JP2007136557A - カーボン・ナノ・チューブ配線、カーボン・ナノ・チューブの析出装置、半導体素子、カーボン・ナノ・チューブの配線方法、探針 - Google Patents
カーボン・ナノ・チューブ配線、カーボン・ナノ・チューブの析出装置、半導体素子、カーボン・ナノ・チューブの配線方法、探針 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】カーボン・ナノ・チューブの配線等への利用を容易にすることを可能とする。
【解決手段】固液界面接触分解法によるカーボン・ナノ・チューブの析出装置1において、シリコン基板7の表面に一対の電極9,11を局部接触させ、電極9,11間の通電により加熱しシリコン基板7上で少なくとも一対の針状炭素27,29の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31を析出させ、両端に針状炭素27,29を備えたカーボン・ナノ・チューブ31を容易に得ることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】固液界面接触分解法によるカーボン・ナノ・チューブの析出装置1において、シリコン基板7の表面に一対の電極9,11を局部接触させ、電極9,11間の通電により加熱しシリコン基板7上で少なくとも一対の針状炭素27,29の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31を析出させ、両端に針状炭素27,29を備えたカーボン・ナノ・チューブ31を容易に得ることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、カーボン・ナノ・チューブ配線、カーボン・ナノ・チューブの析出装置、半導体素子、カーボン・ナノ・チューブの配線方法、探針に関する。
カーボン・ナノ・チューブ(CNT)は、炭素原子でできた直径数ナノメートルの円筒状の構造を持つ超微細材でサイズの微小さそのものの特徴に加え、優れた機械強度と電気導電性とを有する。これらの有効性から従来の金属では限界が近い集積回路における微細化配線としての電子デバイスへの応用が期待される。 このCNTを電子デバイスの配線として利用するためには、配線技術が必要となる。一方、CNTは、実際には一本だけ生成されるのではなく多くのナノチューブが不規則に生成されるため、そのままでは利用するのが困難である。
解決しようとする問題点は、カーボン・ナノ・チューブの配線等への利用に困難を伴う点である。
本発明は、カーボン・ナノ・チューブの配線等への利用を容易にするため、一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを備えたことを最も主要な特徴とする。
本発明のカーボン・ナノ・チューブ配線では、一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを備えたため、両端の針状炭素が端子部となり、配線等が容易となる。
本発明のカーボン・ナノ・チューブの析出装置は、基板の表面に一対の電極を局部接触させ、前記電極間の通電により加熱し基板上で少なくとも一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを析出させたため、両端に針状炭素を備えたカーボン・ナノ・チューブを容易に得ることができる。
本発明のカーボン・ナノ・チューブの析出装置は、基板の表面に一対の電極を局部接触させ、前記電極間の通電により加熱し基板上で少なくとも一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを析出させたため、両端に針状炭素を備えたカーボン・ナノ・チューブを容易に得ることができる。
本発明のカーボン・ナノ・チューブの析出方法は、基板の表面に一対の電極を局部接触させ、前記電極間の通電により加熱し基板上で少なくとも一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを析出させたため、両端に針状炭素を備えたカーボン・ナノ・チューブを容易に得ることができる。
カーボン・ナノ・チューブの配線等への利用を容易にするという目的を一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを備えることで実現した。
[カーボン・ナノ・チューブの析出装置]
図1は、本発明の実施例1に係るカーボン・ナノ・チューブの析出装置の構成図である。
図1は、本発明の実施例1に係るカーボン・ナノ・チューブの析出装置の構成図である。
図1のように、析出装置1は、容器3内にアルコール5が収容されている。アルコール5内には、基板としてシリコン基板7が電極9,11に接続されている。シリコン基板7は、例えばp型シリコン基板(例えば40μΩ・cm、625μm厚さ)である。電極9,11は、直流電源13に接続されている。容器3内には、不活性ガスであるアルゴンArが充填されている。容器3は、外部の冷却塔15に接続されている。
