JP2007103598A - 半導体装置とその検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 高感度且つ高速で電気的不良を検出することができるパターンを有する半導体装置とその検査方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置は、平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線1と、第1の配線11に対して入れ子状に配置され且つ平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第2の配線12とを有する基本配線パターンを具備し、第1の配線11と第2の配線12とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とする。第2の配線として、第1の配線11の平行な櫛歯状導体の間に配置された直線状の導体としてもよい。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体装置は、平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線1と、第1の配線11に対して入れ子状に配置され且つ平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第2の配線12とを有する基本配線パターンを具備し、第1の配線11と第2の配線12とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とする。第2の配線として、第1の配線11の平行な櫛歯状導体の間に配置された直線状の導体としてもよい。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)、フラッシュ・メモリ、ロジックLSIなど各種の大規模集積回路(LSI)に関するもので、特に、LSIにおいて発生する配線ショート不良、配線オープン不良、コンタクト部オープン不良などの電気的不良を高い感度と短い検査時間で検出することができる構造の半導体装置及びそのための検査手法に関する。
従来から、半導体装置の配線に生じる電気的不良を検出するための種々の提案がなされている。その一例が特許文献1に記載された電位コントラスト法であり、これを第21図により説明する。図21において、半導体装置は基板Sの上にX方向に延びる複数本の配線1a〜1k、2a〜2kが互いに平行にY方向に配列された構造を有している。図に示すように、これらの交互に並ぶ配線のうち、第1の組の配線1a〜1kと第2の組の配線2a〜2kとはX方向において異なる位置に配置され、すなわち、第2の組の配線2a〜2kの方が図で下側に突き出し、その突き出した端部どおしが所定の電位が与えられた給電用の一本の配線3に接続される。一方、第1の組の配線1a〜1kはそれぞれフローティング電位にある。
こうした構造の半導体装置に対して電子ビームを照射しながら、半導体装置と電子ビームを相対的にY方向に移動させて半導体装置をスキャンさせると、電気的不良が生じていないときには、第2の組の配線2a〜2kの電位は予め与えられた所定の電位に固定されていて変化しない。一方、フローティング状態の第1の組の配線1a〜1kの電位は、「照射で得た電子量」−「放出された2次電子量」に相当する分だけ変動するため、第1の組の配線1a〜1kから放出される二次電子の量は第2の組の配線2a〜2kから放出される電子の量とは相違する。したがって、こうした放出二次電子量の変化(すなわち差)を検出することにより、フローティング電位にある配線を固定電位にある配線と分離抽出することができる。これを電位コントラスト法(VC法)と呼ぶ。
そこで、フローティング電位にある第1の組の配線のうちの一つの配線、例えば配線1dが、その隣接する固定電位にある配線2cとショートすると、そのフローティング電位の配線1dの電位は固定電位となる。したがって、上記のように電子ビームでスキャンすると、配線1dから放出される二次電子の量は、配線1dを挟む固定電位の配線2c、2dからの放出二次電子量と同じになる。これにより、配線1dを他のフローティング電位にある配線とは分離抽出することができ、どの配線が隣接の配線とショートしたかを検出することができる。
上で説明したところから理解されるように、図21に示す構造の半導体装置に対しては、電位コントラスト法はショートの発生を検出するために効果的である。しかし、ショートの発生を検出するには、1本おきに配置されたフローティング電位の配線の中で、隣接の固定電位の配線とのショートに起因して放出二次電子量が変化した部分を検出できる能力、すなわち、隣り合う配線から放出される二次電子の量の変化を判別できるだけの検出分解能が必要である。つまり、放出される二次電子の像を表示するとき、正常な半導体装置であれば、電位コントラストの高い部分と低い部分とが交互に並ぶため、表示装置には明、暗、明、暗、明、暗、・・・のように、明の部分と暗の部分との交互の繰り返しが表示される。これに対し、一部でショートが発生したときには、明暗の規則正しい繰り返しがくずれて、例えば、明、暗、暗、暗、明、暗、・・・のような不規則な変化が表示される。したがって、電位コントラスト法を有効に実施するには、少なくとも、明から暗、又は暗から明への変化を認識できる程度の検出分解能が必要となる。
しかしながら、半導体装置の配線のピッチは年々小さくなる一方であり、これに伴って、検出分解能もどんどん小さくならざるを得ない。その結果、電気的不良の検出スピードが年々遅くなるという問題がある。
本発明は上記の課題を解決するために提案されたものであり、本発明は、高感度且つ高速で電気的不良を検出することができるパターンを有する半導体装置とその検査方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、請求項1の発明は、
