JP2013131697A - 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013131697A JP2013131697A JP2011281650A JP2011281650A JP2013131697A JP 2013131697 A JP2013131697 A JP 2013131697A JP 2011281650 A JP2011281650 A JP 2011281650A JP 2011281650 A JP2011281650 A JP 2011281650A JP 2013131697 A JP2013131697 A JP 2013131697A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- semiconductor light
- side electrode
- light emitting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】n型窒化物半導体層の周縁部は、n型窒化物半導体層の主面および側面を含む階段状構造を有しており、n型窒化物半導体層の主面および側面を直接覆うようにn側電極が配置されている窒化物半導体発光素子である。
【選択図】図1
Description
<構造>
図1(a)に、本発明の窒化物半導体発光素子の一例である実施の形態1の窒化物半導体発光ダイオード素子の模式的な断面図を示し、図1(b)に、図1(a)に示す窒化物半導体発光ダイオード素子の上面の模式的な平面図を示す。なお、図1(a)は、図1(b)のX−Yに沿った断面を示している。
以下、実施の形態1の窒化物半導体発光ダイオード素子100の製造方法の一例について説明する。
まず、図2の模式的断面図に示すように、基板101の主面101a上に、バッファ層102、n型コンタクト層103、n型SLS層104、窒化物半導体層からなる活性層105、p型キャリアブロック層106およびp型コンタクト層107をこの順序でたとえばMOCVD法などにより積層する。
次に、p型コンタクト層107の表面を酸処理した後に、p型コンタクト層107の表面にp側電極108を形成する。ここで、p側電極108としては、たとえば厚さ180nmのITO(Indium Tin Oxide)を形成することができるが、これに限定されるものではない。p側電極108としては、IZO、IGZO、AZOまたはZnOなどの透光性導電膜であればよく、これらの酸化膜に限定されず、金属膜であってもよい。また、酸処理は、たとえば、p型コンタクト層107の表面をフッ酸に3分間浸漬した後、水洗し、乾燥することにより行なうことができる。
次に、図3(a)の模式的断面図および図3(b)の模式的平面図に示すように、p側電極108、p型コンタクト層107、p型キャリアブロック層106、活性層105、n型SLS層104およびn型コンタクト層103のそれぞれの一部をエッチングすることによってメサ110を形成する。なお、図3(a)は、図3(b)のX−Yに沿った断面を示している。
次に、図4(a)の模式的断面図および図4(b)の模式的平面図に示すように、n型コンタクト層103の周縁部となる箇所をエッチングすることによって周縁溝120を形成する。なお、図4(a)は、図4(b)のX−Yに沿った断面を示している。
その後、図4(a)および図4(b)に示すように、メサ110の形成および周縁溝120の形成により露出したn型コンタクト層103の表面に接するようにn側電極121を形成する。また、p側パッド電極122をp側電極108上に形成する。n側電極121およびp側パッド電極122は、たとえば以下のようにして作製することができる。
次に、図5(a)の模式的断面図および図5(b)の模式的平面図に示すように、n側電極121の一部を覆うように絶縁膜123を形成する。ここで、絶縁膜123は、たとえば、ウエハの全面にプラズマCVD法により厚さ220nmのSiO2膜を製膜し、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、n側電極121およびp側パッド電極122の一部の上方のSiO2膜のみを除去して開口させることにより形成することができる。なお、絶縁膜123の開口部分は、窒化物半導体発光ダイオード素子100の実装時に外部から電気を供給するために接続する金属ワイヤ等(図示せず)をボンディングする箇所となる。なお、図5(a)は、図5(b)のX−Yに沿った断面を示している。
次に、図6(a)の模式的断面図および図6(b)の模式的平面図に示すように、基板101の裏面側、すなわち基板101の各窒化物半導体層が積層されている側の面とは反対側の面を研削して、基板101の厚さを薄くし、さらに研磨することによって、基板101の裏面を鏡面化する。ここで、基板101は、たとえば90μm程度の厚さにまで薄くされる。なお、図6(a)は、図6(b)のX−Yに沿った断面を示している。
次に、図6(a)および図6(b)に示すように、周縁溝120の下方の基板101の領域にスクライブライン124を形成する。スクライブライン124の形成は、たとえば、レーザスクライブ装置により、基板101の裏面側からレーザ光を照射することにより行なうことができる。ここで、レーザ光の焦点が基板101の内部になるように設定すると、図6(a)および図6(b)に示すように、周縁溝120の下方かつ基板101の内部の領域だけが溶融し、スクライブライン124を形成することができる。このように、レーザ光の照射により、スクライブライン124を形成した場合には、周縁溝120等の構造が破壊されにくくなる点で有用である。
次に、図7(a)の模式的断面図および図7(b)の模式的平面図に示すように、スクライブライン124の形成後のウエハを分割して、個々の窒化物半導体発光ダイオード素子100を作製する。ここで、窒化物半導体発光ダイオード素子100の分割は、たとえば、ブレーク装置を用い、ブレーク刃をスクライブライン124に沿うように基板101の裏面側から当てて押し込むことにより行なうことができる。これにより、スクライブライン124および周縁溝120の箇所で基板101が割れて、窒化物半導体発光ダイオード素子100に分割される。なお、図7(a)は、図7(b)のX−Yに沿った断面を示している。
なお、実施の形態1においては、周縁溝120がメサ110の周縁部のすべてに形成されて、メサ110の周縁部をより有効に活用する場合について説明しているが、たとえばメサ110の周縁部の四辺のすべてに周縁溝120が形成される必要はなく、メサ110の周縁部の一辺のみ、二辺のみ、三辺のみといった四辺すべてに形成される以外の形態であってもよい。
[実施の形態2]
図8に、本発明の窒化物半導体発光素子の他の一例である実施の形態2の窒化物半導体発光ダイオード素子200の上面の模式的な平面図を示す。
Claims (11)
- 主面を有する基板と、
前記基板の前記主面上に積層されたn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上に積層された窒化物半導体層からなる活性層と、
前記活性層上に積層されたp型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層に接するn側電極と、を備え、
前記p型窒化物半導体層と、前記活性層と、前記n型窒化物半導体層の一部とからなるメサを有し、
前記n型窒化物半導体層の周縁部は、前記n型窒化物半導体層の主面および側面を含む階段状構造を有しており、
前記n型窒化物半導体層の前記主面および前記側面を直接覆うように前記n側電極が配置されている、窒化物半導体発光素子。 - 前記階段状構造および前記n側電極が、前記メサを取り囲むように配置されている、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記n側電極が、前記窒化物半導体発光素子の中央部に向かって延伸している、請求項1または2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記n側電極の一部を覆うように配置されている絶縁膜をさらに備えた、請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、
前記基板の前記主面上に前記n型窒化物半導体層を積層する工程と、
前記n型窒化物半導体層上に前記活性層を積層する工程と、
前記活性層上に前記p型窒化物半導体層を積層する工程と、
前記n型窒化物半導体層、前記活性層および前記p型窒化物半導体層のそれぞれの一部をエッチングすることによって前記メサを形成する工程と、
前記n型窒化物半導体層の前記周縁部となる箇所をエッチングすることによって周縁溝を形成する工程と、
前記メサを形成する工程および前記周縁溝を形成する工程により露出した前記n型窒化物半導体層の表面に接するようにn側電極を形成する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記n側電極を形成する工程において、前記n側電極をスパッタ法により形成する、請求項5に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記n側電極を形成する工程の後に、前記n側電極を熱処理する工程をさらに含む、請求項5または6に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記n側電極を形成する工程の後に、前記n側電極の一部を覆うように絶縁膜を形成する工程をさらに含む、請求項5から7のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成する工程において、前記絶縁膜をスパッタ法もしくはプラズマCVD法により形成する、請求項8に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記n側電極を形成する工程の後に、前記周縁溝の位置にて前記窒化物半導体発光素子に分割する工程をさらに含む、請求項5から9のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記分割する工程の前に、前記周縁溝の下方の前記基板の内部または裏面にスクライブラインを形成する工程をさらに含む、請求項10に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011281650A JP5848600B2 (ja) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011281650A JP5848600B2 (ja) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013131697A true JP2013131697A (ja) | 2013-07-04 |
JP5848600B2 JP5848600B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=48909019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011281650A Expired - Fee Related JP5848600B2 (ja) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5848600B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9559253B2 (en) | 2013-10-29 | 2017-01-31 | Nichia Corporation | Method of manufacturing nitride semiconductor element |
JP2018064061A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社リコー | 半導体発光素子、照明装置、ヘッドライト、移動体、イルミネーション装置、映像装置、投射型映像装置及びプロジェクター。 |
JP2020140981A (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
KR20200128333A (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-12 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 제조방법 |
WO2021177510A1 (ko) * | 2020-03-03 | 2021-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000091636A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2001085750A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光チップ |
JP2010153565A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2011071443A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
WO2011090024A1 (ja) * | 2010-01-19 | 2011-07-28 | シャープ株式会社 | 機能素子およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-12-22 JP JP2011281650A patent/JP5848600B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000091636A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子の製法 |
