JP2007092036A - Polymer film, method for producing the same, and laminate for circuit board - Google Patents

Polymer film, method for producing the same, and laminate for circuit board Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymer film for a circuit board, having concavities and convexities on a surface thereof, to provide a laminate for the circuit board, given by applying an electrically-conductive metal to the surface of the polymer film, and to provide a method for producing the laminate. <P>SOLUTION: This polymer film has the concavities and the convexities on the surface, wherein motif parameters which are used for evaluating shape of the concavities and the convexities of the film, are stipulated in JIS B0631 (2000), and comprise a depth of roughness motif and a length of the roughness motif satisfy conditions (1) and (2) as follows: (1) an average depth of the roughness motif is in a range of 0.4-3.0 μm; and (2) X which is defined as a ratio of an average depth (μm) of the roughness motif to an average length (mm) of the roughness motif is in a range of 13 to 60. A method for producing the polymer film has at least a process for conducting roughening treatment of the surface of the polymer film by a sandblasting procedure, wherein the roughening treatment is conducted in such a state that a reverse surface to a roughened surface of the polymer film is adhered to a support. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、表面に所定の凹凸形状を有する高分子フィルム、その製造方法、および前記高分子フィルムの表面に導電性金属膜を形成した配線基板用積層体に関する。   The present invention relates to a polymer film having a predetermined concavo-convex shape on the surface, a method for producing the polymer film, and a laminate for a wiring board in which a conductive metal film is formed on the surface of the polymer film.

電子機器などには、電子部品を電気接続するために、基材上に回路パターンを形成したプリント配線基板が用いられている。特に、曲げを要する部分には可とう性をもった基材フィルム(ポリイミド樹脂フィルムなど)上に銅箔を加熱圧着または接着した積層体からなるフレキシブル配線基板が多く用いられている。   In an electronic device or the like, a printed wiring board having a circuit pattern formed on a base material is used to electrically connect electronic components. In particular, a flexible wiring board made of a laminate in which a copper foil is thermocompression-bonded or bonded onto a flexible base film (polyimide resin film or the like) is often used for a portion requiring bending.

前記積層体の製造方法としては、銅箔にポリイミド前駆体であるポリイミック酸を塗布して加熱するキャスティング法、ポリイミド樹脂フィルム上にスパッタ法などで金属を蒸着する方法、ポリイミド樹脂フィルムと銅箔を熱可塑性ポリイミドで接着するラミネート法などが代表的である。   As a manufacturing method of the laminate, a casting method in which polyimic acid, which is a polyimide precursor, is applied to copper foil and heated, a method in which metal is deposited on the polyimide resin film by sputtering, a polyimide resin film and a copper foil are used. A typical example is a laminating method in which thermoplastic polyimide is used for bonding.

電気的特性の優れる液晶ポリマーを使用したラミネート法として、銅箔表面を粗化させて凹凸を形成し、そこに基材フィルムを加熱圧着させる積層体の製造技術が特許文献1に開示されている。   As a laminating method using a liquid crystal polymer having excellent electrical properties, a technique for manufacturing a laminate in which a copper foil surface is roughened to form irregularities and a base film is heat-pressed thereon is disclosed in Patent Document 1. .

近年、ファインパターンの形成には、銅箔を用いない、基材フィルムに金属堆積膜を形成する方法が注目されている。この方法は金属膜を薄くできるため、ファイン回路パターンの形成に有利である。フレキシブル配線基板用途では、ポリイミド樹脂フィルムにスパッタ法で金属堆積膜を形成する方法が実用化されている。しかし、この方法はフィルムと金属堆積膜との密着強度が低いという問題があった。   In recent years, a method of forming a metal deposition film on a base film without using a copper foil has attracted attention for the formation of a fine pattern. This method is advantageous for forming a fine circuit pattern because the metal film can be thinned. For flexible wiring board applications, a method of forming a metal deposition film on a polyimide resin film by sputtering has been put into practical use. However, this method has a problem that the adhesion strength between the film and the metal deposit film is low.

スパッタ法を用いない金属膜堆積方法として、基材フィルム表面を粗化し、そこに無電解メッキを施す方法が検討されている。基材フィルム表面の粗化法としては、エッチング液によりフィルム表面に微細な孔を多数形成するエッチング法(特許文献2)、フィルム表面に凹凸形状を機械的に形成するブラスト法(特許文献3、4)などが知られている。   As a method for depositing a metal film without using a sputtering method, a method of roughening the surface of a substrate film and applying electroless plating thereto has been studied. As a roughening method of the base film surface, an etching method (Patent Document 2) that forms many fine holes on the film surface with an etching solution (Patent Document 2), and a blast method that mechanically forms an uneven shape on the film surface (Patent Document 3, 4) is known.

特開平5−345387号公報JP-A-5-345387 特開2004−307980号公報JP 2004-307980 A 特開平11−320753号公報JP 11-320753 A 特開2000−124583号公報JP 2000-124583 A

しかしながら、前記エッチング法は、フィルム表面が化学変化を起こし、表面脆弱層(Weak Boundary Layer)が生成しやすいという問題がある。特に、ポリイミド樹脂フィルムでは、製膜中に発生した低分子重合体や分解物に由来するオリゴマーなどが表面に移動し、表面脆弱層が生成することから、実用化の障害となっていた。   However, the etching method has a problem that the film surface undergoes a chemical change and a surface fragile layer (Weak Boundary Layer) is easily generated. In particular, in the polyimide resin film, a low molecular weight polymer generated during film formation, an oligomer derived from a decomposition product, and the like move to the surface, and a surface fragile layer is generated.

一方、表面に脆弱層が生成しないブラスト法には、ドライブラスト法とウェットブラスト法が知られている。前記ドライブラスト法では、基材フィルムに研削材を高速で衝突させ、凹凸形状を機械的に形成するサンドブラスト法が代表的であるが、サンドブラスト法には、リジッドなプリント配線基板の基材フィルムの粗化にエッチング法と併用して用いられることはあるが、フレキシブルプリント基板では、基材フィルムが薄いため均一な粗化が得られず、また少しでも粗化を大きくしようとすると、研削材がフィルムを貫通してピンホールが発生するという問題があった。   On the other hand, a drive blast method and a wet blast method are known as blast methods that do not generate a fragile layer on the surface. The drive blast method is typically a sand blast method in which an abrasive is collided with a base film at a high speed to mechanically form an uneven shape. In the sand blast method, the base film of a rigid printed circuit board is used. Although it is sometimes used in combination with an etching method for roughening, a flexible printed circuit board cannot obtain uniform roughening because the base film is thin. There was a problem that pinholes occurred through the film.

