JP2007141481A - Gas discharge display panel - Google Patents

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Inventor
Jun Hashimoto
潤 橋本
Mikihiko Nishitani
幹彦 西谷
Masaharu Terauchi
正治 寺内
Teru Nishitani
輝 西谷
Michiko Okafuji
美智子 岡藤
Yusuke Fukui
裕介 福井
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas discharge display panel capable of realizing excellent sputtering resistance compared with the existing one by reforming a protective layer. <P>SOLUTION: In this PDP1 as an embodiment of this invention, a protective layer 15 has a structure in which noble gas atoms such as Ar and Zn are dispersed into metal oxides such as MgO which serves as a base material. Thereby, the protective layer is reformed, film density and crystalization property are improved to acquire the protective layer with excellent sputtering resistance compared with the conventional constitution. As a result, rise of the discharge starting voltage of PDP can be prevented and service life of the panel can be elongated. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルなどのガス放電表示パネル及びその製造方法に関し、特に保護層の構成及びその形成方法に関する。   The present invention relates to a gas discharge display panel such as a plasma display panel and a method for manufacturing the same, and more particularly to a configuration of a protective layer and a method for forming the protective layer.

ガス放電表示パネルは、ガス放電による紫外線を励起発光させて画像表示する表示装置であり、代表的なパネルとしてプラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」と記す。)がある。PDPは、交流(AC)型と直流(DC)型に大別されるが、AC型が輝度、発光効率、寿命などの点で優れ、広く普及している。   The gas discharge display panel is a display device that displays an image by exciting and emitting ultraviolet rays by gas discharge, and a typical panel is a plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”). PDPs are roughly classified into an alternating current (AC) type and a direct current (DC) type, and the AC type is excellent in terms of luminance, luminous efficiency, life, and the like, and is widely spread.

AC型PDPは、複数の電極(表示電極またはアドレス電極)とこれを覆うように誘電体層を配した2枚の薄いパネルガラス(フロントパネルガラスとバックパネルガラス)の表面を、複数の隔壁を介して対向させ、当該複数の隔壁の間に蛍光体層を配し、マトリクス状に放電セル(サブピクセル)を形成した状態で、両パネルガラスの間に放電ガスを封入した構成を持つ。フロントパネルガラスの表示電極を覆う誘電体層の表面には保護層(膜)が形成される。   The AC type PDP has a plurality of barrier ribs on the surface of two thin panel glasses (front panel glass and back panel glass) with a plurality of electrodes (display electrodes or address electrodes) and a dielectric layer covering the electrodes. And a phosphor layer disposed between the plurality of partition walls, and a discharge cell (subpixel) is formed in a matrix, and a discharge gas is sealed between the two panel glasses. A protective layer (film) is formed on the surface of the dielectric layer covering the display electrodes of the front panel glass.

PDPでは、駆動時にはいわゆるフィールド内時分割階調表示方式に基づき、前記複数の電極に適宜給電して放電ガス中で放電を得ることにより蛍光発光させる。具体的には、PDPの駆動時はまず表示するフレームを複数のサブフレームに分け、各サブフレームをさらに複数の期間に分ける。各サブフレームでは、初期化期間で画面全体の壁電荷を初期化(リセット)した後、アドレス期間で点灯すべき放電セルのみに壁電荷を蓄積させるアドレス放電を行い、その後の放電維持期間ですべての放電セルに対して一斉に交流電圧(サステイン電圧)を印加することによって一定時間放電維持する。PDPで行われる各放電は確率現象に基づいて生じるため、個々の放電セルで放電が発生する率(放電確率と呼ばれる)が基本的にバラツキを有する性質を持つ。したがってこの性質によれば、例えばアドレス放電は、これを実行する印加パルス幅に比例して放電確率を高めることができることになる。   In PDP, based on a so-called time-division gray scale display method in driving, fluorescent light is emitted by appropriately supplying power to the plurality of electrodes to obtain a discharge in a discharge gas. Specifically, when the PDP is driven, a frame to be displayed is first divided into a plurality of subframes, and each subframe is further divided into a plurality of periods. In each subframe, the wall charge of the entire screen is initialized (reset) in the initialization period, and then address discharge is performed so that the wall charge is accumulated only in the discharge cells to be lit in the address period. By simultaneously applying an alternating voltage (sustain voltage) to the discharge cells, discharge is maintained for a certain time. Since each discharge performed in the PDP occurs based on a probability phenomenon, the rate of occurrence of discharge in each discharge cell (called discharge probability) basically has a property of variation. Therefore, according to this property, for example, the address discharge can increase the discharge probability in proportion to the applied pulse width for executing the address discharge.

PDPの一般的な構成については、例えば特許文献1等に開示されている。   A general configuration of the PDP is disclosed in, for example, Patent Document 1 and the like.

ここで、前記フロントパネルガラスの誘電体層を覆う保護層は、誘電体層を放電時のイオン衝撃から保護するために形成され、且つ放電空間に接した陰極電極材料としても機能するので、その膜質が放電特性に大きな影響を与える。当該保護層の材料としては、二次電子放出係数が大きく、これを用いることで放電開始電圧Vfが低減され、且つ耐スパッタ性が高い性能を有していることから、酸化マグネシウム(MgO)が母材として広く用いられている。MgOを用いた保護層は、アドレス期間における放電(以下、「アドレス放電」と記す。)によって生じた電荷を保持して維持期間における放電(以下、「維持放電」と記す。)に寄与させることで放電開始電圧を低減させる効果がある。さらに、2次電子を効率良く放出するのでPDPの駆動に係る消費電力の低減にも有利である。当該保護層は通常、真空蒸着法により0.5〜1μm程度の膜厚に成膜されている。   Here, the protective layer covering the dielectric layer of the front panel glass is formed to protect the dielectric layer from ion bombardment during discharge, and also functions as a cathode electrode material in contact with the discharge space. Film quality has a great influence on discharge characteristics. As the material of the protective layer, since the secondary electron emission coefficient is large and the use thereof, the discharge start voltage Vf is reduced and the sputtering resistance is high, so that magnesium oxide (MgO) is used. Widely used as a base material. The protective layer using MgO retains the charge generated by the discharge in the address period (hereinafter referred to as “address discharge”) and contributes to the discharge in the sustain period (hereinafter referred to as “sustain discharge”). This has the effect of reducing the discharge start voltage. Furthermore, since secondary electrons are efficiently emitted, it is advantageous for reducing power consumption for driving the PDP. The protective layer is usually formed to a thickness of about 0.5 to 1 μm by a vacuum deposition method.

