JP2007112662A - カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 触媒金属が導入された炭素線状構造体3の両端に直流電圧を印加することにより、エレクトロマイグレーションによって、触媒金属を析出させると共に移動させ、炭素線状構造体3のうちの触媒金属の移動軌跡に沿った領域を結晶化してグラファイトを形成することにより、カーボンナノチューブ6を製造する。移動して電極1に到達した触媒金属は、電極に含まれる金属と合金化し、オーミック接合部8を形成する。
【選択図】 図1
Description
3 アモルファスカーボン線状構造体
4 直流電源
5 スイッチ
6 カーボンナノチューブ
7、9 Ga堆積物
8、10 オーミック接合部
Claims (15)
- 触媒金属が導入された炭素線状構造体の両端に直流電圧を印加することによって、触媒金属を移動させ、炭素線状構造体のうちの触媒金属の移動軌跡に沿った領域を結晶化することにより、カーボンナノチューブを製造することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 直流電圧の電圧を反転させることにより、触媒金属を往復移動させることを特徴とする請求項1に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- イオンビーム励起化学気相堆積法によって、金属を含まない有機材料を用い、イオンビームに含まれる金属を含有する炭素線状構造体を、触媒金属が導入された前記炭素線状構造体として形成する工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 電子ビーム励起化学気相堆積法によって、金属を含む有機材料を用い、金属を含有する炭素線状構造体を、触媒金属が導入された前記炭素線状構造体として形成する工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 電子ビーム励起化学気相堆積法によって、金属を含まない有機材料および金属材料を用い、金属を含有しない炭素線状構造体の端部に金属粒子または金属塊が形成されたものを、触媒金属が導入された前記炭素線状構造体として形成する工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 触媒となる金属を含むレジストを用い、リソグラフィ法によって、触媒金属が導入された前記炭素線状構造体を、所定のパターン状に形成する工程を有することを特徴とする請求項1、2、または4に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 触媒金属が導入された前記炭素線状構造体を、基板の表面上に、形成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 触媒金属が導入された前記炭素線状構造体を、基板の表面上方に浮かせて、形成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1つに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 対の電極を形成する工程と、
前記対の電極間に触媒金属が導入された前記炭素線状構造体を形成する工程と、
請求項1乃至8のいずれか1つに記載のカーボンナノチューブの製造方法を、前記対の電極を介して前記炭素線状構造体の両端に直流電圧を印加して、行うことにより、対の電極のうちの少なくとも一方に含まれる金属と、該炭素線状構造体に沿って移動して電極に到達した触媒金属とを合金化させる工程とを有し、
対の電極のうちの少なくとも一方と前記カーボンナノチューブとの間にオーミック接合部を形成することを特徴とするオーミック接合の形成方法。 - 第1および第2の配線接続対象としての対の電極を形成する工程と、
前記対の電極間に触媒金属が導入された前記炭素線状構造体を形成する工程と、
請求項1乃至8のいずれか1つに記載のカーボンナノチューブの製造方法を、前記対の電極を介して前記炭素線状構造体の両端に直流電圧を印加して、かつ、直流電圧の電圧を反転させることによって触媒金属を往復移動させて、行うことにより、対の電極に含まれる金属と、該炭素線状構造体に沿って移動して電極に到達した触媒金属とをそれぞれ合金化させる工程とを有し、
前記第1および前記第2の配線接続対象間を該カーボンナノチューブによって接続することを特徴とする配線の形成方法。 - ソース電極およびドレイン電極としての第1および第2の電極を形成する工程と、
前記第1および前記第2の電極間に触媒金属が導入された前記炭素線状構造体を形成する工程と、
請求項1乃至8のいずれか1つに記載のカーボンナノチューブの製造方法を、前記第1および前記第2の電極を介して前記炭素線状構造体の両端に直流電圧を印加して、かつ、直流電圧の電圧を反転させることによって触媒金属を往復移動させて、行うことにより、対の電極に含まれる金属と、該炭素線状構造体に沿って移動して電極に到達した触媒金属とをそれぞれ合金化させる工程と、
前記カーボンナノチューブの周面にゲート電極としての第3の電極を形成する工程とを有することを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 請求項1乃至8のいずれか1つに記載のカーボンナノチューブの製造方法によって製造されたことを特徴とするカーボンナノチューブ。
- 請求項9に記載のオーミック接合の形成方法によって形成されたことを特徴とするオーミック接合。
- 請求項10に記載の配線の形成方法によって形成されたことを特徴とする配線。
- 請求項11に記載のトランジスタの製造方法によって製造されたことを特徴とするトランジスタ。
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JP2005305757A JP4967160B2 (ja) | 2005-10-20 | 2005-10-20 | カーボンナノチューブの製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013212980A (ja) * | 2013-05-01 | 2013-10-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭素線および集合線材の製造方法 |
US8668952B2 (en) | 2008-05-16 | 2014-03-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Carbon wire and nanostructure formed of carbon film and method of producing the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005033006A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Nec Corporation | カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ構造体 |
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2005
- 2005-10-20 JP JP2005305757A patent/JP4967160B2/ja active Active
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WO2005033006A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Nec Corporation | カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ構造体 |
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