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2001085750A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光チップ |
JP2010153565A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2011071443A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
WO2011090024A1 (ja) * | 2010-01-19 | 2011-07-28 | シャープ株式会社 | 機能素子およびその製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9559253B2 (en) | 2013-10-29 | 2017-01-31 | Nichia Corporation | Method of manufacturing nitride semiconductor element |
JP2018064061A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社リコー | 半導体発光素子、照明装置、ヘッドライト、移動体、イルミネーション装置、映像装置、投射型映像装置及びプロジェクター。 |
JP7005890B2 (ja) | 2016-10-14 | 2022-01-24 | 株式会社リコー | 半導体発光素子、照明装置、ヘッドライト、移動体、イルミネーション装置、映像装置、投射型映像装置及びプロジェクター。 |
JP2020140981A (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP7311276B2 (ja) | 2019-02-26 | 2023-07-19 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
KR20200128333A (ko) * | 2019-05-02 | 2020-11-12 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 제조방법 |
KR102404522B1 (ko) * | 2019-05-02 | 2022-06-08 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 제조방법 |
WO2021177510A1 (ko) * | 2020-03-03 | 2021-09-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5848600B2 (ja) | 2016-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8946744B2 (en) | Light emitting diode | |
US9425361B2 (en) | Light-emitting device | |
US20080230792A1 (en) | Semiconductor Light-Emitting Device with Electrode for N-Polar Ingaain Surface | |
US20100163900A1 (en) | Light emitting device having plurality of non-polar light emitting cells and method of fabricating the same | |
JP2007287757A (ja) | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2009510730A (ja) | 半導体発光デバイスおよびその製造方法 | |
JP2007134415A (ja) | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法 | |
JP2007103689A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5960426B2 (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
KR101093117B1 (ko) | 교류용 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
JP5848600B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2014154727A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR20100075420A (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
JP2013239471A (ja) | 発光ダイオード素子の製造方法 | |
TW201505211A (zh) | 發光元件 | |
US20130161669A1 (en) | Light-emitting diode with current diffusion structure and a method for fabricating the same | |
JP5986904B2 (ja) | 半導体発光素子アレイおよび車両用灯具 | |
KR20120126496A (ko) | 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
KR102441153B1 (ko) | 발광 소자 | |
US9299901B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP4439271B2 (ja) | III族窒化物半導体発光素子用のp型電極とその製造方法 | |
TWI467818B (zh) | Light emitting element | |
TWI423468B (zh) | 發光裝置之製造方法及發光裝置 | |
TW201543710A (zh) | 半導體發光元件及其製造方法 | |
JP6189525B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140918 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150623 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150908 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5848600 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |