JP2007103683A - Resin composition, laminated body, wiring board, and manufacturing method therefor - Google Patents

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JP2007103683A JP2005291849A JP2005291849A JP2007103683A JP 2007103683 A JP2007103683 A JP 2007103683A JP 2005291849 A JP2005291849 A JP 2005291849A JP 2005291849 A JP2005291849 A JP 2005291849A JP 2007103683 A JP2007103683 A JP 2007103683A
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範行 大東
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition excellent in electrical properties and adhesiveness when a resin layer of a wiring board is formed, a laminated body excellent in machinability, the wiring board excellent in electrical properties, and a wiring board manufacturing method. <P>SOLUTION: The resin composition is that constituting an insulating layer of the wiring board. A norbornene-based resin and spherical silica having an average particle size of ≤2 μm are used as essential components. Its thermal expansion rate at -50 to 150°C is ≤60 ppm. The resin composition has the spherical silica of ≥50 wt.%, and is subjected to surface treatment beforehand. The laminated body is a laminated body used for the wiring board and composed by laminating a carrier film and a resin layer made of the resin composition. The wiring board manufacturing method includes a step for forming the insulating layer by using the resin composition, a step for forming a circuit layer, and a step for boring holes by irradiating the insulating layer with a laser beam. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、樹脂組成物、積層体、配線板および配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a resin composition, a laminate, a wiring board, and a method for producing a wiring board.

近年の電子機器の使用においては、情報伝達に高速伝送が行われており、高速伝送においては電気信号の劣化が問題となっている。前記電気信号の劣化は、導体損失と誘電損失の和で表される。特に多層配線板の層間絶縁材料の誘電特性に起因する誘電体損失は、高速伝送に必要な高周波領域では著しく増加する。そのため、誘電特性がGHz帯の周波数において電気信号劣化の主要因となっている。この問題を解決するために、絶縁材料に低誘電率及び低誘電正接の特性を有する材料を用いることが求められている。     In recent use of electronic devices, high-speed transmission is performed for information transmission, and deterioration of electrical signals is a problem in high-speed transmission. The deterioration of the electric signal is represented by the sum of conductor loss and dielectric loss. In particular, the dielectric loss due to the dielectric characteristics of the interlayer insulating material of the multilayer wiring board increases remarkably in the high frequency region necessary for high-speed transmission. For this reason, the dielectric characteristics are the main cause of electrical signal degradation at frequencies in the GHz band. In order to solve this problem, it is required to use a material having low dielectric constant and low dielectric loss tangent as the insulating material.

このような背景より、これまで配線板などの電子部品の絶縁材料として用いられてきたエポキシ樹脂やポリイミド樹脂では、誘電率および誘電正接の電気特性が不足する場合があり、高速伝送化に対応することが困難である。   Against this background, epoxy resins and polyimide resins that have been used as insulating materials for electronic parts such as wiring boards may have insufficient electrical characteristics such as dielectric constant and dielectric loss tangent, and are compatible with high-speed transmission. Is difficult.

一方、環状オレフィン系樹脂である付加型ノルボルネン系樹脂は、高いガラス転移温度を有する高耐熱性樹脂であり、しかもGHz帯の周波数領域において、誘電率が2.2〜2.8、誘電正接が0.001〜0.006であり、優れた電気特性を示すことから、高周波数対応の配線板用の絶縁樹脂として期待されている。   On the other hand, addition-type norbornene resin, which is a cyclic olefin resin, is a high heat resistant resin having a high glass transition temperature, and has a dielectric constant of 2.2 to 2.8 and a dielectric loss tangent in a frequency range of GHz band. Since it is 0.001 to 0.006 and shows excellent electrical characteristics, it is expected as an insulating resin for wiring boards for high frequencies.

しかしながら、付加型ノルボルネン系樹脂は、機械強度が低く、熱線膨張率も大きいため電子部品用に使用する場合には、フィラーなどの充填材を配合して機械強度を上げたり、熱線膨張率を低下させるといった技術が示されている。(例えば、特許文献1参照)また、付加型ノルボルネン系樹脂は非常に極性が低いため充填材を樹脂中に均一に分散させることは非常に困難である。そのため充填材を高充填することや平均粒径2μm以下の分散性の低い充填材を使用した配線板用の絶縁樹脂として使用した例(例えば、特許文献2参照)が示されているが、更なる高充填化や充填材の分散性は満足するものではなかった。また、付加型ノルボルネン系樹脂の各種被着体との密着性が低いため実装信頼性や、接続信頼性も課題となっている。このような環状オレフィン系樹脂の密着性を向上させるためは、プライマー処理を施し被着体の方面処理する方法がある(例えば、特許文献3参照)が、製造工数が掛かることや均一に処理することが難しく不十分であった。
特開平11−43566号公報 特開平11−502083公報 特開2003−73631号公報
However, addition-type norbornene-based resins have low mechanical strength and a high coefficient of thermal expansion, so when used for electronic parts, fillers and other fillers are added to increase the mechanical strength or decrease the coefficient of thermal expansion. The technique of letting you do is shown. (For example, refer to Patent Document 1) Further, since the addition type norbornene resin has very low polarity, it is very difficult to uniformly disperse the filler in the resin. For this reason, an example (for example, see Patent Document 2) in which the filler is highly filled or an insulating resin for a wiring board using a filler having a low dispersibility with an average particle diameter of 2 μm or less is shown. Such high filling and dispersibility of the filler were not satisfactory. In addition, since the adhesion of the addition type norbornene resin to various adherends is low, mounting reliability and connection reliability are also problems. In order to improve the adhesion of such a cyclic olefin-based resin, there is a method of applying a primer treatment to the surface of the adherend (see, for example, Patent Document 3). It was difficult and insufficient.
JP 11-43566 A JP-A-11-502083 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-73631

本発明の目的は、上記配線板の樹脂層を形成した場合に、密着性、低熱膨張率および電気特性に優れる樹脂組成物を提供することにある。
また、本発明の目的は、加工性に優れる積層体を提供することである。
また、本発明の目的は、電気特性に優れた配線板およびその製造方法を提供することである。
The objective of this invention is providing the resin composition which is excellent in adhesiveness, a low thermal expansion coefficient, and an electrical property, when the resin layer of the said wiring board is formed.
Moreover, the objective of this invention is providing the laminated body which is excellent in workability.
Moreover, the objective of this invention is providing the wiring board excellent in the electrical property, and its manufacturing method.

このような目的は、下記[1]〜[18]に記載の本発明により達成される。
[1] 配線板の絶縁層を構成する樹脂組成物であって、
(A)環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、及びアルコキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1種類の架橋可能な基を有する下記式(1)に表される付加型ノルボルネン系樹脂、(B)平均粒径2μm以下の球状シリカを必須成分とし、−50〜150℃の熱膨張率が60ppm以下であることを特徴とするノルボルネン系樹脂組成物。
Such an object is achieved by the present invention described in the following [1] to [18].
[1] A resin composition constituting an insulating layer of a wiring board,
(A) Addition-type norbornene represented by the following formula (1) having at least one crosslinkable group selected from the group consisting of a cyclic ether group, an organic group having a reactive double bond, and an alkoxysilyl group A norbornene-based resin composition, characterized in that an essential resin is (B) spherical silica having an average particle size of 2 μm or less, and the coefficient of thermal expansion at −50 to 150 ° C. is 60 ppm or less.

Figure 2007103683
[式(1)中のXは、−CH2−、−CH2CH2−、または−O−を示し、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立して水素原子、炭化水素基、炭素数1〜12の極性基を示し、または該極性基を含む基を示す。R1、R2、R3およびR4は、少なくとも1つが炭素数1〜12の環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、又はアルコキシシリル基を含む基である。nは0から2の整数を示し、その繰り返しは異なっていても良い。]
Figure 2007103683
[Equation (1) X in the, -CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, or -O- and shown, R 1, R2, R3, R 4 are each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group, A polar group having 1 to 12 carbon atoms is shown, or a group containing the polar group. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are groups each including at least one of a cyclic ether group having 1 to 12 carbon atoms, an organic group having a reactive double bond, or an alkoxysilyl group. n represents an integer of 0 to 2, and the repetition may be different. ]

[2] 前記付加型ノルボルネン系樹脂は、下記一般式(2)で表されるノルボルネン系モノマーの付加重合体を含むものである[1]項に記載の樹脂組成物。 [2] The resin composition according to item [1], wherein the addition-type norbornene-based resin includes an addition polymer of a norbornene-based monomer represented by the following general formula (2).

Figure 2007103683
[式(2)中のXは、−CH2−、−CH2CH2−、または−O−を示し、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して、水素原子、炭化水素基、炭素数1〜12の極性基または該極性基を含む基を示す。R1、R2、R3およびR4は、少なくとも1つが炭素数1〜12の環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、又はアルコキシシリル基を含む基である。nは0から2の整数を示す。]
Figure 2007103683
Expression (2) X in the, -CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, or -O- and shown, R 1, R 2, R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, A hydrocarbon group, a polar group having 1 to 12 carbon atoms or a group containing the polar group is shown. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are groups each including at least one of a cyclic ether group having 1 to 12 carbon atoms, an organic group having a reactive double bond, or an alkoxysilyl group. n represents an integer of 0 to 2. ]

[3] 前記球状シリカは、50重量%以上である[1]または[2]項に記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[4] 前記球状シリカは、予め表面処理されたものである[1]ないし[3]項のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[5] 前記球状シリカを予め表面処理する表面処理剤が、官能基含有シラン類、環状オリゴシロキサン類、オルガノハロシラン類、オルガノアルコキシシラン類、アルキルシラザン類およびシロキサン結合の繰り返し単位を2個以上、かつアルコキシ基を有するシリコーンオイル類からなる群から選ばれる少なくとも1種類の化合物である[1]ないし[4]項のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[6] 前記官能基含有シラン類が、エポキシシラン、(メタ)アクリルシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、ビニルシラン、イソシアネートシラン、ウレイドシラン、(5−ノルボルネン−2−イル)アルキルシランおよびフェニルシランからなる群から選ばれるものである[5]項に記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[7] オルガノハロシラン類が、トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシランおよびメチルトリクロロシランからなる群から選ばれるものである[5]項に記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[8] 前記アルキルシラザン類がヘキサメチルジシラザン、1,3−ジビニル−1,1,3,3,−テトラメチルジシラザン、オクタメチルトリシラザンおよびへキサメチルシクロトリシラザンからなる群から選ばれるものである[5]項に記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[9] 環状エーテル基は、オキシラン、またはオキセタンである[1]ないし[8]項のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[10] 反応性二重結合を有する有機基は、ビニル基、アリル基、アクリロイル基およびメタクリロイル基からなる群から選ばれるものである[1]ないし[9]項のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。
[11] 配線板に用いる積層体であって、[1]ないし[10]項のいずれかに記載の樹脂組成物より構成される樹脂層と、キャリアフィルムとを積層してなることを特徴とする積層体。
[12] [1]ないし[10]項のいずれかに記載の樹脂組成物を用いて絶縁層を形成する工程と、回路層を形成する工程と、前記絶縁層をレーザー照射により開孔する工程とを含む配線板の製造方法。
[13] 前記絶縁層を形成する工程は、前記樹脂組成物を塗布して形成するものである[12]項に記載の配線板の製造方法。
[14] 前記絶縁層を形成する工程は、前記樹脂組成物を用いて得られたフィルムをラミネートして形成するものである[12]または[13]項に記載の配線板の製造方法。
[15] 前記絶縁層を形成する工程におけるフィルムは、金属層付きフィルムである[14]項に記載の配線板の製造方法。
[16] 前記絶縁層を加熱硬化する工程を含む[12]ないし[15]項のいずれかに記載の配線板の製造方法。
[17] [12]ないし[16]項のいずれかに記載の配線板の製造方法により得られる配線板。
[18] [11]項に記載の積層体を用いて形成された樹脂層を有することを特徴とする配線板。
[3] The norbornene-based resin composition according to the item [1] or [2], wherein the spherical silica is 50% by weight or more.
[4] The norbornene-based resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the spherical silica is surface-treated in advance.
[5] The surface treatment agent for pre-treating the spherical silica has at least two functional group-containing silanes, cyclic oligosiloxanes, organohalosilanes, organoalkoxysilanes, alkylsilazanes, and repeating units of siloxane bonds. The norbornene-based resin composition according to any one of [1] to [4], which is at least one compound selected from the group consisting of silicone oils having an alkoxy group.
[6] The group in which the functional group-containing silane is composed of epoxy silane, (meth) acryl silane, mercapto silane, amino silane, vinyl silane, isocyanate silane, ureido silane, (5-norbornene-2-yl) alkyl silane, and phenyl silane. The norbornene-based resin composition according to item [5], which is selected from:
[7] The norbornene-based resin composition according to the item [5], wherein the organohalosilane is selected from the group consisting of trimethylchlorosilane, dimethyldichlorosilane, and methyltrichlorosilane.
[8] The alkylsilazane is selected from the group consisting of hexamethyldisilazane, 1,3-divinyl-1,1,3,3, -tetramethyldisilazane, octamethyltrisilazane, and hexamethylcyclotrisilazane. The norbornene-based resin composition according to item [5].
[9] The norbornene-based resin composition according to any one of [1] to [8], wherein the cyclic ether group is oxirane or oxetane.
[10] The organic group having a reactive double bond is selected from the group consisting of a vinyl group, an allyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group. The norbornene group according to any one of items [1] to [9] Resin composition.
[11] A laminate used for a wiring board, wherein a resin layer composed of the resin composition according to any one of [1] to [10] and a carrier film are laminated. Laminated body.
[12] A step of forming an insulating layer using the resin composition according to any one of [1] to [10], a step of forming a circuit layer, and a step of opening the insulating layer by laser irradiation A method of manufacturing a wiring board including:
[13] The method for manufacturing a wiring board according to item [12], wherein the step of forming the insulating layer is performed by applying the resin composition.
[14] The method for manufacturing a wiring board according to [12] or [13], wherein the step of forming the insulating layer is formed by laminating a film obtained using the resin composition.
[15] The method for manufacturing a wiring board according to item [14], wherein the film in the step of forming the insulating layer is a film with a metal layer.
[16] The method for manufacturing a wiring board according to any one of [12] to [15], including a step of heat-curing the insulating layer.
[17] A wiring board obtained by the method for manufacturing a wiring board according to any one of [12] to [16].
[18] A wiring board comprising a resin layer formed using the laminate according to the item [11].

本発明によれば、配線板の樹脂層を形成した場合に、密着性、低線膨張率および電気特性に優れる樹脂組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、加工性に優れる積層体を提供することができる。
また、本発明によれば、電気特性に優れた配線板およびその製造方法を提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when the resin layer of a wiring board is formed, the resin composition which is excellent in adhesiveness, a low linear expansion coefficient, and an electrical property can be provided.
Moreover, according to this invention, the laminated body excellent in workability can be provided.
Moreover, according to this invention, the wiring board excellent in the electrical property and its manufacturing method can be provided.

以下、本発明の樹脂組成物、積層体および配線板について説明する。
本発明の樹脂組成物は、配線板の絶縁層を構成する樹脂組成物であって、環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、及びアルコキシリル基からなる群から選択される少なくとも1種類の架橋可能な基を有する付加型ノルボルネン系樹脂と、平均粒径2μm以下の球状シリカとを必須成分とし、−50〜150℃の熱膨張率が60ppm以下であることを特徴とする。
また、本発明の積層体は、上記に記載の樹脂組成物が、キャリアフィルム(キャリア材料)の少なくとも片面に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の配線板は、上記に記載の樹脂組成物で絶縁層を構成することを特徴とする。
Hereinafter, the resin composition, laminate and wiring board of the present invention will be described.
The resin composition of the present invention is a resin composition constituting an insulating layer of a wiring board, and is at least one selected from the group consisting of a cyclic ether group, an organic group having a reactive double bond, and an alkoxyl group. An addition-type norbornene-based resin having various types of crosslinkable groups and spherical silica having an average particle diameter of 2 μm or less are essential components, and a thermal expansion coefficient at −50 to 150 ° C. is 60 ppm or less.
The laminate of the present invention is characterized in that the resin composition described above is formed on at least one surface of a carrier film (carrier material).
Moreover, the wiring board of this invention comprises an insulating layer with the resin composition as described above.

