JP2007098680A - Method for processing silicon wafer and method for manufacturing liquid jet head - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シリコンウェハをエッチング処理するシリコンウェハの処理方法、及び液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特に、シリコンウェハを用いて製造され且つ液体としてインク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドの製造方法に関する。 The present invention relates to a silicon wafer processing method for etching a silicon wafer and a liquid ejecting head manufacturing method for ejecting a liquid, and in particular, an ink jet recording head manufactured using a silicon wafer and ejecting ink droplets as a liquid. It relates to the manufacturing method.
従来から、例えば、圧電素子等によって圧力発生室内の液体に圧力を付与することで、ノズル開口から液滴を吐出する液体噴射ヘッドが知られており、その代表例としては、液体としてインク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドが挙げられる。 Conventionally, for example, a liquid ejecting head that discharges liquid droplets from a nozzle opening by applying pressure to a liquid in a pressure generating chamber by a piezoelectric element or the like is known. An ink jet recording head that discharges the ink may be used.
ここで、インクジェット式記録ヘッドとしては、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板と、この流路形成基板上に振動板を介して設けられた圧電素子と、流路形成基板上に接合されて圧電素子を保持する圧電素子保持部を有する保護基板とを有するものが知られている。 Here, as the ink jet recording head, a flow path forming substrate in which a pressure generating chamber communicating with a nozzle opening is formed, a piezoelectric element provided on the flow path forming substrate via a vibration plate, and a flow path forming 2. Description of the Related Art A substrate having a protective substrate having a piezoelectric element holding portion that is bonded onto a substrate and holds a piezoelectric element is known.
また、このようなインクジェット式記録ヘッドは、シリコンウェハからなり流路形成基板用ウェハ上に振動板及び圧電素子を形成した後、この上から、シリコンウェハからなり圧電素子を保持する圧電素子保持部を有する保護基板用ウェハを接合し、その後、保護基板用ウェハの周縁部に封止シートを接着剤によって接着し、この状態で流路形成基板用ウェハをKOH等のエッチング液でウェットエッチングすることにより圧力発生室等を形成する等して製造される(例えば、特許文献1参照)。 In addition, such an ink jet recording head is formed of a silicon wafer, and after a diaphragm and a piezoelectric element are formed on a flow path forming substrate wafer, a piezoelectric element holding unit that holds the piezoelectric element made of a silicon wafer from above. The protective substrate wafer having the above structure is bonded, and then the sealing sheet is adhered to the peripheral portion of the protective substrate wafer with an adhesive, and in this state, the flow path forming substrate wafer is wet etched with an etching solution such as KOH. Is manufactured by forming a pressure generating chamber or the like (see, for example, Patent Document 1).
このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法では、圧力発生室を形成する際に、保護基板用ウェハの表面が封止シートで完全に封止されているため、エッチング液による圧電素子等の破壊を確実に防止することができる。 In such an ink jet recording head manufacturing method, when the pressure generating chamber is formed, the surface of the protective substrate wafer is completely sealed with a sealing sheet. It can be surely prevented.
しかしながら、上述した従来のインクジェット式記録ヘッドの製造方法では、封止シートを保護基板用ウェハに接着する際に、例えば、封止シート上から保護基板用ウェハ側に向かって積極的に押圧した場合、毛細管現象によって封止シートと保護基板用ウェハとの間の接着剤が保護基板用ウェハの周縁部から中央部に向かって流れ出してしまう場合がある。特に、封止シートと保護基板用ウェハとの間隔が非常に狭い場合には、接着剤層の流れ出しが顕著となる。そして、接着剤が製品となる領域に流れ出してしまうと、製品不良の原因となり、歩留まりが低下するという問題がある。 However, in the above-described conventional inkjet recording head manufacturing method, when the sealing sheet is bonded to the protective substrate wafer, for example, when the positive pressure is applied from the sealing sheet toward the protective substrate wafer. In some cases, the adhesive between the sealing sheet and the protective substrate wafer flows out from the peripheral portion of the protective substrate wafer toward the central portion due to capillary action. In particular, when the distance between the sealing sheet and the protective substrate wafer is very narrow, the adhesive layer flows out significantly. Then, if the adhesive flows out to the area where the product is to be produced, there is a problem that the product is defective and the yield is lowered.
なお、このような問題は上述したインクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造において発生するものではなく、シリコンウェハの一方面を封止し、その状態でシリコン基板の他方面をエッチング処理するシリコンウェハの処理においても同様に存在する。 Such a problem does not occur in the manufacture of the above-described liquid jet head such as an ink jet recording head, but silicon that seals one surface of a silicon wafer and etches the other surface of the silicon substrate in that state. It also exists in wafer processing as well.
本発明は上述した事情に鑑み、接着剤の流れ出しを有効に防止して歩留まりを向上することができるシリコンウェハの処理方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。 In view of the circumstances described above, it is an object of the present invention to provide a silicon wafer processing method and a liquid jet head manufacturing method that can effectively prevent the adhesive from flowing out and improve the yield.
上記課題を解決するための本発明の第1の態様は、シリコンウェハの一方面上に保護シートを介在させた状態で接着剤層によって封止シートを接着し、その後、前記シリコンウェハの他方面をエッチング処理するシリコンウェハの処理方法であって、前記シリコンウェハの一方面上に前記封止シートを接着する際に、前記シリコンウェハと前記封止シートとを接着する前の前記接着剤層の厚さを前記保護シートの厚さ以上とすると共に、前記接着剤層の厚さが前記保護シートの厚さ以上の状態で前記シリコンウェハと前記封止シートとの間での前記接着剤層の押圧を停止するようにしたことを特徴とするシリコンウェハの処理方法にある。
かかる第1の態様では、シリコンウェハと封止シートとを接着する前の接着剤層の厚さを保護シートの厚さ以上に設定しつつ、接着剤層の押圧を接着剤層の厚さが保護シートの厚さ以上の状態で停止することにより、シリコンウェハと封止シートとの間での接着剤の流れ出しを有効に防止することができる。したがって、シリコンウェハの一方面を高品質に保つことができ、歩留まりを向上することができる。
According to a first aspect of the present invention for solving the above-mentioned problem, a sealing sheet is adhered by an adhesive layer in a state where a protective sheet is interposed on one surface of a silicon wafer, and then the other surface of the silicon wafer. A method of processing a silicon wafer that etches the adhesive layer before bonding the silicon wafer and the sealing sheet when the sealing sheet is bonded onto one surface of the silicon wafer. The thickness of the adhesive layer between the silicon wafer and the sealing sheet in a state where the thickness is equal to or greater than the thickness of the protective sheet and the thickness of the adhesive layer is equal to or greater than the thickness of the protective sheet. The silicon wafer processing method is characterized in that the pressing is stopped.
In the first aspect, the thickness of the adhesive layer is set so that the thickness of the adhesive layer before bonding the silicon wafer and the sealing sheet is equal to or greater than the thickness of the protective sheet, By stopping in a state equal to or greater than the thickness of the protective sheet, it is possible to effectively prevent the adhesive from flowing out between the silicon wafer and the sealing sheet. Therefore, the one surface of the silicon wafer can be kept in high quality, and the yield can be improved.
本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記シリコンウェハと前記封止シートと接着する前の前記接着剤層の厚さを前記保護シートの厚さより大きくすることを特徴とするシリコンウェハの処理方法にある。
かかる第2の態様では、保護基板用ウェハと封止シートとを接着する前の接着剤層の厚さを保護シートの厚さより大きく設定することにより、保護基板用ウェハと封止シートとの間での接着剤の流れ出しをより確実に防止することができる。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the thickness of the adhesive layer before being bonded to the silicon wafer and the sealing sheet is larger than the thickness of the protective sheet. A method for processing a wafer.
In the second aspect, by setting the thickness of the adhesive layer before bonding the protective substrate wafer and the sealing sheet to be larger than the thickness of the protective sheet, the gap between the protective substrate wafer and the sealing sheet is set. It is possible to more reliably prevent the adhesive from flowing out.
本発明の第3の態様は、第1又は2の態様において、前記シリコンウェハの表面上に前記封止シートを配置した後に、前記封止シート上から板部材によって前記封止シートを前記シリコンウェハ側に押圧することを特徴とするシリコンウェハの処理方法にある。
かかる第3の態様では、板部材を用いて封止シートを押圧することにより、封止シートを略均等に押圧することができ、押圧後の接着剤層の厚さを保護シートの厚さ以上にすることができる。
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, after the sealing sheet is disposed on the surface of the silicon wafer, the sealing sheet is placed on the silicon wafer by a plate member from the sealing sheet. The method of processing a silicon wafer is characterized by pressing to the side.
In the third aspect, the sealing sheet can be pressed substantially uniformly by pressing the sealing sheet using the plate member, and the thickness of the adhesive layer after pressing is equal to or greater than the thickness of the protective sheet. Can be.
本発明の第4の態様は、第1〜3の何れかの態様において、前記封止シートは、ポリパラフェレンテレスタルアミド(PPTA)からなることを特徴とするシリコンウェハの処理方法にある。
かかる第4の態様では、シリコンウェハと略同等の線膨張係数を有するPPTAからなる封止シートを用いているので、シリコンウェハをエッチングする際の熱によるシリコンウェハの変形(反り)を有効に防止することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the silicon wafer processing method according to any one of the first to third aspects, wherein the sealing sheet is made of polyparaferene telestalamide (PPTA).