ところで、近年のディスプレイデバイスにおける高精細化・大画面化の傾向に伴い、PDPにおいてもさらに消費電力の低減が臨まれるようになっている。この要望により、保護層においても改質を行い、放電開始電圧Vfを低減することで、消費電力の低減を図る対策がなされている。   By the way, with the recent trend toward higher definition and larger screens in display devices, the power consumption of PDPs has been further reduced. In response to this demand, measures have been taken to reduce power consumption by modifying the protective layer and reducing the discharge start voltage Vf.

具体的には、例えば特許文献2に示すように、保護層の母材であるMgOの結晶に対し、所定濃度の希ガス原子を添加する構成が開示されている。当該構成によれば、駆動中に当該結晶中に含まれた希ガス原子が放電空間中に拡散し、放電空間内に充填された別の希ガス原子の電離を容易化して放電に寄与する、いわゆるペニング効果が発揮される。このような方法によれば、純粋なMgO結晶からなる保護層に比べ、ある程度、放電開始電圧の低減が図れることが明らかになっている。   Specifically, for example, as shown in Patent Document 2, a configuration in which a rare gas atom having a predetermined concentration is added to a MgO crystal that is a base material of a protective layer is disclosed. According to the configuration, the noble gas atoms contained in the crystal are diffused in the discharge space during driving, contributing to the discharge by facilitating the ionization of other noble gas atoms filled in the discharge space. A so-called Penning effect is exhibited. It has been clarified that according to such a method, the discharge start voltage can be reduced to some extent as compared with a protective layer made of pure MgO crystal.

また、特許文献3には、保護層にZnを添加剤として分散させ、保護層の改質を行う技術が開示されている。当該技術によれば、保護層の電子放出特性を向上させることで放電開始電圧を低下させることができるとされている。
特開平9−92133号公報 特開2002−358898号公報 特開2004−241309号公報
Patent Document 3 discloses a technique for modifying a protective layer by dispersing Zn as an additive in the protective layer. According to this technique, it is said that the discharge start voltage can be lowered by improving the electron emission characteristics of the protective layer.
JP-A-9-92133 JP 2002-358898 A JP 2004-241309 A

しかしながら、本発明者らの鋭意検討によれば、上記各種の従来技術を用いても、十分な消費電力の低減効果を図ることは困難であることが分かった。具体的には、PDPの低消費電力化を図るために例えば放電ガス中のXe分圧を高めるという手段が用いられる。そうすることによって発光効率は改善するけれども、その一方で保護層の耐スパッタ性が低下してしまうという問題がある。その結果、保護層の二次電子放出能力が低下し、放電開始電圧が上昇してしまう。したがってより効果的な低消費電力化を実現するには高Xe分圧下において耐スパッタ性が低下しないようにする必要がある。   However, according to the intensive studies by the present inventors, it has been found that it is difficult to achieve a sufficient power consumption reduction effect even if the above-described various conventional techniques are used. Specifically, in order to reduce the power consumption of the PDP, for example, means for increasing the Xe partial pressure in the discharge gas is used. By doing so, the luminous efficiency is improved, but there is a problem that the sputter resistance of the protective layer is lowered. As a result, the secondary electron emission ability of the protective layer is reduced, and the discharge start voltage is increased. Therefore, in order to realize more effective low power consumption, it is necessary to prevent the sputtering resistance from being lowered under a high Xe partial pressure.

本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、従来に比べて保護層の耐スパッタ性を向上させることにより、放電開始電圧の上昇を防ぎ、さらに表示特性の長寿命化を図ることにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to improve the sputtering resistance of the protective layer as compared with the prior art, thereby preventing an increase in the discharge start voltage and further providing a long life of display characteristics. It is to plan.

上記課題を解決するために、本発明は、表面に誘電体層および保護層が順次積層されたパネルを備えるガス放電表示パネルであって、前記保護層は、金属酸化物からなる母材に対し、さらに希ガス原子とZnとが分散されてなる構成とした。   In order to solve the above problems, the present invention provides a gas discharge display panel including a panel having a dielectric layer and a protective layer sequentially laminated on the surface, wherein the protective layer is formed on a base material made of a metal oxide. Furthermore, a configuration in which rare gas atoms and Zn are dispersed is adopted.

ここで前記希ガス原子はAr原子とすることができる。   Here, the rare gas atom may be an Ar atom.

ここで前記Ar原子は、前記母材に対し、10質量ppm以上1000質量ppm以下の割合で分散されてなる。   Here, the Ar atoms are dispersed at a ratio of 10 mass ppm to 1000 mass ppm with respect to the base material.

さらに前記Znは、前記母材に対し、0.005質量%以上20質量%以下の割合で分散されてなる。   Further, the Zn is dispersed at a ratio of 0.005 mass% to 20 mass% with respect to the base material.

また本発明は表面に誘電体層および保護層が順次積層されたパネルを備えるガス放電表示パネルであって、前記保護層は、金属酸化物からなる母材に対し、10質量ppm以上1000質量ppm以下のArが分散されてなる構成を有するものとした。   Further, the present invention is a gas discharge display panel comprising a panel having a dielectric layer and a protective layer sequentially laminated on the surface, wherein the protective layer is 10 mass ppm or more and 1000 mass ppm relative to a base material made of a metal oxide. The following Ar was dispersed.

また本発明は表面に誘電体層および保護層が順次積層されたパネルを備えるガス放電表示パネルであって、前記保護層は、金属酸化物からなる母材に対し、0.005質量%以上20質量%以下のZnが分散されてなる構成を有するものとした。   Further, the present invention is a gas discharge display panel comprising a panel having a dielectric layer and a protective layer sequentially laminated on the surface, wherein the protective layer is 0.005% by mass or more and 20% by mass with respect to a base material made of a metal oxide. It was assumed that the following Zn was dispersed.

ここで前記金属酸化物はMgOとすることができる。   Here, the metal oxide may be MgO.

また、前記保護層の光学屈折率は波長500nmの光に対して1.65以上とすることができる。   The optical refractive index of the protective layer may be 1.65 or more for light having a wavelength of 500 nm.

さらに、前記保護層は(200)に配向しているものとすることができる。   Furthermore, the protective layer may be oriented in (200).

本発明は、ガス放電表示パネルの保護層において、金属酸化物からなる母材に対し、さらに希ガス原子とZnとが分散されてなる構成とすることにより、従来に比べて保護層の耐スパッタ性を向上させることが可能となっている。   The present invention provides a protective layer for a gas discharge display panel in which a rare gas atom and Zn are further dispersed with respect to a base material made of a metal oxide, so that the protective layer has a higher spatter resistance than conventional ones. It is possible to improve the performance.

