JP2007123755A - ボイド検出装置、その製造方法及び評価方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】溝型素子分離領域に生じたボイドを高感度に検出することができるボイド検出装置、その製造方法及び評価方法を提供する。
【解決手段】ボイド検出装置1は、複数の活性化領域11と、複数の溝型素子分離領域25とが交互に縞状に形成された半導体基板と、溝型素子分離領域25の表面に接続される複数の電極41と、電極41の各々に接続される複数の配線12a及び12bを備える。ボイド27の内部に埋め込まれた導電体が電極41に電気的に接続されるため、一対の電極41間のリーク電流を測定することによって、高感度にボイドの存在を検出することができる。
【選択図】図1
【解決手段】ボイド検出装置1は、複数の活性化領域11と、複数の溝型素子分離領域25とが交互に縞状に形成された半導体基板と、溝型素子分離領域25の表面に接続される複数の電極41と、電極41の各々に接続される複数の配線12a及び12bを備える。ボイド27の内部に埋め込まれた導電体が電極41に電気的に接続されるため、一対の電極41間のリーク電流を測定することによって、高感度にボイドの存在を検出することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、ボイド検出装置、その製造方法及び評価方法に関し、より特定的には、半導体集積回路装置の製造工程において溝型素子分離領域内に発生するボイドを検出するためのボイド検出装置、その製造方法及び評価方法に関する。
近年、半導体装置の微細化・高集積化に伴い、素子間の分離方法として従来採用されてきたLOCOS法に代わり、溝型素子分離法、すなわち、シャロートレンチアイソレーション法(以下、「STI法」という)が採用されている。STI法は、例えば、1996年VLSIテクノロジーシンポジウム予稿集第156頁、または、1996年IEDMテクニカル予稿集第841頁等に記載されている。STI法は、LOCOS法において問題となるバーズビークなどの横方向の広がりが無く、設計どおりの微細な素子分離を実現可能とする。
以下、図9A〜図9Eを参照しながら、STI法による素子分離領域の形成方法について説明する。
図9A〜図9Eは、従来の溝型素子分離領域の製造工程を示す断面図である。
まず、図9Aに示されるように、シリコン基板21を用意し、シリコン基板21の表面にシリコン酸化膜22と、シリコン窒化膜23とを順次形成する。
次に、フォトレジストを用いる公知のエッチング技術によって、シリコン窒化膜23とシリコン酸化膜22とをパターニングする。パターニングされたシリコン窒化膜23とシリコン酸化膜22とをマスクとしてシリコン基板21をエッチングすることによって、図9Bに示されるように、溝24a及び24bが形成される。
次に、図9Cに示されるように、溝24a及び24bの各々の内面にシリコン酸化膜26a及び26bが熱酸化法によって形成される。その後、CVD法によって、溝24a及び24bが埋め込まれるように、シリコン基板21の表面上にシリコン酸化膜25が形成される。
次に、図9Dに示されるように、シリコン基板21の表面を化学的機械研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)法によって研磨し、シリコン酸化膜25がシリコン基板21の表面から除去される。この工程において、シリコン窒化膜23a、23b及び23cの研磨レートは、シリコン酸化膜25の研磨レートの数十分の一であって、シリコン酸化膜25の研磨レートに対して十分に小さいため、シリコン窒化膜23a、23b及び23cは、シリコン酸化膜25a及び25bに対する研磨ストッパーとして機能する。その結果、シリコン酸化膜25a及び25bは、溝24a及び24bの内部に埋め込まれるように形成される。
その後、図9Eに示されるように、シリコン基板21上に残存しているシリコン窒化膜23a、23b及び23cと、シリコン酸化膜22a、22b及び22cとをエッチングによって除去することによって、シリコン基板21上への溝型素子分離領域の形成が完了する。
以上のようなSTI法によれば、半導体基板の表面に微細な素子分離領域を形成することができる。
近年、半導体基板上に形成される素子が微細化するのに伴って、素子分離領域の幅を微細化することへの要求が高まっている。例えば、図9Bに示される溝24a及び24bの幅が150nm以下に設定された素子分離領域が求められている。
ところが、溝24a、24bの幅が小さくなると、図9Cに示されるシリコン酸化膜25の堆積工程において、溝24a及び24bが完全に埋め込まれず、堆積されたシリコン酸化膜25の内部に空隙部(以下、「ボイド」という)が生じることがある。
図10A及び10Bは、溝型素子分離領域内にボイドが発生する過程の一例を示す断面図である。
図10Aは、シリコン基板21上にシリコン酸化膜25を堆積させる工程において、堆積されたシリコン酸化膜25の表面に露出するボイド27a及び27bが発生した状態を示している。上述したように、堆積されたシリコン酸化膜25は、CMP法によって、シリコン基板21の表面から除去された後、シリコン窒化膜23a、23b及び23cと、シリコン酸化膜22a、22b及び22cとが除去される。すると、図10Bに示されるように、形成された溝型素子分離領域25a及び25bの表面には、発生したボイド27a及び27bの一部によって凹部が形成される。
凹部の内部に導電性の残渣が残留すると、後続のゲート電極形成工程や配線形成工程等において、当該残渣は、ゲート電極間や配線材料間の電気的ショートの原因となる。したがって、半導体装置の動作は、凹部に残留する残渣によって著しく損なわれてしまう。
図11A及び図11Bは、溝型素子分離領域内にボイドが発生する過程の他の例を示す断面図である。図11Aは、図10Aの例と比べて、ボイド27a及び27bがシリコン窒化膜23a〜23cの表面からより深い位置に発生した状態を示す。更に、図11Aに示される例においては、図10Aの例とは異なり、ボイド27a及び27bの上部におけるシリコン酸化膜25の表面が閉じられている。この場合、シリコン窒化膜23a、23b及び23cと、シリコン酸化膜22a、22b及び22cとが除去されると、図11Bに示されるように、ボイド27a及び27bが溝型素子分離領域25a及び25bの内部に残留することがある。
従来、ボイドは、半導体装置の断面を物理解析することによって、検出されることが一般的であった。しかしながら、物理解析には、結果が得られるまでにある程度の時間が必要である。また、物理解析によっては、半導体ウェハ内に多数形成されるSTI分離領域のすべてに対して、ボイドの有無やその程度を検出することは極めて困難であるという問題があった。
また、配線層間に生じたボイドに関して、ボイドの有無を検出する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
図12は、特許文献1に記載されている従来のボイド検出装置の一例を示す図であり、図13は、従来のボイド検出装置の他の例を示す図である。
図12に示される配線パターンは、折れ曲がり部を有し、互いに平行に、かつ、一定のピッチxで配置される複数の配線を備える。折れ曲がり部は、直線部分に対して、一旦所定角度だけ折れ曲がった後、再度、所定角度だけ反対方向に折れ曲がるように形成されている。各配線が延びる方向(図12における上下方向)における折れ曲がり部同士の間隔ynは、配線同士のピッチxより大きく設定されている。また、配線が延びる方向における配線の両端の距離Yは、0.3mm以上に設定されている。
図12に示される配線パターンの直上には、層間絶縁膜が形成され、更に、層間絶縁膜の表面に、図13に示される断線チェックパターンまたはショートチェックパターンが形成される。
その後、上記の折れ曲がり部を含む配線パターンの断面は、SEMを用いる観察によって、ボイドの有無が評価される。
特開平5−129400号公報
特許文献1に記載されている従来のボイド検出方法は、凹凸が比較的大きな配線層上に堆積される層間絶縁膜間に発生したボイドを検出することを目的とする。そのため、表面が平坦な溝型素子分離領域に発生したボイドを検出するために従来の方法が適用された場合、ボイドの検出感度が十分ではないという問題がある。また、発生したボイドが溝型素子分離領域の表面に露出せず、溝型素子分離領域の内部に埋没している場合には、従来の方法によっては、ボイドを検出することができないという問題がある。
それ故に、本発明は、溝型素子分離領域に生じたボイドを高感度に検出することができると共に、溝型素子分離領域内部に埋没するボイドをも検出することができ、更に、より短時間かつ低コストで統計的に溝型素子分離内ボイドを検出することができるボイド検出装置、その製造方法及び評価方法を提供することを目的とする。
第1の発明は、溝型素子分離領域内に発生する線状のボイド内に導電体が埋め込まれ、導電体を用いて電気的にボイドを検出するためのボイド検出装置であって、その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、第1の溝型素子分離領域の長手方向に沿って所定間隔毎に配置されると共に、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する電極の各々に電気的に接続される複数の配線とを備える。
第2の発明は、溝型素子分離領域内に発生する線状のボイド内に導電体が埋め込まれ、導電体を用いて電気的にボイドを検出するためのボイド検出装置であって、その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、第1の溝型素子分離領域の長手方向に沿って所定間隔毎に配置されると共に、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する電極の各々に電気的に接続される複数の配線と、第1の溝型素子分離領域の各々の表面を橋架するように形成される導電領域とを備える。
ボイド検出装置は、半導体基板上に形成され、第1の幅を有する複数の第2の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する第2の活性化領域とが交互に縞状に配置される第1の校正パターンと、半導体基板上に形成され、第1の幅より大きな所定の第3の幅を有する第3の活性化領域を含む第2の校正パターンとを更に備えても良い。
また、第3の幅は、第1の幅の5倍以上であることが好ましい。
第3の発明は、溝型素子分離領域内に発生する線状のボイドを検出するためのボイド検出装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、第1の幅を有する複数の溝を、第2の幅を空けて縞状に形成する工程と、溝の各々が埋め込まれるように、半導体基板の表面に第1の絶縁体を堆積させる工程と、第1の絶縁体が溝の各々の内部にのみ残留するように、半導体基板の表面に堆積された第1の絶縁体を除去することによって、溝型素子分離領域を形成する工程と、半導体基板の表面に導電体を堆積させる工程と、半導体基板の表面に堆積された導電体を除去する工程と、半導体基板の表面に第2の絶縁体を堆積させる工程と、第2の絶縁体の表面から少なくとも溝型素子分離領域の表面まで延びる開孔を形成することによって、複数のコンタクト領域を形成する工程と、コンタクト領域の内部に導電体を堆積させることによって、複数の電極を形成する工程と、第2の絶縁体の表面に電極の各々に接続される配線層を形成する工程とを備える。
