JP2007076928A - Method and device for manufacturing single crystal - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、単結晶製造用の坩堝に関し、特に炭化珪素単結晶の製造に好適に利用できるものである。 The present invention relates to a crucible for producing a single crystal, and can be suitably used particularly for producing a silicon carbide single crystal.
従来から、炭化珪素単結晶を成長させる方法として、昇華法が広く用いられている。昇華法は改良レーリー法とも呼ばれる。黒鉛製坩堝内に配置した黒鉛台座に炭化珪素単結晶で構成される種結晶基板および原料粉末を配置し、黒鉛製坩堝を加熱することで原料粉末から昇華ガスが発生し、原料粉末と単結晶基板との間で、昇華ガスの濃度差が生じるため、昇華ガスが単結晶基板まで拡散し、単結晶基板近傍での過飽和が駆動力となり単結晶成長が進行する。炭化珪素を原料とした場合に発生する昇華ガスの組成は、Si、SiC2、Si2C、Si2、Si3等であり、特にSi、SiC2、Si2Cは平衡分圧が大きく重要と考えられている。 Conventionally, a sublimation method has been widely used as a method for growing a silicon carbide single crystal. The sublimation method is also called the modified Rayleigh method. A seed crystal substrate composed of a silicon carbide single crystal and a raw material powder are placed on a graphite pedestal placed in a graphite crucible, and sublimation gas is generated from the raw material powder by heating the graphite crucible, and the raw material powder and the single crystal Since the concentration difference of the sublimation gas occurs between the substrate and the sublimation gas, the sublimation gas diffuses to the single crystal substrate, and the supersaturation in the vicinity of the single crystal substrate serves as a driving force to progress the single crystal growth. The composition of the sublimation gas generated when silicon carbide is used as a raw material is Si, SiC2, Si2C, Si2, Si3, etc. In particular, Si, SiC2, and Si2C are considered to have important equilibrium partial pressures.
一般的な昇華法炭化珪素単結晶成長方法を、図8を用いて詳細に説明する。黒鉛製坩堝1は、坩堝下部材1a、坩堝中部材1bおよび坩堝上部材1cで構成され、坩堝下部材1aに原料粉末2を収納し、坩堝上部材1cの種結晶取り付け部1dに炭化珪素単結晶で構成される種結晶3を取り付ける。黒鉛製坩堝1、原料粉末2および種結晶3に囲まれて形成される単結晶成長空間4において、単結晶成長が進行する。
A general sublimation silicon carbide single crystal growth method will be described in detail with reference to FIG. The
黒鉛製部材1の材料として、高融点物質や、高融点物質コーティング黒鉛など、黒鉛以外の物質が部分的に用いられる場合もあるが、通常はほとんどの部材が黒鉛で構成されるため、ここでは黒鉛製坩堝1と呼ぶこととする。なお、坩堝設計は自由度があるので、坩堝部材数が図8のように3ではない場合もあるが、機能面から、原料粉末を配置する坩堝下部材、単結晶成長空間を形成する坩堝中部材、種結晶を固定する坩堝上部材と、前記と同様の分類をすることが可能である。原料粉末2としては、炭化珪素粉末を用いるのが一般的であるが、目的に応じて、炭化珪素にシリコン、カーボン、あるいはドーパントを加えてもよい。
As a material of the
坩堝1の周囲を取り囲むように、断熱材5を配置し、高周波ワークコイル6に例えば20kHzの高周波電流を数百A流すことで、黒鉛製坩堝1を2000℃以上に誘導加熱する。黒鉛製坩堝1の設計、断熱材5の設計、高周波ワークコイル6との位置関係等により、温度分布を制御することができ、坩堝下部材1aを2200〜2500℃に、坩堝上部材1cを坩堝下部材1aより50〜200℃低い温度に加熱する。このような温度分布により、原料粉末2から種結晶3へ昇華ガスが安定的に輸送され、安定な成長が行われる。温度計測は非接触温度計により行う。
The
単結晶成長後の模式図を図9に示すが、単結晶を成長する際には、種結晶3上に成長した成長単結晶3aと、坩堝内壁に付着した炭化珪素多結晶7が接触しないように成長する(以下、単結晶分離成長と呼ぶ。)ことが重要であり、坩堝設計や条件を変えて単結晶分離成長を行い、高品質な炭化珪素を製造することが従来から知られている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。
FIG. 9 shows a schematic diagram after the single crystal growth. When the single crystal is grown, the grown single crystal 3a grown on the
なお、単結晶分離成長でない場合の模式図を図10に示す。種結晶3上に成長した成長単結晶3aと、坩堝内壁に付着した炭化珪素多結晶7が接触すると、成長単結晶3a中に応力が加わり転位やクラックが生じる、あるいは炭化珪素多結晶7中の結晶欠陥が成長単結晶3a中に伝播しやすくなるため、高品質の炭化珪素を製造することが困難になる。
