JP2007096117A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007096117A JP2007096117A JP2005285430A JP2005285430A JP2007096117A JP 2007096117 A JP2007096117 A JP 2007096117A JP 2005285430 A JP2005285430 A JP 2005285430A JP 2005285430 A JP2005285430 A JP 2005285430A JP 2007096117 A JP2007096117 A JP 2007096117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- transparent electrode
- emitting element
- lens
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【課題】 半導体層にダメージを与えることなく、屈折率差に基づく光取出しの制約を解消することのできる発光素子を提供する。
【解決手段】 透明電極15の表面に熱架橋性の樹脂からなる複数のレンズ18Cを備えたレンズ部18を設けることで、透明電極15から入射する青色光をレンズ形状に基づいて集光し、効率良く外部放射させることができる。また、エッチング等によって半導体層や透明電極を加工しないので、エッチングダメージによる発光効率の低下が生じないものとできる。
【選択図】 図1
【解決手段】 透明電極15の表面に熱架橋性の樹脂からなる複数のレンズ18Cを備えたレンズ部18を設けることで、透明電極15から入射する青色光をレンズ形状に基づいて集光し、効率良く外部放射させることができる。また、エッチング等によって半導体層や透明電極を加工しないので、エッチングダメージによる発光効率の低下が生じないものとできる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体層を積層して形成された発光素子、より詳しくはGaN、InGaN等の窒化物半導体層が積層された発光素子に関し、特に、半導体層にダメージを与えることなく、屈折率差に基づく光取出しの制約を解消することのできる発光素子に関する。
従来、GaN、InGaN等の窒化物系半導体材料を下地基板であるサファイア基板上に結晶成長させて半導体層を形成することにより、紫外から可視領域で発光する半導体発光素子(以下、「発光素子」という。)が知られている。
このような発光素子において、半導体層に電圧を印加するためのn側およびp側の電極を半導体層側に形成し、電極形成部以外の部分をSiO2等の保護膜で覆う構成が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に記載される発光素子は、p型半導体層上にITO(Indium Tin Oxide)等からなる透明電極層を形成した後、フォトレジストを設けてエッチングを行うことによりn型半導体層を露出させ、このn型半導体層の露出部を含む発光素子表面にSiO2等の保護膜を設けたものである。
特許文献1に記載される発光素子によると、保護膜を設けることによる発光素子の保護と、マイグレーション現象による絶縁性の低下を抑制することができるが、一般に透明電極層と保護膜との屈折率差が大であり、素子内での発光に基づく光は透明電極層と保護膜との屈折率に基づく臨界角内に照射された光のみが保護膜に入射し、その他の光は直接的に入射することができない。
特に、高屈折率材料からなる半導体発光素子では、高屈折率領域から低屈折率領域への光の入射に臨界角に基づく制約が伴うことが高輝度化を阻む要因になっている。
かかる問題を解消するものとして、半導体層の光取出し側に凹凸加工を施し、光の外部への取出し効率を凹凸形状に基づいて改善するようにした発光素子がある(例えば、特許文献2参照。)。
特許文献2に記載される発光素子は、p型GaN層の表面にエッチングによってシリンドリカルレンズ状の複数の凸部を形成しており、そのことによって活性層から放出された光の取出し効率を高めている。
特開2005−19945号公報([0030]〜[0035]、図1)
特開2000−196152号公報([0022]、[0034]、図1)
しかし、特許文献2の発光装置によると、半導体層に対してエッチングによる表面形状加工を施しているため、半導体層にエッチングによるダメージを与えて発光むらや漏れ電流増大による発光効率の低下が生じるという問題がある。
従って、本発明の目的は、半導体層にダメージを与えることなく、屈折率差に基づく光取出しの制約を解消することのできる発光素子を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、光透過性の材料によって前記透明電極上に配列されたレンズ部と、前記レンズ部より小なる屈折率を有して前記レンズ部を覆う保護膜とを有する発光素子を提供する。
このような構成によれば、半導体積層構造部に光取出し加工を施すことなく、透明電極と保護膜との間に設けられるレンズ部の光学形状に基づいて臨界角に制約される光低屈折率部材側への光取出し性が高められる。
また、本発明は、上記目的を達成するため、第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、前記透明電極を覆う保護膜と、光透過性の材料によって前記保護膜上に配列されたレンズ部とを有する発光素子を提供する。
このような構成によれば、半導体積層構造部に光取出し加工を施すことなく、保護膜上に設けられるレンズ部の光学形状に基づいて臨界角に制約される光低屈折率部材側への光取出し性が高められる。
本発明の発光素子によれば、半導体層にダメージを与えることなく、屈折率差に基づく光取出しの制約を解消することができる。
[第1の実施の形態]
(発光素子1の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。
(発光素子1の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。
この発光素子1は、フェイスアップ型の発光素子として窒化物半導体材料をMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法に基づいてサファイア基板10上に結晶成長させることにより形成されており、サファイア基板10上には低温成長のAlNバッファ層11と、シリコン(Si)ドープのn−GaN層12と、発光する層としてInGaN層130とGaN障壁層131とが交互に積層されて形成されたMQW(Multiple-Quantum Well)13と、マグネシウム(Mg)ドープのp−GaN層14と、ITOからなる透明電極15と、SiO2からなる保護膜17と、透明電極15上に設けられる複数のレンズ18Cからなるレンズ部18とを有し、さらにp−GaN層14の表面にはp側電極としてのパッド電極16と、p−GaN層14からn−GaN層にかけての半導体層をエッチングにより除去することで露出させたn−GaN層14に設けられるn側電極19とを有し、n−GaN層12からp−GaN層14にかけて屈折率2.4の半導体積層構造部を構成している。
MQW13は、3層のIn0.25Ga0.85N井戸層130と、2層のGaN障壁層131とを交互に積層した6層構造を有する。
レンズ部18は、光透過性の樹脂材料をレンズ18Cに応じて所定のピッチでパターニング形成し、熱処理に基づいて半球状に変形させることによって形成されている。
図2は、第1の実施の形態に係る発光素子のレンズ部の形成工程を示す部分断面図である。以下に、第1の実施の形態の発光素子の製造方法について説明する。
まず、ウエハー状のサファイア基板10を有機洗浄の後、サファイア基板10をMOCVD装置内の成長炉のサセプタ上に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給して1200℃程度まで昇温する。これによりサファイア基板10上の表面に付着していた炭化水素ガスがある程度取り除かれる。
次に、サファイア基板10の温度を400℃程度まで降温し、TMA(トリメチルアルミニウム)及びNH3(アンモニア)を供給してサファイア基板10上に50nm程度の膜厚のAlNバッファ層11を形成する。
次に、TMAの供給を止め、基板温度を1000℃まで上げ、NH3、TMG(トリメチルガリウム)、SiH4(シラン)を供給してキャリア濃度5×1018/cm3のn−GaN層12を形成する。
次に、サファイア基板10にNH3、TMG、及びTMI(トリメチルインジウム)を供給して膜厚30ÅのIn0.25Ga0.85N井戸層130を形成する。
次に、サファイア基板10にNH3及びTMGを供給して170Åの膜厚のGaN障壁層131を形成する。
次に、上記したIn0.25Ga0.85N井戸層130及びGaN障壁層131の成長条件に基づいて合計3層のIn0.25Ga0.85N井戸層130と合計2層のGaN障壁層131より成るMQW13を形成する。
次に、サファイア基板10にTMA,TMG、NH3、及びCp2Mg(ビスシクロペンタディエニルマグネシウム)を供給して膜厚200Åのマグネシウムドープのp−GaN層14を形成する。
次に、所定のエッチャントを使用して、p−GaN層14、MQW13、及びn−GaN層12の一部を除去してn−GaN層12を露出させる。
次に、図2(a)および(b)に示すように、p−GaN層14の表面にスパッタリングによって屈折率2.0のITOを付着させることにより透明電極15を形成する。
次に、透明電極15の表面にAuからなるパッド電極16をパターン形成する。
次に、エッチャントで露出させたn−GaN層12の表面にスパッタリングによってバナジウムおよびアルミニウム合金からなるn側電極19を形成する。
次に、図2(c)に示すように透明電極15の表面に共重合樹脂である屈折率1.63のポリスチレン−ポリヒドロキシスチレンを主骨格とする感光性樹脂材料18Aを膜状に形成する。
次に、図2(d)に示すように、感光性樹脂材料18Aを露光し、現像を行うことにより2μm角のパターン18Bを2μm間隔で形成する。
次に、図2(e)に示すように、140℃で5分間の熱処理を行うことで共重合樹脂のパターンを半球状に変形させる。さらに170℃で5分の熱処理を行い、共重合樹脂を熱架橋して透明なレンズ18Cを形成する。このようにして得られたレンズ18Cの径は2.4μmであった。
次に、屈折率1.47のSiO2を用いて、CVDによりSiO2膜を設け、フォトリソグラフィーによるマスクパターニング、およびエッチングを行って電極形成領域以外の部分に保護膜17を形成する。なお、このエッチングに基づいて電極形成領域に付着した共重合樹脂も除去する。
次に、保護膜17の形成されたウエハーに対してダイシング、スクライブ、およびブレーキングを施すことにより、規定サイズの素子単位に分割する。
このようにして形成された発光素子1に対して、パッド電極16およびn側電極19にボンディングされた図示しないAuワイヤを介して順方向の電圧を印加すると、MQW13のIn0.25Ga0.85N井戸層130においてホール及びエレクトロンのキャリア再結合に基づく発光が生じる。発光に基づく光は発光波長460〜470nmの青色光であり、透明電極15、レンズ部18、および保護膜17を介して素子外部へ放射される。レンズ部18を介した青色光は光学形状に基づいて集光される。なお、一部の青色光はレンズ部18を介さずに素子外部へ放射される。
(第1の実施の形態の効果)
本発明の第1の実施の形態によると、透明電極15の表面に熱架橋性の樹脂からなる複数のレンズ18Cを備えたレンズ部18を設けることで、透明電極15から入射する青色光をレンズ形状に基づいて集光し、効率良く外部放射させることができる。また、エッチング等によって半導体層や透明電極を加工しないので、エッチングダメージによる発光効率の低下が生じないものとできる。
本発明の第1の実施の形態によると、透明電極15の表面に熱架橋性の樹脂からなる複数のレンズ18Cを備えたレンズ部18を設けることで、透明電極15から入射する青色光をレンズ形状に基づいて集光し、効率良く外部放射させることができる。また、エッチング等によって半導体層や透明電極を加工しないので、エッチングダメージによる発光効率の低下が生じないものとできる。
また、レンズ部18を構成するポリスチレン−ポリヒドロキシスチレンの屈折率はITOより低く、また、保護膜17の屈折率より大であるので、レンズ部18と保護膜17との界面で界面反射が生じ、そのことによる光取出し性の向上を図れる。本発明者によれば、半球状のレンズ18Cを持たない発光素子との比較において、約20%の全放射束の向上を確認している。
なお、第1の実施の形態では、レンズ部18を形成する材料としてポリスチレン−ポリヒドロキシスチレンを用いたレンズ部18を説明したが、これに限定されず、透明電極15の屈折率と保護膜17の屈折率との間の屈折率を有する材料であれば良い。例えば、フェノールノボラック樹脂、アダバンチルメタクリレート等の他のアクリル系樹脂、シリコン系のシロキサン樹脂、シルセスキオキサン樹脂を用いることができる。
また、レンズ部18のサイズについても上記した数値に限定されるものではなく、適切な値を設定して設けることができる。
[第2の実施の形態]
(発光素子1の構成)
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同様の構成および機能を有する部分については共通する符号を付している。
(発光素子1の構成)
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同様の構成および機能を有する部分については共通する符号を付している。
この発光素子1は、第1の実施の形態で説明したものと同様のフェイスアップ型の発光素子であり、透明電極15の表面保護として設けた屈折率2.0のSiNからなる保護膜20の上にレンズ部18を設け、その上に保護膜17を設けている点で第1の実施の形態と相違している。
図4は、第2の実施の形態に係る発光素子のレンズ部の形成工程を示す部分断面図である。なお、半導体積層構造部の形成工程については第1の実施の形態と同様であるので、透明電極15の形成工程以降で第1の実施の形態と相違する部分について説明する。
まず、図4(a)および(b)に示すように、p−GaN層14の表面にスパッタリングによって屈折率2.0のITOを付着させることにより透明電極15を形成する。
次に、図4(c)に示すように、透明電極15の表面に屈折率2.0のSiNからなる保護膜20を形成する。
次に、図4(d)に示すように保護膜20の表面に共重合樹脂である屈折率1.63のポリスチレン−ポリヒドロキシスチレンを主骨格とする感光性樹脂材料18Aを膜状に形成する。
次に、図4(e)に示すように、感光性樹脂材料18Aを露光し、現像を行うことにより2μm角のパターン18Bを2μm間隔で形成する。
次に、図4(f)に示すように、140℃で5分間の熱処理を行うことで共重合樹脂のパターンを半球状に変形させる。さらに150℃で5分の熱処理を行い、共重合樹脂を熱架橋して透明なレンズ18Cを形成する。このようにして得られたレンズ18Cの径は2.4μmであった。
このようにして形成された発光素子1の発光に基づく青色光は、透明電極15、保護膜20、レンズ部18、および保護膜17を介して素子外部へ放射される。レンズ部18を介した青色光は光学形状に基づいて集光される。なお、一部の青色光はレンズ部18を介さずに素子外部へ放射される。
(第2の実施の形態の効果)
本発明の第2の実施の形態によると、透明電極15の表面保護として保護膜20を設けた上に熱架橋性の樹脂からなる複数のレンズ18Cを備えたレンズ部18を設けることで、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて透明電極15にエッチングダメージや水分の及ばない安定した構成とすることができる。保護膜20は透明電極15と同等の屈折率を有するので、光透過性を阻害することはない。
本発明の第2の実施の形態によると、透明電極15の表面保護として保護膜20を設けた上に熱架橋性の樹脂からなる複数のレンズ18Cを備えたレンズ部18を設けることで、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて透明電極15にエッチングダメージや水分の及ばない安定した構成とすることができる。保護膜20は透明電極15と同等の屈折率を有するので、光透過性を阻害することはない。
なお、第2の実施の形態では、透明電極15の表面保護としてSiNからなる保護膜20を設けた構成を説明したが、これに限定されず、屈折率1.7〜2.0のSiONからなる保護膜20を設けたものであっても良い。
[第3の実施の形態]
(発光素子1の構成)
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。
(発光素子1の構成)
図5は、本発明の第3の実施の形態に係る発光素子の縦断面図である。
この発光素子1は、第1および第2の実施の形態で説明したものと同様のフェイスアップ型の発光素子であり、透明電極15の表面保護として設けた屈折率2.0のSiNからなる保護膜20の上にレンズ部18を設け、その上に保護膜17を設けているが、レンズ状の凸部180が接合部181で接合されている点で第2の実施の形態と相違している。即ち、第2の実施の形態では、レンズ状の凸部は各々独立(孤立)しているが、第3の実施の形態ではレンズ状の凸部が連続して形成されている。
図4は、第2の実施の形態に係る発光素子のレンズ部の形成工程を示す部分断面図である。なお、半導体積層構造部の形成工程については第1の実施の形態と同様であるので、透明電極15の形成工程以降で第1の実施の形態と相違する部分について説明する。
まず、図6(a)および(b)に示すように、p−GaN層14の表面にスパッタリングによって屈折率2.0のITOを付着させることにより透明電極15を形成する。
次に、図6(c)に示すように、透明電極15の表面に屈折率2.0のSiNからなる保護膜20を形成する。
次に、図6(d)に示すように保護膜20の表面に共重合樹脂である屈折率1.63のポリスチレン−ポリヒドロキシスチレンを主骨格とする感光性樹脂材料18Aを膜状に形成する。
次に、図6(e)に示すように、感光性樹脂材料18Aを露光し、現像を行うことにより2μm角のパターン18Bを0.5μm間隔で形成する。このとき、エッチングする部分の透明樹脂材料18Aを完全に除去しないようにする。
次に、図6(f)に示すように、140℃で5分間の熱処理を行うことで共重合樹脂のパターンを半球状に変形させる。このことにより形成される凸部180は、隣接する凸部180と接合部181を介して接合されたものとなる。さらに150℃で5分の熱処理を行い、共重合樹脂を熱架橋して透明なレンズ状の凸部180を形成する。
このようにして形成された発光素子1の発光に基づく青色光は、透明電極15、保護膜20、凸部180、および保護膜17を介して素子外部へ放射される。凸部180を介した青色光は光学形状に基づいて集光される。なお、一部の青色光は凸部180を介さず、接合部181を透過して素子外部へ放射される。
(第3の実施の形態の効果)
本発明の第3の実施の形態によると、第2の実施の形態の好ましい効果に加えて、凸部180から放射される光だけでなく接合部181での光拡散による素子外部への光取出しも可能となり、より多くの光を効率良く素子外部へ放射させることができる。
本発明の第3の実施の形態によると、第2の実施の形態の好ましい効果に加えて、凸部180から放射される光だけでなく接合部181での光拡散による素子外部への光取出しも可能となり、より多くの光を効率良く素子外部へ放射させることができる。
なお、第3の実施の形態においても、第2の実施の形態と同様に透明電極15の表面保護としてSiNからなる保護膜20を設けた構成を説明したが、これに限定されず、屈折率1.7〜2.0のSiONからなる保護膜20を設けたものであっても良い。
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。
1…発光素子、10…サファイア基板、11…AlNバッファ層、12…n−GaN層、13…MQW、14…p−GaN層、15…透明電極、16…パッド電極、17…保護膜(SiO2)、18…レンズ部、18A…感光性樹脂材料、18B…パターン、18C…レンズ、19…n側電極、20…保護膜(SiN)、130…In0.25Ga0.85N井戸層、131…GaN障壁層、180…凸部、181…接合部
Claims (5)
- 第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、
前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、
光透過性の材料によって前記透明電極上に配列されたレンズ部と、
前記レンズ部より小なる屈折率を有して前記レンズ部を覆う保護膜とを有することを特徴とする発光素子。 - 第1の導電型の半導体層と第2の導電型の半導体層との間に発光する層を含む半導体積層構造部と、
前記半導体積層構造部の表面に設けられる透明電極と、
前記透明電極を覆う保護膜と、
光透過性の材料によって前記保護膜上に配列されたレンズ部とを有することを特徴とする発光素子。 - 前記レンズ部は、エッチングによりパターニングされた光透過性材料を熱処理に基づいて半球状に変形させた複数のレンズを有する請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記レンズ部は、半球状の複数のレンズを所定の間隔で配置して構成される請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記レンズ部は、半球状の複数のレンズが所定の間隔で配置され、隣接する前記レンズとの間に前記レンズ部を形成する材料による接合部が設けられている請求項1または2に記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005285430A JP2007096117A (ja) | 2005-09-29 | 2005-09-29 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005285430A JP2007096117A (ja) | 2005-09-29 | 2005-09-29 | 発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007096117A true JP2007096117A (ja) | 2007-04-12 |
Family
