているように基板17の上方に光を出射して表示するトップエミッション型の有機EL表示装置である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a top emission type organic EL display device of an embodiment according to the present invention. The organic EL display device of the present embodiment is a top emission type organic EL display device that emits light above the
基板17から陽極18までの部分は、図2に示す実施例とほぼ同様にして作製されている。但し、カラーフィルター層9は、第4の絶縁層15の上に設けられておらず、有機EL素子の上方に配置されている。具体的には、ガラスなどからなる透明な封止基板16の上にカラーフィルター層9を取り付け、この上にオーバーコート層15をコーティングし、これを透明接着剤層14を介して陽極18の上に貼り付けることにより取り付けられている。また、本実施例では、陽極と陰極の位置を図2に示す実施例とは逆にしている。
The portion from the
陽極18として、透明な電極が形成されており、例えば、膜厚100nm程度のITOと膜厚20nm程度の銀とを積層することにより形成されている。陰極13としては、反射電極が形成されており、例えば、膜厚100nm程度のアルミニウム、クロム、または銀の薄膜が形成されている。オーバーコート層15は、アクリル樹脂などにより厚み1μm程度に形成されている。カラーフィルター層9は、顔料タイプのものであってもよいし染料タイプのものであってもよい。その厚みは1μm程度である。
A transparent electrode is formed as the
積層発光ユニット11から発光された白色光は、封止基板16を通り外部に出射されるが、発光側にカラーフィルター層9が設けられているので、カラーフィルター層9の色に応じてR、GまたはBの色が出射される。本実施例の有機EL表示装置はトップエミッション型であるので、薄膜トランジスタが設けられている領域も画素領域として用いることができ、図2に示す実施例よりも広い範囲にカラーフィルター層9が設けられている。本実施例によれば、より広い領域を画素領域として用いることができ、開口率を高めることができる。また、複数の発光ユニットを有する発光層の形成も、アクティブマトリックスによる影響を考慮せずに行うことができるので、設計の自由度を高めることができる。
The white light emitted from the multilayer
上記実施例では、封止基板としてガラス板を用いているが、本発明において封止基板はガラス板に限定されるものではなく、例えば、SiO2などの酸化膜やSiNxなどの窒化膜などの膜状のものも封止基板として用いることができる。この場合、素子上に膜状の封止基板を直接形成できるので、透明接着剤層を設ける必要がなくなる。 In the above embodiment, a glass plate is used as the sealing substrate. However, the sealing substrate is not limited to the glass plate in the present invention. For example, an oxide film such as SiO 2 or a nitride film such as SiN x is used. A film-like material can also be used as a sealing substrate. In this case, since a film-like sealing substrate can be directly formed on the element, there is no need to provide a transparent adhesive layer.
1…中間ユニット
2…キャビティ調整層
3…第1の電子引き抜き層
4…電子注入層
5…第1のキャビティ調整層
6…第2の電子引き抜き層
7…電子供給層
8…電子輸送層
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記中間ユニットは、前記キャビティ調整ユニットから電子を引き抜くための第1の電子引き抜き層と、前記第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とを有し、
前記キャビティ調整ユニットは、前記第1の電子引き抜き層の陰極側に隣接して設けられ、前記第1の電子引き抜き層に電子を引き抜かれる第1のキャビティ調整層と、陰極側に隣接する電子供給層から電子を引き抜くための第2の電子引き抜き層とを有し、
前記第1の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(B)│と、前記第1のキャビティ調整層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(A)│が、│HOMO(A)│−│LUMO(B)│≦1.5eVの関係にあり、前記電子注入層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(C)│または仕事関数の絶対値│WF(C)│は、│LUMO(B)│より小さく、
前記第2の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(D)│と、前記電子供給層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(E)│が、│HOMO(E)│−│LUMO(D)│≦1.5eVの関係にあり、前記第1のキャビティ調整層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、│LUMO(D)│が、│LUMO(A)│<│LUMO(D)│の関係にあることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 A cathode, an anode, an intermediate unit disposed between the cathode and the anode, a first light emitting unit disposed between the cathode and the intermediate unit, and disposed between the anode and the intermediate unit A second light emitting unit, and a cavity adjusting unit disposed between the intermediate unit and the second light emitting unit and provided adjacent to the intermediate unit,
The intermediate unit includes a first electron extraction layer for extracting electrons from the cavity adjustment unit, and an electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer,
The cavity adjustment unit is provided adjacent to the cathode side of the first electron extraction layer, the first cavity adjustment layer from which electrons are extracted to the first electron extraction layer, and the electron supply adjacent to the cathode side A second electron extraction layer for extracting electrons from the layer,
Absolute value | LUMO (B) | of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first electron extraction layer and absolute energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the first cavity adjustment layer The value | HOMO (A) | is in the relationship of | HOMO (A) | --LUMO (B) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the electron injection layer | LUMO (C) | or the absolute value of work function | WF (C) | is smaller than | LUMO (B) |
Absolute value | LUMO (D) | of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the second electron extraction layer and absolute value of the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the electron supply layer | HOMO (E) | is in a relationship of | HOMO (E) | --LUMO (D) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first cavity adjustment layer | An organic electroluminescent element characterized in that LUMO (A) | and | LUMO (D) | have a relationship of | LUMO (A) | <| LUMO (D) |.
前記電子輸送層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(F)│は、│LUMO(C)│または│WF(C)│より小さいことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。 An electron transport layer is provided between the electron injection layer in the intermediate unit and the second light emitting unit;
The absolute value | LUMO (F) | of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the electron transport layer is smaller than | LUMO (C) | or | WF (C) | 6. The organic electroluminescent device according to any one of 6 above.
前記有機エレクトロルミネッセント素子が、前記陰極と、前記陽極と、前記陰極及び前記陽極の間に配置される中間ユニットと、前記陰極及び前記中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、前記陽極及び前記中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットと、前記中間ユニット及び前記第2の発光ユニットの間に配置され、前記中間ユニットに隣接して設けられるキャビティ調整ユニットとを備え、
前記中間ユニットは、前記キャビティ調整ユニットから電子を引き抜くための第1の電子引き抜き層と、前記第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とを有し、
前記キャビティ調整ユニットは、前記第1の電子引き抜き層の陰極側に隣接して設けられ、前記第1の電子引き抜き層に電子を引き抜かれる第1のキャビティ調整層と、陰極側に隣接する電子供給層から電子を引き抜くための第2の電子引き抜き層とを有し、
前記第1の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(B)│と、前記第1のキャビティ調整層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(A)│が、│HOMO(A)│−│LUMO(B)│≦1.5eVの関係にあり、前記電子注入層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(C)│または仕事関数の絶対値│WF(C)│は、│LUMO(B)│より小さく、
前記第2の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(D)│と、前記電子供給層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(E)│が、│HOMO(E)│−│LUMO(D)│≦1.5eVの関係にあり、前記第1のキャビティ調整層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、│LUMO(D)│が、│LUMO(A)│<│LUMO(D)│の関係にあることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント表示装置。 An active matrix drive substrate provided with an organic electroluminescent element having an element structure sandwiched between an anode and a cathode, and an active element for supplying a display signal corresponding to each display pixel to the organic electroluminescent element A bottom emission type organic electroluminescence device in which the organic electroluminescent element is disposed on the active matrix driving substrate, and an electrode provided on the substrate side of the cathode and the anode is a transparent electrode. A cent display device,
The organic electroluminescent device includes the cathode, the anode, an intermediate unit disposed between the cathode and the anode, and a first light emitting unit disposed between the cathode and the intermediate unit. A second light emitting unit disposed between the anode and the intermediate unit, and a cavity adjusting unit disposed between the intermediate unit and the second light emitting unit and provided adjacent to the intermediate unit. Prepared,
The intermediate unit includes a first electron extraction layer for extracting electrons from the cavity adjustment unit, and an electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer,
The cavity adjustment unit is provided adjacent to the cathode side of the first electron extraction layer, and a first cavity adjustment layer from which electrons are extracted to the first electron extraction layer, and an electron supply adjacent to the cathode side A second electron extraction layer for extracting electrons from the layer,
Absolute value | LUMO (B) | of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first electron extraction layer and absolute energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the first cavity adjustment layer The value | HOMO (A) | is in the relationship of | HOMO (A) | --LUMO (B) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the electron injection layer | LUMO (C) | or the absolute value of work function | WF (C) | is smaller than | LUMO (B) |
Absolute value | LUMO (D) | of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the second electron extraction layer and absolute value of the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the electron supply layer | HOMO (E) | is in a relationship of | HOMO (E) | --LUMO (D) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first cavity adjustment layer | An organic electroluminescent display device characterized in that LUMO (A) | and | LUMO (D) | have a relationship of | LUMO (A) | <| LUMO (D) |.
前記有機エレクトロルミネッセント素子が、前記陰極と、前記陽極と、前記陰極及び前記陽極の間に配置される中間ユニットと、前記陰極及び前記中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、前記陽極及び前記中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットと、前記中間ユニット及び前記第2の発光ユニットの間に配置され、前記中間ユニットに隣接して設けられるキャビティ調整ユニットとを備え、
前記中間ユニットは、前記キャビティ調整ユニットから電子を引き抜くための第1の電子引き抜き層と、前記第1の電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とを有し、
前記キャビティ調整ユニットは、前記第1の電子引き抜き層の陰極側に隣接して設けられ、前記第1の電子引き抜き層に電子を引き抜かれる第1のキャビティ調整層と、陰極側に隣接する電子供給層から電子を引き抜くための第2の電子引き抜き層とを有し、
前記第1の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(B)│と、前記第1のキャビティ調整層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(A)│が、│HOMO(A)│−│LUMO(B)│≦1.5eVの関係にあり、前記電子注入層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(C)│または仕事関数の絶対値│WF(C)│は、│LUMO(B)│より小さく、
前記第2の電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(D)│と、前記電子供給層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(E)│が、│HOMO(E)│−│LUMO(D)│≦1.5eVの関係にあり、前記第1のキャビティ調整層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、│LUMO(D)│が、│LUMO(A)│<│LUMO(D)│の関係にあることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント表示装置。 An active matrix drive substrate provided with an organic electroluminescent element having an element structure sandwiched between an anode and a cathode, and an active element for supplying a display signal corresponding to each display pixel to the organic electroluminescent element And a transparent sealing substrate provided opposite to the active matrix driving substrate, the organic electroluminescent element is disposed between the active matrix driving substrate and the sealing substrate, the cathode and the A top emission type organic electroluminescent display device in which an electrode provided on the sealing substrate side of the anode is a transparent electrode,
The organic electroluminescent device includes the cathode, the anode, an intermediate unit disposed between the cathode and the anode, and a first light emitting unit disposed between the cathode and the intermediate unit. A second light emitting unit disposed between the anode and the intermediate unit, and a cavity adjusting unit disposed between the intermediate unit and the second light emitting unit and provided adjacent to the intermediate unit. Prepared,
The intermediate unit includes a first electron extraction layer for extracting electrons from the cavity adjustment unit, and an electron injection layer adjacent to the anode side of the first electron extraction layer,
The cavity adjustment unit is provided adjacent to the cathode side of the first electron extraction layer, and a first cavity adjustment layer from which electrons are extracted to the first electron extraction layer, and an electron supply adjacent to the cathode side A second electron extraction layer for extracting electrons from the layer,
Absolute value | LUMO (B) | of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first electron extraction layer and absolute energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the first cavity adjustment layer The value | HOMO (A) | is in the relationship of | HOMO (A) | --LUMO (B) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the electron injection layer | LUMO (C) | or the absolute value of work function | WF (C) | is smaller than | LUMO (B) |
Absolute value | LUMO (D) | of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level of the second electron extraction layer and absolute value of the energy level of the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the electron supply layer | HOMO (E) | is in a relationship of | HOMO (E) | --LUMO (D) | ≦ 1.5 eV, and the absolute value of the energy level of the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) of the first cavity adjustment layer | An organic electroluminescent display device characterized in that LUMO (A) | and | LUMO (D) | have a relationship of | LUMO (A) | <| LUMO (D) |.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005345887A JP4785509B2 (en) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device |
TW095126172A TW200714131A (en) | 2005-07-29 | 2006-07-18 | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
KR1020060071521A KR101273767B1 (en) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
US11/494,618 US20070024168A1 (en) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
CN2006101089056A CN1905205B (en) | 2005-07-29 | 2006-07-28 | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005345887A JP4785509B2 (en) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007149605A true JP2007149605A (en) | 2007-06-14 |
JP4785509B2 JP4785509B2 (en) | 2011-10-05 |
Family
ID=38210754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005345887A Active JP4785509B2 (en) | 2005-07-29 | 2005-11-30 | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4785509B2 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011216861A (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic light emitting diode device |
JP2012212575A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Rohm Co Ltd | Organic el device |
WO2014034341A1 (en) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescent element |
JP2017195402A (en) * | 2007-09-27 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element and light-emitting device |
US10283727B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-05-07 | Joled Inc. | Organic EL element and organic EL display panel |
Citations (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02213088A (en) * | 1989-02-13 | 1990-08-24 | Nec Corp | Organic thin film el element and manufacture thereof |
JPH06212158A (en) * | 1993-01-18 | 1994-08-02 | Nippon Steel Corp | Apparatus for supporting oven-top brick during hot repair of brick work in coke oven chamber |
JP2002151269A (en) * | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
JP2002237386A (en) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescent element |
JP2002343571A (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescence element |
JP2003068468A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic electric field light-emitting element |
JP2003272860A (en) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | Organic electroluminescent element |
JP2003317971A (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its producing method |
JP2004031212A (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP2004039617A (en) * | 2002-02-15 | 2004-02-05 | Eastman Kodak Co | Stacked organic electroluminescent device |
JP2004179142A (en) * | 2002-09-30 | 2004-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting element |
WO2004060027A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display |
JP2005005149A (en) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Tohoku Pioneer Corp | Organic el element and its manufacturing method |
JP2005129510A (en) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic el element and organic el panel |
JP2005515233A (en) * | 2002-01-18 | 2005-05-26 | エルジー ケミカル エルティーディー. | New electron transport material and organic light emitting device using the same |
JP2005166641A (en) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP2005285401A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting device |
WO2005112519A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2005339823A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | Display element |
JP2006503443A (en) * | 2002-12-11 | 2006-01-26 | エルジー・ケム・リミテッド | Electroluminescent device with low work function anode |
JP2006049395A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006049393A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006049396A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006049394A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006066379A (en) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device |
JP2006066380A (en) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device |
JP2006156828A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display |
JP2006173550A (en) * | 2004-02-18 | 2006-06-29 | Sony Corp | Display element |
JP2006210845A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2007012946A (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and display device or light emitting device with it |
JP2007035579A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device |
JP2007123611A (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display |
JP2007518220A (en) * | 2004-05-11 | 2007-07-05 | エルジー・ケム・リミテッド | Organic electrical element |
JP2007179933A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2007533073A (en) * | 2004-04-09 | 2007-11-15 | エルジー・ケム・リミテッド | Multilayer organic light emitting device having high efficiency and high brightness |
-
2005
- 2005-11-30 JP JP2005345887A patent/JP4785509B2/en active Active
Patent Citations (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02213088A (en) * | 1989-02-13 | 1990-08-24 | Nec Corp | Organic thin film el element and manufacture thereof |
JPH06212158A (en) * | 1993-01-18 | 1994-08-02 | Nippon Steel Corp | Apparatus for supporting oven-top brick during hot repair of brick work in coke oven chamber |
JP2002151269A (en) * | 2000-08-28 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device |
JP2002237386A (en) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescent element |
JP2002343571A (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Organic electroluminescence element |
JP2003068468A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Organic electric field light-emitting element |
JP2005515233A (en) * | 2002-01-18 | 2005-05-26 | エルジー ケミカル エルティーディー. | New electron transport material and organic light emitting device using the same |
JP2004039617A (en) * | 2002-02-15 | 2004-02-05 | Eastman Kodak Co | Stacked organic electroluminescent device |
JP2003272860A (en) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | Organic electroluminescent element |
JP2003317971A (en) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its producing method |
JP2004031212A (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP2004179142A (en) * | 2002-09-30 | 2004-06-24 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting element |
JP2006503443A (en) * | 2002-12-11 | 2006-01-26 | エルジー・ケム・リミテッド | Electroluminescent device with low work function anode |
WO2004060027A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Fujitsu Limited | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display |
JP2005005149A (en) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Tohoku Pioneer Corp | Organic el element and its manufacturing method |
JP2005129510A (en) * | 2003-09-30 | 2005-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic el element and organic el panel |
JP2005166641A (en) * | 2003-11-13 | 2005-06-23 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP2006173550A (en) * | 2004-02-18 | 2006-06-29 | Sony Corp | Display element |
JP2005285401A (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Light emitting device |
JP2007533073A (en) * | 2004-04-09 | 2007-11-15 | エルジー・ケム・リミテッド | Multilayer organic light emitting device having high efficiency and high brightness |
JP2007518220A (en) * | 2004-05-11 | 2007-07-05 | エルジー・ケム・リミテッド | Organic electrical element |
WO2005112519A1 (en) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2005339823A (en) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | Display element |
JP2006049394A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006066379A (en) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device |
JP2006066380A (en) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device |
JP2006049396A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006049393A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006049395A (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006156828A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display |
JP2006210845A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2007012946A (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and display device or light emitting device with it |
JP2007035579A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device |
JP2007123611A (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display |
JP2007179933A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017195402A (en) * | 2007-09-27 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting element and light-emitting device |
US11189812B2 (en) | 2007-09-27 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
JP2011216861A (en) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Organic light emitting diode device |
JP2012212575A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Rohm Co Ltd | Organic el device |
WO2014034341A1 (en) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescent element |
US9379347B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-06-28 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescence element |
JPWO2014034341A1 (en) * | 2012-08-27 | 2016-08-08 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence device |
US10283727B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-05-07 | Joled Inc. | Organic EL element and organic EL display panel |
US10665806B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-05-26 | Joled Inc. | Organic EL element and organic EL display panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4785509B2 (en) | 2011-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4785386B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
JP4315874B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
US7629062B2 (en) | Organic light-emitting element and display device | |
JP2007123611A (en) | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display | |
US10446612B2 (en) | Organic light-emitting device and display device | |
JP2007179933A (en) | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display | |
KR102504145B1 (en) | Organic light emitting display device | |
EP1845568A2 (en) | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same | |
KR20110107292A (en) | Organic electroluminescence device | |
KR102135929B1 (en) | White Organic Emitting Device | |
JP2006066380A (en) | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device | |
JP2007035579A (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
JP4565922B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
KR20130007873A (en) | Organic light emitting diodes | |
JP2007011063A (en) | Organic electroluminescence display device | |
KR20150026055A (en) | Pyrene compound and organic light emitting diode device comprising the same | |
JP4565921B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
JP2012243983A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP2006066379A (en) | Organic electroluminescence element and organic electroluminescence display device | |
JP4721668B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
KR102081113B1 (en) | Organic light emitting display | |
JP4785509B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
JP2007036127A (en) | Organic electroluminescent element | |
JP4578215B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device | |
JP4434872B2 (en) | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110614 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110712 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4785509 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |