JP2007097048A - 過電流保護機能付き電子スイッチ装置 - Google Patents

過電流保護機能付き電子スイッチ装置 Download PDF

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Abstract

【課題】PNP型及びNPN型からなる出力回路を内蔵しながら、1つの過電流保護回路等で過電流保護を可能にする過電流保護機能付き電子スイッチ装置を提供する。
【解決手段】NPN出力回路と、NPN出力回路電流検知抵抗R2と、NPN出力回路の過電流判定を行う過電流判定回路と、NPN出力回路のNPN型トランジスタTr12の過流保護動作を行う過電流保護回路と、出力端子T3と接続され出力信号の極性を反転させる極性反転回路と、極性反転信号によりスイッチング動作するPNP型トランジスタTr21を有するPNP出力回路と、トランジスタTr21のエミッタ・電源ライン間に接続されたPNP出力回路電流検知抵抗R4と、検知抵抗R4により検知される電流により変化したトランジスタTr21のベースの電位変化を過電流判定回路の判定に用いる出力端子T3の電位V2に変化させる変換回路と、を備える。
【選択図】図1

Description

本発明は過電流保護機能付き電子スイッチ装置に関する。
例えば、過電流を検出する機能を持たせながら出力回路を構成する電子スイッチが知られている(特許文献1参照。)。この電子スイッチにおいては、トランジスタのベース電位と基準電位とを比較し、電位差が生じたときにトランジスタをオフ状態とし、過電流が出力回路に流れることを防いでいる。
ところで、この種の電子スイッチでは、その出力回路がPNP型トランジスタを用いて構成されたタイプとNPN型トランジスタを用いて構成されたタイプとの2種類があり、ユーザは、電子スイッチに接続する外部機器に合わせていずれかのタイプを選択するようにしていた。
ところが、上述した2種類の電子スイッチを用意しておくと、これらの電子スイッチの製品管理や製造コストが高くなる等の問題があり、PNP型トランジスタによって構成された出力回路とNPN型トランジスタによって構成された出力回路とを併設した汎用型の電子スイッチが求められている。
実公平3−46594号公報
しかしながら、電子スイッチの出力回路としてPNP型及びNPN型のトランジスタを備えるものとすると、過電流保護回路等を各出力回路に対応させて別個に設けなければならず、この過電流保護回路等を構成する部品点数が増加してしまうという問題があった。
本発明は、このような状況に鑑み提案されたものであって、PNP型及びNPN型からなる出力回路を内蔵しながら、1つの過電流保護回路等で過電流保護を可能にする過電流保護機能付き電子スイッチ装置を提供することを目的とする。
請求項1の発明は、IC回路の出力端子からの出力信号によってスイッチング動作するNPN型トランジスタを有するNPN出力回路と、前記NPN型トランジスタのエミッタとグランド(グランドライン)との間に接続されて前記NPN出力回路に流れる電流によって前記出力端子の電位を変化させるNPN出力回路電流検知抵抗と、前記IC回路内に設けられて前記NPN出力回路電流検知抵抗によって変化した前記出力端子の電位を検出することに基づいて前記NPN出力回路に過電流が流れたことを判定する過電流判定回路と、前記過電流判定回路の判定結果に基づいて前記NPN出力回路が有する前記NPN型トランジスタの過流保護動作を行わせる過電流保護回路と、前記IC回路の出力端子と接続されて前記出力信号の極性を反転させる極性反転回路と、前記極性反転回路と接続されてこの極性反転回路によって極性が反転した信号によりスイッチング動作するPNP型トランジスタを有するPNP出力回路と、前記PNP型トランジスタのエミッタと電源ラインとの間に接続されて前記PNP出力回路に流れる電流を検知するPNP出力回路電流検知抵抗と、前記PNP出力回路電流検知抵抗によって検知される電流によって変化した前記PNP型トランジスタのベースの電位を前記過電流判定回路の判定に用いる前記出力端子の電位に変化させる変換回路と、を備えるところに特徴を有する。
請求項2の発明は、請求項1において、前記PNP出力回路は第1及び第2のPNP型トランジスタを備え、前記変換回路は、前記IC回路の出力端子にエミッタを接続すると共にコレクタを前記NPN出力回路に接続した第3のPNP型トランジスタと、この第3のPNP型トランジスタのベースと接地ラインとの間に設けられた第1の抵抗と、前記第3のPNP型トランジスタのベース・エミッタ間に設けられた第2の抵抗と、前記第2のPNP型トランジスタのベースが前記第1のPNP型トランジスタのベースと共通接続されると共に前記第2のPNP型トランジスタのコレクタが前記第1の抵抗に接続されることで前記PNP出力回路に流れる電流に対応した電流を前記第1の抵抗に流し込むようにした電流検知用のPNP型トランジスタと、を備えるところに特徴を有する。
