JP2007085702A - Glass substrate treating device, glass substrate treating system and glass substrate treating method - Google Patents

Glass substrate treating device, glass substrate treating system and glass substrate treating method Download PDF

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敏朗 神田
Yukio Nagano
由亀雄 長野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a glass substrate treating device miniaturizable in outline by shortening a heat treating time of a glass substrate to reduce the storage number of glass. <P>SOLUTION: The glass substrate treating device 1 has a heating chamber 2 whose six sides are covered with heat insulating walls 3 formed of a well-known heat insulating material. An exhaust duct 21 is mounted to the heating chamber 2. The exhaust duct 21 is connected to the top face of the heating chamber 2. A substrate placing member 30 and a plurality of halogen heaters 31 are provided in the heating chamber 2. The glass substrate 32 is heated mainly by the halogen heaters 31. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ガラス基板を熱処理するガラス基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a glass substrate processing apparatus for heat-treating a glass substrate.

従来より、下記特許文献１，２に開示されているようなガラス基板処理装置が液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display）、有機ELディスプレイ等のようなフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel display）の製作に使用されている。
特開２００４−２１８９８４号公報 特開平６−６６７１５号公報 Conventionally, glass substrate processing apparatuses as disclosed in Patent Documents 1 and 2 below are flat panel displays such as liquid crystal displays (LCDs), plasma displays (PDPs), and organic EL displays. (FPD: used for the production of Flat Panel display).
JP 2004-218984 A JP-A-6-66715

特許文献１に開示されたガラス基板処理装置は、断熱壁で囲まれた加熱室を有する。そしてガラスに特定の溶液を塗布したガラス基板を加熱室内に収容し、熱処理（焼成）する。
特許文献１に開示されたガラス基板処理装置では、加熱のための熱源として熱風が使用されている。即ち特許文献１に開示された熱処理装置では、加熱室の下部及び側面に空調部を有し、当該空調部で２５０°Ｃ程度の熱風を作る。そしてこの熱風を加熱室に送風してガラス基板を加熱する。 The glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 has a heating chamber surrounded by a heat insulating wall. And the glass substrate which apply | coated specific solution to glass is accommodated in a heating chamber, and is heat-processed (baking).
In the glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, hot air is used as a heat source for heating. That is, in the heat treatment apparatus disclosed in Patent Document 1, the air conditioning unit is provided at the lower part and the side surface of the heating chamber, and hot air of about 250 ° C. is generated by the air conditioning unit. Then, the hot air is blown into the heating chamber to heat the glass substrate.

特許文献１に開示されたガラス基板処理装置では、加熱室の中に基板を載置する載置台が設けられている。載置台は、複数の棚を備えている。また特許文献１に開示されたガラス基板処理装置では、加熱室の、棚の高さに相当する位置に、小扉が設けられている。   In the glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, a mounting table for mounting a substrate is provided in a heating chamber. The mounting table includes a plurality of shelves. Moreover, in the glass substrate processing apparatus disclosed by patent document 1, the small door is provided in the position equivalent to the height of a shelf of a heating chamber.

一方、特許文献２に開示されたガラス基板処理装置では、ゴンドラと称される載置装置が採用されている。特許文献２に開示されたガラス基板処理装置では、ガラス基板を出し入れする扉は、１個である。ゴンドラは、複数の棚を有すると共に、加熱室の中で昇降する。   On the other hand, the glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 2 employs a mounting device called a gondola. In the glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 2, the number of doors through which the glass substrate is taken in and out is one. The gondola has a plurality of shelves and moves up and down in the heating chamber.

従来技術のガラス基板処理装置は、液晶ディスプレイ等の製造に広く利用され、需要者にも好評である。
しかしながら従来技術のガラス基板処理装置は、構造が複雑である上、装置が大きすぎるという問題があった。
即ち従来技術のガラス基板処理装置は、前記した様にいずれも熱風を熱源として使用するものであるから、ガラス基板の昇温に時間がかかる。そのため従来技術のガラス基板処理装置では、多数の基板を並列的に熱処理する構造を採用せざるを得ない。 Conventional glass substrate processing apparatuses are widely used in the manufacture of liquid crystal displays and the like, and are well received by consumers.
However, the glass substrate processing apparatus of the prior art has a problem that the structure is complicated and the apparatus is too large.
That is, since all the glass substrate processing apparatuses of the prior art use hot air as a heat source as described above, it takes time to raise the temperature of the glass substrate. Therefore, the conventional glass substrate processing apparatus must adopt a structure in which a number of substrates are heat-treated in parallel.

そこで特許文献１に開示されたガラス基板処理装置では、前記した様に加熱室の内部に複数段の棚を備えた載置台を設けている。そして各段にガラス基板を載置し、多数のガラス基板を並列的に加熱する構造が採用されている。
また特許文献１に開示されたガラス基板処理装置では、前記した様に加熱室の正面に各棚に対応した細長い小扉が設けられている。特許文献１に開示されたガラス基板処理装置では、前記した小扉を開き、ロボット等を使用して各棚に一枚づつ基板を載置して行く。そしてロボット等を使用し、処理が終わったものから順次、取り出す。 Therefore, in the glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, as described above, the mounting table including a plurality of shelves is provided inside the heating chamber. And the structure which mounts a glass substrate in each step | paragraph and heats many glass substrates in parallel is employ | adopted.
Moreover, in the glass substrate processing apparatus disclosed by patent document 1, as mentioned above, the elongate small door corresponding to each shelf is provided in the front of the heating chamber. In the glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, the small door described above is opened, and a substrate or the like is placed on each shelf using a robot or the like. Then, using a robot or the like, the processing is sequentially performed from the finished one.

この様に特許文献１に開示されたガラス基板処理装置は、内部に複数段の棚を備えた載置台が設置されているので、全体形状が大きく、場所を取る。   As described above, the glass substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 has a mounting table provided with a plurality of shelves therein, and therefore has a large overall shape and takes up space.

特許文献２に記載されたガラス基板処理装置は、全体形状は特許文献１よりも更に大きなものとなる。   The glass substrate processing apparatus described in Patent Document 2 has a larger overall shape than that of Patent Document 1.

そこで本発明は、従来技術の上記した問題点に注目し、ガラス基板の熱処理時間を短くすることでガラス基板収容枚数を低減し、外形形状の小型化を実現することができるガラス基板処理装置の提供を課題とするものである。   Therefore, the present invention pays attention to the above-mentioned problems of the prior art, reduces the number of glass substrate accommodation by shortening the heat treatment time of the glass substrate, and can reduce the outer shape of the glass substrate processing apparatus. Providing is an issue.

上記した課題を解決するための請求項１に記載の発明は、ガラス基板を熱処理するガラス基板処理装置において、断熱壁に覆われた加熱室と、加熱室を換気する換気装置と、加熱室内に設けられた基板載置部材と、ハロゲンヒータとを備え、基板載置部材はガラス基板を載置可能であり、前記ハロゲンヒータによってガラス基板を加熱可能であることを特徴とするガラス基板処理装置である。   The invention according to claim 1 for solving the above-described problem is a glass substrate processing apparatus for heat-treating a glass substrate, a heating chamber covered with a heat insulating wall, a ventilation device for ventilating the heating chamber, and a heating chamber. A glass substrate processing apparatus comprising: a substrate mounting member provided; and a halogen heater, wherein the substrate mounting member is capable of mounting a glass substrate, and the glass substrate can be heated by the halogen heater. is there.

本発明のガラス基板処理装置では、熱源としてハロゲンヒータを採用している。ハロゲンヒータは、ニクロム線等の様な熱容量の大きな部材を持たないので、ヒータ自身の昇温速度が早い。またハロゲンヒータは、輻射熱によって被加熱物を昇温させる。そのため本発明のガラス基板処理装置は、装置自身の昇温が早く、また熱が輻射によって直接ガラス基板に伝達されるので、ガラス基板の昇温が早い。そのため本発明のガラス基板処理装置は、基板一枚あたりの処理時間を短縮することができ、単位時間当たり処理量を維持しつつ、外形形状の小型化を図ることができる。   The glass substrate processing apparatus of the present invention employs a halogen heater as a heat source. Since the halogen heater does not have a member having a large heat capacity such as nichrome wire, the heater itself has a high temperature increase rate. The halogen heater raises the temperature of the object to be heated by radiant heat. Therefore, in the glass substrate processing apparatus of the present invention, the temperature of the glass substrate is high and the temperature of the glass substrate is high because heat is directly transferred to the glass substrate by radiation. Therefore, the glass substrate processing apparatus of the present invention can shorten the processing time per substrate, and can reduce the outer shape while maintaining the processing amount per unit time.

請求項２に記載の発明は、加熱室のガラス基板の上方に相当する部位に換気装置に連通する排気口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板処理装置である。
なおハロゲンヒータはガラス基板の上部に位置されることが望ましい。 The invention according to claim 2 is the glass substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an exhaust port communicating with the ventilator is provided in a portion corresponding to the upper part of the glass substrate of the heating chamber. .
The halogen heater is preferably located on the upper part of the glass substrate.

本発明のガラス基板処理装置は、溶液等が塗布されたガラス基板を処理するのに適するものである。即ち、前記した様に、液晶ディスプレイ等の製造工程においては、溶液を塗布したガラス基板を熱処理する。この種のガラス基板を加熱すると基板上に塗布されていた特定の溶液等が気化してガスが発生する。そこで本発明は、ガスを排気するための換気装置を設けた。本発明では、ガラス基板はハロゲンヒータによって加熱される。加熱によって発生したガスは上昇するが、本発明のガラス基板処理装置では加熱室のガラス基板の上方に相当する部位に換気装置に連通する排気口が設けられているから、上昇したガスを円滑に排気することができる。   The glass substrate processing apparatus of the present invention is suitable for processing a glass substrate coated with a solution or the like. That is, as described above, in the manufacturing process of a liquid crystal display or the like, the glass substrate coated with the solution is heat-treated. When this type of glass substrate is heated, a specific solution applied on the substrate is vaporized to generate gas. Therefore, the present invention is provided with a ventilation device for exhausting gas. In the present invention, the glass substrate is heated by a halogen heater. Although the gas generated by heating rises, in the glass substrate processing apparatus of the present invention, an exhaust port communicating with the ventilator is provided in a portion corresponding to the upper part of the glass substrate in the heating chamber, so that the raised gas can be smoothly flown. Can be exhausted.

請求項３に記載の発明は、ハロゲンヒータはガラス基板の下部に位置され、加熱室には換気装置に連通する排気口が設けられ、前記排気口の近傍にヒータが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板処理装置である。   The invention according to claim 3 is characterized in that the halogen heater is positioned below the glass substrate, an exhaust port communicating with the ventilator is provided in the heating chamber, and a heater is provided in the vicinity of the exhaust port. The glass substrate processing apparatus according to claim 1.

前記した様に、液晶ディスプレイ等に使用するガラス基板は、加熱するとガスが発生するが、ガスの温度が低下するとガス化した気化物が凝縮する。この凝縮物がガラス基板上に落下すると、不良の原因となる。
ガスが凝縮するのは、ガスの温度が低温となる部位であるが、ガスの温度が低温になる懸念があり、且つ凝縮物がガラス基板に落下する可能性が高いのは換気装置に連通する排気口の近傍である。
ここでハロゲンヒータをガラス基板の下部に設置すると、ハロゲンヒータによっては排気口近傍を加熱することができない。そのためハロゲンヒータをガラス基板の下部に設置すると、排気口の近傍の温度が低下し、ガスが凝縮し易い。
そこで本発明では、換気装置に連通する排気口の部分にヒータを設け、当該部位における凝縮物の生成を防止した。 As described above, a glass substrate used for a liquid crystal display or the like generates gas when heated, but gasified vaporized material condenses when the temperature of the gas decreases. If this condensate falls on the glass substrate, it causes a defect.
The gas condenses in the part where the temperature of the gas becomes low, but there is a concern that the temperature of the gas becomes low, and the possibility that the condensate falls to the glass substrate is connected to the ventilator. It is near the exhaust port.
If a halogen heater is installed below the glass substrate, the vicinity of the exhaust port cannot be heated by the halogen heater. Therefore, when a halogen heater is installed in the lower part of the glass substrate, the temperature in the vicinity of the exhaust port decreases, and the gas tends to condense.
Therefore, in the present invention, a heater is provided in the portion of the exhaust port communicating with the ventilator to prevent the generation of condensate in the portion.

請求項４に記載の発明は、熱風発生装置を備え、熱風によってもガラス基板が加熱されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のガラス基板処理装置である。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the glass substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, further comprising a hot air generating device, wherein the glass substrate is heated by the hot air.

本発明のガラス基板処理装置では、熱風によってもガラス基板が加熱されるので、ガラス基板の処理時間がより短いものとなる。また加熱室内の雰囲気温度を維持することができるので、気化ガスが凝縮しにくい。そのため凝縮物による不良率を低減することができる。   In the glass substrate processing apparatus of this invention, since a glass substrate is heated also with a hot air, the processing time of a glass substrate becomes a shorter thing. Moreover, since the atmospheric temperature in the heating chamber can be maintained, the vaporized gas is difficult to condense. Therefore, the defect rate due to the condensate can be reduced.

請求項５に記載の発明は、ハロゲンヒータを複数備え、各ハロゲンヒータは、個々のハロゲンヒータごと、あるいは所定のハロゲンヒータ群ごとに制御されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のガラス基板処理装置である。   The invention described in claim 5 is provided with a plurality of halogen heaters, and each halogen heater is controlled for each individual halogen heater or for each predetermined halogen heater group. A glass substrate processing apparatus according to claim 1.

本発明のガラス基板処理装置では、ハロゲンヒータの制御をヒータごと、或いは所定の群にわけて行うこととしたので、ガラス基板の温度ばらつきを少なくすることができる。   In the glass substrate processing apparatus of the present invention, since the halogen heater is controlled for each heater or in a predetermined group, temperature variations of the glass substrate can be reduced.

請求項６に記載の発明は、基板載置部材は単層であり、一枚のガラス基板のみを載置可能であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のガラス基板処理装置である。   The glass substrate processing according to any one of claims 1 to 5, wherein the substrate mounting member is a single layer, and only one glass substrate can be mounted. Device.

本発明のガラス基板処理装置は、ガラス基板を一枚ずつ熱処理する。そのため装置の外形形状が小さい。   The glass substrate processing apparatus of the present invention heat-treats glass substrates one by one. Therefore, the external shape of the device is small.

請求項７に記載の発明は、基板載置部材はコンベアであり、加熱室には基板挿入口と基板排出口が設けられ、ガラス基板は、コンベアによって基板挿入口側から基板排出口側に搬送されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のガラス基板処理装置である。   In the invention described in claim 7, the substrate mounting member is a conveyor, the heating chamber is provided with a substrate insertion port and a substrate discharge port, and the glass substrate is conveyed from the substrate insertion port side to the substrate discharge port side by the conveyor. The glass substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the glass substrate processing apparatus is a glass substrate processing apparatus.

本発明のガラス基板処理装置では、基板載置部材がコンベアであり、搬送能力を持つ。そのため基板の導入や排出が容易である。また基板載置部材によってガラス基板を加熱室内で移動させ、その間にガラス基板を熱処理する方策も考えられる。即ちガラス基板を連続的に熱処理することも可能である。またコンベアを間欠的に動作させてもよい。   In the glass substrate processing apparatus of this invention, a substrate mounting member is a conveyor and has a conveyance capability. Therefore, it is easy to introduce and discharge the substrate. Further, it is conceivable to move the glass substrate in the heating chamber by the substrate mounting member and heat-treat the glass substrate during that time. That is, it is possible to heat-treat the glass substrate continuously. Moreover, you may operate a conveyor intermittently.

請求項８に記載の発明は、第一基板処理装置と、第二基板処理装置によって構成されるガラス基板処理システムであって、前記第一基板処理装置は請求項１乃至７のいずれかに記載のガラス基板処理装置であり、第二熱処理装置は複数のガラス基板を収納可能であって複数のガラス基板を同時に熱処理するものであることを特徴とするガラス基板処理システムである。   The invention according to claim 8 is a glass substrate processing system including a first substrate processing apparatus and a second substrate processing apparatus, wherein the first substrate processing apparatus is according to any one of claims 1 to 7. The glass substrate processing apparatus, wherein the second heat treatment apparatus is capable of storing a plurality of glass substrates and heat-treats the plurality of glass substrates simultaneously.

本発明のガラス基板処理システムは、上記したガラス基板処理装置を前処理装置として活用するものである。
処理されるガラス基板には、多くの場合、溶液等が塗布されるが、塗布される溶液等の中には、加熱初期に、より多量のガスを発生させるものがある。本発明は、この様な加熱初期に大量のガスを発生させる様なガラス基板を熱処理するのに好適な例を示すものである。 The glass substrate processing system of the present invention utilizes the above-described glass substrate processing apparatus as a pretreatment apparatus.
In many cases, a solution or the like is applied to the glass substrate to be processed. However, some of the applied solutions and the like generate a larger amount of gas at the initial stage of heating. The present invention shows an example suitable for heat-treating a glass substrate that generates a large amount of gas at the beginning of such heating.

即ち前述した特許文献１，２に記載の従来技術のガラス基板処理装置は、加熱室内の温度が低下した時や、加熱室の温度の低い部位等に触れたときに気化物（ガス）が凝縮して装置の各部に付着し、さらに凝縮物がガラス基板上に落下して製品の歩留りを低下させるという問題があった。
そのため従来の熱処理装置では、加熱室の内外を掃除して付着した凝縮物を取り除く作業を頻繁に行わなければならなかった。 That is, the glass substrate processing apparatus of the prior art described in Patent Documents 1 and 2 described above condenses the vapor (gas) when the temperature in the heating chamber decreases or when the temperature of the heating chamber is low. As a result, there is a problem in that it adheres to each part of the apparatus, and the condensate falls on the glass substrate to reduce the yield of the product.
Therefore, in the conventional heat treatment apparatus, the inside and outside of the heating chamber must be cleaned to remove the attached condensate frequently.

そこで発明者らが凝縮物の発生を抑制するために調査を行ったところ、処理する基板には多種のものがあり、一概には言えないものの、加熱初期により多くのガスを発生する基板があることが分かった。
この様な加熱初期により多くのガスを発生させる基板を熱処理する際には、特許文献１，２に記載された様なガラス基板処理装置に基板を挿入する前に、ガラス基板を所定の温度まで昇温しておけば、この昇温段階で気化成分の多くがガス化するのではないかと予想した。 Therefore, when the inventors conducted an investigation to suppress the generation of condensate, there are various types of substrates to be processed, and although it cannot be generally stated, there are substrates that generate more gas in the initial stage of heating. I understood that.
When heat-treating a substrate that generates more gas at the initial stage of heating, the glass substrate is brought to a predetermined temperature before inserting the substrate into the glass substrate processing apparatus as described in Patent Documents 1 and 2. If the temperature was raised, it was expected that most of the vaporized components would be gasified at this temperature raising stage.

ここで前記した請求項１乃至７に記載したガラス基板処理装置は、短時間でガラス基板を昇温させることができるので、特許文献１，２に記載の従来技術の装置に挿入する前に請求項１乃至７に記載した装置で基板を熱処理すれば、後側の装置内でガスが発生しにくく、凝縮物が生じにくい。そのためガラス基板の歩留りが上昇する。
また従来技術のガラス基板処理装置は、昇温が遅いという点が欠点であるが、請求項１等に記載されたガラス基板処理装置を使用して前処理すると、全体としての処理時間が短縮され、処理能力が増大する。即ち特許文献１，２に記載の従来技術の装置に挿入する前に請求項１乃至７に記載した装置で基板を熱処理すれば、後側の装置内での熱処理時間が短くなる。 Here, since the glass substrate processing apparatus described in claims 1 to 7 can raise the temperature of the glass substrate in a short time, it is requested before inserting into the prior art apparatus described in Patent Documents 1 and 2. When the substrate is heat-treated with the apparatus described in Items 1 to 7, gas is hardly generated in the rear apparatus, and condensate is hardly generated. Therefore, the yield of the glass substrate is increased.
In addition, the glass substrate processing apparatus of the prior art has a drawback that the temperature rise is slow, but if the pretreatment is performed using the glass substrate processing apparatus described in claim 1 or the like, the processing time as a whole is shortened. , Processing capacity increases. That is, if the substrate is heat-treated with the apparatus described in claims 1 to 7 before being inserted into the prior art apparatus described in Patent Documents 1 and 2, the heat treatment time in the rear apparatus is shortened.

上記した様に請求項８に記載のガラス基板処理システムは、第一基板処理装置と、第二基板処理装置によって構成される。そして第一基板処理装置は、請求項１等に記載されたガラス基板処理装置であり、第二基板処理装置は、従来構成のガラス基板処理装置である。
本システムによると、従来構成のガラス基板処理装置の欠点が、第一基板処理装置に補われ、高い処理能力を発揮する。また、加熱初期により多くのガスを発生させる基板の熱処理に本システムを採用すると、第一基板処理装置における処理中にガスの多くが発生してしまい、第二基板処理装置で処理する際におけるガスの発生が抑制されるので、凝縮物による不良が少なく、品質が高い上に、製品の歩留りも高いものとなる。 As described above, the glass substrate processing system according to claim 8 includes the first substrate processing apparatus and the second substrate processing apparatus. The first substrate processing apparatus is a glass substrate processing apparatus described in claim 1 and the like, and the second substrate processing apparatus is a glass substrate processing apparatus having a conventional configuration.
According to this system, the defect of the glass substrate processing apparatus of the conventional configuration is compensated for by the first substrate processing apparatus, and high processing capability is exhibited. In addition, if this system is used for heat treatment of a substrate that generates more gas in the initial stage of heating, a large amount of gas is generated during processing in the first substrate processing apparatus, and gas in processing in the second substrate processing apparatus As a result, there are few defects due to condensate, the quality is high, and the product yield is also high.

請求項９に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載のガラス基板処理装置によってガラス基板を熱処理した後、前記した処理時間よりも長時間に渡って他の熱処理装置によってガラス基板を熱処理することを特徴とするガラス基板処理方法である。   According to a ninth aspect of the present invention, after the glass substrate is heat treated by the glass substrate processing apparatus according to any one of the first to seventh aspects, the glass substrate is heated by another heat treatment apparatus for a longer time than the above processing time. The glass substrate processing method characterized by heat-treating.

本発明のガラス基板処理方法についても、上記したガラス基板処理装置を前処理装置として活用するものであり、従来技術の欠点が補われ、処理能力が増大すると共に品質、歩留りともに向上する。   The glass substrate processing method of the present invention also utilizes the glass substrate processing apparatus described above as a pre-processing apparatus, which compensates for the drawbacks of the prior art, increases the processing capability, and improves both quality and yield.

本発明のガラス基板処理装置は、従来技術と同等の処理能力を維持し、且つ装置の小型化を実現することができる効果がある。
また本発明のガラス基板処理システム及びガラス基板処理方法を、加熱初期により多くのガスを発生させる基板の熱処理に採用すると、処理品質及び歩留りの向上を図ることができる。 The glass substrate processing apparatus of the present invention has the effects of maintaining the processing capability equivalent to that of the prior art and realizing the downsizing of the apparatus.
Further, when the glass substrate processing system and the glass substrate processing method of the present invention are employed for heat treatment of a substrate that generates more gas at the initial stage of heating, the processing quality and the yield can be improved.

以下さらに本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の第一実施形態のガラス基板処理装置の模式断面図である。図２は、図１のガラス基板処理装置の断面斜視図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a glass substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional perspective view of the glass substrate processing apparatus of FIG.

図において、１は、本実施形態のガラス基板処理装置を示す。ガラス基板処理装置は、図に示すように、加熱室２を中心とするものである。加熱室２は、公知の断熱材で作られた断熱壁３で６面が覆われている。
また加熱室２には、一方の面に開閉扉５が設けられている。開閉扉５はヒンジ６を介して加熱室２の本体に取り付けられており、図示しないシリンダー等によって揺動し、加熱室２の正面側開口７を開閉する。 In the figure, 1 shows the glass substrate processing apparatus of this embodiment. The glass substrate processing apparatus is centered on the heating chamber 2 as shown in the figure. 6 sides of the heating chamber 2 are covered with a heat insulating wall 3 made of a known heat insulating material.
The heating chamber 2 is provided with an open / close door 5 on one surface. The open / close door 5 is attached to the main body of the heating chamber 2 via a hinge 6 and swings by a cylinder (not shown) to open and close the front opening 7 of the heating chamber 2.

加熱室２には、換気装置１０が取り付けられている。換気装置１０は、給気部１１と排気部１２に分かれている。
給気部１１は、給気ダクト１５を備え、給気ダクト１５に給気ファン１７、ヒータ１８及びフィルター２０が設けられたものである。
給気ダクト１５は、加熱室２の下部に接続されている。本実施形態では、給気側ファン１７の下流側にヒータ１８及びフィルター２０が順次設けられている。 A ventilation device 10 is attached to the heating chamber 2. The ventilation device 10 is divided into an air supply unit 11 and an exhaust unit 12.
The air supply unit 11 includes an air supply duct 15, and an air supply fan 17, a heater 18, and a filter 20 are provided in the air supply duct 15.
The air supply duct 15 is connected to the lower part of the heating chamber 2. In the present embodiment, the heater 18 and the filter 20 are sequentially provided on the downstream side of the air supply side fan 17.

一方、排気部１２は、排気ダクト２１を備え、排気ダクト２１の末端側に排気ファン２３が設けられたものである。
本実施形態では、排気ダクト２１は、加熱室２の天井面に接続されている。 On the other hand, the exhaust unit 12 includes an exhaust duct 21, and an exhaust fan 23 is provided on the end side of the exhaust duct 21.
In the present embodiment, the exhaust duct 21 is connected to the ceiling surface of the heating chamber 2.

加熱室２は、相当の容積を有する部分であり、内部に基板載置部材３０と複数のハロゲンヒータ３１が設けられている。
基板載置部材３０は、ガラス基板３２を載置する台であり、本実施形態では、単層であってただ一枚のガラス基板３２を載置することができる。
基板載置部材３０は、図示しない枠部材の上面に多数のピン３５が設けられたものであり、ピン３５にガラス基板３２を載せる。 The heating chamber 2 is a portion having a considerable volume, and a substrate mounting member 30 and a plurality of halogen heaters 31 are provided therein.
The substrate mounting member 30 is a table on which the glass substrate 32 is mounted. In the present embodiment, only one glass substrate 32 can be mounted as a single layer.
The substrate mounting member 30 is provided with a large number of pins 35 on the upper surface of a frame member (not shown), and the glass substrate 32 is placed on the pins 35.

ハロゲンヒータ３１は、公知のそれと同様にバルブ内にフィラメントが内蔵され、さらにバルブ内にハロゲンガスと、アルゴン、窒素等の不活性ガスが導入されたものである。本実施形態で採用するハロゲンヒータ３１は、図２に示すように長尺状のバルブを持つ。ハロゲンヒータ３１の上面には図示しない反射板が設けられている。なお加熱室２の内面における反射を利用することにより反射板を略することもできる。   The halogen heater 31 is similar to a known one, in which a filament is built in a bulb, and further, a halogen gas and an inert gas such as argon or nitrogen are introduced into the bulb. The halogen heater 31 employed in this embodiment has a long bulb as shown in FIG. A reflector (not shown) is provided on the upper surface of the halogen heater 31. Note that the reflection plate can be omitted by utilizing reflection on the inner surface of the heating chamber 2.

本実施形態では、ハロゲンヒータ３１は、いずれも基板載置部材３０の表面側に設けられている。即ちハロゲンヒータ３１は、いずれもガラス基板３２の上面に位置する。
ハロゲンヒータ３１は、長尺状であり、多数、平行に設けられているから、全体として長方形の範囲に分布している。この範囲は、処理しようとするガラス基板３２よりも大きい。即ちハロゲンヒータ３１が分布する範囲は、縦方向の長さも、横方向の長さも、面積についてもガラス基板３２よりも大きい。 In the present embodiment, all of the halogen heaters 31 are provided on the surface side of the substrate mounting member 30. That is, all of the halogen heaters 31 are located on the upper surface of the glass substrate 32.
Since the halogen heaters 31 are long and provided in parallel, they are distributed in a rectangular range as a whole. This range is larger than the glass substrate 32 to be processed. That is, the range in which the halogen heaters 31 are distributed is longer than the glass substrate 32 in both the length in the vertical direction, the length in the horizontal direction, and the area.

次に、本実施形態のガラス基板処理装置１の機能を、ガラス基板の処理手順を追って説明する。
処理するガラス基板３２は、液晶ディスプレイの部品となるものであり、一面に溶液が塗布されている。 Next, the function of the glass substrate processing apparatus 1 of the present embodiment will be described following the processing procedure of the glass substrate.
The glass substrate 32 to be processed is a component of a liquid crystal display, and a solution is applied on one surface.

また準備段階として、給気ダクト１５に設けられたヒータ１８を予熱しておく。
ハロゲンヒータ３１は、消灯（通電停止）した状態である。
そしてこの状態において、加熱室２の開閉扉５を開き、図示しないロボットによってガラス基板３２を加熱室２に導入し、基板載置部材３０の上に載せる。そして加熱室２の開閉扉５を閉じ、ガラス基板３２に対する熱処理を開始する。
即ち各ハロゲンヒータ３１に通電し、ハロゲンヒータ３１から赤外線を輻射させる。輻射された赤外線は、直接的に、あるいは背面に設けられた反射板（図示せず）によって反射され、集中的にガラス基板３２側（上面側）に向かい、ガラス基板３２の表面に照射される。
その結果、ガラス基板３２は、赤外線によって昇温する。ここでハロゲンヒータは、セラミックヒータや電熱線によるヒータに比べて自己の熱容量が小さく、極めて短時間の内に所望の温度に達する。そのためガラス基板３２は、たちまちの内に昇温する。
また同時に、本実施形態では、給気ダクト１５に設けられた給気ファン１７を起動し、ヒータ１８によって昇温された熱風を加熱室２に供給する。同時に排気ダクト２１に設けられた排気ファン２３も起動し、加熱室２を換気する。 As a preparation stage, the heater 18 provided in the air supply duct 15 is preheated.
The halogen heater 31 is turned off (energization is stopped).
In this state, the opening / closing door 5 of the heating chamber 2 is opened, and a glass substrate 32 is introduced into the heating chamber 2 by a robot (not shown) and placed on the substrate mounting member 30. Then, the open / close door 5 of the heating chamber 2 is closed, and the heat treatment for the glass substrate 32 is started.
That is, each halogen heater 31 is energized, and infrared rays are radiated from the halogen heater 31. The radiated infrared rays are reflected directly or by a reflecting plate (not shown) provided on the back surface, intensively directed toward the glass substrate 32 side (upper surface side), and irradiated onto the surface of the glass substrate 32. .
As a result, the glass substrate 32 is heated by infrared rays. Here, the halogen heater has a smaller heat capacity than a ceramic heater or a heater using a heating wire, and reaches a desired temperature within an extremely short time. Therefore, the temperature of the glass substrate 32 is increased immediately.
At the same time, in the present embodiment, the air supply fan 17 provided in the air supply duct 15 is activated, and hot air heated by the heater 18 is supplied to the heating chamber 2. At the same time, the exhaust fan 23 provided in the exhaust duct 21 is also activated to ventilate the heating chamber 2.

給気ダクト１５は、加熱室２の下部に開口しており、上方を向いているから、供給された熱風は、ガラス基板３２の下部側に衝突し、熱風によってもガラス基板３２が昇温する。
ガラス基板３２が昇温すると、ガラス基板３２からガスが発生するが、当該ガスは、熱風と共に排気ダクト２１に入り、排気ファン２３に吸引されて外部に排気される。 Since the air supply duct 15 opens to the lower part of the heating chamber 2 and faces upward, the supplied hot air collides with the lower side of the glass substrate 32, and the glass substrate 32 is also heated by the hot air. .
When the glass substrate 32 is heated, gas is generated from the glass substrate 32. The gas enters the exhaust duct 21 together with hot air, and is sucked by the exhaust fan 23 and exhausted to the outside.

ガラス基板３２が所定の温度となり、さらに所定の時間が経過すると、給気ファン１７を停止すると共にハロゲンヒータ３１への通電を停止する。そして開閉扉５を開き、図示しないロボットによって処理後のガラス基板３２を取り出す。
ガラス基板３２を加熱室２に挿入してから排出するまでの時間は、ガラス基板３２の昇温時間が早いことから従来の装置に比べて短い。また上記したガラス基板処理装置１は、ガラス基板３２を一枚づつ処理するものであるから外形形状が小さく、場所を取らない。 When the glass substrate 32 reaches a predetermined temperature and a predetermined time elapses, the air supply fan 17 is stopped and the energization to the halogen heater 31 is stopped. Then, the open / close door 5 is opened, and the processed glass substrate 32 is taken out by a robot (not shown).
The time from when the glass substrate 32 is inserted into the heating chamber 2 to when the glass substrate 32 is discharged is shorter than that of the conventional apparatus because the temperature rise time of the glass substrate 32 is fast. Moreover, since the above-mentioned glass substrate processing apparatus 1 processes the glass substrate 32 piece by piece, its external shape is small and does not take up space.

次に本発明の他の実施形態（第二実施形態）について説明する。なお第二実施形態のガラス基板処理装置１’は、先の実施形態と共通する部分が多いので、共通する部分については、同一の番号を付すことによって重複する説明を省略する。
図３は、本発明の第二実施形態のガラス基板処理装置の模式断面図である。図４は、図３のガラス基板処理装置の断面斜視図である。図５は、図３、４のガラス基板処理装置で使用するハロゲンヒータの断面斜視図である。 Next, another embodiment (second embodiment) of the present invention will be described. In addition, since glass substrate processing apparatus 1 'of 2nd embodiment has many parts which are common with previous embodiment, about the common part, the duplicate description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same number.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the glass substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional perspective view of the glass substrate processing apparatus of FIG. FIG. 5 is a cross-sectional perspective view of a halogen heater used in the glass substrate processing apparatus of FIGS.

前述した第一実施形態のガラス基板処理装置１では、ハロゲンヒータ３１を基板載置部材３０の表面側に設けたのに対し、第二実施形態のガラス基板処理装置１’ではハロゲンヒータ３１が基板載置部材３０の裏面側に設けられている。
また加熱室２の排気ダクト２１との接続部近傍に排気ガス加熱用ヒータ２５が設けられている。即ち加熱室２の天井面には、排気ダクト２１の内部と連通する排気口２６が設けられており、この排気口２６の近傍に排気ガス加熱用ヒータ２５が設けられている。 In the glass substrate processing apparatus 1 of the first embodiment described above, the halogen heater 31 is provided on the surface side of the substrate mounting member 30, whereas in the glass substrate processing apparatus 1 ′ of the second embodiment, the halogen heater 31 is a substrate. It is provided on the back side of the mounting member 30.
An exhaust gas heating heater 25 is provided in the vicinity of the connection portion of the heating chamber 2 with the exhaust duct 21. That is, an exhaust port 26 communicating with the inside of the exhaust duct 21 is provided on the ceiling surface of the heating chamber 2, and an exhaust gas heating heater 25 is provided in the vicinity of the exhaust port 26.

本実施形態では、排気ガス加熱用ヒータ２５は、排気ダクト２１内に設けたが、加熱室２の天井面であって、排気口２６の近傍に設けてもよい。
なお加熱室２に設けられた排気口２６は、後記する基板載置部材３０の上部側に位置し、ガラス基板３２を基板載置部材３０に載置すると、その真上の位置に排気口２６が位置する。
また本実施形態では、二本のハロゲンヒータ３１が図５の様に一対となっており、その下面に反射板３８が設けられている。なお図３では、作図の関係上、二本が一組となった状態は省略している。本実施形態では、ハロゲンヒータ３１を二本一組とし、これに一基の反射板３８を設けたが、もちろんハロゲンヒータ３１の一本づつに反射板を設けてもよい。 In the present embodiment, the heater 25 for heating the exhaust gas is provided in the exhaust duct 21, but may be provided in the vicinity of the exhaust port 26 on the ceiling surface of the heating chamber 2.
The exhaust port 26 provided in the heating chamber 2 is positioned on the upper side of a substrate mounting member 30 described later. When the glass substrate 32 is mounted on the substrate mounting member 30, the exhaust port 26 is positioned directly above the exhaust port 26. Is located.
Further, in the present embodiment, two halogen heaters 31 are paired as shown in FIG. 5, and a reflection plate 38 is provided on the lower surface thereof. In FIG. 3, the state in which the two are combined is omitted for the sake of drawing. In this embodiment, the halogen heaters 31 are made into a set of two, and a single reflecting plate 38 is provided. However, a reflecting plate may be provided for each halogen heater 31.

本実施形態では、ハロゲンヒータ３１は、反射板３８ごとに制御される。即ち前記した様に、ハロゲンヒータ３１は、二本一組（一群）となって反射板３８に装着されているが、各反射板３８に属するハロゲンヒータ３１には同一の電力が供給される。しかしながら反射板３８の組（群）ごとに供給電力を増減させることができる。またさらに発展させてハロゲンヒータ３１を一本づつ個別に制御する構成としてもよく、一本づつ個別に制御する方がガラス基板３２をより均等に昇温させることができる。
本実施形態のガラス基板処理装置１では、排気ダクト２１の入口部分にヒータ２５が設けられているから、ガスは当該ヒータ２５によって保温される。そのため加熱室２内や、排気ダクト２１の入口部分でガスの成分が凝縮することはない。従って本実施形態では、凝縮物がガラス基板３２に落下することはない。 In the present embodiment, the halogen heater 31 is controlled for each reflector 38. That is, as described above, the halogen heaters 31 are mounted on the reflecting plate 38 as a set (group) of two, but the same electric power is supplied to the halogen heaters 31 belonging to each reflecting plate 38. However, the power supply can be increased or decreased for each set (group) of the reflectors 38. Further, the halogen heater 31 may be individually controlled one by one, and the glass substrate 32 can be heated more uniformly by individually controlling the halogen heater 31 one by one.
In the glass substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, since the heater 25 is provided at the inlet portion of the exhaust duct 21, the gas is kept warm by the heater 25. Therefore, the gas component does not condense in the heating chamber 2 or at the inlet portion of the exhaust duct 21. Therefore, in this embodiment, the condensate does not fall on the glass substrate 32.

以上説明した実施形態では、ガラス基板処理装置１，１’によってガラス基板を完全に熱処理したが、ガラス基板処理装置１，１’を前処理装置として活用することもできる。   In the embodiment described above, the glass substrate is completely heat-treated by the glass substrate processing apparatus 1, 1 '. However, the glass substrate processing apparatus 1, 1' can also be used as a pretreatment apparatus.

図６は、本発明の第三実施形態のガラス基板処理システムのシステム構成図である。
図に示すガラス基板処理システムは、前述したガラス基板処理装置１と、搬送装置４０、及び積層型のガラス基板処理装置４３によって構成されている。
ここで搬送装置４０は、例えば公知のロボットであり、ガラス基板３２の移動を行うものである。 FIG. 6 is a system configuration diagram of the glass substrate processing system according to the third embodiment of the present invention.
The glass substrate processing system shown in the figure is configured by the glass substrate processing apparatus 1 described above, a transport apparatus 40, and a laminated glass substrate processing apparatus 43.
Here, the transfer device 40 is a known robot, for example, and moves the glass substrate 32.

ガラス基板処理装置４３は、例えば特許文献１，２に開示された構成であり、内部に複数のガラス基板を収納することができ、これらを熱風等によって同時に並列的に加熱するものである。
より具体的には、ガラス基板処理装置４３は、加熱室４４の内部にゴンドラ４６を備えている。ゴンドラは、多数段の載置棚を備え、各段にそれぞれガラス基板３２を載置することができる。またゴンドラの下部には昇降装置４７が設けられている。
加熱室の正面には図示しない開閉扉が設けられている。
ガラス基板処理装置４３は、図示しない開閉扉を開いてガラス基板３２をゴンドラの一つの載置棚に乗せ、その後、ゴンドラを昇降させて新たな棚を開閉扉の位置と一致させる。そして新たな棚に別のガラス基板３２を載置する。これを順次繰り返して複数の棚にそれぞれガラス基板３２を載置し、熱風等によって同時に多数のガラス基板３２を加熱するものである。
ガラス基板処理装置４３の変形例として、ゴンドラに代わって固定棚を設け、開閉扉を昇降させたり、複数の開閉扉を上下に積層し、順次開閉させる構成が考えられる。 The glass substrate processing apparatus 43 is the structure disclosed by patent document 1, 2, for example, can accommodate a some glass substrate inside, and heats these simultaneously in parallel with a hot air.
More specifically, the glass substrate processing apparatus 43 includes a gondola 46 inside the heating chamber 44. The gondola is provided with a multi-stage mounting shelf, and a glass substrate 32 can be mounted on each stage. An elevating device 47 is provided at the lower part of the gondola.
An opening / closing door (not shown) is provided in front of the heating chamber.
The glass substrate processing apparatus 43 opens an opening / closing door (not shown) to place the glass substrate 32 on one mounting shelf of the gondola, and then raises and lowers the gondola so that the new shelf matches the position of the opening / closing door. Then, another glass substrate 32 is placed on a new shelf. This is repeated in order to place the glass substrates 32 on a plurality of shelves, respectively, and simultaneously heat a large number of glass substrates 32 with hot air or the like.
As a modified example of the glass substrate processing apparatus 43, a configuration in which a fixed shelf is provided in place of the gondola, the doors are raised and lowered, or a plurality of doors are stacked vertically and sequentially opened and closed is conceivable.

次に本実施形態のガラス基板処理システムの使用方法について説明する。本実施形態のガラス基板処理システムでは、先にガラス基板処理装置１によってガラス基板を昇温させ、それを直ちに取り出して積層型のガラス基板処理装置４３に搬入する。そして積層型のガラス基板処理装置４３によって十分に熱処理を行う。即ち積層型のガラス基板処理装置４３では、前処理よりも長い時間に渡って熱処理される。   Next, the usage method of the glass substrate processing system of this embodiment is demonstrated. In the glass substrate processing system of the present embodiment, the glass substrate processing apparatus 1 first raises the temperature of the glass substrate, immediately takes it out, and carries it into the laminated glass substrate processing apparatus 43. The laminated glass substrate processing apparatus 43 performs sufficient heat treatment. That is, in the laminated glass substrate processing apparatus 43, heat treatment is performed for a longer time than the pretreatment.

具体的に説明すると、先の実施形態と同様に、一面に溶液が塗布されたガラス基板３２をガラス基板処理装置１の加熱室２に導入し、加熱室２の開閉扉５を閉じた後に各ハロゲンヒータ３１に通電し、ハロゲンヒータ３１から赤外線を輻射させてガラス基板３２を加熱する。
前記した様に、ハロゲンヒータ３１は、自己の熱容量が小さく、極めて短時間の内に所望の温度に達するので、ガラス基板３２は、たちまちの内に昇温する。 More specifically, as in the previous embodiment, the glass substrate 32 coated with a solution on one side is introduced into the heating chamber 2 of the glass substrate processing apparatus 1, and the open / close door 5 of the heating chamber 2 is closed. The halogen heater 31 is energized, and infrared rays are radiated from the halogen heater 31 to heat the glass substrate 32.
As described above, the halogen heater 31 has a small heat capacity and reaches a desired temperature within an extremely short time, so that the glass substrate 32 is immediately heated.

ここで熱処理されるガラス基板３２が、加熱初期により多量のガスを発生させる性質を有するものであるならば、ガラス基板３２が昇温すると、塗布された溶液からガスが発生するが、ガスの発生は、時間と共に減少する。即ち昇温された初期においては溶液から多量のガスが発生するが、ガスは昇温の初期に多く発生するものであり、時間の経過と共にガスの発生量は低下する。
また図３に示すガラス基板処理装置１’の様な、排気ダクト２１の入口部分にヒータ２５を設けた構成を採用すれば、ガラス基板３２から発生したガスは、前記したヒータ２５によって保温されているから、少なくとも加熱室２やこの近傍においては凝縮しない。
そして本実施形態では、ガスの発生が収まった後にガラス基板３２を取り出す。
ガラス基板３２を取り出すタイミングは、処理時間を基準としてもよく、ガラス基板３２の表面温度や加熱室２の温度を基準としてもよい。またガス量を検知してこれが減少したことを検知した後にガラス基板３２を取り出してもよい。
ただし、ガラス基板３２は、完全に熱処理が終了してしまう前に取り出すことが重要である。 If the glass substrate 32 to be heat-treated here has a property of generating a large amount of gas at the beginning of heating, when the glass substrate 32 is heated, gas is generated from the applied solution. Decreases with time. That is, a large amount of gas is generated from the solution in the initial stage of temperature increase, but a large amount of gas is generated in the initial stage of temperature increase, and the amount of gas generated decreases with the passage of time.
Further, if a configuration in which the heater 25 is provided at the inlet portion of the exhaust duct 21 as in the glass substrate processing apparatus 1 ′ shown in FIG. 3, the gas generated from the glass substrate 32 is kept warm by the heater 25 described above. Therefore, it does not condense at least in the heating chamber 2 or in the vicinity thereof.
In this embodiment, the glass substrate 32 is taken out after the generation of gas is stopped.
The timing for taking out the glass substrate 32 may be based on the processing time, and may be based on the surface temperature of the glass substrate 32 or the temperature of the heating chamber 2. Further, the glass substrate 32 may be taken out after detecting the gas amount and detecting that the gas amount has decreased.
However, it is important to take out the glass substrate 32 before the heat treatment is completely completed.

取り出されたガラス基板３２は、ロボットハンド３４によって直ちに積層型のガラス基板処理装置４３に搬入される。またガラス基板３２を取り出すことによって前処理装置たるガラス基板処理装置１が空き状態となるから、新たに別のガラス基板３２をガラス基板処理装置１に導入し、前処理を行う。
前記した様に、ガラス基板処理装置１は、短時間の内に昇温するから、後工程の積層型のガラス基板処理装置４３にガラス基板３２を配置したり、ゴンドラ４７を昇降させている間に、次のガラス基板処理装置１の前処理が終了する。そのためロスタイムはほとんど生じない。 The extracted glass substrate 32 is immediately carried into the laminated glass substrate processing apparatus 43 by the robot hand 34. Moreover, since the glass substrate processing apparatus 1 which is a pre-processing apparatus will be in an empty state by taking out the glass substrate 32, another glass substrate 32 is newly introduced into the glass substrate processing apparatus 1, and pre-processing is performed.
As described above, since the temperature of the glass substrate processing apparatus 1 is increased within a short time, the glass substrate 32 is disposed in the laminated glass substrate processing apparatus 43 in the subsequent process or the gondola 47 is moved up and down. Then, the pretreatment of the next glass substrate processing apparatus 1 is completed. Therefore, almost no loss time occurs.

積層型のガラス基板処理装置４３によってガラス基板３２の熱処理が続行されるが、前の段階において、ガラス基板処理装置１によって既にガラス基板３２は昇温しているから、ガラス基板処理装置４３内においてガラス基板３２の温度を立ち上げる必要はない。そのため、一枚のガラス基板３２に要した昇温時間は、従来に比べて短くて足る。また仮にガラス基板３２が、加熱初期により多量のガスを発生させる性質を有するものであるならば、ガラス基板処理装置１，１’で加熱された時に、生成ガスがほとんど出尽くしているから、積層型のガラス基板処理装置４３で処理する際にはガスの発生が少ない。そのため処理品の品質が高く、且つ歩留りも高い。   Although the heat treatment of the glass substrate 32 is continued by the laminated glass substrate processing apparatus 43, the glass substrate 32 has already been heated by the glass substrate processing apparatus 1 in the previous stage. There is no need to raise the temperature of the glass substrate 32. For this reason, the temperature raising time required for one glass substrate 32 is shorter than the conventional one. Further, if the glass substrate 32 has a property of generating a large amount of gas at the initial stage of heating, the generated gas is almost exhausted when heated by the glass substrate processing apparatus 1, 1 ′. When the glass substrate processing apparatus 43 is used, gas generation is small. Therefore, the quality of processed products is high and the yield is also high.

以上説明したガラス基板処理装置１，１’は、ガラス基板３２を一枚づつ、バッチ式に処理するものであるが、連続的に熱処理したり、タクト送り的に熱処理を行わさせる構成を採用することもできる。
図７は、本発明の第四実施形態のガラス基板処理装置の斜視図である。図８は、本発明の第四実施形態のガラス基板処理装置の模式断面図である。図９は、図７に示すガラス基板処理装置に内蔵されるコンベアの平面図である。
図７に示すガラス基板処理装置５０は、より大型の加熱室５１を備え、加熱室５１内にコンベア５３が配されている。
加熱室５１は、全長が長く、内部に２つの加熱ステージ６２，６３を持っている。即ち加熱室５１は、２個のガラス基板を水平に並べて設置することができる広さを持つ。
加熱室５１には前記したそれと同様に給気ダクト１５と排気ダクト２１が設けられている（図８）。給気ダクト１５及び排気ダクト２１の構成は、先の実施形態と同様であり、給気ダクト１５には給気側フィルター２０と給気ファン、ヒータ等が設けられている。なお作図の都合上、給気ファン等は省略している。 The glass substrate processing apparatuses 1 and 1 ′ described above process glass substrates 32 one by one in a batch manner, but adopt a configuration in which heat treatment is performed continuously or heat treatment is performed in a tact-feed manner. You can also.
FIG. 7 is a perspective view of the glass substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the glass substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 9 is a plan view of a conveyor built in the glass substrate processing apparatus shown in FIG.
A glass substrate processing apparatus 50 shown in FIG. 7 includes a larger heating chamber 51, and a conveyor 53 is arranged in the heating chamber 51.
The heating chamber 51 has a long overall length and has two heating stages 62 and 63 inside. That is, the heating chamber 51 has a size that allows two glass substrates to be horizontally arranged.
In the heating chamber 51, an air supply duct 15 and an exhaust duct 21 are provided in the same manner as described above (FIG. 8). The structure of the air supply duct 15 and the exhaust duct 21 is the same as that of the previous embodiment, and the air supply duct 15 is provided with an air supply side filter 20, an air supply fan, a heater, and the like. For convenience of drawing, an air supply fan is omitted.

排気ダクト２１には、排気側フィルター（図示せず）と排気ガス加熱用ヒータ２５及び排気ファン（図示せず）が設けられている。
図８では、加熱室５１に給気ダクト１５と排気ダクト２１がそれぞれ一本づつ取り付けられているが、加熱室５１がより長い場合には、給気ダクト１５及び排気ダクト２１を複数設けることが推奨される。 The exhaust duct 21 is provided with an exhaust filter (not shown), an exhaust gas heater 25 and an exhaust fan (not shown).
In FIG. 8, the air supply duct 15 and the exhaust duct 21 are attached to the heating chamber 51 one by one. However, when the heating chamber 51 is longer, a plurality of the air supply duct 15 and the exhaust duct 21 may be provided. Recommended.

また本実施形態には、加熱室５１の両端に開口６０，６１が設けられている。一方の開口は、基板挿入口６０として機能し、他方の開口は基板排出口６１として機能する。
基板挿入口６０及び基板排出口６１には図示しないエアーカーテンが設置され、熱気の洩れが防止されている。なおエアーカーテンに代わって開閉式の扉を設けてもよい。 In the present embodiment, openings 60 and 61 are provided at both ends of the heating chamber 51. One opening functions as the substrate insertion port 60 and the other opening functions as the substrate discharge port 61.
An air curtain (not shown) is installed at the substrate insertion port 60 and the substrate discharge port 61 to prevent leakage of hot air. An open / close door may be provided in place of the air curtain.

コンベア５３は、図９に示すように、一種のローラコンベアであり、複数の回転軸７１が並行に並べられたものである。そして各回転軸７１にはそれぞれ抵抗付与部材７５，７６，７７が取り付けられている。抵抗付与部材７５，７６，７７は段付きの円筒体であり、回転軸７１と一体的に回転する。なおガラス基板３２は抵抗付与部材７５，７６，７７の上に載置されて移送される。
各回転軸７１は、図７の様に加熱室５１の外に突出している。また各回転軸７１の先端にはスプロケット７２が取り付けられている。そして各スプロケット７２にチェーン７３が係合している。チェーン７３は、図示しないテンショナーによって弛みなく懸架されており、図示しないモータによって各回転軸７１が同期的に回転される。 As shown in FIG. 9, the conveyor 53 is a kind of roller conveyor, and a plurality of rotating shafts 71 are arranged in parallel. Further, resistance imparting members 75, 76, and 77 are attached to the respective rotation shafts 71. The resistance applying members 75, 76 and 77 are stepped cylindrical bodies and rotate integrally with the rotation shaft 71. The glass substrate 32 is placed on the resistance applying members 75, 76 and 77 and transferred.
Each rotating shaft 71 protrudes out of the heating chamber 51 as shown in FIG. A sprocket 72 is attached to the tip of each rotating shaft 71. A chain 73 is engaged with each sprocket 72. The chain 73 is suspended without slack by a tensioner (not shown), and the rotating shafts 71 are rotated synchronously by a motor (not shown).

なおローラコンベアに代わってチェーンコンベアや、ネット状のベルトを懸架したベルトコンベアを採用することもできる。さらに磁気を利用して駆動する構成を採用することもできる。   Instead of the roller conveyor, a chain conveyor or a belt conveyor in which a net belt is suspended may be employed. Furthermore, the structure driven using magnetism can also be employ | adopted.

コンベア５３の上部にハロゲンヒータ３１が並べて設置されている。ハロゲンヒータ３１の構造は、先の第一実施形態で採用したものと同様である。
ハロゲンヒータ３１の配置は、二箇所に集中している。即ち図８に示すように基板挿入口６０側に一群のハロゲンヒータ群６５があり、基板排出口６１側にもう一つのハロゲンヒータ群６６がある。そしてハロゲンヒータ群６５，６６の広さは、一枚のガラス基板３２に匹敵するものであり、第一のハロゲンヒータ群６５によって第一の加熱ステージ６２が構成されている。また第二のハロゲンヒータ群６６によって第二の加熱ステージ６３が構成されている。ハロゲンヒータは、群ごとにオンオフすることができる。また各群に属するハロゲンヒータは先の実施形態と同様に二組（２灯で構成される群）ごとに温度制御が可能である。またさらに発展させてハロゲンヒータ３１を一本づつ個別に制御する構成としてもよく、一本づつ個別に制御する方がガラス基板３２をより均等に昇温させることができる。 The halogen heaters 31 are arranged side by side on the conveyor 53. The structure of the halogen heater 31 is the same as that employed in the first embodiment.
The arrangement of the halogen heater 31 is concentrated in two places. That is, as shown in FIG. 8, there is a group of halogen heater groups 65 on the substrate insertion port 60 side, and another halogen heater group 66 on the substrate discharge port 61 side. The area of the halogen heater groups 65 and 66 is comparable to that of one glass substrate 32, and the first heating stage 62 is constituted by the first halogen heater group 65. A second heating stage 63 is constituted by the second halogen heater group 66. The halogen heater can be turned on and off for each group. Further, the halogen heaters belonging to each group can be controlled in temperature for every two sets (groups composed of two lamps) as in the previous embodiment. Further, the halogen heater 31 may be individually controlled one by one, and the glass substrate 32 can be heated more uniformly by individually controlling the halogen heater 31 one by one.

次に本実施形態のガラス基板処理装置５０の機能について説明する。
本実施形態のガラス基板処理装置５０では、図示しないロボット等を使用し、基板挿入口６０から露出したコンベア５３にガラス基板３２の一部を載置する。そしてコンベア５３を起動し、ガラス基板３２を加熱室５１に引き込む。
コンベア５３は、ガラス基板３２が第一加熱ステージ６２に達すると停止する。そして第一加熱ステージ６２に属するハロゲンヒータ３１に通電し、第一加熱ステージ６２でガラス基板３２を昇温する。この時、図示しない給気ファンを起動して加熱室５１内に熱風を送り、熱風によってもガラス基板３２を昇温する。 Next, the function of the glass substrate processing apparatus 50 of this embodiment is demonstrated.
In the glass substrate processing apparatus 50 of this embodiment, a part of the glass substrate 32 is placed on the conveyor 53 exposed from the substrate insertion port 60 using a robot or the like (not shown). Then, the conveyor 53 is activated and the glass substrate 32 is drawn into the heating chamber 51.
The conveyor 53 stops when the glass substrate 32 reaches the first heating stage 62. Then, the halogen heater 31 belonging to the first heating stage 62 is energized, and the glass substrate 32 is heated by the first heating stage 62. At this time, an air supply fan (not shown) is activated to send hot air into the heating chamber 51, and the glass substrate 32 is also heated by the hot air.

一方、ガラス基板処理装置５０の外部においては、図示しないロボットが次の段取りを開始している。具体的には、別のガラス基板３２を保持し、基板挿入口６０にガラス基板３２を搬送する。そしてガラス基板３２が基板挿入口６０の近傍に運ばれると、先の工程と同様に基板挿入口６０から露出したコンベア５３にガラス基板３２の一部を載置する。そしてコンベア５３を再度起動する。その結果、先にガラス基板処理装置５０の第一加熱ステージ６２にあったガラス基板３２は、次の第二加熱ステージ６３に移動し、代わって後から搬入されたガラス基板３２が第一加熱ステージ６２に搬入される。
なおコンベア５３の移動中は、一旦全てのハロゲンヒータ３１を消灯することが望ましいが、発熱した状態のままでコンベア５３を動作させてもよい。 On the other hand, outside the glass substrate processing apparatus 50, a robot (not shown) has started the next setup. Specifically, another glass substrate 32 is held and the glass substrate 32 is conveyed to the substrate insertion port 60. When the glass substrate 32 is carried to the vicinity of the substrate insertion port 60, a part of the glass substrate 32 is placed on the conveyor 53 exposed from the substrate insertion port 60 as in the previous step. And the conveyor 53 is started again. As a result, the glass substrate 32 previously placed on the first heating stage 62 of the glass substrate processing apparatus 50 moves to the next second heating stage 63, and the glass substrate 32 carried in later is replaced by the first heating stage. It is carried into 62.
While the conveyor 53 is moving, it is desirable to turn off all the halogen heaters 31 once. However, the conveyor 53 may be operated while the heat is generated.

そして第二ステージ６３においては先に搬入したガラス基板３２を熱処理し、第一加熱ステージ６２においては新たに搬入したガラス基板３２を熱処理する。
そしてガラス基板処理装置５０の外部においては、図示しないロボットがさらに次の段取りを開始しており、基板挿入口６０に第３のガラス基板３２を搬送する。そして第３のガラス基板３２は、先の工程と同様、その一部がコンベア５３載置され、続いてコンベア５３が再起動される。その結果、最も先に搬入されたガラス基板３２は、基板排出口６１から排出される。排出されたガラス基板３２は、図示しない受取装置によって引き取られ、次工程に運ばれる。 In the second stage 63, the previously loaded glass substrate 32 is heat treated, and in the first heating stage 62, the newly loaded glass substrate 32 is heat treated.
Then, outside the glass substrate processing apparatus 50, a robot (not shown) has started the next setup, and transports the third glass substrate 32 to the substrate insertion port 60. A part of the third glass substrate 32 is placed on the conveyor 53 as in the previous step, and then the conveyor 53 is restarted. As a result, the glass substrate 32 carried in first is discharged from the substrate discharge port 61. The discharged glass substrate 32 is taken up by a receiving device (not shown) and carried to the next process.

また先にガラス基板処理装置５０の第一加熱ステージ６２にあったガラス基板３２は、第二加熱ステージ６３に移動し、後から搬入されたガラス基板３２は、第一加熱ステージ６２に移動する。
こうしてガラス基板処理装置５０の外部においては搬送装置たるロボットが休みなく稼働し、ガラス基板処理装置５０の内部においても少ない休止時間でガラス基板３２が加熱される。
この様に上記したガラス基板処理装置５０は、ガラス基板処理装置５０だけでなく、その周辺機器の稼働率をも向上させることができる。 In addition, the glass substrate 32 previously placed on the first heating stage 62 of the glass substrate processing apparatus 50 moves to the second heating stage 63, and the glass substrate 32 carried in later moves to the first heating stage 62.
In this way, the robot as a transfer device operates without a break outside the glass substrate processing apparatus 50, and the glass substrate 32 is heated with a short rest time even inside the glass substrate processing apparatus 50.
Thus, the glass substrate processing apparatus 50 described above can improve not only the glass substrate processing apparatus 50 but also the operating rate of its peripheral devices.

上記した実施形態では、加熱室５１の中に２つの加熱ステージを設けたが、より多くの加熱ステージを設けてもよい。逆に、加熱ステージを設けずに、ハロゲンヒータを均等に配置し、コンベアを連続的に運転し、ガラス基板を移動しつつ加熱する方策を採用することもできる。   In the above-described embodiment, two heating stages are provided in the heating chamber 51, but more heating stages may be provided. On the contrary, it is also possible to adopt a method in which the halogen heaters are evenly arranged without providing the heating stage, the conveyor is continuously operated, and the glass substrate is heated while moving.

また上記した実施形態では、第一加熱ステージ６２と第二加熱ステージ６３の双方ともがハロゲンヒータを熱源としているが、第二加熱ステージ以降については、他の種類のヒータを活用してもよい。もちろん、ハロゲンヒータと他のヒータを併用してもよい。   In the above-described embodiment, both the first heating stage 62 and the second heating stage 63 use the halogen heater as a heat source. However, other types of heaters may be used for the second and subsequent heating stages. Of course, you may use together a halogen heater and another heater.

本発明の第一実施形態のガラス基板処理装置の模式断面図である。It is a schematic cross section of the glass substrate processing apparatus of 1st embodiment of this invention. 図１のガラス基板処理装置の断面斜視図である。It is a cross-sectional perspective view of the glass substrate processing apparatus of FIG. 本発明の第二実施形態のガラス基板処理装置の模式断面図である。It is a schematic cross section of the glass substrate processing apparatus of 2nd embodiment of this invention. 図３のガラス基板処理装置の断面斜視図である。It is a cross-sectional perspective view of the glass substrate processing apparatus of FIG. 図３、４のガラス基板処理装置で使用するハロゲンヒータの断面斜視図である。It is a cross-sectional perspective view of the halogen heater used with the glass substrate processing apparatus of FIG. 本発明の第三実施形態のガラス基板処理システムのシステム構成図である。It is a system configuration | structure figure of the glass substrate processing system of 3rd embodiment of this invention. 本発明の第四実施形態のガラス基板処理装置の斜視図である。It is a perspective view of the glass substrate processing apparatus of 4th embodiment of this invention. 本発明の第四実施形態のガラス基板処理装置の模式断面図である。It is a schematic cross section of the glass substrate processing apparatus of 4th embodiment of this invention. 図７に示すガラス基板処理装置に内蔵されるコンベアの平面図である。It is a top view of the conveyor built in the glass substrate processing apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ ガラス基板処理装置
２ 加熱室
３ 断熱壁
５ 開閉扉
１０ 換気装置
１１ 給気部
１２ 排気部
１７ 給気ファン
１８ ヒータ
２５ 排気ガス加熱用ヒータ
２６ 排気口
３０ 基板載置部材
３１ ハロゲンヒータ
３２ ガラス基板
３８ 反射板
４０ 搬送装置
４３ 積層型のガラス基板処理装置
４６ ゴンドラ
５０ ガラス基板処理装置
５１ 加熱室
５３ コンベア
６２，６３ 加熱ステージ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate processing apparatus 2 Heating chamber 3 Heat insulation wall 5 Opening / closing door 10 Ventilation apparatus 11 Air supply part 12 Exhaust part 17 Air supply fan 18 Heater 25 Exhaust gas heating heater 26 Exhaust port 30 Substrate mounting member 31 Halogen heater 32 Glass substrate DESCRIPTION OF SYMBOLS 38 Reflector 40 Conveyance apparatus 43 Stack type glass substrate processing apparatus 46 Gondola 50 Glass substrate processing apparatus 51 Heating chamber 53 Conveyors 62, 63 Heating stage

Claims (9)

ガラス基板を熱処理するガラス基板処理装置において、断熱壁に覆われた加熱室と、加熱室を換気する換気装置と、加熱室内に設けられた基板載置部材と、ハロゲンヒータとを備え、基板載置部材はガラス基板を載置可能であり、前記ハロゲンヒータによってガラス基板を加熱可能であることを特徴とするガラス基板処理装置。   A glass substrate processing apparatus for heat-treating a glass substrate includes a heating chamber covered with a heat insulating wall, a ventilation device for ventilating the heating chamber, a substrate mounting member provided in the heating chamber, and a halogen heater. A glass substrate processing apparatus, wherein the placing member can place a glass substrate, and the glass substrate can be heated by the halogen heater. 加熱室のガラス基板の上方に相当する部位に換気装置に連通する排気口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板処理装置。   The glass substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an exhaust port communicating with the ventilation device is provided in a portion corresponding to the upper portion of the glass substrate in the heating chamber. ハロゲンヒータはガラス基板の下部に位置され、加熱室には換気装置に連通する排気口が設けられ、前記排気口の近傍にヒータが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板処理装置。   2. The glass according to claim 1, wherein the halogen heater is positioned below the glass substrate, the heating chamber is provided with an exhaust port communicating with the ventilator, and a heater is provided in the vicinity of the exhaust port. Substrate processing equipment. 熱風発生装置を備え、熱風によってもガラス基板が加熱されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のガラス基板処理装置。   The glass substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a hot air generator, wherein the glass substrate is also heated by the hot air. ハロゲンヒータを複数備え、各ハロゲンヒータは、個々のハロゲンヒータごと、あるいは所定のハロゲンヒータ群ごとに制御されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のガラス基板処理装置。   5. The glass substrate processing apparatus according to claim 1, comprising a plurality of halogen heaters, wherein each halogen heater is controlled for each individual halogen heater or for each predetermined halogen heater group. 基板載置部材は単層であり、一枚のガラス基板のみを載置可能であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のガラス基板処理装置。   The glass substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate mounting member is a single layer and can mount only one glass substrate. 基板載置部材はコンベアであり、加熱室には基板挿入口と基板排出口が設けられ、ガラス基板は、コンベアによって基板挿入口側から基板排出口側に搬送されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のガラス基板処理装置。   The substrate mounting member is a conveyor, the heating chamber is provided with a substrate insertion port and a substrate discharge port, and the glass substrate is conveyed from the substrate insertion port side to the substrate discharge port side by the conveyor. The glass substrate processing apparatus in any one of 1 thru | or 6. 第一基板処理装置と、第二基板処理装置によって構成されるガラス基板処理システムであって、前記第一基板処理装置は請求項１乃至７のいずれかに記載のガラス基板処理装置であり、第二熱処理装置は複数のガラス基板を収納可能であって複数のガラス基板を同時に熱処理するものであることを特徴とするガラス基板処理システム。   A glass substrate processing system comprising a first substrate processing apparatus and a second substrate processing apparatus, wherein the first substrate processing apparatus is the glass substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, The glass substrate processing system characterized in that the second heat treatment apparatus can store a plurality of glass substrates and heat-treats the plurality of glass substrates simultaneously. 請求項１乃至７のいずれかに記載のガラス基板処理装置によってガラス基板を熱処理した後、前記した処理時間よりも長時間に渡って他の熱処理装置によってガラス基板を熱処理することを特徴とするガラス基板処理方法。   A glass characterized in that after the glass substrate is heat-treated by the glass substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, the glass substrate is heat-treated by another heat treatment apparatus for a longer time than the above-described processing time. Substrate processing method.
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