第4の発明は、半導体集積回路の製造工程において溝型素子分離領域内に発生する線状のボイドを検出するためのボイド検出装置の製造方法であって、半導体基板の表面に、第1の幅を有する複数の溝を、第2の幅を空けて縞状に形成する工程と、溝の各々が埋め込まれるように、半導体基板の表面に第1の絶縁体を堆積させる工程と、第1の絶縁体が溝の各々の内部にのみ残留するように、半導体基板の表面に堆積された第1の絶縁体を除去することによって、溝型素子分離領域を形成する工程と、半導体基板の表面に導電体を堆積させる工程と、半導体基板の表面に堆積された導電体の一部を除去することによって、第1の絶縁体の表面を橋架するように導電領域を形成する工程と、半導体基板の表面に第2の絶縁体を堆積させる工程と、第2の絶縁体の表面から少なくとも溝型素子分離領域の表面まで延びる開孔を形成することによって、複数のコンタクト領域を形成する工程と、コンタクト領域の内部に導電体を堆積させることによって、複数の電極を形成する工程と、第2の絶縁体の表面に電極の各々に接続される配線層を形成する工程とを備える。
第5の発明は、その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、第1の溝型素子分離領域の長手方向に所定間隔毎に配置されると共に、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する電極の各々に電気的に接続される複数の配線とを備え、第1の溝型素子分離領域内に発生した線状のボイド内には導電体が埋め込まれるボイド検出装置の評価方法であって、一対の電極の間に所定の電圧を印加する工程と、一対の電極の間を流れる電流量を測定する工程と、測定された電流量と、予め定められた基準値とを比較することによって、第1の溝型素子分離領域に発生したボイドの有無を評価する工程とを備える。
第6の発明は、その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、第1の溝型素子分離領域の長手方向に所定間隔毎に配置されると共に、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する電極の各々に電気的に接続される複数の配線と、第1の溝型素子分離領域の各々の表面を橋架するように形成される導電領域とを備え、第1の溝型素子分離領域内に発生した線状のボイド内には導電体が埋め込まれるボイド検出装置の評価方法であって、電極と導電領域との間に所定の電圧を印加する工程と、電極と導電領域との間を流れる電流量を測定する工程と、測定された電流量と、予め定められた基準値とを比較することによって、第1の溝型素子分離領域に発生したボイドの有無を評価する工程とを備える。
ボイド検出装置は、半導体基板上に形成され、第1の幅を有する第2の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する第2の活性化領域とが交互に縞状に配置される第1の校正パターンと、半導体基板上に形成され、第2の幅より大きな所定の第3の幅を有する第3の活性化領域を含む第2の校正パターンとを更に含み、ボイド検出装置の評価方法は、第1の校正パターンを用いて、第2の活性化領域の電気抵抗値を測定する工程と、第2の校正パターンを用いて、第3の活性化領域の電気抵抗値を測定する工程と、第2及び第3の活性化領域の各々の電気抵抗値に基づいて、第1の幅を同定する工程と、測定された電流量と、同定された第1の幅との相関関係を求める工程とを更に備えても良い。
本発明に係るボイド検出装置、その製造方法及び評価方法によれば、溝型素子分離領域の表面に露出したボイドの内部には導電体が部分的に残留する。そのため、ボイド内部に残留する導電体が、隣接する一対の電極に電気的に接続されている場合、当該一対の電極間は、電気的にショートする。したがって、そのため電極間に電圧を印加すれば、その際流れる電流量を測定することによって、溝型素子分離内のボイドの有無を判定することができる。
また、平行かつ縞状に配置された複数の活性化領域及び複数の溝型素子分離領域上に堆積された導電体の一部を除去することによって、活性化領域に対して直交する方向に互いに平行に配置されるように残留させると、溝型素子分離内に導電体がより残留しやすくなる。よって、溝型素子分離内ボイドをより高感度で検出することが可能となる。
更に、溝型素子分離領域の内部に形成されたボイドの検出に関し、コンタクト領域をより深くまで形成することによって、コンタクト領域は、溝型素子分離領域の上部を貫通する。コンタクト領域のない部に、例えばタングステン(W)等の導電体をCVD法により堆積させることによって、コンタクト領域とボイドとの内部に導電体が堆積する。これにより、隣接する一対の電極同士を電気的にショートさせることができる。したがって、一対の電極間に電圧を印加し、当該一対の電極間を流れる電流量を測定することによって、溝型素子分離領域の内部に埋没したボイドの有無を判定することが可能である。
更に、ボイド検出装置の近傍に、第1の校正パターンと第2の校正パターンとを形成すれば、第1の校正パターンの電気抵抗値と、第2の校正パターンのシート抵抗値とを用いて、ボイド検出装置の溝型素子分離領域の幅を校正することが可能となる。したがって、校正された溝型素子分離領域の幅と、電極間のリーク電流量との相関を調べることによって、例えばウェハ面における溝型素子分離領域の幅と、ボイドの発生との関係が明確になる。
本発明に係る溝型素子分離領域内ボイドの検出装置、その製造方法及び評価方法によれば、平坦なパターンに存在するボイドを、電気的に高感度に検出することが可能となる。また、溝型素子分離領域上に電極が形成されるため、溝型素子分離領域の内部に埋没したボイドを検出することも可能となる。また、電気的にボイドを検出することができるため、溝型素子分離内に発生するボイドの検出を高速化することが可能となる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態に係る溝型素子分離内ボイドの検出装置、その製造方法及びその評価方法について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第1の実施形態に係る溝型素子分離内ボイドの検出装置、その製造方法及びその評価方法について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るボイド検出装置の平面図である。図1に示されるボイド検出装置1は、シリコン基板と、複数の電極41と、金属配線12a及び12bとを備える。
シリコン基板の表面には、幅がSである複数の溝型素子分離領域25と、幅がWである複数の活性化領域11とが交互かつ平行な縞状に形成されている。一例として、幅W及び幅Sは、共に100nmに設定されている。本実施形態においては、溝型素子分離領域25の幅Sと活性化領域11の幅Wとは、等しく設定されているが、幅Sと幅Wとは、相違していても良い。
電極41は、例えば、W(タングステン)プラグであり、溝型素子分離領域25の上部に形成されたコンタクト領域13の内部に導電体を埋め込むことによって形成されている。複数の電極41は、溝型素子分離領域25の長手方向(図1における左右方向)に沿って所定間隔毎に配置されている。また、複数の電極41は、溝型素子分離領域25と直交する方向(図1における上下方向)に整列するように配置されている。
金属配線12aは、シリコン基板21の表面に形成された絶縁膜の表面に、溝型素子分離領域25と直交するように形成されている。金属配線12aの各々は、溝型素子分離領域25の長手方向と直交する方向において整列する電極41の各々と電気的に接続されている。金属配線12bの各々もまた、金属配線12aと同様に形成されている。本実施形態においては、複数の金属配線12a及び複数の金属配線12bは、溝型素子分離領域25の長手方向において、交互に配置されている。
図1において線分によって模式的に示されるように、ボイド27は、溝型素子分離領域25における幅方向の中央部分を、溝型素子分離領域25の長手方向に延びるように発生する。
ここで、図2A〜図2Dを参照して、本発明の第1の実施形態に係るボイド検出装置1aの製造方法の一例を説明する。ただし、図2Aより前の工程は、図9A〜図9Eに示される従来の製造方法におけるものと同様であるので、以下では、図2A以降の工程についてのみ説明する。また、図2A〜図2Cは、図1に示されるA−Aラインの断面に相当する断面図であり、図2Dは、図1に示されるB−Bラインの断面図である。
まず、図2Aに示されるように、シリコン基板21の表面を酸化することによって、シリコン酸化膜29が形成される。続いて、シリコン酸化膜29の表面には、ドーピングされたポリシリコン膜28が形成される。この工程において、溝型素子分離領域25a及び25bの表面に発生したボイド27a及び27bの内部には、ポリシリコン膜28が埋め込まれる。
次に、図2Bに示されるように、ドライエッチングによって、ポリシリコン膜28は、シリコン基板21の表面の全体から除去される。ただし、ボイド27a及び27bの内部に埋め込まれたポリシリコン膜28a及び28bは、エッチングされずにボイド27a及び27bの内部に残留する。
次に、図2Cに示されるように、シリコン基板21の表面に、層間絶縁膜を形成するためのシリコン酸化膜32が形成される。シリコン酸化膜32には、その表面から溝型素子分離領域25の少なくとも表面まで延びる開孔を形成することによって、複数のコンタクト領域13が形成される。複数のコンタクト領域13は、溝型素子分離領域25の長手方向に所定間隔毎に形成されると共に、溝型素子分離領域25の長手方向と直交する方向に整列するように形成される。形成されたコンタクト領域13の内部には、タングステン(W)をCVD法によって埋め込むことによって、電極(Wプラグ)41が形成される。更に、シリコン酸化膜32の表面には、電極41の各々を接続する金属配線12a及び12bが形成される。
図2Eに示されるように、ボイド27bの内部に埋め込まれたポリシリコン膜28は、コンタクト領域13の内部に埋め込まれた電極41の各々に電気的に接続されている。従って、金属配線12a及び12bの間に電圧を印加したときに、金属配線12a及び12bの間を流れる電流量を測定することによって、ボイド27bの存在を高感度に検出することが可能となる。尚、ボイドの検出方法の詳細については後述する。
また、ボイドは、溝型素子分離領域の内部に埋没した状態で発生する場合がある。以下、図3A〜図3Eを参照しながら、溝型素子分離領域の内部に発生したボイドを検出することができるボイド検出装置について説明する。
図3A〜図3Eは、本発明の第1の実施形態に係るボイド検出装置の製造方法の他の一例を示す断面図である。尚、図3A〜図3Dは、図1に示されるA−Aラインの断面に相当する断面図であり、図3Eは、図1に示されるB−Bラインに相当する断面図である。
図3A及び図3Bに示されるように、ボイド27a及び27bは、シリコン酸化膜よりなる溝型素子分離領域25a及び25bの内部に埋没している。そのため、シリコン基板21の表面にポリシリコン膜28を堆積させ、その後、堆積されたポリシリコン膜28がエッチングによって除去されても、ポリシリコン膜28は、ボイド27a及び27bの内部に埋め込まれない。
しかしながら、図3Cに示されるように、シリコン基板21の表面に層間絶縁膜であるシリコン酸化膜32を堆積させた後に、シリコン酸化膜32にコンタクト領域13を形成する工程において、シリコン酸化膜25a及び25bの上面の一部がエッチングされる。この結果、コンタクト領域13は、溝型素子分離領域25a及び25bの上部をボイド27a及び27bの内部まで貫通する。
したがって、図3D及び図3Eに示されるように、CVD法に従ってタングステン(W)をコンタクト領域13の内部に堆積させることによって、電極(Wプラグ)41を形成する工程において、ボイド27a及び27bの内部にもタングステンが埋め込まれる。その結果、ボイド27a及び27bの内部に埋め込まれた導電体(タングステン)によって、隣接する一対の電極41は、相互に電気的に接続される。
このように、本実施形態に係るボイド検出装置1a及び1bによれば、溝型素子分離領域25a及び25b内に埋没したボイド27a及び27bの存在の有無を電気的な測定によって検出することも可能となる。
尚、溝型素子分離領域25にボイド27が発生する場合、ボイド27は必ずしも規則的に発生するわけではなく、溝型素子分離領域の任意の位置にランダムに発生する。したがって、ボイド27の内部に残留するポリシリコン膜28、あるいは、ボイド27の内部に埋め込まれる電極41の長さ及び位置は、様々に異なっていることが予想される。しかし、本実施形態に係るボイド検出装置によれば、1つの電極から、隣接する少なくとも1つの電極に渡ってボイド27が存在する場合、隣接する一対の電極同士の間は、電気的にショートする。したがって、隣接する一対の電極の間に電圧を印加したとき、一対の電極の間が絶縁されている状態と比べてより多くの電流が流れるため、極めて高感度に溝型素子分離領域内のボイドを検出することが可能である。
図4は、本発明の第1の実施形態に係るボイド検出装置を用いて、ボイドの有無を評価した結果を示す模式図である。
第1の実施形態に係るボイド検出装置を用いてボイドの有無を評価するために、まず、金属配線12a及び12bの間に、1.5Vの電圧が印加される。次に、金属配線12a及び12bの間を流れる電流の量が測定される。そして、測定された電流の量と、予め定められた基準値とを比較することによって、ボイドの有無が評価される。
図4において、矩形形状の領域は、ウェハ面上のチップの配置に対応して形成されたボイド検出装置を示す。また、図4において、黒く示される領域は、隣接する少なくとも一対の電極が、ボイド内部に埋め込まれた導電体によってショートした結果、電極間に基準値以上の電流が流れた領域であることを示す。
図4に示される例では、溝型素子分離領域の幅(図1におけるS)を90nmから130nmまで10nm毎に増加させた複数のボイド検出装置が、同一チップ内に形成されている。図4に示される結果から明らかなように、溝型素子分離領域の幅が120nm以下に設定されている場合、溝型素子分離領域内にボイドが発生する。また、ウェハ面におけるボイドの発生分布も明確である。すなわち、図4の例によれば、ウェハの周辺において、特に溝型素子分離領域の埋め込み不良が発生しやすい傾向にあることが把握される。
以上のように、本発明の第1の実施形態に係るボイド検出装置1a及び1b、その製造方法及び評価方法によれば、溝型素子分離領域の表面に露出するボイドの内部にはポリシリコン膜が残留し、溝型素子分離内部に埋没したボイドの内部には、電極形成時に導電体が埋め込まれる。したがって、一対の電極間を流れる電流量を測定することによって、極めて高感度にボイドの存在を検出することが可能となる。
(第2の実施形態)
以下、本発明の第2の実施形態に係るボイドの検出装置、その製造方法及びその評価方法について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係るボイドの検出装置、その製造方法及びその評価方法について、図面を参照しながら説明する。
図5は、本発明の第2の実施形態に係るボイド検出装置の平面図であり、図6は、図5に示されるC−Cラインの断面図である。図5及び図6に示されるボイド検出装置2は、第1の実施形態に係るボイド検出装置に加えて、内部に埋め込まれた複数のポリシリコン電極15を更に備える。尚、シリコン基板、電極41、金属配線12a及び12bは、第1の実施形態に示されたものと同様であるので、以下での説明を省略する。
複数のポリシリコン電極15は、溝型素子分離領域25の長手方向と直交し、かつ、複数の溝型素子分離領域25の表面を橋架するように形成されている。本実施形態においては、ポリシリコン電極15の各々は、平面視における金属電極12a及び12bの間を、金属電極12a及び12bの各々と平行に延びるように形成されている。また、ポリシリコン電極15は、溝型素子分離領域25及び活性化領域11が縞状に配置されたパターン外において、図示しない電源等に電気的に接続される。
ここで、第2の実施形態に係るボイド検出装置2の製造方法について説明する。まず、第1の実施形態において図2Aに示される工程と同様に、シリコン基板21上にポリシリコン膜28が形成される。次に、ポリシリコン膜28を除去する工程において、ポリシリコン膜28は、シリコン基板21の表面の全面から除去されるのではなく、活性化領域11に直交する複数の互いに平行な領域に残留するようにパターニングされ、その一部が除去される。この結果、シリコン基板21上には、溝型素子分離領域25の長手方向と直交し、かつ、溝型素子分離領域25の表面を橋架する複数のポリシリコン電極15が形成される。尚、溝型素子分離領域25の表面に発生したボイド27の内部には、第1の実施形態と同様に、ポリシリコン膜28が埋め込まれる。その後は、第1の実施形態に示される図2C及び図2Dに示されるのと同様の工程によって、電極41と、金属配線12a及び12bが形成される。
このようなボイド検出装置2の製造方法によれば、溝型素子分離領域25の表面に露出するボイドが発生した場合、図6に示されるように、ボイド27の内部に埋め込まれた導電体は、電極41とポリシリコン電極15とに電気的に接続される。
また、図5及び図6に示されるように、溝型素子分離領域25の長手方向において隣接する一対の電極41の間にポリシリコン電極15が配置されているため、溝型素子分離領域25の表面に発生したボイド27の内部に、ポリシリコン膜28がより残留しやすくなる。これにより、溝型素子分離領域25の表面に露出したボイドの検出感度が第1の実施形態と比べて向上する。
更に、本実施形態に係るボイド検出装置2を用いてボイドの有無を評価するためには、第1の実施形態における方法を適用することができる。すなわち、金属配線12a及び12bの間に電圧を印加し、金属配線12a及び12bの間を流れる電流の量を測定し、そして、測定された電流量と基準値とを比較することによって、ボイドの有無を検出することができる。
