JP2007081374A - ソルダマスク限定型ボンディングパッド及びソルダマスク非限定型ボンディングパッドを具備した半導体パッケージ、印刷回路基板及び半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】落下試験信頼性およびボードレベルTC信頼性を改善できるボールグリッドアレイ半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ100は半導体チップ120と基板110を含む。基板110は、複数のボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結されたソルダボールを介して前記半導体チップ120と印刷回路基板との間をインタフェーシングする。前記複数のボンディングパッドは前記基板の一面上に交替に配列された複数のNSMDボンディングパッド60及び複数のSMDボンディングパッド50を含む。落下試験信頼性の優れたSMDボンディングパッド50とボードレベルTC信頼性の優れたNSMDボンディングパッド60を半導体パッケージ100の所定領域に行方向及び/または列方向に沿って交替に配列することで半導体パッケージ100の落下試験信頼性及びボードレベルTC信頼性を改善することができる。
【選択図】図3
【解決手段】半導体パッケージ100は半導体チップ120と基板110を含む。基板110は、複数のボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結されたソルダボールを介して前記半導体チップ120と印刷回路基板との間をインタフェーシングする。前記複数のボンディングパッドは前記基板の一面上に交替に配列された複数のNSMDボンディングパッド60及び複数のSMDボンディングパッド50を含む。落下試験信頼性の優れたSMDボンディングパッド50とボードレベルTC信頼性の優れたNSMDボンディングパッド60を半導体パッケージ100の所定領域に行方向及び/または列方向に沿って交替に配列することで半導体パッケージ100の落下試験信頼性及びボードレベルTC信頼性を改善することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は半導体パッケージに関し、さらに詳細にはボールグリッドアレイ(BGA、Ball Grid Array)半導体パッケージに関する。
半導体の軽薄短小化傾向につれて半導体チップと完成品の大きさが略同様に薄くて小さくパッケージングする所謂CSP(Chip Scale Packaging)技術が使用されている。
各種CSPパッケージのうちBGA半導体パッケージは表面実装型パッケージ(SMT、Surface Mount Technology)の一種として半導体チップの高集積化技術として半導体チップに収容可能な入出力ピンの数を増加させ実装密度を高めることができるように開発された。即ち、BGAパッケージは半導体パッケージの一面に融着されるソルダボールを通じて半導体チップと外部の印刷回路基板と間に信号を入出力することで収容可能な入出力ピンの個数を増加させる。
BGAパッケージは高速メモリであるRambus DRAMなどに使用され移動電話、デジタルカメラ、デジタルカムコーダなど携帯型情報通信機器、個人用コンピュータ(PC)、ラップトップコンピュータ及びワークステーションなどに幅広く適用されている。
フリップチップを使用する集積回路製造技術は複数のソルダバンプまたはソルダボールを含む。ソルダバンプまたはソルダボールを収容するパッド上に領域を限定する方式によって、ソルダマスク限定型ボンディングパッド及びソルダマスク非限定型ボンディングパッドがある。
ソルダマスク限定型ボンディングパッド及び/またはソルダマスク非限定型ボンディングパッドを有する従来の半導体パッケージについての例は特許文献1、特許文献2、及び特許文献3に開示されている。
図1は一般的なSMD(Solder Mask Defined)ボンディングパッドを示す断面図である。
図1に示すように、SMDボンディングパッドは基板12及び印刷回路基板22に全部形成される。基板12上のSMDボンディングパッドは基板12上に形成された金属ボンディングパッド14を含む。基板12は半導体チップと印刷回路基板22との間を相互連結するかインタフェーシングするのに使用される。ソルダマスク16は基板12上に形成されボンディングパッド14の一部をカバーする。金属ボンディングパッド14の一部は露出される。その後、ソルダボール24はボンディングパッド14に付着される。基板12を印刷回路基板22に連結する場合、ボンディングパッド20が印刷回路基板22の表面に形成される。ソルダマスク18は印刷回路基板22上に形成されボンディングパッド18の一部とオーバーラップされSMDボンディングパッドを形成する。前記ソルダマスク16、18の露出された開口が、ソルダボール24が電気的に連結されるボンディングパッド14、20の接触領域を限定する。前記ボンディングパッド14、20の接触領域と接触されたソルダボール24を通じて基板12と印刷回路基板22とが相互電気的に連結される。前記ソルダマスク16、18は液体ソルダが所望しない領域に流入されることを防止し、リフロー以後の前記ソルダボール24の形態に影響を与える。
図2は一般的なNSMD(Non−Solder Mask Defined)ボンディングパッドを示す断面図である。
図2に示すように、基板32上のNSMDボンディングパッドは基板32上に形成された金属ボンディングパッド34を含む。ソルダマスク36は基板32上に形成されボンディングパッド34と接触またはオーバーラップされない。また、ソルダマスク38は印刷回路基板42上に形成され、ボンディングパッド40と接触またはオーバーラップされない。
前記ボンディングパッド34、40の形態及び大きさはリフロー後の前記ソルダボール44の形態を決定する。
前記ソルダマスク限定型(SMD)ボンディングパッドの場合落下試験の際信頼性は優秀であるがボードレベルTC(Temperature Cycle)信頼性は脆弱である。