In the fourth aspect, since the sealing sheet made of PPTA having a linear expansion coefficient substantially equal to that of the silicon wafer is used, deformation (warping) of the silicon wafer due to heat when etching the silicon wafer is effectively prevented. can do.
本発明の第5の態様は、液体を噴射するノズル開口に連通する圧力発生室が形成されると共に前記圧力発生室に圧力を発生させる圧力発生手段を有する流路形成基板が一体的に形成されるシリコンウェハである流路形成基板用ウェハ上に、前記流路形成基板に対応して設けられる接合基板が一体的に形成されるシリコンウェハである接合基板用ウェハを接合した後に、前記接合基板用ウェハの表面上に保護シートを介在させた状態で接着剤層によって封止シートを接着する際に、前記接合基板用ウェハと前記封止シートとを接着する前の前記接着剤層の厚さを前記保護シートの厚さ以上とすると共に、前記接着剤層の厚さが前記保護シートの厚さ以上の状態で前記接合基板用ウェハと前記封止シートとの間での前記接着剤層の押圧を停止し、その状態で前記接合基板用ウェハと前記封止シートとを接着し、その後、前記流路形成基板用ウェハをエッチングすることにより前記圧力発生室を形成するようにしたことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第5の態様では、接合基板用ウェハと封止シートとを接着する前の接着剤層の厚さを保護シートの厚さ以上に設定しつつ、接着剤層の押圧を接着剤層の厚さが保護シートの厚さ以上の状態で停止することにより、接合基板用ウェハと封止シートとの間での接着剤の流れ出しを有効に防止することができる。したがって、接合基板用ウェハの表面を高品質に保つことができ、歩留まりを向上することができる。
In the fifth aspect of the present invention, a pressure generating chamber communicating with a nozzle opening for ejecting liquid is formed, and a flow path forming substrate having pressure generating means for generating pressure in the pressure generating chamber is integrally formed. A bonding substrate wafer that is a silicon wafer in which a bonding substrate provided corresponding to the flow path forming substrate is integrally formed on a flow path forming substrate wafer that is a silicon wafer; The thickness of the adhesive layer before bonding the bonding substrate wafer and the sealing sheet when the sealing sheet is bonded by the adhesive layer in a state where the protective sheet is interposed on the surface of the bonding wafer Of the adhesive layer between the bonding substrate wafer and the sealing sheet in a state where the thickness of the adhesive layer is equal to or greater than the thickness of the protective sheet. Stop pressing, In this state, the pressure generating chamber is formed by bonding the bonding substrate wafer and the sealing sheet, and then etching the flow path forming substrate wafer. It is in the manufacturing method.
In the fifth aspect, the thickness of the adhesive layer is set to the thickness of the adhesive layer while setting the thickness of the adhesive layer before bonding the bonded substrate wafer and the sealing sheet to be equal to or greater than the thickness of the protective sheet. By stopping at a thickness equal to or greater than the thickness of the protective sheet, it is possible to effectively prevent the adhesive from flowing out between the bonding substrate wafer and the sealing sheet. Therefore, the surface of the bonding substrate wafer can be maintained at high quality, and the yield can be improved.
以下、本発明を一実施形態に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図2は、図1の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板10は、本実施形態では面方位(110)のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ0.5〜2μmの弾性膜50が形成されている。流路形成基板10には、複数の圧力発生室12がその幅方向に並設されている。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an embodiment.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an ink jet recording head according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of FIG. As shown in the drawing, the flow
また、流路形成基板10の圧力発生室12の長手方向外側の領域には連通部13が形成され、連通部13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられたインク供給路14を介して連通されている。なお、連通部13は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成されており、連通部13から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
In addition, a
このような圧力発生室12等が形成される流路形成基板10の厚さは、圧力発生室12を配設する密度に合わせて最適な厚さを選択することが好ましい。例えば、1インチ当たり180個(180dpi)程度に圧力発生室12を配置する場合には、流路形成基板10の厚さは、180〜280μm程度、より望ましくは、220μm程度とするのが好適である。また、例えば、360dpi程度と比較的高密度に圧力発生室12を配置する場合には、流路形成基板10の厚さは、100μm以下とするのが好ましい。これは、隣接する圧力発生室12間の隔壁11の剛性を保ちつつ、配列密度を高くできるからである。本実施形態では、圧力発生室12の配列密度を360dpi程度としているため、流路形成基板10の厚さを約70μmとしている。
As the thickness of the flow
なお、このような流路形成基板10は、図3に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ100に複数個が一体的に形成され、詳しくは後述するが、この流路形成基板用ウェハ100に圧力発生室12等を形成した後、この流路形成基板用ウェハ100を分割することによって形成される。
As shown in FIG. 3, a plurality of such flow
また、流路形成基板10の開口面側には、圧力発生室12を形成する際のマスクとして用いられた絶縁膜であるマスク膜51を介して、各圧力発生室12のインク供給路14とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口21が穿設されたノズルプレート20が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート20は、厚さが例えば、0.01〜1mmで、線膨張係数が300℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6/℃]であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。
In addition, on the opening surface side of the flow
一方、このような流路形成基板10の開口面とは反対側には、圧力発生手段が設けられている。具体的には、厚さが例えば約1.0μmの弾性膜50が形成され、この弾性膜50上には、厚さが例えば、約0.4μmの絶縁体膜55が形成されている。さらに、この絶縁体膜55上には、厚さが例えば、約0.2μmの下電極膜60と、厚さが例えば、約1.0μmの圧電体層70と、厚さが例えば、約0.05μmの上電極膜80とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極膜60、圧電体層70及び上電極膜80を含む部分をいう。一般的には、圧電素子300の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層70を各圧力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層70から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜60は圧電素子300の共通電極とし、上電極膜80を圧電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。
On the other hand, pressure generating means is provided on the side opposite to the opening surface of the flow
また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。本実施形態では、弾性膜50、絶縁体膜55及び下電極膜60が振動板として作用するが、勿論これに限定されず、弾性膜50、絶縁体膜55を設けずに、下電極膜60だけが振動板として作用するようにしてもよい。
Further, here, the
なお、このような各圧電素子300の上電極膜80には、例えば、金(Au)等からなるリード電極90がそれぞれ接続され、このリード電極90を介して各圧電素子300に選択的に電圧が印加される。
Note that a
さらに、流路形成基板10上の圧電素子300側の面には、例えば、本実施形態では、接合基板として、圧電素子300に対向する領域にその運動を阻害しない程度の空間を確保可能な圧電素子保持部31を有する保護基板30が接合されている。圧電素子300は、この圧電素子保持部31内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部31は、密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。
Further, on the surface of the flow
また、保護基板30には、流路形成基板10の連通部13に対応する領域にリザーバ部32が設けられている。そして、このリザーバ部32は、本実施形態では、保護基板30を厚さ方向に貫通して圧力発生室12の並設方向に沿って設けられており、上述したように流路形成基板10の連通部13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ110を構成している。さらに、保護基板30の圧電素子保持部31とリザーバ部32との間の領域には、この保護基板30を厚さ方向に貫通する貫通孔33が設けられている。そして、各圧電素子300から引き出されたリード電極90は、この貫通孔33まで延設されており、図示しないがワイヤボンディング等により圧電素子300を駆動するための駆動IC等と接続される。また、このような保護基板30の表面上には、図示しない配線パターン等が設けられ、この上から駆動ICが実装される。
Further, the
なお、保護基板30の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
In addition, examples of the material of the
このような保護基板30上には、封止膜41及び固定板42とからなるコンプライアンス基板40が接合されている。封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料(例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム)からなり、この封止膜41によってリザーバ部32の一方面が封止されている。また、固定板42は、金属等の硬質の材料(例えば、厚さが30μmのステンレス鋼(SUS)等)で形成される。この固定板42のリザーバ110に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部43となっているため、リザーバ110の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで封止されている。
A
なお、このようなインクジェット式記録ヘッドは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ110からノズル開口21に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動回路からの記録信号に従い、外部配線を介して圧力発生室12に対応するそれぞれの下電極膜60と上電極膜80との間に電圧を印加し、弾性膜50、下電極膜60及び圧電体層70をたわみ変形させることにより、各圧力発生室12内の圧力が高まりノズル開口21からインク滴が吐出する。
Note that such an ink jet recording head takes in ink from an external ink supply means (not shown), fills the interior from the
以下、このような本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法について説明する。なお、図4〜図6及び図8は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を説明する図であり、圧力発生室の長手方向の断面図である。また、図7は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を説明する要部拡大図である。 Hereinafter, a method for manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment will be described. 4 to 6 and 8 are diagrams for explaining the manufacturing process of the ink jet recording head, and are sectional views in the longitudinal direction of the pressure generating chamber. FIG. 7 is an enlarged view of a main part for explaining the manufacturing process of the ink jet recording head.