請求項3の発明は、IC回路の出力端子に引き込む出力信号によってスイッチング動作するPNP型トランジスタを有するPNP出力回路と、前記PNP型トランジスタのエミッタと電源ラインとの間に接続されて前記PNP出力回路に流れる電流によって前記出力端子の電位を変化させるPNP出力回路電流検知抵抗と、前記IC回路内に設けられて前記PNP出力回路電流検知抵抗によって変化した前記出力端子の電位を検出することに基づいて前記PNP出力回路に過電流が流れたことを判定する過電流判定回路と、前記過電流判定回路の判定結果に基づいて前記PNP出力回路が有する前記PNP型トランジスタの過流保護動作を行わせる過電流保護回路と、前記IC回路の出力端子と接続されて前記出力信号の極性を反転させる極性反転回路と、前記極性反転回路と接続されてこの極性反転回路によって極性が反転した信号を引き込むことによりスイッチング動作するNPN型トランジスタを有するNPN出力回路と、前記NPN型トランジスタのエミッタとグランド(グランドライン)との間に接続されて前記NPN出力回路に流れる電流を検知するNPN出力回路電流検知抵抗と、前記NPN出力回路電流検知抵抗によって検知される電流によって変化した前記NPN型トランジスタのベースの電位を前記過電流判定回路の判定に用いる前記出力端子の電位に変化させる変換回路と、を備えるところに特徴を有する。
請求項4の発明は、請求項3において、前記NPN出力回路は第1及び第2のNPN型トランジスタを備え、前記変換回路は、前記IC回路の出力端子にエミッタを接続すると共にコレクタを前記PNP出力回路に接続した第3のNPN型トランジスタと、この第3のNPN型トランジスタのベースと電源ラインとの間に設けられた第3の抵抗と、前記第3のNPN型トランジスタのベース・エミッタ間に設けられた第4の抵抗と、前記第2のNPN型トランジスタのベースが前記第1のNPN型トランジスタのベースと共通接続されると共に前記第2のNPN型トランジスタのコレクタが前記第3の抵抗に接続されることで前記NPN出力回路に流れる電流に対応した電流を前記第3の抵抗に流し込むようにした電流検知用のNPN型トランジスタと、を備えるところに特徴を有する。
<請求項1の発明>
本発明によれば、負荷がNPN出力回路に接続され、このNPN出力回路に流れる電流が変化(増加)すると、NPN出力回路電流検知抵抗がIC回路の出力端子の電位を変化させ、過電流判定回路が前記IC回路の出力端子の電位変化を検出してNPN出力回路に過電流が流れたと判定したときに、過電流保護回路が、NPN出力回路のNPN型トランジスタをオフ状態とし、このNPN型トランジスタに過電流が流れることを防止する。一方、負荷がPNP出力回路に接続され、このPNP出力回路に流れる電流が変化(増加)すると、変換回路が、このPNP出力回路に流れる電流によって変化した電位を、過電流判定回路の判定に用いる前記IC回路の出力端子の電位に変換し、この過電流判定回路が、PNP出力回路に過電流が流れたと判定したときに、PNP出力回路のPNP型トランジスタをオフ状態として、このPNP型トランジスタに過電流が流れることを防止する。
このように、1つの過電流判定回路及び1つの過電流保護回路によって、NPN出力回路もしくはPNP出力回路に過電流が流れることを防止することができるから、負荷がいずれの出力回路に接続されている場合であっても、1つの過電流保護回路等によって過電流が流れることを防止することができ、各出力回路毎に過電流保護回路等を設ける場合に比べて前記過電流保護回路等を構成する部品点数が増加することを抑制することができる。
<請求項2の発明>
本発明によれば、変換回路が、PNP出力回路に流れる電流に対応した電流を、接地ラインに接続された第1の抵抗に流し込むものであることから、抵抗を用いた簡易な構成によって、PNP出力回路に流れる電流を、過電流保護回路を動作させる電位変化に変換することができる。
<請求項3の発明>
本発明によれば、1つの過電流判定回路及び1つの過電流保護回路によって、PNP出力回路もしくはNPN出力回路に過電流が流れることを防止することができるから、負荷がいずれの出力回路に接続されている場合であっても、1つの過電流保護回路等によって過電流が流れることを防止することができ、各出力回路毎に過電流保護回路等を設ける場合に比べて前記過電流保護回路等を構成する部品点数が増加することを抑制することができる。
<請求項4の発明>
本発明によれば、変換回路が、NPN出力回路に流れる電流に対応した電流を、電源ラインに接続された第3の抵抗に流し込むものであることから、抵抗を用いた簡易な構成によって、NPN出力回路に流れる電流を、過電流保護回路を動作させる電位変化に変換することができる。