FIG. 10 shows a schematic diagram in the case where the single crystal separation growth is not performed. When the grown single crystal 3a grown on the
しかしながら、以上に示した昇華法による炭化珪素単結晶成長では、結晶の成長速度が遅いという課題がある。結晶の成長速度は主に成長温度、成長圧力、坩堝設計により決定されるが、成長温度および成長圧力は、結晶多形を維持するための最適条件が存在し、この最適条件を外れると異種結晶多形の混入により結晶品質が低下しやすくなる。そのため、成長温度および成長圧力は、目的の結晶多形に応じて、ほぼ決められた条件にする必要があり、坩堝設計は、単結晶分離成長の観点からの制約条件があるので、自由な設計を行うことが難しい。 However, the silicon carbide single crystal growth by the sublimation method described above has a problem that the crystal growth rate is slow. The growth rate of the crystal is mainly determined by the growth temperature, growth pressure, and crucible design, but there are optimum conditions for maintaining the crystal polymorphism in the growth temperature and growth pressure. Crystal quality is liable to deteriorate due to the inclusion of polymorphs. For this reason, the growth temperature and pressure need to be almost determined according to the desired crystal polymorphism, and the crucible design has constraints from the standpoint of single crystal separation growth. Difficult to do.
したがって、従来の技術では、炭化珪素単結晶の成長速度を向上させることは困難であった。特に単結晶口径が大きくなるほど、成長速度は遅くなるため、この結晶成長の速度向上は重要な課題である。さらに、原料粉末2の温度が不均一であるため、原料の消耗の仕方が不均一であり、発生する昇華ガスも不均一となるという課題も生じている。
Therefore, it has been difficult to improve the growth rate of the silicon carbide single crystal with the conventional technique. In particular, the larger the single crystal diameter is, the slower the growth rate becomes. Therefore, the improvement of the crystal growth rate is an important issue. Further, since the temperature of the
これらの課題に対して、図11に示すように、黒鉛製坩堝に概ね軸対称の熱伝導体を設置することで、黒鉛坩堝内の中心部の温度を高めて、原料消耗を均一化し、使用効率を改善させる技術が記載されている(例えば、特許文献3参照。)。
また、黒鉛坩堝中に、上部が細く、下部が太い中空状伝熱体を設置することにより、黒鉛坩堝内の温度を均一化し、原料消耗の変化を抑え長時間成長させた場合でも昇華ガスの均一性を確保して、原料の使用効率を向上する技術が記載されている(例えば、特許文献4参照。)。
In addition, by installing a hollow heat transfer body with a thin upper part and a thick lower part in the graphite crucible, the temperature in the graphite crucible is made uniform, and even when the material is grown for a long time while suppressing changes in raw material consumption, A technique for ensuring uniformity and improving the use efficiency of raw materials is described (for example, see Patent Document 4).
しかしながら、従来の構成では、原料消耗の不均一と成長速度の課題を、同時に改善することが困難である。例えば、特許文献3に記載の技術では、結晶の成長速度を向上させることはできない。また、特許文献4に記載の技術では、伝熱体の内部が中空であるため原料粉末充填量が大きく減少するため、成長速度が低下しやすい。さらに、単結晶大型化・長尺化への対応が難しく、一般の量産装置には適さない。
However, with the conventional configuration, it is difficult to improve the problem of non-uniform raw material consumption and the growth rate at the same time. For example, the technique described in
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、成長速度向上と原料消耗の均一化を同時に満たすものであり、高品質単結晶を効率良く製造出来る単結晶製造装置を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described conventional problems, and satisfies the growth rate improvement and uniform material consumption at the same time, and aims to provide a single crystal manufacturing apparatus capable of efficiently manufacturing a high-quality single crystal. To do.
前記従来の課題を解決するために、本発明の単結晶の製造装置及び製造方法は、黒鉛製坩堝と、前記黒鉛製坩堝の内部に固定された種結晶と、前記黒鉛製坩堝内に配置された原料粉末と、前記黒鉛製坩堝および前記原料粉末を加熱するための高周波ワークコイルを備えた単結晶製造装置において、熱伝導部材を前記黒鉛製坩堝の内壁に接しないように前記原料粉末の内部に配置することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned conventional problems, the single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method of the present invention are arranged in a graphite crucible, a seed crystal fixed inside the graphite crucible, and the graphite crucible. In the single crystal manufacturing apparatus provided with the raw material powder, the graphite crucible and the high-frequency work coil for heating the raw material powder, the heat conduction member is placed inside the raw material powder so as not to contact the inner wall of the graphite crucible. It arrange | positions at the feature.
さらに、本発明の単結晶の製造装置及び製造方法は、円筒状の黒鉛製坩堝と前記坩堝を密閉するための黒鉛製の蓋の内部に種結晶を固定し、前記黒鉛製坩堝内部に前記種結晶と同じ成分から成る原料を規定量よりも少ない量を入れた後、熱伝導体配置治具を用いて熱伝導部材を前記黒鉛製坩堝内部の内壁に接しないように前記黒鉛製坩堝内部に置き、さらに黒鉛製坩堝内部に前記原料を規定量まで入れ、前記黒鉛製の蓋と前記黒鉛製坩堝とを密閉した黒鉛製容器とし、前記黒鉛製容器の外側に配置した高周波ワークコイルに電流を流すことにより前記種結晶を成長させて単結晶を得ることを特徴とする。 Furthermore, the single crystal production apparatus and production method of the present invention comprises fixing a seed crystal inside a cylindrical graphite crucible and a graphite lid for sealing the crucible, and placing the seed in the graphite crucible. After putting the raw material consisting of the same component as the crystal in an amount smaller than the specified amount, the heat conduction member is placed inside the graphite crucible so as not to contact the inner wall of the graphite crucible using a heat conductor placement jig. Further, the raw material is put into a graphite crucible up to a specified amount, and the graphite lid and the graphite crucible are sealed, and a current is applied to the high-frequency work coil disposed outside the graphite container. The seed crystal is grown by flowing to obtain a single crystal.
本発明の単結晶製造装置によれば、成長速度向上と、原料消耗の均一化を同時に達成し、高品質単結晶を効率良く製造することができる。 According to the single crystal manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to simultaneously improve the growth rate and make the material consumption uniform, and to manufacture a high quality single crystal efficiently.
以下に、本発明の単結晶製造装置の実施の形態を図面とともに詳細に説明する。 Embodiments of a single crystal production apparatus of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の第1の実施例における単結晶製造装置の模式図を示す。図1において、黒鉛製坩堝1は、坩堝上部材1c、坩堝中部材1b、坩堝下部材1aで構成され、高さ150mm、外径60mmである。種結晶取り付け部1dの径は10mm、坩堝下部材1aの内径は30mm、原料粉末2の高さ方向は76mm、種結晶3の径はおよそ10mmである。高周波ワークコイル6の鉛直方向位置は、その中心が黒鉛製坩堝1の中心からプラスマイナス20mmの範囲で調整し、坩堝中部材1bと坩堝下部材1aに大きなジュール熱を発生させる。熱伝導体10の径は6mm、高さ50mmであり、材質は黒鉛とした。黒鉛以外にも、タンタル等の高融点金属、高融点炭化物等の高融点材料でも良いが、コスト面から黒鉛を選定した。
FIG. 1 shows a schematic diagram of a single crystal manufacturing apparatus in a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, a
熱伝導体10を原料粉末2中に、所望の位置に精度良く設置する方法を説明する。まず図2(a)のように坩堝下部材1aに、第一の原料粉末2aを所定量だけ、ここでは26.3g投入すると高さ方向に21mm充填された。次に図3に示す熱伝導体配置治具11を準備するが、ここで熱伝導体配置治具11は、円板に円筒を組み合わせたようなおおよそ回転軸対称で、円板の一部を切り取った形状であり、円筒部をガイド部11a、円板の一部を切り取った領域を原料粉末投入部11bと呼ぶこととする。ガイド部11aの内径は6.1mmとした。図2(b)のように、坩堝下部材1aに熱伝導体配置治具11を配置し、ガイド部11aを通して熱伝導体10を第一の原料粉末2aの上部に配置することで、熱伝導体10を坩堝下部材1aの軸中心に正確に配置することができる。
A method for accurately placing the
次に図2(c)のように熱伝導体配置治具11の原料粉末投入部11bから第二の原料粉末2bを60g投入した。ここで、熱伝導体配置治具11を中心軸に対して複数回、回転して原料粉末を投入すれば、原料粉末の偏りを抑えて均一に充填することができる。次に図2(d)のように熱伝導体配置治具11を坩堝下部材1aから取り外し、第三の原料粉末2cを所定量投入し、第二の原料粉末2bと第三の原料粉末2cの重量合計を66.3gとすることで、第一、第二、および第三の原料粉末を合わせた高さが76mmになるように充填できた。このように、熱伝導体配置治具11を用いることで、熱伝導体10を坩堝下部材1aの中心軸に、正確に配置することができる。
Next, as shown in FIG. 2C, 60 g of the second raw material powder 2 b was charged from the raw material powder charging portion 11 b of the heat
熱伝導体配置治具11はガイド部11aと原料粉末投入部11bを有していれば、図3に示すもの以外でも良い。例えば図4に示すものでも精度よく配置することが可能である。
The heat
以上のように熱伝導体10を配置したのち、坩堝中部材1b、坩堝上部材1c等を取り付け、断熱材5の内部に配置し、反応管内に配置した。反応管内を3.0×10-4Paに減圧後、黒鉛製坩堝1を1200℃以上に加熱し、アルゴンガスを8.0×104Paまで充填し、黒鉛製坩堝1を加熱し、黒鉛坩堝の下部温度が2300℃となるよう電流制御した。その後、アルゴン雰囲気圧を2.7×103Paに減圧し、炭化珪素単結晶の成長を行った。結晶成長時間は12時間とした。
After arranging the
(比較例1)
比較のため、図8に示すように熱伝導体を配置せずに結晶の成長を行った。黒鉛坩堝1の寸法、高周波コイルの位置、成長温度、成長圧力、成長時間等の他の条件は実施例1と同じである。鉛直方向の結晶成長量を成長時間で除して成長速度を導出した。
(Comparative Example 1)
For comparison, crystals were grown without arranging a heat conductor as shown in FIG. Other conditions such as the dimensions of the
実施例1と比較例1を比べると、実施例1の成長速度304μm/hに対し、比較例1では195μm/hであり、実施例1の結晶成長は約56%早く成長する。これは、熱伝導体を原料粉末中に配置することにより、原料粉末の温度が上昇し、原料使用効率が向上したためと考えられる。 Comparing Example 1 and Comparative Example 1, the growth rate of 304 μm / h in Example 1 is 195 μm / h in Comparative Example 1, and the crystal growth in Example 1 grows about 56% faster. This is presumably because the temperature of the raw material powder was increased and the use efficiency of the raw material was improved by arranging the heat conductor in the raw material powder.
また、本実験で用いた熱伝導体(黒鉛)の室温における熱伝導度は70W/m・K程度、炭化珪素多結晶の熱伝導度は0.1W/m・K程度であり、ともに同様の温度依存を示すため、2300℃付近の高温における熱伝導度は2桁以上黒鉛が大きい。このため原料粉末2の温度は従来よりも均一となり、原料消耗や昇華ガス発生も均一になると考えられる。その結果、単結晶成長条件がより安定し、また、局所的に炭化した原料粉末からの煤状物質の飛来が低減するため、単結晶品質が向上する。
The thermal conductivity of the thermal conductor (graphite) used in this experiment is about 70 W / m · K, and the thermal conductivity of polycrystalline silicon carbide is about 0.1 W / m · K. In order to show temperature dependence, the thermal conductivity at a high temperature around 2300 ° C. is larger by two digits or more. For this reason, it is considered that the temperature of the
このように、本発明により、成長速度向上と、原料消耗の均一化を同時に達成し、高品質単結晶を効率良く製造することが可能となる。 As described above, according to the present invention, it is possible to simultaneously improve the growth rate and make the material consumption uniform, and to produce a high-quality single crystal efficiently.