ID=37981434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005285430A Pending JP2007096117A (ja) | 2005-09-29 | 2005-09-29 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007096117A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009059969A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2015111639A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-06-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材、及び発光素子、ならびに光学基材の製造方法 |
-
2005
- 2005-09-29 JP JP2005285430A patent/JP2007096117A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009059969A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
US9202973B2 (en) | 2010-07-22 | 2015-12-01 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode |
JP2015222826A (ja) * | 2010-07-22 | 2015-12-10 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. | 発光ダイオード |
CN105449086A (zh) * | 2010-07-22 | 2016-03-30 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
CN105529343A (zh) * | 2010-07-22 | 2016-04-27 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
CN105449086B (zh) * | 2010-07-22 | 2018-03-27 | 首尔伟傲世有限公司 | 发光二极管 |
JP2015111639A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-06-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 光学基材、及び発光素子、ならびに光学基材の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8946744B2 (en) | Light emitting diode | |
US8124985B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP2007096116A (ja) | 発光素子 | |
JP2009043934A (ja) | フリップチップ型発光素子 | |
JP5829453B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR100991939B1 (ko) | 발광다이오드 및 그의 제조방법 | |
JP2009076896A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR20100095134A (ko) | 발광소자 및 그 제조방법 | |
WO2011016201A1 (ja) | 発光素子および発光装置 | |
JP2010219502A (ja) | 発光素子 | |
JP2009059969A (ja) | 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法 | |
KR101969171B1 (ko) | 반도체 발광 장치 및 반도체 발광 장치의 제조 방법 | |
US20130207071A1 (en) | Light emitting diode array | |
US9070836B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
JP2011176093A (ja) | 発光素子用基板および発光素子 | |
US20110198562A1 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
TWI593137B (zh) | 具有異質材料結構之發光元件及其製造方法 | |
US10418510B1 (en) | Mesa shaped micro light emitting diode with electroless plated N-contact | |
JP2013131697A (ja) | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2007096117A (ja) | 発光素子 | |
JP5992695B2 (ja) | 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具 | |
KR102371326B1 (ko) | 발광 소자 | |
TWI488337B (zh) | 發光元件及其製作方法 | |
KR20130046402A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
TWI548118B (zh) | 發光元件及其製作方法 |