まず、図4(a)に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ100を約1100℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜50を構成する二酸化シリコン膜52を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ100として、基板厚が約625μmと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
First, as shown in FIG. 4A, a channel forming
次いで、図4(b)に示すように、弾性膜50(二酸化シリコン膜52)上に、ジルコニウム(Zr)層を形成後、例えば、500〜1200℃の拡散炉で熱酸化して酸化ジルコニウム(ZrO2)からなる絶縁体膜55を形成する。次いで、図4(c)に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜55上に積層することにより下電極膜60を形成後、この下電極膜60を所定形状にパターニングする。
Next, as shown in FIG. 4B, a zirconium (Zr) layer is formed on the elastic film 50 (silicon dioxide film 52), and then thermally oxidized in, for example, a diffusion furnace at 500 to 1200 ° C. to form zirconium oxide ( An
次に、図4(d)に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等からなる圧電体層70と、例えば、イリジウム(Ir)からなる上電極膜80とを流路形成基板用ウェハ100の全面に形成する。次いで、図5(a)に示すように、圧電体層70及び上電極膜80をパターニングして、各圧力発生室12となる領域に圧電素子300を形成する。次いで、図5(b)に示すように、リード電極90を流路形成基板10の全面に亘って形成すると共に圧電素子300毎にパターニングする。
Next, as shown in FIG. 4D, for example, a
次に、図5(c)に示すように、流路形成基板用ウェハ100の圧電素子300側に、接合基板用ウェハとして、各流路形成基板10に対応して設けられる複数の保護基板30となるシリコンウェハである保護基板用ウェハ130を接合する。なお、この保護基板用ウェハ130は、例えば、400μm程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ130を接合することによって流路形成基板用ウェハ100の剛性は著しく向上することになる。
Next, as shown in FIG. 5C, a plurality of
次に、図6(a)に示すように、流路形成基板用ウェハ100をある程度の厚さとなるまで研磨した後、更にフッ硝酸によってウェットエッチング、例えば、スピンエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ100を所定の厚さにする。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ100を約70μm厚になるようにエッチング加工した。
Next, as shown in FIG. 6A, after the flow path forming
次いで、図6(b)に示すように、流路形成基板用ウェハ100上に、例えば、窒化シリコン(SiN)からなるマスク膜51を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、図6(c)に示すように、保護基板用ウェハ130に、ポリパラフィレンテレスタルアミド(PPTA)からなる封止シート140を接着剤によって接着することにより、保護基板用ウェハ130の表面をこの封止シート140で覆って封止する。すなわち、保護基板用ウェハ130を厚さ方向に貫通して形成されているリザーバ部32等が封止シート140によって完全に封止されるようにする。
Next, as shown in FIG. 6B, a
このとき、封止シート140は、保護基板用ウェハ130の表面の周縁部に接着し、保護基板30となる領域には接着されないようにする。本実施形態では、封止シート140は、保護基板用ウェハ130との間に保護シート150を介在させた状態で接着した。
At this time, the sealing
このような保護基板用ウェハ130と封止シート140との接着は、例えば、本実施形態では、保護基板用ウェハ130の製品部分、すなわち、各保護基板30が形成された領域の周縁部に沿って接着剤を塗布して所定厚さの接着剤層200を形成し、この上から、封止シート140を当接させ、次に、この封止シート140上から、SUS板等の平板である板部材160によって封止シート140の全面を略均等に押圧し、乾燥することで行われる。
For example, in this embodiment, the adhesion between the
そして、本実施形態では、保護基板用ウェハ130と封止シート140とを接着する前の接着剤層200の厚さを保護シート150の厚さ以上となるように形成するようにした。すなわち、接着前の接着剤層200の厚さ[d1]と保護シート150の厚さ[d2]との関係が[d1]≧[d2]の条件を満たすように、接着剤層200を形成した。特に、図7(a)に示すように、接着前の接着剤層200の厚さ[d1]を保護シート150の厚さ[d2]より大きく、すなわち、[d1]>[d2]の条件を満たすように接着剤層200を形成するのが好ましい。これにより、封止シート140と接着剤層200とが確実に接触するため、両者の接着不良をより確実に防止することができる。
In this embodiment, the thickness of the
また、保護基板用ウェハ130と封止シート140との間で接着剤層200を押圧する際には、接着(押圧)後の接着剤層200の厚さが保護シート150の厚さ以上の状態で、接着剤層200の押圧を停止するようにした。本実施形態では、図7(b)及び図7(c)に示すように、板部材160を用い、この板部材160によって封止シート140上から接着剤層200を押圧したので、接着後の接着剤層200の厚さが保護シート150の厚さと略同等となる。すなわち、少なくとも保護基板用ウェハ130の周縁部に対応する領域(接着領域)では、接着後の接着剤層200の厚さが保護シート150の厚さより小さくならないように、その手前、すなわち、接着後の接着剤層200の厚さが保護シート150の厚さと略同等の状態で、その押圧作業を停止することができる。
Further, when the
また、本実施形態のように、接着前の接着剤層200を[d1]>[d2]の厚さ条件で形成しつつ、接着剤層200の押圧作業を接着後の接着剤層200の厚さが保護シート150の厚さと略同等となるように行ったので、接着剤層200の保護基板用ウェハ130の中央部(製品部分)側への流れ出しを有効に防止することができ、しかも接着剤層200によって保護基板用ウェハ130と封止シート140とを確実に接着することができる。
Further, as in the present embodiment, the
また、本実施形態では、封止シート140の押圧に平板である板部材160を用いたので、面方向で略均等に且つ接着剤層200が所定の厚さとなるように押圧することができる。さらに、保護基板用ウェハ130と封止シート140との接着において板部材160を用いることで、保護基板用ウェハ130と封止シート140の相互間の接着ズレを有効に防止することができるという効果もある。
Moreover, in this embodiment, since the
以上説明したように、本実施形態の製造方法では、保護基板用ウェハ130の表面上に保護シート150を介在させた状態で接着剤層200によって封止シート140を接着する際に、保護基板用ウェハ130と封止シート140とを接着する前の接着剤層200の厚さを保護シート150の厚さより大きくすることにより、保護基板用ウェハ130と封止シート140との接着不良を防止しつつ、封止シート140と保護基板用ウェハ130との間での接着剤層200の押圧を接着剤層200の厚さが保護シート150の厚さ以上で停止することにより、接着剤層の製品部分側への流れ出しを有効に防止することができる。
As described above, in the manufacturing method of the present embodiment, when the sealing
ここで、上述した本実施形態では、接着前の接着剤層200の厚さを保護シート150の厚さよりも大きくした場合について説明したが、本発明は勿論これに限定されず、接着前の接着剤層の厚さを保護シートの厚さと同等としてもよい。この場合には、封止シート140の自重(重さ)により、保護基板用ウェハ130の周縁部近傍において、封止シート140が保護基板用ウェハ130の端部側に垂れ下がるため、これによって、保護基板用ウェハ130と封止シート140とが接着剤層200を介して良好に接着される。すなわち、この場合でも、封止シート140と接着剤層200とが確実に接触するため、保護基板用ウェハ130と封止シート140との接着不良を確実に防止することができる。
Here, in the above-described embodiment, the case where the thickness of the
また、本実施形態では、保護基板用ウェハ130と封止シート140との間に保護シート150を介在させているので、板部材160を介して封止シート140を押圧した際において、保護基板30の上面にキズ等が形成されるのを確実に防止することができる。すなわち、保護基板30の上面を高品質に保つことができる。
In this embodiment, since the
なお、保護基板用ウェハ130と封止シート140との間に介在させる保護シート150は、保護基板用ウェハ130に接着されず、基本的に保護基板用ウェハ130と封止シート140との間に所定の空間を確保するためのものである。すなわち、保護シート150は、封止シート140よりも外形が小さく、封止シート140内の封止空間、特に、製品部分となる各保護基板30が設けられた領域に対応して配置されるものである。また、保護シート150は、保護基板用ウェハ130の表面に予め設けられている図示しない配線パターンの剥離や損傷等を防止する役割もある。
Note that the
このような保護シート150は、保護基板用ウェハ130と封止シート140との間に、両者に非接着で介在させてもよいが、例えば、本実施形態では、保護シート150を封止シート140の製品部分に対向する領域に接着し、この状態で、封止シート140を保護基板用ウェハ130の周縁部に接着することで保護基板用ウェハ130と封止シート140との間に介在させるようにした。
Such a
なお、このような保護シート150の材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)等が挙げられ、保護基板用ウェハ130の表面に悪影響を及ぼさない材料、すなわち、保護基板用ウェハ130の表面に干渉しない高分子材料を用いるのが好ましい。このような材料としては、例えば、フッ素樹脂等を挙げることができ、本実施形態では、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等を用いている。
Examples of the material of the
また、本実施形態では、保護基板用ウェハ130の周縁部に接着剤を塗布して接着剤層200を形成したが、勿論これに限定されず、封止シート140と保護基板用ウェハ130とを接着するための接着剤は、封止シート140又は保護基板用ウェハ130の何れに塗布してもよい。接着剤の塗布方法も特に限定されず、封止シート140に塗布する場合には、例えば、フィルム転写方法等を用いればよい。また、保護基板用ウェハ130に塗布する場合には、例えば、ディスペンサ等により直接塗布するようにすればよい。
In this embodiment, the
そして、このように封止シート140を接着した後は、マスク膜51を介して流路形成基板用ウェハ100を異方性エッチングすることにより、図8(a)に示すように、流路形成基板用ウェハ100に圧力発生室12、連通部13及びインク供給路14等を形成する。このとき、保護基板用ウェハ130の表面は封止シート140によって覆われて流路形成基板用ウェハ100の圧電素子300側の面が完全に封止されているため、流路形成基板用ウェハ100又は圧電素子300がエッチング液によって破壊されるのを確実に防止することができる。
Then, after the
また、本実施形態の封止シート140は、PPTAからなり、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ100及び保護基板用ウェハ130と略同等の熱膨張係数を有するため、流路形成基板用ウェハ100のエッチング時等に発生する熱により各ウェハ100,130に反り等の変形が生じることがない。したがって、圧力発生室12等をエッチングにより高精度に形成することができ、良好な吐出特性が得られるインクジェット式記録ヘッドを実現することができる。
Further, since the sealing
具体的には、流路形成基板用ウェハ100をエッチングする際には、各ウェハ100,130及び封止シート140は、約80℃程度まで加熱されるため、この熱によって膨張してしまう。このため、流路形成基板用ウェハ100及び保護基板用ウェハ130と封止シート140との線膨張係数が大きく異なると、その膨張率の違いによって各ウェハ100,130が変形して割れてしまう虞がある。また、例えば、この熱によって封止シート140を接着している接着剤が一旦軟化する場合がある。この場合には、封止シート140は熱により膨張した状態で保護基板用ウェハ130に固定されてしまい、エッチング終了後に各ウェハ100,130及び封止シート140が冷却されて収縮する際に、各ウェハ100,130が変形して割れてしまう虞がある。
Specifically, when the flow path forming
しかしながら、本実施形態では、封止シート140がPPTAからなり、この封止シート140の線膨張係数(2.0×10−6/℃)が、シリコンウェハの線膨張係数(3.0×10−6/℃)と略同等であるため、加熱又は冷却により各ウェハ100,130及び封止シート140はほぼ同じ量だけ膨張又は収縮することになり、各ウェハ100,130に反り等の変形が生じることはない。但し、封止シート140の材料としては、勿論、上述したPPTAに限定されるものではない。
However, in this embodiment, the sealing
次に、図8(b)に示すように、封止シート140を、保護基板用ウェハ130とは接着されていない領域、例えば、本実施形態では、保護シート150によって形成されている空間部分に沿って切断し、封止シート140及び保護シート150を除去する。このように封止シート140だけを切断し、封止シート140等を除去するようにすれば、封止シート140の除去に必要な時間を著しく短縮することができ、製造効率を大幅に向上することができる。
Next, as shown in FIG. 8B, the sealing
なお、その後は、図8(c)に示すように、流路形成基板用ウェハ100及び保護基板用ウェハ130の外周縁部の不要部分、すなわち、封止シート140が接着されていた部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ100の保護基板用ウェハ130とは反対側の面にノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を接合すると共に、保護基板用ウェハ130にコンプライアンス基板40を接合し、流路形成基板用ウェハ100等を図1に示すような一つのチップサイズの流路形成基板10等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
After that, as shown in FIG. 8C, unnecessary portions of the outer peripheral edge portions of the flow path forming
(他の実施形態)
以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態1では、成膜及びリソグラフィ法を応用して製造される薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式記録ヘッドにも本発明を採用することができる。
(Other embodiments)
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, of course, this invention is not limited to these embodiment. For example, in Embodiment 1 described above, a thin film type ink jet recording head manufactured by applying a film forming and lithography method is taken as an example. However, the present invention is not limited to this example. The present invention can be applied to a thick film type ink jet recording head formed by such a method.
また、ノズル開口からインク滴を吐出する圧力発生手段として圧電素子を用いて説明したが、圧力発生手段としては圧電素子に限定されず、例えば、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエータなどを使用することができる。 Further, although the piezoelectric element is used as the pressure generating means for ejecting ink droplets from the nozzle openings, the pressure generating means is not limited to the piezoelectric element. For example, a heating element is arranged in the pressure generating chamber, and the heating element is arranged. So that droplets are ejected from the nozzle opening by bubbles generated by the heat generated by the nozzle, and so-called static electricity is generated between the diaphragm and the electrode, and the diaphragm is deformed by electrostatic force to eject the droplet from the nozzle opening. An electrostatic actuator or the like can be used.
さらに、上述した実施形態においては、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を一例として本発明を説明したが、これに限定されず、本発明は、広く液体噴射ヘッドの製造方法全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものの製造方法にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオchip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。 Furthermore, in the above-described embodiment, the present invention has been described with respect to an example of a method for manufacturing an ink jet recording head. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is intended for a wide range of methods for manufacturing a liquid jet head. Of course, the present invention can also be applied to a manufacturing method for ejecting liquids other than ink. Other liquid ejecting heads include, for example, various recording heads used in image recording apparatuses such as printers, color material ejecting heads used in the manufacture of color filters such as liquid crystal displays, organic EL displays, and FEDs (surface emitting displays). Examples thereof include an electrode material ejection head used for electrode formation, a bioorganic matter ejection head used for biochip production, and the like.