本実施形態においては、第1の実施形態に係るボイド検出装置の評価方法に代えて、または、第1の実施形態に係る評価方法に加えて、更に、電極41とポリシリコン電極15との間の電流量を測定することによって、ボイドの有無を評価することも可能である。すなわち、まず、金属配線12a及び12bのいずれか一方と、ポリシリコン電極15との間に電圧が印加される。次に、金属配線とポリシリコン電極との間を流れた電流量が測定される。そして、測定された電流量に基づいて、ボイドの有無が評価される。1つの電極41とポリシリコン電極15との間の距離は、隣接する一対の電極41間の距離よりも短いため、ボイド27の内部に埋め込まれたポリシリコン膜の残渣がより小さい場合でも、ボイドの有無を検出することができる。
このように、第2の実施形態に係るボイド検出装置2及びその評価方法によれば、ポリシリコン電極が隣接する一対の電極間に配置されているため、より微小なポリシリコン膜残渣によって電流を検出することができる。したがって、ボイドの検出感度をより高めることが可能となる。また、第2の実施形態に係るボイド検出装置の製造方法によれば、より検出感度の高いボイド検出装置を形成することが可能となる。
(第3の実施形態)
以下、本発明の第3の実施形態に係るボイド検出装置及びその評価方法について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第3の実施形態に係るボイド検出装置及びその評価方法について、図面を参照しながら説明する。
図7Aは、本発明の第3の実施形態に係るボイド検出装置に含まれる第1の校正パターンを示す平面図であり、図7Bは、本発明の第3の実施形態に係るボイド検出装置に含まれる第2の校正パターンを示す平面図である。図7A及び図7Bに示される第1及び第2の校正パターンは、ボイド検出装置と同一のシリコン基板上に形成され、ボイド検出装置に含まれる活性化領域の幅を電気的な測定によって構成するためのパターンである。
図7Aに示される第1の校正パターン7は、幅がW1である活性化領域56及び57と、活性化領域55と、幅がS1である複数の溝型素子分離領域58とを備える。活性化領域56及び57と、溝型素子分離領域58とは、交互かつ平行な縞状に形成されている。活性化領域56及び57の幅W1は、ボイド検出装置に含まれる活性化領域の幅Wに等しく、溝型素子分離領域58の幅S1は、ボイド検出装置に含まれる溝型素子分離領域の幅Sと等しくなるように設定されている。また、活性化領域56及び57の長手方向における長さL1は、幅W1及びS1に対して十分に大きく設定する必要があり、長さL1は、幅W1またはS1の10倍以上に設定されることが望ましい。一例として、本実施形態においては、活性化領域56及び57の幅W1と、溝型素子分離領域58の幅S1とは、100nmに設定され、活性化領域56及び57の長さL1は、100μmに設定されている。また、活性化領域55は、活性化領域57の電気抵抗を測定する際に、測定用パッドとして使用される。
尚、第1の校正パターン7において、1本の活性化領域57と平行に、複数の活性化領域56が複数形成されている。これは、リソグラフィーによってレジストをパターニングする際に、露光環境をボイド検出装置におけるものと同一にすることによって、活性化領域57の幅を正確に再現するためである。
一方、図7Bに示される第2の校正パターン8は、幅がW2である活性化領域51と、活性化領域51の両端に接続される活性化領域52とを備える。活性化領域52は、活性化領域51の電気抵抗を測定する際に、測定用パッドとして使用される。
第2の校正パターン8に含まれる活性化領域51の幅W2は、少なくとも第1の校正パターン7に含まれる活性化領域56及び57の幅W1の5倍以上に設定されていることが望ましい。また、活性化領域51の長手方向の長さL2は、幅W2の少なくとも10倍以上に設定されていることが望ましい。一例として、本実施形態においては、活性化領域51の幅W2は、1μmに設定され、活性化領域51の長さL2は、100μmに設定されている。
ここで、第1の校正パターン7と第2の校正パターン8とを用いて、ボイド検出装置に含まれる溝型素子分離領域の幅Sを校正する方法を説明する。
まず、第2の校正パターン8の電気抵抗値を測定し、活性化領域51のシート抵抗値が算出される。この工程において、第2の校正パターン8に含まれる活性化領域51の幅W2は、活性化領域51の形成時において生じる寸法誤差の影響を受けない程度の十分な大きさに設定されている。したがって、活性化領域51のシート抵抗値は、正確に算出される。算出されたシート抵抗値は、第1の校正パターン7に含まれる活性化領域57のシート抵抗値と同一であると考えられるので、以後、活性化領域57の幅W1を校正するために用いられる。
次に、第1の校正パターン7を用いて、活性化領域57の電気抵抗値が測定される。
そして、算出された活性化領域51のシート抵抗値と、測定された活性化領域57の電気抵抗値とを用いて、活性化領域57の幅W1が算出される。より詳細には、活性化領域57の長さL1は、幅W1に対して十分に大きく設定されているため、活性化領域57の形成時に発生する長さL1に対する誤差の影響を無視することができる。そのため、活性化領域57の電気抵抗値及び長さL1と、算出されたシート抵抗値とを用いて、幅W1の寸法を正確に同定することが可能となる。
第1の校正パターン7の設計時において、溝型素子分離領域58の幅S1と、活性化領域57の幅W1との合計値(ピッチ)は、予め定められている。したがって、活性化領域57の実際の幅W1が同定されれば、設計時におけるW1及びS1の合計値から、実際の幅W1を差し引くことによって、溝型素子分離領域の実際の幅S1を求めることができる。リソグラフィーや他のプロセスにおいて生じる要因によって、活性化領域57の幅W1は、設計値と相違する場合がある。しかしながら、このような校正方法によれば、活性化領域57の幅W1と溝型素子分離領域58の幅S1との合計が不変であることを利用して、正確に溝型素子分離領域58の幅S1を算出することができる。
上記のような第1の校正パターン7及び第2の校正パターン8を、第1または第2の実施形態に係るボイド検出装置に隣接して形成すれば、ボイド検出装置に含まれる溝型素子分離領域の幅Sを、幅S1と同じと見なすことができる。したがって、第1及び第2の校正パターン8を用いて溝型素子分離領域57の幅S1を校正することによって、ボイド検出装置に含まれる溝型素子分離領域の幅Sを正確に求めることができる。
以上の構成方法に従って求められたボイド検出装置の溝型素子分離領域の幅Sと、ボイド検出装置におけるリーク電流量との相関関係を調べることによって、溝型素子分離領域の正確な幅Sと、ボイドの発生との関係が明確になる。溝型素子分離領域の幅は、例えばウェハ内において一定の分布を示す。したがって、本実施形態に係る評価方法によれば、ボイドの発生が、溝型素子分離領域の幅に起因するのか、あるいは、溝型素子分離領域の埋め込み条件が不適切であることに起因するのかを特定することが可能となる。
図8は、本発明の第3の実施形態に係る溝型素子分離内のボイド検出装置の評価方法を示す図である。図8において、グラフの横軸は、電気的に校正された溝型素子分離領域の幅Sを示し、縦軸は、ボイド検出装置を用いて測定されたリーク電流量を示す。また、図8の例は、同一のウェハ上に形成された複数のチップの各々について、電気的に校正された幅と、リーク電流量との関係をプロットしたものである。
図8に示されるように、溝型素子分離領域の幅が減少するにつれて、リーク電流量が増加する。したがって、図8に示される分析結果から、ウェハ上においてリソグラフィーやその他の要因によって、溝型素子分離領域の幅がばらつき、ウェハ上における溝型素子分離領域の幅が小さい領域において、ボイドが発生していることが推定される。
本発明は、例えば、半導体集積回路装置の製造工程において溝型素子分離領域内に発生するボイドを検出するためのボイド検出装置、その製造方法及びその評価方法に有用である。
1、2 ボイド検出装置
7 第1の校正パターン
8 第2の校正パターン
11 活性化領域
12 金属配線
13 コンタクト領域
15 ポリシリコン電極
21 シリコン基板
22 シリコン酸化膜
23 シリコン窒化膜
24 溝
25 溝型素子分離領域(シリコン酸化膜)
26 シリコン酸化膜
27 ボイド
28 ポリシリコン膜
29 シリコン酸化膜
41 電極
51 活性化領域
52 活性化領域
55 活性化領域
56 活性化領域
57 活性化領域
58 溝型素子分離領域
7 第1の校正パターン
8 第2の校正パターン
11 活性化領域
12 金属配線
13 コンタクト領域
15 ポリシリコン電極
21 シリコン基板
22 シリコン酸化膜
23 シリコン窒化膜
24 溝
25 溝型素子分離領域(シリコン酸化膜)
26 シリコン酸化膜
27 ボイド
28 ポリシリコン膜
29 シリコン酸化膜
41 電極
51 活性化領域
52 活性化領域
55 活性化領域
56 活性化領域
57 活性化領域
58 溝型素子分離領域
Claims (9)
- 溝型素子分離領域内に発生する線状のボイド内に導電体が埋め込まれ、前記導電体を用いて電気的に前記ボイドを検出するためのボイド検出装置であって、
その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、
前記第1の溝型素子分離領域の長手方向に沿って所定間隔毎に配置されると共に、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、前記第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、
前記第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する前記電極の各々に電気的に接続される複数の配線とを備える、ボイド検出装置。 - 溝型素子分離領域内に発生する線状のボイド内に導電体が埋め込まれ、前記導電体を用いて電気的に前記ボイドを検出するためのボイド検出装置であって、
その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、
前記第1の溝型素子分離領域の長手方向に沿って所定間隔毎に配置されると共に、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、前記第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、
前記第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する前記電極の各々に電気的に接続される複数の配線と、
前記第1の溝型素子分離領域の各々の表面を橋架するように形成される導電領域とを備える、ボイド検出装置。 - 前記半導体基板上に形成され、前記第1の幅を有する複数の第2の溝型素子分離領域と、前記第2の幅を有する第2の活性化領域とが交互に縞状に配置される第1の校正パターンと、
前記半導体基板上に形成され、前記第1の幅より大きな所定の第3の幅を有する第3の活性化領域を含む第2の校正パターンとを更に備える、請求項1または請求項2に記載のボイド検出装置。 - 前記第3の幅は、前記第1の幅の5倍以上であることを特徴とする、請求項3に記載のボイド検出装置。
- 溝型素子分離領域内に発生する線状のボイドを検出するためのボイド検出装置の製造方法であって、
半導体基板の表面に、第1の幅を有する複数の溝を、第2の幅を空けて縞状に形成する工程と、
前記溝の各々が埋め込まれるように、前記半導体基板の表面に第1の絶縁体を堆積させる工程と、
前記第1の絶縁体が前記溝の各々の内部にのみ残留するように、前記半導体基板の表面に堆積された前記第1の絶縁体を除去することによって、溝型素子分離領域を形成する工程と、
前記半導体基板の表面に導電体を堆積させる工程と、
前記半導体基板の表面に堆積された前記導電体を除去する工程と、