以下、樹脂組成物について説明する。
本発明の樹脂組成物は、配線板の絶縁層を構成するものである。電気信号の高速伝送化が要求される配線板に、電気特性が優れる絶縁層を提供するためである。
前記樹脂組成物は、環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、及びアルコキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1種類の架橋可能な基を有する下記式(1)に表される付加型ノルボルネン系樹脂を含む。これにより、絶縁層を形成した場合に耐熱性および電気特性が優れる。
前記樹脂組成物は、平均粒径2μm以下の球状シリカを含む。これにより、−50〜150℃の熱膨張率が60ppm以下である樹脂層が得られるため導体配線間の熱膨張率差による発生応力を低減することができる。また、鉛フリーのリフロー工程に耐えうる耐熱性を有する。更には、ファインピッチの配線に対応して絶縁層の薄膜化が可能である。そのため、高密度化、薄膜化の配線板において実装信頼性および接続信頼性に優れる。
Hereinafter, the resin composition will be described.
The resin composition of the present invention constitutes an insulating layer of a wiring board. This is to provide an insulating layer with excellent electrical characteristics for a wiring board that requires high-speed transmission of electrical signals.
The resin composition is represented by the following formula (1) having at least one crosslinkable group selected from the group consisting of a cyclic ether group, an organic group having a reactive double bond, and an alkoxysilyl group. Includes addition-type norbornene resin. Thereby, when an insulating layer is formed, heat resistance and electrical characteristics are excellent.
The resin composition contains spherical silica having an average particle size of 2 μm or less. Thereby, since the resin layer whose thermal expansion coefficient of -50-150 degreeC is 60 ppm or less is obtained, the generated stress by the thermal expansion coefficient difference between conductor wiring can be reduced. In addition, it has heat resistance that can withstand a lead-free reflow process. Furthermore, it is possible to reduce the thickness of the insulating layer to accommodate fine pitch wiring. Therefore, the mounting reliability and the connection reliability are excellent in a high-density and thin circuit board.

Figure 2007103683
[式(1)中のXは、−CH2−、−CH2CH2−、または−O−を示し、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立して水素原子、炭化水素基、炭素数1〜12の極性基を示し、または該極性基を含む基を示す。R1、R2、R3およびR4は、少なくとも1つが炭素数1〜12の環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、又はアルコキシシリル基を含む基である。nは0から2の整数を示し、その繰り返しは異なっていても良い。]
Figure 2007103683
[Equation (1) X in the, -CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, or -O- and shown, R 1, R2, R3, R 4 are each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group, A polar group having 1 to 12 carbon atoms is shown, or a group containing the polar group. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are groups each including at least one of a cyclic ether group having 1 to 12 carbon atoms, an organic group having a reactive double bond, or an alkoxysilyl group. n represents an integer of 0 to 2, and the repetition may be different. ]

前記極性基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アリール基、アラルキル基、シリル基、エポキシ基およびこれらの極性基を含む有機基などを挙げることができる。該極性基を含む有機基としては、該極性基が、直鎖もしくは分岐したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ビニル基、アリル基、アラルキル基、環状脂肪族基、アリール基、エーテル基により結合されたものであってもよい。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基およびドデシル基等が、アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブチニル基およびシクロヘキセニル基等が、アルキニル基の具体例としては、エチニル基、1−プロピニル基、2−プロピニル基、1−ブチニル基および2−ブチニル基等が、環状脂肪族基の具体例として、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基等が、アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル基等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル基およびフェネチル基等が、シリル基の具体例として、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリエトキシシリルエチル基などのアルコキシシリル基や、シリル基、トリメトキシプロピルシリル基、トリメチルシリルメチルエーテル基、ジフェニルメチルシリル基等が、エポキシ基の具体例としては、メチルグリシジルエーテル基およびアリルグリシジル−エーテル基等が、それぞれ挙げられるが、本発明は何らこれらに限定されない。
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an ester group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an aryl group, an aralkyl group, a silyl group, an epoxy group, and an organic group containing these polar groups. As the organic group containing the polar group, the polar group is bonded by a linear or branched alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, vinyl group, allyl group, aralkyl group, cyclic aliphatic group, aryl group, or ether group. It may be what was done.
Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group and a dodecyl group. Examples include vinyl group, allyl group, butynyl group, and cyclohexenyl group. Specific examples of alkynyl group include ethynyl group, 1-propynyl group, 2-propynyl group, 1-butynyl group, and 2-butynyl group. However, as specific examples of the cycloaliphatic group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, etc., as specific examples of the aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, etc., and as a specific example of the aralkyl group, benzyl Group, phenethyl group, etc., as specific examples of silyl group, trimethoxysilyl group, trieth Specific examples of epoxy groups include alkoxysilyl groups such as sisilyl groups and triethoxysilylethyl groups, silyl groups, trimethoxypropylsilyl groups, trimethylsilylmethyl ether groups, diphenylmethylsilyl groups, and the like. Examples thereof include glycidyl-ether groups, but the present invention is not limited thereto.

前記極性基の導入量は、特に限定されないが、前記ノルボルネン系樹脂全体の3〜70モル%が好ましく、特に5〜40モル%が好ましい。導入量が前記範囲内であると、特に密着性および電気特性に優れる。また、このような側鎖に極性基を有するノルボルネン系樹脂は、例えば1)前記ノルボルネン系樹脂に前記極性基を有する化合物を変性反応により導入することによって、2)前記極性基を有する単量体を重合することによって、3)前記極性基を有する単量体を共重合体成分として他の成分と共重合することによって、または4)エステル基等の前記極性基を有する単量体を共重合成分として共重合した後、エステル基を加水分解することによって得ることができる。   The amount of the polar group introduced is not particularly limited, but is preferably 3 to 70 mol%, particularly preferably 5 to 40 mol% of the whole norbornene-based resin. When the introduction amount is within the above range, the adhesion and electrical characteristics are particularly excellent. Further, the norbornene-based resin having a polar group in such a side chain can be obtained by, for example, 1) introducing a compound having the polar group into the norbornene-based resin by a modification reaction, and 2) a monomer having the polar group. 3) by copolymerizing the monomer having the polar group as a copolymer component with other components, or 4) copolymerizing the monomer having the polar group such as an ester group. After copolymerization as a component, it can be obtained by hydrolyzing the ester group.

前記付加型ノルボルネン系樹脂は、金属触媒による配位重合、又はラジカル重合によって得られる。このうち、配位重合においては、モノマーを、遷移金属触媒存在下、溶液中で重合することによってポリマーが得られる(NiCOLE R. GROVE et al. Journal of Polymer Science:part B,Polymer Physics, Vol.37, 3003−3010(1999))。
配位重合に用いる金属触媒として代表的なニッケルと白金触媒は、PCT WO 9733198とPCT WO 00/20472に述べられている。配位重合用金属触媒の例としては、(トルエン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、(メシレン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、(ベンゼン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(テトラヒドロ)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(エチルアセテート)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケル、ビス(ジオキサン)ビス(パーフルオロフェニル)ニッケルなどの公知の金属触媒が挙げられる。
The addition-type norbornene-based resin is obtained by coordination polymerization using a metal catalyst or radical polymerization. Among them, in coordination polymerization, a polymer is obtained by polymerizing monomers in a solution in the presence of a transition metal catalyst (NiCOLE R. GROVE et al. Journal of Polymer Science: part B, Polymer Physics, Vol. 1). 37, 3003-3010 (1999)).
Representative nickel and platinum catalysts as metal catalysts for coordination polymerization are described in PCT WO 9733198 and PCT WO 00/20472. Examples of metal catalysts for coordination polymerization include (toluene) bis (perfluorophenyl) nickel, (mesylene) bis (perfluorophenyl) nickel, (benzene) bis (perfluorophenyl) nickel, bis (tetrahydro) bis ( Known metal catalysts such as perfluorophenyl) nickel, bis (ethyl acetate) bis (perfluorophenyl) nickel, and bis (dioxane) bis (perfluorophenyl) nickel may be mentioned.

ラジカル重合技術については、Encyclopedia of Polymer Science, John Wiley & Sons,13,708(1988)に述べられている。
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を50℃〜150℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、t−ブチル過酸化水素などである。
The radical polymerization technique is described in Encyclopedia of Polymer Science, John Wiley & Sons, 13, 708 (1988).
Generally, in radical polymerization, the temperature is raised to 50 ° C. to 150 ° C. in the presence of a radical initiator, and the monomer is reacted in a solution. Examples of the radical initiator include azobisisobutyronitrile (AIBN), benzoyl peroxide, lauryl peroxide, azobisisocapronitrile, azobisisoleronitrile, and t-butyl hydrogen peroxide.

上述重合系の適当な重合溶媒としては炭化水素系や芳香族系溶媒が含まれる。炭化水素系溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、やシクロヘキサンなどであるがこれに限定されない。芳香族系溶媒の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレンやメシチレンなどであるがこれに限定されない。ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチルアセテート、エステル、ラクトン、ケトン、アミドも使用できる。これら溶剤を単独や混合しても重合溶媒として使用できる。   Suitable polymerization solvents for the above-described polymerization system include hydrocarbon solvents and aromatic solvents. Examples of the hydrocarbon solvent include, but are not limited to, pentane, hexane, heptane, and cyclohexane. Examples of the aromatic solvent include, but are not limited to, benzene, toluene, xylene and mesitylene. Diethyl ether, tetrahydrofuran, ethyl acetate, ester, lactone, ketone, amide can also be used. Even if these solvents are used alone or in combination, they can be used as polymerization solvents.

前記付加型ノルボルネン系樹脂の分子量は、開始剤とモノマーの比を変えたり、重合時間を変えたりすることにより制御することができる。上記の配位重合が用いられる場合、米国特許No.6,136,499に開示されるように、分子量は連鎖移動触媒を使用することにより制御することができる。この発明においては、エチレン、プロピレン、1−ヘキサン、1−デセン、4−メチル−1−ペンテン、などα−オレフィンが分子量制御するのに適当である。   The molecular weight of the addition-type norbornene resin can be controlled by changing the ratio of the initiator and the monomer or changing the polymerization time. When the above coordination polymerization is used, US Pat. As disclosed in US Pat. No. 6,136,499, the molecular weight can be controlled by using a chain transfer catalyst. In the present invention, α-olefins such as ethylene, propylene, 1-hexane, 1-decene, 4-methyl-1-pentene are suitable for controlling the molecular weight.

本発明において付加型ノルボルネン系樹脂の重量平均分子量は10,000〜500,000が好ましく、より好ましくは30,000〜300,000さらに好ましくは50,000〜200,000である。 重量平均分子量は、例えばシクロヘキサンまたはテトラヒドロフランを有機溶剤とし標準ポリスチレンを用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて測定することができる。(ASTMDS3536−91準拠)
前記付加型ノルボルネン系樹脂の分子量分布[重量平均分子量:Mwと、数平均分子量:Mnとの比(Mw/Mn)]は、特に限定されないが、5以下が好ましく、特に4以下が好ましく、特に1〜3が好ましい。分子量分布が前記範囲内であると、機械強度に特に優れる。
また、上記方法で重量平均分子量や分子量分布が測定できない付加型ノルボルネン系樹脂の場合には、通常の溶融加工法により樹脂層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを使用することができる。前記付加型ノルボルネン系樹脂のガラス転移温度は、使用目的に応じて適宜制御できるが、好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上、さらに好ましくは250℃以上である。
In the present invention, the weight average molecular weight of the addition-type norbornene-based resin is preferably 10,000 to 500,000, more preferably 30,000 to 300,000, and still more preferably 50,000 to 200,000. The weight average molecular weight can be measured, for example, by gel permeation chromatography (GPC) using standard polystyrene with cyclohexane or tetrahydrofuran as an organic solvent. (Conforms to ASTM D3536-91)
The molecular weight distribution of the addition-type norbornene-based resin [ratio of weight average molecular weight: Mw and number average molecular weight: Mn (Mw / Mn)] is not particularly limited, but is preferably 5 or less, particularly preferably 4 or less, particularly 1-3 are preferable. When the molecular weight distribution is within the above range, the mechanical strength is particularly excellent.
In addition, in the case of an addition-type norbornene-based resin whose weight average molecular weight and molecular weight distribution cannot be measured by the above method, use one having a melt viscosity and a degree of polymerization that can form a resin layer by an ordinary melt processing method. Can do. The glass transition temperature of the addition-type norbornene resin can be appropriately controlled according to the purpose of use, but is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher, and further preferably 250 ° C. or higher.

このような付加型ノルボルネン系樹脂は、開環型ノルボルネン系樹脂や共重合可能な他のα−オレフィンとの共重合体と比べてガラス転移温度が高く耐熱性に優れるため、鉛フリー半田を用いる環境対応型の配線板用途に特に好ましい。   Such an addition-type norbornene-based resin has a high glass transition temperature and excellent heat resistance compared to a ring-opening-type norbornene-based resin and a copolymer with another copolymerizable α-olefin, and therefore uses lead-free solder. It is particularly preferable for environment-friendly wiring board applications.

本発明において付加型のノルボルネン系樹脂は、環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、及びアルコキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1種類の架橋可能な基を有するため、本発明の樹脂組成物の絶縁層を形成した場合に導体回路および絶縁層などとの密着性や耐熱性を向上することができる。   In the present invention, the addition type norbornene resin has at least one kind of crosslinkable group selected from the group consisting of a cyclic ether group, an organic group having a reactive double bond, and an alkoxysilyl group. When the insulating layer of the resin composition is formed, it is possible to improve the adhesion and heat resistance with the conductor circuit and the insulating layer.

前記環状エーテル基とは、3〜8員環のエーテル結合を有する環状の炭化水素基を示し、3員環のオキシランおよび4員環のオキセタンなどを挙げることができる。これら環状エーテルは、酸や塩基により容易に開環し他の環状エーテルと架橋することができる。架橋することにより特に耐熱性および機械強度に優れる。また、開環により生成したヒドロキシル基は銅、ニッケル、金などの導体回路の金属との密着性が期待できる。これらの中でも、反応性の高いオキシランが特に好ましい。このオキシランは、通称エポキシ基と呼ばれている。   The cyclic ether group refers to a cyclic hydrocarbon group having a 3- to 8-membered ether bond, and examples thereof include a 3-membered oxirane and a 4-membered oxetane. These cyclic ethers can be easily opened by an acid or base and crosslinked with other cyclic ethers. By cross-linking, it is particularly excellent in heat resistance and mechanical strength. Moreover, the hydroxyl group produced | generated by ring-opening can anticipate adhesiveness with the metal of conductor circuits, such as copper, nickel, and gold. Of these, highly reactive oxiranes are particularly preferred. This oxirane is commonly called an epoxy group.

前記反応性二重結合を有する有機基とは、ビニル基、アリル基などのアルケン類、アクリロイル基、メタクリロイル基などの不飽和カルボン酸類を示す。これら反応性二重結合は、ラジカルやカチオンにより容易に反応を開始し架橋することができる。架橋することにより特に耐熱性および機械強度に優れる。   The organic group having a reactive double bond refers to alkenes such as vinyl group and allyl group, and unsaturated carboxylic acids such as acryloyl group and methacryloyl group. These reactive double bonds can be easily initiated and cross-linked by radicals or cations. By cross-linking, it is particularly excellent in heat resistance and mechanical strength.

前記アルコキシシリル基とは、容易に加水分解して活性なシラノール基を生成することのできるケイ素化合物を含むものであり、活性なシラノール基はお互いが架橋したり、充填材のシリカ表面のシラノール基と相互作用および化学結合することができる。そのため、特に耐熱性および機械強度が優れる。   The alkoxysilyl group includes a silicon compound that can be easily hydrolyzed to generate an active silanol group, and the active silanol groups are cross-linked with each other or the silanol groups on the silica surface of the filler. Can interact with and chemically bond with. Therefore, heat resistance and mechanical strength are particularly excellent.

本発明に用いる付加型ノルボルネン系樹脂を製造するために使用するモノマーとしては、一般式(2)で表されるノルボルネン系モノマーが好ましい。   As the monomer used for producing the addition-type norbornene-based resin used in the present invention, a norbornene-based monomer represented by the general formula (2) is preferable.

Figure 2007103683
[式(2)中のXは、−CH2−、−CH2CH2−、または−O−を示し、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して、水素原子、炭化水素基、炭素数1〜12の極性基または該極性基を含む基を示す。R1、R2、R3およびR4は、少なくとも1つが炭素数1〜12の環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、又はアルコキシシリル基を含む基である。nは0から2の整数を示す。]
Figure 2007103683
Expression (2) X in the, -CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, or -O- and shown, R 1, R 2, R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, A hydrocarbon group, a polar group having 1 to 12 carbon atoms or a group containing the polar group is shown. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are groups each including at least one of a cyclic ether group having 1 to 12 carbon atoms, an organic group having a reactive double bond, or an alkoxysilyl group. n represents an integer of 0 to 2. ]

前記環状エーテル基を有するノルボルネン系モノマーとして、例えば5−メチルグリシジルエーテル−2−ノルボルネン、5−エチルグリシジルエーテル−2−ノルボルネン、及び5−プロピルグリシジルエーテル−2−ノルボルネンなどを挙げることができるが、本発明は何らこれらに限定されない。   Examples of the norbornene-based monomer having a cyclic ether group include 5-methylglycidyl ether-2-norbornene, 5-ethyl glycidyl ether-2-norbornene, and 5-propyl glycidyl ether-2-norbornene. The present invention is not limited to these.

