JP2007115553A - X線管 - Google Patents

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Abstract

【課題】 コイル状のフィラメントの長手方向の温度分布を均一にできて,かつ,フィラメントが電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けないようにして,フィラメントの寿命を長くする。
【解決手段】ウェーネルト電極44の開口48の内部にコイル状のフィラメント10を配置する。フィラメントの幅方向の中心線に対してウェーネルト電極の開口の二つの長辺56,58は非対称の位置にある。すなわち,偏心フィラメント構造をしている。これにより,フィラメントは電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けない。フィラメントは,中央部の巻きピッチよりも端部の巻きピッチが密になっていている。すなわち,端部の複数のターンの巻きピッチが,中央部に近いターンから一番外側のターンに向かって,順次,同じ変化量だけ減少している。これにより,フィラメントの長手方向の温度分布が均一になる。
【選択図】図7

Description

本発明は、フィラメントの寿命を長くするための工夫に特徴のあるX線管に関する。
X線管の部品の中で最も寿命が短いものはフィラメントであり,このフィラメントの寿命を長くできれば,X線管のメンテナンスにかかる費用と時間は大いに節約される。フィラメントの寿命に影響を及ぼす大きな要因として,フィラメントの長手方向の温度分布の不均一性と,ターゲットからのイオン衝撃とを挙げることができる。
まず,フィラメントの長手方向の温度分布が不均一であることによる寿命低下について説明する。通常のX線管用フィラメントは,コイル状であって,その線径や巻きピッチが一様に作られているので,フィラメントの長手方向の中央付近の温度が一番高くなり,両端付近の温度が低くなる。温度が高い部分では,フィラメントの消耗が激しく,その部分では線径が細くなってくる。線径が細くなると,電気抵抗が増加して,その部分の発熱量が増加し,さらに温度が高くなる。そのような悪循環により,ついには,温度の高い中央部分で,フィラメントの断線が生じる。
次に,ターゲットからのイオン衝撃による寿命低下について説明する。フィラメントから放出された電子ビームは,ウェーネルト電極が形成する電界に絞られて,ターゲット上に所定の電子ビーム照射領域を形成する。この電子ビーム照射領域からX線が発生する。ところで,この電子ビーム照射領域からは,上述のX線のほかに,ターゲット材料を構成する金属原子のイオン(正のイオン)が放出されて,このイオンがフィラメントに衝突することがある。フィラメントがこのイオン衝撃を受けると,フィラメントが侵食されて,ついには,その部分が断線に至る。
上述の二つの問題点に対しては,それぞれ,それらを解決するための対策を従来技術の中から探し出すことができる。
まず,X線管以外の技術分野においては,コイル状のフィラメントの長手方向の温度分布を均一にするために,中央部の巻きピッチを粗に,端部の巻きピッチを密にすることについて,次の特許文献1及び特許文献2が知られている。
特開昭63−232264号公報 実願昭63−57323号(実開平1−161547号)のマイクロフィルム
特許文献1は,電子複写機用のハロゲン電球のコイルフィラメントに関するものであるが,端部のコイルピッチを中間部のそれよりも密にすることで,端部での温度低下を防いで,端部での照度を中央部と同じにしている。例えば,中間部のピッチは26.3ターン/cmであり,端部では33.8ターン/cmである。
特許文献2は,車両等に使用される電球のコイルフィラメントに関するものであるが,中央部の巻きピッチを両端部の巻きピッチよりも疎にすることで,フィラメントの長手方向の温度分布を均一にしている。さらに,この文献では,一番外側の巻きピッチを一番密にして,一番外側から中央部に向かって,巻きピッチを,順次,疎状態にすることについても開示している。
次に,X線管の技術分野においては,フィラメントの配置位置を電子ビーム照射領域の対面位置からシフトする技術が,次の特許文献3及び特許文献4に開示されている。
特開平5−242842号公報 特開2001−297725号公報
これらの特許文献3と特許文献4は,いずれも,1対の偏心フィラメントを組み合わせた例に関するものであるが,フィラメントに対してウェーネルト電極の開口を非対称に設けることで,ターゲット上の電子ビーム照射領域が上述のフィラメント中心延長線から偏心するようにしている。このような構造にすると,フィラメントがイオン衝撃を受けにくくなる。
本発明者らは,X線管のフィラメントの寿命を長くすることを鋭意研究した結果,フィラメントの温度分布の不均一性(特に,長手方向の中央部の温度がほかの部分よりも高温になること)を解消することと,フィラメントがイオン衝撃を受けにくくすることの両方を同時に解決することが,フィラメントの長寿命化に最も効果的であることを見出した。
そこで,本発明の目的は,コイル状のフィラメントの長手方向の温度分布を均一にできて,かつ,フィラメントが電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けないようにして,フィラメントの寿命を長くしたX線管を提供することにある。
本発明のX線管は,細長い開口を有するウェーネルト電極と前記開口の内部に配置されたコイル状のフィラメントとを備える電子銃と,この電子銃から放出される電子ビームを受けてX線を発生するターゲットとを備えるものである。そして,ウェーネルト電極の特徴としては,前記フィラメントの幅方向の中心線に対してウェーネルト電極の開口の二つの長辺が非対称の位置にある。すなわち,偏心フィラメント構造をしている。さらに,フィラメントの特徴としては,前記フィラメントは,巻きピッチが同一の複数のターンを有する中央部と,前記中央部の両側にあって,前記中央部の巻きピッチよりも小さい巻きピッチの複数のターンを有する二つの端部とからなる。すなわち,粗密巻きフィラメントを採用している。この粗密巻きフィラメントは,前記端部の複数のターンの巻きピッチが,前記中央部に近いターンから一番外側のターンに向かって,順次,同じ変化量だけ減少している。
粗密巻きフィラメントは,さらに,フィラメントの温度分布をより均一にするために,次のような特徴をもたせることが好ましい。前記中央部の巻きピッチをpで表し,前記変化量をΔpで表し,前記フィラメントの全体の巻数をnで表し,前記二つの端部の合計の巻数をkで表すと,Δp/pを0.015から0.1までの範囲内とし,k/nを0.3から0.8までの範囲内とする。この場合に,前記k/nの値は次の数式の範囲内にあることが好ましい。k/n=0.72−4.66(Δp/p)±0.12。
ウェーネルト電極の開口の形状については,さらに,ターゲット上の電子ビーム照射領域が湾曲しないように,次のいずれかの特徴をもたせることが好ましい。(1)ウェーネルト電極の表面の法線方向から見て,ウェーネルト電極の開口の二つの長辺を,それぞれ,同じ方向に湾曲させる。その場合に,前記二つの長辺の曲率半径は互いに異ならせるのが好ましい。(2)ウェーネルト電極の表面に平行な視線方向であって,かつ,ウェーネルト電極の開口の長手方向に垂直な視線方向から見て,前記開口の二つの長辺を,互いに逆方向に湾曲させる。(3)ターゲット上の電子ビーム照射領域が細長い形状をしていて,前記電子ビーム照射領域の湾曲係数が0.01以下となるようにウェーネルト電極の開口の二つの長辺をそれぞれ曲線で形成する。
本発明によれば,上述のように粗密巻きフィラメントと偏心フィラメント構造を同時に採用したことにより,フィラメントの長手方向の温度分布が均一になり,かつ,フィラメントが電子ビーム照射領域からのイオン衝撃を受けにくくなり,それらの相乗効果で,フィラメントの長寿命化が達成された。
以下,図面を参照して本発明の実施例を詳しく説明する。まず,粗密巻きフィラメントについて説明する。図1は本発明のX線管で使用するフィラメントについての正面図である。このフィラメント10は線径dの線材12を,外径Dになるように,巻数n(すなわち,nターン)でコイル状に巻いたものである。両端にはリード線14が一体につながっている。この例は,巻数nが20である。図において,一番左側のターンを第1ターンと呼び,以下,第2ターン,第3ターンとなり,一番右側のターンが第20ターンである。第1ターンの巻きピッチはp1であり,第2ターンの巻きピッチはp2であり,以下,同様である。一番右側の第20ターンの巻きピッチはp20である。これを一般的に表すと,第iターンの巻きピッチはpiであり,i=1〜nである。以下,巻きピッチを単にピッチと略称する。
図示のフィラメントは,第6ターンから第15ターンまでのピッチが同一の値になっている。ピッチが同一の複数のターンからなる部分を中央部と呼び,そのピッチをpで表す。すなわち,p6=p7=…=p15=pである。第1ターンから第5ターンまでは,そのピッチが中央部のピッチよりも小さくなっている。すなわち,ピッチが中央部よりも密になっている。第16ターンから第20ターンまでも同様である。このように,中央部よりもピッチが小さくなっている部分を端部と呼ぶ。第5ターンのピッチp5は,中央部のピッチpよりも,Δpだけ小さくなっている。さらに,第4ターンのピッチp4は,ピッチp5よりもΔpだけ小さくなっている。以下,同様に,第1ターンまで,ピッチが順に減少していく。すなわち,図示の左側の端部において,第5ターン(中央部に近いターン)から第1ターン(一番外側のターン)に向かって,順次,Δpだけ,ピッチが減少していく。これを数式で表すと,p−p5=p5−p4=p4−p3=p3−p2=p2−p1=Δpである。図示の右側の端部でも同様であり,p−p16=p16−p17=p17−p18=p18−p19=p19−p20=Δpである。
図2は,図1のフィラメントにおけるピッチの変化を示したグラフである。横軸はターン番号であり,縦軸は各ターンのピッチである。この例では,第6ターンから第15ターンまでの中央部では,ピッチpは0.65mm(650μm)で一定である。第5ターンのピッチp5は,中央部のピッチpよりも,Δp=30μmだけ小さくなっている,したがって,p5=0.62mmである。以下,同様に,同じ変化量Δpだけ減少していく。すなわち,p4=0.59mm,p3=0.56mm,p2=0.53mm,p1=0.50mmとなる。図示の右側の端部でも,同様に,p16=0.62mm,p17=0.59mm,p18=0.56mm,p19=0.53mm,p20=0.50mmとなる。
左側の端部では,中央部と比較してピッチが変化している巻数iは5個である。右側の端部でも,中央部と比較してピッチが変化している巻数jは5個である。それらの合計kは10個になる。したがって,このフィラメントの例では,中央部に含まれる巻数は10個であり,二つの端部に含まれる巻数(ピッチが変化する巻数)の合計kは10個である。
図3は,図1とは別のフィラメントの温度分布のグラフである。このフィラメントは,巻数nが22であり,d=0.4mm,D=3mm,p=0.65mm,Δp=0.03mm,i=5,j=5(すなわち,k=10)である。このフィラメントについて,電流を印加して2500℃付近まで加熱したときの,フィラメントの長手方向の温度分布を実測した。横軸はターン番号,縦軸は温度である。各ターンでの温度は,図1に示すように各ターンの頂点16のところで,光学式パイロメータで測定した。このフィラメントは,端部においてピッチが密になっているために,中央部の温度が両端に比べて高くなるようなことがない。むしろ,この例では,中央部の温度が若干低くなっている。そして,第3ターンから第20ターンまでの範囲では,温度分布は50℃の範囲内に収まっている。第1ターン,第2ターン,第21ターン,及び,第22ターンだけが,50℃の範囲内から外れている。
このような温度分布については,図3に示す実測値のほかに,理論計算によっても算出した。理論計算では,有限要素法を使って,電流と熱輻射を変数にして,温度分布を算出し,その温度分布ができるだけ均一になるように,Δpとk(=i+j)の値を定めた。そのときの計算上の温度分布は,図3に示す実測の温度分布とほぼ同じ傾向を示した。したがって,以下の検討では,温度分布ができるだけ均一になるように,理論計算によってΔpとkの値を求めている。
図4は解析結果の一覧表である。この一覧表では,さまざまなコイル仕様のフィラメントについて,ピッチ変化量Δpをパラメータとして,2500℃付近の温度において,フィラメントの長手方向の温度分布が50℃の温度範囲に収まるように(ただし,両端のそれぞれ二つのターンの温度だけは除く),最適なkの値を求めた。コイル仕様としては,線径d,コイル外径D,巻数n,中央部のピッチpがある。解析結果は,ピッチ変化量Δpをパラメータとして,そのΔpのときに,kの値をどの程度にしたら,上述のような良好な温度分布になるかを求めたものである。
例えば,d=0.2mm,D=1.13mm,n=20,p=0.65mmのコイル仕様のフィラメントについては,Δp=20μmの条件でフィラメントの端部のピッチを変化させると,i+j=k=8〜10にしたときに,温度分布が50℃の範囲内になる,というものである。図4におけるkの欄の右隣の「平均」は,kの最適範囲(例えば,8〜10)についての平均値である。最適なkの値が8〜10である場合には,両側の4ターンまたは5ターンについて,中央部に近い方から,順次,ピッチを減らしていくことになる。
図5は,図4に示す解析結果をグラフに示したものである。横軸はピッチ変化量Δpであり,縦軸はピッチが変化する巻数kの値である。すべてのコイル仕様についてのデータを,同一のグラフの中で示している。このグラフは,コイル仕様にかかわらず,Δpとkの関係が同じ傾向になることを示している。ピッチ変化量Δpを大きくすると,それに最適なkの値は小さくなる傾向にある。各データの分布の中心を通る直線20,厳密に言えば最小二乗法で得られた直線20は,「k=13.7−0.136Δp」という数式になる。この直線20を用いると,例えば,Δp=25μmを選択したときは,温度分布が最も均一になる最適なkは10〜11であることが分かる。
直線20のkの値に2をプラスしたものと,2をマイナスしたものが,直線22と24である。各データは,直線22と24の範囲内にほぼ収まっている。したがって,「k=13.7−0.136Δp±2」という数式を満足するように,Δpとkを選択すれば,温度分布が均一なフィラメントが得られることになる。
図6は,Δpとkを,pとnで規格化してから示したグラフである。横軸は,ピッチ変化量Δpを中央部のピッチpで除したものであり,縦軸は,ピッチが変化する巻数kを全部の巻数nで除したものである。このように規格化することで,巻数n及びピッチpに依存しない関係,すなわち,より一般的な関係になる。各データは,Δp/pが0.015から0.1の範囲内にあり,k/nが0.3から0.8までの範囲内にある。この範囲内のデータについて,2500℃付近での温度分布が50℃以内になるようなフィラメントが得られたので,Δp/pとk/nは,まずは,このような範囲内にするのが好ましい。
そして,各データの分布の中心を通る直線26を求めると,この直線26は,「(k/n)=0.72−4.66(Δp/p)」という数式になる。そして,この直線26の上下にプラス0.12及びマイナス0.12の直線28,30を引くと,各データはこの直線28,30の範囲内にほぼ収まる。この範囲内は「(k/n)=0.72−4.66(Δp/p)±0.12」という数式になる。この数式を満足するように,Δp/pとk/nを選択すれば,温度分布が均一なフィラメントが得られることになる。
次に,本発明のX線管で使用するウェーネルト電極,すなわち,偏心フィラメント構造のウェーネルト電極,について説明する。図7は,偏心フィラメント構造のウェーネルト電極を有するX線管の要部の断面図である。この図は,回転するターゲット(回転対陰極)40に電子銃42が対向している様子を示している。電子銃42はウェーネルト電極44とコイル状のフィラメント10を備えている。フィラメント10はウェーネルト電極44に形成した開口48の内部に配置されている。開口48とフィラメント10は,紙面に垂直な方向に細長く延びている。フィラメント10の幅方向の中心位置を通る線分であって,ウェーネルト電極44の表面50に垂直な線分52をフィラメント中心延長線と呼ぶことにする。偏心フィラメント構造では,このフィラメント中心延長線52に対して,ターゲット40上の電子ビーム照射領域の幅方向の中心位置が距離Eだけ偏心している。距離Eは,おおよそ,フィラメント10の幅方向の2分の1である。換言すれば,そのように電子ビーム54が偏心するように,ウェーネルト電極44の開口48が,フィラメント10の幅方向の中心に対して非対称に形成されている。すなわち,上述のフィラメント中心延長線52から,開口48の一方の長辺56(紙面に垂直な方向に延びている)までの距離Aは,上述のフィラメント中心延長線52から,開口48の他方の長辺58(紙面に垂直な方向に延びている)までの距離Bとは異なっていて,距離Aは距離Bよりも短くなっている。それゆえに,ウェーネルト電極44の形成する電界が電子ビーム54に及ぼす影響は非対称になり,図7の下向きになるように電子ビーム54は曲げられて,上述のように距離Eだけ電子ビーム照射領域が偏心する。
図9はウェーネルト電極の開口48とフィラメント10の位置関係を示している。開口48とフィラメント10は全体として細長い形状をしており,フィラメント10の幅方向の中心線64から,開口48の一方の長辺56までの距離Aと,他方の長辺58までの距離Bとは,互いに異なっている。長辺56,58は直線である。
図8は偏心フィラメント構造の電子銃の基本的な形状を示す正面図である。ウェーネルト電極44には細長い開口48が形成されていて,その開口48の内部に細長いコイル状のフィラメント10が配置されている。図7における電子銃42の断面図は,図8の7−7線断面図に相当する。図9はウェーネルト電極14の開口48の拡大図である。開口48は,概略,細長い矩形をしていて,二つの長辺56,58を備えている。開口48は,さらに,フィラメント収容空間49につながっている。このフィラメント収容空間49は,ウェーネルト電極44の正面から見て,開口48よりも小さい矩形である。図7に示すように,フィラメント収容空間49はウェーネルト電極44の表面50から所定距離だけ深い位置にある。図9において,フィラメント10の幅方向の中心線64から測って,開口48の一方の長辺56までの距離はAであり,他方の長辺58までの距離はBである。距離Bは距離Aよりも大きくなっている。
フィラメント10の寸法の一例を示すと,フィラメント10のコイルの外径は2.4mmであり,フィラメント10の長さは10.5mmである。そして,ウェーネルト電極44の正面から見て(すなわち,表面の法線方向から見て),開口48の寸法は16mm×8.2mmであり,フィラメント収容空間49の寸法は15mm×4mmである。距離Aは2.9mmであり,距離Bは5.3mmである。
図7において,フィラメント10にはターゲット40に対して負の高電圧(加速電圧)V1が印加され,一方,ウェーネルト電極44はフィラメント10に対して負のバイアス電圧V2が印加される。この実施例では,例えば,加速電圧V1は45kVであり,バイアス電圧V2は200Vである。ウェーネルト電極44の表面50からターゲット10の表面までの距離Cは10.5mmである。このとき,偏心距離Eは約1.2mmであり,この値は,フィラメント10のコイルの外径のほぼ半分に等しい。
上述のように偏心フィラメント構造を採用すると,ターゲット上の電子ビーム照射領域が湾曲する。すなわち,図14(A)に示すように,電子ビーム照射領域60が湾曲する。このような湾曲が問題になるような用途においては,以下に述べるような,ウェーネルト電極の開口の変更例を採用することが好ましい。
図10はウェーネルト電極の開口形状を工夫した第1変更例である。この図は,ウェーネルト電極の表面の法線方向から見たものである。開口48aは,概略,細長い矩形をしているが,二つの長辺56a,58aが,同じ方向に湾曲する曲線になっている。すなわち,一方の長辺56aは曲率半径R1で湾曲しており,他方の長辺58aは曲率半径R2で湾曲している。このように開口の長辺を湾曲させることで,ターゲット上の電子ビーム照射領域が,ほぼ直線状になる。この実施例では,R1は150mmであり,R2は64.7mmである。図14(B)は,図10に示す開口48aを備えた電子銃で得られたターゲット上の電子ビーム照射領域60aの形状を示している。W=0.43mm,L=6.35mmである。なお,電子ビーム照射領域60aの形状は,この電子ビーム照射領域から発生するX線の焦点形状を測定して決定したものである。
図12は図10に示す開口48aの斜視図であり,ウェーネルト電極の一部を切り取って,開口48aの長手方向の中央のところでウェーネルト電極を切断した状態を示している。ウェーネルト電極44の表面50は平坦である。開口48aの二つの長辺56a,58aは,通常の図9に示す開口48の二つの長辺(想像線56,58で示している)と比較して,湾曲している。
次に,開口の二つの長辺についての最適な曲率半径の決定方法を説明する。図15は電子ビーム照射領域の形状を測定する原理を示す平面図である。フィラメント10(紙面に垂直な方向に細長く延びている)から放出された電子ビーム54がロータターゲット40の表面に当たり,そこからX線66が発生して,このX線66がX線管68の取り出し窓70から取り出されて,2次元X線検出器72で検出される。この実施例では,2次元X線検出器72として,CMOSで構成された半導体X線検出器を用いている。取り出し窓70の直後には,ピンホール74が配置されていて,2次元X線検出器では,X線焦点76の形状についてのピンホール写真が得られるようになっている。ピンホール74の孔径は10μmである。X線焦点76からピンホール74までの距離は70mmであり,ピンホール74から2次元X線検出器72までの距離は630mmである。したがって,9倍の倍率のピンホール写真が得られる。図14(B)は,そのようにして得られたX線焦点形状を示している。なお,X線焦点形状内で,X線強度は一定ではなくて特有の強度分布を示しており,周辺にいくにしたがってX線強度が低下していくことになる。この場合,X線焦点形状の境界位置は,最大X線強度の半分の強度になるような位置であると定義している。
図15に示した測定法で電子ビーム照射領域の形状を測定して,図14(B)に示すように湾曲がほとんどない直線状の電子ビーム照射領域になるように,ウェーネルト電極の開口の二つの長辺の曲線形状を形成すればよい。さまざまな曲率半径の開口を形成して,そのそれぞれについて,図15に示すような測定を実施すれば,最適な曲率半径を決定することができる。これに対して,本件出願の発明者らは,図15に示す測定を多数実施することなく,さまざまな曲率半径について,まず,理論計算により,電子ビーム照射領域の形状を求めて,最適と思われる曲率半径を決定して,それから,その曲率半径の開口を実際に作って,図15に示す測定を実施した。その結果として得られたものが,上述の,R1=150mm,R2=64.7mmの値である。理論計算による電子ビーム照射領域の形状と,実測による形状は,ほぼ一致した。
ここで,理論計算方法について簡単に述べる。有限要素法を用いて,フィラメントとウェーネルト電極とターゲットとを含む空間での電界計算を行って,フィラメントから放出される電子軌道を計算することができ,それに基づいて,ターゲット上での電子ビーム照射領域の形状を求めることができる。
図14(A)に示す湾曲量ΔWの計算結果について述べると,図9に示す開口の場合,すなわち,二つの長辺が直線状の場合,ΔW/W=0.022である。R1=100mm,R2=81.8mmの場合,ΔW/W=0.0086である。R1=150mm,R2=64.7mmの場合,ΔW/W=0.0043である。
次に,ウェーネルト電極の開口の第2変更例を説明する。図11は第2変更例についてのウェーネルト電極の開口の近傍の断面図である。この第2変更例は,ウェーネルト電極の開口の形状は,正面から見たときは,図9に示す形状と同じである。ただし,二つの長辺が,ウェーネルト電極の表面に垂直な方向に湾曲している。図11は,第2実施例における,図9の11−11線断面図である。開口48bの一方の長辺56bは,その中央が,正面から見て(図11の右側から見て)奥に下がるように湾曲している。これに対して,他方の長辺58bは,正面から見て,手前に突き出るように湾曲している。これを言い換えると,「ウェーネルト電極の表面に平行な視線方向であって,かつ,開口の長手方向に垂直な視線方向」(図11の紙面に垂直な方向)から見て,開口の二つの長辺56b,58bが,互いに逆方向に湾曲している。このように湾曲させても,図14(B)に示すような,ほぼ直線状の電子ビーム照射領域を得ることができる。最適な曲率半径を求めるには,図10に示す第1変更例の場合と同様の作業を実施すればよい。
図13は,図11に示す第2変更例についての,図12と同様の斜視図である。この第2変更例の場合は,ウェーネルト電極44の表面は,平坦ではなく湾曲している。開口48bの一方の長辺56b側では,ウェーネルト電極44の表面78は,下に凸になるように湾曲し,他方の長辺58b側では,ウェーネルト電極44の表面80は,上に凸になるように湾曲している。通常の開口の二つの長辺は,想像線56,58で示している。
上述の実施例では,ロータターゲットを例にして説明しているが,本発明は,静止するターゲット(固定ターゲット)を備えるX線管にも適用できる。
本発明のX線管で使用するフィラメントの正面図である。 図1のフィラメントにおけるピッチの変化を図示したグラフである。 フィラメントの長手方向の温度分布のグラフである。 解析結果の一覧表である。 解析結果のグラフである。 解析結果の別のグラフである。 偏心フィラメント構造を示す断面図である。 偏心フィラメント構造の電子銃の基本的な形状を示す正面図である。 ウェーネルト電極の開口の拡大図である。 ウェーネルト電極の開口の第1変更例を示したものである。 ウェーネルト電極の開口の第2変更例の断面図である。 図10に示す開口の斜視図である。 図11に示す第2変更例についての,図12と同様の斜視図である。 電子ビーム照射領域の形状を示す説明図である。 電子ビーム照射領域の形状を測定する原理を示す平面図である。
符号の説明
10 フィラメント
12 線材
14 リード線
16 頂点
40 ターゲット
42 電子銃
44 ウェーネルト電極
48 開口
50 ウェーネルト電極の表面
52 フィラメント中心延長線
54 電子ビーム
56 長辺
58 長辺
60 電子ビーム照射領域
62 線分
64 中心線
66 X線
68 X線管
70 取り出し窓
72 2次元X線検出器
74 ピンホール
76 X線焦点
78 下に凸に湾曲した表面
80 上に凸に湾曲した表面

Claims (7)

  1. 細長い開口を有するウェーネルト電極と前記開口の内部に配置されたコイル状のフィラメントとを備える電子銃と,この電子銃から放出される電子ビームを受けてX線を発生するターゲットとを備えるX線管において,
    前記フィラメントの幅方向の中心線に対して前記開口の二つの長辺が非対称の位置にあり,
    前記フィラメントは,巻きピッチが同一の複数のターンを有する中央部と,前記中央部の両側にあって,前記中央部の巻きピッチよりも小さい巻きピッチの複数のターンを有する二つの端部とからなり,
    前記端部の複数のターンの巻きピッチは,前記中央部に近いターンから一番外側のターンに向かって,順次,同じ変化量だけ減少していることを特徴とするX線管。
  2. 請求項1に記載のX線管において,前記中央部の巻きピッチをpで表し,前記変化量をΔpで表し,前記フィラメントの全体の巻数をnで表し,前記二つの端部の合計の巻数をkで表すと,Δp/pが0.015から0.1までの範囲内にあり,k/nが0.3から0.8までの範囲内にあることを特徴とするX線管。
  3. 請求項2に記載のX線管において,前記k/nの値が次の数式の範囲内にあることを特徴とするX線管。
    k/n=0.72−4.66(Δp/p)±0.12
  4. 請求項1に記載のX線管において,前記ウェーネルト電極の表面の法線方向から見て,前記開口の二つの長辺が,それぞれ,同じ方向に湾曲していることを特徴とするX線管。
  5. 請求項4に記載のX線管において,前記二つの長辺の曲率半径が互いに異なっていることを特徴とするX線管。
  6. 請求項1に記載のX線管において,前記ウェーネルト電極の表面に平行な視線方向であって,かつ,前記開口の長手方向に垂直な視線方向から見て,前記開口の二つの長辺が,互いに逆方向に湾曲していることを特徴とするX線管。
  7. 請求項1に記載のX線管において,前記ターゲット上の電子ビーム照射領域が細長い形状をしていて,前記電子ビーム照射領域の湾曲係数が0.01以下となるように前記開口の二つの長辺がそれぞれ曲線で形成されていることを特徴とするX線管。
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