JP2007088002A - Cmosイメージセンサic - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 信号電荷を保持および蓄積する節に結線されるMOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域を、チャンネルストップ層と離間した位置であって、コンタクト領域と整合した位置に、コンタクト領域と略等しく従来に較べて極めて小さな面積(体積)をもって形成することによって、接合リーク電流や光信号の損失や複数のセンサ間でのリークのばらつきによる固定ノイズを抑制することができ、光に対する感度が上昇する。
【選択図】 図1
Description
2 P型チャンネルストップ層
3 LOCOS酸化膜
4 N型ソース領域
5 N型ドレイン領域
6 ゲート
7 ゲート酸化膜
8 中間絶縁膜
9 コンタクト領域
10 センサ回路
11 リセットトランジスタ
12 フォトダイオード
13 増幅回路
20 保持回路
21 保持容量
22A、22B スイッチトランジスタ
30 メタル配線
201 ゲートマスク絶縁膜
202 サイドスペーサー絶縁膜
203 ゲート電極と同一材料からなるスペーサー
Claims (5)
- フォトダイオードやMOSトランジスタなどの素子を同一シリコン基板上に構成するCMOSイメージセンサICにおいて、信号電荷を保持および蓄積する素子に結線されている前記MOSトランジスタのソース領域およびドレイン領域は、メタル配線と電気的接続を行うためのコンタクト領域と整合した位置に前記コンタクト領域と略等しい表面積をもって形成されているとともに、前記MOSトランジスタの前記ソース領域および前記ドレイン領域は、隣接する前記MOSトランジスタ同士が素子分離領域の導電性反転によって電気的導通をしてしまうことを防止するための拡散領域、いわゆるチャンネルストップ領域と離間して形成されていることを特徴とするCMOSイメージセンサIC。
- 前記MOSトランジスタが、前記フォトダイオードをリセットするリセットトランジスタであることを特徴とする請求項1記載のCMOSイメージセンサIC。
- 前記MOSトランジスタが、前記フォトダイオードの電荷を保持する容量に接続されたスイッチトランジスタであることを特徴とする請求項1記載のCMOSイメージセンサIC。
- 前記コンタクト領域は、前記MOSトランジスタのゲート電極および前記ゲート電極と同一材料からなるスペーサーの側壁に形成されたサイドスペーサー絶縁膜により囲まれていることを特徴とする請求項1記載のCMOSイメージセンサIC。
- 前記ゲート電極および前記スペーサーはポリシリコンからなり、前記サイドスペーサ絶縁膜はシリコン窒化膜からなる請求項4記載のCMOSイメージセンサIC。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005271477A JP2007088002A (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | Cmosイメージセンサic |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005271477A JP2007088002A (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | Cmosイメージセンサic |
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JP2007088002A true JP2007088002A (ja) | 2007-04-05 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010212319A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法 |
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-
2005
- 2005-09-20 JP JP2005271477A patent/JP2007088002A/ja not_active Withdrawn
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