JP2007080770A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光体及び液晶表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス発光体及び液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007080770A JP2007080770A JP2005269998A JP2005269998A JP2007080770A JP 2007080770 A JP2007080770 A JP 2007080770A JP 2005269998 A JP2005269998 A JP 2005269998A JP 2005269998 A JP2005269998 A JP 2005269998A JP 2007080770 A JP2007080770 A JP 2007080770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode layer
- light emitting
- layer
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 37
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 132
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】 光学手段が設けられている有機エレクトロルミネッセンス素子において、透明電極層と金属電極層の間に電力を供給することにより発光する有機発光層の発光面に対応した透明電極層の外周部に接触して、透明電極層の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有する金属層を設けてなる。
【選択図】 図3
Description
(1)
透明基板上に透明電極層と有機発光層と金属電極層とが順次積層形成され、前記透明基板の前記有機発光層が形成されている側とは反対側の面に光学手段が設けられている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記透明電極層と前記金属電極層の間に電力を供給することにより発光する前記有機発光層の発光面に対応した前記透明電極層の外周部に接触して、前記透明電極層の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有する金属層を設けてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
(2)
前記光学手段が、拡散板又はプリズムシートの何れか1つを含むことを特徴とする(1)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(3)
前記金属層は、前記発光面に対応した前記透明電極層の外周部全体の50%以上に設けられていることを特徴とする(1)又は(2)に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(4)
前記透明電極層の電気抵抗が5Ω/□以上50Ω/□以下であることを特徴とする(1)乃至(3)の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(5)
前記透明基板の厚さが0.1mm以上1.0mm以下であることを特徴とする(1)乃至(4)の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(6)
液晶を2枚の透明電極層が形成された透明基板で挟持した液晶パネルと、前記液晶パネルの背後に、前記光学手段が設けられている側を前記液晶パネル側として配置された(1)乃至(5)のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。
(7)
光取出側に配置した光学手段と共に用いる有機エレクトロルミネッセンス発光体において、前記有機エレクトロルミネッセンス発光体は、透明基板上に透明電極層と有機発光層と金属電極層とが順次積層形成されてなり、前記透明電極層と前記金属電極層の間に電力を供給することにより発光する前記有機発光層の発光面に対応した前記透明電極層の外周部に接触して、前記透明電極層の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有する金属層を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光体。
(8)
前記光学手段が、拡散板又はプリズムシートであることを特徴とする(7)に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光体。
(9)
液晶を2枚の透明電極層が形成された透明基板で挟持した液晶パネルと、前記液晶パネルの背後に配置された光学手段と、前記拡散板側を光取出側として配置された(7)又は(8)に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光体とを備えてなることを特徴とする液晶表示装置。
(実施例1)
図8に有機EL素子製造のフローを示す。基板1上に陽極2を形成し、その上に電極層20を形成する。次に正孔輸送層31、発光層30、正孔阻止層32、電子輸送層33の4つの層を形成した後、陰極4を形成した。以下により詳しく説明する。
(実施例2)
実施例1において、拡散板D123の上に更にプリズムシート(住友スリーエム(株)製BEFII)2枚を直交させて配置し、プリズムシート端部を拡散板に押圧することで取り付けた他は、実施例1と同様に作製し、評価した。この時面内の平均輝度は1500cdであり、面内の輝度ムラは90%であった。この時、目視観察では、ほとんど輝度ムラは認められなかった。
(実施例3)
実施例1において、拡散板D123の上に更にプリズムシート(住友スリーエム(株)製BEFII)2枚を直交させて日東電工(株)製透明両面粘着テープCS9621を用いて貼り付けた他は、実施例1と同様に作製し、評価した。この時面内の平均輝度は2000cdであり、面内の輝度ムラは90%であった。この時、目視観察では、ほとんど輝度ムラは認められなかった。
(比較例1)
実施例1において、拡散板D123を取り付けなかった他は、実施例1と同様に作製し、評価した。この時面内の平均輝度は800cdであり、面内の輝度ムラは80%であった。この時、目視観察では、ほとんど輝度ムラは認められなかったが、十分な輝度が得られず暗く感じた。
(比較例2)
実施例1において、電極層と拡散板を設けなかった他は、実施例1と同様に作製し、評価した。この時面内の平均輝度は800cdであり、面内の輝度ムラは50%であった。この時、目視観察では、輝度ムラが認められ、十分な輝度も得られず暗く感じた。
(比較例3)
実施例1において、電極層を設けなかった他は、実施例1と同様に作製し、評価した。この時面内の平均輝度は1200cdであり、面内の輝度ムラは45%であった。この時、目視観察では、輝度ムラが認められた。
(比較例4)
実施例2において、電極層を設けなかった他は、実施例2と同様に作製し、評価した。この時面内の平均輝度は1500cdであり、面内の輝度ムラは40%であった。この時、目視観察では、輝度ムラが認められた。
(比較例5)
実施例3において、電極層を設けなかった他は、実施例3と同様に作製し、評価した。この時面内の平均輝度は2000cdであり、面内の輝度ムラは35%であった。この時、目視観察では、輝度ムラが認められた。
(実施例4〜7)
実施例1において、電極層の陽極外周全体に対する割合を変化させた他は、実施例1と同様に作製し、評価した。陽極の外周4辺全体に電極層を接するようにしたものを100%とし、電極層の一端を徐々に短くすることにより、40%までのものを作製した。この時作製した試料(実施例4〜7)の陽極外周に対する割合と評価結果を表1に示す。
(実施例8〜12)
実施例1において、ITOの膜厚を調整した他は、実施例1と同様に作製し、評価した。この時作製した試料(実施例8〜12)の陽極の抵抗値と評価結果を表2に示す。
(実施例13〜17)
実施例1において、基板の厚さを調整した他は、実施例1と同様に作製し、評価した。この時作製した試料(実施例13〜17)の基板の厚さと評価結果を表3に示す。
2 陽極
20 電極層
3 有機層
30 発光層
31 正孔輸送層
32 正孔阻止層
33 電子輸送層
4 陰極
5 封止缶
51 補水剤
52 接着剤
6 発光駆動電源
7 スイッチ
8 電源ユニット
9 制御用IC
10 接着層
Claims (9)
- 透明基板上に透明電極層と有機発光層と金属電極層とが順次積層形成され、前記透明基板の前記有機発光層が形成されている側とは反対側の面に光学手段が設けられている有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記透明電極層と前記金属電極層の間に電力を供給することにより発光する前記有機発光層の発光面に対応した前記透明電極層の外周部に接触して、前記透明電極層の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有する金属層を設けてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記光学手段が、拡散板又はプリズムシートの何れか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記金属層は、前記発光面に対応した前記透明電極層の外周部全体の50%以上に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記透明電極層の電気抵抗が5Ω/□以上50Ω/□以下であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記透明基板の厚さが0.1mm以上1.0mm以下であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 液晶を2枚の透明電極層が形成された透明基板で挟持した液晶パネルと、
前記液晶パネルの背後に、前記光学手段が設けられている側を前記液晶パネル側として配置された請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 光取出側に配置した光学手段と共に用いる有機エレクトロルミネッセンス発光体において、
前記有機エレクトロルミネッセンス発光体は、透明基板上に透明電極層と有機発光層と金属電極層とが順次積層形成されてなり、
前記透明電極層と前記金属電極層の間に電力を供給することにより発光する前記有機発光層の発光面に対応した前記透明電極層の外周部に接触して、前記透明電極層の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有する金属層を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光体。 - 前記光学手段が、拡散板又はプリズムシートであることを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光体。
- 液晶を2枚の透明電極層が形成された透明基板で挟持した液晶パネルと、
前記液晶パネルの背後に配置された光学手段と、
前記拡散板側を光取出側として配置された請求項7又は8に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光体とを備えてなることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269998A JP5228268B2 (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269998A JP5228268B2 (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007080770A true JP2007080770A (ja) | 2007-03-29 |
JP5228268B2 JP5228268B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=37940833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005269998A Expired - Fee Related JP5228268B2 (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5228268B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009129723A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Rohm Co Ltd | 有機elパネル |
JP2009129724A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Rohm Co Ltd | 有機elパネル |
JPWO2009025286A1 (ja) * | 2007-08-21 | 2010-11-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 照明装置 |
CN102458000A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 精工爱普生株式会社 | 照明装置 |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
WO2015151379A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明器具 |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
JP2016085797A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光モジュール |
US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
JP2018116830A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10214684A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスアレイ |
JP2004363040A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Toyota Industries Corp | 補助電極を用いた面状発光装置 |
JP2005158483A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 照明装置および照明装置の駆動方法 |
JP2005174701A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 電界発光デバイス |
JP2006252866A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005269998A patent/JP5228268B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10214684A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンスアレイ |
JP2004363040A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Toyota Industries Corp | 補助電極を用いた面状発光装置 |
JP2005158483A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 照明装置および照明装置の駆動方法 |
JP2005174701A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 電界発光デバイス |
JP2006252866A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Toyota Industries Corp | エレクトロルミネッセンス素子 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2009025286A1 (ja) * | 2007-08-21 | 2010-11-25 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 照明装置 |
JP2009129723A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Rohm Co Ltd | 有機elパネル |
JP2009129724A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Rohm Co Ltd | 有機elパネル |
CN102458000A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 精工爱普生株式会社 | 照明装置 |
US8779671B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-07-15 | Seiko Epson Corporation | Illumination device |
US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
US9165779B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-10-20 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
WO2015151379A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明器具 |
US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
US10002760B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-06-19 | Dow Silicones Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
JP2016085797A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光モジュール |
JP2018116830A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5228268B2 (ja) | 2013-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5228268B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び液晶表示装置 | |
US10862065B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting device | |
JP4569463B2 (ja) | 有機el照明パネル用取付け装置 | |
JP2004234868A (ja) | 有機el照明素子 | |
JP2001102176A (ja) | El表示装置及びその作製方法 | |
JP2011054407A (ja) | 有機発光素子 | |
JP4793075B2 (ja) | 照明装置 | |
KR100850156B1 (ko) | 반사층 부착 조명 장치 및 액정 표시 장치 | |
JP2007067361A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子および正孔輸送層の材料 | |
JPH10214683A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2007150162A (ja) | 面発光体 | |
TW200535516A (en) | Liquid crystal display and process for fabricating the same | |
JP2010232099A (ja) | 両面発光有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP2001015264A (ja) | 平面発光体 | |
JP2007026932A (ja) | 発光パネル | |
JP2001244069A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4748835B2 (ja) | 照明器具 | |
WO2013088874A1 (ja) | 発光装置及び有機el素子の駆動方法 | |
JP2004014385A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2007026862A (ja) | 発光パネル | |
TWI285856B (en) | Reflective organic electroluminescence panel and display | |
JP5332203B2 (ja) | 照明装置用発光パネルの駆動方法 | |
KR20050082961A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
TWI291839B (en) | Organic light emitting display device | |
JP2006269515A (ja) | バックライト装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110214 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130304 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5228268 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |