JP2007087372A - メモリ装置、およびメモリ制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1および第2メモリを有するメモリ装置LUTアドレス生成部103は、入力データに対応するアドレスを生成し、キャッシュ制御部104は、キャッシュ部11第2のメモリに記憶されているデータに対応するアドレスと、前記LUTアドレス生成部103により生成されたアドレスとを比較する。また、メモリ装置キャッシュ制御部104は、前記生成されたアドレスに対応するデータを、第2のメモリキャッシュ部11から読出す。しまた、キャッシュ制御部104は、アドレスの比較結果に応じて、比較するアドレスのビット数を決定する。なお、メモリ装置は、生成されたアドレスに対応するデータが前記第2のメモリキャッシュ部11に記憶されていない場合、対応するデータを、第1のメモリ102から読出す。
【選択図】 図1
Description
しかしながら、上記3D-LUT+補間による色変換方法では、色変換の精度を向上させるために3D-LUTの1軸当たりの格子点数(以下「グリッド数」と記す)を増加させると、LUTの容量は3次元では3乗で増加する。また、色再現性向上の為にRGB以外の色フィルタを追加したデジタルカメラも登場しており、この場合、上記LUTの容量はグリッド数の4乗となり、膨大なメモリ容量が必要となる。
F×(1−H)+1×H≦Th (式1)
を満たさない場合、タグアドレスのビット幅を増やす。例えば、平均サイクル数を4以下に設定したい場合、Th=4となり、このときのキャッシュのフィルにかかるサイクル数Fを50とすると上記(式1)は
H≧(50−4)/(50−1)=0.938775・・
となり、ヒット率が約93.9%以上必要なことが分かる。なお、上記ヒット率の算出にはダーティビットがセットされているアドレスは含まないものとする。これは、初期状態ではキャッシュにデータが格納されていないため、ダーティビットがセットされているアドレスもカウントしてしまうとヒット率が低くなってしまうためである。また、本実施例では、局所的な変動要因の切換タイミングを考慮し、ある程度の画素数の変換が終わった後、所定画素数単位でビット幅の切換の判定を行う。
Claims (12)
- メモリ装置であって、
第1のメモリ手段と、
第2のメモリ手段と、
入力データに対応するアドレスを生成する生成手段と、
前記第2のメモリ手段に記憶されているデータに対応するアドレスと、前記生成手段により生成されたアドレスとを比較する比較手段と、
前記生成手段により生成されたアドレスに対応するデータを、前記第2のメモリ手段から読み出す読み出し手段と、
前記比較手段による比較結果に応じて、前記比較手段が比較するアドレスのビット数を決定する決定手段とを備え、
前記読み出し手段は、前記生成手段により生成されたアドレスに対応するデータが前記第2のメモリ手段に記憶されていない場合、対応するデータを前記第1のメモリ手段から読み出すことを特徴とするメモリ装置。 - 前記比較手段は、前記第2のメモリ手段に記憶されているデータに対応するアドレスと、前記生成手段により生成されたアドレスの上位アドレスとを比較することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記比較手段は、前記第2のメモリ手段に記憶されているデータに対応するアドレスの上位アドレスを、当該上位アドレスに続く下位アドレスに対応して記憶する第3の記憶手段を有することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記比較手段は、前記生成手段により生成されたアドレスのうちの、第1の所定ビット位置から第2の所定ビット位置までの範囲において、比較するアドレス以外をマスクするマスク手段を有することを特徴とする請求項3に記載のメモリ装置。
- 前記決定手段は、前記比較手段による比較結果の比率に応じて、前記比較手段が比較するアドレスのビット数を決定することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記決定手段は、前記比較手段が比較するアドレスの下位ビット数を決定することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 第1および第2メモリを有するメモリ装置のメモリ制御方法であって、
入力データに対応するアドレスを生成する生成工程と、
前記第2のメモリに記憶されているデータに対応するアドレスと、前記生成されたアドレスとを比較する比較工程と、
前記生成されたアドレスに対応するデータを、前記第2のメモリから読み出す読み出し工程と、
前記比較結果に応じて、前記比較するアドレスのビット数を決定する決定工程とを備え、
前記読み出し工程では、前記生成されたアドレスに対応するデータが前記第2のメモリに記憶されていない場合、対応するデータを前記第1のメモリから読み出すことを特徴とするメモリ装置のメモリ制御方法。 - 前記比較工程では、前記第2のメモリに記憶されているデータに対応するアドレスと、前記生成されたアドレスの上位アドレスとを比較することを特徴とする請求項7に記載のメモリ制御方法。
- 前記比較工程では、前記第2のメモリに記憶されているデータに対応するアドレスの上位アドレスを、当該上位アドレスに続く下位アドレスに対応して第3のメモリに記憶する工程を備えることを特徴とする請求項7に記載のメモリ制御方法。
- 前記比較工程では、前記生成されたアドレスのうちの、第1の所定ビット位置から第2の所定ビット位置までの範囲において、比較するアドレス以外をマスクするマスク工程を備えることを特徴とする請求項9に記載のメモリ制御方法。
- 前記決定工程では、前記比較結果の比率に応じて、前記比較するアドレスのビット数を決定することを特徴とする請求項7に記載のメモリ制御方法。
- 前記決定工程では、前記比較するアドレスの下位ビット数を決定することを特徴とする請求項7に記載のメモリ制御方法。
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JP2006203742A JP2007087372A (ja) | 2005-08-23 | 2006-07-26 | メモリ装置、およびメモリ制御方法 |
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-
2006
- 2006-07-26 JP JP2006203742A patent/JP2007087372A/ja active Pending
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