JP2007087019A - 半導体装置の設計装置、設計方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 1チップ内に複数のSRAM11-A,11-B,11-Nを有する半導体装置10の設計装置であって、SRAMの同時動作により発生するACノイズを見積もる同時動作ノイズ量算出部58を備え、見積もったACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように設計を行う。
【選択図】 図5
Description
(付記1) 1チップ内に複数のSRAMを有する半導体装置の設計装置であって、
前記SRAMの同時動作により発生するACノイズを見積もる同時動作ノイズ量算出部を備え、
見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように設計を行うことを特徴とする設計装置。(1)
(付記2) 前記半導体装置のレイアウトデータから、前記許容ノイズ量を算出する許容ノイズ量算出部を更に備える付記1に記載の設計装置。(2)
(付記3) 前記許容ノイズ量算出部は、前記半導体装置の回路が誤動作しないノイズ量の最大値を前記許容ノイズ量として定義する付記2に記載の設計装置。
(付記4) 前記SRAMの動作時の電流変化量を定義したライブラリィを更に備え、
前記同時動作ノイズ量算出部は、前記電流変化量からSRAM同時動作時の前記ACノイズを見積もる付記1に記載の設計装置。(3)
(付記5) 前記同時動作ノイズ量算出部が見積もった前記ACノイズが前記許容ノイズ量より大きい時には、レイアウトデータを再作成する付記1に記載の設計装置。(4)
(付記6) 見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように同時動作可能な前記SRAMの個数を決定する同時動作数決定部を更に備える付記1に記載の設計装置。(5)
(付記7) 前記半導体装置は、各SRAMへのクロックの供給を制御するゲーティング回路を備え、
当該設計装置は、同時動作する前記SRAMの個数が前記同時動作数決定部の決定した同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記ゲーティング回路を設定するゲーティング回路動作設定部を更に備える付記6に記載の設計装置。(6)
(付記8) 前記半導体装置は、各SRAMへの前記クロックの供給タイミングを制御するタイミングバッファ回路を更に備え、
当該設計装置は、同時動作する前記SRAMの個数が前記同時動作数決定部の決定した同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記タイミングバッファ回路を設定するゲーティングタイミング設定部を更に備える付記7に記載の設計装置。(7)
(付記9) 前記半導体装置を試験するための試験回路を前記半導体装置内に設定する試験回路生成部を更に備え、
前記試験回路生成部は、試験時に同時動作する前記SRAMの個数が前記同時動作数決定部の決定した同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記試験回路を設定する付記6に記載の設計装置。(8)
(付記10) 1チップ内に複数のSRAMを有する半導体装置の設計方法であって、
前記SRAMの同時動作により発生するACノイズを見積もり、
見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように設計を行うことを特徴とする設計方法。(9)
(付記11) 前記許容ノイズ量は、前記半導体装置のレイアウトデータから算出する付記10に記載の設計方法。
(付記12) 前記許容ノイズ量は、前記半導体装置の回路が誤動作しないノイズ量の最大値として定義される付記11に記載の設計方法。
(付記13) SRAM同時動作時の前記ACノイズは、前記SRAMの動作時の電流変化量を定義したライブラリィに記憶された前記電流変化量からを見積もられる付記10に記載の設計方法。
(付記14) 見積もった前記ACノイズが前記許容ノイズ量より大きい時には、レイアウトデータを再作成する付記10に記載の設計方法。
(付記15) 見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように同時動作可能な前記SRAMの個数を決定する付記10に記載の設計方法。
(付記16) 前記半導体装置は、各SRAMへのクロックの供給を制御するゲーティング回路を備え、
同時動作する前記SRAMの個数が、同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記ゲーティング回路を設定する付記15に記載の設計方法。
(付記17) 前記半導体装置は、各SRAMへの前記クロックの供給タイミングを制御するタイミングバッファ回路を更に備え、
前記タイミングバッファ回路は、同時動作する前記SRAMの個数が同時動作可能なSRAMの個数以下になるように設定される付記16に記載の設計方法。
(付記18) 前記半導体装置を試験するための試験回路を前記半導体装置内に設定し、
試験時に同時動作する前記SRAMの個数が同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記試験回路を設定する付記15に記載の設計方法。
(付記19) コンピュータに、1チップ内に複数のSRAMを有する半導体装置の設計を行わせるプログラムであって、
コンピュータに、前記SRAMの同時動作により発生するACノイズを見積もる同時動作ノイズ量算出処理と、見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように同時動作可能な前記SRAMの個数を決定させる処理とを行わせ、見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように設計を行わせることを特徴とするプログラム。(10)
11−A,11−B,11−N SRAM
56 SRAM同時動作数処理部
57 許容ノイズ量算出処理部
58 同時動作ノイズ量算出処理部
59 同時動作数決定処理部
Claims (10)
- 1チップ内に複数のSRAMを有する半導体装置の設計装置であって、
前記SRAMの同時動作により発生するACノイズを見積もる同時動作ノイズ量算出部を備え、
見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように設計を行うことを特徴とする設計装置。 - 前記半導体装置のレイアウトデータから、前記許容ノイズ量を算出する許容ノイズ量算出部を更に備える請求項1に記載の設計装置。
- 前記SRAMの動作時の電流変化量を定義したライブラリィを更に備え、
前記同時動作ノイズ量算出部は、前記電流変化量からSRAM同時動作時の前記ACノイズを見積もる請求項1に記載の設計装置。 - 前記同時動作ノイズ量算出部が見積もった前記ACノイズが前記許容ノイズ量より大きい時には、レイアウトデータを再作成する請求項1に記載の設計装置。
- 見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように同時動作可能な前記SRAMの個数を決定する同時動作数決定部を更に備える請求項1に記載の設計装置。
- 前記半導体装置は、各SRAMへのクロックの供給を制御するゲーティング回路を備え、
当該設計装置は、同時動作する前記SRAMの個数が前記同時動作数決定部の決定した同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記ゲーティング回路を設定するゲーティング回路動作設定部を更に備える請求項5に記載の設計装置。 - 前記半導体装置は、各SRAMへの前記クロックの供給タイミングを制御するタイミングバッファ回路を更に備え、
当該設計装置は、同時動作する前記SRAMの個数が前記同時動作数決定部の決定した同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記タイミングバッファ回路を設定するゲーティングタイミング設定部を更に備える請求項6に記載の設計装置。 - 前記半導体装置を試験するための試験回路を前記半導体装置内に設定する試験回路生成部を更に備え、
前記試験回路生成部は、試験時に同時動作する前記SRAMの個数が前記同時動作数決定部の決定した同時動作可能なSRAMの個数以下になるように、前記試験回路を設定する請求項5に記載の設計装置。 - 1チップ内に複数のSRAMを有する半導体装置の設計方法であって、
前記SRAMの同時動作により発生するACノイズを見積もり、
見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように設計を行うことを特徴とする設計方法。 - コンピュータに、1チップ内に複数のSRAMを有する半導体装置の設計を行わせるプログラムであって、
コンピュータに、前記SRAMの同時動作により発生するACノイズを見積もる同時動作ノイズ量算出処理と、見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように同時動作可能な前記SRAMの個数を決定させる処理とを行わせ、見積もった前記ACノイズが許容ノイズ量より小さくなるように設計を行わせることを特徴とするプログラム。
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Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPH0991998A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体記憶装置 |
JPH10242283A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路及び半導体集積回路のレイアウト方法 |
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---|---|---|---|---|
US6915249B1 (en) * | 1998-05-14 | 2005-07-05 | Fujitsu Limited | Noise checking method and apparatus |
US6117182A (en) * | 1998-06-12 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Optimum buffer placement for noise avoidance |
US6427223B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-07-30 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for adaptive verification of circuit designs |
US6587815B1 (en) * | 2000-02-04 | 2003-07-01 | Sun Microsystems, Inc. | Windowing scheme for analyzing noise from multiple sources |
US6665845B1 (en) * | 2000-02-25 | 2003-12-16 | Sun Microsystems, Inc. | System and method for topology based noise estimation of submicron integrated circuit designs |
US6574127B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-06-03 | Ibm Corporation | System and method for reducing noise of congested datalines in an eDRAM |
US20030212973A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-13 | Shen Lin | Methods for full-chip vectorless dynamic IR analysis in IC designs |
US20030212538A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-13 | Shen Lin | Method for full-chip vectorless dynamic IR and timing impact analysis in IC designs |
US6898769B2 (en) * | 2002-10-10 | 2005-05-24 | International Business Machines Corporation | Decoupling capacitor sizing and placement |
US7117457B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-10-03 | Sequence Design, Inc. | Current scheduling system and method for optimizing multi-threshold CMOS designs |
US7159160B2 (en) * | 2004-06-21 | 2007-01-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method and apparatus for measuring switching noise in integrated circuits |
US7346867B2 (en) * | 2005-02-01 | 2008-03-18 | International Business Machines Corporation | Method for estimating propagation noise based on effective capacitance in an integrated circuit chip |
US7359811B1 (en) * | 2005-06-16 | 2008-04-15 | Altera Corporation | Programmable logic device with power supply noise monitoring |
US7523238B2 (en) * | 2005-06-30 | 2009-04-21 | Teradyne, Inc. | Device and method to reduce simultaneous switching noise |
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---|---|---|---|---|
JPH0991998A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体記憶装置 |
JPH10242283A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路及び半導体集積回路のレイアウト方法 |
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