JP2007081025A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)下記の構造式(1)で表されるエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂。
【化1】
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
【選択図】なし
Description
(A)下記の構造式(1)で表されるエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
下記の構造式(a)で表されるエポキシ樹脂(エポキシ当量271、軟化点99℃)
o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量195、軟化点80℃)
下記の構造式(c)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量195、融点107℃)
下記の構造式(d)で表されるフェノール樹脂(水酸基当量210、軟化点73℃)
下記の構造式(e)で表されるフェノール樹脂(水酸基当量220、軟化点77℃)
フェノールノボラック樹脂(水酸基当量107、軟化点64℃)
球状溶融シリカ粉末(平均粒径16.2μm)
2,4−ジアミノ−6−〔2′−ウンデシルイミダゾリル(1′)〕エチル−s−トリアジン(C11Z−AZIN)
2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール
2−フェニルイミダゾール
トリフェニルホスフィン
1,5−ジアザビシクロ〔4.3.0〕ノネン−5(DBN)
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
カルナバワックス
上記各成分を下記の表1および表2に示す割合で配合し、ミキシングロール機(温度100℃)で3分間溶融混練を行なった。つぎに、この溶融物を冷却固化した後、粉砕して目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
まず、半導体素子(正方形状、チップサイズ:10×10×厚み0.5mm)をBT基板(正方形状、サイズ:35×35×厚み0.56mm)上に実装したものを作製した。ついで、上記エポキシ樹脂組成物を用いて、上記半導体素子を実装したBT基板を、キャビティサイズ(30×30×1.2mm)の金型にてトランスファー成形(成形条件:175℃×90秒+後硬化175℃×5時間)することにより、片面封止タイプの半導体パッケージ(封止樹脂層サイズ:30×30×厚み1.2mm)を作製した。
プラズマクリーニング(条件:アルゴン100%を40cc/min、100W×60秒)をかけたBT基板(基板表面にソルダーレジスト形成、太陽インキ社製のPSR−4000−AUS303)を用い、エポキシ樹脂組成物による樹脂封止を175℃×90秒の条件にて行なった。ついで、室温(25℃)下にて封止樹脂層をBT基板上から剥離し、封止樹脂層形成エリアのBT基板上に残存するソルダーレジスト面積を封止樹脂層形成エリア(30×30mm)で除した値(残存ソルダーレジスト面積/封止樹脂層形成エリア)から残存するソルダーレジストの占める割合(%)を算出した。したがって、値が大きいほどソルダーレジストが残存していることになり接着性に劣るといえる。
Claims (2)
- 下記の(A)〜(C)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)下記の構造式(1)で表されるエポキシ樹脂を主成分とするエポキシ樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。 - 請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置。
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