JP2007142048A - 薄膜積層配線及びその製造方法、これを用いた磁気センサおよびエンコーダ。 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｃｕは電気抵抗率が充分に小さいものの、その表面は大気中で容易に酸化され、絶縁物であるＣｕ_２ＯやＣｕＯが形成される。このため、これを用いた薄膜配線の電気抵抗がかえって高くなったり、その信頼性を損なうという問題があった。従って、電気抵抗が小さく、かつ信頼性の高い薄膜配線を得ることは困難であった。
【解決手段】絶縁基板上に形成された薄膜積層配線であって、前記絶縁基板上に形成された密着層と、該密着層の上に形成された伝導層と、該伝導層の上に形成された酸化防止層とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、磁気センサを初めとする各種の磁気素子、電気素子に使用される薄膜積層配線の構造及びその製造方法に関する。また、これを用いた磁気センサ及びエンコーダに関する。

磁気センサや各種の電気素子には、薄膜の配線がこれに接続して用いられている。例えば、位置検出のために用いられる磁気センサにおいては、絶縁基板上の磁気抵抗効果素子に薄膜配線が接続され、これを介して磁気抵抗効果素子の磁気による抵抗変化が感知信号として外部の検出回路により読み出される。

こうした薄膜配線に要求される特性としては、電気抵抗が小さいこと、絶縁基板等その下地への密着性が良好であることがある。また、特に磁気センサに用いる場合には、磁気センサの特性に影響を与えないために、磁性材料を含まないということも要求される。このため、例えば、磁気センサにおいては、特許文献１に記載されるように、アルミニウム（Ａｌ）／クロム（Ｃｒ）の積層配線や、特許文献２に記載されるように、タンタル（Ｔａ）の配線が用いられていた。前者においては、下層にＣｒが使用されており、Ｃｒは絶縁基板として用いられるＡｌＴｉＣ等の材料との密着性が高いため、電気抵抗率の小さいＡｌと、この基板との間の密着層として用いられた。

一方、Ａｌの電気抵抗率は２．７５×１０^−８Ω・ｍ、Ｃｒは１７×１０^−８Ω・ｍ、Ｔａは１２．３×１０^−８Ω・ｍであるのに対して、銅（Ｃｕ）の電気抵抗率は１．７２×１０^−８Ω・ｍと、これらの材料と比べて充分に小さく、磁性材料でもない。このため、Ｃｕを用いることにより、より電気抵抗の小さな配線を形成することができると期待された。
特開平８−３０４１０７ 特開２００２−３６７１２１

しかしながら、Ｃｕは電気抵抗率が充分に小さいものの、その表面は大気中で容易に酸化され、絶縁物であるＣｕ_２ＯやＣｕＯが形成される。このため、これを用いた薄膜配線の電気抵抗がかえって高くなったり、その信頼性を損なうという問題があった。従って、電気抵抗が小さく、かつ信頼性の高い薄膜配線を得ることは困難であった。

本発明は、斯かる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
請求項１記載の発明の要旨は、絶縁基板上に形成された薄膜積層配線であって、前記絶縁基板上に形成された密着層と、該密着層の上に形成された伝導層と、該伝導層の上に形成された酸化防止層とを備えたことを特徴とする薄膜積層配線に存する。
請求項２記載の発明の要旨は、前記伝導層における電気抵抗率は、前記密着層および前記酸化防止層よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜積層配線に存する。
請求項３記載の発明の要旨は、前記密着層と酸化防止層とが同じ材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜積層配線に存する。
請求項４記載の発明の要旨は、前記密着層、前記伝導層、および前記酸化防止層がいずれも非磁性材料であることを特徴とする請求項１及至３のいずれか１項に記載の薄膜積層配線に存する。
請求項５記載の発明の要旨は、前記密着層はクロムまたはチタンであることを特徴とする請求項１及至４のいずれか１項に記載の薄膜積層配線に存する。
請求項６記載の発明の要旨は、前記伝導層は銅であることを特徴とする請求項１及至５のいずれか１項に記載の薄膜積層配線に存する。
請求項７記載の発明の要旨は、前記酸化防止層はクロムであることを特徴とする請求項１及至６のいずれか１項に記載の薄膜積層配線に存する。
請求項８記載の発明の要旨は、前記絶縁基板がアルミナチタンカーバイドであることを特徴とする請求項１及至７のいずれか１項に記載の薄膜積層配線に存する。
請求項９記載の発明の要旨は、薄膜積層配線の製造方法であって、スパッタリング法によって密着層、伝導層、及び酸化防止層を順次絶縁基板上に形成し、前記密着層の形成から前記酸化防止層が形成されるまでの間に、前記絶縁基板が真空中に保持されることを特徴とする薄膜積層配線の製造方法に存する。
請求項１０記載の発明の要旨は、到達真空度が７×１０^−３Ｐａ以下であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜積層配線の製造方法に存する。
請求項１１記載の発明の要旨は、請求項１及至８のいずれか１項に記載の薄膜積層配線を備えたことを特徴とする磁気センサに存する。
請求項１２記載の発明の要旨は、請求項１１に記載の磁気センサと磁気媒体とを備えたことを特徴とするエンコーダに存する。

本発明は以上の如き構成としたので、小さな電気抵抗をもち、かつ信頼性の高い薄膜積層配線を得ることができる。また、本発明の薄膜積層配線の製造方法によって、本発明の薄膜積層配線を用いた信頼性の高い磁気センサを製造することができ、これを用いて高信頼性のエンコーダを得ることができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。

図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜積層配線を用いた磁気センサの構造を示す断面図であり、図２はその斜視断面図である。この磁気センサ１は、外部接続基板２００上に搭載されている。この磁気センサ１においては、絶縁基板１０上に薄膜下地膜２０を介して形成された薄膜磁気検出部３０の感知信号が、本発明の薄膜積層配線１１０を介して伝わる。本発明の薄膜積層配線１１０は外部接続基板２００上に形成された外部接続基板上配線２１０に接続し、外部接続基板上配線２１０に接続した外部の検出回路（図示せず）によってこの感知信号が読み出される。外部接続基板２００はプリント回路基板（ＰＣＢ）であり、かつ磁気センサ１を機械的に支持する支持基板ともなっている。

薄膜磁気検出部３０は、例えば、磁性材料と非磁性材料からなる多層膜からなる磁気抵抗効果素子であり、磁気によってその電気抵抗値が変化する磁気検出部である。そのため、この電気抵抗値の変化を感知信号としてモニターすることで、磁気を感知することができる。薄膜下地膜２０は、薄膜磁気検出部３０を形成するための下地として絶縁基板１０上に設けられた絶縁層であり、その材料としては、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）が好ましく用いられる。

薄膜磁気検出部３０の感知信号は、薄膜内部配線４０、立ち上がり配線５０、薄膜電極７０を介して本発明の薄膜積層配線１１０に伝わる。本発明の薄膜積層配線１１０は、絶縁基板１０の側面に沿って外部接続基板上配線２１０にまで延在している。薄膜積層配線１１０は、外部接続基板上配線２１０と導電性接合樹脂１２０によって接続される。導電性接合樹脂１２０は、例えば、導電性材料（銀等）を含む樹脂材料である。

ここで、絶縁基板１０は、充分な機械的強度をもち、絶縁性でかつ非磁性材料である。具体的には、アルミナチタンカーバイド（ＡｌＴｉＣ）セラミックスが好ましく用いられる。

薄膜表面保護膜６０によって薄膜磁気検出部３０は覆われ、保護されている。薄膜表面保護膜６０は絶縁性である必要があり、例えば薄膜下地膜２０と同様のＡｌ_２Ｏ_３が好ましく用いられる。この厚さは、１〜１０μｍ程度である。本発明の薄膜積層配線１１０はこの薄膜表面保護膜６０上に形成されている。

この磁気センサ１において、感知信号の伝達に用いられるのは、薄膜内部配線４０、立ち上がり配線５０、薄膜電極７０、および本発明の薄膜積層配線１１０である。

薄膜内部配線４０及び薄膜電極７０には、例えば厚さ１００ｎｍの金（Ａｕ）が好ましく用いられる。立ち上がり配線５０には、例えば５μｍ程度のＣｕが好ましく用いられるが、その厚さは後述する薄膜表面保護膜６０の厚さに応じて決定される。

本発明の薄膜積層配線１１０は密着層８０、伝導層９０、酸化防止層１００の３層からなる配線である。この構造においては、電気伝導は主に伝導層９０によってなされ、密着層８０は、薄膜積層配線１１０の下地となる薄膜表面保護膜６０や絶縁基板１０等と伝導層９０との間の密着性を高め、剥離を抑制する。酸化防止層１００は、伝導層９０の表面が空気中で酸化することを防止する。この実施の形態においては薄膜積層配線１１０は、薄膜磁気検出部３０が形成された側の面を表面とすると、絶縁基板１０の表面、側面、及び裏面にわたって形成されている。

密着層８０は、絶縁基板１０等と伝導層９０の間の密着性を高めることができる導電体である。ただし、その電気抵抗率は、伝導層９０よりも大きくてよい。具体的には、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等が好ましく用いられる。その厚さは、薄膜積層配線１１０の電気抵抗を下げるために、伝導層９０よりも薄く、例えば２００ｎｍとすることが好ましい。

伝導層９０は、この薄膜積層配線１１０における電気伝導を主に担う層である。その材料は導電体であり、その電気抵抗率は、密着層８０および酸化防止層１００よりも小さいことが好ましい。具体的には、銅（Ｃｕ）が好ましく用いられる。その厚さは、薄膜積層配線１１０の電気伝導を担うために、密着層８０よりも厚く、例えば４００ｎｍ以上とすることが好ましい。

酸化防止層１００は、伝導層９０の表面が大気中で酸化するのを防止するための層であり、その材料は伝導層９０との密着性が高く、かつ導電性である。具体的には、密着層８０と酸化防止層１００とは同じ材料とすることができ、密着層８０と同様にＣｒが好ましく用いられる。ただし、ＴｉはＣｕと同様にその表面に絶縁性の酸化物が容易に形成されるため、酸化防止層には適さない。また、他には白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）を用いることができる。その厚さは、密着層と同様の理由から、伝導層９０よりも薄く、例えば２００ｎｍとすることが好ましい。

また、この薄膜積層配線１１０をこの例のように磁気センサに用いる場合には、密着層８０、伝導層９０、および酸化防止層１００はいずれも非磁性材料とすることが好ましい。上記のＣｒ、Ｔｉ、およびＣｕはいずれも非磁性材料である。

この薄膜積層配線１１０においては、電気伝導を主に担う伝導層９０として、例えば、電気抵抗率の小さなＣｕを用いることができるため、その電気抵抗を小さくすることができる。絶縁基板１０等と伝導層９０の間には密着層８０が設けられているが、この密着層８０が介在することにより、これらの間の密着性を高め、剥離が抑制される。

一方、特に伝導層９０がＣｕである場合、その表面は大気中で容易に酸化し、絶縁性の酸化物がその表面に形成される。これを防止するために、伝導層９０の上には、酸化防止層１００が形成されている。特にＣｒは、硬く、防食性が高いことで知られており、Ｃｕの表面が酸化されるのを防止することができる。また、Ｃｕとの密着性も良好である。

以上により、本発明の薄膜積層配線１１０においては、Ｃｕを用いることにより、電気抵抗の小さな配線を得ることができる。また、Ｃｕの表面を酸化防止層１００で覆うことにより、Ｃｕ表面の酸化を防止することができ、信頼性の高い配線を得ることができる。

次に、図３は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜積層配線を用いた光センサ２の構造を示す断面図である。この光センサ２は、前記の磁気センサ１と同様に外部接続基板２００上に搭載されている。絶縁基板１０上に薄膜下地膜２０を介して形成された薄膜光伝導体３５からの感知信号が、本発明の薄膜積層配線１１０を介して伝わる。本発明の薄膜積層配線１１０は外部接続基板２００上に形成された外部接続基板上配線２１０に接続し、外部接続基板上配線２１０に接続した外部の検出回路（図示せず）によってこの感知信号が読み出される。外部接続基板２００はプリント回路基板（ＰＣＢ）であり、かつ光センサ２を機械的に支持する支持基板ともなっている。この光センサ２においては、絶縁基板１０において薄膜光伝導体３５が形成された側の面が外部接続基板２００に接合している。また、本発明の薄膜積層配線１１０は絶縁基板１０において薄膜光伝導体３５が形成された側の面にのみ形成されている。また、外部接続基板２００においては、薄膜光伝導体３５の近傍で開口部が設けられており、この開口部から入射した光をこの薄膜光伝導体３５が感知することができる。

薄膜光伝導体３５は、半導体の薄膜であり、光を吸収することによってその電気抵抗が変化する。従って、この両端に設けられた薄膜内部配線４０間の電気抵抗を測定することによって光を検知することができる。この材料としては、例えば、検出する光が可視光である場合には、硫化カドミウム（ＣｄＳ）を用いることができる。

この光センサ２においては、図３において下側から入射した光による薄膜光伝導体３５の電気抵抗の変化を、薄膜内部配線４０、本発明の薄膜積層配線１１０および外部接続基板上配線２１０を介して外部の検出回路（図示せず）が読み出すことが可能である。この場合に、電気抵抗が低く、信頼性の高い本発明の薄膜積層配線１１０を好ましく用いることができる。この構造においては、本発明の薄膜積層配線１１０は、絶縁基板１０の側面及び薄膜光伝導体３５が形成された側と反対側の面（図３における上面）には形成されていない。

以上の通り、この薄膜積層配線は、小さな電気抵抗と、高い信頼性を共に備えるため、絶縁基板上に形成される各種の磁気素子や電気素子の配線として用いることができる。特に、この薄膜積層配線に磁性材料を含めずに構成することができるので、高感度の磁気センサの配線として好ましい。特に、この磁気センサを磁気媒体と組み合わせてエンコーダを構成すれば、この配線は磁性材料を含まず、電気抵抗が低く信頼性が高いため、位置検出精度の高いエンコーダが得られる。

次に、この薄膜積層配線１１０の製造方法について述べる。

図１の磁気センサ１の構造においては、この薄膜積層配線１１０を絶縁基板１０の表面、側面、及び裏面に形成することによって、薄膜磁気検出部３０と外部接続基板上配線２１０とを電気的に接続している。この薄膜積層配線１１０が形成される前後の絶縁基板１０の表面、側面、および裏面の形状を示したのが図４である。このように薄膜積層配線１１０を絶縁基板１０の表面、側面、及び裏面に形成することは、以下に述べる製造方法によって容易に行うことができる。

この薄膜積層配線１１０を図４に示したパターンで形成するためには、まず、絶縁基板１０にマスキングを施した後に薄膜積層配線１１０を構成する材料をこの上に成膜する。この場合のマスクとしては、メタル製のものが用いられる他、テープやフォトレジスト等、各種のものを用いることができる。マスキングされた箇所には薄膜積層配線１１０が形成されないため、これらの材料の成膜後にマスクを除去すれば、所望のパターンの薄膜積層配線１１０を得ることができる。この方法は、特に、上記の磁気センサ１の形態のように、薄膜積層配線を絶縁基板１０の表面、側面、及び裏面に形成する場合に好ましく用いることができる。

薄膜積層配線１１０として、密着層８０にＣｒ、伝導層９０にＣｕ、酸化防止層１００にＣｒを用いた場合、これをスパッタリング法によって連続して成膜することが好ましい。

この方法においては、スパッタリング法によって密着層、伝導層、及び酸化防止層を順次絶縁基板上に形成し、密着層の形成から酸化防止層が形成されるまでの間に、この絶縁基板を真空中に保持しておく。すなわち、同一のスパッタリング装置中で、これらの層を連続的に形成することが好ましい。このスパッタリング法における到達真空度、すなわち、スパッタリング法におけるガス導入前の真空度は７×１０^−３Ｐａ以下であることが、好ましい。

図５（ａ）（ｂ）は、この薄膜積層配線の２種類の製造方法を示す工程図である。（ａ）においては、一つのチャンバにＣｒターゲットとＣｕターゲットの両方が備えられたスパッタリング装置が用いられる。（ｂ）においては、Ｃｒターゲットが備えられたチャンバと、Ｃｕターゲットが備えられたチャンバを有する２チャンバのスパッタリング装置が用いられる。

図５（ａ）の製造方法においては、まず、Ｓ１１で図１における薄膜下地膜２０、薄膜磁気検出部３０、薄膜内部配線４０、立ち上がり配線５０、薄膜表面保護膜６０、薄膜電極７０が形成された絶縁基板１０に前記のマスキングを行った後、ＣｒおよびＣｕターゲットが備えられたチャンバに移動し、このチャンバを、例えば７×１０^−３Ｐａ以下の真空にする。

次に、Ｓ１２で、このチャンバにアルゴン（Ａｒ）を導入して、ＤＣスパッタまたはマグネトロンスパッタにより、Ｃｒターゲットにバイアスを印加してＣｒを密着層として所望の膜厚だけこの絶縁基板１０上に形成する。

次に、Ｓ１３でこのチャンバ内でＣｕターゲットにバイアスを印加してＣｕを伝導層として所望の膜厚だけこの上に形成する。

次に、Ｓ１４でこのチャンバ内で再びＣｒターゲットにバイアスを印加してＣｒを酸化防止層として所望の膜厚だけこの上に形成する。以上により、特に大気中で酸化しやすいＣｕを全く大気に曝すことなしに、本発明の薄膜積層配線となるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを形成することができる。また、スパッタリングの際にはＡｒが導入されるが、到達真空度が７×１０^−３Ｐａ以下であるため、特に酸素によってＣｕが酸化することはない。

図５（ｂ）の製造方法においては、まず、Ｓ２１で図１における薄膜下地膜２０、薄膜磁気検出部３０、薄膜内部配線４０、立ち上がり配線５０、薄膜表面保護膜６０、薄膜電極７０が形成された絶縁基板１０を、Ｃｒターゲットが備えられたチャンバに移動し、このチャンバを、７×１０^−３Ｐａ以下の真空にする。次に、このチャンバにアルゴン（Ａｒ）を導入して、ＤＣスパッタまたはマグネトロンスパッタにより、Ｃｒターゲットにバイアスを印加してＣｒを密着層として所望の膜厚だけこの絶縁基板１０上に形成する。

次に、Ｓ２２でこの絶縁基板１０を、Ｃｕターゲットが備えられたチャンバに移動し、このチャンバを、７×１０^−３Ｐａ以下の真空にする。次に、このチャンバにアルゴン（Ａｒ）を導入して、ＤＣスパッタまたはマグネトロンスパッタにより、Ｃｕターゲットにバイアスを印加してＣｕを伝導層として所望の膜厚だけこの上に形成する。

次に、Ｓ２３でこの絶縁基板１０を、再びＣｒターゲットが備えられたチャンバに移動し、このチャンバを、７×１０^−３Ｐａ以下の真空にする。次に、このチャンバにアルゴン（Ａｒ）を導入して、ＤＣスパッタまたはマグネトロンスパッタにより、Ｃｒターゲットにバイアスを印加してＣｒを酸化防止層として所望の膜厚だけこの上に形成する。以上により、特に大気中で酸化しやすいＣｕを全く大気に曝すことなしに、本発明の薄膜積層配線となるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを形成することができる。また、スパッタリングの際にはＡｒが導入されるが、到達真空度が７×１０^−３Ｐａ以下であるため、特に酸素によってＣｕが酸化することはない。

以上のどちらの製造方法によっても、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層構造が形成される間、この絶縁基板１０は、大気に曝されることがなく、特にＣｕの酸化が抑制される。

以上の工程においては、Ｃｒ及びＣｕの成膜にスパッタリング法を用いている。この方法においては、純度が９９．９％以上のスパッタターゲット（原料）を用いることができるため、成膜されるＣｒ層（密着層及び酸化防止層）、Ｃｕ層（伝導層）の純度もこれに近いものとすることができる。他の成膜方法としては、例えば、めっきがあるが、めっきの場合には、一般に、ニッケル（Ｎｉ）を混入させる。Ｎｉは磁性材料であるため、これが薄膜積層配線に含まれると、磁気センサの感知信号に影響を及ぼすため、特に磁気センサの配線として用いる場合には好ましくない。薄膜積層配線の成膜にスパッタリング法を用いる本発明の製造方法においては、こうした問題は生じず、薄膜積層配線に磁性材料を全く含まない構成とすることができる。

なお、上記の実施の形態においては、密着層８０と酸化防止層１００としては、共にＣｒを用いていたが、密着層８０としては他にチタン（Ｔｉ）を用いることもできる。この場合は、前記の薄膜積層配線の製造方法において、ＣｒとＣｕ以外に、Ｔｉターゲット、またはＴｉターゲットを備えたチャンバが必要になり、これを用いて同様に密着層の形成が行われる。ただし、密着層８０と酸化防止層１００として同じ材料を用いれば、その製造方法もしくは製造に用いるスパッタリング装置の構成が単純になるため、好ましい。

以上の工程を経た後に前記のマスクを除去すれば、薄膜積層配線１１０となるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層構造のパターンを得ることができる。

上記の製造方法の変形例として、薄膜下地膜２０、薄膜磁気検出部３０、薄膜内部配線４０、立ち上がり配線５０、薄膜表面保護膜６０、薄膜電極７０が形成され、マスキングが施されていない絶縁基板１０に対して図５の工程を施し、全面に薄膜積層配線１１０を構成する材料を形成した後に、これを選択的に除去することもできる。ここでは、フォトリソグラフィ工程によってフォトレジストのパターンを形成し、イオンミリング等によってフォトレジストが形成されていない部分のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを除去した後に、フォトレジストを除去する。この間、例えばフォトリソグラフィ工程においては、この絶縁基板１０は大気に曝され、また、フォトレジストの熱処理等によって２００℃以上の温度にも曝されることもある。しかし、この段階ではＣｕからなる伝導層４０は、酸化防止層５０によって覆われているため、Ｃｕの酸化は生じない。なお、イオンミリングの代わりに、他の方法、例えばイオンミリング以外のドライエッチングやウェットエッチングを用いることも可能である。フォトリソグラフィ工程は、フォトレジストパターンを形成する基板が平面である場合に好ましく適用することができるので、この方法は、前記の光センサ２の形態のように、薄膜積層配線１１０を絶縁基板１０の一つの表面のみに形成する場合に好ましく用いることができる。

以上の工程により、本発明の薄膜積層配線が製造される。

本発明の第１の実施の形態に係る薄膜積層配線を用いた磁気センサの構造を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜積層配線を用いた磁気センサの構造を示す斜視断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る薄膜積層配線を用いた光センサの構造を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る薄膜積層配線を用いた磁気センサにおける薄膜積層配線の形状を示す図である。 本発明の薄膜積層配線の製造方法の二つの例を示す工程図である。

符号の説明

１ 磁気センサ
２ 光センサ
１０ 絶縁基板
２０ 薄膜下地膜
３０ 薄膜磁気検出部
３５ 薄膜光伝導体
４０ 薄膜内部配線
５０ 立ち上がり配線
６０ 薄膜表面保護膜
７０ 薄膜電極
８０ 密着層
９０ 伝導層
１００ 酸化防止層
１１０ 薄膜積層配線
１２０ 導電性接合樹脂
２００ 外部接続基板
２１０ 外部接続基板上配線

Claims (12)

1. 絶縁基板上に形成された薄膜積層配線であって、
   前記絶縁基板上に形成された密着層と、
   該密着層の上に形成された伝導層と、
   該伝導層の上に形成された酸化防止層と
   を備えたことを特徴とする薄膜積層配線。
2. 前記伝導層における電気抵抗率は、前記密着層および前記酸化防止層よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜積層配線。
3. 前記密着層と酸化防止層とが同じ材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜積層配線。
4. 前記密着層、前記伝導層、および前記酸化防止層がいずれも非磁性材料であることを特徴とする請求項１及至３のいずれか１項に記載の薄膜積層配線。
5. 前記密着層はクロムまたはチタンであることを特徴とする請求項１及至４のいずれか１項に記載の薄膜積層配線。
6. 前記伝導層は銅であることを特徴とする請求項１及至５のいずれか１項に記載の薄膜積層配線。
7. 前記酸化防止層はクロムであることを特徴とする請求項１及至６のいずれか１項に記載の薄膜積層配線。
8. 前記絶縁基板がアルミナチタンカーバイドであることを特徴とする請求項１及至７のいずれか１項に記載の薄膜積層配線。
9. 薄膜積層配線の製造方法であって、
   スパッタリング法によって密着層、伝導層、及び酸化防止層を順次絶縁基板上に形成し、前記密着層の形成から前記酸化防止層が形成されるまでの間に、前記絶縁基板が真空中に保持されることを特徴とする薄膜積層配線の製造方法。
10. 到達真空度が７×１０^−３Ｐａ以下であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜積層配線の製造方法。
11. 請求項１及至８のいずれか１項に記載の薄膜積層配線を備えたことを特徴とする磁気センサ。
12. 請求項１１に記載の磁気センサと磁気媒体とを備えたことを特徴とするエンコーダ。

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