反面、ソルダマスク非限定型(NSMD)ボンディングパッドの場合ボードレベルTC信頼性が優秀であるが、落下試験信頼性は脆弱である。
従って、前記落下試験信頼性及びボードレベルTC信頼性を全部改善させることができるようにソルダボールランドパッド(Solder ball land padまたはsolder ball bonding pad)を有する半導体パッケージが要求されつつある。
米国特許第6、552、436号明細書
米国公開特許第2005−23704号明細書
韓国公開特許2005−13773号公報
従って、本発明の第1目的は、落下試験信頼性及びボードレベルTC信頼性を改善することができるソルダボールボンディングパッド配列を有する半導体パッケージを提供することにある。
また、本発明の第2目的は、落下試験信頼性及びボードレベルTC信頼性を改善することができるソルダボールボンディングパッド配列を有する印刷回路基板を提供することにある。
本発明の第3目的は、前記半導体パッケージ及び印刷回路基板を含む半導体モジュールを提供することにある。
前述した本発明の第1目的を達成するための本発明の一側面による半導体パッケージは、半導体チップと基板を含む。前記基板は複数のボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電極的に連結されたソルダボールを介して前記半導体チップと印刷回路基板との間をインタフェーシングする。前記複数のボンディングパッドは前記基板の一面に相互交替に配列された複数のNSMD(Non−Solder Mask Defined)ボンディングパッド、及び複数のSMD(Solder Mask Defined)ボンディングパッドを含む。前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは前記基板の一面上に行方向に沿って交替に配列されることができる。前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは前記基板の一面に列方向に沿って交替に配列することができる。
また、本発明の第1目的を達成するための本発明の他の側面による半導体パッケージによると、前記複数のボンディングパッドは前記基板の中央領域に配置された複数の第1NSMDボンディングパッド、前記基板の前記中央領域を除いた残りの外郭領域に交替に配列された複数の第2NSMDボンディングパッド、及び複数のSMDボンディングパッドを含む。前記複数の第2NSMDボンディングパッド及び複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面上に行方向に沿って交替に配列されることができる。前記複数の第2NSMDボンディングパッド及び複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面上に列方向に沿って交替に配列されることができる
また、本発明の第2目的を達成するための本発明の一側面による印刷回路基板は、基板と、前記基板の一面上に交替に配列された複数のNSMD(Non−Solder Mask Defined)ボンディングパッド、及び複数のSMD(Solder Mask Defined)ボンディングパッドと、を含む。前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面に行方向に沿って交替に配列されることができる。前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面に列方向に沿って交替に配列されることができる。
また、本発明の第3目的を達成するための本発明の一側面による半導体モジュールは、第1基板の一面に交替に配列された複数の第1NSMD(Non−Solder Mask Defiend)ボンディングパッドと、複数の第1SMD(Solder Mask Defined)ボンディングパッドとを含む印刷回路基板、及び半導体チップと、一面に交替に配列された複数の第2NSMD(Non−Solder Mask Defined)ボンディングパッド及び複数の第2SMD(Solder Mask Defined)ボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結された複数のソルダボールを介して前記半導体チップと前記印刷回路基板との間をインタフェーシングする第2基板とを具備する半導体パッケージを含む。
また、本発明の第3目的を達成するための本発明の他の側面による半導体モジュールは、第1基板の一面に交替に配列された複数の第1NSMD(Non−Solder Mask Defined)ボンディングパッドと、複数の第1SMD(Solder Mask Defined)ボンディングパッドとを含む印刷回路基板、及び半導体チップと、一面の中央領域に配置された複数の第2NSMD(Non−Solder Mask Defined)ボンディングパッドと前記中央領域を除いた残りの外郭領域に交替に配列された複数の第3NSMDボンディングパッド及び複数の第2SMDボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結された複数のソルダボールを介して前記半導体チップと前記印刷回路基板との間をインタフェーシングする第2基板とを具備する半導体パッケージを含む。
本発明は多様な変更を加えることができ多様な形態を有することができ、特定の実施例を図面に例示し本文において詳細に説明しようとする。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定することではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解すべきである。各図面を説明しながら類似した参照符号を類似した構成要素に対して使用した。
第1、第2などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を離れることなく第1構成要素は第2構成要素として命名されることができ、同様に第2構成要素も第1構成要素として命名されることができる。
本出願で使用した用語はただ特定の実施例を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明白に決めない限り、複数の表現を含む。本出願で、“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらを組合わせたものが存在していることを指定しようとするものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品またはこれらを組合わせたものの存在を予め排除していないこととして理解しなければならない。
特別に定義しない限り、技術的な科学的な要素を含んでここで使用される全ての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるのと同一の意味を有している。一般的に使用される辞書に定義されているのと同じ用語は関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願で明白に定義していない限り、過度に形式的な意味に解釈されない。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。
図3は本発明の一実施例によるSMDボンディングパッドとNSMDボンディングパッドの配列構造を有した半導体パッケージの断面図である。
図3に示すように、半導体パッケージ100は基板110に付着された半導体チップ120を含む。半導体チップ120は基板110にワイヤーボンディング、バンプ工程または他の方法で付着されることができる。
基板110は半導体チップ120と印刷回路基板(図示せず)をインタフェーシングする。
半導体チップ120が基板110に付着された後基板110の表面及び半導体チップ120はモールド複合密封剤を用いて密封される。
半導体パッケージの落下試験の際の信頼性及びボードレベルTC信頼性を改善するためにSMDボンディングパッド50及びNSMDボンディングパッド60は基板110の一面に所定の配列に形成される。例えば、SMDボンディングパッド50及びNSMDボンディングパッド60はマトリックス形態に交替に配列されることができる。または、SMDボンディングパッド及びNSMDボンディングパッド60は行方向または列方向に沿って交替に配列されることができる。また、基板110に配列されたボンディングパッドのうち基板110の中央領域にはNSMDボンディングパッド60が配列されるようにし、基板110の中央領域を除いた残りの外郭領域にはSMDボンディングパッド50が配列されるようにすることができる。SMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60の配列状態の具体的な実施例は図5乃至図19を参照して説明する。
SMDボンディングパッド50及びNSMDボンディングパッド60は基板110をソルダボール(図示せず)を通じて印刷回路基板(図示せず)に電気的に連結される。
ソルダマスク52は基板110上に形成されSMDボンディングパッド50の一部を覆う。即ち、SMDボンディングパッド50の一部は露出され、露出された開口の大きさはSMDボンディングパッド50より小さい。前記ソルダマスク52の露出された開口とオーバーラップされたSMDボンディングパッド50の領域はSMDボンディングパッド50がソルダボール(図示せず)と接触される領域を限定する。ソルダマスク52は基板110上に形成され、NSMDボンディングパッド60と接触またはオーバーラップされることがなく、NSMDボンディングパッド60のエッジは露出される。
図4は本発明の一実施例によるSMDボンディングパッドとNSMDボンディングパッドの配列構造を有する半導体モジュールの断面図である。
図4に示すように、半導体モジュールは半導体パッケージ100及び印刷回路基板200を含む。半導体パッケージ100に対しては図3で上述したので説明を省略する。
印刷回路基板200の基板210上にはソルダマスク72、SMDボンディングパッド70及びNSMDボンディングパッド80が形成される。
SMDボンディングパッド70及びNSMDボンディングパッド80は、基板210の一面に所定の配列に形成される。
印刷回路基板200は前記SMDボンディングパッド50、70及びNSMDボンディングパッド60、80に電気的に連結された複数のソルダボール(図示せず)を通じて前記半導体チップとインタフェーシングする。
ここで、印刷回路基板200のSMDボンディングパッド70及びNSMDボンディングパッド80の所定の配列状態は、前記半導体パッケージ100上のSMDボンディングパッド50及びNSMDボンディングパッド60の配列状態と同一であっても異なってもよいのである。
例えば、基板110にSMDボンディングパッド50及びNSMDボンディングパッド60が行方向(または列方向)に沿って交替に配列された場合印刷回路基板200のSMDボンディングパッド70及びNSMDボンディングパッド80はこれと同一に行方向(または列方向)に沿って交替に配列されることができる。また、基板110にSMDボンディングパッド50及びNSMDボンディングパッド60が行方向(または列方向)に沿って交替に配列された場合印刷回路基板200のSMDボンディングパッド70及びNSMDボンディングパッド80は列方向(または行方向)に沿って交替に配列されることができる。
図5乃至図15は本発明の一実施例による行方向及び/または列方向に交替に配列されたSMDボンディングパッドとNSMDボンディングパッドを含む半導体パッケージまたは印刷回路基板の平面図である。図5乃至図10は半導体パッケージまたは印刷回路基板のボンディングパッドが3列ずつ総6列が配列された場合を示し、図11乃至図15は半導体パッケージまたは印刷回路基板のボンディングパッドが4列ずつ総8列で配列された場合を示す。
落下試験信頼性の優れたSMDボンディングパッド50とボードレベルTC信頼性の優れたNSMDボンディングパッド60が半導体パッケージ基板の一面に行方向及び/または列方向に沿って交替に配列されることで半導体パッケージまたは印刷回路基板の落下試験信頼性及びボードレベルTC信頼性を改善することができる。
本発明の一実施例においては、SMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60は半導体パッケージの基板または印刷回路基板の一面に行方向及び列方向に沿って交替に配列される(図5、図6、図11参照)。図5、図6及び図11の場合SMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60との比率は略1:1である。
本発明の他の実施例においては、SMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60は半導体パッケージまたは印刷回路基板の一面に行方向に沿って交替に配列される(図7、図8、図12、図13参照)
本発明のさらに他の実施例においては、SMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60は半導体パッケージまたは印刷回路基板の一面に列方向に沿って交替に配列される(図9、図10、図14、及び図15参照)。図9、図14、及び図15の場合SMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60との比率は略1:1であり、図10の場合、SMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60との比率は略1:2である。
図16乃至図19は基板110に配列されたボンディングパッドのうち基板110の中央領域1101、1103にはNSMDボンディングパッド60が配列され、基板110の中央領域1101、1103を除いた残りの外郭領域にはSMDボンディングパッド50及びNSMDボンディングパッド60が行方向及び/または列方向に交替に配列された半導体パッケージまたは印刷回路基板を示す。
ボードレベルTC信頼性の優れたNSMDボンディングパッド60は基板110の中央領域1101、1103に配置され、落下試験信頼性の優れたSMDボンディングパッド50とボードレベルTC信頼性の優れたNSMDボンディングパッド60が半導体パッケージまたは印刷回路基板の中央領域を除いた残りの外郭領域に行方向及び/または列方向に沿って交替に配列されることで半導体パッケージまたは印刷回路基板の落下試験信頼性及びボードレベルTC信頼性を改善することができる。
本発明の一実施例においては、半導体パッケージ基板または印刷回路基板の中央領域1101、1103にはNSMDボンディングパッド60が配列され、半導体パッケージまたは印刷回路基板の中央領域1101、1103を除いた残り外郭領域にはSMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60が行方向及び/または列方向に沿って交替に配列される(図16参照)。
本発明の他の実施例においては、半導体パッケージ基板または印刷回路基板の中央領域1201、1203にはNSMDボンディングパッド60が配列され、半導体パッケージまたは印刷回路基板の中央領域1201、1203を除いた残り外郭領域にはSMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60が行方向に沿って交替に配列される(図17参照)。ここで、外郭領域でSMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60の位置が互いに変えられることもあり得る。
本発明のさらにまたの実施例においては、半導体パッケージ基板または印刷回路基板の中央領域1301、1303にはNSMDボンディングパッド60が配列され、半導体パッケージまたは印刷回路基板の中央領域1301、1303を除いた残り外郭領域にはSMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60が列方向に沿って交替に配列される(図18参照)。ここで、外郭領域でSMDボンディングパッド50とNSMDボンディングパッド60の位置が互いに変えられることもあり得る(図19参照)。
本発明の実施例によると、半導体パッケージの形態や大きさまたは他の条件によってSMDボンディングパッド及びNSMDボンディングパッドの配列形態をいくらでも変形することができる。
前記のような半導体パッケージ、印刷回路基板及び半導体モジュールによると、ドロップ信頼性に脆弱なNSMDボンディングパッドと落下試験信頼性に優れたSMDボンディングパッドとを混合して半導体パッケージ及び印刷回路基板に配列することで落下試験信頼性を改善することができる。また、ボートレベルTC信頼性に脆弱なSMDボンディングパッドとボートレベルTC信頼性に優れたNSMDボンディングパッドとを混合して半導体パッケージ及び印刷回路基板に配列することでボートレベルTC信頼性も改善することができる。
即ち、ドロップ信頼性の優れたSMDボンディングパッドとボートレベルTC信頼性の優れたNSMDボンディングパッドを半導体パッケージ及び印刷回路基板の所定領域に行方向及び/または列方向に沿って交替に配列することで半導体パッケージ、印刷回路基板及び半導体モジュールの落下試験信頼性及びレベルTC信頼性を改善することができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
50、70 SMDボンディングパッド
52、72 ソルダマスク
60、80 NSMDボンディングパッド
100 半導体パッケージ
200 印刷回路基板
52、72 ソルダマスク
60、80 NSMDボンディングパッド
100 半導体パッケージ
200 印刷回路基板
Claims (19)
- 半導体チップと、
複数のボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結されたソルダボールを介して前記半導体チップと印刷回路基板との間をインタフェーシングする基板と、
を含み、
前記複数のボンディングパッドは前記基板の一面に交替に配列された複数のNSMDボンディングパッド、及び複数のSMDボンディングパッドを含むことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面に行方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面に列方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記複数のSMDボンディングパッドと前記複数のNSMDボンディングパッドの個数の比率は、実質的に1:2または2:1であることを特徴とする請求項3記載の半導体パッケージ。
- 前記SMDボンディングパッドと前記NSMDボンディングパッドの個数比率は、実質的に1:1であることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
- 半導体チップと、
複数のボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結された複数のソルダボールを介して前記半導体チップと印刷回路基板との間をインタフェーシングする基板と、
を含み、
前記複数のボンディングパッドは前記基板の中央領域に配置された複数の第1NSMDボンディングパッド、前記基板の前記中央領域を除いた残りの外郭領域に交替に配列された複数の第2NSMDボンディングパッド、及び複数のSMDボンディングパッドを含むことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記複数の第2NSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面上に行方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項6記載の半導体パッケージ。
- 前記複数の第2NSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面に列方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項6記載の半導体パッケージ。
- 基板と、
前記基板の一面上に交替に配列された複数のNSMDボンディングパッド、及び複数のSMDボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする印刷回路基板。 - 前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面に行方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項9記載の印刷回路基板。
- 前記複数のNSMDボンディングパッド及び前記複数のSMDボンディングパッドは、前記基板の一面に列方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項9記載の印刷回路基板。
- 第1基板の一面に交替に配列された複数の第1NSMDボンディングパッド、及び複数の第1SMDボンディングパッドを含む印刷回路基板と、
半導体チップと、一面に交替に配列された複数の第2NSMDボンディングパッド及び複数の第2SMDボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結された複数のソルダボールを介して前記半導体チップと前記印刷回路基板との間をインタフェーシングする第2基板とを具備する半導体パッケージと、
を含むことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記複数の第2NSMDボンディングパッド、及び前記複数の第2SMDボンディングパッドは、前記第2基板の一面上に行方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項12記載の半導体モジュール。
- 前記複数の第1NSMDボンディングパッド及び複数の第1SMDボンディングパッドは、前記第1基板の一面上に行方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項13記載の半導体モジュール。
- 前記複数の第1NSMDボンディングパッド及び複数の第1SMDボンディングパッドは、前記第1基板の一面上に列方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項13記載の半導体モジュール。
- 前記複数の第2NSMDボンディングパッド、及び複数の第2SMDボンディングパッドは、前記第2基板の一面上に列方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項13記載の半導体モジュール。
- 第1基板の一面に交替に配列された複数の第1NSMDボンディングパッド、及び複数の第1SMDボンディングパッドを含む印刷回路基板と、
半導体チップと、一面の中央領域に配置された第2NSMDボンディングパッド、前記中央領域を除いた残りの外郭領域に交替に配列された複数の第3NSMDボンディングパッド、及び複数の第2SMDボンディングパッドを含み、前記複数のボンディングパッドに電気的に連結された複数のソルダボールを介して前記半導体チップと前記印刷回路基板との間をインタフェーシングする第2基板とを具備する半導体パッケージと、
を含むことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記複数の第3NSMDボンディングパッド及び前記複数の第2SMDボンディングパッドは、前記第2基板の一面上に行方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項17記載の半導体モジュール。
- 前記複数の第3NSMDボンディングパッド及び前記複数の第2SMDボンディングパッドは、前記第2基板の一面上に列方向に沿って交替に配列されることを特徴とする請求項17記載の半導体モジュール。
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