JP2007110460A - 四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたcmos増幅器、それを用いた多入力cmos増幅器、高利得多入力cmos増幅器、高利得高安定多入力cmos増幅器および多入力cmos差動増幅器 - Google Patents
四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたcmos増幅器、それを用いた多入力cmos増幅器、高利得多入力cmos増幅器、高利得高安定多入力cmos増幅器および多入力cmos差動増幅器 Download PDFInfo
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 title abstract 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 102100037810 DEP domain-containing protein 1B Human genes 0.000 description 5
- 101000950656 Homo sapiens DEP domain-containing protein 1B Proteins 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 101100112673 Rattus norvegicus Ccnd2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 101001068628 Homo sapiens Protein PRRC2C Proteins 0.000 description 1
- 102100033952 Protein PRRC2C Human genes 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
【解決手段】 P形およびN形の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを用い、それぞれのドレインを共通接続して出力端子とし、それぞれの第一のゲートを接続して第一の入力端子とし、それぞれの第二のゲートを接続して第二の入力端子とするCMOS増幅器を構成する。このCMOS増幅器を複数個用い、その各出力端子を接続して一つの出力端子とし、各CMOS増幅器の入力端子は同複数個の2倍の独立した入力端子として用いて多入力CMOS増幅器を構成する。
【選択図】 図16
Description
CMOSインバータを用いた増幅器は、例えば特許文献1〜4に提案されているがすべて一つの出力端子に対応する入力端子は一つであり、上記欠点を有する。
さらに、このような増幅器で問題となるのはいわゆる入力オフセット電圧Vofsが存在することである。すなわち、図2に示すように出力電圧が基準電位、この場合は接地電位(0V)、となる入力電圧はやはり基準電位に等しいことが理想であるが、製造プロセスによる変動などで必ずしも基準電位ではなく、基準電位から見てある値、Vofsだけずれてしまうのが普通である。Vofsは通常極めて小さくなるように設計されるが、それでも各段の利得だけ増幅されていくので最後には動作範囲を逸脱してしまう恐れがある。この悪影響は増幅段数の制限を生じ、必要なオープンループゲインを確保できない欠点につながる。
そのため、入力オフセット電圧調整が必要であるが入力端子が一つであると信号入力端子に入力オフセット電圧調整回路を入れなければならず、信号の品質に悪影響を及ぼす欠点を有する。
さらにまた、上記複数個の入力端子を有する増幅器の少なくとも一つを高入力インピーダンスの信号入力端子として用い、他の入力端子は負帰還回路構成のためやオフセット電圧調整回路構成のために用いて従来の欠点を除去する。
(1)CMOS増幅器は、
第一の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびそれとは導電形が反対の第二の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタのそれぞれのドレインを接続して出力端子とし、前記両トランジスタそれぞれの第一のゲート電極を接続して第一の入力端子とし、前記両トランジスタそれぞれの第二のゲート電極を接続して第二の入力端子とし、前記両トランジスタそれぞれのソースをそれぞれ第一の電源および第二の電源に接続させたことを特徴とする。
(2)多入力CMOS増幅器は、
前記CMOS増幅器複数個からなる増幅器であって、それぞれの前記CMOS増幅器の入力端子をそれぞれ入力端子とし、それぞれの前記CMOS増幅器の出力端子を共通接続して一つの出力端子としたことを特徴とする。
(3)上記(2)記載の多入力CMOS増幅器は、
前記CMOS増幅器のそれぞれが同等の特性を有することを特徴とする。
(4)高利得多入力増幅器は、
上記(1)記載の前記CMOS増幅器又は上記(2)又は(3)記載の前記多入力CMOS増幅器を初段とし、その初段の出力端子に反転出力を得、かつオープンループゲインを増大させるように上記(1)記載の前記CMOS増幅器又は上記(2)又は(3)記載の前記多入力CMOS増幅器を偶数段接続したことを特徴とする。
(5)上記(4)記載の高利得多入力増幅器は、
前記初段のCMOS増幅器又は多入力CMOS増幅器を構成する前記各CMOS増幅器の各絶縁ゲート電界効果トランジスタのしきい値電圧の絶対値を前記後段の前記CMOS増幅器を構成する各絶縁ゲート電界効果トランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも大きくしたことを特徴とする。
(6)上記(1)記載のCMOS増幅器は、少なくとも一つの入力端子を信号入力端子とし、他の入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための電源に接続したことを特徴とする。
(8)上記(4)又は(5)記載の高利得多入力CMOS増幅器は、少なくとも一つの入力端子を信号入力端子とし、他の入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための電源に接続したことを特徴とする。
(9)上記(1)記載のCMOS増幅器は、上記(1)記載の第一の前記CMOS増幅器において、複数個の入力端子の内の一つを選択し、これと前記出力端子とを負帰還回路を通して接続し、前記選択した端子以外の他の前記入力端子は基準電位に保ち、負帰還増幅器を構成して前記出力端子にオフセット電圧調整電位を発生させ、前記出力端子を前記第一のCMOS増幅器と同じ構成を有する第二の前記CMOS増幅器の、選択された入力端子に相当する入力端子に接続して前記第二のCMOS増幅器の入力オフセット電圧を調整したことを特徴とする。
(10)上記(2)又は(3)記載の多入力CMOS増幅器は、上記(2)又は(3)記載の第一の前記多入力CMOS増幅器おいて、複数個の入力端子の内の一つを選択し、これと前記出力端子とを負帰還回路を通して接続し、前記選択した端子以外の他の前記入力端子は基準電位に保ち、負帰還増幅器を構成して前記出力端子にオフセット電圧調整電位を発生させ、前記出力端子を前記多入力CMOS増幅器と同じ構成を有する第二の前記多入力CMOS増幅器の、選択された入力端子に相当する入力端子に接続して多入力CMOS増幅器の入力オフセット電圧を調整したことを特徴とする。
(11)上記(4)又は(5)記載の高利得多入力CMOS増幅器は、上記(4)又は(5)記載の前記高利得多入力CMOS増幅器において、複数個の入力端子の内の一つを選択し、これと前記出力端子とを負帰還回路を通して接続し、前記選択した端子以外の他の前記入力端子は基準電位に保ち、負帰還増幅器を構成して前記出力端子にオフセット電圧調整電位を発生させ、前記出力端子を前記高利得多入力CMOS増幅器と同じ構成を有する前記高利得多入力CMOS増幅器の、選択された入力端子に相当する入力端子に接続して前記高利得多入力CMOS増幅器の入力オフセット電圧を調整したことを特徴とする。
(12)高利得高安定多入力CMOS増幅器は、上記(6)記載の前記CMOS増幅器を、反転出力を得、かつオープンループゲインを増大させるように奇数段従属接続したことを特徴とする。
(13)高利得高安定多入力CMOS増幅器は、上記(7)又は(8)記載の前記多入力CMOS増幅器又は高利得多入力CMOS増幅器を、反転出力を得、かつオープンループゲインを増大させるように奇数段従属接続したことを特徴とする。
(15)上記(4)、(5)および(8)のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器は、前記入力端子を3個以上とし、少なくとも一つの前記入力端子を信号入力に用い、他の前記入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための入力端子とし、残りの前記入力端子の一つを負帰還回路からの入力端子としたことを特徴とする。
(16)高安定多入力CMOS増幅器は、上記(1)、(6)および(9)のいずれか1項記載のCMOS増幅器、上記(2)、(3)、(7)、(10)および(14)のいずれか1項記載の多入力CMOS増幅器および上記(4)、(5)、(8)、(11)および(15)のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器のいずれか1つの増幅器を複数個用い、それぞれの出力端子を共通に接続して一つの出力端子としたことを特徴とする。
(17)高利得高安定多入力CMOS増幅器は、上記(16)の高安定多入力CMOS増幅器の出力端子に、反転出力で、かつオープンループゲインを増大させるように上記(1)、(6)および(9)のいずれか1項記載のCMOS増幅器、上記(2)、(3)、(7)、(10)および(14)のいずれか1項記載の多入力CMOS増幅器および上記(4)、(5)、(8)、(11)および(15)のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器のいずれか1つの増幅器を複数個従属接続したことを特徴とする。
(18)多入力CMOS差動増幅器は、
上記(1)、(6)および(9)のいずれか1項記載のCMOS増幅器、上記(2)、(3)、(7)、(10)および(14)のいずれか1項記載の多入力CMOS増幅器、上記(4)、(5)、(8)、(11)および(15)のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器、上記(16)記載の高安定多入力CMOS増幅器および上記(12)、(13)および(17)のいずれか1項記載の高利得高安定多入力CMOS増幅器のいずれか1つの増幅器を奇数段従属接続したものと、偶数段従属接続したもののぞれぞれの出力を、同相信号除去比を高めるように共通に接続したことを特徴とする。
Vout = −K1*A1*(Vin1−Vofs1)−K2*A2*(Vin2−Vofs2)− ・・・・−Kn*An*(Vinn−Vofsn) (n>1) ・・・・ (1)
と表せる。
Kj = Roj/(Ro1+Ro2+・・・+Roj+・・・・+Ron)、 (j=1、2、・・・、n)
である。Kj(j=1、2、・・・、、n)は1より小さいので、各入力から見たオープンループゲインは小さくなる。しかし、これは後段に同様なCMOSインバータ増幅器を従属接続することで回避できる。さて、図6で特に特性の同一のCMOSインバータ増幅器を用いれば、
Vout = −(1/n)*A*(Vin1−Vofs)−(1/n)*A*(Vin2−Vofs)− ・・・ −(1/n)*A*(Vinn−Vofs)、
A=A1=A2=・・・=An; Vofs=Vofs1=Vofs2=・・・=Vofsn ・・・・ (2)
となり、各入力から見たオープンループゲインは1/nとなるが、後段に同様CMOSインバータ増幅器を従属接続、例えば図8のように2段目、3段目を接続したとするとオープンループゲインはA*A*A/nとなる。Aは通常nよりは十分大きいと考えられるのでこれにより十分大きなオープンループゲインGを有する高利得多入力CMOS増幅器が得られる。以後、図6や図8など本発明の多入力CMOS増幅器または高利得多入力CMOS増幅器を図9に示す記号で統一して表すことにする。また、オープンループゲインG、A、A1、A2などは十分大きな値とする。
Va = Vofs1+(K2*A2*Vofs2+・・・+Kn*An*Vofsn)/(K1*A1) ・・・ (3)
とすれば良い。すなわち、一番目以外の入力端子全てに基準電位、0Vを与えた時、出力電圧を0Vとすることが出来る。特に特性の同一な増幅器を用いた場合は、
Va = n*Vofs ・・・(4)
とすれば良い。その他の入力端子は高入力インピーダンスを有する信号入力端子として用いることが出来る。図10において、丸記号とVaで上記Vaなる電位を有する電源、GRDは基準電位の回路ノード、この場合は接地を示す。
Vout = (K1*A1*Vofs1+K2*A2*Vofs2+・・・+Kn*An*Vofsn)/( K1*A1)
となる。これは、(3)式の右辺に等しい。そこで、図12に示すように、同じ回路構成の多入力CMOS増幅器または高利得多入力CMOS増幅器である増幅器1および増幅器2を用い、増幅器1は図11と同じ接続とし、その出力Vout1を増幅器2の1番目の入力に印加すれば、その増幅器2の入力オフセット電圧をゼロにすることが出来ることになる。これら二つの増幅器を同じ半導体チップ上に作製すれば、温度変化などによる特性の変動は同じであるので極めて安定して入力オフセット電圧がゼロに調整された増幅器が構成できる。さらに必要ならこれら入力オフセット電圧のゼロに調整された増幅器を図13のように多段接続して、動作範囲の安定した、かつオープンループゲインの極めて大きな高利得高安定多入力CMOS増幅器を構成できる。この場合、図に示したように後段の増幅器の入力端子数は2でも十分であるし、あるいは、入力オフセット調整用端子に用いた以外の入力端子を共通接続して前段の出力端子と接続することでも良い。なお、図13において、Va1、Va2、およびVa3で示した電源はそれぞれの増幅器の、入力オフセット調整用電源であり、GRDは基準電位の回路ノードである。このように、多段接続された各増幅器の入力オフセット電圧が各段でそれぞれ調整されていることは増幅器の出力電圧がどちらかの電源電圧にラッチされてしまうなどの欠点を回避できるので重要である。なお、入力オフセット電圧の増幅器全体の特性に及ぼす影響は後段の増幅器のものほど小さくなるので場合によっては後段の入力オフセット電圧調整電源を省略することも出来る。これらの増幅器も記号は図9を用いることにする。
上記で述べた通常の絶縁ゲート電界効果トランジスタの代わりにP形、N形の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタXTP1およびXTN1を用い、図15のように各々の第二ゲートをしきい値電圧調整用電源VptcおよびVntcにそれぞれ接続して、CMOSインバータ増幅器を構成することも出来る。この場合、しきい値電圧の絶対値が大きい増幅器はオープンループゲインが大きいので、多入力端子を有する上記各種多入力CMOS増幅器の初段を構成するのに用いると初段のオープンループゲインの低下を軽減できる。しかし、しきい値電圧絶対値が大きい増幅器は負荷駆動能力が低下するので、後段の増幅器はしきい値電圧の絶対値を小さくしてこれを補うようにする。最終段にこれを用いれば負荷駆動能力を高める効果は特に大きい。また、しきい値電圧を動的に制御して、例えば、無信号時などの待機時や未使用時のときはしきい値電圧の絶対値を大きくして、CMOSインバータに流れる貫通電流を極めて小さくすることが出来る。
そこで、図21(簡単のため信号入力端子は一個の場合を示したが必要なら複数個にしても良い)のように偶数段接続した増幅器(図では2個)と奇数段接続した増幅器(図では一個)をそれぞれほぼ同じ十分大きなオープンループゲインとなるように調整し、その出力を接続して新たな出力端子とすれば近似的な多入力差動増幅器が得られる。
また、CMOSインバータは最も高速で動作する回路であり、これを用いた増幅器は高いカットオフ周波数を持たせることが出来る。また電源電圧が小さくても動作可能であり、将来の素子微細化による電源電圧の低電圧化に対応し易いし、またより高いカットオフ周波数を有するように出来る。さらに、基本回路が同じCMOSインバータであるからディジタル回路とアナログ回路の混載が容易である。
図13は本発明の第五の実施例を示す。図10または図12の入力オフセット電圧をゼロとするように調整された増幅器を奇数個用いて多段従属接続すれば、動作範囲の安定した、かつ反転出力でオープンループゲインの極めて大きな高利得高安定多入力CMOS増幅器を構成できる。ただし、初段以外の増幅器の入力端子は2個あれば十分である。
図14は本発明の第六の実施例を示す。以上述べた、本発明の実施例において、入力端子数が3個以上の場合、一つを入力オフセット電圧調整用の端子として用い、他の一つを負帰還回路からの帰還信号入力に用い、さらに残りの入力端子を信号入力に用いている。このようにすると、負帰還回路で定まる利得を有し、オフセット電圧の調整された増幅器が構成できる。
図18は本発明の第八の実施例である。図16および図17の記号で示す二入力CMOS増幅器の一方の入力端子を、入力オフセット電圧を調整する電源Vaに接続し、他方を信号入力に用いる四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタによる高安定CMOS増幅器である。
図20は本発明の第十の実施例である。図18の高安定CMOS増幅器や図19の高安定多入力CMOS増幅器を奇数個従属接続してオープンループゲインが増大され、かつ反転出力で動作範囲の安定した高利得高安定多入力CMOS増幅器を示す。図では初段の信号入力端子は一つで、後段が高安定多入力CMOS増幅器の場合は信号入力端子は互いに接続して一入力とした場合を例として示す。
図21は本発明の第十一の実施例を示す。以上の実施例では反転出力のCMOS増幅器のみを説明してきたが、非反転出力を得るにはこれを偶数段接続すれば良い。
そこで、偶数段接続した増幅器(図では2個)と奇数段接続した増幅器(図では一個)をそれぞれほぼ同じ十分大きなオープンループゲインとなるように調整し、その出力を接続して新たな出力端子とすれば近似的なCMOS差動増幅器が得られる。この際、各段の入力オフセット電圧が調整されている方が動作をより安定化できるのでVa1、Va2、Va3でそれぞれの増幅器のオフセット電圧を調整する例を示した。図では信号入力端子が一個の場合を示したが必要なら複数個にして多入力CMOS差動増幅器とすることも出来る。
TN1、TN2 : N形絶縁ゲート電界効果トランジスタ
XTP1、XTP2 : P形四端子絶縁ゲート電界効果トランジスタ
XTN1、XTN2 : N形四端子絶縁ゲート電界効果トランジスタ
+Vs、 −Vs : 正、負の電源の電圧
A、A1、A2、・・・、An、G:増幅器のオープンループゲイン、または単に利得
Vofs、Vofs1、Vofs2、・・・、Vofsn:増幅器の入力オフセット電圧
Va、Va1、Va2、・・・、Van:入力オフセット電圧調整用電源の電位
Vin、Vin1、Vin2、・・・、Vinn、: 増幅器の入力端子あるいはその電位
Vin11、Vin21、・・・、Vinn1:増幅器1の各入力端子あるいはその電位
Vin12、Vin22、・・・、Vinn2:増幅器2の各入力端子あるいはその電位
Vout、Vout1、Vout2:増幅器の出力端子あるいはその電位
GRD : 接地
Zf、Zi、Zg : インピーダンス
Claims (18)
- 第一の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびそれとは導電形が反対の第二の四端子二重絶縁ゲート電界効果トランジスタのそれぞれのドレインを接続して出力端子とし、前記両トランジスタそれぞれの第一のゲート電極を接続して第一の入力端子とし、前記両トランジスタそれぞれの第二のゲート電極を接続して第二の入力端子とし、前記両トランジスタそれぞれのソースをそれぞれ第一の電源および第二の電源に接続させたことを特徴とするCMOS増幅器。
- 前記CMOS増幅器複数個からなる増幅器であって、それぞれの前記CMOS増幅器の入力端子をそれぞれ入力端子とし、それぞれの前記CMOS増幅器の出力端子を共通接続して一つの出力端子としたことを特徴とする多入力CMOS増幅器。
- 前記CMOS増幅器のそれぞれが同等の特性を有することを特徴とする請求項2記載の多入力CMOS増幅器。
- 請求項1記載の前記CMOS増幅器又は請求項2又は3記載の前記多入力CMOS増幅器を初段とし、その初段の出力端子に反転出力を得、かつオープンループゲインを増大させるように請求項1記載の前記CMOS増幅器又は請求項2又は3記載の前記多入力CMOS増幅器を偶数段接続したことを特徴とする高利得多入力CMOS増幅器。
- 前記初段のCMOS増幅器又は多入力CMOS増幅器を構成する前記各CMOS増幅器の各絶縁ゲート電界効果トランジスタのしきい値電圧の絶対値を前記後段の前記CMOS増幅器を構成する各絶縁ゲート電界効果トランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも大きくしたことを特徴とする請求項4記載の高利得多入力CMOS増幅器。
- 少なくとも一つの入力端子を信号入力端子とし、他の入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための電源に接続したことを特徴とする請求項1記載のCMOS増幅器。
- 少なくとも一つの入力端子を信号入力端子とし、他の入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための電源に接続したことを特徴とする請求項2又は3記載の多入力CMOS増幅器。
- 少なくとも一つの入力端子を信号入力端子とし、他の入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための電源に接続したことを特徴とする請求項4又は5記載の高利得多入力CMOS増幅器。
- 請求項1記載の第一の前記CMOS増幅器において、複数個の入力端子の内の一つを選択し、これと前記出力端子とを負帰還回路を通して接続し、前記選択した端子以外の他の前記入力端子は基準電位に保ち、負帰還増幅器を構成して前記出力端子にオフセット電圧調整電位を発生させ、前記出力端子を前記第一のCMOS増幅器と同じ構成を有する第二のCMOS増幅器の、選択された入力端子に相当する入力端子に接続して前記第二のCMOS増幅器の入力オフセット電圧を調整したことを特徴とする請求項1記載のCMOS増幅器。
- 請求項2又は3記載の第一の前記多入力CMOS増幅器において、複数個の入力端子の内の一つを選択し、これと前記出力端子とを負帰還回路を通して接続し、前記選択した端子以外の他の前記入力端子は基準電位に保ち、負帰還増幅器を構成して前記出力端子にオフセット電圧調整電位を発生させ、前記出力端子を前記多入力CMOS増幅器と同じ構成を有する第二の多入力CMOS増幅器の、選択された入力端子に相当する入力端子に接続して多入力CMOS増幅器の入力オフセット電圧を調整したことを特徴とする請求項2又は3記載の多入力CMOS増幅器。
- 請求項4又は5記載の前記高利得多入力CMOS増幅器において、複数個の入力端子の内の一つを選択し、これと前記出力端子とを負帰還回路を通して接続し、前記選択した端子以外の他の前記入力端子は基準電位に保ち、負帰還増幅器を構成して前記出力端子にオフセット電圧調整電位を発生させ、前記出力端子を前記高利得多入力CMOS増幅器と同じ構成を有する高利得多入力CMOS増幅器の、選択された入力端子に相当する入力端子に接続して前記高利得多入力CMOS増幅器の入力オフセット電圧を調整したことを特徴とする請求項4又は5記載の高利得多入力CMOS増幅器。
- 請求項6記載の前記CMOS増幅器を、反転出力を得、かつオープンループゲインを増大させるように奇数段従属接続したことを特徴とする高利得高安定多入力CMOS増幅器。
- 請求項7又は8記載の前記多入力CMOS増幅器又は高利得多入力CMOS増幅器を、反転出力を得、かつオープンループゲインを増大させるように奇数段従属接続したことを特徴とする高利得高安定多入力CMOS増幅器。
- 前記入力端子を3個以上とし、少なくとも一つの前記入力端子を信号入力に用い、他の前記入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための入力端子とし、残りの前記入力端子の一つを負帰還回路からの入力端子としたことを特徴とする請求項2、3および7のいずれか1項記載の多入力CMOS増幅器。