平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線と、
前記第1の配線に対して入れ子状に配置され且つ平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置、
を提供する。
平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線と、
前記第1の配線に対して入れ子状に配置され且つ平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項2の発明は、
平行な櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線と、
前記平行な櫛歯状導体の間に配置された直線状の第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置、
を提供する。
平行な櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線と、
前記平行な櫛歯状導体の間に配置された直線状の第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項3の発明は、
平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
平行な複数の櫛歯状導体を有し、前記第1の配線に対して入れ子状に配置された第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置、
を提供する。
平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
平行な複数の櫛歯状導体を有し、前記第1の配線に対して入れ子状に配置された第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項4の発明は、前記第1の配線を電気的に接地電位にし、前記第2の配線をフローティング電位としたことを特徴とする。
請求項5の発明は、
平行な櫛歯状導体を有するコの字状の配線を有する基本配線パターンを具備し、一方の前記櫛歯状導体の端部に所定の電位を与えることを特徴とし、配線オープンを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
平行な櫛歯状導体を有するコの字状の配線を有する基本配線パターンを具備し、一方の前記櫛歯状導体の端部に所定の電位を与えることを特徴とし、配線オープンを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項6の発明は、
ジグザグ状の配線を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、該配線を所定の電位に設定して配線オープンを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
ジグザグ状の配線を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、該配線を所定の電位に設定して配線オープンを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項7の発明は、
複数の平行な導体を有するジグザグ状の第1の配線と、
前記第1の配線に対して入れ子状に配置された櫛状の第2の配線であって、前記第1の配線の対向する導体の間に、前記第2の配線の櫛歯状導体を位置させてなる第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
複数の平行な導体を有するジグザグ状の第1の配線と、
前記第1の配線に対して入れ子状に配置された櫛状の第2の配線であって、前記第1の配線の対向する導体の間に、前記第2の配線の櫛歯状導体を位置させてなる第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項8の発明は、
平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
複数の平行な導体を有するジグザグ状の第2の配線であって、前記第1の配線の対向する櫛歯状導体の間に、少なくとも一対の前記導体を位置させてなる第2の配線と、
前記第1の配線の櫛歯状導体とは逆の方向に延び且つ前記第2の配線の対向する導体の間に位置する平行なる複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第3の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第2の配線を所定の電位とし、前記第1の配線と前記第3の配線とを前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
複数の平行な導体を有するジグザグ状の第2の配線であって、前記第1の配線の対向する櫛歯状導体の間に、少なくとも一対の前記導体を位置させてなる第2の配線と、
前記第1の配線の櫛歯状導体とは逆の方向に延び且つ前記第2の配線の対向する導体の間に位置する平行なる複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第3の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第2の配線を所定の電位とし、前記第1の配線と前記第3の配線とを前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項9の発明は、