前記ウェットブラスト法は、研削材を水などの液体に混合させ、圧縮空気によって高分子フィルム表面に衝突させる方法で、このウェットブラスト法はドライブラスト法と比較してピンホールが発生し難く安定して粗化できるが、ドライブラスト法と同様に、高分子フィルムが薄いと、均一な粗化が得られないという問題があった。   The wet blasting method is a method in which an abrasive is mixed with a liquid such as water and collided with the surface of the polymer film by compressed air. This wet blasting method is less likely to generate pinholes and is more stable than the drive blasting method. However, as with the drive last method, when the polymer film is thin, there is a problem that uniform roughening cannot be obtained.

これら従来法では、フィルムを両端に張力をかけた状態で中空に浮かし、圧縮空気と一緒に研削材を衝突させるか、研削材を含む加圧水を噴射していた。そのため、研削材の噴射によって、フィルムは研削材の噴射方向に対し、微少な振幅運動を繰り返し、その結果、噴射圧力、噴射量などを一定にしても、研削材のフィルムに対する衝突速度がばらついて所定の凹凸形状が得難くかった。さらに、研削材がフィルムを貫通してしまう不具合が生じやすく、これはフィルムが薄いほど顕著であった。
このようなことから、本発明者等は鋭意研究を行い、高分子フィルムの粗化される面の裏面を支持台に密着させた状態でサンドブラストを行うことで、極めて均一な凹凸形状が得られることを見いだした。
In these conventional methods, the film is floated in a hollow state with tension applied to both ends, and the abrasive is collided with the compressed air or pressurized water containing the abrasive is injected. For this reason, the abrasive material spray causes the film to repeat a slight amplitude movement in the abrasive material injection direction. As a result, even if the injection pressure, injection amount, etc. are constant, the collision speed of the abrasive material to the film varies. It was difficult to obtain a predetermined uneven shape. Furthermore, the problem that the abrasive material penetrates through the film tends to occur, and this is more remarkable as the film is thinner.
For this reason, the present inventors have intensively studied, and by performing sandblasting in a state where the back surface of the polymer film to be roughened is in close contact with the support base, an extremely uniform uneven shape can be obtained. I found out.

一方、ブラスト法により粗化されたフィルム表面の凹凸形状は、一般に従来JIS B0601(1994年)に規定される算術平均粗さ(Ra)、最大高さ(RyまたはRmax)、十点平均粗さ(Rz)により評価されることが多いが、これらの値は粗化処理後のばらつきが大きく、得られた高分子フィルム表面の凹凸形状を適切に評価できなかった。
本発明のフィルム表面の凹凸形状は、JIS B0631(2000年)に規定されたモチーフパラメータを用いると、実用レベルの配線基板用積層体を形成するのに適した高分子フィルムの表面凹凸形状を適切に評価できる。
On the other hand, the uneven shape of the film surface roughened by the blast method is generally the arithmetic average roughness (Ra), maximum height (Ry or Rmax), and ten-point average roughness specified in JIS B0601 (1994). Although it is often evaluated by (Rz), these values have a large variation after the roughening treatment, and the uneven shape on the surface of the obtained polymer film cannot be appropriately evaluated.
When the motif parameters defined in JIS B0631 (2000) are used, the surface irregularities of the polymer film suitable for forming a practical use wiring board laminate are appropriate for the surface irregularities of the film of the present invention. Can be evaluated.

本発明は、表面に所定の凹凸形状を有する高分子フィルム、前記高分子フィルム表面に導電性金属膜を形成した配線基板用積層体、および前記高分子フィルムの製造を目的とする。   An object of the present invention is to produce a polymer film having a predetermined uneven shape on the surface, a laminate for a wiring board in which a conductive metal film is formed on the surface of the polymer film, and the polymer film.

請求項1記載の発明は、表面に所定の凹凸形状を有する高分子フィルムであって、前記凹凸形状をJIS B0631(2000年)に規定された、粗さモチーフの深さと粗さモチーフの長さからなるモチーフパラメータで評価する場合、前記モチーフパラメータは下記(1)と(2)の条件を満足することを特徴とする高分子フィルムである。
(1)粗さモチーフの平均深さの範囲が0.4μm〜3.0μmである。
(2)X=粗さモチーフの平均深さ(μm)/粗さモチーフの平均長さ(mm)としたとき、Xの範囲が13〜60である。
The invention according to claim 1 is a polymer film having a predetermined concavo-convex shape on the surface, wherein the concavo-convex shape is defined by JIS B0631 (2000), the depth of the roughness motif and the length of the roughness motif. When the evaluation is made using the motif parameter consisting of the above, the motif parameter is a polymer film characterized by satisfying the following conditions (1) and (2).
(1) The range of the average depth of the roughness motif is 0.4 μm to 3.0 μm.
(2) When X = average depth of roughness motif (μm) / average length of roughness motif (mm), the range of X is 13-60.

請求項2記載の発明は、前記高分子フィルムは、溶融時に光学的異方性(液晶性)を示すことを特徴とする請求項1に記載の高分子フィルムである。   The invention according to claim 2 is the polymer film according to claim 1, wherein the polymer film exhibits optical anisotropy (liquid crystallinity) when melted.

請求項3記載の発明は、請求項1または2に記載の高分子フィルムの表面に導電性金属膜が形成されていることを特徴とする配線基板用積層体である。   The invention according to claim 3 is a laminate for a wiring board, wherein a conductive metal film is formed on the surface of the polymer film according to claim 1 or 2.

請求項4記載の発明は、前記導電性金属膜がCu、Cu合金、Ni、Ni合金、Co、Co合金、のいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項3に記載の配線基板用積層体である。   The invention according to claim 4 is characterized in that the conductive metal film is formed of any one of Cu, Cu alloy, Ni, Ni alloy, Co, and Co alloy. It is a laminated body.

請求項5記載の発明は、請求項1または2に記載の高分子フィルムの製造方法において、少なくともサンドブラスト法により前記高分子フィルムの表面を粗化処理する工程を有し、前記粗化処理は、前記高分子フィルムの粗化される面の裏面を支持体に密着させた状態で行うことを特徴とする高分子フィルムの製造方法である。   Invention of Claim 5 has the process of roughening the surface of the said polymer film by the sandblast method at least in the manufacturing method of the polymer film of Claim 1 or 2, The said roughening process, It is a method for producing a polymer film, which is performed in a state where the back surface of the surface to be roughened of the polymer film is in close contact with a support.

請求項6記載の発明は、前記支持体は前記高分子フィルムと同調して進行または回転することを特徴とする請求項5に記載の高分子フィルムの製造方法である。   The invention according to claim 6 is the method for producing a polymer film according to claim 5, wherein the support is advanced or rotated in synchronization with the polymer film.

請求項7記載の発明は、前記サンドブラストによる粗化処理において、空気またはガスをイオン化してフィルム表面に研削材と共に吹き付けることを特徴とする請求項5または6に記載の高分子フィルムの製造方法である。   The invention according to claim 7 is the method for producing a polymer film according to claim 5 or 6, wherein in the roughening treatment by sandblasting, air or gas is ionized and sprayed together with an abrasive on the film surface. is there.

請求項8記載発明は、前記サンドブラスト法がウェットブラスト法であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の高分子フィルムの製造方法である。   The invention according to claim 8 is the method for producing a polymer film according to any one of claims 5 to 7, wherein the sand blasting method is a wet blasting method.

請求項9記載発明は、噴射ノズルの開口幅が高分子フィルム幅より広いことを特徴とする請求項8に記載の高分子フィルムの製造方法である。   The invention according to claim 9 is the method for producing a polymer film according to claim 8, wherein the opening width of the injection nozzle is wider than the width of the polymer film.

本発明の高分子フィルムは、その表面に下記の凹凸形状が形成されたものなので、導電性金属膜を強固に密着させることができる。
JIS B0631(2000年)に規定された、粗さモチーフの深さと粗さモチーフの長さからなるモチーフパラメータで評価する場合、前記モチーフパラメータは下記(1)と(2)の条件を満足することを特徴とする高分子フィルム。
(1)粗さモチーフの平均深さの範囲が0.4μm〜3.0μmである。
(2)X=粗さモチーフの平均深さ(μm)/粗さモチーフの平均長さ(mm)としたとき、Xの範囲が13〜60である。
Since the following uneven | corrugated shape was formed in the polymer film of this invention on the surface, an electroconductive metal film can be firmly stuck.
When evaluating with the motif parameters defined by JIS B0631 (2000) consisting of the depth of the roughness motif and the length of the roughness motif, the motif parameters satisfy the following conditions (1) and (2) A polymer film characterized by
(1) The range of the average depth of the roughness motif is 0.4 μm to 3.0 μm.
(2) When X = average depth of roughness motif (μm) / average length of roughness motif (mm), the range of X is 13-60.

高分子フィルムに、光学的異方性の溶融相を形成しうる高分子フィルムを用いると、高分子フィルムと金属膜との密着強度がより向上する。
上記した凹凸形状の条件は、光学的異方性の溶融相を形成しうる高分子フィルム、即ち、液晶ポリマーフィルムの表面に適用すると、フィルムとフィルム上に形成された金属膜との間に高い密着性が得られる。
When a polymer film capable of forming an optically anisotropic melt phase is used as the polymer film, the adhesion strength between the polymer film and the metal film is further improved.
The above-described uneven shape conditions are high between the film and the metal film formed on the film when applied to the surface of a polymer film capable of forming an optically anisotropic melt phase, that is, a liquid crystal polymer film. Adhesion can be obtained.

本発明の配線基板用積層体は、所定の凹凸形状が形成された高分子フィルム表面に導電性金属を膜状に堆積したものなので、高分子フィルムと導電性金属膜との密着強度が高く、前記積層体を用いた配線基板は信頼性に優れる。   Since the laminate for a wiring board of the present invention is obtained by depositing a conductive metal in a film shape on the surface of a polymer film having a predetermined uneven shape, the adhesion strength between the polymer film and the conductive metal film is high, A wiring board using the laminate is excellent in reliability.

前記高分子フィルムの製造方法は、少なくともサンドブラスト法により高分子フィルムの表面を粗化処理する工程を有し、前記粗化処理は、前記高分子フィルムの粗化される面の裏面が支持体に密着して支持された状態で行うので、ピンホールが生じず、表面の凹凸形状が適切に形成される。   The method for producing the polymer film includes a step of roughening the surface of the polymer film by at least sand blasting, and the roughening treatment is performed by using the back surface of the surface to be roughened of the polymer film as a support. Since it carries out in the state where it was stuck and supported, a pinhole does not arise but the uneven shape of the surface is formed appropriately.

前記支持体を前記高分子フィルムと同調して進行または回転させることにより、前記高分子フィルム表面には凹凸形状がより鋭利に形成され、高分子フィルムと導電性金属膜との密着強度が更に向上すると共に、粗化処理が効率よく行われる。
なお、サンドブラスト法は、研削材を圧縮空気によって衝突させるドライブラスト法或いは研削材を液体と混合させて圧縮空気で衝突させるウェットブラスト法のどちらを用いても構わない。ウェットブラスト法では装置が大掛かりとなるが、ドライブラスト法によって発生する静電気が問題となる場合などには有効である。またウェットブラスト法では噴射ノズルの噴射口幅を高分子フィルム幅より広くすることで、噴射ノズルと高分子フィルムの相対移動による処理ムラを少なくすることができる。
By rotating or rotating the support in synchronism with the polymer film, the surface of the polymer film is more sharply formed, and the adhesion strength between the polymer film and the conductive metal film is further improved. In addition, the roughening process is performed efficiently.
The sand blasting method may be either a drive blasting method in which an abrasive is collided with compressed air or a wet blasting method in which an abrasive is mixed with a liquid and collided with compressed air. The wet blast method requires a large apparatus, but is effective when static electricity generated by the drive last method becomes a problem. Further, in the wet blasting method, by making the injection nozzle width of the injection nozzle wider than the polymer film width, processing unevenness due to relative movement between the injection nozzle and the polymer film can be reduced.

本発明の高分子フィルムは、その表面の凹凸形状を、JIS B0631(2000年)に規定される粗さモチーフの深さと粗さモチーフの長さからなるモチーフパラメータで評価する場合、前記粗さモチーフの平均深さ範囲が0.4〜3.0μmであり、前記粗さモチーフの平均深さR(μm)と粗さモチーフの平均長さAR(mm)の比(X=R/AR)が13〜60であり、この条件を満たす高分子フィルムは、ピンホールが生じず、導電性金属膜との密着強度が高い。従って、本発明の高分子フィルム積層体は最適な配線パターンの加工精度が得られる。
本発明高分子フィルムの表面の好ましいX値は15〜50、さらに好ましいX値は18〜40である。これらの値は本発明者等が実験により明らかにしたものである。
When the polymer film of the present invention evaluates the uneven shape of the surface with a motif parameter consisting of the depth of the roughness motif and the length of the roughness motif defined in JIS B0631 (2000), the roughness motif The average depth range is 0.4 to 3.0 μm, and the ratio (X = R / AR) of the average depth R (μm) of the roughness motif to the average length AR (mm) of the roughness motif is The polymer film satisfying this condition, which is 13 to 60, does not cause pinholes and has high adhesion strength with the conductive metal film. Therefore, the polymer film laminate of the present invention can obtain an optimum wiring pattern processing accuracy.
The X value of the surface of the polymer film of the present invention is preferably 15 to 50, and more preferably 18 to 40. These values have been clarified by experiments by the present inventors.

従来、高分子フィルム表面の凹凸形状は、表面粗さの基本パラメータである算術平均粗さ(Ra)、最大粗さ(RyまたはRmax)、十点平均粗さ(Rz)で評価していたが、この方法では、粗化処理で形成された凹凸が非常に微細な場合、フィルム表面自体が小さなうねりを有するため粗化前後で明確な差が認められなかった。JIS B0601(1994年)に規定されるカットオフ値λcを設定しフィルターをかけて前記Ra、Ry、Rzを求めても、粗化処理で生じた微細な凹凸は、前記フィルム表面自体の小さなうねりに埋もれてしまって検出できなかった。   Conventionally, the concavo-convex shape on the surface of the polymer film has been evaluated by arithmetic average roughness (Ra), maximum roughness (Ry or Rmax), and ten-point average roughness (Rz), which are basic parameters of surface roughness. In this method, when the unevenness formed by the roughening treatment is very fine, the film surface itself has small waviness, and thus no clear difference was observed before and after the roughening. Even if the cut-off value λc defined in JIS B0601 (1994) is set and a filter is applied to obtain the Ra, Ry, and Rz, the fine irregularities generated by the roughening treatment are small undulations on the film surface itself. It was buried in and could not be detected.

本発明において、高分子フィルムには、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルホン、ポリアミド、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、芳香族ポリエステルなどからなる、厚さが5〜200μmのフィルムが用いられる。   In the present invention, the polymer film is made of polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, liquid crystal polymer, fluororesin, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyamide, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, aromatic polyester, etc. A film having a thickness of 5 to 200 μm is used.

本発明において、高分子フィルムは、溶融時に光学的異方性を示す高分子フィルム、つまり、加熱装置を備えた偏光顕微鏡直交ニコル下にて、偏光を透過する性質を有する溶融状態をもつ液晶高分子フィルムが導電性金属膜との密着性に優れ望ましい。
中でも、下記[化1]に示す分子構造の全芳香族ポリエステル、および一部に脂肪族ポリエステルを含む熱可塑性液晶ポリマーフィルムが推奨される。
In the present invention, the polymer film is a polymer film exhibiting optical anisotropy when melted, that is, a liquid crystal film having a molten state having a property of transmitting polarized light under a polarization microscope orthogonal Nicol equipped with a heating device. Molecular films are desirable because of their excellent adhesion to conductive metal films.
Among them, a thermoplastic liquid crystal polymer film containing a wholly aromatic polyester having a molecular structure shown in the following [Chemical Formula 1] and partially containing an aliphatic polyester is recommended.

Figure 2007092036
Figure 2007092036

本発明の高分子フィルムは、例えば、図1に示すようにして製造する。
即ち、高分子フィルム1の裏面1a側を回転する金属ロール(支持体)2に同調させて添わせ、フィルム裏面1aとロール表面2aが密着した状態で高分子フィルム表面1bにブラスト装置3を用いて研削材4を圧縮空気と一緒に噴射ノズル3aから噴射して衝突させる。その後、洗浄装置5で付着した研削材4などを除去する。図1で、6はコンプレッサー(圧縮空気発生器)、7はフィルムの張力制御用ロール、8はガイドロールである。
The polymer film of the present invention is produced, for example, as shown in FIG.
That is, the back surface 1a side of the polymer film 1 is synchronized with a rotating metal roll (support) 2, and the blast device 3 is used on the polymer film surface 1b in a state where the film back surface 1a and the roll surface 2a are in close contact with each other. Then, the abrasive 4 is jetted from the jet nozzle 3a together with the compressed air to collide. Thereafter, the abrasive 4 and the like attached by the cleaning device 5 are removed. In FIG. 1, 6 is a compressor (compressed air generator), 7 is a film tension control roll, and 8 is a guide roll.

この方法では、高分子フィルムがロール表面2aに密着しているため、高分子フィルムは振動せず、高分子フィルムに対する研削材の衝突速度が一定になり、高分子フィルム表面には微細で均一な凹凸形状が形成される。さらにフィルム裏面に密着するロール表面が研削材の衝突力の一部を吸収するため、研削材が貫通しにくく、高分子フィルムが薄くてもピンホールが発生しない。   In this method, since the polymer film is in close contact with the roll surface 2a, the polymer film does not vibrate, the collision speed of the abrasive to the polymer film is constant, and the polymer film surface is fine and uniform. An uneven shape is formed. Furthermore, since the roll surface that is in close contact with the back surface of the film absorbs a part of the collision force of the abrasive, the abrasive is difficult to penetrate and no pinhole is generated even if the polymer film is thin.

また、ドライブラストでは、研削材が高分子フィルムに衝突すると、電荷がフィルム表面に蓄積し、静電気によるスパークが発生し、高分子フィルムに陥没痕が発生する場合がある。その場合、イオナイザーを用いながらサンドブラストを行なった。サンドブラストの噴射ノズルの両端にイオナイザーを設置し、フィルム表面に正の電解が蓄積する場合、空気を負にイオン化して研削材と一緒にフィルムに衝突させて帯電をおさえ、静電気スパークの発生を防止した。一方、ウェットブラストでは、研削材を液体に混合させるため静電気は発生しない。高分子フィルムが静電気を帯び易い場合は、ウェットブラストの方が有効である。   In the drive last, when the abrasive material collides with the polymer film, electric charges accumulate on the surface of the film, sparks due to static electricity may occur, and a depression mark may be generated in the polymer film. In that case, sandblasting was performed using an ionizer. When ionizers are installed at both ends of the sandblast spray nozzle and positive electrolysis accumulates on the film surface, the air is ionized negatively and collides with the film together with the abrasive to suppress charging and prevent the occurrence of static sparks. did. On the other hand, static electricity is not generated in wet blasting because the abrasive is mixed with the liquid. If the polymer film is easily charged with static electricity, wet blasting is more effective.

本発明の高分子フィルム積層体は、例えば、粗化処理した高分子フィルムの表面上に前処理などを施し、次いでメッキ触媒を付与し、さらに下地を無電解メッキし、その上に導電性金属膜を電気メッキして製造される。前記無電解メッキ液には、ローム・アンド・ハース社製、或いはメルテックス社製の市販品が使用できる。
無電解メッキの典型例は、パラジウム錫系またはパラジウムコロイド系の触媒液を用いて触媒を付与した後、銅、ニッケル、コバルトなどを無電解メッキするものである。
The polymer film laminate of the present invention is, for example, pretreated on the surface of a roughened polymer film, then applied with a plating catalyst, further electrolessly plated with a base, and a conductive metal thereon. Manufactured by electroplating the membrane. As the electroless plating solution, a commercial product manufactured by Rohm and Haas or Meltex can be used.
A typical example of electroless plating is to electrolessly plate copper, nickel, cobalt, and the like after applying a catalyst using a palladium tin-based or palladium colloid-based catalyst solution.

本発明において、電気メッキには市販の電気メッキ液が使用できる。銅の電気メッキには硫酸銅浴やほうフッ化銅浴を用いることができる。ニッケルの電気メッキにはワット浴やスルファミン酸浴を用いることができる。   In the present invention, a commercially available electroplating solution can be used for electroplating. For the electroplating of copper, a copper sulfate bath or a copper borofluoride bath can be used. A watt bath or a sulfamic acid bath can be used for electroplating of nickel.

本発明において、高分子フィルム表面上に導電性金属膜を形成した後、加熱処理を行って高分子フィルムと導電性金属膜との密着性を高めるのが望ましい。
前記加熱処理は、50℃以上、フィルムの溶融温度以下または熱変形温度以下の温度で、適当な時間保持して行う。前記加熱処理は導電性金属膜の酸化を防ぐため、不活性ガス雰囲気中で行うのが望ましい。
In the present invention, it is desirable to increase the adhesion between the polymer film and the conductive metal film by forming a conductive metal film on the surface of the polymer film and then performing a heat treatment.
The heat treatment is carried out at a temperature not lower than 50 ° C. and not higher than the melting temperature of the film or not higher than the heat distortion temperature for an appropriate time. The heat treatment is desirably performed in an inert gas atmosphere in order to prevent oxidation of the conductive metal film.

高分子フィルムの表面を、図1に示した方法により連続的にサンドブラスト処理して粗化し、水洗した後、コンディショナー処理(前処理)、プリディップ処理、キャタリスト処理、アクセラレーター処理、無電解メッキ処理、導電性金属膜の電気メッキ処理をこの順に施して積層体を製造した。サンドブラスト処理条件を表1に示した。   The surface of the polymer film is continuously sandblasted and roughened by the method shown in FIG. 1, washed with water, then treated with conditioner (pre-treatment), pre-dip treatment, catalyst treatment, accelerator treatment, electroless plating. The laminated body was manufactured by performing the treatment and electroplating treatment of the conductive metal film in this order. Table 1 shows the sandblasting conditions.

前記高分子フィルムには、ジャパンゴアテックス社製の液晶ポリマーフィルム(商品名:BIAC)、およびクラレ社製の液晶ポリマーフィルム(商品名:Vecstar(CT−50N))を用いた。前記フィルムの厚みは50μm、幅は530mmである。   As the polymer film, a liquid crystal polymer film (trade name: BIAC) manufactured by Japan Gore-Tex Corporation and a liquid crystal polymer film (trade name: Vecstar (CT-50N)) manufactured by Kuraray Co., Ltd. were used. The film has a thickness of 50 μm and a width of 530 mm.

前記サンドブラスト処理では、等間隔に5本並列に配列した噴射ノズルを備えたサクション式サンドブラスト装置3(図2参照)を用いた。前記ブラスト装置3のエアノズル径は3mmφ、噴射ノズル径は7mmφである。研削材にはWA#600〜#1500の白色アルミナを用いた。高分子フィルムを支持するロールには表面がステンレスで覆われた直径500mmのロールを用いた。   In the sandblasting process, a suction type sandblasting apparatus 3 (see FIG. 2) provided with five spray nozzles arranged in parallel at equal intervals was used. The blast device 3 has an air nozzle diameter of 3 mmφ and an injection nozzle diameter of 7 mmφ. WA # 600 to # 1500 white alumina was used as the abrasive. A roll having a diameter of 500 mm whose surface was covered with stainless steel was used as a roll for supporting the polymer film.

高分子フィルムの送り速度は0.1m〜0.5m/分とし、噴射ノズルの使用本数は高分子フィルムの送り速度に合わせて増減した。即ち、0.1mm/分のときは1本、0.2mm/分のときは2本などである。
前記ロールの回転速度と高分子フィルムの送り速度は一致(同調)させた。噴射ノズルはフィルム送り方向に対し垂直方向に往復するようにプログラムして噴射量を調節した。研削材、噴射量、噴射距離、噴射圧力は種々に変化させた。ブラスト条件を表1に示す。
The feeding speed of the polymer film was 0.1 m to 0.5 m / min, and the number of spray nozzles used was increased or decreased according to the feeding speed of the polymer film. That is, the number is 1 for 0.1 mm / min, and 2 for 0.2 mm / min.
The rotational speed of the roll and the feeding speed of the polymer film were matched (tuned). The spray nozzle was programmed to reciprocate in the direction perpendicular to the film feed direction to adjust the spray amount. The abrasive, the injection amount, the injection distance, and the injection pressure were variously changed. The blast conditions are shown in Table 1.

サンドブラスト処理後の、高分子フィルム表面は、噴水流をあてて水洗し付着した研削材(アルミナ粉)を除去した。   After the sandblast treatment, the surface of the polymer film was washed with water by applying a fountain flow to remove the adhered abrasive (alumina powder).

水洗後乾燥して、高分子フィルムのピンホール数を、光源に透かし顕微鏡を用いて計測した。ピンホール数は10cm四方あたりの個数で示した。   After washing with water and drying, the number of pinholes in the polymer film was measured using a watermark microscope as a light source. The number of pinholes is shown by the number per 10 cm square.

次に、高分子フィルムの表面粗さを、接触式表面粗さ計(ミツトヨ製SV−300S4)を用いて測定した。表面粗さは、JIS B0601(1994年)に基づいて、算術平均粗さ(Ra)、最大高さ(Ry)、十点平均粗さ(Rz)を求めた。検出器は4mNを用い、Raが0.1μm〜2.0μmであることから、基準長さおよびカットオフ値λcは0.8mmとし、評価長さは4mm、測定速度は0.5mm/秒とした。   Next, the surface roughness of the polymer film was measured using a contact-type surface roughness meter (SV-300S4 manufactured by Mitutoyo Corporation). For the surface roughness, arithmetic average roughness (Ra), maximum height (Ry), and ten-point average roughness (Rz) were determined based on JIS B0601 (1994). Since the detector uses 4 mN and Ra is 0.1 μm to 2.0 μm, the reference length and the cutoff value λc are 0.8 mm, the evaluation length is 4 mm, and the measurement speed is 0.5 mm / second. did.

また、モチーフパラメータを、上記表面粗さ計を用い、JIS B0631(2000年)に基づいて測定した。測定条件は、粗さモチーフ上限長さ0.1mm、評価長さ3.2mm、粗測定速度0.5mm/秒とした。粗さモチーフの平均深さ(R)、粗さモチーフの平均長さ(AR)を計測し、X=R/ARを求めた。単位は、R値がμm、AR値がmmである。
各表面粗さの測定は、フィルム製膜の延伸方向(一般にMD方向という)と、延伸と垂直方向(一般にTD方向という)との2方向を各5回測定し、その平均値を記録した。
Moreover, the motif parameter was measured based on JIS B0631 (2000) using the said surface roughness meter. The measurement conditions were a roughness motif upper limit length of 0.1 mm, an evaluation length of 3.2 mm, and a coarse measurement speed of 0.5 mm / second. The average depth (R) of the roughness motif and the average length (AR) of the roughness motif were measured to obtain X = R / AR. The unit is R value in μm and AR value in mm.
Each surface roughness was measured five times for each of two directions, ie, the stretching direction (generally referred to as the MD direction) of the film formation and the stretching and the vertical direction (generally referred to as the TD direction), and the average value was recorded.

前記コンディショナー処理は、ローム・アンド・ハース社製のクリーナーC/N3320に浸漬(50℃、5分間)して施し、フィルム表面を正に帯電させた。   The conditioner treatment was performed by dipping (50 ° C., 5 minutes) in a cleaner C / N 3320 manufactured by Rohm and Haas to charge the film surface positively.

前記キャタリスト処理は、ローム・アンド・ハース社製のCP404を用いてプリディップ(25℃、1分間)し、次いでローム・アンド・ハース社製のCAT44に浸漬(42℃、3分間)して施した。この処理により、パラジウム、スズコロイド触媒をフィルム表面に付与した。   The catalyst treatment is performed by pre-dip (25 ° C., 1 minute) using CP404 made by Rohm and Haas, and then immersed in CAT44 made by Rohm and Haas (42 ° C., 3 minutes). gave. By this treatment, a palladium and tin colloid catalyst was applied to the film surface.

前記アクセラレーター処理は、ローム・アンド・ハース社製のACC5410に浸漬(30℃、7分)して施し、触媒中のスズを除去してパラジウムを活性化させた。   The accelerator treatment was performed by immersing (30 ° C., 7 minutes) in ACC5410 manufactured by Rohm and Haas Co. to remove tin in the catalyst and activate palladium.

前記無電解メッキは、ローム・アンド・ハース社製のサーキュポジット880浴に浸漬(32℃、15分)して施し、銅をフィルム上に析出させた。前記浴は、銅を2g/L含み、EDTA(キレート剤)、ホルムアルデヒド(還元剤)、水酸化ナトリウム(pH調整用)をそれぞれ適量含むものである。   The electroless plating was performed by dipping (32 ° C., 15 minutes) in a circular deposit 880 bath manufactured by Rohm and Haas to deposit copper on the film. The bath contains 2 g / L of copper, and contains appropriate amounts of EDTA (chelating agent), formaldehyde (reducing agent), and sodium hydroxide (for pH adjustment).

前記電気メッキ処理は、硫酸銅メッキ液を用いて施し、高分子フィルム表面上に銅を18μmの厚みに膜状に電気メッキして配線基板用積層体とした。   The electroplating treatment was performed using a copper sulfate plating solution, and copper was electroplated in a film shape to a thickness of 18 μm on the surface of the polymer film to obtain a laminate for a wiring board.

前記積層体を250℃で1時間、窒素雰囲気中で加熱したのち、前記積層体のフィルムと金属膜の密着強度をJIS C5016に規定された90°方向引きはがし試験(ピール試験)により測定した。結果を表2(BIAC)と表3(Vecstar)に示した。
表2、3には粗化後の高分子フィルムの表面粗さなど(Ra、Ry、Rz、R、AR、R/AR)およびピンホール数を併記した。
After heating the laminated body at 250 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere, the adhesion strength between the film and the metal film of the laminated body was measured by a 90 ° direction peeling test (peel test) defined in JIS C5016. The results are shown in Table 2 (BIAC) and Table 3 (Vecstar).
In Tables 2 and 3, the surface roughness of the polymer film after roughening (Ra, Ry, Rz, R, AR, R / AR) and the number of pinholes are shown.

[比較例1]
サンドブラスト処理を表4に示す条件で施した他は、実施例1と同じ方法により、銅を18μm厚みに形成した配線基板用積層体を製造し、実施例1と同じ方法によりピール強度を測定した。研削材としてWA#300、#600、#3000の白色アルミナを用いた。実施例1および比較例1の結果を表2、3、5、6に示す。
[Comparative Example 1]
A laminated body for a wiring board in which copper was formed to a thickness of 18 μm was manufactured by the same method as in Example 1 except that the sandblast treatment was performed under the conditions shown in Table 4, and the peel strength was measured by the same method as in Example 1. . WA # 300, # 600, # 3000 white alumina was used as the abrasive. The results of Example 1 and Comparative Example 1 are shown in Tables 2, 3, 5, and 6.

Figure 2007092036
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表2、3から明らかなように、本発明例の積層体はR/ARが13以上のためピール強度が0.5kN/m以上と大きく、またR/ARが60以下のためピンホールの発生が無く、いずれも実用に耐え得るものであった。
なお、ピール強度とR/ARの関係を図4(BIAC)と図5(Vecstar)に示したが、ピール強度は、いずれも、R/ARが13以上で急激に上昇している。
As is apparent from Tables 2 and 3, the laminate of the present invention has a peel strength of 0.5 kN / m or more because R / AR is 13 or more, and a pinhole is generated because R / AR is 60 or less. None of them were practical.
Note that the relationship between peel strength and R / AR is shown in FIG. 4 (BIAC) and FIG. 5 (Vecstar), but the peel strength increases rapidly when R / AR is 13 or more.

一方、比較例品は、表5、6から明らかなように、R/ARが13未満のものはピール強度が小さく、R/ARが60を超えたものはサンドブラスト時にピンホールが発生して、いずれも実用に適さないものであった。   On the other hand, as is clear from Tables 5 and 6, the comparative product is less peel strength when R / AR is less than 13, and pinholes occur when sandblasting when R / AR exceeds 60. None of them were suitable for practical use.

一方、表面粗さが小さい場合、Ra、Ry、Rzの測定値は、ピール強度との相関が不明瞭であり、表面の凹凸を正確に評価するに至っていない。モチーフパラメータを用いた測定では、粗さモチーフの平均深さと粗さモチーフの平均長さの関係から、適切な表面状態を評価することができた。   On the other hand, when the surface roughness is small, the measured values of Ra, Ry, and Rz are unclear in the correlation with the peel strength, and the surface unevenness has not been accurately evaluated. In the measurement using the motif parameter, an appropriate surface condition could be evaluated from the relationship between the average depth of the roughness motif and the average length of the roughness motif.

高分子フィルム(ジャパンゴアテックス製BIAC)の表面を図3に示すバッチ式方法によりサンドブラスト処理して粗化した。即ち、周囲を治具10で挟み込んだA4サイズの高分子フィルム11をステンレス台12上に密着させ、この高分子フィルム11の表面に研削材を噴射ノズル3aから噴射して凹凸形状を形成した。前記噴射ノズル3aはXYステージにより平面位置を制御し、上下移動させて噴射距離を調節した。研削材4の噴射圧力などのブラスト条件は種々に変化させた。
アクセラレーター処理は、自己アクセラレータタイプのローム・アンド・ハース社製のサーキュポジット4500浴に浸漬(浴温52℃、5分間)して行った。それ以外は実施例1と同じ方法で積層体を製造した。
表7にブラスト条件、表8に表面粗さとピール強度、ピンホール数を示す。
The surface of the polymer film (BIAC manufactured by Japan Gore-Tex) was roughened by sandblasting by the batch method shown in FIG. That is, an A4 size polymer film 11 sandwiched between the jigs 10 was brought into close contact with the stainless steel base 12, and an abrasive was sprayed from the spray nozzle 3a on the surface of the polymer film 11 to form an uneven shape. The spray nozzle 3a was controlled in plane position by an XY stage and moved up and down to adjust the spray distance. Blasting conditions such as the injection pressure of the abrasive 4 were variously changed.
The accelerator treatment was performed by immersing in a self-accelerator type Rohm and Haas Circoposit 4500 bath (bath temperature 52 ° C., 5 minutes). Otherwise, a laminate was produced in the same manner as in Example 1.
Table 7 shows the blasting conditions, and Table 8 shows the surface roughness, peel strength, and the number of pinholes.

Figure 2007092036
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Figure 2007092036
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表8から明らかなように、本発明例の積層体は、R/ARが13以上のためピール強度が0.67kN/m以上と大きく、またR/ARが60以下のためピンホールの発生が無く、いずれも実用に耐え得るものであった。   As is clear from Table 8, the laminate of the present invention example has a peel strength of 0.67 kN / m or more because R / AR is 13 or more, and the occurrence of pinholes because R / AR is 60 or less. None of them were practical.

高分子フィルム(Vecstar)上に、ローム・アンド・ハース社製1580浴を用いて、ニッケルを0.3μm厚みに無電解メッキした他は、実施例1と同じ方法により高分子フィルム上に銅を18μm厚みに形成した配線基板用積層体を製造し、実施例1と同じ方法によりピール強度を測定した。   Copper was deposited on the polymer film by the same method as in Example 1 except that nickel was electrolessly plated to a thickness of 0.3 μm on a polymer film (Vecstar) using a 1580 bath manufactured by Rohm and Haas. A wiring board laminate having a thickness of 18 μm was produced, and the peel strength was measured by the same method as in Example 1.

高分子フィルム(Vecstar)上に、下記組成のアンモニアアルカリ性浴(浴温50℃)を用いて、コバルトを0.3μm厚みに無電解メッキした他は、実施例1と同じ方法により高分子フィルム上に銅を18μm厚みに形成した配線基板用積層体を製造し、実施例1と同じ方法によりピール強度を測定した。結果を表9に示す。
[アンモニアアルカリ性浴組成]
硫酸コバルト 0.07mol/L
次亜りん酸ナトリウム 0.16
クエン酸ナトリウム 0.15
pH 9〜10
The polymer film (Vecstar) was coated on the polymer film in the same manner as in Example 1 except that cobalt was electrolessly plated to a thickness of 0.3 μm using an ammonia alkaline bath (bath temperature 50 ° C.) having the following composition. A laminate for a wiring board in which copper was formed to a thickness of 18 μm was manufactured, and peel strength was measured by the same method as in Example 1. The results are shown in Table 9.
[Ammonia alkaline bath composition]
Cobalt sulfate 0.07 mol / L
Sodium hypophosphite 0.16
Sodium citrate 0.15
pH 9-10

Figure 2007092036
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表9から明らかなように、密着強度は、下地メッキ金属がコバルトのとき最も高く、次いでニッケル、銅の順序であった。なお、ニッケルと銅はコバルトよりも低コストで実用的である。   As is clear from Table 9, the adhesion strength was highest when the base plating metal was cobalt, followed by nickel and copper. Nickel and copper are practical at lower cost than cobalt.

なお、表2、表3、表9に、サンドブラスト処理を施さずに導電性金属膜を電気メッキしたもの(ブラスト条件が“ブラスト前”のもの)を併記したが、いずれも高分子フィルムから導電性金属膜が剥離してしまいピール強度を測定することができなかった。そのためピール強度を0とした。   In Tables 2, 3, and 9, the conductive metal film electroplated without sandblasting (the blast condition is “before blasting”) is also shown. The peelable metal film peeled off, and the peel strength could not be measured. Therefore, the peel strength was set to zero.

ブラスト装置にウェットブラスト装置を用いた他は、実施例1と同じ方法により積層体を製造し、実施例1と同じ方法によりR/ARなどを求めた。図6に示すように、前記ウェットブラスト装置13の構造は図1とほぼ同様であるが、ここでは研削材4は水41と混合した状態(研削材の濃度15質量%)で噴射した。噴射ノズル13aには、噴射口の幅H(350mm)が高分子フィルムの幅h(300mm)より大きいものを用いた。研削材は#800、#1200、#2000の白色アルミナを用いた。研削材4の噴射量は100g/minとした。噴射圧力は0.15MPa、0.2MPa、0.25MPaの3とおりに変化させた。噴射ノズルと高分子フィルム間の間隔は50mmとした。高分子フィルムの走行速度は1.2m/分とした。噴射口の長さ(フィルム走行方向の長さ)は1mm、高分子フィルム1の厚みは50μmである。高分子フィルムは張力をかけてロール表面に密着させた。ウェットブラスト処理条件を表10に、表面状態、ピール強度、ピンホール個数を表11に示す。   A laminate was produced by the same method as in Example 1 except that a wet blasting device was used as the blasting device, and R / AR and the like were determined by the same method as in Example 1. As shown in FIG. 6, the structure of the wet blasting device 13 is substantially the same as that in FIG. 1, but here the abrasive 4 was injected in a state of being mixed with water 41 (abrasive concentration 15 mass%). As the injection nozzle 13a, one having a width H (350 mm) of the injection port larger than the width h (300 mm) of the polymer film was used. As the abrasive material, white alumina of # 800, # 1200, and # 2000 was used. The injection amount of the abrasive 4 was set to 100 g / min. The injection pressure was changed in three ways: 0.15 MPa, 0.2 MPa, and 0.25 MPa. The interval between the spray nozzle and the polymer film was 50 mm. The running speed of the polymer film was 1.2 m / min. The length of the injection port (length in the film running direction) is 1 mm, and the thickness of the polymer film 1 is 50 μm. The polymer film was brought into close contact with the roll surface by applying tension. Table 10 shows the wet blasting conditions, and Table 11 shows the surface state, peel strength, and number of pinholes.

Figure 2007092036
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Figure 2007092036
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表11から明らかなように、本発明例(実施例5)の積層体はR/ARが15〜52で均一な粗化状態が得られた。ピール強度は0.81kN/m以上となり良好な密着性が得られた。またピンホールも存在しなかった。噴射口の幅Hを高分子フィルムの幅hより大きくしたので高分子フィルムの端部がブラスト処理されないなどの処理ムラが発生するようなこともなかった。   As is clear from Table 11, the laminated body of the inventive example (Example 5) had a R / AR of 15 to 52 and a uniform roughened state. The peel strength was 0.81 kN / m or more, and good adhesion was obtained. There were no pinholes. Since the width H of the injection port was made larger than the width h of the polymer film, processing unevenness such as the end of the polymer film not being blasted was not generated.

[比較例2]
高分子フィルムを空中に浮かしてブラスト粗化を行った他は、実施例5と同じ方法により積層体を製造し、実施例5と同じ方法によりR/ARなどを求めた。結果を表12に示す。
[Comparative Example 2]
A laminate was produced by the same method as in Example 5 except that the polymer film was floated in the air and blasted, and R / AR and the like were determined by the same method as in Example 5. The results are shown in Table 12.

Figure 2007092036
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表12から明らかなように、比較例2では高分子フィルムを空中に浮かしてブラスト粗化を行ったため噴射圧力が0.2MPa以上になるとブラスト粗化中に高分子フィルムが破れてしまう不具合が生じた。噴射圧力が0.15MPaではフィルムの破損はなかったが、フィルムが傷つきシワが多数発生してしまい、実用に耐えない状態のものとなった。   As is clear from Table 12, in Comparative Example 2, the polymer film was floated in the air and blast roughened, so that when the injection pressure was 0.2 MPa or more, the polymer film was broken during the blast roughening. It was. When the injection pressure was 0.15 MPa, the film was not damaged, but the film was damaged and many wrinkles were generated, and the film was in a state that could not withstand practical use.

本発明の高分子フィルムの連続式粗化方法の実施形態を示す全体説明図である。It is a whole explanatory view showing an embodiment of a continuous roughening method of a polymer film of the present invention. 本発明の高分子フィルムの連続式粗化方法の部分説明図である。It is a partial explanatory view of the continuous roughening method of the polymer film of the present invention. 本発明の高分子フィルムのバッチ式粗化方法の説明図である。It is explanatory drawing of the batch type roughening method of the polymer film of this invention. ピール強度とR/ARの関係図(高分子フィルム:BIAC)Relationship between peel strength and R / AR (polymer film: BIAC) ピール強度とR/ARの関係図(高分子フィルム:Vecstar)Relationship between peel strength and R / AR (polymer film: Vecstar) 本発明の高分子フィルムの連続式粗化方法の他の実施形態を示す、(イ)は正面説明図、(ロ)は(イ)のA−A断面説明図である。Other embodiment of the continuous roughening method of the polymer film of this invention is shown, (A) is front explanatory drawing, (B) is AA cross-section explanatory drawing of (A).

符号の説明Explanation of symbols

1 高分子フィルム
1a 高分子フィルムの裏面
1b 高分子フィルムの表面
2 金属ロール(支持体)
2a 金属ロール表面
3 ドライブラスト装置
3a ドライブラスト装置の噴射ノズル
4 研削材
5 洗浄装置
6 コンプレッサー
7 高分子フィルムの張力制御用ロール
8 ガイドロール
10 高分子フィルムを挟み込む治具
11 高分子フィルム
12 ステンレス台
13 ウェットブラスト装置
13aウェットブラスト装置の噴射ノズル
41 水
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polymer film 1a Polymer film back surface 1b Polymer film surface 2 Metal roll (support)
2a metal roll surface 3 drive last device 3a drive last device injection nozzle 4 abrasive 5 cleaning device 6 compressor 7 polymer film tension control roll 8 guide roll 10 jig 11 for sandwiching polymer film polymer film 12 stainless steel stand 13 Wet Blasting Device 13a Wet Blasting Device Spray Nozzle 41 Water

Claims (9)

表面に所定の凹凸形状を有する高分子フィルムであって、前記凹凸形状をJIS B0631(2000年)に規定された、粗さモチーフの深さと粗さモチーフの長さからなるモチーフパラメータで評価する場合、前記モチーフパラメータは下記(1)と(2)の条件を満足することを特徴とする高分子フィルム。
(1)粗さモチーフの平均深さの範囲が0.4μm〜3.0μmである。
(2)X=粗さモチーフの平均深さ(μm)/粗さモチーフの平均長さ(mm)としたとき、Xの範囲が13〜60である。
A polymer film having a predetermined concavo-convex shape on the surface, wherein the concavo-convex shape is evaluated by a motif parameter defined by JIS B0631 (2000) consisting of the depth of the roughness motif and the length of the roughness motif The polymer parameter satisfies the following conditions (1) and (2):
(1) The range of the average depth of the roughness motif is 0.4 μm to 3.0 μm.
(2) When X = average depth of roughness motif (μm) / average length of roughness motif (mm), the range of X is 13-60.
前記高分子フィルムは、溶融状態において光学的異方性を示すことを特徴とする請求項1に記載の高分子フィルム。   The polymer film according to claim 1, wherein the polymer film exhibits optical anisotropy in a molten state. 請求項1または2に記載の高分子フィルムの表面に導電性金属膜が形成されていることを特徴とする配線基板用積層体。   A laminate for a wiring board, wherein a conductive metal film is formed on the surface of the polymer film according to claim 1. 前記導電性金属膜がCu、Cu合金、Ni、Ni合金、Co、Co合金、のいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項3に記載の配線基板用積層体。   The laminate for a wiring board according to claim 3, wherein the conductive metal film is formed of any one of Cu, Cu alloy, Ni, Ni alloy, Co, and Co alloy. 請求項1または2に記載の高分子フィルムの製造方法において、少なくともサンドブラスト法により前記高分子フィルムの表面に粗化処理を施した後、前記高分子フィルムを洗浄する工程を有し、前記粗化処理は、前記高分子フィルムの粗化される面の裏面を支持体に密着させた状態で行うことを特徴とする高分子フィルムの製造方法。   The method for producing a polymer film according to claim 1 or 2, further comprising a step of washing the polymer film after performing a roughening treatment on a surface of the polymer film by at least a sandblast method. The process is performed in a state where the back surface of the surface to be roughened of the polymer film is in close contact with the support. 前記支持体は前記高分子フィルムと同調して進行または回転することを特徴とする請求項5に記載の高分子フィルムの製造方法。   The method for producing a polymer film according to claim 5, wherein the support advances or rotates in synchronization with the polymer film. 前記サンドブラストによる粗化処理において、空気またはガスをイオン化してフィルム表面に研削材と共に吹き付けることを特徴とする請求項5または6に記載の高分子フィルムの製造方法。   The method for producing a polymer film according to claim 5 or 6, wherein, in the roughening treatment by sandblasting, air or gas is ionized and sprayed onto the film surface together with an abrasive. 前記サンドブラスト法がウェットブラスト法であることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の高分子フィルムの製造方法。   The method for producing a polymer film according to any one of claims 5 to 7, wherein the sand blasting method is a wet blasting method. 噴射ノズルの開口幅が高分子フィルム幅より広いことを特徴とする請求項8に記載の高分子フィルムの製造方法。   The method for producing a polymer film according to claim 8, wherein the opening width of the spray nozzle is wider than the polymer film width.
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