- 前記入力端子を3個以上とし、少なくとも一つの前記入力端子を信号入力に用い、他の前記入力端子の一つを、入力オフセット電圧を調整するための入力端子とし、残りの前記入力端子の一つを負帰還回路からの入力端子としたことを特徴とする請求項4、5および8のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器。
- 請求項1、6および9のいずれか1項記載のCMOS増幅器、請求項2、3、7、10および14のいずれか1項記載の多入力CMOS増幅器および請求項4、5、8、11および15のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器のいずれか1つの増幅器を複数個用い、それぞれの出力端子を共通に接続して一つの出力端子としたことを特徴とする高安定多入力CMOS増幅器。
- 請求項16の高安定多入力CMOS増幅器の出力端子に、反転出力で、かつオープンループゲインを増大させるように請求項1、6および9のいずれか1項記載のCMOS増幅器、請求項2、3、7、10および14のいずれか1項記載の多入力CMOS増幅器および請求項4、5、8、11および15のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器のいずれか1つの増幅器を複数個従属接続したことを特徴とする高利得高安定多入力CMOS増幅器。
- 請求項1、6および9のいずれか1項記載のCMOS増幅器、請求項2、3、7、10および14のいずれか1項記載の多入力CMOS増幅器、請求項4、5、8、11および15のいずれか1項記載の高利得多入力CMOS増幅器、請求項16記載の高安定多入力CMOS増幅器および請求項12、13および17のいずれか1項記載の高利得高安定多入力CMOS増幅器のいずれか1つの増幅器を奇数段従属接続したものと、偶数段従属接続したもののぞれぞれの出力を、同相信号除去比を高めるように共通に接続したことを特徴とする多入力CMOS差動増幅器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005299626A JP4784818B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたcmos増幅器、それを用いた多入力cmos増幅器、高利得多入力cmos増幅器、高利得高安定多入力cmos増幅器および多入力cmos差動増幅器 |
PCT/JP2006/319758 WO2007043389A1 (ja) | 2005-10-14 | 2006-10-03 | 四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたcmos増幅器、それを用いた多入力cmos増幅器、高利得多入力cmos増幅器、高利得高安定多入力cmos増幅器および多入力cmos差動増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005299626A JP4784818B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたcmos増幅器、それを用いた多入力cmos増幅器、高利得多入力cmos増幅器、高利得高安定多入力cmos増幅器および多入力cmos差動増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007110460A true JP2007110460A (ja) | 2007-04-26 |
JP4784818B2 JP4784818B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=37942633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005299626A Expired - Fee Related JP4784818B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 四端子二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたcmos増幅器、それを用いた多入力cmos増幅器、高利得多入力cmos増幅器、高利得高安定多入力cmos増幅器および多入力cmos差動増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4784818B2 (ja) |
WO (1) | WO2007043389A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5259830B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 乱数生成回路 |
US8575991B2 (en) | 2011-07-13 | 2013-11-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Switching circuit sharing a resistor for switching devices |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7675245B2 (en) | 2007-01-04 | 2010-03-09 | Allegro Microsystems, Inc. | Electronic circuit for driving a diode load |
JP5525451B2 (ja) | 2007-11-16 | 2014-06-18 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 複数の直列接続された発光ダイオード列を駆動するための電子回路 |
US7999487B2 (en) | 2008-06-10 | 2011-08-16 | Allegro Microsystems, Inc. | Electronic circuit for driving a diode load with a predetermined average current |
US8692482B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-04-08 | Allegro Microsystems, Llc | Circuitry to control a switching regulator |
US9155156B2 (en) | 2011-07-06 | 2015-10-06 | Allegro Microsystems, Llc | Electronic circuits and techniques for improving a short duty cycle behavior of a DC-DC converter driving a load |
US9265104B2 (en) | 2011-07-06 | 2016-02-16 | Allegro Microsystems, Llc | Electronic circuits and techniques for maintaining a consistent power delivered to a load |
US9144126B2 (en) | 2012-08-22 | 2015-09-22 | Allegro Microsystems, Llc | LED driver having priority queue to track dominant LED channel |
US8957607B2 (en) | 2012-08-22 | 2015-02-17 | Allergo Microsystems, LLC | DC-DC converter using hysteretic control and associated methods |
US8994279B2 (en) | 2013-01-29 | 2015-03-31 | Allegro Microsystems, Llc | Method and apparatus to control a DC-DC converter |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3042567B2 (ja) * | 1992-08-25 | 2000-05-15 | 株式会社高取育英会 | 平均値回路 |
-
2005
- 2005-10-14 JP JP2005299626A patent/JP4784818B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-10-03 WO PCT/JP2006/319758 patent/WO2007043389A1/ja active Application Filing
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US8930428B2 (en) | 2009-09-29 | 2015-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Random number generation circuit |
US8575991B2 (en) | 2011-07-13 | 2013-11-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Switching circuit sharing a resistor for switching devices |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007043389A1 (ja) | 2007-04-19 |
JP4784818B2 (ja) | 2011-10-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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