すなわち、本発明はまず保護層に希ガス原子を含有させることによって圧縮応力が働き、さらにZnを添加することによって保護層の結晶性が向上し、膜密度が増大する。その結果、保護層の耐スパッタ性が向上し、二次電子放出能力の低下を防止することができる。そうすることで、同時にパネルの低消費電力化と長寿命化を実現することができる。   That is, according to the present invention, first, compressive stress acts by adding a rare gas atom to the protective layer, and further, by adding Zn, the crystallinity of the protective layer is improved and the film density is increased. As a result, the sputter resistance of the protective layer is improved, and a reduction in secondary electron emission ability can be prevented. By doing so, low power consumption and long life of the panel can be realized at the same time.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<実施の形態1>
1−1.PDPの構成
図1は、本発明の実施の形態1に係るAC型PDP1の主要構成を示す部分的な断面斜視図である。図中、z方向がPDP1の厚み方向、xy平面がPDP1のパネル面に平行な平面に相当する。PDP1は、ここでは一例として42インチクラスのNTSC仕様に合わせた仕様にしているが、本発明のPDPは、当然ながらXGAやSXGA等、この他の仕様・サイズに適用してもよい。
<Embodiment 1>
1-1. Configuration of PDP FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a main configuration of an AC type PDP 1 according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, the z direction corresponds to the thickness direction of the PDP 1, and the xy plane corresponds to a plane parallel to the panel surface of the PDP 1. Here, the PDP 1 has a specification according to the NTSC specification of the 42-inch class as an example, but the PDP of the present invention may naturally be applied to other specifications and sizes such as XGA and SXGA.

図1に示すように、PDP1の構成は、互いに主面を対向させて配設されたフロントパネル10およびバックパネル16に大別される。   As shown in FIG. 1, the configuration of the PDP 1 is roughly divided into a front panel 10 and a back panel 16 that are disposed with their main surfaces facing each other.

フロントパネル10の基板となるフロントパネルガラス11には、その一方の主面に複数対の表示電極12、13(スキャン電極12、サステイン電極13)が形成されている。各表示電極12、13は、ITOまたはSnO等の透明導電性材料からなる帯状の透明電極120、130(厚さ0.1μm、幅150μm)に対して、Ag厚膜(厚み2μm〜10μm)、アルミニウム(Al)薄膜(厚み0.1μm〜1μm)またはCr/Cu/Cr積層薄膜(厚み0.1μm〜1μm)等からなるバスライン121、131(厚さ7μm、幅95μm)が積層されてなる。このバスライン121、131によって透明電極120、130のシート抵抗が下げられる。 A front panel glass 11 serving as a substrate of the front panel 10 has a plurality of pairs of display electrodes 12 and 13 (scan electrodes 12 and sustain electrodes 13) formed on one main surface thereof. Each of the display electrodes 12 and 13 is made of an Ag thick film (thickness 2 μm to 10 μm) with respect to the strip-shaped transparent electrodes 120 and 130 (thickness 0.1 μm, width 150 μm) made of a transparent conductive material such as ITO or SnO 2. Further, bus lines 121 and 131 (thickness 7 μm, width 95 μm) made of aluminum (Al) thin film (thickness 0.1 μm to 1 μm) or Cr / Cu / Cr laminated thin film (thickness 0.1 μm to 1 μm) are laminated. Become. The sheet resistance of the transparent electrodes 120 and 130 is lowered by the bus lines 121 and 131.

表示電極12、13を配設したフロントパネルガラス11には、当該ガラス11の主面全体にわたって、酸化鉛(PbO)または酸化ビスマス(Bi)または酸化燐(PO)を主成分とする低融点ガラス(厚み20μm〜50μm)の誘電体層14が、マスクスクリーン印刷法等によって形成されている。誘電体層14は、AC型PDP特有の電流制限機能を有しており、DC型PDPに比べて長寿命化を実現する要素になっている。誘電体層14の表面には、厚さ約1.0μmの保護層15がコートされている。 The front panel glass 11 on which the display electrodes 12 and 13 are disposed has lead oxide (PbO), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), or phosphorus oxide (PO 4 ) as a main component over the entire main surface of the glass 11. A dielectric layer 14 of low melting point glass (thickness 20 μm to 50 μm) is formed by a mask screen printing method or the like. The dielectric layer 14 has a current limiting function peculiar to the AC type PDP, and is an element that realizes a longer life than the DC type PDP. The surface of the dielectric layer 14 is coated with a protective layer 15 having a thickness of about 1.0 μm.

ここで、本実施の形態1の特徴は保護層15の構成にあるが、これについては詳細を後述する。   Here, the feature of the first embodiment is the structure of the protective layer 15, which will be described in detail later.

バックパネル16の基板となるバックパネルガラス17には、その一方の主面にAg厚膜(厚み2μm〜10μm)、アルミニウム(Al)薄膜(厚み0.1μm〜1μm)またはCr/Cu/Cr積層薄膜(厚み0.1μm〜1μm)等からなる幅60μmの複数のアドレス電極18が、x方向を長手方向としてy方向に一定間隔毎(360μm)でストライプ状に並設され、このアドレス電極18を内包するようにバックパネルガラス17の全面にわたって厚さ30μmの誘電体膜19がコートされている。   A back panel glass 17 serving as a substrate of the back panel 16 has an Ag thick film (thickness 2 μm to 10 μm), an aluminum (Al) thin film (thickness 0.1 μm to 1 μm), or a Cr / Cu / Cr laminate on one main surface. A plurality of address electrodes 18 having a width of 60 μm made of a thin film (thickness 0.1 μm to 1 μm) and the like are arranged in parallel in stripes at regular intervals (360 μm) in the y direction with the x direction as a longitudinal direction. A dielectric film 19 having a thickness of 30 μm is coated over the entire surface of the back panel glass 17 so as to be enclosed.

誘電体膜19の上には、さらに隣接するアドレス電極18の間隙に合わせて隔壁20(高さ約150μm、幅40μm)が配設され、隣接する隔壁20によってセルSUが区画され、x方向での誤放電や光学的クロストークの発生を防ぐ役割をしている。そして隣接する2つの隔壁20の側面とその間の誘電体膜19の面上には、カラー表示のための赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のそれぞれに対応する蛍光体層21〜23が形成されている。   On the dielectric film 19, a partition wall 20 (height of about 150 μm and width of 40 μm) is further arranged in accordance with the gap between the adjacent address electrodes 18, and the cell SU is partitioned by the adjacent partition wall 20, and in the x direction. It serves to prevent the occurrence of erroneous discharge and optical crosstalk. The phosphor layers 21 corresponding to red (R), green (G), and blue (B) for color display are formed on the side surfaces of the two adjacent barrier ribs 20 and the surface of the dielectric film 19 therebetween. To 23 are formed.

なお、誘電体膜19を用いずにアドレス電極18を直接蛍光体層21〜23で内包するようにしてもよい。   The address electrode 18 may be directly enclosed by the phosphor layers 21 to 23 without using the dielectric film 19.

フロントパネル10とバックパネル16は、アドレス電極18と表示電極12、13の互いの長手方向が直交するように対向させながら配置され、両パネル10、16の外周縁部をガラスフリットで封着されている。この両パネル10、16間にはHe、Xe、Neなどの不活性ガス成分からなる放電ガス(封入ガス)が所定の圧力(通常53.2kPa〜79.8kPa程度)で封入されている。   The front panel 10 and the back panel 16 are arranged so that the longitudinal directions of the address electrodes 18 and the display electrodes 12 and 13 are orthogonal to each other, and the outer peripheral edges of the panels 10 and 16 are sealed with glass frit. ing. A discharge gas (filled gas) made of an inert gas component such as He, Xe, or Ne is sealed between the panels 10 and 16 at a predetermined pressure (usually about 53.2 kPa to 79.8 kPa).

隣接する隔壁20間は放電空間24であり、隣り合う一対の表示電極12、13と1本のアドレス電極18が放電空間24を挟んで交叉する領域が、画像表示にかかるセル(「サブピクセル」とも言う。)SUに対応する。セルピッチはx方向が1080μm、y方向が360μmである。隣り合うRGB3つのセルSUで1画素(1080μm×1080μm)が構成される。   A space between adjacent barrier ribs 20 is a discharge space 24. A region where a pair of adjacent display electrodes 12 and 13 and one address electrode 18 intersect with each other across the discharge space 24 is a cell (“subpixel”) for image display. Also called.) Corresponds to SU. The cell pitch is 1080 μm in the x direction and 360 μm in the y direction. One pixel (1080 μm × 1080 μm) is composed of three adjacent RGB cells SU.

1−2.PDPの駆動方法について
上記構成のPDP1は、不図示の駆動部によって、一対の表示電極12、13の間隙には数十kHz〜数百kHzのAC電圧が印加されることにより、セルSU内で放電を発生させ、励起されたXe原子からの紫外線によって蛍光体層21〜23を励起し可視光発光するように駆動される。
1-2. Driving method of PDP In the PDP 1 having the above-described configuration, an AC voltage of several tens to several hundreds of kHz is applied to the gap between the pair of display electrodes 12 and 13 by a driving unit (not illustrated). A discharge is generated in the cell SU, and the phosphor layers 21 to 23 are excited by ultraviolet rays from the excited Xe atoms to emit visible light.

その駆動方法例としては、いわゆるフィールド内時分割階調表示方式がある。当該方式は、表示するフィールドを複数のサブフィールドに分け、各サブフィールドをさらに複数の期間に分ける。各サブフィールドでは、初期化期間で画面全体の壁電荷を初期化(リセット)した後、アドレス期間で点灯すべき放電セルのみに壁電荷を蓄積させるアドレス放電を行い、その後の放電維持期間ですべての放電セルに対して一斉に交流電圧(サステイン電圧)を印加することによって一定時間放電維持することで発光表示するものである。   As an example of the driving method, there is a so-called in-field time division gradation display method. In this method, a field to be displayed is divided into a plurality of subfields, and each subfield is further divided into a plurality of periods. In each subfield, the wall charge of the entire screen is initialized (reset) in the initialization period, and then address discharge is performed to accumulate wall charges only in the discharge cells to be lit in the address period. By applying an alternating voltage (sustain voltage) to all the discharge cells all at once, the discharge is maintained for a certain period of time to display light.

この駆動時において、前記駆動部では、各セルでの発光をON/OFFの2値制御によって階調表現するために、外部からの入力画像である時系列の各フィールドFを、例えば6個のサブフィールドに分割する。各サブフィールドにおける輝度の相対比率が例えば1:2:4:8:16:32となるように重み付けをして、各サブフィールドのサステイン(維持放電)の発光回数を設定する。   At the time of this driving, in order to represent the gradation of light emission in each cell by binary control of ON / OFF in the driving unit, each time-series field F that is an input image from the outside is, for example, six Divide into subfields. Weighting is performed so that the relative ratio of luminance in each subfield is, for example, 1: 2: 4: 8: 16: 32, and the number of times of sustain (sustain discharge) emission is set in each subfield.

ここで図2は、本PDP1の駆動波形プロセスの一例である。当図2ではフィールド中の第m番目のサブフィールドの駆動波形を示している。当図2が示すように、各サブフィールドには、初期化期間、アドレス期間、放電維持期間、消去期間がそれぞれ割り当てられる。   Here, FIG. 2 is an example of a drive waveform process of the PDP 1. FIG. 2 shows the drive waveform of the mth subfield in the field. As shown in FIG. 2, an initialization period, an address period, a discharge sustain period, and an erase period are allocated to each subfield.

初期化期間とは、それ以前のセルの点灯による影響(蓄積された壁電荷による影響)を防ぐため、画面全体の壁電荷の消去(初期化放電)を行う期間である。当図2に示す波形例では、すべての表示電極12、13に放電開始電圧Vfを超える正極性の下りランプ波形のリセットパルスを印加する。これとともに、バックパネル16側の帯電とイオン衝撃を防ぐために、すべてのアドレス電極18に正極性パルスを印加する。印加パルスの立ち上がりと立ち下がりの差動電圧によって、すべてのセルで弱い面放電である初期化放電が生じ、すべてのセルにおいて壁電荷が蓄積され、画面全体が一様な帯電状態となる。   The initialization period is a period in which the wall charges of the entire screen are erased (initialization discharge) in order to prevent the influence of the previous lighting of the cells (the influence of the accumulated wall charges). In the waveform example shown in FIG. 2, a reset pulse having a positive ramp-down waveform exceeding the discharge start voltage Vf is applied to all the display electrodes 12 and 13. At the same time, a positive pulse is applied to all address electrodes 18 in order to prevent charging and ion bombardment on the back panel 16 side. Due to the differential voltage between the rising and falling edges of the applied pulse, an initializing discharge, which is a weak surface discharge, is generated in all cells, wall charges are accumulated in all cells, and the entire screen is uniformly charged.

アドレス期間は、サブフィールドに分割された画像信号に基づいて選択されたセルのアドレッシング(点灯/不点灯の設定)を行う期間である。当該期間では、スキャン電極12を接地電位に対して正電位にバイアスし、すべてのサステイン電極13を負電位にバイアスする。この状態で、パネル上部最先におけるライン(一対の表示電極に対応する横一列のセル)から1ラインずつ順に各ラインを選択し、該当するスキャン電極12に負極性のスキャンパルスを印加する。また、点灯すべきセルに対応したアドレス電極18に対して、正極性のアドレスパルスを印加する。これにより前記初期化期間での弱い面放電を受け継ぎ、点灯すべきセルのみでアドレス放電が行われ、壁電荷が蓄積される。   The address period is a period for performing addressing (setting of lighting / non-lighting) of a cell selected based on the image signal divided into subfields. In this period, the scan electrode 12 is biased to a positive potential with respect to the ground potential, and all the sustain electrodes 13 are biased to a negative potential. In this state, each line is selected one by one from the line at the top of the panel (cells in a horizontal row corresponding to a pair of display electrodes), and a negative scan pulse is applied to the corresponding scan electrode 12. Further, a positive address pulse is applied to the address electrode 18 corresponding to the cell to be lit. As a result, the weak surface discharge in the initialization period is inherited, address discharge is performed only in the cells to be lit, and wall charges are accumulated.

放電維持期間は、階調準位に応じた輝度を確保するために、アドレス放電により設定された点灯状態を拡大して放電維持する期間である。ここでは不要の放電を防止するため、全てのアドレス電極18を正極性の電位にバイアスし、全てのサステイン電極13に正極性のサステインパルスを印加する。その後、スキャン電極12とサステイン電極13とに対して交互にサステインパルスを印加し、所定期間放電を繰り返す。   The discharge sustaining period is a period in which the lighting state set by the address discharge is expanded and the discharge is maintained in order to ensure the luminance according to the gradation level. Here, in order to prevent unnecessary discharge, all the address electrodes 18 are biased to a positive potential, and a positive sustain pulse is applied to all the sustain electrodes 13. Thereafter, a sustain pulse is alternately applied to the scan electrode 12 and the sustain electrode 13, and the discharge is repeated for a predetermined period.

消去期間では、スキャン電極12に漸減パルスを印加し、これによって壁電荷を消去させる。   In the erasing period, a gradual decrease pulse is applied to the scan electrode 12, thereby erasing the wall charges.

なお初期化期間およびアドレス期間の長さは、輝度の重みに関わらず一定であるが、放電維持期間の長さは輝度の重みが大きいほど長い。つまり、各サブフィールドの表示期間の長さは互いに異なる。   Note that the length of the initialization period and the address period is constant regardless of the luminance weight, but the length of the discharge sustain period is longer as the luminance weight is larger. That is, the length of the display period of each subfield is different from each other.

PDP1ではサブフィールドで行われる各放電によって、Xeに起因する147nmに鋭いピークを有する共鳴線と、173nmを中心とする分子線からなる真空紫外線が発生する。この真空紫外線が各蛍光体層21〜23に照射され、可視光が発生する。そして、RGB各色ごとのサブフィールド単位の組み合わせにより、多色・多階調表示がなされる。   In PDP 1, each discharge performed in the subfield generates a vacuum ultraviolet ray composed of a resonance line having a sharp peak at 147 nm caused by Xe and a molecular beam centered at 173 nm. This vacuum ultraviolet ray is irradiated to each phosphor layer 21 to 23 to generate visible light. Then, multi-color / multi-gradation display is performed by a combination of sub-field units for each color of RGB.

ここにおいて、本発明の特徴は保護層15の構成にある。本実施の形態におけるPDP1は、保護層15として、母材となる金属酸化物に対し、さらに希ガス原子とZnを分散させた構造を持つ。   Here, the feature of the present invention is the structure of the protective layer 15. The PDP 1 in the present embodiment has a structure in which a rare gas atom and Zn are further dispersed as a protective layer 15 in a metal oxide serving as a base material.

このような保護層の構成とすることによって、当該保護層の改質を行い、結晶性および膜密度の向上を図ることで、従来構成に比べて耐スパッタ性の向上効果が得られ、結果として、PDPの低消費電力化および長寿命化が実現されるようになっている。   By adopting such a protective layer structure, the protective layer is modified and the crystallinity and film density are improved, so that the effect of improving the sputtering resistance can be obtained compared to the conventional structure. Thus, low power consumption and long life of the PDP are realized.

<実施の形態1の特徴および効果について>
PDPの消費電力の低減対策とする保護層の改質については、特許文献2〜3等に記載されているように、電子放出特性の向上による放電開始電圧の低減などの対策が講じられているが、発光効率を向上させるために放電ガス中のXe分圧を増大させると、耐スパッタ性の問題からいずれも有効な効果が得難い実情にある。これに対し本発明では、保護層に希ガス原子とZnを分散させることによって、後述の図3に示すように従来に比べてに耐スパッタ性を向上させることが可能となっている。
<Features and effects of the first embodiment>
Regarding the modification of the protective layer as a measure for reducing the power consumption of the PDP, as described in Patent Documents 2 to 3 and the like, measures such as reduction of the discharge start voltage by improving the electron emission characteristics are taken. However, if the Xe partial pressure in the discharge gas is increased in order to improve the luminous efficiency, it is difficult to obtain any effective effect due to the problem of sputtering resistance. On the other hand, in the present invention, by dispersing rare gas atoms and Zn in the protective layer, it is possible to improve the sputtering resistance as compared with the prior art as shown in FIG.

このような性能が得られる理由としては、本発明は保護層に添加された希ガス原子とZnが保護層におけるMgOの結晶構造に分散された状態を維持することにある。具体的には、分散された希ガス原子により膜に圧縮応力が働いて膜密度が増大することと、MgサイトにZnが置換されることにより、結晶の配向が(111)から(200)に変化し結晶性が向上することとの相乗効果により、耐スパッタ性の大幅な向上が図れるものと考えられる。   The reason why such performance is obtained is that the present invention maintains a state in which the rare gas atoms and Zn added to the protective layer are dispersed in the MgO crystal structure in the protective layer. Specifically, the compressive stress is applied to the film by the dispersed rare gas atoms to increase the film density, and the Zn is substituted at the Mg site, so that the crystal orientation is changed from (111) to (200). It is considered that the sputter resistance can be greatly improved by a synergistic effect with the change and the crystallinity.

(保護層の形成方法について)
ここでは、本実施の形態に係る保護層15の形成方法の一例について説明する。
(Regarding the method of forming the protective layer)
Here, an example of a method for forming the protective layer 15 according to the present embodiment will be described.

先ず、形成された誘電体層13の表面をターゲットとし、当該表面に成膜を行う方法として、電子ビーム(EB)蒸着法を用いる。成膜に用いる蒸着源としては、例えばペレット状または粉末状のMgO、もしくはその焼結体を用いる。Znを添加する方法はペレット状のMgOに対し、ペレット状または粉末状のZn化合物を混合したものを用いるか、粉末状のMgOと粉末状のZn化合物とを混合したもの、あるいはその混合物の焼結体を用いる。このときのZn化合物の濃度は0.005質量%〜20質量%とした。   First, as a method for forming a film on the surface of the formed dielectric layer 13 as a target, an electron beam (EB) vapor deposition method is used. As a vapor deposition source used for film formation, for example, pellet-shaped or powder-shaped MgO or a sintered body thereof is used. As a method for adding Zn, a pellet-like MgO mixed with a pellet- or powder-like Zn compound, a mixture of powder-like MgO and a powder-like Zn compound, or a mixture thereof is calcined. Use a knot. At this time, the concentration of the Zn compound was set to 0.005 mass% to 20 mass%.

そして酸素雰囲気中において、ピアス式電子ビームガンを加熱源として上記蒸着源を加熱することで保護層を形成する。ここで保護層に希ガス原子を添加させる方法としては、基板表面に希ガスイオンを照射しながら上述したように蒸着源を加熱し成膜を行う。   And in an oxygen atmosphere, the said vapor deposition source is heated by using a Pierce type electron beam gun as a heating source, and a protective layer is formed. Here, as a method of adding rare gas atoms to the protective layer, the deposition source is heated to form a film as described above while irradiating the substrate surface with rare gas ions.

なお、このとき成膜時の電子ビーム電流量、酸素分圧量、基板温度等は直接本発明の構成に影響を及ぼすことがないため、従来の設定条件に適応させることが可能となる。   At this time, the amount of electron beam current, the amount of oxygen partial pressure, the substrate temperature, etc. at the time of film formation do not directly affect the configuration of the present invention, and can be adapted to conventional setting conditions.

また、上記成膜方法としては、電子ビーム蒸着法に限らず、スパッタ法、イオンプレーティング法などを用いても構わない。   The film forming method is not limited to the electron beam evaporation method, and a sputtering method, an ion plating method, or the like may be used.

(本実施の形態に関する比較実験及び実験結果について)
次に、本発明の実施例を作製し、当該実施例を比較例とともに性能比較実験した。この実験結果について以下に説明する。
(Comparative experiment and experimental results regarding this embodiment)
Next, an example of the present invention was prepared, and a performance comparison experiment was performed on the example together with a comparative example. The experimental results will be described below.

各種実施例、比較例における保護層の構成は以下の通りとした。   The structure of the protective layer in various Examples and Comparative Examples was as follows.

(比較例):MgOからなる母材に対して、希ガス原子やZnなどの不純物添加を行わない保護層を構成した。   (Comparative Example): A protective layer in which impurities such as rare gas atoms and Zn were not added to a base material made of MgO was formed.

(実施例1):MgOからなる母材に対して、Ar原子が200質量ppmで添加された保護層を構成した。   Example 1 A protective layer in which Ar atoms were added at 200 ppm by mass with respect to a base material made of MgO was formed.

(実施例2):MgOからなる母材に対して、Ar原子が200質量ppm、Znが0.5質量%添加された保護層を用いた。   (Example 2): A protective layer in which 200 mass ppm of Ar atoms and 0.5 mass% of Zn were added to a base material made of MgO was used.

(実施例3):MgOからなる母材に対して、Ar原子が200質量ppm、Znが1質量%添加された保護層を用いた。   Example 3 A protective layer in which 200 mass ppm of Ar atoms and 1 mass% of Zn were added to a base material made of MgO was used.

(実施例4):MgOからなる母材に対して、Ar原子が200質量ppm、Znが3質量%添加された保護層を用いた。   (Example 4) A protective layer in which 200 mass ppm of Ar atoms and 3 mass% of Zn were added to a base material made of MgO was used.

(実施例5):MgOからなる母材に対して、Ar原子が200質量ppm、Znが5質量%添加された保護層を用いた。   Example 5 A protective layer in which 200 mass ppm of Ar atoms and 5 mass% of Zn were added to a base material made of MgO was used.

(実施例6):MgOからなる母材に対して、Ar原子が200質量ppm、Znが10質量%添加された保護層を用いた。   (Example 6): A protective layer in which 200 mass ppm of Ar atoms and 10 mass% of Zn were added to a base material made of MgO was used.

(実施例7):MgOからなる母材に対して、Ar原子が200質量ppm、Znが15質量%添加された保護層を用いた。   (Example 7): A protective layer in which 200 mass ppm of Ar atoms and 15 mass% of Zn were added to a base material made of MgO was used.

まず、比較例、実施例1、および実施例3に対して、耐スパッタ性の評価を行った。実験方法としては、各試料をワックスを用いて6インチウェハ上に固定し、Arイオンエッチング装置の電極上に設置する。そして、チャンバ内を排気した後、Arガスを100sccm導入し圧力が0.67Paになるように調整する。その状態でICPおよび電極にそれぞれ700Wおよび300WのRF電力を印加して5分間エッチングを行う。このようにして得られた各試料の単位時間当たりのスパッタ量(スパッタレート)を図3に示す。   First, the sputter resistance of the comparative example, example 1, and example 3 was evaluated. As an experimental method, each sample is fixed on a 6-inch wafer using wax and placed on an electrode of an Ar ion etching apparatus. Then, after evacuating the chamber, Ar gas is introduced at 100 sccm and the pressure is adjusted to 0.67 Pa. In this state, 700 W and 300 W RF power is applied to the ICP and the electrodes, respectively, and etching is performed for 5 minutes. FIG. 3 shows the spatter amount (sputter rate) per unit time of each sample thus obtained.

この図から分かるように、Ar原子やZnを添加していないMgO(比較例)のスパッタレートは32.0nm/sであるのに対して、Ar原子を200質量ppm含むMgO(実施例1)のスパッタレートは23.5nm/s、Ar原子を200質量ppm、Znを1質量%含むMgO(実施例3)のスパッタレートは18.6nm/sとなりいずれも比較例に比べて耐スパッタ性が向上した。すなわち、MgO膜にArを添加することによって耐スパッタ性を改善することができ、そこにさらにZnを添加することによって更なる耐スパッタ性の向上を図ることができた。   As can be seen from this figure, MgO containing no Ar atoms or Zn (comparative example) has a sputter rate of 32.0 nm / s, whereas MgO containing 200 ppm by mass of Ar atoms (Example 1) The sputtering rate of 23.5 nm / s, MgO containing 200 mass ppm of Ar atoms and 1 mass% of Zn (Example 3) is 18.6 nm / s, both of which have higher sputtering resistance than the comparative example. Improved. That is, the sputtering resistance can be improved by adding Ar to the MgO film, and the sputtering resistance can be further improved by further adding Zn thereto.

次に、比較例、実施例1、および実施例3〜5に対して、分光エリプソメトリ装置を用いて屈折率の測定を行った。ここで、膜密度と屈折率に、
n = (1−p)nν+ pns (n:膜の屈折率、 nν:空隙の屈折率、 ns:バルクの屈折率、 p:膜密度)
で表される関係があることが知られている。
Next, the refractive index of the comparative example, example 1, and examples 3 to 5 was measured using a spectroscopic ellipsometer. Here, the film density and refractive index are
n = (1−p) nν + pns (n: refractive index of film, nν: refractive index of void, ns: refractive index of bulk, p: film density)
It is known that there is a relationship represented by

上記の関係によれば、緻密な膜ほど屈折率が高くなるので、大きい屈折率を有する膜ほど耐スパッタ性が優れていることが言える。ここで各試料の屈折率のデータを図4に示す。   According to the above relationship, the denser the film, the higher the refractive index. Therefore, it can be said that the film having a larger refractive index has better sputter resistance. Here, the refractive index data of each sample is shown in FIG.

この図から分かるように、Ar原子やZnを添加していないMgO(比較例)の屈折率は1.610であるのに対して、Ar原子を200質量ppm含むMgO(実施例1)の屈折率は1.695となった。そこにさらにZnを所定量添加したMgO(実施例3〜5)の屈折率はそれぞれ1.703、1.711、および1.707となった。すなわちMgO膜にArを添加することによって膜密度を改善することができ、そこにさらにZnを添加することによって更なる膜密度の向上が図られることが分かった。これらの結果より、耐スパッタ性を向上するためには,屈折率は1.65以上であることが必要である。また、屈折率が大きくなりすぎる、すなわち膜密度が大きくなりすぎると膜の空隙率が小さくなり、柱状構造であるMgO膜の表面積が小さくなってしまうことから電子放出能力が低下することが予測される。したがって、屈折率は2.00以下であることが望ましい。   As can be seen from this figure, the refractive index of MgO not added with Ar atoms or Zn (comparative example) is 1.610, whereas the refractive index of MgO containing 200 mass ppm of Ar atoms (Example 1). The rate was 1.695. The refractive indexes of MgO (Examples 3 to 5) to which a predetermined amount of Zn was further added were 1.703, 1.711, and 1.707, respectively. That is, it has been found that the film density can be improved by adding Ar to the MgO film, and the film density can be further improved by further adding Zn thereto. From these results, in order to improve the sputtering resistance, the refractive index needs to be 1.65 or more. In addition, if the refractive index is too high, that is, if the film density is too high, the porosity of the film is reduced, and the surface area of the MgO film, which is a columnar structure, is reduced. The Therefore, the refractive index is desirably 2.00 or less.

次に、比較例、および実施例1〜7に対してX線回折(XRD)測定を実施し、結晶性の評価を行った。得られた各試料のXRDパターンを図5(a)〜(h)に示す。まず、図5(a)と図5(b)では、36.9°と78.6°にピークが現れており、これはそれぞれ(111)および(222)のピークである。これに対し、図5(c)〜(h)では、42.9°にピークが現れており、これは(200)のピークである。ここで図6に比較例、および各実施例のピーク強度のグラフを示す。図6から、Znの濃度が高くなるにつれてピーク強度が強くなることがわかる。このことからZn添加により結晶性が良化していると考えられる。   Next, X-ray diffraction (XRD) measurement was performed on the comparative example and Examples 1 to 7, and the crystallinity was evaluated. The XRD patterns of the obtained samples are shown in FIGS. First, in FIGS. 5A and 5B, peaks appear at 36.9 ° and 78.6 °, which are peaks at (111) and (222), respectively. On the other hand, in FIGS. 5C to 5H, a peak appears at 42.9 °, which is the peak of (200). Here, FIG. 6 shows a graph of the peak intensity of the comparative example and each example. FIG. 6 shows that the peak intensity increases as the Zn concentration increases. From this, it is considered that the crystallinity is improved by the addition of Zn.

以上の実験結果を踏まえると、MgOに所定量のZnを含有させると結晶の配向が(111)から充填率の高い(200)に変化し、その結果として膜密度が高くなることで耐スパッタ性が向上したものと考えられる。また、MgOに所定量のArを添加することで膜に圧縮応力が働き、膜密度が高くなって同様に耐スパッタ性が向上する。さらに、MgOにZnとArをそれぞれ所定量だけ含有させることによって、それぞれの効果が重なって現れ、非常に優れた耐スパッタ性を有する保護層を実現することが出来る。   Based on the above experimental results, when a predetermined amount of Zn is added to MgO, the crystal orientation changes from (111) to (200) with a high filling rate, and as a result, the film density increases, thereby increasing the sputtering resistance. Is considered to have improved. Further, by adding a predetermined amount of Ar to MgO, a compressive stress acts on the film, the film density is increased, and the sputtering resistance is similarly improved. Furthermore, when MgO contains Zn and Ar in a predetermined amount, the effects of the two layers appear and a protective layer having very excellent sputtering resistance can be realized.

次に、本発明において必要なAr原子とZnの添加量について具体的に説明する。   Next, the addition amount of Ar atoms and Zn necessary in the present invention will be specifically described.

<酸化マグネシウムに対するAr原子とZnの添加量について>
次に、本願発明者らが本発明の効果を有効に得られる保護層の成分について検討した結果を示す。
<Addition amounts of Ar atom and Zn to magnesium oxide>
Next, the results of the study of the components of the protective layer by which the inventors of the present application can effectively obtain the effects of the present invention will be shown.

ここで、保護層15中のAr原子の含有量については、ラザフォード後方散乱法(RBS;Rutherford Backward Scatting)によって調べることができる。   Here, the content of Ar atoms in the protective layer 15 can be examined by a Rutherford backscattering method (RBS; Rutherford Backward Scattering).

一方、上記保護層15中のZnの含有量は二次イオン質量分析法(SIMS;Secondary Ion Mass Spectrometry)によって調べることができる。   Meanwhile, the Zn content in the protective layer 15 can be examined by secondary ion mass spectrometry (SIMS).

まずRBSに基づき調査したところ、酸化マグネシウムに対しAr原子の添加量範囲は、10質量ppm以上1000質量ppm以下が望ましいことが分かった。   First, an investigation based on RBS revealed that the range of the amount of Ar atoms added to magnesium oxide is preferably 10 ppm by mass to 1000 ppm by mass.

なおAr含有量が10質量ppmより少ない場合では、膜に働く圧縮応力が小さく、膜密度の増大効果が非常に小さくなってしまうことが分かった。反対に、Ar含有量が1000質量ppmより大きくなると、保護層の結晶性に悪影響を及ぼすことが明らかになった。このことから、Ar含有量が所定の範囲にない場合は、保護膜としての耐スパッタ性が向上しない、もしくは逆に低下してしまう。   In addition, when Ar content was less than 10 mass ppm, it turned out that the compressive stress which acts on a film | membrane is small and the increase effect of a film | membrane density will become very small. On the contrary, it has been clarified that when the Ar content exceeds 1000 mass ppm, the crystallinity of the protective layer is adversely affected. For this reason, when the Ar content is not within the predetermined range, the sputtering resistance as the protective film is not improved, or conversely decreases.

一方、SIMSに基づき調査したところ、添加すべきZnの添加量範囲としては、0.005質量%以上20質量%以下の範囲が望ましいことが分かった。   On the other hand, as a result of investigation based on SIMS, it was found that the range of the addition amount of Zn to be added is preferably 0.005 mass% or more and 20 mass% or less.

またこの場合において、Zn含有量が0.005質量%より小さくなると、Znの添加効果が非常に小さくなるので望ましくない。反対に、Znの添加量が20質量%より大きくなると、Ar原子の場合と同様に保護層の結晶性に悪影響を及ぼしてしまうので、これも望ましくない。このことから、Zn含有量が所定の範囲にない場合は、保護膜としての耐スパッタ性が向上しない、もしくは逆に低下してしまう。   In this case, if the Zn content is less than 0.005% by mass, the effect of adding Zn becomes very small, which is not desirable. On the other hand, if the amount of Zn added is greater than 20% by mass, the crystallinity of the protective layer is adversely affected as in the case of Ar atoms, which is also undesirable. For this reason, when the Zn content is not within the predetermined range, the sputtering resistance as the protective film is not improved, or conversely decreases.

本発明のガス放電表示パネルは、例えば交通機関・公共施設或いは家庭用のテレビジョン装置に用いられるPDPを用いた表示装置等に利用することが可能である。   The gas discharge display panel of the present invention can be used for a display device using a PDP used in, for example, a transportation facility, public facility, or home television device.

実施の形態1におけるPDPの構成を模式的に示す断面斜視図Sectional perspective view which shows typically the structure of PDP in Embodiment 1. FIG. PDPの駆動プロセス例を示す図A diagram showing an example of a PDP driving process 保護層の耐スパッタ性についてのデータを示すグラフGraph showing data on the sputter resistance of the protective layer 保護層の屈折率についてのデータを示すグラフGraph showing data on the refractive index of the protective layer 保護層のX線回折パターンについてのデータを示す図The figure which shows the data about the X-ray diffraction pattern of the protective layer 保護層のX線回折ピーク強度についてのデータを示すグラフGraph showing data on X-ray diffraction peak intensity of protective layer

符号の説明Explanation of symbols

1 PDP
10 フロントパネル
12 スキャン電極
13 サステイン電極
15 保護層
18 アドレス電極
1 PDP
10 Front Panel 12 Scan Electrode 13 Sustain Electrode 15 Protective Layer 18 Address Electrode

Claims (9)

表面に誘電体層および保護層が順次積層されたパネルを備えるガス放電表示パネルであって、
前記保護層は、金属酸化物からなる母材に対し、さらに希ガス原子とZnとが分散されてなるガス放電表示パネル。
A gas discharge display panel comprising a panel in which a dielectric layer and a protective layer are sequentially laminated on the surface,
The protective layer is a gas discharge display panel in which a rare gas atom and Zn are further dispersed in a base material made of a metal oxide.
前記希ガス原子はAr原子である請求項1に記載のガス放電表示パネル。 The gas discharge display panel according to claim 1, wherein the rare gas atom is an Ar atom. 前記Ar原子は母材に対し、10質量ppm以上1000質量ppm以下の割合で含有される請求項2に記載のガス放電表示パネル。 The gas discharge display panel according to claim 2, wherein the Ar atoms are contained in a proportion of 10 mass ppm to 1000 mass ppm with respect to the base material. 前記Znは母材に対し、0.005質量%以上20質量%以下の割合で含有される請求項1に記載のガス放電表示パネル。 2. The gas discharge display panel according to claim 1, wherein the Zn is contained in a proportion of 0.005 mass% to 20 mass% with respect to the base material. 表面に誘電体層および保護層が順次積層されたパネルを備えるガス放電表示パネルであって、
前記保護層は、金属酸化物からなる母材に対し、10質量ppm以上1000質量ppm以下のArが分散されてなるガス放電表示パネル。
A gas discharge display panel comprising a panel in which a dielectric layer and a protective layer are sequentially laminated on the surface,
The protective layer is a gas discharge display panel in which Ar of 10 mass ppm to 1000 mass ppm is dispersed with respect to a base material made of a metal oxide.
表面に誘電体層および保護層が順次積層されたパネルを備えるガス放電表示パネルであって、
前記保護層は、金属酸化物からなる母材に対し、0.005質量%以上20質量%以下のZnが分散されてなるガス放電表示パネル。
A gas discharge display panel comprising a panel in which a dielectric layer and a protective layer are sequentially laminated on the surface,
The protective layer is a gas discharge display panel in which 0.005% by mass or more and 20% by mass or less of Zn is dispersed in a base material made of a metal oxide.
前記金属酸化物はMgOである請求項1から6のいずれかに記載のガス放電表示パネル。 The gas discharge display panel according to claim 1, wherein the metal oxide is MgO. 前記保護層の光学屈折率が波長500nmの光に対して1.65以上である請求項1から7に記載のガス放電表示パネル。 8. The gas discharge display panel according to claim 1, wherein the protective layer has an optical refractive index of 1.65 or more with respect to light having a wavelength of 500 nm. 前記保護層は(200)に配向している請求項1,2,3、4、6、7の何れかに記載のガス放電表示パネル。 The gas discharge display panel according to any one of claims 1, 2, 3, 4, 6, and 7, wherein the protective layer is oriented in (200).
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