実施例2として、図5に示すように熱伝導体10の上端が単結晶成長空間4に露出する配置とした。熱伝導体10を所定の位置に配置するため、前述の熱伝導体配置治具11を用いて同様の方法で配置した。黒鉛坩堝1や熱伝導体10の寸法、成長温度、成長圧力、成長時間等の他の成長条件は、実施例1と同様である。
As Example 2, as shown in FIG. 5, the upper end of the
実施例2での結晶成長速度は290μm/hであり、従来技術である比較例1に比べると成長速度は49%向上した。また、熱伝導体配置により原料消耗が従来よりも均一となり、発生する昇華ガスも均一になると考えられる。このように、本実施の形態でも、本発明は有効である。そのため、熱伝導体10の表面は、実施例1に示すように、全て原料粉末に接することが望ましいが、実施例2のように熱伝導体10の上端が成長空間に露出しても効果が得られる。
The crystal growth rate in Example 2 was 290 μm / h, and the growth rate was improved by 49% compared with Comparative Example 1 which is a conventional technique. Further, it is considered that the consumption of the raw material becomes more uniform than in the past due to the arrangement of the heat conductor, and the generated sublimation gas is also uniform. Thus, the present invention is also effective in this embodiment. Therefore, it is desirable that the surface of the
前述の黒鉛製坩堝に対し、図6に示すように、外径20mm、内径16mm、高さ70mmのリング状熱伝導体12を配置した。黒鉛坩堝1の寸法、成長温度、成長圧力、成長時間等の他の成長条件は実施例1と同じである。
As shown in FIG. 6, a ring-shaped heat conductor 12 having an outer diameter of 20 mm, an inner diameter of 16 mm, and a height of 70 mm was disposed in the graphite crucible described above. Other growth conditions such as dimensions, growth temperature, growth pressure, and growth time of the
実施例3での結晶成長速度は238μm/hであり、従来技術である比較例1に比べると結晶成長速度は22%向上した。また、熱伝導体配置により原料消耗が従来よりも均一となり、発生する昇華ガスも均一になると考えられる。このように、リング状熱伝導体でも、本発明は有効である。 The crystal growth rate in Example 3 was 238 μm / h, and the crystal growth rate was improved by 22% compared with Comparative Example 1 which is a conventional technique. Further, it is considered that the consumption of the raw material becomes more uniform than in the past due to the arrangement of the heat conductor, and the generated sublimation gas is also uniform. Thus, the present invention is effective even with a ring-shaped heat conductor.
(比較例2)
図11に示すように、熱伝導体10の下端が坩堝下部1aに接する配置となるよう、黒鉛坩堝を加工し、原料粉末を高さ76mmとなるよう充填した。その後、実施例1と同様の成長を行った。成長温度、成長圧力、成長時間等の他の成長条件は実施例1と同じである。
(Comparative Example 2)
As shown in FIG. 11, the graphite crucible was processed so that the lower end of the
比較例2での結晶成長速度は214μm/hであり、比較例1に比べ9%の向上であり、大きな効果は得られなかった。したがって、熱伝導体を坩堝底部に接して配置した従来技術の場合、原料消耗の均一化は達成できるが、成長速度向上の効果は限定的であると考えられる。これは、比較例2では熱伝導体10と坩堝下部1aの間で熱移動が容易であるため、原料粉末上部から原料粉末下部へ熱が逃げ、原料粉末の温度が上昇しにくいことが考えられる。なお、高周波コイルの変更等により原料粉末上部より原料粉末下部のほうが高温となる温度分布に変更した場合には、この従来技術でも大きな成長速度向上が得られる可能性があるが、このとき坩堝内壁に付着した炭化珪素多結晶7が成長単結晶3aに付着しやすくなり、結晶欠陥が増大しやすくなるという課題がある。
The crystal growth rate in Comparative Example 2 was 214 μm / h, an improvement of 9% compared to Comparative Example 1, and a great effect was not obtained. Therefore, in the case of the prior art in which the heat conductor is disposed in contact with the bottom of the crucible, uniform consumption of the raw material can be achieved, but the effect of improving the growth rate is considered to be limited. This is because heat transfer from the upper part of the raw material powder to the lower part of the raw material powder is difficult because the heat transfer between the
実施例1から3に説明した通り、熱伝導体の形状は、円柱形状であることが望ましいが、円筒形状でも良い。また、概ね軸対称であれば、他の形状でも効果が得られると考えられる。また、複数の熱伝導体を組み合わせて使用しても良く、例えば、図7のように棒状熱伝導体10とリング状熱伝導体12を組み合わせて使用しても良い。熱伝導体の外径は、小さすぎると十分な効果が得られないため4mm以上がのぞましく、大きすぎると原料粉末から生じる昇華ガス輸送の障害となる可能性があるため20mm以下がのぞましい。
As described in Examples 1 to 3, the shape of the heat conductor is preferably a columnar shape, but may be a cylindrical shape. In addition, if it is generally axially symmetric, the effect can be obtained with other shapes. Further, a plurality of heat conductors may be used in combination, for example, a rod-
本発明にかかる炭化珪素単結晶の製造方法は、成長速度向上と、原料消耗の均一化を同時に達成し、高品質単結晶を効率良く製造することができ、特に高品質な炭化珪素単結晶基板を効率よく製造する方法として有用である。 The method for producing a silicon carbide single crystal according to the present invention can simultaneously improve the growth rate and make the material consumption uniform, and can efficiently produce a high-quality single crystal, and particularly a high-quality silicon carbide single-crystal substrate. It is useful as a method for efficiently producing.
本発明にかかる炭化珪素単結晶の製造方法は、昇華法により製造する他の材料素材にも適用できる。 The method for producing a silicon carbide single crystal according to the present invention can also be applied to other material materials produced by a sublimation method.
1 黒鉛製坩堝
1a 坩堝下部材
1b 坩堝中部材
1c 坩堝上部材
1d 種結晶取付部
1e ガスガイド部
2 原料粉末
2a 第一の原料粉末
2b 第二の原料粉末
2c 第三の原料粉末
3 種結晶
3a 成長単結晶
4 単結晶成長空間
5 断熱材
6 高周波ワークコイル
7 炭化珪素多結晶
10 熱伝導体
11 熱伝導体配置治具
11a ガイド部
11b 原料粉末投入部
12 リング状熱伝導体
1 graphite crucible 1a crucible lower member 1b crucible middle member 1c crucible upper member 1d seed crystal mounting portion 1e
Claims (15)
前記黒鉛製坩堝の内部に固定された種結晶と、
前記黒鉛製坩堝内に配置された原料粉末と、
前記黒鉛製坩堝および前記原料粉末を加熱するための高周波ワークコイルを備えた単結晶製造装置において、
熱伝導部材を前記黒鉛製坩堝の内壁に接しないように前記原料粉末の内部に配置することを特徴とする単結晶製造装置。 A graphite crucible;
A seed crystal fixed inside the graphite crucible;
Raw material powder disposed in the graphite crucible,
In the single crystal manufacturing apparatus provided with a high frequency work coil for heating the graphite crucible and the raw material powder,
A single crystal manufacturing apparatus, wherein a heat conducting member is arranged inside the raw material powder so as not to contact an inner wall of the graphite crucible.
前記黒鉛製坩堝内部に前記種結晶と同じ成分から成る原料を規定量よりも少ない量を入れた後、
熱伝導体配置治具を用いて熱伝導部材を前記黒鉛製坩堝内部の内壁に接しないように前記黒鉛製坩堝内部に置き、
さらに黒鉛製坩堝内部に前記原料を規定量まで入れ、
前記黒鉛製の蓋と前記黒鉛製坩堝とを密閉した黒鉛製容器とし、
前記黒鉛製容器の外側に配置した高周波ワークコイルに電流を流すことにより前記種結晶を成長させて単結晶を得る単結晶製造方法。 A seed crystal is fixed inside a cylindrical graphite crucible and a graphite lid for sealing the crucible,
After putting the raw material consisting of the same component as the seed crystal into the graphite crucible in an amount smaller than a prescribed amount,
Place the heat conduction member inside the graphite crucible so as not to contact the inner wall inside the graphite crucible using a heat conductor placement jig,
Furthermore, the raw material is put into a graphite crucible up to a specified amount,
A graphite container in which the graphite lid and the graphite crucible are sealed,
A single crystal manufacturing method for obtaining a single crystal by growing the seed crystal by passing an electric current through a high-frequency work coil disposed outside the graphite vessel.
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