また、本発明は、上述した液体噴射ヘッドの製造だけでなく、シリコンウェハの一方面を封止し、その状態でシリコンウェハの他方面をエッチング等して処理するシリコンウェハの処理に適用することが可能である。この場合でも、シリコンウェハと封止シートとの接着領域からの製品部分への接着剤層の流れ出しを有効に防止することができ、シリコンウェハの一方面側を高品質に保つことができる。したがって、歩留まりを向上することができる。 Further, the present invention is applied not only to the manufacture of the liquid jet head described above, but also to processing of a silicon wafer in which one side of a silicon wafer is sealed and the other side of the silicon wafer is processed by etching or the like in that state. Is possible. Even in this case, it is possible to effectively prevent the adhesive layer from flowing out from the bonded area between the silicon wafer and the sealing sheet to the product portion, and it is possible to maintain the one surface side of the silicon wafer with high quality. Therefore, the yield can be improved.
勿論、本発明では、上述したシリコンウェハの処理方法を、配線パターン等をシリコンウェハの一方面側に形成すると共にシリコンウェハの他方面をエッチング処理して凹部等を形成することで行われるシリコンデバイスの製造方法に適用してもよく、この場合でも、上述したのと同様作用効果を得ることができる。 Of course, in the present invention, the silicon wafer processing method described above is performed by forming a wiring pattern or the like on one side of the silicon wafer and etching the other side of the silicon wafer to form a recess or the like. In this case, the same effect as described above can be obtained.
10 流路形成基板、 11 隔壁、 12 圧力発生室、 13 連通部、 14 インク供給路、 20 ノズルプレート、 21 ノズル開口、 30 保護基板、 50 弾性膜、 60 下電極膜、 70 圧電体層、 80 上電極膜、 100 流路形成基板用ウェハ、 110 リザーバ、 130 保護基板用ウェハ、 140 封止シート、 150 保護シート、 160 板部材、 200 接着剤層、 300 圧電素子
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記シリコンウェハの一方面上に前記封止シートを接着する際に、前記シリコンウェハと前記封止シートとを接着する前の前記接着剤層の厚さを前記保護シートの厚さ以上とすると共に、前記接着剤層の厚さが前記保護シートの厚さ以上の状態で前記シリコンウェハと前記封止シートとの間での前記接着剤層の押圧を停止するようにしたことを特徴とするシリコンウェハの処理方法。 A silicon wafer processing method of adhering a sealing sheet with an adhesive layer in a state where a protective sheet is interposed on one side of a silicon wafer, and then etching the other side of the silicon wafer,
When adhering the sealing sheet on one surface of the silicon wafer, the thickness of the adhesive layer before adhering the silicon wafer and the sealing sheet is set to be equal to or greater than the thickness of the protective sheet. The silicon is characterized in that pressing of the adhesive layer between the silicon wafer and the sealing sheet is stopped when the thickness of the adhesive layer is equal to or greater than the thickness of the protective sheet. Wafer processing method.
A flow path forming substrate which is a silicon wafer in which a pressure generating chamber communicating with a nozzle opening for ejecting liquid is formed and a flow path forming substrate having pressure generating means for generating pressure in the pressure generating chamber is integrally formed After bonding a bonding substrate wafer, which is a silicon wafer in which a bonding substrate provided corresponding to the flow path forming substrate is integrally formed on the bonding wafer, a protective sheet is placed on the surface of the bonding substrate wafer. When adhering the sealing sheet with the adhesive layer in an interposed state, the thickness of the adhesive layer before adhering the bonding substrate wafer and the sealing sheet is equal to or greater than the thickness of the protective sheet. And stopping the pressing of the adhesive layer between the bonding substrate wafer and the sealing sheet in a state where the thickness of the adhesive layer is equal to or greater than the thickness of the protective sheet, Bonded substrate Bonding the wafer and said sealing sheet, then, the production method of the liquid ejecting head is characterized in that so as to form the pressure generating chamber by etching the passage forming wafer substrate.
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05209154A (en) * | 1991-08-21 | 1993-08-20 | Seiko Epson Corp | Sheet material for bonding two members having small holes |
JPH0658810A (en) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Matsushita Electron Corp | Phase lattice type optical low pass filter |
JP2003303937A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Nec Electronics Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2005109406A (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Seiko Epson Corp | Transfer element and its joining method, transfer substrate, and electro-optical device |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05209154A (en) * | 1991-08-21 | 1993-08-20 | Seiko Epson Corp | Sheet material for bonding two members having small holes |
JPH0658810A (en) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Matsushita Electron Corp | Phase lattice type optical low pass filter |
JP2003303937A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Nec Electronics Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2005109406A (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Seiko Epson Corp | Transfer element and its joining method, transfer substrate, and electro-optical device |
JP2005153242A (en) * | 2003-11-21 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method for liquid jetting head |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009032974A (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | Manufacturing method and formation substrate of thin-film device, and manufacturing method of liquid injection head |
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