<実施形態1>
本発明の実施形態1を、図1及び図2を参照しつつ説明する。図1は、近接センサのIC回路20に接続された出力回路10を示すものである。この近接センサ(図示せず。)は、検出部が、被検出物を検出したときに、検出信号をIC回路20に送信する。このIC回路20は、検出信号を受信すると、例えば、電流を、後述するNPN型トランジスタTr12のベースに供給する。電流がこのトランジスタTr12のベースに供給されると、端子T1に接続された外部機器(例えばセンサ)の電源によって、電流が出力回路20に流入する。
出力回路10は、NPN出力回路とPNP出力回路とを備えている。この実施形態では、後述するNPN型トランジスタTr12及び抵抗R2,R3がNPN出力回路、後述するPNP型トランジスタTr21及び抵抗R4,R5がPNP出力回路に、それぞれ相当する。
図示の実施形態では、PNP型トランジスタTr11のエミッタが、IC回路20の出力端子T3と接続されている。このトランジスタTr11のベースは、抵抗R1を介して接地されている。この抵抗R1は、本発明の第1の抵抗に相当する。このトランジスタTr11のコレクタは、オープンコレクタとされたNPN型トランジスタTr12のベースと接続されている。このPNP型トランジスタTr11は、本発明の第3のPNP型トランジスタに相当する。
このNPN型トランジスタTr12のエミッタは、図示するように、抵抗R2を介して接地されていると共に、抵抗R3を介してベースと接続されている。この抵抗R2は、本発明のNPN出力回路電流検知抵抗を構成する。ここで、NPN出力回路電流検知抵抗には、抵抗成分を含むインピーダンス素子も含まれる。
一方、図示の実施形態では、オープンコレクタとされたPNP型トランジスタTr21のエミッタが、抵抗R4を介して電源Vと接続されている。このPNP型トランジスタTr21のエミッタは、抵抗R5を介してベースと接続されている。このPNP型トランジスタTr21は、本発明の第1のPNP型トランジスタに相当し、抵抗R4は、本発明のPNP出力回路電流検知抵抗を構成する。ここで、PNP出力回路電流検知抵抗には、抵抗成分を含むインピーダンス素子も含まれる。
このPNP型トランジスタTr21のベースは、NPN型トランジスタTr22のコレクタと接続されている。このNPN型トランジスタTr22は、エミッタが抵抗R6を介して接地されていると共に、ベースが、IC回路10の出力端子T3と前記トランジスタTr11のエミッタ及びベースに接続された抵抗R7との間に接続されている。この抵抗R7は、本発明の第2の抵抗、NPN型トランジスタTr22は、本発明の極性反転回路に相当する。
さらに、図示の実施形態では、電源Vと抵抗R4との間に、PNP型トランジスタTr23のエミッタが接続されている。このPNP型トランジスタTr23は、本発明の第2のPNP型トランジスタに相当する。PNP型トランジスタTr23のベースは、抵抗R8を介してエミッタと接続されていると共に、ダイオードDを介して前記トランジスタTr22のコレクタ及び前記トランジスタTr21のベースと接続されている。このPNP型トランジスタTr23のコレクタは、抵抗R9を介して、前記抵抗R1に接続されている。
次に、IC回路20の構成を、図2を用いて説明する。このIC回路20は、定電流源21を備えている。この定電流源21は、NPN型トランジスタTr31のコレクタと接続されている。この定電流源21と前記トランジスタTr31のコレクタとの間には、前記出力端子T3が接続されている。このトランジスタTr31のエミッタは、図示するように、接地ラインL1によって接地されている。
このIC回路20においては、定電流源21と出力端子T3とを接続する電流供給ラインL2に、NPN型トランジスタTr32のコレクタが接続されている。このトランジスタTr32は、ベースが電流供給ラインL2と接続されていると共に、エミッタがNPN型トランジスタTr33のコレクタと接続されている。このトランジスタTr33は、ベースが、コレクタ及びNPN型トランジスタTr34のベースと接続されていると共に、エミッタが接地ラインL1によって接地されている。ここで、IC回路20内のトランジスタTr32及びトランジスタTr33は、2つのダイオードを直列に接続した構成と等価である。前述した抵抗R7,R8の抵抗値は、トランジスタTr22が動作可能であり、かつトランジスタTr32及びトランジスタTr33によって規定される過電流判定用の電圧値(具体的には、0.6V×2=1.2V)よりも低い電圧を発生させるように設定されている。
NPN型トランジスタTr34は、コレクタが、負荷22(例えば抵抗)を介して電源Vと接続されていると共に、エミッタが接地ラインL1によって接地されている。この負荷22と前記トランジスタTr34のコレクタの間には、演算装置25が接続されている。この演算装置25は、前記トランジスタTr31のベースと接続されている。この実施形態では、演算装置25が、所定時間毎に電流をトランジスタTr31のベースに供給してこのトランジスタTr31をオン状態にして、図中の定電流源21からの電流をI6とし、この電流I6をグランド(大地)に流す。本発明の過電流判定回路は、各トランジスタTr32〜Tr34、負荷22及び演算装置25によって構成され、本発明の過電流保護回路は、トランジスタTr31及び演算装置25によって構成されている。
続いて、本実施形態の過電流保護動作について説明する。ここでは、外部機器をNPN出力回路の端子T1に接続した場合、外部機器をPNP出力回路の端子T2に接続した場合について、それぞれ説明する。
外部機器(例えばリレー)を前記端子T1に接続した場合には、次のようにして過電流がNPN出力回路に流れることを防止する。図2に図示するように、電流I1(出力信号に相当する。)が、定電流源21から電流供給ラインL2によって、出力端子T3に供給される。
PNP型トランジスタTr11及びNPN型トランジスタTr12は、図1から理解できるように、出力端子T3から供給される電流I1に基づいて、それぞれ通電状態(オン状態)となる。そして、電流が端子T1を介して外部機器から流入し、電流I2が過電流となった場合には、この電流I2の電流値と抵抗R2の抵抗値とを乗算した電圧V1が発生する。
この電圧V1が発生することにより、前記出力端子T3の端子電圧V2が増加する。この端子電圧V2が増加すると、図2に図示するNPN型トランジスタTr32,33を直列接続した(2つのダイオードを直列接続したものと等価である)両端の電圧が増加する。このとき、この両端の電圧値が、所定の電圧値(つまり、ダイオード2つ分、具体的には、0.6V×2=1.2V)以上になると、トランジスタTr32,33がオン状態となり、前記トランジスタTr34がオン状態となる。これによって、図示するように、電流I4が流れる。
電流I4が流れると、図示の電圧V3の電圧値が増加する。このとき、演算装置25は、電圧V3が増加した(トランジスタTr34がオン状態となった)ことを検出する。この演算装置25は、トランジスタTr34がオン状態となったことに対応させ、前記トランジスタTr31のベースに電流I5を供給してトランジスタTr31をオン状態にさせると共に、この電流I5を所定時間毎にトランジスタTr31のベースに供給する(トランジスタTr31のオン期間>>トランジスタTr31のオフ期間)。これによって、演算装置25は、前記電流I2が過電流となって電圧V3が増加すると、トランジスタTr31をオン状態とし、定電流源21からの電流をI6としてグランド(大地)に流すと共に、電流I1を停止状態としてNPN出力回路を停止させ、前記電流I2が、過電流となることを防止する。
一方、外部機器(例えばセンサ)を前記端子T2に接続した場合には、次のようにして過電流がPNP出力回路に流れることを防止する。PNP型トランジスタTr21は、図1から理解できるように、電源Vによって、電流I12が流れて通電状態(オン状態)となる。
NPN型トランジスタTr22は、定電流源21によって電流I13がベースに供給されて通電状態(オン状態)となる。また、PNPトランジスタTr23は、抵抗R4が過電流を検出したときに、通電状態(オン状態)となる。
例えば、端子T2に接続された外部機器(ここではセンサ)が短絡し、電流I12が過電流になると、電圧V5の電圧が増加する。過電流になると、トランジスタTr23がオン状態となり、電流I17が流れる。そして、電流I17が流れると、電流I18の電流値と抵抗R9の抵抗値とを乗算した電圧V6が発生する。
この電圧V6が発生することにより、前記出力端子T3の端子電圧V2が増加する。この端子電圧V2が増加すると、演算装置25が、前記電流I13を所定時間に亘って停止させると共に、この電流I13を所定時間毎にトランジスタTr22のベースに供給する(トランジスタTr22のオフ期間>>トランジスタTr22のオン期間)。
この電流I13が停止することにより、電流I12を停止させ、過電流がトランジスタTr21に流れることを防止する。
本実施形態では、上述したように、外部機器(例えばリレー)を端子T1に接続した場合には、電流I2が過電流になると、演算装置25が、各トランジスタTr32〜Tr34及び負荷22を介して端子電圧V2の変化を検出し、トランジスタTr31をオン状態にしてNPN出力回路を停止させ、過電流が流れることを防止する。
また、外部機器(例えばセンサ)を端子T2に接続した場合においても、電流I12が過電流になると、演算装置25が、各トランジスタTr32〜Tr34及び負荷22を介して端子電圧V2の変化を検出し、トランジスタTr31をオン状態にしてPNP出力回路を停止させ、過電流が流れることを防止する。
本実施形態では、外部機器をいずれの端子T1,T2に接続した場合であっても、演算装置25等が、端子電圧V2の変化を検出し、過電流が流れることを防止することができるから、演算装置25等を、各端子T1,T2に接続された出力回路毎に設ける必要がない。このため、演算装置25等を各出力回路(NPN出力回路,PNP出力回路)毎に設ける場合に比べてこの演算装置25等を構成する部品点数が増加することを抑制することができる。
さらに、本実施形態では、図1に図示するように、電流I12が過電流になると、トランジスタTr23がオン状態となって電流I17が流れ、電流I18が抵抗R1に流れて電圧V6(グランド(大地)に対するトランジスタTr11のベース電位(電圧))が発生し、端子電圧V2を増加(グランド(大地)に対す出力端子T3の電位(電圧)を増加)させ、演算装置25等を働かせることができる。これにより、PNP出力回路に流れる電流I12の変化(過電流)を、トランジスタTr11のベース電位(電圧)の変化に変換して、演算装置25等を働かせる端子電圧V2の変化に変換することができる。
<実施形態2>
本発明の実施形態2を、図3及び図4を参照しつつ説明する。ここでは、実施形態1と同一の構成は同一に符号を付しその説明を省略する。図3は、近接センサのIC回路20Aに接続された出力回路10Aを示すものである。
出力回路10Aは、PNP出力回路とNPN出力回路とを備えている。この実施形態では、後述するPNP型トランジスタTr42及び抵抗R12,R13がPNP出力回路、後述するNPN型トランジスタTr51及び抵抗R14,R15がNPN出力回路に、それぞれ相当する。
図示の実施形態では、NPN型トランジスタTr41のエミッタが、IC回路20Aの出力端子T4と接続されている。このトランジスタTr41のベースには、電源Vが抵抗R11を介して接続されている。この抵抗R11は、本発明の第3の抵抗に相当する。このトランジスタTr41のコレクタは、オープンコレクタとされたPNP型トランジスタTr42のベースと接続されている。このNPN型トランジスタTr41は、本発明の第3のNPN型トランジスタに相当する。
このPNP型トランジスタTr42のエミッタは、図示するように、電源Vが抵抗R12を介して接続されていると共に、抵抗R13を介してベースと接続されている。この抵抗R12が、本発明のPNP出力回路電流検知抵抗を構成する。ここで、PNP出力回路電流検知抵抗には、抵抗成分を含むインピーダンス素子も含まれる。
一方、図示の実施形態では、オープンコレクタとされたNPN型トランジスタTr51のエミッタが、抵抗R14を介して接地されている。このNPN型トランジスタTr51のエミッタは、抵抗R15を介してベースと接続されている。このNPN型トランジスタTr51は、本発明の第1のNPN型トランジスタに相当し、抵抗R14は、本発明のNPN出力回路電流検知抵抗を構成する。ここで、NPN出力回路電流検知抵抗には、抵抗成分を含むインピーダンス素子も含まれる。
このNPN型トランジスタTr51のベースは、PNP型トランジスタTr52のコレクタと接続されている。このNPN型トランジスタTr52は、エミッタが、抵抗R16を介して電源Vと接続されていると共に、ベースが、IC回路20の出力端子T4と前記トランジスタTr41のエミッタ及びベースに接続された抵抗R17との間に接続されている。この抵抗R17は、本発明の第4の抵抗に相当し、PNP型トランジスタTr52は、本発明の極性反転回路に相当する。
さらに、図示の実施形態では、NPN型トランジスタTr53のエミッタが接地されている。このNPN型トランジスタTr53は、本発明の第2のNPN型トランジスタに相当する。NPN型トランジスタTr53のベースは、抵抗R18を介してエミッタと接続されていると共に、ダイオードDを介し、前記トランジスタTr52のコレクタ及びトランジスタTr51のベースと接続されている。このNPN型トランジスタTr53のコレクタは、抵抗R19を介して、前記抵抗R11と接続されている。
次に、IC回路20Aの構成を、図4を用いて説明する。このIC回路20Aにおいては、図示するように、PNP型トランジスタTr61のエミッタが、電源ラインL5と接続されている。このトランジスタTr61のエミッタは、定電流源21を介して接地されている。このトランジスタTr61のエミッタと定電流源21との間には、前記出力端子T4が接続されている。
このIC回路20Aにおいては、PNP型トランジスタTr62のエミッタが、電源ラインL5と接続されている。PNP型トランジスタTr62は、コレクタが、このトランジスタTr62のベース及びPNP型トランジスタTr63のエミッタと接続されている。このトランジスタTr63は、ベース及びコレクタが、電流引込ラインL6に接続されている。ここで、IC回路20A内のトランジスタTr62及びトランジスタTr63は、2つのダイオードを直列に接続した構成と等価である。前述した抵抗R17,R18の抵抗値は、トランジスタTr52が動作可能であり、かつトランジスタTr62及びトランジスタTr63によって規定される過電流判定用の電圧値(具体的には、0.6V×2=1.2V)よりも低い電圧を発生させるように設定されている。
また、電源ラインL5には、PNP型トランジスタTr64のエミッタが接続されている。このトランジスタTr64は、ベースが、前記トランジスタTr62のベースと接続されていると共に、コレクタが、負荷22を介して接地されている。
この負荷22と前記トランジスタTr64のコレクタとの間には、演算回路25が接続されている。この演算回路25は、前記トランジスタTr61のベースに接続されている。この実施形態では、演算装置25が、所定時間毎に電流をトランジスタTr61のベースに供給してこのトランジスタTr61をオン状態にし、図中の電流I21を停止状態にする。本発明の過電流判定回路は、各トランジスタTr62〜Tr64、負荷22及び演算回路25によって構成され、本発明の過電流保護回路は、トランジスタTr61及び演算回路25によって構成されている。
次に、本実施形態の過電流保護動作について説明する。ここでは、外部機器をPNP出力回路の端子T5に接続した場合、外部機器をNPN出力回路の端子T6に接続した場合について、それぞれ説明する。
外部機器(例えばセンサ)を前記端子T5に接続した場合には、次のようにして過電流がPNP出力回路に流れることを防止する。図3に図示するように、電流I21が、電源Vによって、出力端子T4に供給される。
NPN型トランジスタTr41及びPNP型トランジスタTr42は、電源Vによって、それぞれ通電状態(オン状態)となる。例えば、端子T5に接続された外部機器が短絡し、電流I22が過電流になると、電圧V11の電圧が増加(グランドに対して電源電圧から電圧V11分だけ低下)する。これによって、前記出力端子T4の端子電圧V12が増加(グランドから見た場合には、出力端子T4の電位が、電源電圧から電圧V12分だけ低下)する。
この端子電圧V12が増加すると、電流I24(図4参照。)の電流量が増加し、図示の電圧V13の電圧が増加(グランド(大地)に対する出力端子T4の電位(電圧)が低下)する。このとき、演算装置25は、電圧V13の電圧が増加したことを検出する。この演算装置25は、電圧V13の増加量に対応させ、前記トランジスタTr61のベースに電流I25を供給してトランジスタTr61をオン状態にさせる(具体的には、この電流I25を、所定時間毎にトランジスタTr61のベースに供給する(トランジスタTr61のオン期間>>トランジスタTr61のオフ期間))。これによって、演算装置25は、前記電流I22が過電流となって端子電圧V12の電圧が増加(グランド(大地)に対する出力端子T4の電位(電圧)が低下)すると、トランジスタTr61をオン状態とし、電流I21を停止状態として、前記電流I22が、過電流となることを防止する。
一方、外部機器(例えばリレー)を前記端子T6に接続した場合には、次のようにして過電流がNPN出力回路に流れることを防止する。電流が端子T6を介して外部機器から流入し、電流I32が過電流になった場合には、この電流I32の電流値と抵抗R14の抵抗値とを乗算した電圧V14の電圧が増加(電圧V14の電圧値が上昇)する。
この電圧V14が増加することにより、電圧V15が増加する。電圧V15が増加すると、電流I34が流れて電流が前記トランジスタTr53のベースに供給され、電流I35が流れる。この電流I35が流れると、抵抗R11に流れる電流により、電圧V16の電圧が増加する。これによって、端子電圧V12が増加する。
この端子電圧V12が増加すると、上述したように、演算装置25が、トランジスタTr61のベースに前記電流I25を供給してこのトランジスタTr61をオン状態にする。(具体的には、この電流I25を所定時間毎にトランジスタTr61のベースに供給する(トランジスタTr61のオン期間>>トランジスタTr61のオフ期間))。これによって、上述したように、電流I21を停止状態にする。
電流I21が停止状態になると、電流I37,I38のそれぞれの電流も流れ難くなる。これによって、トランジスタTr51がオフ状態にされて、電流I32が過電流になることを防止する。
本実施形態では、上述したように、外部機器(例えばセンサ)を端子T5に接続した場合には、電流I22が過電流になると、演算装置25が、各トランジスタTr62〜Tr64及び負荷22を介して端子電圧V12の変化を検出し、電流I21を停止状態として、過電流が流れることを防止する。
また、外部機器(例えばリレー)を端子T6に接続した場合においても、電流I32が過電流になると、演算装置25が、各トランジスタTr62〜Tr64及び負荷22を介して端子電圧V12の変化を検出し、電流I21を停止状態とし、過電流が流れることを防止する。
本実施形態では、外部機器をいずれの端子T5,T6に接続した場合であっても、演算装置25等が、端子電圧V12の変化を検出し、過電流が流れることを防止することができるから、演算装置25等を、各端子T5,T6に接続された出力回路毎に設ける必要がない。このため、演算装置25等を各出力回路(PNP出力回路,NPN出力回路)毎に設ける場合に比べてこの演算装置25等を構成する部品点数が増加することを抑制することができる。
さらに、本実施形態では、図3に図示するように、電流I32が過電流になると、電流が抵抗R11に流れて電圧V16の電圧が増加(グランド(大地)に対するトランジスタTr41のベース電圧(電位)が下降)し、端子電圧V12を増加(グランド(大地)に対する出力端子T4の電位(電圧)を低下)させ、演算装置25等を働かせることができる。そこで、図示するように、トランジスタTr41及び抵抗R11,R19を用いた回路を構成することによって、NPN出力回路に流れる電流I32の変化(過電流)を、トランジスタTr41のベース電圧(電位)の変化に変換して、演算装置25等を働かせる端子電圧V12の変化に変換することができる。
<他の実施形態>
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内において構成の一部を適宜変更して実施することができる。実施形態1,2では、演算装置25は、過電流がNPN出力回路やPNP出力回路を連続して流れることを防ぐため、電流I5,I25を、それぞれ所定時間毎にNPN型トランジスタTr31,PNP型トランジスタTr61の各ベースに供給(各トランジスタTr31,Tr61のオン期間>>各トランジスタTr31,Tr61のオフ期間となる期間で断続的に供給)しているが、この演算装置25は、過電流が各出力回路を流れないようにするため、電流(I5,I25)を、前記トランジスタTr31,Tr61の各ベースに連続して供給(IC回路20から供給される電流I1,IC回路20Aに引き込まれる電流I21を、それぞれ完全に停止)してもよい。
本発明の実施形態1に係る出力回路の構成図 実施形態1の出力回路に接続されるIC回路の概略内部構成図 本発明の実施形態2に係る出力回路の構成図 実施形態2の出力回路に接続されるIC回路の概略内部構成図
符号の説明
10,10A…出力回路
20,20A…IC回路
21…定電流源
22…負荷(過電流判定回路)
25…演算装置(過電流判定回路,過電流保護回路)
R1…抵抗(第1の抵抗)
R2…抵抗(第1実施形態のNPN出力回路,第1実施形態のNPN出力回路電流検知抵抗)
R3…抵抗(第1実施形態のNPN出力回路)
R4…抵抗(第1実施形態のPNP出力回路,第1実施形態のPNP出力回路電流検知抵抗)
R5…抵抗(第1実施形態のPNP出力回路)
R7…抵抗(第2の抵抗)
R11…抵抗(第3の抵抗)
R12…抵抗(第2実施形態のPNP出力回路,第2実施形態のPNP出力回路電流検知抵抗)
R13…抵抗(第2実施形態のPNP出力回路)
R14…抵抗(第2実施形態のNPN出力回路,第2実施形態のNPN出力回路電流検知抵抗)
R15…抵抗(第2実施形態のNPN出力回路)
R17…抵抗(第4の抵抗)
T3,T4…IC回路の出力端子
Tr11…PNP型トランジスタ(第3のPNP型トランジスタ)
Tr12…第1実施形態のNPN出力回路のNPN型トランジスタ(NPN出力回路)
Tr21…第1実施形態のPNP出力回路のPNP型トランジスタ(PNP出力回路,第1のPNP型トランジスタ)
Tr22…NPN型トランジスタ(第1実施形態の極性反転回路)
Tr23…第1実施形態のPNP出力回路のPNP型トランジスタ(第2のPNP型トランジスタ)
Tr31…NPN型トランジスタ(第1実施形態の過電流保護回路)
Tr32〜Tr34…NPN型トランジスタ(第1実施形態の過電流判定回路)
Tr41…NPN型トランジスタ(第3のNPN型トランジスタ)
Tr42…第2実施形態のPNP出力回路のPNP型トランジスタ(PNP出力回路)
Tr51…第2実施形態のNPN出力回路のNPN型トランジスタ(NPN出力回路,第1のNPN型トランジスタ)
Tr52…PNP型トランジスタ(第2実施形態の極性反転回路)
Tr53…第2実施形態のNPN出力回路のNPN型トランジスタ(第2のNPN型トランジスタ)
Tr61…PNP型トランジスタ(第2実施形態の過電流保護回路)