平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
前記櫛歯状導体に対して交互に配置された複数の直線状の導体の隣り合う少なくとも2本の導体の間を接続した第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線を所定の電位とし、前記第2の配線を前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
前記櫛歯状導体に対して交互に配置された複数の直線状の導体の隣り合う少なくとも2本の導体の間を接続した第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線を所定の電位とし、前記第2の配線を前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項10の発明は、
平行な複数の導体を有するジグザグの第1の配線と、
複数のコの字状の導体を備える第2の配線であって、それぞれの前記コの字状の導体が、前記第1の配線の一対の対向する前記導体を、前記第1の配線の長さ方向に関して両側から挟むよう配置されてなる第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線を所定の電位とし、前記第2の配線を前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
平行な複数の導体を有するジグザグの第1の配線と、
複数のコの字状の導体を備える第2の配線であって、それぞれの前記コの字状の導体が、前記第1の配線の一対の対向する前記導体を、前記第1の配線の長さ方向に関して両側から挟むよう配置されてなる第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線を所定の電位とし、前記第2の配線を前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項11の発明は、
第1の層に形成された2つの隣り合う導体の対向する端部間が、コンタクト及び第2層に形成された導体を介して相互接続される構造のビアチェーンを1個以上有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、該ビアチェーンを所定の電位としてビアの導通不良を検出可能とした半導体装置、
を提供する。
第1の層に形成された2つの隣り合う導体の対向する端部間が、コンタクト及び第2層に形成された導体を介して相互接続される構造のビアチェーンを1個以上有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、該ビアチェーンを所定の電位としてビアの導通不良を検出可能とした半導体装置、
を提供する。
請求項12の発明は、前記ビアチェーンをジグザグ状の線を形成するよう配置した基本配線パターンを備えることを特徴とする。
請求項13の発明は、複数個の前記ビアチェーンが直線上に配列されてなり、所定の電位に保持された少なくとも1つのレファレンス行を、前記配線パターンに隣接して設けたことを特徴とする。
請求項14の発明は、前記基本配線パターンがn行m列に配置された配線パターンを有することを特徴とする。
請求項15の発明は、
請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置を検査する際に使用する検査装置の最少ピクセル・サイズを配線ピッチとすることを特徴とする、半導体装置の検査方法、
を提供する。
請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置を検査する際に使用する検査装置の最少ピクセル・サイズを配線ピッチとすることを特徴とする、半導体装置の検査方法、
を提供する。
請求項16の発明は、
請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置を検査する際に使用する検査装置の最大ピクセル・サイズを、検査のための電子ビームのスキャン方向における基本配線パターンのサイズ又は該スキャン方向において基本配線パターンに現れる同一パターンのサイズとすることを特徴とする、半導体装置の検査方法、
を提供する。
請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置を検査する際に使用する検査装置の最大ピクセル・サイズを、検査のための電子ビームのスキャン方向における基本配線パターンのサイズ又は該スキャン方向において基本配線パターンに現れる同一パターンのサイズとすることを特徴とする、半導体装置の検査方法、
を提供する。
以下、本発明に係る半導体装置の実施の形態を図1〜図23に基づいて詳述する。全図を通じて、同一の参照数字は同じ又は同様の構成要素を指すものとする。また、以下に説明する各種の実施の形態は本発明の例示にすぎず、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
図1の(A)、(B)及び(C)は、本発明に係る半導体装置の第1の実施の形態における基本配線パターンと構造を概略的に示す図で、(A)及び(C)は平面図、(B)は線A−Aに沿う断面図である。(A)に示すように、半導体装置の基本配線パターンU1は、接地されたコの字型の第1の配線11と、該配線11と入れ子式に配置され且つ第1の配線11と対称的な構造のフローティング電位にある第2の配線12とから構成される。コの字状の第1の配線11及び第2の配線は例えば銅からなり、それぞれ、基部111、121と櫛歯状導体112、113、122、123を有する。
具体的には、(B)に示すように、第1の配線11及び第2の配線12はSiO2層13の上面に適宜の方法によって形成される。SiO2層13はSi基板14上に形成されており、Si基板14には、第1の配線11の基部111とコンタクト15を介して電気的に接続されるアクティブ領域16が形成されるとともに、アクティブ領域16の周囲にSTI(Shallow Trench Isolation)17が形成される。第2の配線12は他の要素と電気的に接続されない。これにより、第1の配線11は接地電位とされ、第2の配線12はフローティング電位とされる。
そこで、この基本配線パターンU1を電子ビームによってスキャンして各配線から放出される二次電子の量を表示すると、第2図の(A)に示す正常時には、照射する電子のエネルギーにもよるが、例えば、接地された第1の配線11は多くの二次電子を放出するために明るく表示されるが、フローティング電位にある第2の配線12は二次電子放出量が少ないために暗く表示される。これに対し、図2の(B)に示すように、例えば、フローティング電位にある櫛歯状導体122と接地電位にある櫛歯状導体113とが異物Xのためにショートすると、第1の配線11と第2の配線12とが接地電位となる。このため、この状態の基本配線パターンU1を電子ビームでスキャンすると、配線全体が多くの二次電子を放出することになり、表示装置には明るく表示される。
このように、図21に示す従来の構造では、ショートを起こした部分で配線1本分の電位コントラストが変わるだけであるのに対し、図1に示す第1の実施の形態においては、フローティング電位の配線を接地電位の配線と組み合わせた基本配線パターンU1を構成することにより、その基本配線パターンのどこかでショートが発生したときには、図2に示すように、その基本配線パターン内の配線は全て同電位となり、その基本配線パターンの全領域で電位コントラストが同じになる。したがって、この領域の電位コントラスト変化を検出するには、検出分解能が比較的大きくてよく、検査速度も早くなる。
なお、図1の(A)においては第2の配線12もコの字状になっているが、(C)に示すように、第2の配線を櫛歯状導体122、123と同じ長さの1本の配線12′のみを有するものとしても、同様の効果を奏することができる。
実際には、半導体装置においては、図3及び図4に示すように、第1の実施の形態における基本配線パターンU1が上下左右に多数配列される。すなわち、図3及び図4は、図1に示す基本配線パターンU1を1単位としてm行n列配置したものである。したがって、m行n列に配列された基本配線パターンのうち、いずれかの基本配線パターンでショートが発生すると、半導体装置を電子ビームでスキャンしたとき、そのショートを起こした基本配線パターンから放出される二次電子の量が他のユニットに比べて増し又は減るので、表示装置上では、その基本配線パターンは周囲の基本配線パターンに比べて明るく又は暗く表示されることになる。これによって、ショートの発生した基本配線パターンを特定することができる。
なお、図3においては、各基本配線パターンにおいて第1の配線11と第2の配線12とはそれぞれの櫛歯状導体どおしが距離L1だけ離れて配置されるように、且つ、隣り合う基本配線パターンどおしも距離L1だけ離れて配置されるように、全基本配線パターンが配列される。こうすると、各基本配線パターン内の配線間にショートが発生する確率と基本配線パターン間にショートが発生する確率とは同じになる。ただし、実際には、基本配線パターン間にショートが発生した場合、ショートが発生した位置とショートの発生が検出された基本配線パターンの位置とが微妙にずれるため、その後の分析に時間を要することもあり得る。
この問題を解決するため、図4においては、図3と同様に複数の基本配線パターンU1をm行n列に配列し、各基本配線パターンにおいて第1の配線11と第2の配線12とはそれぞれの櫛歯状導体どおしが距離L1だけ離れて配置されるが、隣り合う基本配線パターンは距離L1よりも大きい距離L2だけ離れて配置される。こうすると、基本配線パターン間に発生するショートの確率を減らすことができ、図3に示す配列における問題が軽減される。
ここで、図5及び図6を用いて、本発明の第1の実施の形態における基本配線パターンを検出するための検出分解能(すなわち、ピクセル・サイズ)の最小値と最大値について説明する。図5はピクセル・サイズの最小値を示しており、1個の基本配線パターンU1を検出するのに必要なピクセル・サイズ19は、基本配線パターンU1の配線ピッチ、つまり、図4の距離L1と配線幅との和と同程度である。これに対して、図6はピクセル・サイズの最大値を示しており、電子ビームによるスキャン方向に沿う基本配線パターン1個分のサイズとほぼ同じ値である。例えば、ピクセル・サイズを最大値とすると、図3又は図4に示すパターン配列の場合、前述のように電子ビームによってスキャンすると、放出二次電子量の変化に起因して、配線ショートが発生した基本配線パターン単位で表示装置上で明暗が変動するので、ピクセル・サイズを1個の基本配線パターンとほぼ同じサイズとしても、基本配線パターン間の電位コントラストを検出することが可能である。言うまでもなく、ピクセル・サイズを大きくすれば、一度に検査できる面積が増大するため、面積に反比例して検査時間が短縮される。
図7は、本発明に係る半導体装置の第2の実施の形態における基本配線パターンを概略的に示す図である。この実施の形態における基本配線パターンU2は、第1の実施の形態における基本配線パターンU1を大きくしたものと言える。すなわち、基本配線パターンU2は、3本以上の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線21及び第2の配線22を入れ子状に配置したものであり、それぞれの配線の櫛歯状導体は第1の実施の形態における櫛歯状導体よりも長く形成されている。したがって、いずれかの櫛歯状導体の間でショートが発生した場合、第1の実施の形態におけるよりも大きな電位コントラスト信号が得られるという利点がある。