前記反応性二重結合を有する有機基を有するノルボルネン系モノマーとして、例えば5−ビニル−2−ノルボルネン、5−アリル−2−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、(メタ)アクリル酸(5−ノルボルネン−2−イル)メチルエステル、(メタ)アクリル酸2−(5−ノルボルネン−2−イル)エチルエステル、(メタ)アクリル酸4−(5−ノルボルネン−2−イル)n−ブチルエステル、(メタ)アクリル酸3−(5−ノルボルネン−2−イル)n−プロピルエステル、(メタ)アクリル酸2−(5−ノルボルネン−2−イル)−1−メチルエチルエステル、(メタ)アクリル酸6−(5−ノルボルネン−2−イル)n−ヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸8−(5−ノルボルネン−2−イル)n−オクチルエステル、及び(メタ)アクリル酸10−(5−ノルボルネン−2−イル)n−デシルエステルなどを挙げることができるが、本発明は何らこれらに限定されない。   Examples of the norbornene-based monomer having an organic group having a reactive double bond include 5-vinyl-2-norbornene, 5-allyl-2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, (meth) acrylic acid (5- Norbornen-2-yl) methyl ester, (meth) acrylic acid 2- (5-norbornen-2-yl) ethyl ester, (meth) acrylic acid 4- (5-norbornen-2-yl) n-butyl ester, ( (Meth) acrylic acid 3- (5-norbornen-2-yl) n-propyl ester, (meth) acrylic acid 2- (5-norbornen-2-yl) -1-methylethyl ester, (meth) acrylic acid 6- (5-Norbornen-2-yl) n-hexyl ester, (meth) acrylic acid 8- (5-norbornen-2-yl) n-octyl Ester, and (meth) can be exemplified acrylic acid 10- (5-norbornene-2-yl) n- decyl ester, the present invention is in no way limited thereto.

前記アルコキシシリル基を有するノルボルネン系モノマーとして、例えば5−トリメトキシシリル−2−ノルボルネン、5−トリエトキシシリル−2−ノルボルネン、5−(2−トリメトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(2−トリエトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン、5−(3−トリメトキシプロピル)−2−ノルボルネン、5−(4−トリメトキシブチル)−2−ノルボルネン、5−トリメチルシリルメチルエーテル−2−ノルボルネン、及びジメチルビス((5−ノルボルネン−2−イル)メトキシ))シランなどを挙げることができるが、本発明はなんらこれらに限定されない。   Examples of the norbornene-based monomer having an alkoxysilyl group include 5-trimethoxysilyl-2-norbornene, 5-triethoxysilyl-2-norbornene, 5- (2-trimethoxysilylethyl) -2-norbornene, 5- ( 2-triethoxysilylethyl) -2-norbornene, 5- (3-trimethoxypropyl) -2-norbornene, 5- (4-trimethoxybutyl) -2-norbornene, 5-trimethylsilylmethyl ether-2-norbornene, And dimethylbis ((5-norbornen-2-yl) methoxy)) silane and the like, but the present invention is not limited thereto.

本発明に用いるノルボルネン系樹脂は、環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、及びアルコキシシリル基などの架橋可能な基を有するノルボルネン系ノマー以外も本発明の目的を損なわない範囲で併用することができる。例えば、アルキル基を有するものとして、5−メチル−2−ノルボルネン、5−エチル−2−ノルボルネン、5−プロピル−2−ノルボルネン、5−ブチル−2−ノルボルネン、5−ペンチル−2−ノルボルネン、5−ヘキシル−2−ノルボルネン、5−ヘプチル−2−ノルボルネン、5−オクチル−2−ノルボルネン、5−ノニル−2−ノルボルネンおよび5−デシル−2−ノルボルネンなどが挙げられ、アルケニル基を有するものとして、5−アリル−2−ノルボルネン、5−エチリデン−2−ノルボルネン、5−イソプロピリデン−2−ノルボルネン、5−(2−プロペニル)−2−ノルボルネン、5−(3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−2−プロペニル)−2−ノルボルネン、5−(4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(1−メチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(2,3−ジメチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(2−エチル−3−ブテニル)−2−ノルボルネン、5−(3,4−ジメチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネン、5−(7−オクテニル)−2−ノルボルネン、5−(2−メチル−6−ヘプテニル)−2−ノルボルネン、5−(1,2−ジメチル−5−ヘキセニル)−2−ノルボルネン、5−(5−エチル−5−ヘキセニル)−2−ノルボルネンおよび5−(1,2,3−トリメチル−4−ペンテニル)−2−ノルボルネンなどが挙げられ、アルキニル基を有するものとして、5−エチニル−2−ノルボルネンなどが挙げられ、シリル基を有するものとして、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ジメチルビス((2−(5−ノルボルネン−2−イル)エチル)トリシロキサン5ートリメチルシリルメチルエーテル−2−ノルボルネンなどが挙げられ、アリール基を有するものとしては、5−フェニルー2−ノルボルネン、5−ナフチル−2−ノルボルネンおよび5−ペンタフルオロフェニル−2−ノルボルネンなどが挙げられ、アラルキル基を有するものとしては、5−ベンジル−2−ノルボルネン、5−フェネチル−2−ノルボルネン、5−ペンタフルオロフェニルメタン−2−ノルボルネン、5−(2−ペンタフルオロフェニルエチル)−2−ノルボルネンおよび5−(3−ペンタフルオロフェニルプロピル)−2−ノルボルネンなどが挙げられ、極性基を有するものとして、例えば5−ヒドロキシ−2−ノルボルネン、5−ノルボルネン−2−メタノール、酢酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、プロピオン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、酪酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、吉草酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプロン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリル酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、カプリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ラウリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、ステアリン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、オレイン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、リノレン酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸、5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸エチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸t−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸i−ブチルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリメチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸トリエチルシリルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸イソボニルエステル、5−ノルボルネン−2−カルボン酸2−ヒドロキシエチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチル−2−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸5−ノルボルネン−2−メチルエステル、5−ノルボルネン−2−メチルエチルカルボネ−ト、5−ノルボルネン−2−メチルn−ブチルカルボネ−ト、5−ノルボルネン−2−メチルt−ブチルカルボネ−ト、及び5−メトキシ−2−ノルボルネンなどを挙げることができるが、本発明は何らこれらに限定されない。   The norbornene-based resin used in the present invention is used in a range that does not impair the object of the present invention other than norbornene-based nomers having a crosslinkable group such as a cyclic ether group, an organic group having a reactive double bond, and an alkoxysilyl group. can do. For example, as having an alkyl group, 5-methyl-2-norbornene, 5-ethyl-2-norbornene, 5-propyl-2-norbornene, 5-butyl-2-norbornene, 5-pentyl-2-norbornene, 5 -Hexyl-2-norbornene, 5-heptyl-2-norbornene, 5-octyl-2-norbornene, 5-nonyl-2-norbornene, 5-decyl-2-norbornene and the like, and those having an alkenyl group, 5-allyl-2-norbornene, 5-ethylidene-2-norbornene, 5-isopropylidene-2-norbornene, 5- (2-propenyl) -2-norbornene, 5- (3-butenyl) -2-norbornene, 5 -(1-Methyl-2-propenyl) -2-norbornene, 5- (4-pentenyl) -2- Rubornene, 5- (1-methyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (5-hexenyl) -2-norbornene, 5- (1-methyl-4-pentenyl) -2-norbornene, 5- (2 , 3-Dimethyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (2-ethyl-3-butenyl) -2-norbornene, 5- (3,4-dimethyl-4-pentenyl) -2-norbornene, 5- (7-octenyl) -2-norbornene, 5- (2-methyl-6-heptenyl) -2-norbornene, 5- (1,2-dimethyl-5-hexenyl) -2-norbornene, 5- (5-ethyl -5-hexenyl) -2-norbornene and 5- (1,2,3-trimethyl-4-pentenyl) -2-norbornene and the like, and those having an alkynyl group include Ru-2-norbornene and the like, and those having a silyl group include 1,1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-dimethylbis ((2- (5-norbornene-2-yl) Ethyl) trisiloxane 5-trimethylsilylmethyl ether-2-norbornene and the like, and those having an aryl group include 5-phenyl-2-norbornene, 5-naphthyl-2-norbornene and 5-pentafluorophenyl-2-norbornene. Examples of those having an aralkyl group include 5-benzyl-2-norbornene, 5-phenethyl-2-norbornene, 5-pentafluorophenylmethane-2-norbornene, 5- (2-pentafluorophenylethyl) 2-norbornene and 5- (3-pentafluorophenylpropyl ) -2-norbornene and the like having a polar group include, for example, 5-hydroxy-2-norbornene, 5-norbornene-2-methanol, acetic acid 5-norbornene-2-methyl ester, propionic acid 5-norbornene- 2-methyl ester, butyric acid 5-norbornene-2-methyl ester, valeric acid 5-norbornene-2-methyl ester, caproic acid 5-norbornene-2-methyl ester, caprylic acid 5-norbornene-2-methyl ester, capric acid 5-norbornene-2-methyl ester, lauric acid 5-norbornene-2-methyl ester, stearic acid 5-norbornene-2-methyl ester, oleic acid 5-norbornene-2-methyl ester, linolenic acid 5-norbornene-2- Methyl ester, 5-norbornene 2-carboxylic acid, 5-norbornene-2-carboxylic acid methyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid ethyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid t-butyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid i -Butyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid trimethylsilyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid triethylsilyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid isobornyl ester, 5-norbornene-2-carboxylic acid 2-hydroxy Ethyl ester, 5-norbornene-2-methyl-2-carboxylic acid methyl ester, cinnamic acid 5-norbornene-2-methyl ester, 5-norbornene-2-methylethyl carbonate, 5-norbornene-2-methyl n-butyl carbonate, 5-norbo Nene -2-methyl t- Buchirukarubone - DOO, and 5-methoxy-2-norbornene the like can be mentioned, the present invention is in no way limited thereto.

またテトラシクロ環から成るものとして、例えば8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−n−プロピルカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−i−プロピルカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(2−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(1−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−(4’−t−ブチルシクロヘキシロキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−エトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−i−プロポキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(2−メチルポロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(1−メチルポロポキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−シクロヘキシロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−(4’−t−ブチルシクロヘキシロキシ)カルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−テトラヒドロフラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチル−8−テトラヒドロピラニロキシカルボニルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8−メチル−8−アセトキシテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(メトキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(エトキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(n−プロポキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(i−プロポキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(n−ブトキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(t−ブトキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(シクロへキシロキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(フェノキシロキシカロボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8,9−ジ(テトラヒドロフラニロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−ジ(テトラヒドロピラニロキシカルボニル)テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]−3−ドデセン、8,9−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン−8−カルボン酸、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−エチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデック−3−エン、8−メチルテトラシクロ[4.4.0.12,5.01,6]ドデック−3−エン、8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,12]ドデック−3−エン、及び8−エチリデンテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,101,6]ドデック−3−エンなどが挙げることができるが、本発明は何らこれらに限定されない。 Moreover, as what consists of a tetracyclo ring, for example, 8-methoxycarbonyl tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-n-propylcarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-i-propylcarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-n-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-i-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyl-8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8-methyl-8-acetoxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (methoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (ethoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (n-propoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (i-propoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (n-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (t-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (cyclohexyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (phenoxyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8,9-di (tetrahydrofuranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8,9-di (tetrahydropyranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene, 8,9-tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene-8-carboxylic acid, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 0 1,6 ] dodec-3-ene, 8-ethylidenetetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,12] Dodekku-3-ene, and 8-ethylidene tetracyclo [4.4.0.1 2, 5. 1 7,10 0 1,6 ] dodec-3-ene and the like can be mentioned, but the present invention is not limited thereto.

本発明に用いる付加型ノルボルネン系樹脂の含有量としては、樹脂組成物に対しての10〜60重量%が好ましく、特に20〜50重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性および電気特性が低下する場合があり、前記上限値を超えると熱膨張率を悪化させる場合がある。   As content of addition type norbornene-type resin used for this invention, 10 to 60 weight% with respect to a resin composition is preferable, and 20 to 50 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the adhesion and electrical characteristics may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the coefficient of thermal expansion may be deteriorated.

前記樹脂組成物は、平均粒径2μm以下の球状シリカを含む。球状シリカは公知の方法によって得られるものを制限なく使用することができる。球状シリカの種類としては、乾式シリカ、湿式シリカ、ゾル−ゲル法シリカを挙げることができる。   The resin composition contains spherical silica having an average particle size of 2 μm or less. As the spherical silica, those obtained by a known method can be used without limitation. Examples of the spherical silica include dry silica, wet silica, and sol-gel silica.

上記乾式シリカは、一般的に四塩化ケイ素などのケイ素化合物を酸素を含む雰囲気中で燃焼させて得られる。一般的にはヒュームドシリカとも呼ばれている。本発明で用いられる球状シリカは、平均粒子径が0.05〜2μmの真球状粒子であるものが好ましく、平均粒子径が0.05〜1μmの真球状粒子であるものがより好ましい。これにより、微細な導体回路の配線板、薄型化多層配線板およびインターポーザーに好適な絶縁層を形成する樹脂組成物とすることができる。   The dry silica is generally obtained by burning a silicon compound such as silicon tetrachloride in an atmosphere containing oxygen. Generally, it is also called fumed silica. The spherical silica used in the present invention is preferably a true spherical particle having an average particle diameter of 0.05 to 2 μm, and more preferably a true spherical particle having an average particle diameter of 0.05 to 1 μm. Thereby, it can be set as the resin composition which forms the insulating layer suitable for the wiring board of a fine conductor circuit, a thin multilayer wiring board, and an interposer.

また、上記湿式シリカは、ケイ酸ソーダを鉱酸で中和することによって溶液中でシリカを析出させる沈殿法シリカが代表的である。     The wet silica is typically precipitated silica in which silica is precipitated in a solution by neutralizing sodium silicate with a mineral acid.

また、上記ゾル−ゲル法シリカは、テトラメトキシシランやテトラエトキシシランなどのアルコキシシランを酸性あるいはアルカリ性の含水有機溶媒中で加水分解することで生成させることができ、極めて高純度のシリカが得られるという特徴がある。   The sol-gel silica can be produced by hydrolyzing an alkoxysilane such as tetramethoxysilane or tetraethoxysilane in an acidic or alkaline water-containing organic solvent, and extremely high purity silica can be obtained. There is a feature.

また、上記乾式、湿式およびゾル−ゲル法による中空または多孔質シリカも、必要に応じて使用することもできる。この場合も、平均粒径が2μm以下であることが好ましい。
Further, hollow or porous silica produced by the above dry, wet and sol-gel methods can be used as required. Also in this case, it is preferable that an average particle diameter is 2 micrometers or less.

前記平均粒径2μm以下の球状シリカは、予め表面処理をされていても良い。予め表面処理を施すことで、シリカの凝集を抑制することができる。従って、ノルボルネン系樹脂での分散性に優れる。また、ノルボルネン系樹脂とシリカ表面の密着性を向上するため、機械強度に優れる。   The spherical silica having an average particle size of 2 μm or less may be surface-treated in advance. By performing a surface treatment in advance, silica aggregation can be suppressed. Accordingly, the dispersibility in the norbornene resin is excellent. In addition, since the adhesion between the norbornene resin and the silica surface is improved, the mechanical strength is excellent.

前記球状シリカを予め表面処理する処理剤は、官能基含有シラン類、環状オリゴシロキサン類、オルガノハロシラン類、オルガノアルコキシシラン類、アルキルシラザン類およびシロキサン結合の繰り返し単位を2個以上、かつアルコキシ基を有するシリコーンオイル類からなる群から選ばれる少なくとも1種類の化合物である。上記処理剤は、用いるノルボルネン系樹脂の架橋可能な基に合わせて選択することができる。   The treating agent for pre-treating the spherical silica is a functional group-containing silane, cyclic oligosiloxane, organohalosilane, organoalkoxysilane, alkylsilazane, two or more repeating units of siloxane bond, and an alkoxy group. At least one compound selected from the group consisting of silicone oils having The said processing agent can be selected according to the crosslinkable group of the norbornene-type resin to be used.

上記官能基含有シラン類は、例えばエポキシシラン、(メタ)アクリルシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、ビニルシラン、イソシアネートシラン、ウレイドシラン、(5−ノルボルネン−2−イル)アルキルシランおよびフェニルシランなどを挙げることができるが、エポキシシラン、(メタ)アクリルシランおよび(5−ノルボルネン−2−イル)アルキルシランがより好ましい。   Examples of the functional group-containing silanes include epoxy silane, (meth) acryl silane, mercapto silane, amino silane, vinyl silane, isocyanate silane, ureido silane, (5-norbornen-2-yl) alkyl silane, and phenyl silane. However, epoxy silane, (meth) acryl silane, and (5-norbornen-2-yl) alkyl silane are more preferable.

上記環状オリゴシロキサンは、例えばヘキサメチルシクロトリシロキサン、オリタメチルシクロテトラシロキサンなどを挙げることができる。   Examples of the cyclic oligosiloxane include hexamethylcyclotrisiloxane and oritamethylcyclotetrasiloxane.

上記オルガノハロシラン類は、例えばトリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシランおよびメチルトリクロロシランなどを挙げることができるが、ジメチルジクロロシランがより好ましい。   Examples of the organohalosilanes include trimethylchlorosilane, dimethyldichlorosilane, and methyltrichlorosilane, and dimethyldichlorosilane is more preferable.

上記アルキルシラザン類は、例えばヘキサメチルジシラザン、1 , 3 ージビニルー1 , 1 , 3 , 3 ーテトラメチルジシラザン、オクタメチルトリシラザンおよびへキサメチルシクロトリシラザンなどを挙げることができるが、ヘキサメチルジシラザンがより好ましい。     Examples of the alkylsilazanes include hexamethyldisilazane, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, octamethyltrisilazane, and hexamethylcyclotrisilazane. Disilazane is more preferred.

本発明で用いる、球状シリカを予め表面処理する方法は、公知の方法により行うことができる。例えば、シリカ粉末をミキサーに入れ、窒素雰囲気下、撹拝しながら前記処理剤を噴霧し、所定温度で一定時間保持することにより行うことができる。上記噴霧する処理剤は溶剤にあらかじめ溶かしておいても良い。また、溶剤中に処理剤と一緒に入れて攪拌したり、シリカ表面のシラノールとカップリング剤の反応を促進するために、加温したり、少量の水を添加したり、酸やアルカリを用いることは当業者では公知であり、本発明に含まれる。また、処理剤の蒸気を直接球状シリカに接触させて表面処理する方法もある。   The method of surface-treating spherical silica used in the present invention can be performed by a known method. For example, it can be carried out by putting silica powder in a mixer, spraying the treatment agent while stirring in a nitrogen atmosphere, and maintaining the mixture at a predetermined temperature for a certain time. The treatment agent to be sprayed may be dissolved in a solvent in advance. In addition, in the solvent together with the treatment agent, stirring, heating, adding a small amount of water, or using an acid or alkali to promote the reaction between the silanol on the silica surface and the coupling agent This is known to those skilled in the art and is included in the present invention. There is also a method for surface treatment by directly contacting the vapor of the treating agent with spherical silica.

上記処理時の温度は処理剤の種類によるが、処理剤の分解温度以下で行うことが必要である。また、処理温度が低すぎると処理剤と原体シリカ粉末の結合力が低く、処理の効果が得られない。よって処理剤にあわせた適切な温度で処理を行う必要がある。更に、保持時間は処理剤の種類、処理温度にもよる。   Although the temperature at the time of the treatment depends on the kind of the treatment agent, it is necessary to perform the treatment at a temperature lower than the decomposition temperature of the treatment agent. On the other hand, if the treatment temperature is too low, the bonding strength between the treatment agent and the raw silica powder is low, and the treatment effect cannot be obtained. Therefore, it is necessary to perform the treatment at an appropriate temperature according to the treatment agent. Furthermore, the holding time depends on the type of processing agent and the processing temperature.

また、オルガノハロシラン類およびアルキルシラザン類を用いてシリカの表面処理する場合、シリカ表面を疎水化するのに好適であり、本発明に用いるノルボルネン系樹脂中でのシリカの分散性に優れる。単独で用いることはもちろん、通常の官能基含有シラン類と、上記オルガノハロシラン類またはアルキルシラザン類の組合わせで使用することも可能である。組合わせで使用する場合、いずれを先に表面処理に用いても良いが、オルガノハロシラン類またはアルキルシラザン類を先に用いる方が、シリカ表面に有機物親和性を与え、次の表面処理を効果的にするので好ましい。ここで用いる通常の官能基含有シラン類と、上記オルガノハロシラン類またはアルキルシラザン類の使用量の比は、500/1〜5/1(重量比)であることが好ましい。この範囲を外れると併用する効果が低下する場合がある。   Further, when the surface treatment of silica is performed using organohalosilanes and alkylsilazanes, it is suitable for hydrophobizing the silica surface and is excellent in dispersibility of silica in the norbornene resin used in the present invention. Of course, it can be used alone or in combination with a normal functional group-containing silane and the above-mentioned organohalosilane or alkylsilazane. When using in combination, either may be used first for surface treatment, but using organohalosilanes or alkylsilazanes first will give organic surface affinity to the silica surface, and the following surface treatment will be effective. Therefore, it is preferable. The ratio of the normal functional group-containing silane used here and the amount of the organohalosilane or alkylsilazane used is preferably 500/1 to 5/1 (weight ratio). If it is out of this range, the combined effect may be reduced.

前記平均粒径2μm以下の球状シリカの含有量としては、樹脂組成物に対して40〜90重量%が好ましく、特に50〜80重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると、−50〜150℃の熱膨張率を60ppm以下にすることができない場合があり、上記上限値を超えると電気特性を低下させる場合がある。   The content of the spherical silica having an average particle size of 2 μm or less is preferably 40 to 90% by weight, particularly 50 to 80% by weight, based on the resin composition. If the content is less than the lower limit value, the thermal expansion coefficient of −50 to 150 ° C. may not be 60 ppm or less, and if the content exceeds the upper limit value, electrical characteristics may be deteriorated.

本発明に用いられるノルボルネン系樹脂以外にも、密着性や接続信頼性を向上させるため、他の成分も併用することができる。例えば、アクリルモノマー、ビニルエーテルモノマー、エポキシ樹脂、ビニルモノマー、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリル系共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ナイロン、スチレン−イソプレン共重合体、及びスチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体などを用いることができ、単独あるいは2種以上混合しても良い。   In addition to the norbornene-based resin used in the present invention, other components can be used in combination in order to improve adhesion and connection reliability. For example, acrylic monomer, vinyl ether monomer, epoxy resin, vinyl monomer, bisphenol A type phenoxy resin, polyester resin, polyurethane resin, polyimide resin, polybutadiene, polypropylene, styrene-butadiene-styrene copolymer, polyacetal resin, polyvinyl butyral resin, butyl rubber , Chloroprene rubber, polyamide resin, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene-methacrylic acid copolymer, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, acrylic copolymer, polyvinyl acetate resin, nylon, styrene-isoprene copolymer A polymer, a styrene-butylene-styrene block copolymer, or the like can be used, or a single type or a mixture of two or more types may be used.

更に本発明において樹脂組成物には、前記表面処理剤以外に必要に応じて、別途カップリング剤等の添加剤を用いることができる。本発明で使用できるカップリング剤としては、シラン系、チタネート系、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられる。例えば、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシランおよびN−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシランなどのアミノシラン化合物、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシランおよびβ−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランなどのエポキシシラン化合物、その他として、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルエトキシシラン、γ−メルカトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカトプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、(5−ノルボルネン−2−イル)エチルトリメトキシシラン、及びγ−メタクロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。カップリング剤の配合量は、樹脂組成物100重量部に対し0.01〜5重量部が好ましく、特に0.01〜2.5重量部がより好ましい。これは、予め球状シリカが表面処理を施されているため少量で十分な効果が得られるためである。   Furthermore, in the present invention, an additive such as a coupling agent can be separately used for the resin composition, if necessary, in addition to the surface treatment agent. Examples of coupling agents that can be used in the present invention include silane-based, titanate-based, and aluminum-based coupling agents. For example, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ- (2-amino Ethyl) aminopropyltriethoxysilane, γ-anilinopropyltrimethoxysilane, γ-anilinopropyltriethoxysilane, N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane and N-β Aminosilane compounds such as-(N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane and β- (3,4-epoxy (Cyclohexyl) ethyltrimethoxysila As other epoxy silane compounds such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylvinylethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, γ- Examples include ureidopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, (5-norbornen-2-yl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane. The blending amount of the coupling agent is preferably 0.01 to 5 parts by weight, more preferably 0.01 to 2.5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the resin composition. This is because the spherical silica has been surface-treated in advance, so that a sufficient effect can be obtained with a small amount.

更に本発明において樹脂組成物には、必要に応じてフッ素粒子を配合することができる。フッ素粒子を配合することにより電気特性に優れる。フッ素粒子としては、平均粒子径が5μm以下のものが好ましい。平均粒径が5μmを越えると樹脂組成物で構成された絶縁層を形成した場合、フッ素粒子が配線間にブリッジにより配線間の電気特性が不均一となり誤作動の原因となる場合や、密着低下により信頼性の低下する場合がある。   Furthermore, in the present invention, fluorine particles can be blended in the resin composition as necessary. Excellent electrical characteristics by blending fluorine particles. As the fluorine particles, particles having an average particle diameter of 5 μm or less are preferable. When the average particle diameter exceeds 5 μm, when an insulating layer composed of a resin composition is formed, the fluorine particles may cause non-uniform electrical characteristics between the wirings due to the bridge between the wirings, and may cause a decrease in adhesion. Reliability may be reduced.

前記フッ素樹脂で構成される粒子を構成するフッ素樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、及びテトラフルオロエチレン−エチレン共重合体(ETFE)などが挙げられるが、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)が好ましい。ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)としては、テトラフルオロエチレンから誘導された単位のみで構成されるもの、あるいは、テトラフルオロエチレンから誘導された単位と、1種またはそれ以上の共重合できるモノマー、例えばヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロビニルエーテル、ヘキサフルオロイソブチレン、ビニリデンフルオライド、またはオレフィンから誘導された単位と、からなる共重合体であり、上記共重合体の場合のテトラフルオロエチレンから誘導された単位以外の単位の比率が20%まで、好ましくは5%まで、さらに好ましくは2%以下からなるものである。PTFEの結晶度は、少なくとも50%以上、好ましくは60%以上であり、更に好ましくは、70%〜90%であってよい。   Examples of the fluororesin constituting the particles composed of the fluororesin include polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene, polyvinylidene fluoride, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), and tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether. Examples thereof include a polymer (PFA), a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), and a tetrafluoroethylene-ethylene copolymer (ETFE), and polytetrafluoroethylene (PTFE) is preferable. Polytetrafluoroethylene (PTFE) includes only units derived from tetrafluoroethylene, or one or more monomers that can be copolymerized with units derived from tetrafluoroethylene, such as hexa A unit comprising units derived from fluoropropylene, perfluorovinyl ether, hexafluoroisobutylene, vinylidene fluoride, or olefin, and units other than units derived from tetrafluoroethylene in the case of the above copolymer The ratio is up to 20%, preferably up to 5%, more preferably 2% or less. The crystallinity of PTFE is at least 50% or more, preferably 60% or more, and more preferably 70% to 90%.

本発明に用いる樹脂組成物は、更に任意の潜伏性触媒を添加することができる。これにより、絶縁層を塗布乾燥、ラミネートまたはプレス形成した後に行なう加熱硬化を、200℃以下の温度、2時間以内の温度にすることができる。
前記潜伏性触媒としては、例えば120℃未満では前記架橋可能な基を有する付加型ノルボルネン系樹脂の架橋反応を促進させないが、120℃以上となると架橋反応を促進させることが可能となるものを用いることができる。より具体的には、150℃の熱板上ゲルタイムを1分30秒以上にすることができるものが挙げられる。
このような潜伏性触媒としては、例えばホスフィン化合物、イミダゾール誘導体などが挙げられる。ホスフィン化合物としては、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムフェノエート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェノキシボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラアルコキシボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラアルキルボレート、及びテトラフェニルホスホニウム等が挙げられる。イミダゾール誘導体としては、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−エチルイミダゾール、1−ベンジル−2−エチル−5−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシジメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチル−イミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、及び1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール等が挙げられる。これらの中でも2,4−ジアミノ−6−[2’−メチル−イミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、及び1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾールが特に好ましい。これにより、触媒の潜伏性が特に向上する。
さらには、ホスフィン化合物は、ホスホニウム塩が好ましい。これにより、十分な潜在性と硬化性を併せ持つことができる。これらは、単独または2種類以上を併用してもよい。
An arbitrary latent catalyst can be further added to the resin composition used in the present invention. Thereby, the heat curing performed after the insulating layer is applied, dried, laminated, or press formed can be set to a temperature of 200 ° C. or less and a temperature of 2 hours or less.
As the latent catalyst, for example, a catalyst that does not promote the crosslinking reaction of the addition-type norbornene-based resin having a crosslinkable group at a temperature lower than 120 ° C., but can accelerate the crosslinking reaction at 120 ° C. or higher is used. be able to. More specifically, the gel time on a hot plate at 150 ° C. can be set to 1 minute 30 seconds or more.
Examples of such latent catalysts include phosphine compounds and imidazole derivatives. Phosphine compounds include triphenylphosphine, tricyclohexylphosphine, triisopropylphosphine, tetraphenylphosphonium phenoate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetraphenoxyborate, tetraphenylphosphonium tetraalkoxyborate, tetraphenylphosphonium tetraalkylborate. And tetraphenylphosphonium. Examples of imidazole derivatives include 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-ethylimidazole, 1-benzyl-2-ethyl-5-methylimidazole, and 2-phenyl-4. -Methyl-5-hydroxydimethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 2,4-diamino-6- [2'-methyl- Examples include imidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, and the like. Among these, 2,4-diamino-6- [2′-methyl-imidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine and 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole are particularly preferable. Thereby, the latency of the catalyst is particularly improved.
Furthermore, the phosphine compound is preferably a phosphonium salt. Thereby, it can have sufficient latency and curability. These may be used alone or in combination of two or more.

また、その他の潜在性触媒としては、例えばベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、4−フェニルベンゾフェノン、及びヒドロキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、及びベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類、4−フェノキシジクロロアセトフェノン、及びジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、チオキサンソン、2−クロルチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、及び2,4−ジメチルチオキサンソン等のチオキサンソン類、エチルアントラキノン、及びブチルアントラキノン等のアルキルアントラキノン類等を挙げることができる。
また、アゾビスイソブチロニトリル、イソブチリルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカルボナート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、t−ブチルクミルパーオキサイド、及びt−ブチルヒドロパーオキサイド等の有機過酸化物を挙げることができる。
Examples of other latent catalysts include benzophenones such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, 4-phenylbenzophenone, and hydroxybenzophenone, benzoin alkyl ethers such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin butyl ether, and benzoin isobutyl ether. , Acetophenones such as 4-phenoxydichloroacetophenone, and diethoxyacetophenone, thioxanthones such as thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, and 2,4-dimethylthioxanthone, ethyl anthraquinone, and Examples include alkyl anthraquinones such as butyl anthraquinone.
Also, azobisisobutyronitrile, isobutyryl peroxide, diisopropyl peroxydicarbonate, t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2- Organic peroxidation such as ethyl hexanoate, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5 di (t-butylperoxy) hexyne-3, t-butylcumyl peroxide, and t-butyl hydroperoxide You can list things.

更にその他の潜在性触媒として、光および/または熱重合開始剤として光酸発生剤を用いると、エポキシ基の架橋を行うとともに、その後の硬化により基板との密着性が向上する。好ましい光酸発生剤としてはオニウム塩、ハロゲン化合物、硫酸塩やその混合物である。例えばオニウム塩としては、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルフォニウム塩、リン酸塩、及びオキソニウム塩などである。前記のオニウム塩とカウンターアニオンを作ることができる化合物である限り、カウンターアニオンの制限はない。カウンターアニオンの例としては、ホウ酸、リン酸、アンチモニック酸、硫酸塩、カルボン酸とその塩化物であるがこれに限定されない。オニウム塩の光酸発生剤としては、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロフォスフェート、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロサルフェート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、4−チオフェノキシジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムテトラフルオロアンチモネート、4−t−ブチルフェニルジフェニルスルフォニウムトリフルオロフォスフォネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムトリフルオロボレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロアーセネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルフォスフェート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオロスルフォネート、トリス(4−メトキシフェニル)スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオアンチモネート、トリス(4−メチルフェニル)スルフォニウムヘキサフルオフォスフェート、トリフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェート、トリフェニルヨードニウムトリフルオロスルフォネート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、3,3−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアーセネイト、4,4−ジニトロジフェニルヨードニウムトリフルオロサルフォネート、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、4,4’,4’’−トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、(4−メチルフェニル)(4−(1−メチルエチル)フェニル)ヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、及び4−(2−メチルプロピル)フェニル(4−メチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェイトとそれらの混合物である。これらを単独で使用しても混合して使用しても良い。   Further, when a photoacid generator is used as a light and / or thermal polymerization initiator as another latent catalyst, the epoxy group is crosslinked and the adhesion to the substrate is improved by subsequent curing. Preferred photoacid generators are onium salts, halogen compounds, sulfates and mixtures thereof. Examples of onium salts include diazonium salts, ammonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, phosphate salts, and oxonium salts. There is no limitation on the counter anion as long as it is a compound capable of forming a counter anion with the onium salt. Examples of counter anions include, but are not limited to, boric acid, phosphoric acid, antimonic acid, sulfate, carboxylic acid and its chloride. Examples of photoacid generators for onium salts include triphenylsulfonium tetrafluorophosphate, triphenylsulfonium tetrafluorosulfate, 4-thiophenoxydiphenylsulfonium tetrafluoroborate, and 4-thiophenoxydiphenylsulfonium tetrafluoroantimony. 4-t-butylphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroantimonate, 4-t-butylphenyldiphenylsulfonium trifluorophosphonate, tris (4-methylphenyl) sulfonium trifluoroborate, tris (4- Methylphenyl) sulfonium tetrafluoroborate, tris (4-methylphenyl) sulfonium hexafluoroarsenate, tris (4-methylphenyl) sulfur Nitrohexafluorophosphate, Tris (4-methylphenyl) sulfonium hexafluorosulfonate, Tris (4-methoxyphenyl) sulfonium tetrafluoroborate, Tris (4-methylphenyl) sulfonium hexafluoroantimonate , Tris (4-methylphenyl) sulfonium hexafluorophosphate, triphenyliodonium hexafluorophosphate, triphenyliodonium trifluorosulfonate, 3,3-dinitrodiphenyliodonium tetrafluoroborate, 3,3-dinitrodiphenyliodonium Trifluorosulfonate, 4,4-dinitrodiphenyliodonium tetrafluoroborate, 4,4-dinitrodiphenyliodonium hexafluoroer Neato, 4,4-dinitrodiphenyliodonium trifluorosulfonate, 4,4'-di-t-butylphenyliodonium triflate, 4,4 ', 4' '-tris (t-butylphenyl) sulfonium triflate , Diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, triphenylsulfonium diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, 4,4′-di-t-butylphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, tris (t-butyl) Phenyl) sulphonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, (4-methylphenyl) (4- (1-methylethyl) phenyl) iodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, and 4 -(2-methylpropyl) phenyl (4-methylphenyl) iodonium hexafluorophosphate and mixtures thereof. These may be used alone or in combination.

これらの潜在性触媒の中でも下記に記載のものが特に好ましい。
ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムトリフレート、4,4’,4’’−トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルスルフォニウムジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、4,4’−ジ−t−ブチルフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリス(t−ブチルフェニル)スルフォニムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、(4−メチルフェニル)(4−(1−メチルエチル)フェニル)ヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、及び4−(2−メチルプロピル)フェニル(4−メチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロフォスフェイトとそれらの混合物である。
Among these latent catalysts, those described below are particularly preferable.
Dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5 di (t-butylperoxy) hexyne-3,4,4'-di-t-butylphenyliodonium triflate, 4,4 ', 4''- Tris (t-butylphenyl) sulfonium triflate, diphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, triphenylsulfonium diphenyliodoniumtetrakis (pentafluorophenyl) borate, 4,4′-di-t-butylphenyliodonium tetrakis (Pentafluorophenyl) borate, tris (t-butylphenyl) sulfonyl tetrakis (pentafluorophenyl) borate, (4-methylphenyl) (4- (1-methylethyl) phenyl) iodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate And 4- (2-methylpropyl) phenyl (4-methylphenyl) iodonium hexafluorophosphate and mixtures thereof.

前記潜伏性触媒の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物の樹脂成分に対して0.1〜10重量%が好ましく、特に0.5〜5重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると絶縁層が硬化不足、前記上限値を超えると保存安定性が低下する恐れがある。   The content of the latent catalyst is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 10% by weight, particularly preferably 0.5 to 5% by weight, based on the resin component of the resin composition. When the content is less than the lower limit, the insulating layer is insufficiently cured, and when the content exceeds the upper limit, the storage stability may be lowered.

また、本発明の樹脂組成物には、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤、例えば、レベリング剤、酸化防止剤、UV吸収剤、非反応性希釈剤、反応性希釈剤、揺変性付与剤、増粘剤等を適宜添加しても良い。   In addition, the resin composition of the present invention has various additives such as leveling agents, antioxidants, UV absorbers, non-reactive dilutions, in order to improve various properties such as resin compatibility, stability, and workability. Agents, reactive diluents, thixotropic agents, thickeners and the like may be added as appropriate.

本発明の樹脂組成物の製造方法としては、まず、上記ノルボルネン系樹脂、平均粒径2μm以下の球状シリカおよび任意の潜在性触媒や添加剤とを、メチルエチルケトン、トルエン、メシチレン、デカヒドロナフタレン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフランおよびアニソール等の有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転分散方式などの各種混合機を用いて混合・攪拌してワニスを得て、これをキャリア材料に塗布する方法により得ることができる。前記塗布する方法としては、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーターおよびカーテンコーターを用いる方法、スピンコーティングする方法、スプレーにより噴霧する方法、デッィピングにより浸漬する方法、印刷機、真空印刷機およびディルペンサーを用いる方法等が挙げられる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーターを用いる方法が好ましい。また、回路上に直接スピンコーティングして絶縁層を形成することも可能である。このようにして得られる樹脂組成物を用いた絶縁層を形成して得られる配線板または多層配線板は、電気特性・加工性および信頼性に優れる。   As a method for producing the resin composition of the present invention, first, the norbornene-based resin, spherical silica having an average particle size of 2 μm or less, and any latent catalyst or additive are mixed with methyl ethyl ketone, toluene, mesitylene, decahydronaphthalene, acetic acid. Various organic solvents such as ethyl, cyclohexane, heptane, cyclohexanone, tetrahydrofuran and anisole, such as ultrasonic dispersion method, high-pressure collision dispersion method, high-speed rotation dispersion method, bead mill method, high-speed shear dispersion method, and rotation and revolution dispersion method A varnish can be obtained by mixing and stirring using a mixer and applied to a carrier material. Examples of the coating method include a roll coater, a bar coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, and a curtain coater, a spin coating method, a spraying method, a dipping method, a printing machine, Examples include a method using a vacuum printer and a dill pencer. Among these, a method using a die coater or a knife coater is preferable. It is also possible to form an insulating layer by spin coating directly on the circuit. A wiring board or multilayer wiring board obtained by forming an insulating layer using the resin composition thus obtained is excellent in electrical characteristics / workability and reliability.

本発明の樹脂組成物は、優れた電気特性および加工性を有するため、プリント配線板や多層配線板だけでなく、半導体装置および液晶表示装置などの絶縁体等に好適である。特に、層間絶縁層における厚みの均一性および表面の平滑性が求められる多層配線板の絶縁層に用いる場合、回路埋め込み性および表面平滑性に優れるため、安定性した高速伝送特性を有する多配線板を提供することができる。また、銅回路等の金属、シリコン、有機材料等の各被着体への優れた密着性、低吸湿性を有するため、高い実装信頼性・接続信頼性を有する多層配線板を提供することができる。   Since the resin composition of the present invention has excellent electrical characteristics and workability, it is suitable not only for printed wiring boards and multilayer wiring boards but also for insulators such as semiconductor devices and liquid crystal display devices. In particular, when used in an insulating layer of a multilayer wiring board that requires uniformity in thickness and surface smoothness in an interlayer insulating layer, the multi-wiring board has stable high-speed transmission characteristics because of excellent circuit embedding and surface smoothness. Can be provided. In addition, since it has excellent adhesion to each adherend such as a copper circuit, silicon, organic materials, etc., and low moisture absorption, it is possible to provide a multilayer wiring board having high mounting reliability and connection reliability. it can.

次に、積層体について説明する。
図1は、本発明の積層体の一例を模式的に示す断面図である。
積層体1は、上記の樹脂組成物で構成される樹脂層3と、キャリアフィルム2とを積層してなるものである。
上記樹脂組成物で構成される樹脂層により、電子機器の高速伝送化を可能とする。また、電気特性およびレーザー加工性に優れる特性を有する絶縁層として用いることができる。
樹脂組成物で構成される樹脂層3の厚さは、特に限定されないが、0.1〜60μmが好ましく、特に1〜40μmが好ましい。樹脂組成物で構成される樹脂層の厚さは、絶縁信頼性を向上させる上で前記下限値以上が好ましく、多層配線板における目的の一つである薄膜化を達成する上で前記上限値以下が好ましい。
Next, a laminated body is demonstrated.
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of the laminate of the present invention.
The laminate 1 is formed by laminating a resin layer 3 composed of the above resin composition and a carrier film 2.
The resin layer composed of the resin composition enables high-speed transmission of electronic devices. Further, it can be used as an insulating layer having characteristics excellent in electrical characteristics and laser processability.
Although the thickness of the resin layer 3 comprised with a resin composition is not specifically limited, 0.1-60 micrometers is preferable and 1-40 micrometers is especially preferable. The thickness of the resin layer composed of the resin composition is preferably not less than the lower limit for improving insulation reliability, and not more than the upper limit for achieving thinning which is one of the purposes in a multilayer wiring board. Is preferred.

キャリアフィルム2は、銅やアルミニウムなどの導体層として使用可能な金属箔、または樹脂組成物で構成される樹脂層2から適度な強度で剥離容易である樹脂フィルムが好ましい。前記樹脂フィルムとしては、ポリエステル、芳香族ポリイミド、ポリエチレン等で構成されるフィルムが挙げられる。これらキャリアフィルムの中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、樹脂組成物で構成される樹脂層3から適度な強度で剥離することが特に容易となる。また、反応性希釈剤に対する安定性にも優れている。さらに、反応性希釈剤および溶剤に溶解している樹脂組成物成分が、キャリアフィルムにマイグレーションするのを防止することもできる。また、キャリアフィルム3の厚さは、特に限定されないが、10〜200μmが好ましく、特に20〜100μmが好ましい。キャリアフィルムの厚さが前記範囲内であると、特に配線板における回路上での樹脂層の平坦性に優れる。   The carrier film 2 is preferably a metal foil that can be used as a conductor layer such as copper or aluminum, or a resin film that can be easily peeled off from the resin layer 2 composed of a resin composition with an appropriate strength. Examples of the resin film include films made of polyester, aromatic polyimide, polyethylene, and the like. Among these carrier films, a film made of polyester is most preferable. Thereby, it becomes particularly easy to peel the resin layer 3 composed of the resin composition with an appropriate strength. It also has excellent stability against reactive diluents. Furthermore, migration of the resin composition component dissolved in the reactive diluent and the solvent to the carrier film can be prevented. Moreover, although the thickness of the carrier film 3 is not specifically limited, 10-200 micrometers is preferable and 20-100 micrometers is especially preferable. When the thickness of the carrier film is within the above range, the flatness of the resin layer on the circuit in the wiring board is particularly excellent.

樹脂組成物で構成される樹脂層3をキャリアフィルム2に積層する方法としては、例えば、前記樹脂組成物を溶剤等に溶解してワニスとし、これをキャリアフィルム3に塗布して樹脂層を形成する方法等が挙げられる。前記塗布する方法としては、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーターおよびカーテンコーターなどにより塗布または流延する方法、スプレーにより噴霧する方法、デッィピングにより浸漬する方法、印刷機、真空印刷機およびディスペンサーにより描画する方法、場合によりスピンコーティング等が挙げられる。これらの中でもダイコーターを用いる方法が好ましい。これにより、所定の厚さを有する積層体1を安定して生産できる。   As a method of laminating the resin layer 3 composed of the resin composition on the carrier film 2, for example, the resin composition is dissolved in a solvent or the like to form a varnish, and this is applied to the carrier film 3 to form a resin layer. And the like. Examples of the application method include, for example, a method of applying or casting using a roll coater, bar coater, knife coater, gravure coater, die coater and curtain coater, a spraying method, a dipping method, a printing machine, Examples include a method of drawing with a vacuum printer and a dispenser, and optionally spin coating. Among these, a method using a die coater is preferable. Thereby, the laminated body 1 which has predetermined | prescribed thickness can be produced stably.

具体的に積層体1を製造する方法としては、例えば、樹脂組成物を溶剤に溶解したものをキャリアフィルム2に1〜100μm程度の厚さで塗布し、その塗布層を、例えば、80〜200℃で20秒〜30分乾燥し、残留溶媒量が全体の1.0重量%以下とする。これにより、樹脂組成物で構成される樹脂層3がキャリアフィルム2上に積層された積層体1を得ることができる(図1)。   Specifically, as a method for producing the laminate 1, for example, a resin composition dissolved in a solvent is applied to the carrier film 2 with a thickness of about 1 to 100 μm, and the coating layer is formed, for example, 80 to 200 Dry at 20 ° C. for 20 seconds to 30 minutes so that the residual solvent amount is 1.0% by weight or less. Thereby, the laminated body 1 by which the resin layer 3 comprised by the resin composition was laminated | stacked on the carrier film 2 can be obtained (FIG. 1).

この様にして得られた樹脂層は、加工性と電気特性に優れており、例えば、1.0μm以下の表面凹凸の高低差、1GHzにおいて3.0以下の誘電率、0.006以下の誘電正接を達成することができる。   The resin layer thus obtained is excellent in workability and electrical characteristics. For example, the height difference of surface irregularities of 1.0 μm or less, a dielectric constant of 3.0 or less at 1 GHz, and a dielectric of 0.006 or less. Tangent can be achieved.

次に、配線板について説明する。
図2は、本発明の配線板の一例を示す断面図である。
図2に示すように、配線板10は、コア基板5と、コア基板5の両面に設けられた樹脂層3とで構成されている。
コア基板5には、ドリル機で開口された開口部51が形成されている。また、コア基板5の両表面には導体回路52が形成されている。
開口部51の内部はメッキ処理されており、コア基板5の両表面の導体回路52が導通されている。
Next, the wiring board will be described.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the wiring board of the present invention.
As illustrated in FIG. 2, the wiring board 10 includes a core substrate 5 and a resin layer 3 provided on both surfaces of the core substrate 5.
The core substrate 5 is formed with an opening 51 opened by a drilling machine. Conductor circuits 52 are formed on both surfaces of the core substrate 5.
The inside of the opening 51 is plated, and the conductor circuits 52 on both surfaces of the core substrate 5 are conducted.

導体回路52を覆うようにコア基板5の両面に、樹脂層3が設けられている。樹脂層3には、レーザー加工により形成された開口部31が形成されている。
また、樹脂層3の両表面には、第2導体回路32が形成されている。
導体回路52と、導体回路32とは、開口部31を介して導通されている。
The resin layer 3 is provided on both surfaces of the core substrate 5 so as to cover the conductor circuit 52. An opening 31 formed by laser processing is formed in the resin layer 3.
In addition, second conductor circuits 32 are formed on both surfaces of the resin layer 3.
The conductor circuit 52 and the conductor circuit 32 are electrically connected via the opening 31.

このような配線板を製造する方法としては、図3を用いて説明すると、例えば、コア基板(例えばFR−4の両面銅箔)107にドリル機で開孔して開口部102を設けた後、無電解めっきにより、開口部102にメッキ処理を行い、コア基板107の両面の導通を図る。そして、前記銅箔をエッチングすることにより導体回路101を形成する(図3(a))。   A method of manufacturing such a wiring board will be described with reference to FIG. 3. For example, after opening the opening 102 by drilling a core board (for example, FR-4 double-sided copper foil) 107 with a drilling machine. Then, the opening 102 is plated by electroless plating so that both surfaces of the core substrate 107 are electrically connected. Then, the conductor circuit 101 is formed by etching the copper foil (FIG. 3A).

導体回路101の材質としては、この製造方法に適するものであれば、どのようなものでも良いが、導体回路の形成においてエッチングや剥離などの方法により除去可能であることが好ましく、前記エッチングにおいては、これに使用される薬液などに耐性を有するものが好ましい。そのような導体回路101の材質としては、例えば、銅、銅合金、42合金およびニッケル等が挙げられる。特に、銅箔、銅板および銅合金板は、電解めっき品や圧延品を選択できるだけでなく、様々な厚みのものを容易に入手できるため、導体回路101として使用するのに最も好ましい。   The material of the conductor circuit 101 may be any material as long as it is suitable for this manufacturing method, but is preferably removable by a method such as etching or peeling in the formation of the conductor circuit. Those having resistance to the chemicals used in this are preferred. Examples of the material of the conductor circuit 101 include copper, copper alloy, 42 alloy, nickel, and the like. In particular, the copper foil, the copper plate, and the copper alloy plate are most preferable for use as the conductor circuit 101 because not only electrolytic plated products and rolled products can be selected, but also various thicknesses can be easily obtained.

次に、導体回路101を覆うように、樹脂層104を形成する(図3(b))。樹脂層104を形成する方法としては、本発明の樹脂組成物を絶縁層形成面に直接塗布して形成する方法、上述の樹脂層付キャリア材料をプレスする方法、樹脂層付キャリア材料を、真空プレス、常圧ラミネーター、真空ラミネータ−およびベクレル式積層装置等を用いて積層して樹脂層104を形成する方法が挙げられる。
また、キャリア材料として金属層を用いた場合、該金属層を導体回路として加工することができる。
Next, a resin layer 104 is formed so as to cover the conductor circuit 101 (FIG. 3B). As a method of forming the resin layer 104, a method of directly applying the resin composition of the present invention to the insulating layer forming surface, a method of pressing the above-described carrier material with a resin layer, a vacuum with a carrier material with a resin layer, Examples thereof include a method in which the resin layer 104 is formed by laminating using a press, a normal pressure laminator, a vacuum laminator, a Becquerel type laminating apparatus, and the like.
When a metal layer is used as the carrier material, the metal layer can be processed as a conductor circuit.

次に、樹脂層形成に樹脂層付きキャリア材料を用いた場合、キャリア材料を剥離した後、形成した樹脂層104を加熱・硬化する。加熱・硬化する温度は、150℃〜300℃の範囲が好ましい。特に、150℃〜250℃が好ましい。また、一層目の樹脂層104を加熱、半硬化させ、樹脂層104上に、一層ないし複数の樹脂層104をさらに形成し半硬化の樹脂層104を実用上問題ない程度に再度加熱硬化させることにより樹脂層104間および樹脂層104と導体回路101間の密着力を向上させることができる。この場合の半硬化の温度は、100℃〜250℃が好ましく、150℃〜200℃がより好ましい。   Next, when a carrier material with a resin layer is used for the resin layer formation, the formed resin layer 104 is heated and cured after peeling off the carrier material. The temperature for heating and curing is preferably in the range of 150 ° C to 300 ° C. In particular, 150-250 degreeC is preferable. Also, the first resin layer 104 is heated and semi-cured, and one or more resin layers 104 are further formed on the resin layer 104, and the semi-cured resin layer 104 is again heat-cured to such an extent that there is no practical problem. Thus, the adhesion between the resin layers 104 and between the resin layer 104 and the conductor circuit 101 can be improved. The semi-curing temperature in this case is preferably 100 ° C to 250 ° C, more preferably 150 ° C to 200 ° C.

次に、樹脂層104に、レーザーを照射して、開口部105を形成する(図3(c))。前記レーザーとしては、エキシマレーザー、UVレーザーおよび炭酸ガスレーザー等が使用できる。前記レーザーによる開口部105の形成は、樹脂層104の材質が感光性・非感光性に関係なく、微細な開口部105を容易に形成することができる。したがって、樹脂層104に微細加工が必要とされる場合に、特に好ましい。   Next, the resin layer 104 is irradiated with a laser to form an opening 105 (FIG. 3C). As the laser, an excimer laser, a UV laser, a carbon dioxide gas laser, or the like can be used. Formation of the opening 105 by the laser can easily form a fine opening 105 regardless of whether the resin layer 104 is photosensitive or non-photosensitive. Therefore, it is particularly preferable when the resin layer 104 needs to be finely processed.

次に、導体回路106を形成する(図3(d))。導体回路106の形成方法としては、公知の方法であるセミアディティブ法などで形成することができる。
次に、導体ポストを形成する(図3(e))。導体ポスト107の形成方法としては、公知の方法である電解メッキ等で形成することができる。例えば、導体回路106を電解メッキ用リードとして、銅電解メッキを行ない、銅で充填し銅ポストを形成することができる。これの方法により、配線板を得ることができる。
上記配線板を得る工程において、上記図3(a)〜図3(d)で示した工程を繰り返すことにより、さらに多層の配線板を得ることができる。
Next, the conductor circuit 106 is formed (FIG. 3D). The conductive circuit 106 can be formed by a known method such as a semi-additive method.
Next, a conductor post is formed (FIG. 3E). As a method of forming the conductor post 107, it can be formed by a known method such as electrolytic plating. For example, copper electroplating can be performed using the conductive circuit 106 as a lead for electrolytic plating, and the copper post can be formed by filling with copper. By this method, a wiring board can be obtained.
In the step of obtaining the wiring board, a multilayer wiring board can be obtained by repeating the steps shown in FIGS. 3 (a) to 3 (d).

(実施例1)
ノルボルネン系樹脂として2−ノルボルネン/5−メチルグリシジルエーテル−2−ノルボルネン(70/30)モノマーの付加共重合体(ポリマーA、Mw=200,000)を用いた。なお、ノルボルネン系樹脂(ポリマーA)は、下記の方法で合成した。
[ポリマーAの合成]
重合系の雰囲気を不活性ガスの窒素で十分に満たした反応容器中に、2−ノルボルネン13.2g(0.14mol)、5−メチルグリシジルエーテル−2−ノルボルネン10.8g(0.06mol)、重合溶剤としてエチルアセテート170g、シクロヘキサン147g(0.53M)を仕込んだ。次いで、遷移金属触媒(η6−トルエンニッケルビス(ペンタフルオロフェニル)1.39g(2.86×10-3mol)をトルエン10gに溶解させた触媒溶液を反応容器に投入した。室温で4時間攪拌重合させた後、氷酢酸94ml、30%過酸化水素水174ml、純水600mlの混合液に前記重合溶液を投入し、2時間攪拌した。水層の遷移金属触媒と樹脂溶液の有機層とに分離した溶液の水層を除去した。更に有機層を数回純水で洗浄した、そして、樹脂溶液をメタノール中に投入しノルボルネン系樹脂を析出させた。固形分を濾過後、減圧乾燥し溶剤を除きポリマーAを得た。
Example 1
An addition copolymer of 2-norbornene / 5-methylglycidyl ether-2-norbornene (70/30) monomer (Polymer A, Mw = 200,000) was used as the norbornene-based resin. In addition, norbornene-type resin (polymer A) was synthesize | combined with the following method.
[Synthesis of Polymer A]
In a reaction vessel in which the atmosphere of the polymerization system is sufficiently filled with an inert gas nitrogen, 13.2 g (0.14 mol) of 2-norbornene, 10.8 g (0.06 mol) of 5-methylglycidyl ether-2-norbornene, As a polymerization solvent, 170 g of ethyl acetate and 147 g (0.53M) of cyclohexane were charged. Subsequently, a catalyst solution in which 1.39 g (2.86 × 10 −3 mol) of a transition metal catalyst (η 6 -toluene nickel bis (pentafluorophenyl)) was dissolved in 10 g of toluene was charged into the reaction vessel at room temperature for 4 hours. After stirring and polymerizing, the polymerization solution was put into a mixed solution of 94 ml of glacial acetic acid, 174 ml of 30% hydrogen peroxide water and 600 ml of pure water, and stirred for 2 hours. The organic layer was washed several times with pure water, and the resin solution was poured into methanol to precipitate a norbornene-based resin, which was filtered and dried under reduced pressure. Polymer A was obtained by removing the solvent.

得られたノルボルネン系樹脂(ポリマーA)10g、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、及び(5−ノルボルネン−2−イル)エチルトリメトキシシランを表面処理剤として用いて表面処理された球状シリカ(アドマテックス社製、SE−2030、平均粒径0.5μm、3μm粗粒カット)12.2g、潜在性触媒として(4−メチルフェニル)(4−(1−メチルエチル)フェニル)ヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニルボレート)0.1g、UV吸収剤として2−(3−t−ブチル−5−メチル−2−ヒドロキシフェニル)−5−クロロベンゾトリアゾール0.15gとを、メシチレン溶剤中に35%になるように溶解させた。この場合、シリカ含有量は樹脂組成物に対して約55重量%である。続いて、高速せん断分散方式の混合機(奈良機械製作所社製、マイクロスMICROS−0型)を用いてシリカの分散処理を行ない、樹脂溶液を調整した。   Surface treatment using 10 g of the obtained norbornene resin (Polymer A), β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and (5-norbornene-2-yl) ethyltrimethoxysilane as surface treatment agents 12.2 g of spherical silica (manufactured by Admatechs, SE-2030, average particle size 0.5 μm, 3 μm coarse particle cut), (4-methylphenyl) (4- (1-methylethyl) phenyl as a latent catalyst ) 0.1 g of iodonium tetrakis (pentafluorophenylborate) and 0.15 g of 2- (3-tert-butyl-5-methyl-2-hydroxyphenyl) -5-chlorobenzotriazole as UV absorber in a mesitylene solvent To 35%. In this case, the silica content is about 55% by weight based on the resin composition. Subsequently, silica was dispersed using a high-speed shear dispersion type mixer (manufactured by Nara Machinery Co., Ltd., Micros MICROS-0 type) to prepare a resin solution.

上述の樹脂溶液をキャリアフィルムとしてポリエステルフィルム(ダイヤホイル社製、MRX−50、厚さ50μm)上にロールコーターで、厚さが25μmになるように塗布した。その後、80℃で10分、140℃で10分乾燥を行い、キャリアフィルムとを積層して、キャリアフィルム付き樹脂層からなる積層体を得た。   The above-mentioned resin solution was applied as a carrier film onto a polyester film (Diafoil, MRX-50, thickness 50 μm) with a roll coater so as to have a thickness of 25 μm. Then, it dried at 80 degreeC for 10 minutes and 140 degreeC for 10 minutes, laminated | stacked with the carrier film, and obtained the laminated body which consists of a resin layer with a carrier film.

各実施例および比較例により得られた積層体について、次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。結果を表1に示す。   The following evaluation was performed about the laminated body obtained by each Example and the comparative example. The evaluation items are shown together with the contents. The results are shown in Table 1.

(1)−50〜150℃の熱膨張率、およびガラス転移温度
熱歪測定装置(セイコーインスツルメント社製、EXSTAR6000 TMA/SS)を用いて、荷重20mN、昇温速度5℃/min、温度範囲−50〜350℃で測定した。−50〜150℃の熱膨張率は−50〜0℃、0〜50℃、50〜100℃、100〜150℃での各平均熱線膨張係数を算出しその平均値として算出して評価した。また、変曲点をガラス転移温度とした。なお積層体よりキャリアフィルムを除去し、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により200℃で1時間熱処理した樹脂組成物をサンプルとした。
各符号は以下の通りである。
◎:30ppm未満
○:30〜60ppm以下
△:60〜90ppm以下
×:90ppm以上
(1) Thermal expansion coefficient of −50 to 150 ° C., and glass transition temperature Thermal strain measuring device (manufactured by Seiko Instruments Inc., EXSTAR6000 TMA / SS), load 20 mN, temperature rising rate 5 ° C./min, temperature Measurements were made in the range −50 to 350 ° C. The thermal expansion coefficient at −50 to 150 ° C. was evaluated by calculating the average thermal linear expansion coefficient at −50 to 0 ° C., 0 to 50 ° C., 50 to 100 ° C., and 100 to 150 ° C., and calculating the average value. The inflection point was taken as the glass transition temperature. In addition, the carrier film was removed from the laminate, and then a resin composition that was heat-treated at 200 ° C. for 1 hour with a dryer in a nitrogen atmosphere was used as a sample.
Each code is as follows.
◎: Less than 30 ppm ○: 30 to 60 ppm or less △: 60 to 90 ppm or less ×: 90 ppm or more

(2)誘電率測定
周波数2.45GHzにおける誘電特性を測定した。測定機器は、円筒空洞共振機(アジレント・テクノロジー社製、マイクロ波ネットワークアナライザ HP8510B)を用いた。なお積層体よりキャリアフィルムを除去し、続いて窒素雰囲気下の乾燥機により200℃で1時間熱処理した樹脂組成物をサンプルとした。
(2) Dielectric constant measurement Dielectric characteristics at a frequency of 2.45 GHz were measured. As a measuring instrument, a cylindrical cavity resonator (manufactured by Agilent Technologies, microwave network analyzer HP8510B) was used. In addition, the carrier film was removed from the laminate, and then a resin composition that was heat-treated at 200 ° C. for 1 hour with a dryer in a nitrogen atmosphere was used as a sample.

(実施例2)
シリカの含有量を75重量%にした以外は、実施例1と同じにした。
(Example 2)
The same as Example 1 except that the content of silica was 75% by weight.

(実施例3)
ノルボルネン系樹脂およびシリカの表面処理剤として以下のものを用いた以外は、実施例1と同じにした。
ノルボルネン系樹脂として2−ノルボルネン/5−トリメトキシシリル−2−ノルボルネン(90/10)モノマーの付加共重合体(ポリマーB、Mw=200,000)を用いた。なお、ポリマーBは、下記の方法で合成した。シリカの表面処理剤として(5−ノルボルネン−2−イル)エチルトリメトキシシランを用いた。
[ポリマーBの合成]
重合系の雰囲気を不活性ガスの窒素で十分に満たした反応容器中に、2−ノルボルネン16.95g(0.18mol)、5−トリメトキシシリル−2−ノルボルネン4.3g(0.02mol)、重合溶剤としてエチルアセテート170g、シクロヘキサン147g(0.53M)を仕込んだ。次いで、遷移金属触媒(η6−トルエンニッケルビス(ペンタフルオロフェニル)1.39g(2.86×10-3mol)をトルエン10gに溶解させた触媒溶液を反応容器に投入した。室温で4時間攪拌重合させた後、氷酢酸94ml、30%過酸化水素水174ml、純水600mlの混合液に前記重合溶液を投入し、2時間攪拌した。水層の遷移金属触媒と樹脂溶液の有機層とに分離した溶液の水層を除去した。更に有機層を数回純水で洗浄した、そして、樹脂溶液をメタノール中に投入しノルボルネン系樹脂を析出させた。固形分を濾過後、減圧乾燥し溶剤を除きポリマーBを得た。
(Example 3)
Example 1 was the same as Example 1 except that the following were used as the surface treatment agents for norbornene resin and silica.
An addition copolymer of 2-norbornene / 5-trimethoxysilyl-2-norbornene (90/10) monomer (polymer B, Mw = 200,000) was used as the norbornene-based resin. Polymer B was synthesized by the following method. (5-norbornen-2-yl) ethyltrimethoxysilane was used as a surface treatment agent for silica.
[Synthesis of Polymer B]
In a reaction vessel in which the atmosphere of the polymerization system is sufficiently filled with an inert gas nitrogen, 16.95 g (0.18 mol) of 2-norbornene, 4.3 g (0.02 mol) of 5-trimethoxysilyl-2-norbornene, As a polymerization solvent, 170 g of ethyl acetate and 147 g (0.53M) of cyclohexane were charged. Subsequently, a catalyst solution in which 1.39 g (2.86 × 10 −3 mol) of a transition metal catalyst (η 6 -toluene nickel bis (pentafluorophenyl)) was dissolved in 10 g of toluene was charged into the reaction vessel at room temperature for 4 hours. After stirring and polymerizing, the polymerization solution was put into a mixed solution of 94 ml of glacial acetic acid, 174 ml of 30% hydrogen peroxide water and 600 ml of pure water, and stirred for 2 hours. The organic layer was washed several times with pure water, and the resin solution was poured into methanol to precipitate a norbornene-based resin, which was filtered and dried under reduced pressure. Polymer B was obtained by removing the solvent.

(実施例4)
ノルボルネン系樹脂およびシリカの表面処理剤として以下のものを用いた以外は、実施例1と同じにした。
ノルボルネン系樹脂として5−メチル−2−ノルボルネン/(2−ノルボルネン−5−イル)メチルアクリレート/5−(2−トリメトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン(85/10/5)モノマーの付加共重合体(ポリマーC、Mw=200,000)を用いた。なお、ポリマーCは、下記の方法で合成した。また、シリカの表面処理剤として、ヘキサメチルジシラザンを用いた。
[ポリマーCの合成]
重合系の雰囲気を不活性ガスの窒素で十分に満たした反応容器中に、5−メチルー2−ノルボルネン45.98g(0.425mol)、(2−ノルボルネン−5−イル)メチルアクリレート9.62g(0.05mol)、5−(2−トリメトキシシリルエチル)−2−ノルボルネン6.06g(0.025mol)、重合溶剤としてトルエン192gを仕込んだ。次いで、遷移金属触媒[(アセチル)ビス(トリイソプロピルホスフィン)(アセトニトリル)パラジウム][テトラキス(パーフルオロフェニル)ボレート]0.0482g(4.0×10-5mol)、ルイス酸としてジメチルフェニルアンモニウムテトラキス(パーフルオロフェニル)ボレート0.0641g(8.0×10-5mol)、分子量調節剤としてトリエトキシシラン0.291gとを、トルエン10gに溶解させ、触媒溶液を反応容器に投入した。70℃で3時間攪拌重合させた後、樹脂溶液をメタノール中に投入しノルボルネン系樹脂を析出させた。固形分を濾過後、減圧乾燥し溶剤を除きポリマーCを得た。
Example 4
Example 1 was the same as Example 1 except that the following were used as the surface treatment agents for norbornene resin and silica.
Addition weight of 5-methyl-2-norbornene / (2-norbornene-5-yl) methyl acrylate / 5- (2-trimethoxysilylethyl) -2-norbornene (85/10/5) monomer as norbornene resin A coalescence (polymer C, Mw = 200,000) was used. Polymer C was synthesized by the following method. Further, hexamethyldisilazane was used as a silica surface treatment agent.
[Synthesis of Polymer C]
In a reaction vessel in which the atmosphere of the polymerization system was sufficiently filled with an inert gas nitrogen, 45.98 g (0.425 mol) of 5-methyl-2-norbornene and 9.62 g of (2-norbornene-5-yl) methyl acrylate ( 0.05 mol), 5- (2-trimethoxysilylethyl) -2-norbornene 6.06 g (0.025 mol), and 192 g of toluene as a polymerization solvent were charged. Next, transition metal catalyst [(acetyl) bis (triisopropylphosphine) (acetonitrile) palladium] [tetrakis (perfluorophenyl) borate] 0.0482 g (4.0 × 10 −5 mol), dimethylphenylammonium tetrakis as Lewis acid 0.0641 g (8.0 × 10 −5 mol) of (perfluorophenyl) borate and 0.291 g of triethoxysilane as a molecular weight regulator were dissolved in 10 g of toluene, and the catalyst solution was charged into the reaction vessel. After stirring and polymerizing at 70 ° C. for 3 hours, the resin solution was put into methanol to precipitate a norbornene resin. The solid content was filtered and then dried under reduced pressure to remove the solvent and obtain polymer C.