Tr62〜Tr64…PNP型トランジスタ(第2実施形態の過電流判定回路)

Claims (4)

  1. IC回路の出力端子からの出力信号によってスイッチング動作するNPN型トランジスタを有するNPN出力回路と、
    前記NPN型トランジスタのエミッタとグランドとの間に接続されて前記NPN出力回路に流れる電流によって前記出力端子の電位を変化させるNPN出力回路電流検知抵抗と、
    前記IC回路内に設けられて前記NPN出力回路電流検知抵抗によって変化した前記出力端子の電位を検出することに基づいて前記NPN出力回路に過電流が流れたことを判定する過電流判定回路と、
    前記過電流判定回路の判定結果に基づいて前記NPN出力回路が有する前記NPN型トランジスタの過流保護動作を行わせる過電流保護回路と、
    前記IC回路の出力端子と接続されて前記出力信号の極性を反転させる極性反転回路と、
    前記極性反転回路と接続されてこの極性反転回路によって極性が反転した信号によりスイッチング動作するPNP型トランジスタを有するPNP出力回路と、
    前記PNP型トランジスタのエミッタと電源ラインとの間に接続されて前記PNP出力回路に流れる電流を検知するPNP出力回路電流検知抵抗と、
    前記PNP出力回路電流検知抵抗によって検知される電流によって変化した前記PNP型トランジスタのベースの電位を前記過電流判定回路の判定に用いる前記出力端子の電位に変化させる変換回路と、
    を備えることを特徴とする過電流保護機能付き電子スイッチ装置。
  2. 前記PNP出力回路は第1及び第2のPNP型トランジスタを備え、前記変換回路は、前記IC回路の出力端子にエミッタを接続すると共にコレクタを前記NPN出力回路に接続した第3のPNP型トランジスタと、この第3のPNP型トランジスタのベースと接地ラインとの間に設けられた第1の抵抗と、前記第3のPNP型トランジスタのベース・エミッタ間に設けられた第2の抵抗と、前記第2のPNP型トランジスタのベースが前記第1のPNP型トランジスタのベースと共通接続されると共に前記第2のPNP型トランジスタのコレクタが前記第1の抵抗に接続されることで前記PNP出力回路に流れる電流に対応した電流を前記第1の抵抗に流し込むようにした電流検知用のPNP型トランジスタと、を備える請求項1記載の過電流保護機能付き電子スイッチ装置。
  3. IC回路の出力端子に引き込む出力信号によってスイッチング動作するPNP型トランジスタを有するPNP出力回路と、
    前記PNP型トランジスタのエミッタと電源ラインとの間に接続されて前記PNP出力回路に流れる電流によって前記出力端子の電位を変化させるPNP出力回路電流検知抵抗と、
    前記IC回路内に設けられて前記PNP出力回路電流検知抵抗によって変化した前記出力端子の電位を検出することに基づいて前記PNP出力回路に過電流が流れたことを判定する過電流判定回路と、
    前記過電流判定回路の判定結果に基づいて前記PNP出力回路が有する前記PNP型トランジスタの過流保護動作を行わせる過電流保護回路と、
    前記IC回路の出力端子と接続されて前記出力信号の極性を反転させる極性反転回路と、
    前記極性反転回路と接続されてこの極性反転回路によって極性が反転した信号を引き込むことによりスイッチング動作するNPN型トランジスタを有するNPN出力回路と、
    前記NPN型トランジスタのエミッタとグランドとの間に接続されて前記NPN出力回路に流れる電流を検知するNPN出力回路電流検知抵抗と、
    前記NPN出力回路電流検知抵抗によって検知される電流によって変化した前記NPN型トランジスタのベースの電位を前記過電流判定回路の判定に用いる前記出力端子の電位に変化させる変換回路と、
    を備える過電流保護機能付き電子スイッチ装置。
  4. 前記NPN出力回路は第1及び第2のNPN型トランジスタを備え、前記変換回路は、前記IC回路の出力端子にエミッタを接続すると共にコレクタを前記PNP出力回路に接続した第3のNPN型トランジスタと、この第3のNPN型トランジスタのベースと電源ラインとの間に設けられた第3の抵抗と、前記第3のNPN型トランジスタのベース・エミッタ間に設けられた第4の抵抗と、前記第2のNPN型トランジスタのベースが前記第1のNPN型トランジスタのベースと共通接続されると共に前記第2のNPN型トランジスタのコレクタが前記第3の抵抗に接続されることで前記NPN出力回路に流れる電流に対応した電流を前記第3の抵抗に流し込むようにした電流検知用のNPN型トランジスタと、を備える請求項3記載の過電流保護機能付き電子スイッチ装置。
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