図8の(A)及び(B)は、本発明に係る半導体装置の第3の実施の形態における基本配線パターンを概略的に示す図で、オープン不良を検出するための構造を示している。図8の(A)において、基本配線パターンU3は、一対の櫛歯状導体を有するコの字状の配線31のいずれか一方の櫛歯状導体の一端がコンタクト15を介して基板11のアクティブ領域16に接続したものであり、一方、図8の(B)においては、基本配線パターンU4は、ジクザグ状の配線32のいずれか一方の端部をコンタクト15を介して基板11のアクティブ領域16に接続したものである。
したがって、図8の(C)に示すように、配線32のどこかの個所Yでオープン不良が発生した場合、基本配線パターンU4を電子ビームでスキャンしたとき、そのオープンになった個所Yを境にして、放出される二次電子の量が異なる部分に分かれることになり、表示装置には明の部分と暗の部分とが表示されるので、大きな電位コントラスト信号を得ることができる。なお、図8の(A)に示す基本配線パターンU3についても、配線の途中にオープンが発生した場合、同様に、表示装置には明の部分と暗の部分とが表示されるので、大きな電位コントラスト信号を得られる。
以上、ショートとオープンの発生を検出するための基本配線パターンの配線構造について説明してきた。そこで、これらの配線構造を組み合わせることにより、ショートとオープンを検出するための配線構造を導き出すことができる。図9は、本発明に係る半導体装置の第4の実施の形態における基本配線パターンを概略的に示す図である。同図において、基本配線パターンU5は比較的大きな面積を持ち、ジグザグ状の第1の配線41と、Eの字状の第2の配線42とを入れ子状に配置し、第1の配線41の一端をコンタクト15を介してアクティブ領域16に接続した構造である。これにより、第1の配線41は接地電位とされ、第2の配線42はフローティング電位にある。
基本配線パターンU5においては、接地電位にある第1の配線41はオープン不良の検出に、フローティング電位にある第2の配線42はショート不良の検出に用いられる。すなわち、図9の(B)に示すように、基本配線パターンU5のいずれかの個所で第1の配線41と第2の配線42との間が異物Xによってショートされたとき、両配線41、42は共に接地電位になる結果、電子ビームによるスキャンの結果、基本配線パターンU5の像は全領域が明又は暗であるとして表示され、これによってショートの発生を検出することができる。また、図9の(C)に示すように、第1の配線41の個所Yにオープンが発生したときには、基本配線パターンU5が接地電位にある部分とフローティング電位にある部分とに分かれるので、電子ビームによるスキャンの結果、基本配線パターンU5の像は、接地電位にある部分とフローティング電位にある部分とに対応して明暗に分かれ、オープンの発生を検出することができる。この第4の実施の形態においては、正常時の基本配線パターンU5の像と比べて不良時での明暗に分かれた像が大きく相違するので、ショート及びオープンを容易に検出することができる。
なお、図9の(A)においては、第2の配線42の一対の櫛歯状導体の間に、第1の配線41の一対の櫛歯状導体が入る構造になっているが、第2の配線42の一対の櫛歯状導体の間に、第1の配線41の複数対の櫛歯状導体が入る構造としてもよい。
ところで、図9の実施の形態では、基本配線パターンU5の全ての配線のうち、第1の配線41における櫛歯状導体どうし、例えば櫛歯状導体411、412が対向する構造になっている。このため、この対向した櫛歯状導体間にショートが発生しても、それを検出することができないので、ショートの発生を検出するという観点からはスペース効率が悪い。
この欠点を改善したのが図10に示す第5の実施の形態であり、ショートを検出する効率を最大限に大きくしたことを特徴とする。図10において、基本配線パターンU6はオープン・ショート検出兼用で、基本配線パターンU6は、ジグザグ状の第1の配線51と、この第1の配線に対して入れ子状に配置されたEの字状の第2の配線52と、第1の配線51の対向する櫛歯状導体の間に入る櫛歯状導体を有する第3の配線53とからなる。これにより、図示のように、第1の配線51の対向する一対の櫛歯状導体の間に第2の配線又は第3の配線の櫛歯状導体が介在する。このため、基本配線パターンU5に比べて、基本配線パターンU6はショート検出の効率が高い。
なお、図7、図8の(A)及び(B)、図9の(A)並びに図10に示す実施の形態においても、基本配線パターンを検査するのに使用する検査装置に必要なピクセル・サイズは、図5及び図6において説明したのと同様に、配線ピッチを最小値とし、検査のためのスキャン方向に沿った基本配線パターンのサイズを最大値とすることができる。
図11は、本発明に係る半導体装置の第6の実施の形態における基本配線パターンを概略的に示す図で、図21に示す従来例を改良した基本配線パターンを示している。この実施の形態における基本配線パターンU7は配線ショートを検出するためのもので、複数の平行な櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線61を備える。それぞれの櫛歯状導体の一端はコンタクト15を介して下層のアクティブ領域16に接続され、第1の配線61は接地電位にある。更に、基本配線パターンU7は、第1の配線61の櫛歯状導体に対して交互に配置された直線上の導体のうち、隣り合う一対の導体の端部間を導体で接続した複数のコの字状の導体からなる第2の配線62を備えている。第2の配線62の複数のコの字状の導体は全てフローティング電位にある。
図21に示す従来例においては、フローティング電位にある導体はいずれも単一の線状であったが、図11に示すように、フローティング電位にある導体を一対ずつ接続した構造とすることにより、ショートが発生した際に電位コントラストが変化する領域が大きくなり、ショートの検出が容易になる。これを図12に示す例で説明する。図12は、ショート不良検出をより短い時間で行うための電子ビームEBのスキャン方向と、ショートが発生した場合の電位コントラストの変化を示している。いま、第1の配線61のうちの一つの櫛歯状導体613とその櫛歯状導体を間に挟むコの字状の導体622との間が異物Xによってショートされたとする。そうすると、第2の配線62のうち、導体621、623はフローティング電位を維持するのに対し、導体622は接地電位となる。そこで、電子ビームEBによって基本配線パターンU7の片側を櫛歯状導体に垂直な方向にスキャンすると、導体621、623と導体622との電位の相違に起因する電位コントラストの差が、図21に示す従来例よりも広い領域で確認することができる。
つまり、電位コントラスト変化の観点で見ると、図21の従来の構造の場合、ショートが発生した(フローティング電位の)導体のみの明暗が変化するだけであったが、図11に示す基本配線パターンU7を用いることにより、ショートの発生時に明暗の変化する導体の本数が増え、その結果、より大きい面積で電位コントラスト信号の変化が得られるので、検出感度と検出スピードの向上が可能となる。また、基本配線パターンU7の各導体を十分に長くした場合には、第2の配線62の平行な導体間を接続する部分だけをスキャンしても、ショートの発生した導体を特定することができる。
なお、この実施の形態では、フローティング電位にある導体のうち、隣り合う2本ずつを接続してコの字状にしたが、隣接する3本又は4本の導体どおしを接続して櫛状にしてもよい。こうすると、より大きな電位コントラスト信号、すなわち大きな明暗の変化が得られるので、より大きなピクセル・サイズで検査が可能になり、検査時間を短縮することができる。
図13は、本発明に係る半導体装置の第7の実施の形態における基本配線パターンを概略的に示す図で、基本配線パターンU8はショート・オープン検出兼用である。基本配線パターンU8は、接地電位とされた第1の配線71とフローティング電位にある第2の配線72と、同じくフローティング電位にある第3の配線73とを組み合わせた構造を有する。第1の配線71はジグザグ状に形成されていて、その一端はコンタクト15を介して下層のアクティブ領域16に接続される。第2の配線72は、第1の配線71の対向する導体部分の間に一方の方向に(図13においては右から左へ)延びる一対の導体を有する複数のコの字状の配線721、722からなる。同様に、第3の配線73は、第1の配線71の対向する導体部分の間に一方の方向とは逆の方向に(図13においては左から右へ)延びる一対の導体を有する複数のコの字状の配線731、732からなる。
そこで、図14に示すように、接地電位にある第1の配線71とフローティング電位にある第3の配線73との間が異物Xによってショートされたとすると、第2の配線72及び第3の配線73のうちの配線731はフローティング電位を維持するが、第3の配線73のうちの配線732は接地電位となる。この結果、電子ビームEBによって基本配線パターンU8の片側をスキャンすると、図14に示すように、接地電位にある配線の増加に起因して、正常時の電位コントラストとは異なる電位コントラストが得られ、大きな明暗の変化となって現れる。
また、図15に示すように、第1の配線71の途中の個所Yがオープンになったとすると、オープンの発生した個所Yの一方の側の配線はフローティング電位になるため、電子ビームEBによりスキャンすると、第1の配線71から、正常時とは異なり且つ大きな電位コントラスト信号が得られるので、オープンの発生が容易に検出できる。
なお、図11及び図13に示した実施の形態における基本配線パターンU7、U8を検査する際に使用する検査装置の最小空間分解能は配線ピッチ、すなわち、導体幅と導体間の距離との和である。また、最大空間分解能は、基本配線パターンの大きさに依存して、電子ビームEBのスキャン方向における基本配線パターンのサイズと同程度でも、電子ビームEBのスキャン方向に現れる同一パターンのサイズと同程度でもよい。
図16の(A)は、本発明に係る半導体装置の第8の実施の形態における基本配線パターンを概略的に示す図で、基本配線パターンU9は図8の(A)に示すコの字状の基本配線パターンに類似する。基本配線パターンU9は、基板(図示せず)の第1層に形成された複数の導体811〜815と、基板の第2層に形成された導体821〜824と、これら導体間を接続する複数のビア831〜838とを備える。
更に基本配線パターンU9の構造を詳述すると、複数の導体811〜815はコの字を形成するように所定の間隔をあけて第1層に配置され、隣り合う導体811、812の隣接する端部はそれぞれビア831、832を介して第2層の導体821に接続される。以下同様に、第1層の導体812〜815の隣接する端部はビア833〜838を介して、第2層の対応の導体822〜824に接続される。一端の導体825はコンタクト15を介して第2層のアクティブ領域16に接続される。つまり、基本配線パターンU9は第1層の隣り合う導体がビアを介して第2層の1つの導体と接続されたビアチェーン構造を所定数だけ連結した構造である。
そこで、図16の(B)に示すように、基本配線パターンU9において、一部のビア、例えばビア836に導通不良が発生した場合、第1層の導体814、815と第2層の導体824は接地電位を維持するが、残りの導体811〜813、821〜823はフローティング電位となる。このため、不導通となったビアを境として電位コントラストが変化するので、不導通のビアを検出することができる。
なお、図16に示す構造の基本配線パターンU9を検査するのに使用される検査装置の最小ピクセル・サイズは図5と同様に配線ピッチであり、最大ピクセル・サイズは図6と同様に基本配線パターンU9のサイズと同程度とすることができる。
基本配線パターンU9のビアチェーンの長さや数を増すことにより、多数のビアチェーン構造をジグザグ状に配列した更に大きな基本配線パターンを作ることができる。図17は、その一例として基本配線パターンU10を示している。更に、図18に示すように、図17に示す基本配線パターンU10を更に大型化した基本配線パターンU11を作ることもできる。
図18に示す基本配線パターンU11の場合、いわゆるアレイ検査を行うと、オープン状態のビアの前後で電位コントラストが反転するが、どちらが正常で、どちらが不良なのかの判定が難しい。しかしながら、電子ビームEBによるスキャンを、コンタクト15により基板のアクティブ領域16と接続された導体を含む行から(図18においては下から上へ)行うと、不良のビアは必ず当該行又はその他の行の導体で(時間的には後から)検出されるので、どちら側が不良か特定できる。ただし、アクティブ領域16と接続された導体を含む行に不良のビアがある場合には、最下段の電位コントラスト信号が短くなり、検出上不都合が生じる場合がある。
図19は、本発明に係る半導体装置の第9の実施の形態における基本配線パターンを概略的に示す図であり、上述の、最下段に不良のビアがある場合の不都合を解消するために提案されたものである。この実施の形態の基本配線パターンU12は、図18に示す基本配線パターンU11における、アクティブ領域16と接続された導体を含む行に隣接して、この行と同様のビアチェーン構造を持つレファレンス行を設けたものである。レファランス行の両端に位置する第1層の導体91、92の両端部は、それぞれコンタクト93、94を介してアクティブ領域95、96に接続されて接地電位とされる。したがって、レファレンス行の両端の導体91、92の間のいずれかのビアが不導通になっても、その行の全ての導体は接地電位に保たれているため、電位コントラストは変化せず、検出上の不都合は生じない。
図20は、図19に示す第9の実施の形態と同様の効果を狙った基本配線パターンU13を示している。図20に示す基本配線パターンは図19の基本配線パターンU12のレファレンス行に隣接して、第2のレファレンス行を設けたもので、第2のレファレンス行においても、両端の導体101、102はそれぞれコンタクト103、104を介してアクティブ領域105、106に接続されて接地される。この構造にすると、図19に示した基本配線パターンU12と同様に、第2のレファレンス行のいずれかのビアで導通不良が発生しても、その行の全ての導体は接地電位にあるため、電位コントラストは変化しない。即ち、ビアの導通不良の有無に関わらず、安定したレファレンスとして機能する。
なお、レファレンス行は1つ又は2つに限られるものではなく、3つ以上であってもよい。レファレンス行の行数を、基本配線パターンU12、U13のレファレンス行を含む全体の行数が検査に使用するピクセル・サイズのn倍(ここで、nは正の整数)になるように設定することが望ましい。
なお、図17〜図20に示す基本配線パターンU10〜U13においてビア不導通の有無を確認するために使用される検査装置の最小ピクセル・サイズは配線ピッチであるが、基本配線パターンの大きさに応じて、基本配線パターンU10〜U13全体をスキャンしてもよいし、また、スキャン時間を短縮するために、基本配線パターンU10〜U13の片側だけをスキャンしてもよい。即ち、検査装置の最大ピクセル・サイズは、電子ビームEBのスキャン方向における基本配線パターンのサイズと同程度であっても、電子ビームEBのスキャン方向に現れる基本配線パターンの同一パターンのサイズと同程度であっってもよい。もし、一部に不導通のビアがあれば、そのビアを境として一方の側に電位の変化が生じ、正常時の電位コントラストとは異なる電位コントラストが現れる。
以上、本発明に係る半導体装置の実施の形態について詳述したが、本発明はこうした実施の形態に限定されるものではない。当業者であれば理解するように、種々の変形や修正が可能である。例えば、図7、図8の(A)、図9の(A)、図10、図11及び図13に示す基本配線パターンを図3及び図4に示すように、m行n列に配列してもよい。
以上、本発明に係る半導体装置の実施の形態に関する説明から理解されるように、本発明においては、特別に工夫された形状の基本配線パターンを半導体装置に設けるようにしたので、基本配線パターンに発生する配線間のショートや配線のオープンという不良並びにビアの導通不良を効率的に検出できるようになり、不良対策の効率化、ウェーハ歩留りの向上に寄与することができる。
U1〜U13:基本配線パターン、
11、21、41、51、61、71:第1の配線、
12、22、42、52、62、72:第2の配線、
112、113、122、122:櫛歯状導体、
53、73:第3の配線
15:コンタクト、 16:アクティブ領域、 19:ピクセル・サイズ、
31:コの字状の配線、 32:ジグザグ状の配線、
811〜815:導体、 821〜824:導体、 831〜838:ビア、
91、92、101、102:第1層の配線: 93、94、103、104:コンタクト、 95、96、105、106:アクティブ領域、
11、21、41、51、61、71:第1の配線、
12、22、42、52、62、72:第2の配線、
112、113、122、122:櫛歯状導体、
53、73:第3の配線
15:コンタクト、 16:アクティブ領域、 19:ピクセル・サイズ、
31:コの字状の配線、 32:ジグザグ状の配線、
811〜815:導体、 821〜824:導体、 831〜838:ビア、
91、92、101、102:第1層の配線: 93、94、103、104:コンタクト、 95、96、105、106:アクティブ領域、
Claims (16)
- 平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線と、
前記第1の配線に対して入れ子状に配置され且つ平行な一対の櫛歯状導体を有するコの字状の第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置。 - 平行な櫛歯状導体を有するコの字状の第1の配線と、
前記平行な櫛歯状導体の間に配置された直線状の第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置。 - 平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
平行な複数の櫛歯状導体を有し、前記第1の配線に対して入れ子状に配置された第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートの検出を可能とした半導体装置。 - 前記第1の配線を電気的に接地電位にし、前記第2の配線をフローティング電位としたことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 平行な櫛歯状導体を有するコの字状の配線を有する基本配線パターンを具備し、一方の前記櫛歯状導体の端部に所定の電位を与えることを特徴とし、配線オープンを検出可能とした半導体装置。
- ジグザグ状の配線を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、該配線を所定の電位に設定して配線オープンを検出可能とした半導体装置。
- 複数の平行な導体を有するジグザグ状の第1の配線と、
前記第1の配線に対して入れ子状に配置された櫛状の第2の配線であって、前記第1の配線の対向する導体の間に、前記第2の配線の櫛歯状導体を位置させてなる第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線と前記第2の配線とを電気的に異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置。 - 平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
複数の平行な導体を有するジグザグ状の第2の配線であって、前記第1の配線の対向する櫛歯状導体の間に、少なくとも一対の前記導体を位置させてなる第2の配線と、
前記第1の配線の櫛歯状導体とは逆の方向に延び且つ前記第2の配線の対向する導体の間に位置する平行なる複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第3の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第2の配線を所定の電位とし、前記第1の配線と前記第3の配線とを前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置。 - 平行な複数の櫛歯状導体を有する櫛状の第1の配線と、
前記櫛歯状導体に対して交互に配置された複数の直線状の導体の隣り合う少なくとも2本の導体の間を接続した第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線を所定の電位とし、前記第2の配線を前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートを検出可能とした半導体装置。 - 平行な複数の導体を有するジグザグの第1の配線と、
複数のコの字状の導体を備える第2の配線であって、それぞれの前記コの字状の導体が、前記第1の配線の一対の対向する前記導体を、前記第1の配線の長さ方向に関して両側から挟むよう配置されてなる第2の配線と、
を有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、前記第1の配線を所定の電位とし、前記第2の配線を前記所定の電位とは異なる電位として配線間のショートと配線オープンとを検出可能とした半導体装置。 - 第1の層に形成された2つの隣り合う導体の対向する端部間が、コンタクト及び第2層に形成された導体を介して相互接続される構造のビアチェーンを1個以上有する基本配線パターンを具備することを特徴とし、該ビアチェーンを所定の電位としてビアの導通不良を検出可能とした半導体装置。
- 前記ビアチェーンをジグザグ状の線を形成するよう配置した基本配線パターンを備えることを特徴とする、請求項11に記載の半導体装置。
- 複数個の前記ビアチェーンが直線上に配列されてなり、所定の電位に保持された少なくとも1つのレファレンス行を、前記配線パターンに隣接して設けたことを特徴とする、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記基本配線パターンがn行m列に配置された配線パターンを有することを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置を検査する際に使用する検査装置の最少ピクセル・サイズを配線ピッチとすることを特徴とする、半導体装置の検査方法。
- 請求項1〜14のいずれか一つに記載の半導体装置を検査する際に使用する検査装置の最大ピクセル・サイズを、検査のための電子ビームのスキャン方向における基本配線パターンのサイズ又は該スキャン方向において基本配線パターンに現れる同一パターンのサイズとすることを特徴とする、半導体装置の検査方法。
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- 2005-10-03 JP JP2005290247A patent/JP2007103598A/ja not_active Withdrawn
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