JP2007123635A - レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
出力されるレーザ光線に対して変動のない正確なモニタリングを可能にして高精度のレーザ光線の出力制御を可能とする。
【解決手段】
レーザ光線5を分割して得られるモニタ光6を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を反射してモニタ光として分割する光束分割手段3を有し、該光束分割手段の表面S1 での反射光6aと裏面S2 での反射光6bとの干渉を抑制する様、表面の反射率R1 と裏面での反射率R2 を設定した。
【選択図】 図1
出力されるレーザ光線に対して変動のない正確なモニタリングを可能にして高精度のレーザ光線の出力制御を可能とする。
【解決手段】
レーザ光線5を分割して得られるモニタ光6を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を反射してモニタ光として分割する光束分割手段3を有し、該光束分割手段の表面S1 での反射光6aと裏面S2 での反射光6bとの干渉を抑制する様、表面の反射率R1 と裏面での反射率R2 を設定した。
【選択図】 図1
Description
本発明はレーザ装置、特にレーザ出力制御を行うレーザ装置に関するものである。
図5によりレーザの出力制御を行っている従来のレーザ装置について概略を説明する。
図5中、1はレーザ発振器、2は電源、制御部を含む駆動装置、3は板ガラス(ハーフミラー)等の光束分割手段、4は該光束分割手段3に対向して設けられた受光器である。
前記レーザ発振器1から出力されるレーザ光線5の光路中に前記光束分割手段3が45゜の反射面を持つ様に配設され、該光束分割手段3は前記レーザ光線5の一部、例えば2%〜5%を反射し、該レーザ光線5の大部分を透過する。前記受光器4は前記光束分割手段3で反射された反射光6(以下モニタ光6)を受光し、受光強度信号として前記駆動装置2に入力する。
該駆動装置2は前記モニタ光6の光強度が一定となる様に前記レーザ発振器1を定出力制御(APC:Automatic Power Control)する。
前記光束分割手段3によって前記レーザ光線5を分割した場合、図6に示される様に、該レーザ光線5は前記光束分割手段3の表面S1 だけでなく裏面S2 でも反射する。裏面S2 での反射光6bは、表面S1 での反射光6aに対して光束分割手段3の板厚を往復する分だけ光路長が長くなり、前記反射光6aと前記反射光6bとの間で位相差が生じ、前記反射光6aと前記反射光6bとが干渉する。
前記レーザ光線5が一定の条件で入射する場合、更に表裏両面での反射率が一定の場合、干渉の条件は一定となり、前記レーザ光線5に対する前記モニタ光6の比率も一定となり、該モニタ光6に基づきレーザ光線の定出力制御が可能である。
然し乍ら、前記レーザ光線5の入射条件は一定ではなく、波長、温度等により変化する。この為、表裏両面での反射率が変る等し、前記光束分割手段3のトータルした反射率も変化し、前記レーザ光線5に対する前記モニタ光6の比率も変化する。更に、前記レーザ光線5にS直線偏光、P直線偏光、更に円偏光等が混在する場合は、偏光状態で反射率が異なり、S直線偏光、P直線偏光、円偏光の混在比率が変化する場合は、やはり、トータルした反射率が変化し、、前記レーザ光線5に対する前記モニタ光6の比率も変化するという問題がある。
尚、出力光の一部をハーフミラーにより分割してモニタリングし、モニタリングした結果に基づき一定強度のレーザ光線を出力する様にしたレーザ装置として特許文献1に示されるものがある。特許文献1に示されるモニタリングに於いても、上述した様にハーフミラーの表裏2面の反射については考慮されていない。
本発明は斯かる実情に鑑み、出力されるレーザ光線に対して変動のない正確なモニタリングを可能にして高精度のレーザ光線の出力制御を可能とするものである。
本発明は、レーザ光線を分割して得られるモニタ光を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を反射してモニタ光として分割する光束分割手段を有し、該光束分割手段の表面での反射光と裏面での反射光との干渉を抑制する様、表面の反射率R1 と裏面での反射率R2 を設定したレーザ装置に係り、又前記光束分割手段の表面の反射率R1 と裏面での反射率R2 を、R1 <<R2 、又はR1 >>R2 と設定したレーザ装置に係り、更に又R1 /R2 、又はR2 /R1 が1/3以下であるレーザ装置に係るものである。
本発明によれば、レーザ光線を分割して得られるモニタ光を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を反射してモニタ光として分割する光束分割手段を有し、該光束分割手段の表面での反射光と裏面での反射光との干渉を抑制する様、表面の反射率R1 と裏面での反射率R2 を設定したので、表面での反射光と裏面での反射光との干渉によるモニタ光の変動が低減し、正確なモニタリングが可能となり、モニタ光に基づく高精度の出力制御が可能となるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
図1に於いて、本発明の原理について説明する。尚、図1中、図6中に示したものと同等のものには同符号を付してある。
光束分割手段3の表面S1 、裏面S2 にはそれぞれ低反射の第1反射防止膜8、第2反射防止膜9を形成している。
図1は表面S1 、裏面S2 の1回のみの反射を考慮した場合を示しており、前記表面S1 、及び前記裏面S2 での振幅反射率をそれぞれr1 、r2 (ri2=Ri)とし、又前記第1反射防止膜8を含み前記表面S1 での入射時の振幅透過率をt1 、射出時の振幅透過率をt1 ′とするとモニタ光6の複素振幅は次式で表される。
D=A・r1 +A・t1 ・r2 ・t1 ′・eiφ …(1)
ここで、φ=n・l・2π/λであり、
又、D:反射光の複素振幅、A:入射光の複素振幅、n:光束分割手段の屈折率、l:入射光5中の光路差、λ:波長、φ:位相項である。
又、D:反射光の複素振幅、A:入射光の複素振幅、n:光束分割手段の屈折率、l:入射光5中の光路差、λ:波長、φ:位相項である。
t1 、t1 ′≒1と仮定すると、モニタする前記モニタ光6の強度は、
|D|2=A2|r1 +r2 ・eiφ|2
となり、反射光の強度の変化量は振幅反射率r1 、r2 で決定される。
|D|2=A2|r1 +r2 ・eiφ|2
となり、反射光の強度の変化量は振幅反射率r1 、r2 で決定される。
反射光の強度と振幅反射率r1 、r2 との関係は、図2で示される。
図2より、反射光の強度(max):|r1 +r2 |2
反射光の強度(min):|r1 −r2 |2
となる。
図2より、反射光の強度(max):|r1 +r2 |2
反射光の強度(min):|r1 −r2 |2
となる。
従って、反射光6aと反射光6bとの干渉を抑制し、モニタ光6の出力変動を少なくする為には、上記強度(max)と強度(min)との差を小さくすればよい。
よって、R1 <<R2 、又はR1 >>R2 (R1 /R2 又はR2 /R1 の値は≦1/3から略下限値であることが、好ましい。)となる様に、前記第1反射防止膜8、第2反射防止膜9の反射率を設定することで、前記モニタ光6の出力変動の低減が実現できる。
以下、具体例について説明する。例えば前記光束分割手段3がガラスであり反射防止膜がない場合、表面S1 、裏面S2 の反射率R1 ,R2 はそれぞれ4%〜5%である(r1 ,r2 はそれぞれ0.2)。反射率R1 ,R2 をそれぞれ4%として、
反射光の強度(max):|r1 +r2 |2=|0.2+0.2|2=0.16
反射光の強度(min):|r1 −r2 |2=|0.2−0.2|2=0
変動幅は、0.16−0=0.16=16%
反射光の強度(max):|r1 +r2 |2=|0.2+0.2|2=0.16
反射光の強度(min):|r1 −r2 |2=|0.2−0.2|2=0
変動幅は、0.16−0=0.16=16%
一方、前記表面S1 に反射防止膜を施し反射率R1 を0.5%(r1 ≒0.071)にすると、
反射光の強度(max):|r1 +r2 |2=|0.071+0.2|2=0.073
反射光の強度(min):|r1 −r2 |2=|0.071−0.2|2=0.017
変動幅は、0.073−0.017=0.056=5.6%
反射光の強度(max):|r1 +r2 |2=|0.071+0.2|2=0.073
反射光の強度(min):|r1 −r2 |2=|0.071−0.2|2=0.017
変動幅は、0.073−0.017=0.056=5.6%
よって、ガラスの片面のみに反射防止膜をつけることでモニタ光6の変動幅を大幅に低減できる。
又、実際には、前記レーザ光線5の出力を高めることが望ましく、r1 、r2 のいずれか一方を0に近づけることでトータルの反射率を下げ、又前記モニタ光6の出力変動の低減を実現する。
次に、本発明を実施したレーザ装置の一例を図3を参照して説明する。
図3中、図5中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
先ずレーザ発振器1について説明する。
前記レーザ発振器1は、半導体レーザからのレーザ光線の周波数を変換する内部共振型SHG方式のLD励起固体レーザであり、LD発光器11及び該LD発光器11から発せられた励起光を増幅して出力する光共振部10を具備している。
該光共振部10は第1の誘電体反射膜13が形成されたレーザ結晶14、非線形光学媒質(NLO)15、第2の誘電体反射膜16が形成された凹面鏡17を具備している。前記光共振部10に於いてレーザ光線をポンピングし、共振、増幅して出力している。尚、前記レーザ結晶14としては、Nd:YVO4 、前記非線形光学媒質15としてはKTP(KTiOPO4 :リン酸チタニルカリウム)が挙げられる。
前記LD発光器11は、例えば励起光として波長809nmの直線偏光のレーザ光線を射出する為のものであり、発光素子として半導体レーザ11aが使用されている。尚、レーザ発光手段は半導体レーザに限ることなく、レーザ光線を生じさせることができれば、何れのレーザ発光手段をも採用することができる。
前記レーザ結晶14は光の増幅を行う為のものである。該レーザ結晶14には、発振線が1064nmのNd:YVO4 が使用される。その他、Nd3+イオンをドープしたYAG(イットリウム アルミニウム ガーネット)等が採用され、YAGは、946nm、1064nm、1319nm等の発振線を有している。又、発振線が700nm〜900nmのTi(Sapphire)等を使用することができる。
前記第1の誘電体反射膜13は、前記LD発光器11からのレーザ光線に対して高透過であり、且つ前記レーザ結晶14の発振波(基本波)に対して高反射であると共に、波長変換光、例えば第2次高調波(SHG:SECOND HARMONIC GENERATION)に対しても高反射となっている。
前記凹面鏡17は、前記レーザ結晶14に対向する様に構成されており、前記凹面鏡17の前記レーザ結晶14側は、適宜の半径を有する凹球面鏡の形状に加工されており、前記第2の誘電体反射膜16が形成されている。該第2の誘電体反射膜16は、前記レーザ結晶14の発振波(基本波)に対して高反射であり、SHGに対して高透過となっている。
上述した様に、前記レーザ結晶14の前記第1の誘電体反射膜13と、前記凹面鏡17の前記第2の誘電体反射膜16とを組合わせ、前記LD発光器11からのレーザ光線を集光レンズ(図示せず)を介して前記レーザ結晶14にポンピングさせると、該レーザ結晶14の前記第1の誘電体反射膜13と、前記第2の誘電体反射膜16との間で光が往復し、光を長時間閉込めることができるので、光を共振させて増幅させることができる。
前記レーザ結晶14の前記第1の誘電体反射膜13と、前記凹面鏡17とから構成された前記光共振部10内に前記非線形光学媒質15が挿入されている。該非線形光学媒質15にレーザ光線の様に強力なコヒーレント光が入射すると、光周波数を2倍にする第2次高調波(SHG)が発生する。該第2次高調波(SHG)の発生は、SECOND HARMONIC GENERATIONと呼ばれている。従って、前記レーザ発振器1からは、波長532nmのレーザ光線が射出される。
前記したレーザ発振器1では前記非線形光学媒質(以下波長変換素子)15を、前記レーザ結晶14と前記凹面鏡17とから構成された光共振部10内に挿入しているので、内部型SHGと呼ばれており、変換出力は、励起光電力の2乗に比例するので、光共振器内の大きな光強度を直接利用できるという効果がある。
前記波長変換素子15で発生した第2次高調波(以下波長変換光)は前記波長変換素子15の前記凹面鏡17側の端面、及び前記レーザ結晶14側の端面の両方から射出される。前記凹面鏡17側の端面から射出された波長変換光は、直接前記第2の誘電体反射膜16、前記凹面鏡17を透過して射出される。又、前記レーザ結晶14側から射出された波長変換光は前記レーザ結晶14を透過して前記第1の誘電体反射膜13で反射され、前記波長変換素子15、前記第2の誘電体反射膜16、前記凹面鏡17を透過して射出される。
次に、上記レーザ発振器1を具備したレーザ装置について説明する。
前記LD発光器11、前記レーザ結晶14、前記非線形光学媒質15、凹面鏡17等は一体化されたレーザ発振器1として構成され、電子冷凍素子(TEC)等の冷却器19に設置される。
駆動装置2は入出力部21を介して前記LD発光器11、前記冷却器19を駆動制御可能であり、前記LD発光器11、前記レーザ結晶14、前記非線形光学媒質15の温度を検出する温度センサ22が設けられ、該温度センサ22及び受光器4は前記入出力部21を介して前記駆動装置2に接続されている。
尚、図3中、23は前記凹面鏡17に対向して設けられたフィルタであり、該フィルタ23は前記レーザ発振器1から漏出る不要な励起光や基本波等の赤外光をカットし、SHG光のみを出射させる。又、24はケースであり、該ケース24のレーザ光線射出窓には光束分割手段3が光路に対して所定の角度、例えば約10°以下の角度を有する様に設けられ、前記光束分割手段3で反射されたモニタ光6が前記受光器4に入射する様になっている。
前記半導体レーザ11aから射出された励起光は、前記レーザ結晶14により基本光に変換され、更に前記非線形光学媒質15で波長変換され波長変換光が発生する。波長変換光の一部は、前記非線形光学媒質15の前記第2の誘電体反射膜16側の端面から直接該第2の誘電体反射膜16を経て照射されるが、波長変換光の残りは前記レーザ結晶14を透過し、第1の誘電体反射膜13で反射され、前記非線形光学媒質15を透過して前記第2の誘電体反射膜16を経て照射される。前記レーザ結晶14には波長板作用があるので、波長変換光の残りが前記レーザ結晶14を透過することで、射出される波長変換光の残りはP直線偏光成分、S直線偏光成分を含む楕円偏光となる。
前記レーザ発振器1から射出される波長変換光(レーザ光線5)の一部は前記光束分割手段3により反射され、該光束分割手段3で反射された前記モニタ光6は前記受光器4で受光され、受光信号が前記入出力部21を介して前記駆動装置2に送出される。該駆動装置2は受光信号を基に前記入出力部21を介して前記LD発光器11の出力を制御する。又、該LD発光器11、前記レーザ結晶14、前記非線形光学媒質15の温度は前記温度センサ22により検出され、該温度センサ22の検出温度に基づき前記冷却器19が前記入出力部21を介して駆動制御され、前記LD発光器11、前記レーザ結晶14、前記非線形光学媒質15が所定温度に維持される様に冷却される。
前記レーザ光線5は楕円偏光となっており、又前記レーザ結晶14の波長板作用は該レーザ結晶14の温度によって変化するので、前記レーザ光線5のP直線偏光成分、S直線偏光成分の割合も変化する。
P直線偏光、S直線偏光はそれぞれ反射面に対する入射角度により反射率が変化するという特性を持っている。図4は、P直線偏光、S直線偏光の入射角の変化に対応した反射率の変化を示している。図4から、P直線偏光、S直線偏光共に入射角が0から略10°迄は反射率が略一定であり、S直線偏光については入射角が90°迄漸次増加し、P直線偏光については約56°迄反射率が減少し、約56°で反射率が略0となり、以降90°迄増加し、入射角90°でS直線偏光と反射率が一致する。
本レーザ装置では、前記レーザ光線5にP直線偏光、S直線偏光が混在する場合の、前記光束分割手段3での反射率の変動を避ける為に、該光束分割手段3に対する前記レーザ光線5の入射角を小さく、例えば約10°以下の角度を有する様に設けられる。
入射角を小さくした場合、前記レーザ光線5の前記光束分割手段3の表面S1 での反射光6aと裏面S2 の反射光6bとが干渉を生じ易くなり、干渉によりトータルのモニタ光6の反射率の変動が問題となる。
上記した様に、本発明では表面S1 の反射率R1 、裏面S2 の反射率R2 を、R1 <<R2 、又はR1 >>R2 とするので、干渉によるトータル反射率変動も低減でき、高精度のレーザ光線の出力制御が可能となる。
1 レーザ発振器
2 駆動装置
3 光束分割手段
4 受光器
5 レーザ光線
6 モニタ光
10 光共振部
11 LD発光器
2 駆動装置
3 光束分割手段
4 受光器
5 レーザ光線
6 モニタ光
10 光共振部
11 LD発光器
Claims (3)
- レーザ光線を分割して得られるモニタ光を基にレーザ発振器の出力を制御するレーザ装置に於いて、レーザ光線を反射してモニタ光として分割する光束分割手段を有し、該光束分割手段の表面での反射光と裏面での反射光との干渉を抑制する様、表面の反射率R1 と裏面での反射率R2 を設定したことを特徴とするレーザ装置。
- 前記光束分割手段の表面の反射率R1 と裏面での反射率R2 を、R1 <<R2 、又はR1 >>R2 と設定した請求項1のレーザ装置。
- R1 /R2 、又はR2 /R1 が1/3以下である請求項1のレーザ装置。
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