(実施例5)
ノルボルネン系樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例4と同じように行った。
ノルボルネン系樹脂として5−メチル−2−ノルボルネン/(2−ノルボルネン−5−イル)メチルアクリレート(90/10)モノマーの付加共重合体(ポリマーD、Mw=200,000)を用いた。なお、ポリマーDは、下記の方法で合成した。
[ポリマーDの合成]
重合系の雰囲気を不活性ガスの窒素で十分に満たした反応容器中に、5−メチルー2−ノルボルネン16.23g(0.15mol)、(2−ノルボルネン−5−イル)メチルアクリレート9.62g(0.05mol)、重合溶剤としてメシチレン115g、を仕込んだ。次いで、遷移金属触媒[(アセチル)ビス(トリイソプロピルホスフィン)(アセトニトリル)パラジウム] [(アセチル)ビス(トリイソプロピルホスフィン)(アセトニトリル)パラジウム]0.0193g(1.60×10-5mol)、ルイス酸としてジメチルフェニルアンモニウムテトラキス(パーフルオロフェニル)ボレート0.0256g(3.20×10-5mol)、分子量調節剤としてトリエトキシシラン0.116gとを、トルエン1gに溶解させ、触媒溶液を反応容器に投入した。70℃で3時間攪拌重合させた後、樹脂溶液をメタノール中に投入しノルボルネン系樹脂を析出させた。固形分を濾過後、減圧乾燥し溶剤を除きポリマーDを得た。
(Example 5)
It carried out like Example 4 except having used the following as norbornene-type resin.
An addition copolymer of 5-methyl-2-norbornene / (2-norbornene-5-yl) methyl acrylate (90/10) monomer (polymer D, Mw = 200,000) was used as the norbornene resin. Polymer D was synthesized by the following method.
[Synthesis of Polymer D]
In a reaction vessel in which the atmosphere of the polymerization system was sufficiently filled with an inert gas nitrogen, 16.23 g (0.15 mol) of 5-methyl-2-norbornene, 9.62 g of (2-norbornene-5-yl) methyl acrylate ( 0.05 mol) and 115 g of mesitylene as a polymerization solvent were charged. Next, transition metal catalyst [(acetyl) bis (triisopropylphosphine) (acetonitrile) palladium] [(acetyl) bis (triisopropylphosphine) (acetonitrile) palladium] 0.0193 g (1.60 × 10 −5 mol), Lewis 0.0256 g (3.20 × 10 −5 mol) of dimethylphenylammonium tetrakis (perfluorophenyl) borate as an acid and 0.116 g of triethoxysilane as a molecular weight regulator are dissolved in 1 g of toluene, and the catalyst solution is dissolved in a reaction vessel. It was thrown into. After stirring and polymerizing at 70 ° C. for 3 hours, the resin solution was put into methanol to precipitate a norbornene resin. After filtering the solid content, the polymer D was obtained by drying under reduced pressure to remove the solvent.

(実施例6)
シリカの含有量を75重量%にした以外は、実施例5と同じにした。
(Example 6)
The same as Example 5 except that the content of silica was 75% by weight.

(実施例7)
シリカの表面処理剤として以下のメタクリルシラン化合物を用いた以外は、実施例6と同じにした。
メタクリルシラン化合物として、3−メタクロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−503)を用いた。
(Example 7)
Example 6 was the same as Example 6 except that the following methacrylsilane compound was used as the surface treatment agent for silica.
As the methacrylic silane compound, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-503) was used.

(実施例8)
シリカの表面処理剤として以下のノルボルネン系シラン化合物を用いた以外は、実施例6と同じにした。
メタクリルシラン化合物として、(5−ノルボルネン−2−イル)エチルトリメトキシシラン(プロメラスLLC社製)を用いた。
(Example 8)
Example 6 was the same as Example 6 except that the following norbornene-based silane compound was used as the silica surface treatment agent.
(5-Norbornen-2-yl) ethyltrimethoxysilane (Promerus LLC) was used as the methacrylsilane compound.

(比較例1)
ノルボルネン系樹脂として、架橋可能な基を持たない2−ノルボルネンの付加重合体(ポリマーE)を用いた以外は、実施例6と同じにした。なお、ポリマーEは、下記の方法で合成した。
[ポリマーEの合成]
重合系の雰囲気を不活性ガスの窒素で十分に満たした反応容器中に、2−ノルボルネン18.8g(0.20mol)、重合溶剤としてエチルアセテート170g、シクロヘキサン147g(0.53M)を仕込んだ。次いで、遷移金属触媒(η6−トルエンニッケルビス(ペンタフルオロフェニル)1.39g(2.86×10-3mol)をトルエン10gに溶解させた触媒溶液を反応容器に投入した。室温で4時間攪拌重合させた後、氷酢酸94ml、30%過酸化水素水174ml、純水600mlの混合液に前記重合溶液を投入し、2時間攪拌した。水層の遷移金属触媒と樹脂溶液の有機層とに分離した溶液の水層を除去した。更に有機層を数回純水で洗浄した、そして、樹脂溶液をメタノール中に投入しノルボルネン系樹脂を析出させた。固形分を濾過後、減圧乾燥し溶剤を除きポリマーEを得た。
(Comparative Example 1)
The same procedure as in Example 6 was used except that an addition polymer (polymer E) of 2-norbornene having no crosslinkable group was used as the norbornene-based resin. Polymer E was synthesized by the following method.
[Synthesis of Polymer E]
In a reaction vessel in which the atmosphere of the polymerization system was sufficiently filled with an inert gas nitrogen, 18.8 g (0.20 mol) of 2-norbornene, 170 g of ethyl acetate and 147 g of cyclohexane (0.53 M) as polymerization solvents were charged. Subsequently, a catalyst solution in which 1.39 g (2.86 × 10 −3 mol) of a transition metal catalyst (η 6 -toluene nickel bis (pentafluorophenyl)) was dissolved in 10 g of toluene was charged into the reaction vessel at room temperature for 4 hours. After stirring and polymerizing, the polymerization solution was put into a mixed solution of 94 ml of glacial acetic acid, 174 ml of 30% hydrogen peroxide water and 600 ml of pure water, and stirred for 2 hours. The organic layer was washed several times with pure water, and the resin solution was poured into methanol to precipitate a norbornene-based resin, which was filtered and dried under reduced pressure. Polymer E was obtained by removing the solvent.

(比較例2)
ノルボルネン系樹脂およびシリカの表面処理剤として以下のものを用いた以外は実施例6と同じにした。
ノルボルネン系樹脂として、テトラシクロ[4. 4. 0.12, 5.17, 10]ドデセンを公知の方法にて開環重合、水素添加した後、エポキシ変性したもの(ポリマーF、Mw=85000)を用いた。なお、ポリマーAは、下記の方法で合成した。シリカの表面処理剤として、β−(3、4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(信越化学工業社製、KBM−303)
[ポリマーFの合成]
重合系の雰囲気を不活性ガスの窒素で十分に満たした反応容器に、テトラシクロ[4. 4. 0.12, 5.17, 10]ドデセン100部、トルエン300部、1−ヘキセン13部を加え、攪拌しながら80℃に加熱した。パラアルデヒドの0.1mol/Lのトルエン溶液0.9部、ジエチルアルミニウムクロリドの0.5mol/Lのトルエン溶液1.5部、ヘキサクロロタングステンの0.05mol/Lのクロロベンゼン溶液1部を加え、80℃で3時間反応させた。重合終了後、重合溶液を大量のメタノール中に滴下してポリマーを析出沈殿させ、濾別分離後真空乾燥を行なった。このポリマー100部をテトラヒドロフラン2000部に溶解して、パラジウム触媒(活性炭担時触媒)を加え、オートクレーブ中で水素ガス圧150kg/cm2、反応温度150℃で4時間加熱して水素添加反応を行なった。反応終了後、触媒を濾別し大量のメタノール中で析出させて回収した。得られた開環水素添加重合体50部をキシレン1000部に130℃で溶解させた。続いて、アリルグリシジルエーテル10部、2,5−ジメチル−2,5(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3を5部加えて230℃で溶融混錬することによって、エポキシ変性を得た。(Mw=85000)
(Comparative Example 2)
Example 6 was the same as Example 6 except that the following were used as the surface treatment agents for norbornene resin and silica.
As norbornene resin, tetracyclo [4.4.2 0.1 2, 5.1 7, 10] ring-opening polymerization by a known method dodecene, was hydrogenated, those epoxy-modified (polymer F, Mw = 85000 ) Was used. Polymer A was synthesized by the following method. As a surface treating agent for silica, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-303)
[Synthesis of Polymer F]
Add 100 parts of tetracyclo [4.4.0.12, 5.17, 10] dodecene, 300 parts of toluene and 13 parts of 1-hexene to a reaction vessel sufficiently filled with an inert gas nitrogen. While heating to 80 ° C. Add 0.9 parts of 0.1 mol / L toluene solution of paraaldehyde, 1.5 parts of 0.5 mol / L toluene solution of diethylaluminum chloride, and 1 part of 0.05 mol / L chlorobenzene solution of hexachlorotungsten. The reaction was carried out at 0 ° C. for 3 hours. After the completion of the polymerization, the polymerization solution was dropped into a large amount of methanol to precipitate a polymer, separated by filtration and vacuum dried. 100 parts of this polymer is dissolved in 2000 parts of tetrahydrofuran, palladium catalyst (activated carbon catalyst) is added, and hydrogenation reaction is performed by heating in an autoclave at a hydrogen gas pressure of 150 kg / cm 2 and a reaction temperature of 150 ° C. for 4 hours. It was. After completion of the reaction, the catalyst was filtered off and precipitated in a large amount of methanol and recovered. 50 parts of the resulting ring-opening hydrogenated polymer was dissolved in 1000 parts of xylene at 130 ° C. Subsequently, 10 parts of allyl glycidyl ether and 5 parts of 2,5-dimethyl-2,5 (t-butylperoxy) hexyne-3 were added and melt-kneaded at 230 ° C. to obtain an epoxy modification. (Mw = 85000)

次に、上記で得た積層体(キャリアフィルム付き樹脂層)を用いて、配線板の実施例および比較例について説明する。
(実施例1A)
1.内層回路および絶縁層の形成
総厚さが0.3mmで銅箔厚さが12μmの両面銅張り積層板(住友ベークライト(株)製ELC−4781)を用いて、ドリル機で開孔後、無電解めっきで上下銅箔間の導通を図り、前記両面の銅箔をエッチングすることにより内層導体回路を両面に形成した。
次に内層導体回路に過酸化水素水と硫酸を主成分とする薬液(旭電化工業(株)製テックSO−G)をスプレー吹きつけすることにより粗化処理による凹凸形成を行い、実施例1で得られた樹脂溶液をスピンコーティングで塗布し、80℃で10分、140℃で10分乾燥させた後、200℃で60分間のベーキング処理を行い、絶縁層を形成した。
Next, examples of the wiring boards and comparative examples will be described using the laminate (resin layer with a carrier film) obtained above.
Example 1A
1. Formation of inner layer circuit and insulating layer After opening with a drilling machine using a double-sided copper-clad laminate (ELC-4781 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) having a total thickness of 0.3 mm and a copper foil thickness of 12 μm, Conduction between the upper and lower copper foils was achieved by electrolytic plating, and the inner layer conductor circuits were formed on both sides by etching the copper foils on both sides.
Next, the inner layer conductor circuit is sprayed with a chemical solution mainly composed of hydrogen peroxide solution and sulfuric acid (Tech SO-G manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) to form irregularities by roughening treatment. Example 1 The resin solution obtained in (1) was applied by spin coating, dried at 80 ° C. for 10 minutes and 140 ° C. for 10 minutes, and then baked at 200 ° C. for 60 minutes to form an insulating layer.

2.レーザー加工および外層回路の形成
次に、UV−YAGレーザー装置(三菱電機(株)製ML605LDX)を用いてφ40μmの開口部(ブラインド・ヴィアホール)を形成し、デスミア処理(日本マクダーミッド(株)製マキュダイザーシリーズ)を施した後、無電解銅めっき(上村工業(株)製スルカップPRX)を15分間行い、厚さ0.5μmの給電層を形成した。次に、この給電層表面に、厚さ25μmの紫外線感光性ドライフィルム(旭化成(株)製AQ−2558)をホットロールラミネーターにより貼り合わせ、最小線幅/線間が20/20μmのパターンが描画されたクロム蒸着マスク((株)トウワプロセス製)を使用して、位置合わせ、露光装置(ウシオ電機(株)製UX−1100SM−AJN01)により露光した。炭酸ソーダ水溶液にて現像し、めっきレジストを形成した。
2. Laser processing and formation of outer layer circuit Next, an opening (blind via hole) with a diameter of 40 μm is formed using a UV-YAG laser device (ML605LDX manufactured by Mitsubishi Electric Corporation), and desmear treatment (manufactured by Nihon McDermid Co., Ltd.) After applying the Macudizer series, electroless copper plating (Sulcup PRX manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) was performed for 15 minutes to form a power feeding layer having a thickness of 0.5 μm. Next, an ultraviolet photosensitive dry film (AQ-2558 manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) having a thickness of 25 μm is pasted on the surface of the power supply layer by a hot roll laminator, and a pattern having a minimum line width / line spacing of 20/20 μm is drawn. Using the chrome vapor deposition mask (made by Towa Process Co., Ltd.), alignment and exposure were performed using an exposure apparatus (UX-1100SM-AJN01 made by Ushio Electric Co., Ltd.). Development was performed with a sodium carbonate aqueous solution to form a plating resist.

次に、給電層を電極として電解銅めっき(奥野製薬(株)81−HL)を3A/dm2、30分間行って、厚さ約20μmの銅配線を形成した。ここで2段階剥離機を用いて、前記めっきレジストを剥離した。各薬液は、1段階目のアルカリ水溶液層にはモノエタノールアミン溶液(三菱瓦斯化学(株)製R−100)、2段階目の酸化性樹脂エッチング剤には過マンガン酸カリウムと水酸化ナトリウムを主成分とする水溶液(日本マクダーミッド(株)製マキュダイザー9275、9276)、中和には酸性アミン水溶液(日本マクダーミッド(株)製マキュダイザー9279)をそれぞれ用いた。 Next, electrolytic copper plating (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. 81-HL) was performed at 3 A / dm 2 for 30 minutes using the power feeding layer as an electrode to form a copper wiring having a thickness of about 20 μm. Here, the plating resist was peeled off using a two-stage peeling machine. Each chemical solution consists of a monoethanolamine solution (R-100 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) for the first-stage alkaline aqueous solution layer, and potassium permanganate and sodium hydroxide for the second-stage oxidizing resin etchant. An aqueous solution (Mc. Dither 9275, 9276 manufactured by Nippon McDermid Co., Ltd.) as the main component and an acidic amine aqueous solution (Mc. Dicer 9279 manufactured by Nippon McDermid Co., Ltd.) were used for neutralization.

次に、給電層を過硫酸アンモニウム水溶液(メルテックス(株)製AD−485)に浸漬処理することで、エッチング除去し、配線間の絶縁を確保した。最後に、回路表面にドライフィルムタイプのソルダーレジスト(住友ベークライト(株)製CFP−1121)を真空ラミネーターにて回路埋め込みを行いながら形成し、最終的に配線板を得た。   Next, the power feeding layer was immersed in an aqueous ammonium persulfate solution (AD-485 manufactured by Meltex Co., Ltd.) to remove it by etching and ensure insulation between the wirings. Finally, a dry film type solder resist (CFP-1121 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was formed on the circuit surface while embedding the circuit with a vacuum laminator, and finally a wiring board was obtained.

(実施例2A〜8A)
実施例1で得られた樹脂溶液に替えて、実施例2〜4で得た樹脂溶液を用いて、実施例1Aと同様にしてそれぞれ配線板を得た。
(Examples 2A to 8A)
Instead of the resin solution obtained in Example 1, wiring boards were obtained in the same manner as in Example 1A, using the resin solutions obtained in Examples 2-4.

(比較例1A〜2A)
実施例1で得られた積層体に替えて、比較例1〜2で得た樹脂溶液を用いて、実施例1Aと同様にしてそれぞれ配線板を得た。
(Comparative Examples 1A to 2A)
A wiring board was obtained in the same manner as in Example 1A using the resin solutions obtained in Comparative Examples 1 and 2 instead of the laminate obtained in Example 1.

各実施例および比較例により得られた配線板について、次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。結果を表1に示す。   The following evaluation was performed about the wiring board obtained by each Example and the comparative example. The evaluation items are shown together with the contents. The results are shown in Table 1.

(1)接続信頼性
接続信頼性は、温度30℃、湿度70%の雰囲気下で196時間放置後260℃リフローを3回行い、温度サイクル試験(−40℃、125℃各30分、さらしなし)を行ない、100サイクル毎に導通テストして、不良発生サイクルで評価した。
各符号は以下の通りである。
◎:800サイクル以上
○:500〜800サイクル
△:100〜500サイクル
×:100サイクル未満
(1) Connection reliability Connection reliability was determined by leaving the sample at -30 hours at 30 ° C and 70% humidity for 196 hours followed by 3 reflows at 260 ° C and a temperature cycle test (-40 ° C, 125 ° C for 30 minutes, no exposure) ), And a continuity test was conducted every 100 cycles, and evaluation was made on the failure occurrence cycle.
Each code is as follows.
◎: 800 cycles or more ○: 500 to 800 cycles Δ: 100 to 500 cycles ×: less than 100 cycles

(2)絶縁信頼性試験(PCBT)
絶縁信頼性は、温度100℃、湿度85%の雰囲気下で電圧DC5V、配線ピッチ20μm(L/S=20/20)パターンの基板を用いて、100時間放置後の導体間の絶縁抵抗値をデジタル絶縁抵抗値で評価した。各符号は以下の通りである。
◎:絶縁抵抗値1010Ω以上
○:絶縁抵抗値108〜109Ω
△:絶縁抵抗値107〜108Ω
×:絶縁抵抗値107未満
(2) Insulation reliability test (PCBT)
The insulation reliability is the insulation resistance value between conductors after being left for 100 hours using a substrate with a voltage of DC 5 V and a wiring pitch of 20 μm (L / S = 20/20) in an atmosphere of a temperature of 100 ° C. and a humidity of 85%. The digital insulation resistance value was evaluated. Each code is as follows.
◎: Insulation resistance value 10 10 Ω or more ○: Insulation resistance value 10 8 to 10 9 Ω
Δ: Insulation resistance value 10 7 to 10 8 Ω
×: less than the insulation resistance of 10 7

Figure 2007103683
Figure 2007103683

表1から明らかなように、実施例1〜8は、誘電率、−50〜150℃の熱膨張率、ガラス転移温度に優れていた。また、実施例1および3〜5は、特に誘電率に優れていることが示された。また、実施例2及び6〜8は、特に熱膨張率に優れていることが示された。これに対して、比較例2は、−50〜150℃の熱膨張率に劣っていた。また、比較例2は、ガラス転移温度が著しく低く劣っていた。
更に、表1から明らかなように、実施例1A〜8Aは、接続信頼性および絶縁信頼性に優れていた。特に実施例2及び6〜8は接続信頼性および絶縁信頼性共に非常に優れていた。これは−50〜150℃の熱膨張率が優れていたことに起因するものである。
これに対して、比較例1A〜2Aは、接続信頼性および絶縁信頼性に劣っていた。比較例1Aは、架橋可能な基がなくシリカとの密着性が低下し機械強度が大きく劣っていたため、比較例2Aは、−50〜150℃の熱膨張率及びガラス転移温度が大きく劣っていたため接続信頼性および絶縁信頼性共に大きく劣る結果となった。
As apparent from Table 1, Examples 1 to 8 were excellent in dielectric constant, coefficient of thermal expansion of −50 to 150 ° C., and glass transition temperature. Moreover, it was shown that Examples 1 and 3-5 are particularly excellent in dielectric constant. Moreover, it was shown that Example 2 and 6-8 are excellent in especially a thermal expansion coefficient. On the other hand, the comparative example 2 was inferior in the thermal expansion coefficient of -50-150 degreeC. In Comparative Example 2, the glass transition temperature was extremely low and inferior.
Furthermore, as is clear from Table 1, Examples 1A to 8A were excellent in connection reliability and insulation reliability. In particular, Examples 2 and 6 to 8 were very excellent in connection reliability and insulation reliability. This is due to the excellent thermal expansion coefficient of -50 to 150 ° C.
On the other hand, Comparative Examples 1A to 2A were inferior in connection reliability and insulation reliability. Since Comparative Example 1A had no crosslinkable group and its adhesion to silica was reduced and mechanical strength was greatly inferior, Comparative Example 2A was inferior in thermal expansion coefficient and glass transition temperature of −50 to 150 ° C. Both connection reliability and insulation reliability were greatly inferior.

本発明によれば、絶縁層として必要な高信頼性と加工性を合わせ持った樹脂組成物を得ることができるので、電気特性や、微細加工を必要とする半導体搭載用基板などの絶縁材として用いることができる。また、これにより、電気特性、特に誘電特性に優れた配線板が得られるので、部品の小型化や信号の高速伝送性が要求される電子機器用の多層配線板などに適用できる。   According to the present invention, since it is possible to obtain a resin composition having both high reliability and workability required for an insulating layer, as an insulating material such as a semiconductor mounting substrate that requires electrical characteristics and fine processing. Can be used. In addition, this makes it possible to obtain a wiring board having excellent electrical characteristics, particularly dielectric characteristics, and thus can be applied to multilayer wiring boards for electronic devices that require miniaturization of parts and high-speed signal transmission.

本発明の積層体の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the laminated body of this invention. 本発明の配線板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the wiring board of this invention. 本発明の配線板の製造方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing method of the wiring board of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 積層体
2 キャリアフィルム
3 樹脂層
5 コア基板
10 配線板
31 樹脂層の開口部
32 導体回路
51 コア基板の開口部
52 導体回路
101 導体回路
102 開口部
103 コア基板
104 樹脂層
105 開口部
106 導体回路
107 導体ポスト
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laminated body 2 Carrier film 3 Resin layer 5 Core board 10 Wiring board 31 Opening part of resin layer 32 Conductor circuit 51 Opening part of core board 52 Conductor circuit 101 Conductor circuit 102 Opening part 103 Core substrate 104 Resin layer 105 Opening part 106 Conductor Circuit 107 Conductor post

Claims (18)

配線板の絶縁層を構成する樹脂組成物であって、
(A)環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、及びアルコキシシリル基からなる群から選択される少なくとも1種類の架橋可能な基を有する下記式(1)に表される付加型ノルボルネン系樹脂、(B)平均粒径2μm以下の球状シリカを必須成分とし、−50〜150℃の熱膨張率が60ppm以下であることを特徴とするノルボルネン系樹脂組成物。
Figure 2007103683
[式(1)中のXは、−CH2−、−CH2CH2−、または−O−を示し、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立して水素原子、炭化水素基、炭素数1〜12の極性基を示し、または該極性基を含む基を示す。R1、R2、R3およびR4は、少なくとも1つが炭素数1〜12の環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、又はアルコキシシリル基を含む基である。nは0から2の整数を示し、その繰り返しは異なっていても良い。]
A resin composition constituting an insulating layer of a wiring board,
(A) Addition-type norbornene represented by the following formula (1) having at least one crosslinkable group selected from the group consisting of a cyclic ether group, an organic group having a reactive double bond, and an alkoxysilyl group A norbornene-based resin composition, characterized in that an essential resin is (B) spherical silica having an average particle size of 2 μm or less, and the coefficient of thermal expansion at −50 to 150 ° C. is 60 ppm or less.
Figure 2007103683
[X in the formula (1) may, -CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, or -O- and shown, R 1, R 2, R3 , R 4 are each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group Represents a polar group having 1 to 12 carbon atoms, or represents a group containing the polar group. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are groups each including at least one of a cyclic ether group having 1 to 12 carbon atoms, an organic group having a reactive double bond, or an alkoxysilyl group. n represents an integer of 0 to 2, and the repetition may be different. ]
前記付加型ノルボルネン系樹脂は、下記一般式(2)で表されるノルボルネン系モノマーの付加重合体を含むものである請求項1に記載の樹脂組成物。
Figure 2007103683
[式(2)中のXは、−CH2−、−CH2CH2−、または−O−を示し、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立して、水素原子、炭化水素基、炭素数1〜12の極性基または該極性基を含む基を示す。R1、R2、R3およびR4は、少なくとも1つが炭素数1〜12の環状エーテル基、反応性二重結合を有する有機基、又はアルコキシシリル基を含む基である。nは0から2の整数を示す。]
The resin composition according to claim 1, wherein the addition-type norbornene-based resin includes an addition polymer of a norbornene-based monomer represented by the following general formula (2).
Figure 2007103683
Expression (2) X in the, -CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, or -O- and shown, R 1, R 2, R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, A hydrocarbon group, a polar group having 1 to 12 carbon atoms or a group containing the polar group is shown. R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are groups each including at least one of a cyclic ether group having 1 to 12 carbon atoms, an organic group having a reactive double bond, or an alkoxysilyl group. n represents an integer of 0 to 2. ]
前記球状シリカは、50重量%以上である請求項1または2に記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The norbornene-based resin composition according to claim 1 or 2, wherein the spherical silica is 50% by weight or more. 前記球状シリカは、予め表面処理されたものである請求項1ないし3のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The norbornene-based resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the spherical silica is surface-treated in advance. 前記球状シリカを予め表面処理する表面処理剤が、官能基含有シラン類、環状オリゴシロキサン類、オルガノハロシラン類、オルガノアルコキシシラン類、アルキルシラザン類およびシロキサン結合の繰り返し単位を2個以上、かつアルコキシ基を有するシリコーンオイル類からなる群から選ばれる少なくとも1種類の化合物である請求項1ないし4のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The surface treatment agent for pre-treating the spherical silica is a functional group-containing silane, cyclic oligosiloxane, organohalosilane, organoalkoxysilane, alkylsilazane, and two or more repeating units of siloxane bond and alkoxy. The norbornene-based resin composition according to any one of claims 1 to 4, which is at least one compound selected from the group consisting of silicone oils having a group. 前記官能基含有シラン類が、エポキシシラン、(メタ)アクリルシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、ビニルシラン、イソシアネートシラン、ウレイドシラン、(5−ノルボルネン−2−イル)アルキルシランおよびフェニルシランからなる群から選ばれるものである請求項5に記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The functional group-containing silane is selected from the group consisting of epoxy silane, (meth) acryl silane, mercapto silane, amino silane, vinyl silane, isocyanate silane, ureido silane, (5-norbornen-2-yl) alkyl silane and phenyl silane. The norbornene-based resin composition according to claim 5, which is a product. オルガノハロシラン類が、トリメチルクロロシラン、ジメチルジクロロシランおよびメチルトリクロロシランからなる群から選ばれるものである請求項5に記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The norbornene-based resin composition according to claim 5, wherein the organohalosilane is selected from the group consisting of trimethylchlorosilane, dimethyldichlorosilane, and methyltrichlorosilane. 前記アルキルシラザン類がヘキサメチルジシラザン、1,3−ジビニル−1,1,3,3,−テトラメチルジシラザン、オクタメチルトリシラザンおよびへキサメチルシクロトリシラザンからなる群から選ばれるものである請求項5に記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The alkylsilazanes are selected from the group consisting of hexamethyldisilazane, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, octamethyltrisilazane and hexamethylcyclotrisilazane. The norbornene-based resin composition according to claim 5. 環状エーテル基は、オキシラン、またはオキセタンである請求項1ないし8のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The norbornene-based resin composition according to any one of claims 1 to 8, wherein the cyclic ether group is oxirane or oxetane. 反応性二重結合を有する有機基は、ビニル基、アリル基、アクリロイル基およびメタクリロイル基からなる群から選ばれるものである請求項1ないし9のいずれかに記載のノルボルネン系樹脂組成物。 The norbornene-based resin composition according to any one of claims 1 to 9, wherein the organic group having a reactive double bond is selected from the group consisting of a vinyl group, an allyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group. 配線板に用いる積層体であって、請求項1ないし10のいずれかに記載の樹脂組成物より構成される樹脂層と、キャリアフィルムとを積層してなることを特徴とする積層体。 It is a laminated body used for a wiring board, Comprising: The laminated body formed by laminating | stacking the resin layer comprised from the resin composition in any one of Claim 1 thru | or 10, and a carrier film. 請求項1ないし10のいずれかに記載の樹脂組成物を用いて絶縁層を形成する工程と、回路層を形成する工程と、前記絶縁層をレーザー照射により開孔する工程とを含む配線板の製造方法。 A wiring board comprising a step of forming an insulating layer using the resin composition according to any one of claims 1 to 10, a step of forming a circuit layer, and a step of opening the insulating layer by laser irradiation. Production method. 前記絶縁層を形成する工程は、前記樹脂組成物を塗布して形成するものである請求項12に記載の配線板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 12, wherein the step of forming the insulating layer is performed by applying the resin composition. 前記絶縁層を形成する工程は、前記樹脂組成物を用いて得られたフィルムをラミネートして形成するものである請求項12または13に記載の配線板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 12 or 13, wherein the step of forming the insulating layer is formed by laminating a film obtained using the resin composition. 前記絶縁層を形成する工程におけるフィルムは、金属層付きフィルムである請求項14に記載の配線板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 14, wherein the film in the step of forming the insulating layer is a film with a metal layer. 前記絶縁層を加熱硬化する工程を含む請求項12ないし15のいずれかに記載の配線板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 12, comprising a step of heat-curing the insulating layer. 請求項12ないし16のいずれかに記載の配線板の製造方法により得られる配線板。 The wiring board obtained by the manufacturing method of the wiring board in any one of Claim 12 thru | or 16. 請求項11に記載の積層体を用いて形成された樹脂層を有することを特徴とする配線板。 A wiring board comprising a resin layer formed using the laminate according to claim 11.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181916A (en) * 2010-02-05 2011-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, high frequency circuit board using the same, and antenna module
KR20160058962A (en) * 2013-11-29 2016-05-25 후지필름 가부시키가이샤 Pattern forming method, surface treatment agent used therefor, method for manufacturing electronic device, and electronic device
WO2019142570A1 (en) * 2018-01-17 2019-07-25 京セラ株式会社 Organic insulator, metal-clad laminate sheet, and wiring board

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06172423A (en) * 1992-12-10 1994-06-21 Idemitsu Kosan Co Ltd Modified copolymer and its production
JP2001323169A (en) * 2000-05-15 2001-11-20 Kyowa Chem Ind Co Ltd Material for laminate plate, resin composition for electric and electronic instruments and molded item thereof
JP2003238624A (en) * 2002-02-21 2003-08-27 Jsr Corp Cyclic olefin (co)polymer, its composition and crosslinked material thereof
JP2004277726A (en) * 2003-02-27 2004-10-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition and method for manufacturing the same
JP2004339262A (en) * 2003-05-13 2004-12-02 Nitto Denko Corp Ultraviolet-curing epoxy resin composition and preparation method therefor
JP2005187547A (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, resin-coated carrier material, and multilayer printed wiring board

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06172423A (en) * 1992-12-10 1994-06-21 Idemitsu Kosan Co Ltd Modified copolymer and its production
JP2001323169A (en) * 2000-05-15 2001-11-20 Kyowa Chem Ind Co Ltd Material for laminate plate, resin composition for electric and electronic instruments and molded item thereof
JP2003238624A (en) * 2002-02-21 2003-08-27 Jsr Corp Cyclic olefin (co)polymer, its composition and crosslinked material thereof
JP2004277726A (en) * 2003-02-27 2004-10-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition and method for manufacturing the same
JP2004339262A (en) * 2003-05-13 2004-12-02 Nitto Denko Corp Ultraviolet-curing epoxy resin composition and preparation method therefor
JP2005187547A (en) * 2003-12-24 2005-07-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, resin-coated carrier material, and multilayer printed wiring board

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181916A (en) * 2010-02-05 2011-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, high frequency circuit board using the same, and antenna module
KR20160058962A (en) * 2013-11-29 2016-05-25 후지필름 가부시키가이샤 Pattern forming method, surface treatment agent used therefor, method for manufacturing electronic device, and electronic device
KR101662097B1 (en) 2013-11-29 2016-10-04 후지필름 가부시키가이샤 Pattern forming method, surface treatment agent used therefor, method for manufacturing electronic device, and electronic device
WO2019142570A1 (en) * 2018-01-17 2019-07-25 京セラ株式会社 Organic insulator, metal-clad laminate sheet, and wiring board
JPWO2019142570A1 (en) * 2018-01-17 2021-01-28 京セラ株式会社 Organic insulators, metal-clad laminates and wiring boards
JP7181231B2 (en) 2018-01-17 2022-11-30 京セラ株式会社 Organic insulators, metal-clad laminates and wiring boards

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