図2は、前記電極9,11の接続構造を示す斜視図である。シリコン基板7の両端(図示では左端のみ示す)は、一側が絶縁体板17で支持され、他側に電極9(11)が突当接触されている。電極9(11)は、ステンレスで棒状に形成され、その先端がシリコン基板7に突き当てられ、局部的に接触している。
[触媒金属]
前記シリコン基板7には、カーボン・ナノ・チューブ析出を促進させる触媒金属が表面に堆積している。
前記シリコン基板7には、カーボン・ナノ・チューブ析出を促進させる触媒金属が表面に堆積している。
図3は、シリコン基板7に触媒金属を付着させるレーザ・アブレーション装置の構成図であり、ケース18内の一方の支持部19に、ニッケル、鉄などの触媒金属のプレート21が支持され、他方の支持部23に、シリコン基板7が支持されている。ケース18の上部には、YAGレーザ照射部25が配置されている。レーザの出力は、例えば波長1.60μm、パルス幅15ms、エネルギー8.75J/shotである。
前記YAGレーザ照射部25から前記出力でレーザを触媒金属のプレート21に照射し、レーザアブレーション法によりシリコン基板7に触媒金属の微粒子を堆積させた。
[カーボン・ナノ・チューブ配線]
前記図1のカーボン・ナノ・チューブの析出装置1において、直流電源13にから例えば13〜38Aの直流通電により、熱源となるシリコン基板7を1000℃程度の高温に発熱させる。
前記図1のカーボン・ナノ・チューブの析出装置1において、直流電源13にから例えば13〜38Aの直流通電により、熱源となるシリコン基板7を1000℃程度の高温に発熱させる。
このとき高温での使用によるアルコールへの引火は、容器3内のアルゴンArにより防止している。
前記通電により、図2のように電極9,11間に線状に走る電流25近傍において、シリコン基板7上で対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを析出させることができる。
図4は、カーボン・ナノ・チューブの析出結果を示す模式図である。この図4のように、シリコン基板7上には、一対の針状炭素27,29が析出し、さらに針状炭素27,29の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31が析出し、ワイヤリング対33が形成された。
図5は、前記図3のレーザアブレーション法によりシリコン基板7に触媒金属の微粒子を堆積させる場合に、レーザ照射回数とワイヤリング対の数との関係を示すグラフである。
図5のように、レーザ照射回数50pulseのときワイヤリング対の数が最大となった。レーザアブレーション法によるレーザ照射回数とワイヤリング対の数とは、一定の関係があるため、種々の条件においてワイヤリング対31が最大となるレーザ照射回数を選択することで、効率の良いワイヤリング対31の形成を行わせることができる。
前記ワイヤリング対31の針状炭素の部分で切り取ると、カーボン・ナノ・チューブ31の両端に切り取られた針状炭素27,29による端子部ができあがっており、端子部を備えたカーボン・ナノ・チューブ配線を簡単に得ることができる。
[実施例1の効果]
本発明実施例のカーボン・ナノ・チューブ配線では、一対の針状炭素27,29の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31を備えたため、両端の針状炭素27,29が端子部となり、配線等が容易となる。
カーボン・ナノ・チューブの析出装置は、シリコン基板7の表面に一対の電極9,11を局部接触させ、前記電極9,11間の通電により加熱しシリコン基板7上で少なくとも一対の針状炭素9,11の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31を析出させたため、両端に針状炭素9,11を備えたカーボン・ナノ・チューブ31を容易に得ることができる。
本発明実施例のカーボン・ナノ・チューブ配線では、一対の針状炭素27,29の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31を備えたため、両端の針状炭素27,29が端子部となり、配線等が容易となる。
カーボン・ナノ・チューブの析出装置は、シリコン基板7の表面に一対の電極9,11を局部接触させ、前記電極9,11間の通電により加熱しシリコン基板7上で少なくとも一対の針状炭素9,11の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31を析出させたため、両端に針状炭素9,11を備えたカーボン・ナノ・チューブ31を容易に得ることができる。
前記シリコン基板7の表面に、針状炭素27,29の先端間でのカーボン・ナノ・チューブ31の成長を補助する触媒金属を堆積させたため、針状炭素27,29を両端に備えたカーボン・ナノ・チューブ31を確実に得ることができる。
カーボン・ナノ・チューブ31の析出方法は、シリコン基板7の表面に一対の電極9,11を局部接触させ、前記電極9,11間の通電により加熱しシリコン基板7上で少なくとも一対の針状炭素9,11の先端間にカーボン・ナノ・チューブ31を析出させたため、両端に針状炭素9,11を備えたカーボン・ナノ・チューブ31を容易に得ることができる。
両端の針状炭素9,11の内、一方をカーボン・ナノ・チューブ31から切り取れば、原子間力顕微鏡などの探針に容易に用いることができる。
前記析出装置1において、原料のアルコール中に不純物を添加してカーボン・ナノ・チューブを成長させることでp型ないしはn型の半導体を形成し、それを接合することでナノメートル程度の半導体素子を作成することができる。p型の半導体を作成するときは、不純物として例えばボロンなどの3属の物質を用い、n型の半導体を作成するときは、不純物として例えばリンなどの5属の物質を用いる。
1 カーボン・ナノ・チューブの析出装置
7 シリコン基板(基板)
9,11 電極
21 プレート(触媒金属)
27,29針状炭素
31 カーボン・ナノ・チューブ
7 シリコン基板(基板)
9,11 電極
21 プレート(触媒金属)
27,29針状炭素
31 カーボン・ナノ・チューブ
Claims (6)
- 一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを備えた
ことを特徴とするカーボン・ナノ・チューブ配線。 - 固液界面接触分解法によるカーボン・ナノ・チューブの析出装置において、
基板の表面に一対の電極を局部接触させ、
前記電極間の通電により加熱し基板上で少なくとも一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを析出させた
ことを特徴とするカーボン・ナノ・チューブの析出装置。 - 請求項2記載のカーボン・ナノ・チューブの析出装置であって、
前記基板の表面に、前記成長を補助する触媒金属を堆積させた
ことを特徴とするカーボン・ナノ・チューブの析出装置。 - 固液界面接触分解法によるカーボン・ナノ・チューブの析出装置を用い、
原料のアルコール中に不純物を選択して添加し、
基板の表面に一対の電極を局部接触させ、
カーボン・ナノ・チューブを成長させることでp型ないしn型の半導体を形成し、
それを接合することで形成した
ことを特徴とする半導体素子。 - 固液界面接触分解法によるカーボン・ナノ・チューブの析出方法において、
基板の表面に一対の電極を局部接触させ、
前記電極間の通電により加熱し基板上で少なくとも一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを析出させた
ことを特徴とするカーボン・ナノ・チューブの配線方法。 - 一対の針状炭素の先端間にカーボン・ナノ・チューブを備えたカーボン・ナノ・チューブ配線であって、
前記カーボン・ナノ・チューブから前記一方の針状炭素を切り落として形成した
ことを特徴とする原子間力顕微鏡の探針。
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JP2005329493A JP2007136557A (ja) | 2005-11-14 | 2005-11-14 | カーボン・ナノ・チューブ配線、カーボン・ナノ・チューブの析出装置、半導体素子、カーボン・ナノ・チューブの配線方法、探針 |
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US20110008571A1 (en) * | 2007-08-29 | 2011-01-13 | Seung Ii Cha | Substrate having fullerene thin wires and method for manufacture thereof |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004284852A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Toshiba Corp | カーボンナノチューブの製造方法、カーボンナノチューブを用いた半導体装置の製造方法、及びカーボンナノチューブの製造装置 |
JP2005059147A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | カーボンナノチューブの切断方法および切断装置 |
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2005
- 2005-11-14 JP JP2005329493A patent/JP2007136557A/ja active Pending
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