前記半導体基板の表面に第2の絶縁体を堆積させる工程と、
前記第2の絶縁体の表面から少なくとも前記溝型素子分離領域の表面まで延びる開孔を形成することによって、複数のコンタクト領域を形成する工程と、
前記コンタクト領域の内部に導電体を堆積させることによって、複数の電極を形成する工程と、
前記第2の絶縁体の表面に前記電極の各々に接続される配線層を形成する工程とを備える、ボイド検出装置の製造方法。 - 半導体集積回路の製造工程において溝型素子分離領域内に発生する線状のボイドを検出するためのボイド検出装置の製造方法であって、
半導体基板の表面に、第1の幅を有する複数の溝を、第2の幅を空けて縞状に形成する工程と、
前記溝の各々が埋め込まれるように、前記半導体基板の表面に第1の絶縁体を堆積させる工程と、
前記第1の絶縁体が前記溝の各々の内部にのみ残留するように、前記半導体基板の表面に堆積された前記第1の絶縁体を除去することによって、溝型素子分離領域を形成する工程と、
前記半導体基板の表面に導電体を堆積させる工程と、
前記半導体基板の表面に堆積された前記導電体の一部を除去することによって、前記第1の絶縁体の表面を橋架するように導電領域を形成する工程と、
前記半導体基板の表面に第2の絶縁体を堆積させる工程と、
前記第2の絶縁体の表面から少なくとも前記溝型素子分離領域の表面まで延びる開孔を形成することによって、複数のコンタクト領域を形成する工程と、
前記コンタクト領域の内部に導電体を堆積させることによって、複数の電極を形成する工程と、
前記第2の絶縁体の表面に前記電極の各々に接続される配線層を形成する工程とを備える、ボイド検出装置の製造方法。 - その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、
前記第1の溝型素子分離領域の長手方向に所定間隔毎に配置されると共に、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、前記第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、
前記第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する前記電極の各々に電気的に接続される複数の配線とを備え、
前記第1の溝型素子分離領域内に発生した線状のボイド内には導電体が埋め込まれるボイド検出装置の評価方法であって、
前記一対の電極の間に所定の電圧を印加する工程と、
前記一対の電極の間を流れる電流量を測定する工程と、
測定された電流量と、予め定められた基準値とを比較することによって、前記第1の溝型素子分離領域に発生したボイドの有無を評価する工程とを備える、ボイド検出装置の評価方法。 - その表面に、第1の幅を有する複数の第1の溝型素子分離領域と、第2の幅を有する複数の第1の活性化領域とが交互に縞状に形成された半導体基板と、
前記第1の溝型素子分離領域の長手方向に所定間隔毎に配置されると共に、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列し、かつ、前記第1の溝型素子分離領域の各々に接続される複数の電極と、
前記第1の溝型素子分離領域の各々と直交するように形成され、前記第1の溝型素子分離領域と直交する方向に整列する前記電極の各々に電気的に接続される複数の配線と、
前記第1の溝型素子分離領域の各々の表面を橋架するように形成される導電領域とを備え、
前記第1の溝型素子分離領域内に発生した線状のボイド内には導電体が埋め込まれるボイド検出装置の評価方法であって、
前記電極と前記導電領域との間に所定の電圧を印加する工程と、
前記電極と前記導電領域との間を流れる電流量を測定する工程と、
測定された電流量と、予め定められた基準値とを比較することによって、前記第1の溝型素子分離領域に発生したボイドの有無を評価する工程とを備える、ボイド検出装置の評価方法。 - 前記ボイド検出装置は、
前記半導体基板上に形成され、前記第1の幅を有する第2の溝型素子分離領域と、前記第2の幅を有する第2の活性化領域とが交互に縞状に配置される第1の校正パターンと、
前記半導体基板上に形成され、前記第2の幅より大きな所定の第3の幅を有する第3の活性化領域を含む第2の校正パターンとを更に含み、
前記第1の校正パターンを用いて、前記第2の活性化領域の電気抵抗値を測定する工程と、
前記第2の校正パターンを用いて、前記第3の活性化領域の電気抵抗値を測定する工程と、
前記第2及び第3の活性化領域の各々の電気抵抗値に基づいて、前記第1の幅を同定する工程と、
測定された電流量と、同定された前記第1の幅との相関関係を求める工程とを更に備える、請求項7または請求項8に記載のボイド検出装置の評価方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7973309B2 (en) | 2008-05-15 | 2011-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | TEG pattern for detecting void in device isolation layer and method of forming the same |
CN109560001A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-02 | 上海华力微电子有限公司 | 半导体器件的缺陷检测结构、装置及其检测方法 |
CN112599436A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-02 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种晶体管、及sti异常孔洞的侦测方法 |
-
2005
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